JP4835736B2 - 固体電解質シートの製造方法 - Google Patents
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Description
ただし、現在市販されているリチウム二次電池は、電解液として可燃性の有機溶媒を用いるので、液漏れの他、短絡や過充電などを想定した安全対策が欠かせない。そこで、安全性向上のために、電解質としてイオン伝導性ポリマーやセラミックス等の固体電解質を用いた全固体型リチウム二次電池の開発が進められている。リチウムイオン伝導性固体電解質として利用可能なセラミックスとしては、高いリチウムイオン伝導性を有することから、特に硫化物系電解質に注目が集まっている。
式1 R−SH
式2 R1−S−R2
(上記式中のR、R1及びR2は、異種原子を含んでいてもよい炭化水素基である。)
から選ばれることが好ましい。
(1)硫化物系固体電解質粉末の調製工程
以下、本発明の硫化物系固体電解質粉末の調製工程について説明する。
本発明において、硫化物系固体電解質粉末とは、硫化物を主要成分とし、加熱処理によって準安定結晶を析出しうる、ガラス状の固体リチウムイオン伝導性電解質材料である。具体的には、例えば、Li2S−SiS2系材料、Li2S−P2S5系材料、Li2S−B2S3系材料、Li2S−GeS2系材料、Li2S−Sb2S3系材料、Li2S−ZrSx系材料、Li2S−FeSx系材料、Li2S−ZnSx系材料等が挙げられる。上記にて例示した各硫化物系固体電解質材料において、硫化リチウム(Li2S)と、その他硫化物(SiS2、P2S5、B2S3、GeS2、Sb2S3、ZrSx、FeSx、ZnSx等)との比率は、特に限定されないが、Li2Sとその他硫化物とのモル比(Li2S:その他硫化物)が、50:50〜95:5であることが好ましい。
メカニカルミリング処理は、硫化物系固体電解質粉末の原料と、酸素や水蒸気等との反応を防止するために、窒素ガス等の不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
メカニカルミリング処理の具体的な条件は、採用するメカニカルミリング方法等に応じて、適宜設定すればよい。例えば、遊星型ボールミルを採用する場合には、50〜500rpm、特に100〜300rpmの回転数とすることが好ましい。
溶媒の量は、メカニカルミリング処理の方法や、ボールミルを採用する場合には使用するボール径、また、容器の大きさ等に応じて適宜決定すればよいが、通常は、メカニカルミリング処理の処理対象である混合物の固形分のvol%(体積%)[{固形分/(固形分+溶媒)}×100]が、30〜70%、特に30〜50%となるようにすることが好ましい。加えて、容器内に溶媒体積とほぼ同等の空間を残しておくことが求められる。
また、メカニカルミリング処理の前に、溶媒を除くガラス原料を、予め、予備混合及び/又は粉砕しておくことが好ましい。具体的な予備混合・粉砕の方法、条件等は、特に限定されず、例えば、乳鉢等の一般的な方法が挙げられる。予備混合・粉砕も、上記と同様の観点から、不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
シート化する前の硫化物系固体電解質粉末の結晶化工程では、メカニカルミリング処理を行ったガラス原料混合物(硫化物系固体電解質粉末と溶媒との混合物)を乾燥させることで溶媒を除去し、熱処理を行うことによって、硫化物系固体電解質粉末を結晶化させる。
結晶化工程における加熱温度は、硫化物系固体電解質粉末から高温安定相を析出させて、部分的に結晶化できる温度、すなわち、結晶化温度の範囲内であればよく、使用する硫化物系固体電解質粉末の種類によって適宜決定することができる。上記にて例示した硫化物系固体電解質粉末の場合には、通常、250〜300℃程度でよく、好ましくは、270〜290℃、特に好ましくは280〜290℃である。
硫化物系固体電解質粉末をシート化した後、又はシート化すると共に結晶化する場合の結晶化工程は、例えば、特許文献1の段落[0008]〜[0010]に記載の方法がある。
尚、硫化物系固体電解質粉末の結晶化温度は、示差熱分析によって観測することができる。また、硫化物系固体電解質粉末が部分的に結晶化したかどうかは、X線結晶回折により確認することができる。
以下、上記の工程によって得られた硫化物系固体電解質粉末を用いて、本発明の固体電解質スラリーを調製する工程について説明する。
具体的には、前記硫化物系固体電解質粉末、含硫黄化合物、結着材、及び溶媒を含むスラリーを形成する工程について説明する。
式1 R−SH
式2 R1−S−R2
式3 R3−SO2−R4
前記R〜R4は、異種原子を含んでいてもよい炭化水素基を表す。典型的には、直鎖、分岐、又は環状の飽和炭化水素基であり、Rの炭素原子数は3〜20、R1〜R4の炭素原子数は1〜5のものが通常用いられる。
スルフィドとしては、プロピルスルフィド、ブチルスルフィド、イソブチルスルフィド、ブチルプロピルスルフィド、ヘキシルスルフィド、ベンジルスルフィド等を挙げることができるが、上記具体例に限定されるものではない。
これらの中でも、特に界面活性作用が強く、且つ最終的に揮発させて除去が可能な点から、シクロヘキサンチオール、tert−オクタンチオール、tert−ドデシルメルカプタン等のRが炭素原子数6〜12の飽和炭化水素であるチオールが特に好ましい。
これらの含硫黄化合物は、それぞれ単独で、あるいは2種類以上組み合わせて用いることができる。
結着材としては、全固体型リチウムイオン二次電池に用いられる硫化物系固体リチウムイオン伝導性電解質材料を結着させる材料として利用可能なものであれば、特に限定されない。例えば、シリコーン系ポリマー、フォスファゼンポリマー等のSi、P及びNの少なくとも1種を含有する結着材樹脂や、ポリスチレン、ポリエチレン、エチレン−プロピレンポリマー、スチレン−ブタジエンポリマー等の不飽和結合を含まない結着材樹脂等が挙げられる。これら結着材樹脂の分子量としては、例えば、数平均分子量が、1,000〜10,000、特に5,000〜80,000、さらに10,000〜65,000であることが好ましい。
結着材の含有量は、適宜決定することができるが、所望の可撓性及び加工性を有すると共に、リチウムイオン伝導性に優れた固体電解質シートが得られることから、該結着材及び硫化物系固体電解質粉末の合計量に対するwt%(重量%)[{結着材重量/(結着材重量+硫化物系固体電解質粉末重量)}×100]が、0.5〜5%、特に、0.5〜2%、さらに0.5〜1.5%であることが好ましい。
尚、結着材樹脂は、硬化剤等で硬化させた後、スラリー中に混合してもよい。
スラリー中における溶媒の量は、適宜決定することができる。具体的には、例えば、硫化物系固体電解質粉末、含硫黄化合物及び結着材の合計重量100重量部に対して、溶媒が20〜300重量部、特に、50〜250重量部であることが好ましい。
以下、上記工程によって得られた硫化物系固体電解質粉末のスラリーを、支持体上に塗工し、シート状に形成する工程について説明する。尚、本発明において「シート」とは、0.1〜100μm、特に1〜50μmの厚さの圧粉された薄膜を意味する。
得られた固体電解質シートは、圧力を付加することにより、シート中の空隙率を低下させ、固体電解質シート中の硫化物系固体電解質粉末同士の接触面積を増加させることにより、固体電解質シートのリチウムイオン伝導性を向上させることが好ましい。固体電解質シートに圧力を付加する方法、付加する圧力等は、特に限定されず、一般的な加圧装置を用いることができる。
また、上述のように、本発明の固体電解質シートの製造方法では、シート形成後に加熱処理により硫化物系固体電解質を結晶化させてもよい。
尚、本発明において、固体電解質シートの形成方法、及び固体電解質シートの形状はこれに限定されるものではない。
(実施例1)
硫化リチウム(純度99.9%)5.60g、五硫化二リン(純度99%、Aldrich製)2.40gをメノウ乳鉢でプレミキシングした後、溶媒としてn−ヘプタン(ナカライテスク製)12gを加え、遊星ボールミル(ジルコニア製50ml容器、ボール径2mm、フリッチュ社製)により、回転数300rpmで15時間、混合した。得られた混合物(電解質)を桐山ロート用濾紙上で簡易乾燥した後、SUS製圧力容器内に封入し、マントルヒーターを用いて290℃に加熱し、2時間保持することで、溶媒の除去及び硫化物系固体電解質粉末の結晶化を行い、粗粒化した電解質粉末を得た。
得られた電解質粉末を乳鉢で軽く粉砕して均一にした後、電解質2.67gに対しn−ヘプタン7.00gを加え、攪拌しつつtert−ドデシルメルカプタン(東京化成工業製)0.30g(0.35ml)をマイクロシリンジにて添加し、1時間攪拌した。攪拌後、電解質スラリーの沈降速度をスラリー清澄面の下降速度と等価と仮定し、マイクロピペット中で目視により測定したところ、平均9.87×10−5mm/sの沈降速度が得られた。
また、この電解質スラリーにSBR(スチレン−ブタジエン)樹脂0.03gを溶解させ、ドクターブレード(ギャップ間隔120μm)にてSUS箔上に塗布して成膜した後、120℃で1時間乾燥させた。得られた電解質膜の膜厚を、マイクロメーター(ミツトヨ製)で測定した結果、平均膜厚68μmであった。
この電解質膜をロールプレス(タクミ技研製、ロールギャップ30μm)で圧粉したところ、膜厚36μmの均一な電解質膜を得ることができた。この圧粉した電解質膜のリチウムイオン伝導率(0.1MHz時)を周波数応答アナライザ(FRA)(ソーラトロン製1260)を用いて測定した。結果を表1に示す。
スラリー調製時に用いる溶媒としてtert−ドデシルメルカプタン(東京化成工業製)7.00g(7.21ml)を用いる以外は、実施例1と同様にして、電解質スラリーの沈降速度を測定した。また、実施例1と同様、圧粉した電解質膜を作製し、リチウムイオン伝導率を測定した。結果を表1に示す。
含硫黄化合物(分散剤)としてシクロヘキサンチオール(東京化成工業製)0.30g(0.32ml)を用い、成膜時の乾燥温度を150℃にする以外は、実施例1と同じ条件で電解質スラリーの沈降速度を測定した。また、実施例1と同様、圧粉した電解質膜を作製し、リチウムイオン伝導率を測定した。結果を表1に示す。
含硫黄化合物(分散剤)としてtert−オクタンチオール(東京化成工業製)0.30g(0.36ml)を用いる以外は、実施例1と同様にして、電解質スラリーの沈降速度を測定した。また、実施例1と同様、圧粉した電解質膜を作製し、リチウムイオン伝導率を測定した。結果を表1に示す。
含硫黄化合物(分散剤)としてプロピルスルフィド(東京化成工業製)0.30g(0.36ml)を用いる以外は、実施例1と同様にして、電解質スラリーの沈降速度を測定した。また、実施例1と同様、圧粉した電解質膜を作製し、リチウムイオン伝導率を測定した。結果を表1に示す。
含硫黄化合物(分散剤)としてiso−ブチルスルフィド(東京化成工業製)0.30g(0.36ml)を用いる以外は、実施例1と同様にして、電解質スラリーの沈降速度を測定した。また、実施例1と同様、圧粉した電解質膜を作製し、リチウムイオン伝導率を測定した。結果を表1に示す。
含硫黄化合物(分散剤)を用いない以外は、実施例1と同様にして、電解質スラリーの沈降速度を測定した。また、実施例1と同様、圧粉した電解質膜を作製し、リチウムイオン伝導率を測定した。結果を表1に示す。
分散剤として含硫黄化合物を用いず、1−ペンタノール(東京化成工業製)0.30g(0.37ml)を用いる以外は、実施例1と同様にして、電解質スラリーの沈降速度を測定した。また、実施例1と同様、圧粉した電解質膜を作製し、リチウムイオン伝導率を測定した。結果を表1に示す。
分散剤として含硫黄化合物を用いず、Triton X−100(ナカライテスク製)0.30g(0.27ml)を用いる以外は、実施例1と同様にして、電解質スラリーの沈降速度を測定した。また、実施例1と同様、圧粉した電解質膜を作製し、リチウムイオン伝導率を測定した。結果を表1に示す。
表1に記載されている評価結果より、以下のことがわかる。
比較例1では、本発明で硫化物系固体電解質の分散剤として特定した含硫黄化合物を用いなかったことに起因し、得られた固体電解質シートのリチウムイオン伝導率は高いものの、スラリー中の硫化物系固体電解質粉末の沈降速度は速く、安定性の低い電解質スラリーであった。また、比較例1で得られた固体電解質シートは、乾燥前に既に均一な膜厚ではなく、ロールプレス後も均一な膜厚にならなかった。
Claims (2)
- 少なくとも、硫化物系固体電解質粉末、含硫黄化合物及び溶媒を含むスラリーを支持体上に塗工し、シート状に形成することを特徴とする、固体電解質シートの製造方法。
- 前記含硫黄化合物が、下記式1で表されるチオール及び下記式2で表されるスルフィドよりなる群:
式1 R−SH
式2 R1−S−R2
(上記式中のR、R1及びR2は、異種原子を含んでいてもよい炭化水素基である。)
から選ばれることを特徴とする、請求項1に記載の固体電解質シートの製造方法。
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