CN102376844A - 发光二极管封装结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管封装结构的制造方法，步骤包括：提供一基板，该基板具有一第一表面和第二表面；设置电路结构于基板的第一表面，该电路结构将基板分为多个包含电路结构的主要作业区以及非主要作业区；设置支撑结构于基板上；设置若干发光二极管晶粒于基板主要作业区；及设置封装层覆盖发光二极管晶粒。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的基板的制造方法。与现有技术相比，本发明利用在基板上形成支撑结构，以吸收基板张力或应力，同时增加基板结构的刚性，避免基板发生形变，从而减少基板不平整以及良率下降等问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的制作通常是先在一个树脂或塑料的基板上形成电路结构，然后将发光二极管晶粒固定于基板上并与电路结构电性连接，最后形成封装层覆盖发光二极管晶粒并切割形成多个组件。
然而，随着当今发光二极管越来越薄型化的趋势，使得承载发光二极管晶粒的基板也越来越薄。但是由于薄型基板厚度的减少，使得基板的刚性降低导致基板弯曲，进而导致基板不平整以及制造良率下降的缺失。因此，如何提供一种克服以上缺点的发光二极管封装结构及其基板的制造方法是业界需要解决的一个课题。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种加强基板刚度的发光二极管封装结构及其基板的制造方法。
一种发光二极管封装结构制造方法，其步骤包括：
第一步骤，提供一基板，该基板具有一第一表面和相对的第二表面；
第二步骤，设置电路结构于基板上，且该电路结构从第一表面延伸至第二表面；
第三步骤，设置支撑结构于基板上；
第四步骤，设置若干发光二极管晶粒于基板上，并与电路结构形成电连接；
第五步骤，设置封装层覆盖发光二极管晶粒。
一种发光二极管封装结构，包括基板，设置于基板上的电路结构，设置于基板上并与电路结构电连接的发光二极管晶粒，设置于基板上并覆盖发光二极管晶粒的封装层，及设置于基板上的支持结构。
与现有技术相比，本发明利用在基板上形成支撑结构，以吸收基板张力或应力，同时增加基板结构的刚性，避免基板发生形变，从而减少基板不平整以及良率下降等问题。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法的流程图。
图2为本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法各步骤所得的发光二极管封装结构剖面示意图。
图3为本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法第二步骤所得的发光二极管封装结构俯视图。
图4为本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法第三步骤所得的发光二极管封装结构俯视图。
图5为本发明另一实施例的发光二极管封装结构制造方法第三步骤所得的发光二极管封装结构俯视图。
图6为本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法第四步骤所得的发光二极管封装结构俯视图。主要元件符号说明
基板 10
第一表面 11
第二表面 12
孔洞 13
电路结构 20
主要作业区 21
非主要作业区 22
支撑结构 30
主干支撑 31
外围支撑 32
延伸支撑 33
发光二极管晶粒 40
封装层 50
具体实施方式
图1示出了本发明一实施例的发光二极管封装结构制造方法的流程。该发光二极管封装结构制造方法大致包括如下流程：
第一步骤，提供一基板10，该基板10具有第一表面11和第二表面12；
第二步骤，设置电路结构20于基板10上；
第三步骤，设置支撑结构30于基板10上；
第四步骤，设置若干发光二极管晶粒40于基板10上，并与电路结构20形成电连接；
第五步骤，设置封装层50于基板10上并覆盖发光二极管晶粒40。
下面结合其他图示对该流程作详细说明。请同时参考图2和图3，首先，如步骤102所示，提供一基板10。该基板10呈平板状，包括第一表面11和相对的第二表面12。该基板10上设有多个主要作业区21和非主要作业区22，其中，非主要作业区22将各个主要作业区21互相隔离。本实施例中每一主要作业区21的四周均设有非主要作业区22，在其他实施例中，非主要作业区22可以仅分布在各主要作业区21之间。该基板10的材料可以是树脂或塑料。
然后如步骤104所示，设置电路结构20于基板10的第一表面11上，该电路结构20自第一表面11延伸至第二表面12，该电路结构20均分布在主要作业区21内。该电路结构20的制作包括利用机械、蚀刻或激光加工的技术先在基板10上形成贯穿第一表面11及第二表面12的孔洞13，再利用电镀、蒸镀或化镀的技术在孔洞13内形成电路结构20，电路结构20分别露出至第一表面11和第二表面12外。此外，本实施例还可包含利用激光加工、机械或研磨的技术在基板10的第一表面11上形成用于承载晶粒的固晶凹陷区域(图未示)的工序。
接着如步骤106所示，设置支撑结构30于基板10上。并请参阅图4，本实施例中的支撑结构30包括完全位于非主要作业区22内并位于主要作业区21之间的主干支撑31，位于基板10外围的外围支撑32，以及自主要作业区21的电路结构20延伸至非主要作业区22的延伸支撑33。该延伸支撑33与部分主干支撑31相互交错，在本实施例中，该主干支撑31与外围支撑32相互连接，在另一实施例中，该主干支撑31与外围支撑32彼此分离，并无接触，如图5所示。该支撑结构30可仅设置于第一表面11上，或第二表面12上，或同时设置于第一表面11和第二表面12上，在本实施例中，该支撑结构30设置于第一表面11上。该支撑结构30的材料可以是金属，并利用蒸镀、溅镀或电镀的技术制成。当然在其他实施例中，该支撑结构30也可以采用树脂或塑料材料，利用印刷或网印的技术制成。当支撑结构30采用金属材料时，制作支撑结构30可与制作电路结构20同步完成，当支撑结构30采用树脂或塑料材料时，则需在设置电路结构20的步骤之后完成。在其他实施例中，该支撑结构30中的主干支撑31、外围支撑32和延伸支撑33可仅保留其中的任意一个或多个，例如，该支撑结构30可以仅包括设置在非主要作业区22内并位于主要作业区21之间的主干支撑31，也可以同时包括主干支撑31和由主要作业区21延伸至非主要作业区22内地延伸支撑33。
由于支撑结构30可增加基板10的刚性并可吸收基板10的张力或应力，从而可避免基板10产生形变，同时减少因基板10变形而产生的良率下降的问题。
如步骤108所示，并请一同参阅图6，设置若干发光二极管晶粒40于基板10上，该若干发光二极管晶粒40位于主要作业区21内，并与电路结构20电性连接。此电性连接的步骤可以采用覆晶、共晶或者固晶打线的方式完成。在本实施例中，是采用固晶打线方式将若干发光二极管晶粒40与电路结构20电性连接。
如步骤110所示，设置封装层50于基板10上并覆盖所有发光二极管晶粒40。该封装层50可以采用硅树脂、环氧树脂或其他透明材料，利用模铸工艺制成。在本实施例中，该封装层50包含荧光转换材料，接收发光二极管晶粒40的光线后可改变发出光的光特性。其中萤光转换材料可以为石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉和氮化物基荧光粉。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
第一步骤，提供一基板，该基板具有一第一表面和相对的第二表面；
第二步骤，设置电路结构于基板上，且该电路结构从第一表面延伸至第二表面；
第三步骤，设置支撑结构于基板上；
第四步骤，设置若干发光二极管晶粒于基板上，并与电路结构形成电连接；
第五步骤，设置封装层覆盖发光二极管晶粒。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述基板包括若干主要作业区和若干非主要作业区，且非主要作业区将各个主要作业区互相隔离，所述电路结构设置于基板的主要作业区内。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述支撑结构包括设置于非主要作业区内并位于主要作业区之间的主干支撑。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述支撑结构还包括从主要作业区延伸至非主要作业区的延伸支撑，所述延伸支撑与主干支撑互相交错设置。
5.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述支撑结构还包括设置在基板外围的外围支撑。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述主干支撑和外围支撑相互连接或彼此分离。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述支撑结构设置于第一表面或第二表面中的一面，或同时设置于第一表面和第二表面。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述支撑结构采用金属材料，利用蒸镀、溅镀或电镀工艺制成，并与设置电路结构同步完成。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述支撑结构采用树脂或塑料材料，并利用印刷或网印工艺制成。
10.一种发光二极管封装结构，其特征在于包括基板，设置于基板上的电路结构，设置于基板上并与电路结构电连接的发光二极管晶粒，设置于基板上并覆盖发光二极管晶粒的封装层，及设置于基板上的支持结构，且该发光二极管封装结构由权利要求1至9项中任意一项所述的方法制成。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120314 |