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JP4725124B2 - 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents

樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 Download PDF

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JP4725124B2 JP2005035914A JP2005035914A JP4725124B2 JP 4725124 B2 JP4725124 B2 JP 4725124B2 JP 2005035914 A JP2005035914 A JP 2005035914A JP 2005035914 A JP2005035914 A JP 2005035914A JP 4725124 B2 JP4725124 B2 JP 4725124B2
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Description

本発明は、表面平坦性、密着性、耐熱性、可とう性及び印刷性に優れた樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置に関する。
ポリイミド樹脂などの耐熱性樹脂は、耐熱性及び機械的性質に優れていることから、エレクトロニクスの分野で半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜としてすでに広く使われている。最近、これら表面保護膜用や層間絶縁膜用、応力緩和材用等のポリイミド系樹脂膜の像形成方法として露光、現像あるいはエッチングなどの繁雑な工程を必要としないスクリーン印刷法が着目されている。
スクリーン印刷法には、ベース樹脂、フィラー及び溶剤を構成成分とし、チキソトロピー性を持つ耐熱性樹脂ペーストが使用される。これまでに開発された耐熱性樹脂ペーストのほとんどは、チキソトロピー性を付与するためのフィラーとしてシリカ微粒子や非溶解性ポリイミド微粒子を用いているため、加熱乾燥時にフィラー界面に多数の空隙や気泡が残留し、膜強度が低い、電気絶縁性に劣るといった問題が指摘されている。
そこでこれらの問題が無く、加熱乾燥時にフィラーがまず溶解し、ベース樹脂に相溶・成膜化する特殊な有機フィラー(可溶型フィラー)・ベース樹脂・溶剤の組合せとすることによって、特性に優れたポリイミドパターンを形成できる耐熱性樹脂ペーストが開示されている(特許文献1参照)。また、上記ペーストに低弾性化等の特性を付与させるため、その他に低弾性フィラーや液状ゴム等を添加する技術もある(特許文献2参照)。
しかし、より細密な半導体素子上の配線パターン等を埋め込むために、低粘度のペーストを使用すると印刷後の形状保持性に劣り、一方、印刷後の形状保持性を付与するために高粘度のペーストを使用すると配線等の埋め込み性に劣る傾向があり問題となっている。
特開平2−289646号公報 国際公開01−066645号公報
本発明の目的は、表面平坦性、密着性、耐熱性、可とう性及び印刷性に優れた樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供するものである。また、本発明の目的は、スクリーン印刷やディスペンス塗布等の公知の方法で精密パターンを形成することが可能な樹脂組成物を提供することにある。
本発明は、下記(1)〜(9)に記載の事項をその特徴とするものである。
(1)(A)室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、(B)室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂、(C)平均粒径が0.1〜6μmでかつ粒径分布が0.01〜15μmであるゴム弾性を有するフィラー、及び(D)極性溶媒を含有してなる樹脂組成物において、レオメーターを使用して周波数1Hzの条件下、せん断応力10Pa及び1000Paで測定した貯蔵弾性率がそれぞれ1600Pa以上及び1000Pa未満であり、かつ、それら貯蔵弾性率の比(せん断応力10Paでの貯蔵弾性率(Pa)/せん断応力1000Paでの貯蔵弾性率(Pa))が2以上である樹脂組成物。
(2)レオメーターを使用して周波数1Hzの条件下、せん断応力10Pa及び1000Paで測定した粘度がそれぞれ400Pa・s以上及び400Pa・s未満であり、かつ、それら粘度の比(せん断応力10Paでの粘度(Pa・s)/せん断応力1000Paでの粘度(Pa・s))が1.6以上である上記(1)記載の樹脂組成物。
(3)レオメーターを使用してせん断応力10Paの条件下、周波数0.01Hz及び10Hzで測定した貯蔵弾性率がそれぞれ4000Pa未満及び4000Pa以上であり、かつ、それら貯蔵弾性率の比(周波数0.01Hzでの貯蔵弾性率(Pa)/周波数10Hzでの貯蔵弾性率(Pa))が0.20未満である上記(1)または(2)記載の樹脂組成物。
(4)レオメーターを使用してせん断応力10Paの条件下、周波数0.01Hz及び10Hzで測定した粘度がそれぞれ4000Pa・s以上及び500Pa・s未満であり、かつ、それら粘度の比(周波数0.01Hzでの粘度(Pa・s)/周波数10Hzでの粘度(Pa・s))が20以上である上記(1)〜(3)のいずれか1項記載の樹脂組成物。
(5)レオメーターを使用してせん断応力10Paの条件下、周波数1Hz以上で測定したtanδ(δ=損失弾性率(Pa)/貯蔵弾性率(Pa))の値が1以上2未満である上記(1)〜(4)のいずれか1項記載の樹脂組成物。
(6)前記(A)室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、及び前記(B)室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂が、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂又はこれらの前駆体である上記(1)〜(5)のいずれか1項記載の樹脂組成物。
(7)前記(C)ゴム弾性を有するフィラーの表面が化学修飾されている上記(1)〜(6)のいずれか1項記載の樹脂組成物。
(8)前記化学修飾がエポキシ基による修飾である上記(7)記載の樹脂組成物。
(9)上記(1)〜(8)のいずれか1項記載の樹脂組成物を用いた半導体装置。
本発明の樹脂組成物は、密着性、耐熱性、可とう性及び印刷性に優れたものである。また、本発明の樹脂組成物は、細密な配線上においてもスクリーン印刷やディスペンス塗布等で精密パターンを形成することが可能であり、例えば、スクリーン印刷ペーストとして使用した際、細密な配線等の埋め込み性と印刷後の形状保持性という相反する特性を共に満たすことが可能である。さらに、本発明の樹脂組成物を用いた半導体装置は良好な特性を与えるものである。
本発明の樹脂組成物は、(A)室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、(B)室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂、(C)平均粒径が0.1〜6μmでかつ粒径分布が0.01〜15μmであり、ゴム弾性を有するフィラー、及び(D)極性溶媒を含有してなり、一定条件下において、特定の貯蔵弾性率や粘度を有するものである。
本発明の樹脂組成物は、レオメーターを使用して周波数1Hzの条件下、せん断応力10Pa及びせん断応力1000Paで測定した貯蔵弾性率がそれぞれ1600Pa以上及び1000Pa未満であることが好ましく、より好ましくはそれぞれ1800Pa以上800Pa未満であり、特に好ましくはそれぞれ2000Pa以上及び600Pa未満である。せん断応力10Paで測定した貯蔵弾性率が1600Pa未満だと印刷後の形状保持性に劣る傾向があり、1000Paで測定した貯蔵弾性率が1000以上だと印刷時の埋め込み性に劣る傾向がある。また、周波数1Hzの条件下、せん断応力10Paで測定した貯蔵弾性率とせん断応力1000Paで測定した貯蔵弾性率の比(せん断応力10Paでの貯蔵弾性率(Pa)/せん断応力1000Paでの貯蔵弾性率(Pa))は、2以上であることが好ましく、3以上であることがより好ましく、4以上であることが特に好ましい。この比が2未満だと印刷時の埋め込み性及び印刷後の形状保持性を両立することが困難となる傾向がある。
また、本発明の樹脂組成物は、レオメーターを使用して周波数1Hzの条件下、せん断応力10Pa及びせん断応力1000Paで測定した粘度がそれぞれ400Pa・s以上及び400Pa・s未満であることが好ましく、より好ましくはそれぞれ450Pa・s以上及び380Pa・s未満であり、特に好ましくはそれぞれ500Pa・s以上及び350Pa・s未満である。せん断応力10Paで測定した粘度が400Pa・s未満だと印刷後の形状保持性に劣る傾向があり、せん断応力1000Paで測定した粘度が400Pa・s以上だと印刷時の埋め込み性に劣る傾向がある。また、周波数1Hzの条件下、せん断応力10Paで測定した粘度とせん断応力1000Paで測定した粘度の比(せん断応力10Paでの粘度(Pa・s)/せん断応力1000Paでの粘度(Pa・s))は、1.6以上であることが好ましく、1.8以上であることがより好ましく、2.0以上であることが特に好ましい。この比が1.6未満だと印刷時の埋め込み性及び印刷後の形状保持性を両立することが困難となる傾向がある。
さらに、本発明の樹脂組成物は、レオメーターを使用してせん断応力10Paの条件下、周波数0.01Hz及び周波数10Hzで測定した貯蔵弾性率がそれぞれ4000Pa未満及び4000Pa以上であることが好ましく、より好ましくはそれぞれ3000Pa未満及び5000Pa以上であり、特に好ましくはそれぞれ2000Pa未満及び6000Pa以上である。周波数0.01Hzで測定した貯蔵弾性率が4000Pa以上だと印刷時の埋め込み性に劣る傾向があり、10Hzで測定した貯蔵弾性率が4000Pa未満だと印刷後の形状保持性に劣る傾向がある。また、せん断応力10Paの条件下、周波数0.01Hzで測定した貯蔵弾性率と周波数10Hzで測定した貯蔵弾性率の比(周波数0.01Hzでの貯蔵弾性率(Pa)/周波数10Hzの貯蔵弾性率(Pa))は、0.20未満であることが好ましく、0.18未満であることがより好ましく、0.16未満であることが特に好ましい。この比が0.20以上だと印刷時の埋め込み性及び印刷後の形状保持性を両立することが困難となる傾向がある。
さらに、本発明の樹脂組成物は、レオメーターを使用してせん断応力10Paの条件下、周波数0.01Hz及び周波数10Hzで測定した粘度がそれぞれ4000Pa・s以上及び500Pa・s未満であることが好ましく、より好ましくはそれぞれ5000Pa・s以上及び400Pa・s未満であり、特に好ましくはそれぞれ6000Pa・s以上及び300Pa・s未満である。周波数0.01Hzで測定した粘度が4000Pa・s未満だと印刷後の形状保持性に劣る傾向があり、周波数10Hzで測定した粘度が800Pa・s以上だと印刷時の埋め込み性が劣る傾向がある。また、せん断応力10Paの条件下、周波数0.01Hz測定した粘度と周波数10Hzで測定した粘度の比(周波数0.01Hzでの粘度(Pa・s)/周波数10Hzの粘度(Pa・s))は、20以上であることが好ましく、25以上であることがより好ましく、30以上であることが特に好ましい。この比が20未満だと印刷時の埋め込み性及び印刷後の形状保持性を両立することが困難となる傾向がある。
また、本発明の樹脂組成物は、レオメーターを使用してせん断応力10Paの条件下、周波数1Hz以上で測定したtanδ(δ=損失弾性率(Pa)/貯蔵弾性率(Pa))の値が1以上2未満であることが好ましく、より好ましくは1.0〜1.8であり、特に好ましくは1.1〜1.7である。このtanδの値が1未満だと印刷時の埋め込み性に劣る傾向があり、2以上だと印刷後の形状保持性に劣る傾向がある。
本発明の樹脂組成物の、周波数1Hzの条件下、せん断応力10Paにおける貯蔵弾性率及び粘度、並びにせん断応力10Paの条件下、周波数0.01Hzにおける粘度は、それぞれ、本発明の樹脂組成物を構成する上記(A)成分や上記(B)成分の重量平均分子量を大きくすることによって大きくすることができ、上記(D)成分の使用量を減らすことによっても大きくすることができる。また、(D)成分の一成分として、(A)成分の溶解性に優れる溶媒を使用することによっても大きくすることができる。
本発明の樹脂組成物の、せん断応力10Paの条件下、周波数0.01Hzにおける貯蔵弾性率は、本発明の樹脂組成物を構成する上記(A)成分や上記(B)成分の重量平均分子量を小さくすることによって小さくすることができ、上記(D)成分の使用量を増やすことによっても小さくすることができる。また、(D)成分の一成分として、(A)成分の溶解性に優れる溶媒を使用することによっても小さくすることができる。
本発明の樹脂組成物の、周波数1Hzの条件下、せん断応力1000Paにおける貯蔵弾性率及び粘度、並びにせん断応力10Paの条件下、周波数10Hzの粘度は、それぞれ、本発明の樹脂組成物を構成する上記(A)成分や上記(B)成分の重量平均分子量を小さくすることによって小さくすることができ、上記(D)成分の使用量を増やすことによっても小さくすることができる。また、(D)成分の一成分として、(A)成分の溶解性に優れる溶媒を使用することによっても小さくすることができる。
本発明の樹脂組成物の、せん断応力10Paの条件下、周波数10Hzの貯蔵弾性率は、本発明の樹脂組成物を構成する上記(A)成分や上記(B)成分の重量平均分子量を大きくすることによって大きくすることができ、上記(D)成分の使用量を減らすことによっても大きくすることができる。また、(D)成分の一成分として、(A)成分の溶解性に優れる溶媒を使用することによっても大きくすることができる。
本発明の樹脂組成物の、せん断応力10Paの条件下、周波数1Hz以上における上記tanδの値は、本発明の樹脂組成物を構成する上記(A)成分や(B)成分の重量平均分子量を大きくすること、(D)極性溶媒の使用量を減らすこと等によって調整することができる。
なお、上記のような貯蔵弾性率や粘度は、室温にてレオメーター(動的粘弾性測定装置)を用いて測定することが可能であり、そのような装置としては、例えば、BOHLIN INSTRUMENTS社製レオメーター、CSR−10型等を挙げることができる。
本発明における、(A)室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、及び(B)室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂は、特に限定されないが、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはこれらの前駆体であることが好ましい。(B)成分は、本発明の樹脂組成物にチキソトロピーを付与し、スクリーン印刷やディスペンス塗布等による精密なパターン形成を可能ならしめるものである。なお、上記「室温」とは、特に溶媒温度の指定や調節を行わず、室内に放置しておいたような場合の温度条件を示し、特に制限されないが、10〜40℃の範囲内の温度であることが好ましい。また、「加熱」とは溶媒を80℃以上に昇温することで、好ましくは80℃〜200℃、さらに好ましくは100〜180℃である。加熱温度が80℃未満だと(C)フィラーの分散が十分でなく、得られる塗膜の表面平坦性が低下する傾向がある。
上記ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはこれらの前駆体を得る方法としては、例えば、芳香族、脂肪族あるいは脂環式ジアミン化合物と、ジカルボン酸あるいはその反応性酸誘導体及び/又はトリカルボン酸あるいはその反応性酸誘導体及び/又はテトラカルボン酸二無水物との反応による方法等、公知の方法によればよく、特に限定されない。反応は、無溶媒あるいは有機溶媒の存在下で行うことができ、反応温度は25℃〜250℃とすることが好ましく、反応時間は、バッチの規模、採用される反応条件などにより適宜選択することができる。
上記(A)成分及び(B)成分を製造するときの有機溶媒としては、特に制限は無く、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホラン等の含硫黄系溶媒、γ−ブチロラクトン、酢酸セロソルブ等のエステル系溶媒、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、N−メチルピロリドン、ジメチルアセトアセド、1,3−ジメチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン等の含窒素系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられ、これらは単独で又は2種類以上組み合わせて使用することができ、好ましくは、生成する樹脂を溶解する溶媒を選択して使用する。
また、ポリイミド樹脂前駆体又はポリアミドイミド樹脂前駆体を脱水閉環してポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹脂とする方法も特に制限は無く、一般的な方法を使用することができる。例えば、常圧あるいは減圧下において加熱によって脱水閉環する熱閉環法、触媒の存在下あるいは非存在下、無水酢酸等の脱水剤を使用する化学閉環法等を使用することができる。
熱閉環法の場合、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。このとき80〜400℃、好ましくは100〜250℃に反応液を加熱することにより行う。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン等のような水と共沸するような溶剤を併用し、水を共沸除去してもよい。
化学閉環法の場合、化学的脱水剤の存在下、0〜120℃、好ましくは10〜80℃で反応させる。化学的脱水剤としては、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物等を用いるのが好ましい。このとき、ピリジン、イソキノリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、アミノピリジン、イミダゾール等の環化反応を促進する物質を併用することが好ましい。化学的脱水剤はジアミン化合物の総量に対して90〜600モル%、環化反応を促進する物質はジアミン化合物の総量に対して40〜300モル%使用される。また、トリフェニルホスファイト、トリシクロヘキシルホスファイト、トリフェニルホスフェート、リン酸、五酸化リン等のリン化合物、ホウ酸、無水ホウ酸等のホウ素化合物等の脱水触媒を用いてもよい。
脱水反応によりイミド化を終了した反応液を、メタノール等の低級アルコール、水又はこれらの混合物等の上記有機溶媒と相溶性であって、かつ樹脂に対して貧溶媒である大過剰の溶媒に注ぎ、樹脂の沈殿物を得て、これをろ別し、溶媒を乾燥することによって、ポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹脂を得る。残存するイオン性不純物の低減化等を考慮すると、前述の熱閉環法が好ましい。
本発明の樹脂組成物において、上記(A)成分と(B)成分のそれぞれの配合量は特に制限されず、任意でよいが、好ましくは(A)成分100重量部に対して、(B)成分10〜300重量部、より好ましくは(A)成分100重量部に対して、(B)成分10〜200重量部配合する。(B)成分の配合量が10重量部より少ないと、得られる樹脂組成物のチキソトロピー性が低下する傾向があり、300重量部より多いと得られる膜物性が低下する傾向がある。
本発明における(C)ゴム弾性を有するフィラーとしては、特に制限はないが、アクリルゴム、フッ素ゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム等の弾性体のフィラーやこれらの液状ゴム等が挙げられる。本発明の樹脂組成物の耐熱性を考慮すると、シリコーンゴムが好ましく、例えば、トレフィルEシリーズ(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製商品名)を用いることができる。(C)成分の平均粒径は0.1〜6μmであることが好ましく、0.2〜5μmであることがより好ましく、0.3〜4μmであることが特に好ましい。平均粒径が0.1μm未満では粒子間の凝集が起き、フィラーを十分に分散させることが困難な傾向があり、6μmを超えると、ろ過工程を導入することが困難となり、得られる塗膜の表面平坦性が低下する傾向がある。また、その形状は、球形又は不定形に微粒子化されていることが好ましい。さらに、(C)成分の粒径分布は、0.01〜15μmであることが好ましく、0.02〜15μmであることがより好ましく、0.03〜15μmであることが特に好ましい。粒径が0.01μm未満のものが存在すると粒子間の凝集が起き易くなり、フィラーを十分に分散させることが難しくなる傾向があり、15μmを超えるものが存在すると、ろ過工程を導入することが困難となり、得られる塗膜の表面平坦性が低下する傾向がある。
また、(C)成分であるフィラーの表面は官能基で化学的に修飾されていることが好ましい。このような官能基としては、例えば、エポキシ基、アミノ基、アクリル基、ビニル基、フェニル基等を挙げることができ、好ましくはエポキシ基である。例えば、上記トレフィルEシリーズのトレフィルE−601のシリコーンゴムは、その表面がエポキシ基で修飾されており、(C)成分として好適である。
また、(C)成分は、(A)成分および(B)成分を含む芳香族熱可塑性樹脂の全総量100重量部に対して、5〜900重量部使用することが好ましく、5〜800重量部使用することがより好ましい。このような(C)フィラーを、耐熱性を有する熱可塑性樹脂に添加することにより、樹脂組成物の耐熱性及び密着性を損なうことなく、低弾性にすることが可能となり、また、その弾性率をコントロールすることが可能となる。
本発明における(D)極性溶媒は、有極性分子から構成される溶媒であればよく、特に制限されないが、例えば、N−メチルピロリドン、ジメチルアセドアミド、ジメチルホルムアミド、1,3−ジメチルテトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン等の含窒素化合物、スルホラン、ジメチルスルホキシド等の含硫黄化合物、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−ヘプタラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクトン類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類、エチレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジプロピルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル等のエーテル類等が挙げられる。
(D)成分の配合量は、本発明の樹脂組成物の貯蔵弾性率や粘度を考慮して適宜決定すればよく、特に限定されないが、本発明の樹脂組成物中の全樹脂総量100重量部に対して、100〜3500重量部配合することが好ましく、150〜1000重量部配合することがより好ましい。
また、本発明の樹脂組成物には、必要に応じて、着色剤、カップリング剤等の添加剤、樹脂改質剤を添加してもよい。着色剤としては、カーボンブラック、染料、顔料等が挙げられる。カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが、シラン系カップリング剤が最も好ましい。
シラン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピル−トリス(2−メトキシ−エトキシ−エトキシ)シラン、N−メチル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−トリメトキシシラン、3−4,5−ジヒドロイミダゾール−1−イル−プロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、3−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシラン、3−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、3−クロロプロピル−ジメトキシシラン、3−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、N,O−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ(メタクリロイルオキエトキシ)シラン、メチルトリ(グリシジルオキシ)シラン、N−β(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔3−(トリメトキシシリル)プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネートなどを使用することができ、これらの1種又は2種以上を併用することもできる。
チタン系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、イソプロピルトリス(n−アミノエチル)チタネート、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチル−1−ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ(2−エチルヘキシル)チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアエチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマー、ジイソプロポキシ−ビス(2,4−ペンタジオネート)チタニウム(IV)、ジイソプロピル−ビス−トリエタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチタネート、テトラ−n−ブトキシチタンポリマー、トリ−n−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ−n−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用することができ、これらの1種又は2種以上を併用することもできる。
アルミニウム系カップリング剤としては、特に制限は無く、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトイス(エチルアセトアセテート)、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス(エチルアセトアセテート)、アルミニウムトリス(アセチルアセトネート)、アルミニウム=モノイソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−n−ブトキシド−モノ−エチルアセトアセテート、アルミニウム−ジ−イソ−プロポキシド−モノ−エチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−sec−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム−sec−ブチレート、アルミニウムエチレート等のアルミニウムアルコレートなどを使用することができ、これらの1種又は2種以上を併用することもできる。
上記の添加剤は(A)成分および(B)成分を含む芳香族熱可塑性樹脂の全総量100重量部に対して、50重量部以下の配合量にすることが好ましい。上記添加剤の添加量が50重量部より多いと、得られる塗膜物性が低下する傾向がある。
本発明の樹脂組成物を用いて精密なパターンを形成する方法としては、特に制限はないが、例えば、スクリーン印刷法、ディスペンス塗布法、ポッティング法、カーテンコート法、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法等が挙げられる。
本発明の樹脂組成物を用いた半導体装置は、例えば、基板又はリードフレームに本発明の樹脂組成物を塗布又は本発明の樹脂組成物からなる樹脂フィルムを張り付け、樹脂層を形成した後、当該樹脂層上にチップを接着して得られる。勿論、チップ表面に本発明の樹脂組成物を塗布又は本発明の樹脂組成物からなる樹脂フィルムを張り付けた後、これを基板又はリードフレームに接着してもよい。塗布乾燥は公知の方法によって行うことができる。この際、イミド化を伴わず、かつ250℃以下の溶剤乾燥の工程で塗膜を得ることができる。形成された塗膜のガラス転移温度Tgが180℃以上で、熱分解温度が300℃以上であると、十分な耐熱性を有するため好ましい。また、塗膜の弾性率は0.2〜3.0GPaの範囲でコントロール可能なことから、あらゆる半導体装置に対応することができる。
本発明の樹脂組成物を用いた半導体装置は、例えば、同一構造の配線が複数形成された半導体基板に、本発明の樹脂組成物を塗布・乾燥して樹脂層を形成する工程、前記樹脂層上に前記半導体基板上の電極と電気的に導通した再配線を形成する工程、前記再配線上に保護層を形成する工程、前記保護層に外部電極端子を形成する工程、次いで、必要に応じてダイシングする工程を行い製造される。上記半導体基板としては、特に制限されないが、例えば、シリコンウエハ等が挙げられる。上記樹脂層の塗布方法としては、特に制限はないが、スクリーン印刷またはディスペンス塗布であることが好ましい。樹脂層の乾燥方法は公知の方法によって行うことができる。また、再配線を形成する工程で必要とされる耐スパッタ性、耐メッキ性、耐アルカリ性等を有することから、あらゆる半導体装置に対応することができる。また、シリコンウエハの反り量も低減することができる。この方法により製造される半導体装置は歩留まりの向上が期待でき、生産性の向上が可能となる。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(合成例1)
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(以下BAPPとする)45.92g(112ミリモル)を入れ、N−メチル−2−ピロリドン(以下NMPとする)50gを加えて溶解した。次に20℃を超えない様に冷却しながら無水トリメリット酸クロライド(以下TACとする)23.576g(112ミリモル)を加えた。室温で1時間撹拌した後、20℃を超えない様に冷却しながらトリエチルアミン(以下TEAとする)13.5744g(134.4ミリモル)を加えて、室温で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスを更に190℃で脱水反応を6時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して極性溶媒に室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−1)を得た。
得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−1)の重量平均分子量をゲル浸透クロマトグラフィー(以下GPCとする)を使用して標準ポリスチレン換算で測定したところ88,000だった。
(合成例2)
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、BAPP45.92g(112ミリモル)を入れ、NMP50gを加えて溶解した。次に20℃を超えない様に冷却しながらTAC14.1456g(67.2ミリモル)及び3,4,3´,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物(以下BTDAとする)14.4256g(44.8ミリモル)を加えた。室温で1時間撹拌した後、20℃を超えない様に冷却しながらTEA8.145g(80.64ミリモル)を加えて、室温で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスを更に190℃で脱水反応を6時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)を得た。得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−2)の重量平均分子量をGPCを使用して標準ポリスチレン換算で測定したところ90,000だった。
(合成例3)
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、BAPP45.92g(112ミリモル)を入れ、NMP50gを加えて溶解した。次に20℃を超えない様に冷却しながらTAC14.1456g(67.2ミリモル)及びBTDA14.4256g(44.8ミリモル)を加えた。室温で1時間撹拌した後、20℃を超えない様に冷却しながらTEA8.145g(80.64ミリモル)を加えて、室温で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスを更に190℃で脱水反応を3時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−3)を得た。得られたポリアミドイミド樹脂(PAI−3)の重量平均分子量をGPCを使用して標準ポリスチレン換算で測定したところ60,000だった。
(実施例1)
温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた1リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、合成例1で得られた、室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−1)110g、合成例2で得られた、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)33g、γ―ブチロラクトン(以下γ-BLとする)300g及びトリエチレングリコールジメチルエーテル(以下DMTGとする)129gを加えて攪拌しながら130℃まで昇温した。130℃で2時間攪拌後加熱を停止し、攪拌しながら室温まで放冷し、黄色樹脂組成物を得た。得られた黄色樹脂組成物にトレフィルE−601(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製商品名、シリコーンゴムパウダー、平均粒径:約2μm、粒径分布1〜10μm)61.3g及び1,3−ジメチルテトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン(以下DMPUとする)114.55gを添加してプラネタリミキサで混練、分散した後、これをろ過器KST−47(アドバンテック(株)製)に充填し、シリコンゴム製ピストンを挿入し、3.0kg/cmの圧力で加圧ろ過して樹脂組成物(P−1)を得た。
得られた樹脂組成物(P−1)について、その貯蔵弾性率及び粘度(レオロジー特性)を測定した。これらの測定には、BOHLIN INSTRUMENTS社製レオメーター、CSR−10型を用い、周波数変動測定は10Paのせん断応力を60秒負荷した後、せん断応力を10Paに固定した状態で、周波数を16Hzから0.1まで変動させて測定した。この際、測定中のサンプリングポイントは16点とし、それぞれの測定待ち時間は5秒とした。また、せん断応力変動測定は周波数を1Hzに固定し、10Paのせん断応力を60秒負荷した後、せん断応力を10Paから2400Paまで変動させ、測定した。この際、測定中のンプリングポイントは30点とし、それぞれの測定待ち時間は5秒とした。結果を表1に示す。
<樹脂ペースト特性>
また、得られた樹脂組成物を配線が形成された半導体基板(ピッチ寸法5.3mm×6.3mm、スクライブライン100μm)上にスクリーン印刷機(ニューロング精密工業社製、アライメント装置付きLS−34GX)、ニッケル合金レーザーエッチングメタル版((株)プロセス・ラボ・ミクロン製、厚み200μm、開口部寸法5mm×6mm、ピッチ寸法5.3mm×6.3mm)及びパーマレックスメタルスキージ(巴工業社輸入)を用いて、印刷し、その印刷性(ペースト特性)を評価した。評価は、光学顕微鏡を使用して、配線へのペースト埋め込み性及び印刷後の形状保持性を下記基準で評価することで行った。また、得られた樹脂組成物を金属シャーレ上に数g秤量し、不揮発分濃度(以下NVとする)を下記の通り測定、算出した。それぞれの結果を表1に示す。
・配線へのペースト埋め込み性
◎:埋め込み不良によるボイドの発生無し(合格)
○:埋め込み不良によるボイドの発生僅かに有り(合格)
△:埋め込み不良によるボイドの発生若干有り
×:埋め込み不良によるボイドの発生ほぼ全面に有り
・印刷後の形状保持性
◎:スクライブライン形成(合格)
○:スクライブライン潰れが僅かに発生(合格)
△:スクライブライン潰れが一部で発生
×:スクライブライン潰れ(ほぼ全面)
・不揮発分濃度
NV(%)=(加熱乾燥後の樹脂組成物量(g)/加熱乾燥前の樹脂組成物量(g))×100
乾燥条件:150℃−1時間+250℃−2時間
<樹脂フィルム特性>
さらに、得られた樹脂組成物をテフロン(登録商標)基板上に塗布し、250℃で加熱して、有機溶媒を乾燥させて、膜厚25μmの塗膜を形成した。当該塗膜について、動的粘弾性スペクトロメーター((株)岩本製作所製)により、引張り弾性率(25℃、10Hz)及びガラス転移温度(周波数10Hz、昇温速度2℃/min)を測定した。また、熱天秤により昇温速度:10℃/min、雰囲気:空気の条件で熱分解開始温度を測定した。それぞれの結果を表1に示す。
<半導体装置の製造とその評価>
得られた樹脂組成物を、配線が形成された半導体基板上にスクリーン印刷で塗布、乾燥し、樹脂層を形成する工程、当該樹脂層上に半導体基板上の電極と電気的に導通した再配線を形成する工程、当該再配線上に保護層を形成する工程、当該保護層に外部電極端子を形成する工程、および基板をダイシングする工程を経て半導体装置を作製した。
得られた半導体装置についてヒートサイクル試験(−55℃/30min及び125℃/30minを1000サイクル)を行い、樹脂層にクラックが発生するかどうか調べた。クラックが発生しなかったものを○、発生したものを×として半導体装置を評価した。結果を表1に示す。
(実施例2)
温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた1リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、合成例1で得られた室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−1)110g、合成例2で得られた極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)33g、γ-BL300g及びDMTG129gを加えて攪拌しながら130℃まで昇温した。130℃で2時間攪拌後加熱を停止し、攪拌しながら室温まで放冷し、黄色樹脂組成物を得た。得られた黄色樹脂組成物にトレフィルE−601(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製商品名、シリコーンゴムパウダー、平均粒径:約2μm、粒径分布1〜10μm)61.3g及びDMPU157.5gを添加してプラネタリミキサで混練、分散した後、これをろ過器KST−47(アドバンテック(株)製)に充填し、シリコンゴム製ピストンを挿入し、3.0kg/cmの圧力で加圧ろ過して樹脂組成物(P−2)を得た。
得られた樹脂組成物(P−2)について、実施例1と全く同様の評価を行った。結果を表1に示す。
(実施例3)
温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた1リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、合成例1で得られた室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−1)110g、合成例3で得られた極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−3)33g、γ-BL300g及びDMTG129gを加えて攪拌しながら130℃まで昇温した。130℃で2時間攪拌後加熱を停止し、攪拌しながら室温まで放冷し、黄色樹脂組成物を得た。得られた黄色樹脂組成物にトレフィルE−601(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製商品名、シリコーンゴムパウダー、平均粒径:約2μm、粒径分布1〜10μm)61.3g及びDMPU52.5gを添加してプラネタリミキサで混練、分散した後、これをろ過器KST−47(アドバンテック(株)製)に充填し、シリコンゴム製ピストンを挿入し、3.0kg/cmの圧力で加圧ろ過して樹脂組成物(P−3)を得た。
得られた樹脂組成物(P−3)について、実施例1と全く同様の評価を行った。結果を表1に示す。
(比較例1)
温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた1リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、合成例1で得られた室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−1)110g、合成例2で得られた極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)33g、γ-BL300g及びDMTG129gを加えて攪拌しながら130℃まで昇温した。130℃で2時間攪拌後加熱を停止し、攪拌しながら室温まで放冷し、黄色樹脂組成物を得た。得られた黄色樹脂組成物にトレフィルE−601(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製商品名、シリコーンゴムパウダー、平均粒径:約2μm、粒径分布1〜10μm)61.3gを添加してプラネタリミキサで混練、分散した後、これをろ過器KST−47(アドバンテック(株)製)に充填し、シリコンゴム製ピストンを挿入し、3.0kg/cmの圧力で加圧ろ過して樹脂組成物(P−4)を得た。
得られた樹脂組成物(P−4)について、実施例1と全く同様の評価を行った。結果を表1に示す。
(比較例2)
温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた1リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、合成例1で得られた室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−1)110g、合成例2で得られた極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)33g、γ-BL300g及びDMTG129gを加えて攪拌しながら130℃まで昇温した。130℃で2時間攪拌後加熱を停止し、攪拌しながら室温まで放冷し、黄色樹脂組成物を得た。得られた黄色樹脂組成物にトレフィルE−601(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製商品名、シリコーンゴムパウダー、平均粒径:約2μm、粒径分布1〜10μm)61.3g及びDMPU52.5gを添加してプラネタリミキサで混練、分散した後、これをろ過器KST−47(アドバンテック(株)製)に充填し、シリコンゴム製ピストンを挿入し、3.0kg/cmの圧力で加圧ろ過して樹脂組成物(P−5)を得た。
得られた樹脂組成物(P−5)について、実施例1と全く同様の評価を行った。結果を表1に示す。
(比較例3)
温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた1リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、合成例1で得られた室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−1)110g、合成例2で得られた極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)33g、γ-BL300g及びDMTG129gを加えて攪拌しながら130℃まで昇温した。130℃で2時間攪拌後加熱を停止し、攪拌しながら室温まで放冷し、黄色樹脂組成物を得た。得られた黄色樹脂組成物にトレフィルE−601(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製商品名、シリコーンゴムパウダー、平均粒径:約2μm、粒径分布1〜10μm)61.3g及びDMPU189gを添加してプラネタリミキサで混練、分散した後、これをろ過器KST−47(アドバンテック(株)製)に充填し、シリコンゴム製ピストンを挿入し、3.0kg/cmの圧力で加圧ろ過して樹脂組成物(P−6)を得た。
得られた樹脂組成物(P−6)について、実施例1と全く同様の評価を行った。結果を表1に示す。
(比較例4)
温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた1リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、合成例1で得られた室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−1)110g、合成例2で得られた極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)33g、γ-BL300g及びDMTG129gを加えて攪拌しながら130℃まで昇温した。130℃で2時間攪拌後加熱を停止し、攪拌しながら室温まで放冷し、黄色樹脂組成物を得た。得られた黄色樹脂組成物にトレフィルE−601(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製商品名、シリコーンゴムパウダー、平均粒径:約2μm、粒径分布1〜10μm)61.3g、γ-BL36.75g及びDMTG15.75gを添加してプラネタリミキサで混練、分散した後、これをろ過器KST−47(アドバンテック(株)製)に充填し、シリコンゴム製ピストンを挿入し、3.0kg/cmの圧力で加圧ろ過して樹脂組成物(P−7)を得た。
得られた樹脂組成物(P−7)について、実施例1と全く同様の評価を行った。結果を表1に示す。
(比較例5)
温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた1リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、合成例1で得られた室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−1)110g、合成例2で得られた極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)33g、γ-BL300g及びDMTG129gを加えて攪拌しながら130℃まで昇温した。130℃で2時間攪拌後加熱を停止し、攪拌しながら室温まで放冷し、黄色樹脂組成物を得た。得られた黄色樹脂組成物にトレフィルE−601(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製商品名、シリコーンゴムパウダー、平均粒径:約2μm、粒径分布1〜10μm)61.3g、γ-BL80.19g及びDMTG34.36gを添加してプラネタリミキサで混練、分散した後、これをろ過器KST−47(アドバンテック(株)製)に充填し、シリコンゴム製ピストンを挿入し、3.0kg/cmの圧力で加圧ろ過して樹脂組成物(P−8)を得た。
得られた樹脂組成物(P−8)について、実施例1と全く同様の評価を行った。結果を表1に示す。
(比較例6)
温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた1リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、合成例1で得られた室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−1)110g、合成例2で得られた極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)33g、γ-BL300g及びDMTG129gを加えて攪拌しながら130℃まで昇温した。130℃で2時間攪拌後加熱を停止し、攪拌しながら室温まで放冷し、黄色樹脂組成物を得た。得られた黄色樹脂組成物にトレフィルE−601(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製商品名、シリコーンゴムパウダー、平均粒径:約2μm、粒径分布1〜10μm)61.3g、γ-BL132.3g及びDMTG56.7gを添加してプラネタリミキサで混練、分散した後、これをろ過器KST−47(アドバンテック(株)製)に充填し、シリコンゴム製ピストンを挿入し、3.0kg/cmの圧力で加圧ろ過して樹脂組成物(P−9)を得た。
得られた樹脂組成物(P−9)について、実施例1と全く同様の評価を行った。結果を表1に示す。
Figure 0004725124
配線が形成された半導体基板に樹脂組成物をスクリーン印刷する際の模式図であり、図1(a)が印刷前、図1(b)が印刷後である。 本発明の耐熱性樹脂組成物を応力緩和層に用いた半導体パッケージの一例を示す断面図である。
符号の説明
1 樹脂組成物
2 スキージ
3 印刷用マスク
4 配線形成部分
5 スクライブライン部
6 シリコンウエハ
11 応力緩和層
12 はんだボール
13 電極
14 シリコンウエハ
15 ポリイミド系絶縁膜
16 アルミパッド

Claims (8)

  1. (A)2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンと、無水トリメリット酸クロライドとを反応させてなる、室温で有機極性溶媒に可溶なポリアミドイミド樹脂、(B)2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンと、無水トリメリット酸クロライドと、3,4,3´,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物とを反応させてなる、室温で有機極性溶媒に不溶であるが、80℃以上に加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂、(C)平均粒径が0.1〜6μmでかつ粒径分布が0.01〜15μmであるゴム弾性を有するフィラー、及び(D)有機極性溶媒を含有してなる樹脂組成物において、レオメーターを使用して周波数1Hzの条件下、せん断応力10Pa及び1000Paで測定した貯蔵弾性率がそれぞれ1600Pa以上及び1000Pa未満であり、かつ、それら貯蔵弾性率の比(せん断応力10Paでの貯蔵弾性率(Pa)/せん断応力1000Paでの貯蔵弾性率(Pa))が2以上である樹脂組成物。
  2. レオメーターを使用して周波数1Hzの条件下、せん断応力10Pa及び1000Paで測定した粘度がそれぞれ400Pa・s以上及び400Pa・s未満であり、かつ、それら粘度の比(せん断応力10Paでの粘度(Pa・s)/せん断応力1000Paでの粘度(Pa・s))が1.6以上である請求項1記載の樹脂組成物。
  3. レオメーターを使用してせん断応力10Paの条件下、周波数0.01Hz及び10Hzで測定した貯蔵弾性率がそれぞれ4000Pa未満及び4000Pa以上であり、かつ、それら貯蔵弾性率の比(周波数0.01Hzでの貯蔵弾性率(Pa)/周波数10Hzでの貯蔵弾性率(Pa))が0.20未満である請求項1または2記載の樹脂組成物。
  4. レオメーターを使用してせん断応力10Paの条件下、周波数0.01Hz及び10Hzで測定した粘度がそれぞれ4000Pa・s以上及び500Pa・s未満であり、かつ、それら粘度の比(周波数0.01Hzでの粘度(Pa・s)/周波数10Hzでの粘度(Pa・s))が20以上である請求項1〜3のいずれか1項記載の樹脂組成物。
  5. レオメーターを使用してせん断応力10Paの条件下、周波数1Hz以上で測定したtanδ(δ=損失弾性率(Pa)/貯蔵弾性率(Pa))の値が1以上2未満である請求項1〜4のいずれか1項記載の樹脂組成物。
  6. 前記(C)ゴム弾性を有するフィラーの表面が化学修飾されている請求項1〜のいずれか1項記載の樹脂組成物。
  7. 前記化学修飾がエポキシ基による修飾である請求項記載の樹脂組成物。
  8. 請求項1〜のいずれか1項記載の樹脂組成物を用いた半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008138159A (ja) * 2006-11-07 2008-06-19 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置
JP2008258429A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁フィルム、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置
JP7233071B2 (ja) * 2018-04-24 2023-03-06 ユニチカ株式会社 ポリアミドイミド組成物およびその使用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001247780A (ja) * 2000-03-06 2001-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱性樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置
WO2001066645A1 (fr) * 2000-03-06 2001-09-13 Hitachi Chemical Co., Ltd. Composition de resine, pate de resine thermoresistante et dispositif a semi-conducteur utilisant cette composition et cette resine et procede de fabrication de ce dispositif
JP2001323174A (ja) * 2000-03-09 2001-11-20 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2697215B2 (ja) * 1988-12-29 1998-01-14 日立化成工業株式会社 耐熱樹脂ペーストおよびこれを用いたic
JPH03287668A (ja) * 1990-04-04 1991-12-18 Mitsubishi Plastics Ind Ltd 高熱伝導性樹脂組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001247780A (ja) * 2000-03-06 2001-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱性樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置
WO2001066645A1 (fr) * 2000-03-06 2001-09-13 Hitachi Chemical Co., Ltd. Composition de resine, pate de resine thermoresistante et dispositif a semi-conducteur utilisant cette composition et cette resine et procede de fabrication de ce dispositif
JP2001323174A (ja) * 2000-03-09 2001-11-20 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置

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