JP4718382B2 - 硬質皮膜 - Google Patents
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Description
(Al1-a-b-cVaSibBc)(C1-xNx)…(1)
但し、0.27≦a≦0.9、0≦b+c≦0.2、0.1≦x≦1.0
[式中の添字は、互いに独立した原子比を示す]
M(C1-yNy)…(2)
但し、0≦y≦1.0
[Mは、周期律表第4A族元素、5A族元素、6A族元素、Al、SiおよびBから選択される少なくとも1種の元素を示す;yは原子比を示す]
(Al1-a-b-cVaSibBc)(C1-xNx)…(3)
但し、0.27≦a≦0.9、0≦b+c≦0.2、0.1≦x≦1.0
[式中の添字は、互いに独立した原子比を示す]
M(C1-yNy)…(4)
但し、0≦y≦1.0
[Mは、周期律表第4A族元素、5A族元素、6A族元素、Al、SiおよびBから選択される少なくとも1種の元素を示す;yは原子比を示す]
(Al1-a-b-cVaSibBc)(C1-xNx)…(1)
但し、0.27≦a≦0.9、0≦b+c≦0.2、0.1≦x≦1.0
[式中の添字は、互いに独立した原子比を示す]
M(C1-yNy)…(2)
但し、0≦y≦1.0
[Mは、周期律表第4A族元素、5A族元素、6A族元素、Al、SiおよびBから選択される少なくとも1種の元素を示す;yは原子比を示す]
前記図1に示した装置(AIP装置)のカソードに、各種合金若しくは金属からなるターゲットを配置し、回転する回転盤2に被処理体5として、超合金製チップおよび摺動試験用のディスク(SKD11製:φ55mm×5mm厚み、片面鏡面研磨)を取り付け、チャンバー1内を真空状態にした。その後チャンバー1内に配置されたヒーター7a〜7dで被処理体5の温度を500℃に加熱し、窒素ガス(C含有膜の場合には、N2−CH4の混合ガス)を導入してチャンバー1内の圧力を2.66Paにして、アーク放電を開始し、基材(被処理体5)の表面に下記表1に示した各種積層型硬質皮膜(A層およびB層を積層単位とする硬質皮膜)を膜厚約5μm(5000nm)程度に形成した。このとき、積層型の硬質皮膜にする手段については、前述した(1)〜(3)のいずれかによって制御を行った。
試験方法 :ベーンオンディスク
ディスク :上記によって得られた各種皮膜をコーティングしたディスク
ベーン :SKD11 先端半径10R 硬度HRC52
垂直荷重 :400N
摺動速度 :0.1m/s
雰囲気温度:500℃
摺動距離 :500m
評価項目 :摩擦係数、ディスク、ベーンの摩耗量
前記図1に示した装置(AIP装置)のカソードに、各種合金若しくは金属からなるターゲットを配置し、回転する回転盤2に被処理体5として、超合金製チップおよび摺動試験用のディスク(SKD11製:φ55mm×5mm厚み、片面鏡面研磨)と取り付け、チャンバー1内を真空状態にした。その後チャンバー1内に配置されたヒーター(図示せず)で被処理体5の温度を500℃に加熱し、窒素ガス(C含有膜の場合には、N2−CH4の混合ガス)を導入してチャンバー内の部圧力を2.66Paにして、アーク放電を開始し、基材(被処理体5)の表面に下記表2に示すようなCr含有下地層を形成し、その上に各種の硬質皮膜(前記表1に示した試料No.3〜23)を形成した。
試験方法 :ベーンオンディスク
ディスク :上記によって得られた各種皮膜をコーティングしたディスク
ベーン :SKD11 先端半径10R 硬度HRC52
垂直荷重 :500N
摺動速度 :0.1m/s
雰囲気温度:400℃
摺動距離 :1000m
評価項目 :摩擦係数、ディスク、ベーンの摩耗量
試験方法 :スクラッチ試験
圧子 :ダイヤモンド先端半径:200μmR
荷重 :最大200N
荷重増加速速度:100N/分
スクラッチ速度:10mm/分
評価項目 :光学顕微鏡(200倍)で確認できる皮膜隔離点の垂直荷重(N)が
高い方が、皮膜の密着性が良好であることを示している。
2 回転盤
3 回転テーブル
5 被処理体(基材)
6a,6b,6c,6d アーク蒸発源
7a,7b,7c,7d ヒータ
8a,8b,8c,8d アーク電源
9a,9b,9c,9d マスフローコントローラー
10 バイアス電源
Claims (12)
- 基材表面に形成される硬質皮膜であって、相互に異なる2種以上の膜がそれぞれ1層または2層以上で積層されると共に、各層を構成する膜は下記(1)式で示される膜であることを特徴とする塑性加工用治工具の基材表面に形成される硬質皮膜。
(Al1-a-b-cVaSibBc)(C1-xNx)…(1)
但し、0.27≦a≦0.9、0≦b+c≦0.2、0.1≦x≦1.0
[式中の添字は、互いに独立した原子比を示す] - 前記相互に異なる2種以上の膜が2層以上で積層されたものである請求項1に記載の硬質皮膜。
- 前記各膜の膜厚は2〜100nmであって、且つ前記各膜の膜厚の合計は3000〜10000nmである請求項1または2に記載の硬質皮膜。
- 前記相互に異なる2種以上の膜は組成が異なるものである請求項1〜3のいずれかに記載の硬質皮膜。
- 前記相互に異なる2種以上の膜は、前記(1)式におけるxの値が相互に異なるものである請求項1〜4のいずれかに記載の硬質皮膜。
- 下記(2)式で示され、且つ膜厚が5μm以上である膜が、前記基材表面と前記硬質皮膜との間に下地層として形成されたものである請求項1〜5のいずれかに記載の硬質皮膜。
M(C1-yNy)…(2)
但し、0≦y≦1.0
[Mは、周期律表第4A族元素、5A族元素、6A族元素、Al、SiおよびBから選択される少なくとも1種の元素を示す;yは原子比を示す] - 前記Mとして少なくともCrを含み、且つ元素M中に占めるCrの原子比が0.3以上である請求項6に記載の硬質皮膜。
- 基材表面に形成される硬質皮膜であって、下記(3)式で示される膜と、下記(4)式で示される膜が、それぞれ1層または2層以上で積層されたものであることを特徴とする塑性加工用治工具の基材表面に形成される硬質皮膜。
(Al1-a-b-cVaSibBc)(C1-xNx)…(3)
但し、0.27≦a≦0.9、0≦b+c≦0.2、0.1≦x≦1.0
[式中の添字は、互いに独立した原子比を示す]
M(C1-yNy)…(4)
但し、0≦y≦1.0
[Mは、周期律表第4A族元素、5A族元素、6A族元素、Al、SiおよびBから選択される少なくとも1種の元素を示す;yは原子比を示す] - 前記(3)式で示される膜と、前記(4)式で示される膜が、2層以上で積層されたものである請求項8に記載の硬質皮膜。
- 前記各膜の膜厚は2〜100nmであって、且つ前記各膜の膜厚の合計は3000〜10000nmである請求項8または9に記載の硬質皮膜。
- 前記(4)式で示され、且つ膜厚が5μm以上である膜が、前記基材表面と前記硬質皮膜との間に下地層として形成されたものである請求項8〜10のいずれかに記載の硬質皮膜。
- 前記下地層中のMとして少なくともCrを含み、且つ元素M中に占めるCrの原子比が0.3以上である請求項11に記載の硬質皮膜。
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JP2006173031A JP4718382B2 (ja) | 2006-06-22 | 2006-06-22 | 硬質皮膜 |
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JP2008001948A JP2008001948A (ja) | 2008-01-10 |
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JP2006026783A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Sumitomo Electric Hardmetal Corp | 表面被覆切削工具 |
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JP2006026783A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Sumitomo Electric Hardmetal Corp | 表面被覆切削工具 |
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