JP4707095B2 - 半導体回路 - Google Patents
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Description
従来、ICチップ300を搭載したパッケージ1000は、システムを構成するために他のチップと実装基板上で接続され、実装基板は、ICチップ300に電源を供給するためのVDD系電源配線100、VSS系電源配線200を含んでいる。
ICチップ300を搭載したパッケージ1000では、通常、アナログ回路に電圧を供給するための第1電源端子(AVDD)110、第1接地端子(AVSS)210、及びデジタル回路に電圧を供給するための第2電源端子(VDD)120、第2接地端子(VSS)220を備える。第1電源端子(AVDD)110と第2電源端子(VDD)120とに同じ電圧を供給する場合においても、これらの端子はノイズ対策といった理由から別々の端子に分離され、同様に、第1接地端子(AVSS)210と第2接地端子(VSS)220とも別々の端子に分離されている。第1電源端子(AVDD)110及び第2電源端子(VDD)120は、端子(リード)の先端部分で実装基板上のVDD系電源配線100に接続され、同様に、第1接地端子(AVSS)210及び第2接地端子(VSS)220は、端子の先端部分で実装基板上のVSS系電源配線200に接続されている。また、第1電源端子(AVDD)110は、ICチップ300上の電極パッド(AVDD)11にボンディングされており、第2電源端子(VDD)120は、ICチップ300上の電極パッド(VDD)12にボンディングされている。同様に、第1接地端子(AVSS)210は、ICチップ300上の電極パッド(AVSS)21にボンディングされており、第2接地端子(VSS)220は、ICチップ300上の電極パッド(VSS)22にボンディングされている。
前記のパッケージ1000を矩形とした時、第1電源端子(AVDD)110及び第1接地端子(AVSS)210は前記のパッケージ1000の第1の辺に配置されており、第2電源端子(VDD)120及び第2接地端子(VSS)220は第1の辺と対面する第2の辺に配置されている。ここで、辺に配置されているとは、辺に沿って辺の近傍に配置されている場合を含む。また、前記のパッケージ1000は、矩形の対角線上に位置する第1角部と第2角部を有し、第1電源端子(AVDD)110及び第1接地端子(AVSS)210は、第1角部近傍に配置されており、第2電源端子(VDD)120及び第2接地端子(VSS)220は、第2角部近傍に配置されている。更に、第1電源端子(AVDD)110を基準として第1接地端子(AVSS)210が位置する方向を第1方向、第2電源端子(VDD)120を基準として第2接地端子(VSS)220が位置する方向を第2方向とした場合、第1方向と第2方向が正反対の方向になるように、第1電源端子(AVDD)110、第1接地端子(AVSS)210、第2電源端子(VDD)120及び第2接地端子(VSS)220は配置されている。この時、VDD系電源配線100とVSS系電源配線200は交差している状態になる。
図1の(b)に、VDD系電源配線100とVSS系電源配線200が交差する部分の断面図を示す。ここでは、VDD系電源配線100とVSS系電源配線200が交差する部分において、VSS系電源配線200は、コンタクト部201を介して他の配線層に設けられているVSS系電源配線202に接続されている。
この従来技術では、電子部品の各端子と電気的に接続される複数のピンが多角形状に配置されてなるプリント配線基板において、前記複数のピンのうち、前記多角形状を構成する辺の端部に配置されているピンを接地端子にしているとともに、この接地端子に隣合わせに配置されているピンを電源端子にしている。更に、前記多角形状のうち前記接地端子が配置されている角部から前記電子部品と同一面で放射状に延設されるように第1の導体領域が形成され、該第1の導体領域と前記接地端子とが電気的に接続されている。すなわち、この従来技術では、前記角部から放射状に延設された前記第1の導体領域を配線として用いている。
従って、本発明の目的は、実装基板(多層配線パターン基板)上の複数の電源配線パターンを交差させずに配置することで電源供給用の配線パターン層を減少させることを可能とする半導体回路を提供することである。
前記半導体回路(1000)の第1の辺には前記第1配線パターン(100)に接続されるべき第1電源端子(110)及び前記第2配線パターン(200)に接続されるべき第1接地端子(210)が設けられ、前記第1の辺に対向する第2の辺には前記第1配線パターン(100)に接続されるべき第2電源端子(120)及び前記第2配線パターン(200)に接続されるべき第2接地端子(220)が設けられ、
前記第1電源端子(110)、前記第2電源端子(120)、前記第1接地端子(210)及び前記第2接地端子(220)は、前記第1配線パターン(100)と前記第2配線パターン(200)とが前記配線基板上で交差しないように配置されている
半導体回路(1000)。
図2に、本発明の第1の実施形態を示す。
本発明のIC(半導体集積回路)チップ300を搭載したパッケージ1000は、システムを構成するために他のチップと実装基板上で接続され、実装基板は、ICチップ300に電源を供給するためのVDD系電源配線100、VSS系電源配線200を含んでいる。
ICチップ300を搭載したパッケージ1000では、通常、アナログ回路に電圧を供給するための第1電源端子(AVDD)110、第1接地端子(AVSS)210、及びデジタル回路に電圧を供給するための第2電源端子(VDD)120、第2接地端子(VSS)220を備える。第1電源端子(AVDD)110と第2電源端子(VDD)120とに同じ電圧を供給する場合においても、これらの端子はノイズ対策といった理由から別々の端子に分離され、同様に、第1接地端子(AVSS)と第2接地端子(VSS)とも別々の端子に分離されている。第1電源端子(AVDD)110及び第2電源端子(VDD)120は、端子(リード)の先端部分で実装基板上のVDD系電源配線100に接続されている。同様に、第1接地端子(AVSS)210及び第2接地端子(VSS)220は、端子の先端部分で実装基板上のVSS系電源配線200に接続されている。また、第1電源端子(AVDD)110は、ICチップ300上の電極パッド(AVDD)11にボンディングされており、第2電源端子(VDD)120は、ICチップ300上の電極パッド(VDD)12にボンディングされている。同様に、第1接地端子(AVSS)210は、ICチップ300上の電極パッド(AVSS)21にボンディングされており、第2接地端子(VSS)220は、ICチップ300上の電極パッド(VSS)22にボンディングされている。なお、ボンディングにはワイヤボンディングとワイヤレスボンディングとを含む。
この時、第1電源端子(AVDD)110及び第2電源端子(VDD)120はVDD系電源配線100に接続されているため、第1電源端子(AVDD)110及び第2電源端子(VDD)120に供給される電圧の電位は、VDD系電源配線100に供給される電圧の電位と等しい。同様に、第1接地端子(AVSS)210及び第2接地端子(VSS)220はVSS系電源配線200に接続されているため、第1接地端子(AVSS)210及び第2接地端子(VSS)220に供給される電圧の電位は、VSS系電源配線200に供給される電圧の電位と等しい。
また、同じ電位が供給されるリードの先端同士を結ぶ線分(VDD−AVDDの線分とVSS―AVSSの線分)が交差しないようにリードを配置することによって上記パッケージの領域内でVDD系とVSS系の電源配線が交わらないように配置することもできる。
本発明の第2の実施形態では、パッケージ1000において、第1電源端子(AVDD)110と第2電源端子(VDD)120を対面させる形に配置し、同様に、第1接地端子(AVSS)210と第2接地端子(VSS)220を対面させる形に配置し、対面する端子間を繋ぐ電源配線同士を平行に設けられるようにする。
第2の実施形態の構成も第1の実施形態と同様であり、本発明のIC(半導体集積回路)チップ300を搭載したパッケージ1000は、システムを構成するために他のチップと実装基板上で接続され、実装基板は、ICチップ300に電源を供給するためのVDD系電源配線100、VSS系電源配線200を含んでいる。
ICチップ300を搭載したパッケージ1000では、通常、アナログ回路に電圧を供給するための第1電源端子(AVDD)110、第1接地端子(AVSS)210、及びデジタル回路に電圧を供給するための第2電源端子(VDD)120、第2接地端子(VSS)220を備える。第1電源端子(AVDD)110と第2電源端子(VDD)120とに同じ電圧を供給する場合においても別々の端子に分離され、同様に、第1接地端子(AVSS)と第2接地端子(VSS)とも別々の端子に分離されている。第1電源端子(AVDD)110及び第2電源端子(VDD)120は、端子(リード)の先端部分で実装基板上のVDD系電源配線100に接続されている。同様に、第1接地端子(AVSS)210及び第2接地端子(VSS)220は、端子の先端部分で実装基板上のVSS系電源配線200に接続されている。また、第1電源端子(AVDD)110は、ICチップ300上の電極パッド(AVDD)11にボンディングされており、第2電源端子(VDD)120は、ICチップ300上の電極パッド(VDD)12にボンディングされている。同様に、第1接地端子(AVSS)210は、ICチップ300上の電極パッド(AVSS)21にボンディングされており、第2接地端子(VSS)220は、ICチップ300上の電極パッド(VSS)22にボンディングされている。なお、ボンディングにはワイヤボンディングとワイヤレスボンディングとを含む。
また、同じ電位が供給されるリードの先端同士を結ぶ線分(VDD−AVDDの線分とVSS―AVSSの線分)が交差しないようにリードを配置することによって上記パッケージの領域内でVDD系とVSS系の電源配線が交わらないように配置することもできる。
実装基板上には、VDD系の電源から電力を供給されるVDD系電源配線100と、VSS系の電源から電力を供給されるVSS系電源配線200が設けられている。VDD系電源配線100及びVSS系電源配線200は配線パターンでも良い。
この実装基板上にICチップ300を搭載したパッケージ1000が実装されている。パッケージ1000の第1電源端子(AVDD)110及び第2電源端子(VDD)120はVDD系電源配線100と接続されている。また、パッケージ1000の第1接地端子(AVSS)210及び第2接地端子(VSS)220はVSS系電源配線200と接続されている。従って、第1電源端子(AVDD)110及び第2電源端子(VDD)120はVDD系の電源から電力を供給され、第1接地端子(AVSS)210及び第2接地端子(VSS)220はVSS系の電源から電力を供給される。
なお、図4では本発明の第2の実施形態を例に説明したが、第1の実施形態についても同様である。
図5の(a)は、端子(電極リード)がパッケージ1000の2側面から取り出されるSOP(Small Outline Package)を示す。2側面から取り出される端子を、前記の第1又は第2の実施形態で説明した位置に配置するようにする。
図5の(b)は、端子(電極リード)をパッケージ1000の四辺に配置したQFP(Quad Flat Package)を示す。QFPの場合もSOPと同様に、対面する2側面から取り出される端子に注目し、これらの端子を前記の第1又は第2の実施形態で説明した位置に配置するようにする。
図5の(c)は、パッケージ1000裏面に、格子状に配列した外部端子(バンプ)を形成し、多ピン化と高密度化を図ったBGA(Ball Grid Array)を示す。バンプの例としては、はんだボールがある。BGAの場合、本発明のICチップ300を搭載したパッケージ1000を矩形とした時、前記のパッケージ1000は、矩形の対角線上に位置する第1角部と第2角部を有する。第1角部近傍に配置されているバンプのうち少なくとも1つを第1電源端子(AVDD)110とし、第1電源端子(AVDD)110の近傍に配置されているバンプのうち少なくとも1つを第1接地端子(AVSS)210とする。同様に、第2角部近傍に配置されているバンプのうち少なくとも1つを第2電源端子(VDD)120とし、第2電源端子(VDD)120の近傍に配置されているバンプのうち少なくとも1つを第2接地端子(VSS)220とする。この時、第1電源端子(AVDD)110を基準として第1接地端子(AVSS)210が位置する方向と、第2電源端子(VDD)120を基準として第2接地端子(VSS)220が位置する方向は、同じ方向となるようにする。
この時、同じ電位が供給されるバンプを結ぶ線分(VDD−AVDDの線分とVSS―AVSSの線分)が交差しないようにバンプを配置することによって上記パッケージの領域内でVDD系とVSS系の電源配線が交わらないように配置することもできる。
なお、実際には、本発明のパッケージ1000は前記の参考例に限定されるものではなく、VDD系の電源配線に接続される端子とVSS系の電源配線に接続される端子とを持つパッケージ1000であれば良い。
本発明のICチップ300は、電極パッド(AVDD)11、電極パッド(VDD)12、電極パッド(AVSS)21及び電極パッド(VSS)22を備えている。
電極パッド(AVDD)11は、第1電源端子(AVDD)110と接続されている。電極パッド(VDD)12は、第2電源端子(VDD)120と接続されている。電極パッド(AVSS)21は、第1接地端子(AVSS)210と接続されている。電極パッド(VSS)22は、第2接地端子(VSS)220と接続されている。
本発明のICチップ300を矩形とした時、電極パッド(AVDD)11及び電極パッド(AVSS)21は前記のICチップ300の第1の辺に配置されている。同様に、電極パッド(VDD)12及び電極パッド(VSS)22は第1の辺と対面する第2の辺に配置されている。ここで、辺に配置されているとは、辺に沿って辺の近傍に配置されている場合を含む。更に、前記のICチップ300は、矩形の対角線上に位置する第1角部と第2角部を有し、電極パッド(AVDD)11及び電極パッド(AVSS)21は、第1角部近傍に配置されている。また、電極パッド(VDD)12及び電極パッド(VSS)22は、第2角部近傍に配置されている。電極パッド(AVDD)11を基準として電極パッド(AVSS)21が位置する方向を第1方向、電極パッド(VDD)12を基準として電極パッド(VSS)22が位置する方向を第2方向とした場合、第1方向と第2方向が同じ方向になるようにする。これにより、本発明のパッケージ1000の各端子の配置が容易になるとともに、ICチップ300に対しても、VDD系電源配線100の配線パターンとVSS系電源配線200の配線パターンを互いに交差しないように平行に設けることが可能となる。
ICチップ300において、電極パッド(AVDD)11及び電極パッド(AVSS)21がICチップ300の第1の辺に配置されている。また、電極パッド(VDD)12及び電極パッド(VSS)22に加えて、更に、電極パッド(REGC)30、電極パッド(X1端子)31及び電極パッド(X2端子)32が第1の辺と対面する第2の辺に配置されている。なお、電極パッド(REGC)30、電極パッド(X1端子)31及び電極パッド(X2端子)32は、電極パッド(VDD)12及び電極パッド(VSS)22の近傍に設けられる。
電極パッド(REGC)30はレギュレータ(regulator)に接続されているREGC端子の電極パッドである。電極パッド(X1端子)31及び電極パッド(X2端子)32は、水晶発振子を用いた水晶発振器(crystal oscillator)といった発振器に接続されている発振器用端子の電極パッドである。
第1の例では、電極パッド(AVDD)11と電極パッド(VDD)12はVDD系電源配線100に接続されており、電極パッド(AVSS)21と電極パッド(VSS)22及び電極パッド(REGC)30はVSS系電源配線200に接続されている。
なお、電極パッド(X1端子)31及び電極パッド(X2端子)32についても、電極パッド(VSS)22と同電位であればVSS系電源配線200に接続されるようにしても良い。この場合でも、電源配線上の細くなった箇所でインピーダンスが増大することがないように、VSS系電源配線200の太さを常に一定に保つようにする。
第2の例では、電極パッド(AVDD)11と電極パッド(VDD)12はVDD系電源配線100に接続されており、電極パッド(AVSS)21と電極パッド(VSS)22はVSS系電源配線200に接続されている。ここでは、電極パッド(REGC)30は、VSS系電源配線200とは接続されておらず、レギュレータの信号線と接続されている。電極パッド(REGC)30の電位は、この信号線から供給される信号の電位と等しくなる。
第3の例では、電極パッド(AVDD)11、電極パッド(AVSS)21及び電極パッド(AVREF)40は第1の辺に設けられ、電極パッド(VDD)12、電極パッド(VSS)22、電極パッド(REGC)30、電極パッド(X1端子)31、電極パッド(X2端子)32は第2の辺に設けられる。電極パッド(AVDD)11、電極パッド(VDD)12及び電極パッド(AVREF)40はVDD系電源配線100に接続されており、電極パッド(AVSS)21と電極パッド(VSS)22及び電極パッド(REGC)30はVSS系電源配線200に接続されている。この時、第1電源端子(AVDD)110、第2電源端子(VDD)120及び第3電源端子(AVREF)40は同じVDD系の電源から電力を供給されている。また、第1接地端子(AVSS)210、第2接地端子(VSS)220及び電極パッド(REGC)30は同じVSS系の電源から電力を供給されている。
第4の例では、電極パッド(AVDD)11、電極パッド(AVSS)21及び電極パッド(AVREF)40は第1の辺に設けられ、電極パッド(VDD)12、電極パッド(VSS)22、電極パッド(REGC)30、電極パッド(X1端子)31、電極パッド(X2端子)32は第2の辺に設けられる。電極パッド(AVDD)11、電極パッド(VDD)12はVDD系電源配線100に接続されている。第3電源端子(AVREF)40は、接続されている電源配線から、VDD系電源配線100及びVSS系電源配線200のいずれとも異なる電位の電力を供給されている。電極パッド(AVSS)21と電極パッド(VSS)22及び電極パッド(REGC)30はVSS系電源配線200に接続されている。この時、第1電源端子(AVDD)110及び第2電源端子(VDD)120は同じVDD系の電源から電力を供給されている。同様に、第1接地端子(AVSS)210、第2接地端子(VSS)220及び電極パッド(REGC)30は同じVSS系の電源から電力を供給されている。
12… 第2電源端子(VDD)の電極パッド
21… 第1接地端子(AVSS)の電極パッド
22… 第2接地端子(VSS)の電極パッド
30… REGC(レギュレータ)の電極パッド
31… X1(発振器用端子)の電極パッド
32… X2(発振器用端子)の電極パッド
40… 第3電源端子(AVREF)の電極パッド
50… Resetの電極パッド
51… プルアップ抵抗
60… Pch−OD(Pチャネルオープンドレイン出力)の電極パッド
61… プルアップ抵抗
62… Pchトランジスタ
71… プルダウン抵抗
72… Nchトランジスタ
73… プルダウン抵抗
74… Nchトランジスタ
100… VDD系電源配線
110… 第1電源端子(AVDD)
120… 第2電源端子(VDD)
200… VSS系電源配線
201… コンタクト部
202… VSS系電源配線
210… 第1接地端子(AVSS)
220… 第2接地端子(VSS)
300… ICチップ
1000… パッケージ
Claims (15)
- 第1配線パターンと第2配線パターンを有する配線基板に実装された半導体回路であって、
前記半導体回路の第1の辺には、
前記第1配線パターンに接続される第1電源端子及び前記第2配線パターンに接続される第1接地端子が設けられ、
前記第1の辺に対向する第2の辺には、
前記第1配線パターンに接続される第2電源端子及び前記第2配線パターンに接続される第2接地端子と、
ソース側が前記第2接地端子に接続され、ゲートに入力された制御信号に応じて電流を可変にするnMOS素子と、
前記nMOS素子のドレイン側に接続されているプルダウン抵抗と、
前記プルダウン抵抗に接続されている発振器用端子と
が設けられ、
前記第1電源端子、前記第2電源端子、前記第1接地端子及び前記第2接地端子は、前記配線基板上で前記第1配線パターンと前記第2配線パターンとが同一配線層で交差しないように配置されており、
前記発振器用端子は、前記nMOS素子がON状態の場合、前記プルダウン抵抗を介して前記第2接地端子の電位と同じ電位となる
半導体回路。 - 請求項1に記載の半導体回路において、
前記第1電源端子を基準として前記第1接地端子が位置する方向と、前記第2電源端子を基準として前記第2接地端子が位置する方向とは、同じ方向である
半導体回路。 - 請求項1又は2に記載の半導体回路において、
前記半導体回路の第1角部及び第2角部は、前記半導体回路の対角線上に位置し、
前記第1電源端子及び前記第1接地端子は、前記第1角部近傍に配置されており、
前記第2電源端子及び前記第2接地端子は、前記第2角部近傍に配置されている
半導体回路。 - 請求項1又は2に記載の半導体回路において、
前記第1電源端子及び前記第1接地端子は、前記第1の辺の中央近傍に配置されており、
前記第2電源端子及び前記第2接地端子は、前記第2の辺の中央近傍に配置されている
半導体回路。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体回路において、
前記第1配線パターンには、更に、前記第1電源端子と同電位の第3電源端子が接続されている
半導体回路。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体回路において、
前記第1配線パターンは、プルアップ抵抗を介して信号出力装置と接続されている
半導体回路。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体回路において、
前記第2接地端子は、前記第2の辺で、前記第2電源端子と前記発振器用端子との間の領域に位置し、
前記発振器用端子は、前記半導体回路が前記配線基板に実装された場合、前記第2配線パターンの近傍に位置する
半導体回路。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体回路において、
前記半導体回路はパッケージであり、
前記第1電源端子、前記第2電源端子、前記第1接地端子及び前記第2接地端子は、前記パッケージの電極リードである
半導体回路。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体回路において、
前記半導体回路はパッケージであり、
前記第1電源端子、前記第2電源端子、前記第1接地端子及び前記第2接地端子は、前記パッケージのバンプである
半導体回路。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体回路において、
前記半導体回路は半導体チップであり、
前記第1電源端子、前記第2電源端子、前記第1接地端子及び前記第2接地端子は、前記半導体チップの電極パッドである
半導体回路。 - 配線基板の第1の電源配線パターンと接続される第1の電源端子及び第2の電源端子と、
前記配線基板の第2の電源配線パターンと接続される第3の電源端子及び第4の電源端子と、
ソース側が前記第4電源端子に接続され、ゲートに入力された制御信号に応じて電流を可変にするnMOS素子と、
前記nMOS素子のドレイン側に接続されているプルダウン抵抗と、
前記プルダウン抵抗に接続されている発振器用端子と
を具備し、
前記第1乃至第4の電源端子は、前記配線基板上で前記第1の電源配線パターンと前記第2の電源配線パターンとが同一配線層で交差しないように配置されており、
前記発振器用端子は、前記nMOS素子がON状態の場合、前記プルダウン抵抗を介して前記第4電源端子の電位と同じ電位となることを特徴とする半導体回路。 - 前記第1乃至第4の電源端子は、前記第1の電源配線パターンと前記第2の電源配線パターンとが前記配線基板上の前記半導体回路に対応する領域において交差しないように配置されていることを特徴とする請求項11記載の半導体回路。
- 前記第1の電源端子と第2の電源端子とを結ぶ線分と前記第3の電源端子と第4の電源端子とを結ぶ線分とが交差しないよう前記第1乃至第4の電源端子が配置されていることを特徴とする請求項12記載の半導体回路。
- 前記第1の電源端子及び第2の電源端子は、それぞれ前記半導体回路の第1の辺及び前記第1の辺に対向する第2の辺に設けられていることを特徴とする請求項11記載の半導体回路。
- 前記第1の電源端子及び第2の電源端子は、それぞれ前記半導体回路の第1の辺及び前記第1の辺以外の第2の辺に設けられていることを特徴とする請求項11記載の半導体回路。
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Citations (3)
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JPH0521681A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 高密度表面実装用半導体パツケージ及び半導体実装基板 |
JP2002169635A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | コンピュータにおける信号拡張装置 |
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US6172519B1 (en) * | 1997-12-18 | 2001-01-09 | Xilinx, Inc. | Bus-hold circuit having a defined state during set-up of an in-system programmable device |
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Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JPH0521681A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 高密度表面実装用半導体パツケージ及び半導体実装基板 |
JP2002169635A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | コンピュータにおける信号拡張装置 |
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