JP4651532B2 - 磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents
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Description
[1] 平均二次粒子径(DAl)が0.1〜0.7μmの酸化アルミニウム粒子及び酸を含有する研磨液組成物Aを用いて基板を研磨する粗研磨工程、並びにコロイダル粒子を含有する研磨液組成物Bを用いて粗研磨工程で得られた基板を研磨する仕上げ研磨工程を有してなる磁気ディスク基板の製造方法であって、粗研磨工程の研磨荷重Pが下記(1)式を満足し、かつ仕上げ研磨工程の研磨量Rが下記(2)式を満足する、磁気ディスク基板の製造方法
74−(40×DAl)≦ P ≦138−(80×DAl) (1)
{P×(DAl)2+10}×0.01 ≦ R ≦0.5 (2)
[ここで、DAl、P、及びRはそれぞれ、μm、g/cm2、及びμm単位で表される。]
に関する。
74−(40×DAl)≦ P ≦138−(80×DAl) (1)
{P×(DAl)2+10}×0.01 ≦ R ≦0.5 (2)
[ここで、DAl、P、及びRはそれぞれ、μm、g/cm2、及びμm単位で表される。]
本発明の磁気ディスク基板の製造方法が、かかる特徴を有することにより、テキスチャー不良又はヘッドクラッシュの原因となり得る酸化アルミニウム粒子の突き刺さりが低減された基板を実用的な研磨速度で得ることができるという効果が奏される。
<酸化アルミニウム粒子>
本発明の粗研磨工程に用いられる研磨液組成物Aは、研磨材として酸化アルミニウム(以下、「アルミナ」と称することがある)粒子を含有する。本発明に用いられる酸化アルミニウム粒子としては、突き刺さり低減の観点、うねり低減、表面粗さ低減、研磨速度向上及び表面欠陥防止の観点から、アルミナとしての純度が95%以上のアルミナが好ましく、より好ましくは97%以上、さらに好ましくは99%以上のアルミナである。また、研磨速度向上の観点からは、α−アルミナ粒子が好ましく、表面性状及びうねり低減の観点からは、中間アルミナ、アモルファスアルミナが好ましい。中間アルミナとは、α−アルミナ粒子以外の結晶性アルミナ粒子の総称であり、具体的にはγ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、η−アルミナ、κ−アルミナ、これらの混合物等が挙げられる。その中間アルミナの中でも、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、γ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ及びこれらの混合物が好ましく、より好ましくはγ−アルミナ及びθ−アルミナである。研磨速度向上及びうねり低減の観点から、α−アルミナと中間アルミナ及び/又はアモルファスアルミナと混合して使用することが好ましく、α−アルミナとθ−アルミナを混合することが中でも好ましい。また、酸化アルミニウム粒子中のα−アルミナ粒子の含有量は、研磨速度向上、うねり低減の観点から、20重量%以上が好ましく、より好ましくは30重量%以上、さらに好ましくは40重量%以上である。本発明における酸化アルミナ粒子中のα−アルミナ粒子の割合は、WA−1000(昭和電工(株)製)の104面ピーク面積を100%として、X線回折におけるα−アルミナピーク面積を算出することにより求める。
研磨液組成物Aは、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、さらに酸を含有する。
研磨液組成物Aに用いられる酸は、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、そのpK1が好ましくは7以下、より好ましくは5以下、さらに好ましくは3以下、さらにより好ましくは2以下である。ここでpK1とは酸解離定数(25℃)の逆数の対数値をpKaと表したとき、その内の第1酸解離定数の逆数の対数値である。各化合物のpK1は例えば化学便覧改訂4版(基礎編)II、pp316 〜325 (日本化学会編)等に記載されている。
研磨液組成物Aは、研磨速度向上及びうねり低減の観点から、酸化剤を含有することが好ましい。研磨の機構については不明であるが、酸化剤が被研磨物に作用することにより、アルミナの研磨効力が十分に発揮される状態に変化していると推測される。研磨液組成物Aで使用され得る酸化剤としては過酸化物、金属のペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、硝酸塩、硫酸塩、酸の金属塩等が挙げられる。酸化剤にはその構造から無機酸化剤と有機酸化剤に大別される。それら酸化剤の具体例を以下に示す。無機酸化剤としては、過酸化水素、更には過酸化ナトリウム、過酸化カリウム、過酸化カルシウム、過酸化バリウム、過酸化マグネシウムの様なアルカリ金属、又はアルカリ土類金属の過酸化物類、ペルオキソ炭酸ナトリウム、ペルオキソ炭酸カリウム等のペルオキソ炭酸塩類、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム、ペルオキソ一硫酸等のペルオキソ硫酸又はその塩類、ペルオキソ硝酸、ペルオキソ硝酸ナトリウム、ペルオキソ硝酸カリウム等のペルオキソ硝酸又はその塩類、ペルオキソリン酸ナトリウム、ペルオキソリン酸カリウム、ペルオキソリン酸アンモニウム等のペルオキソリン酸又はその塩類、ペルオキソホウ酸ナトリウム、ペルオキソホウ酸カリウム等のペルオキソホウ酸塩類、ペルオキソクロム酸カリウム、ペルオキソクロム酸ナトリウム等のペルオキソクロム酸塩類、過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガン酸塩類、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸カリウム、塩素酸、次亜塩素酸ナトリウム、過沃素酸ナトリウム、過沃素酸カリウム、沃素酸、沃素酸ナトリウム等のハロゲン酸又はその誘導体類、塩化鉄(III)、硫酸鉄(III)等の無機酸金属塩が用いることができる。有機酸化剤としては、過酢酸、過ギ酸、過安息香酸等の過カルボン酸類、t−ブチルパーオキサイド、クメンパーオキサイド等のパーオキサイド類、クエン酸鉄(III)を用いることができる。これらの内、研磨速度向上性や入手性、水溶性等の取り扱い性を比較した場合、無機酸化剤の方が好ましい。さらに、環境問題の点を考慮すると重金属を含まない無機過酸化物が好ましい。また、被研磨基板の表面汚れ防止の観点からは、より好ましくは、過酸化水素、ペルオキソ硫酸塩類、ハロゲン酸又はその誘導体であり、さらに好ましくは過酸化水素である。また、これらの過酸化物は1種でもよいが、2種以上を混合して用いても良い。
研磨液組成物A中の水は、媒体として使用されるものであり、イオン交換水、蒸留水、超純水等が挙げられる。その含有量は、被研磨物を効率良く研磨する観点から、好ましくは55〜99重量%、より好ましくは60〜97重量%、さらに好ましくは70〜95重量%である。
また、研磨液組成物Aには、研磨速度向上又はうねり低減、その他の目的に応じて、さらに他の成分を配合することができる。かかる他の成分としては、例えば、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、コロイダル酸化チタン等金属酸化物砥粒、無機塩、増粘剤、防錆剤、塩基性物質等が挙げられる。無機塩の例としては硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、硫酸カリウム、硫酸ニッケル、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、スルファミン酸アンモニウム等が挙げられる。無機塩は、研磨速度の向上、ロールオフの改良、研磨液組成物のケーキング防止等の目的で使用され得る。前記他の成分は単独で用いても良いし、2種類以上混合して用いても良い。また、その含有量は、経済性の観点から、研磨液組成物A中、好ましくは0.05〜20重量%、より好ましくは0.05〜10重量%、さらに好ましくは0.05〜5重量%である。
また、研磨液組成物Aは、目的成分を任意の方法で添加、混合して製造することができる。
<研磨方法>
粗研磨工程においては、多孔質の有機高分子系の研磨布等を貼り付けた研磨盤で被研磨基板を挟み込み、研磨液組成物Aを研磨面に供給し、圧力を加えながら研磨盤や被研磨基板を動かす研磨方法を用いることにより、基板を研磨することができる。
本発明において、磁気ディスク基板は粗研磨工程及び該粗研磨工程で得られた基板をさらに研磨する仕上げ研磨工程を経て製造される。研磨荷重Pは、該粗研磨工程における研磨荷重のことであり、下限は生産性の観点から、上限はアルミナ突き刺さり低減の観点から、酸化アルミニウム粒子の平均二次粒子径(DAl)が0.1〜0.7μmの範囲において、以下の式(1):
74-(40×DAl)≦ P ≦138-(80×DAl) (1)
を満たし、以下の式(3):
74-(40×DAl)≦ P ≦128-(80×DAl) (3)
を満たすことが好ましく、以下の式(4):
74-(40×DAl)≦ P ≦125-(80×DAl) (4)
を満たすことがより好ましい。
[ここで、DAl及びPはそれぞれ、μm及びg/cm2単位で表される。]
粗研磨により除かれる基板の厚さ、即ち、粗研磨工程における研磨量としては、生産性を維持しつつ、うねりを低減し、めっき欠陥等を除去する観点から、基板片面について1〜3μmが好ましく、1〜2μmがより好ましい。その他の研磨条件(研磨機の種類、研磨温度、研磨速度、研磨液組成物Aの供給量等)については特に限定はない。
本発明において研磨される基板は、磁気記録用媒体の基板として使用される磁気ディスク基板である。磁気ディスク基板の具体例としては、アルミニウム合金にNi−P合金をメッキした基板が代表的であるが、アルミニウム合金の代わりにガラスやガラス状カーボンを使用し、これにNi−Pメッキを施した基板、あるいはNi−Pメッキの代わりに、各種金属化合物をメッキや蒸着により被覆した基板を挙げることができる。
<コロイダル粒子>
研磨液組成物Bに含有されるコロイダル粒子としては、金属酸化物のコロイド状粒子が挙げられ、例えば、コロイダルシリカ粒子、コロイダルセリア粒子、コロイダルアルミナ粒子等が挙げられ、コロイダルシリカ粒子がより適している。コロイダルシリカ粒子は、例えば珪酸水溶液から生成させる製法によって得ることができる。また、これらコロイダル粒子を官能基で表面修飾あるいは表面改質したもの、界面活性剤や他の研磨材で複合粒子化したもの等も用いることができる。
研磨液組成物Bに使用される水としては、イオン交換水、蒸留水、超純水等が挙げられる。水の含有量は、100重量%からコロイダル粒子及び他の成分を除いた残部に相当し、60〜99重量%が好ましく、80〜97重量%がより好ましい。
また、研磨液組成物Bには、必要に応じて他の成分を配合することができる。例えば、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤等が挙げられる。また、被研磨物の材質により一概に限定は出来ないが、一般に金属材料では研磨速度を向上させる観点から、酸化剤を添加することができる。酸化剤としては、過酸化水素、過マンガン酸、クロム酸、硝酸、ペルオキソ酸、酸素酸又はこれらの塩及び酸化性金属塩などが挙げられる。前記の他の成分の含有量としては、研磨液組成物B中、0.001〜10重量%が好ましく、0.01〜5重量%がより好ましい。
<研磨方法>
前記の研磨液組成物Bを用いる仕上げ研磨工程においては、粗研磨工程と同様の研磨方法により、粗研磨工程で得られた基板を研磨することができる。
仕上げ研磨工程での研磨量R(μm)は、下限はアルミナ突き刺さり除去の観点から、上限は生産性及び経済性の観点から、以下の式(2):
{P×(DAl)2+10}×0.01 ≦ R ≦ 0.5 (2)
を満足し、さらに、加工応力層除去の観点から、以下の式(5):
{P×(DAl)2+10}×0.013 ≦ R ≦ 0.5 (5)
を満足することが好ましく、以下の式(6):
{P×(DAl)2+10}×0.015 ≦ R ≦ 0.5 (6)
を満足することがより好ましい。
なお、加工応力層とは、研磨によって基板表面から深さ方向に生成する圧縮加工応力を有する層のことをいう。研磨後の基板に該加工応力層が残存すると、磁気ディスク基板の製造工程において、テキスチャーが不均一になったり、スパッタリング等の熱的処理によって該応力が開放されることにより、基板の表面平滑性が悪化する場合があるため、磁気ディスクの性能及び生産性が低下する恐れがある。
仕上げ研磨工程における研磨荷重としては、コロイダル粒子による加工応力層の除去、及び生産性(研磨速度)の観点から、20〜150g/cm2が好ましく、40〜130g/cm2がより好ましく、50〜120g/cm2がさらに好ましい。研磨を行なう際の他の条件(研磨機の種類、研磨温度、定盤回転速度、研磨液組成物の供給量、研磨時間等)については、特に限定はない。
1.研磨液組成物Aの調製
以下の通りにして、研磨液組成物Aを調製した。
(1)表1に示す純度99.9%の酸化アルミニウム粒子を10重量%含有する酸化アルミニウムスラリー 50kgに硝酸を添加し、pH3に調整した。
(2)(1)で得られた酸化アルミニウムスラリーを直径40cm、高さ50cmの円柱容器に移した。
(3)容器内の酸化アルミニウムスラリーを均一になるよう攪拌した。
(4)撹拌後の酸化アルミニウムスラリーを3〜10時間静置した。
(5)静置後の酸化アルミニウムスラリーの下層部約5cmを残し、上層部をもう1つの同形状の容器に移した。
(6)上記操作(3)〜(5)をさらに2〜4回繰り返し、種々の粗大粒子を除去した酸化アルミニウムスラリーを得た。
(7)(6)で得られた酸化アルミニウムスラリーに表2記載の組成となるように種々の添加剤を加え、残分をイオン交換水として配合、攪拌した。
(8)(7)で得られたスラリーをヘイワードジャパン株式会社製、バックフィルター(型番:PE1−P03H−403)で濾過し、研磨液組成物を得た。
コロイダル粒子としてコロイダルシリカスラリー(デュポン社製、1次粒子の平均粒子径0.02μm)をシリカ粒子濃度として7重量%、ソルーシアジャパン製HEDP(1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸)を2重量%(有効分)、旭電化製過酸化水素0.6重量%(有効分)、残分はイオン交換水を添加、混合することにより、研磨液組成物Bを得た。
厚さ1.27 mm 、直径3.5 インチのNi-Pメッキされたアルミニウム合金からなる基板(「Zygo NewView5032」で短波長うねり3.8nm 、長波長うねり1.6nm )の表面を両面加工機により、以下の両面加工機の設定条件で粗研磨、仕上げ研磨の順に研磨し、磁気記録媒体用基板として用いられるNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板の研磨物を得た。なお、粗研磨及び仕上げ研磨の研磨量は研磨時間で調整した。
<研磨条件(粗研磨工程)>
・研磨試験機:スピードファム(株)製、9B型両面加工機
・研磨荷重:表中に記載
・研磨パッド:フジボウ(株)製 粗研磨用研磨パッド 平均気孔径45μm
・定盤回転数:50r/min
・研磨液組成物供給流量:100ml/min
・研磨時間:表2に記載 (研磨量1.6μmの所要時間)
・投入した基板の枚数:10枚
・研磨試験機:スピードファム(株)製、9B型両面加工機
・研磨パッド:フジボウ(株)製、ウレタン製仕上げ研磨用パッド 平均気孔径
20μm
・定盤回転数:32.5r/min
・研磨液組成物供給量:100mL/min
・研磨時間:表2に記載
・研磨荷重:80g/cm2
・投入した基板の枚数:10枚
(i)研磨速度(粗研磨工程)
粗研磨前後の各基板の重さを計り(Sartorius 社製「BP-210S 」)を用いて測定し、各基板の重量変化を求め、10枚の平均値を減少量とし、それを研磨時間で割った値を研磨速度とした。比較例1の研磨速度を基準値100として各実験例の研磨速度の相対値(相対速度)を求めた。
研磨速度(mg/min) ={研磨前の重量(mg) −研磨後の重量(mg) }/研磨時間(min)
以下の測定条件で平均二次粒子径を測定した。結果を表1及び2に示す。
・測定機器:堀場製作所製 レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置LA920
・循環強度:4
・超音波強度:4
以下の測定条件で研磨液組成物A中の粗大粒子の含有量を測定した。結果を表2に示す。
・測定機器:PSS社製 「アキュサイザー780APS」
・Injection Loop Volume:1ml
・Flow Rate:60mL/min
・Data Collection Time:60sec
・Number Channels:128
下記の方法で仕上げ研磨後の基板表面を観察した。
<研磨量(仕上げ研磨工程)>
仕上げ研磨前後の各基板の重さを計り(Sartorius社製、「BP-210S」)を用いて測定し、下記式に代入することにより、研磨量を求めた。
重量減少量(g)={研磨前の重量(g)−研磨後の重量(g)}
研磨量(μm)=重量減少量(g)/基板片面面積(mm2)/2
/Ni-Pメッキ密度(g/cm3)×1000000
(基板片面面積は、6597mm2、Ni-Pメッキ密度7.9g/cm3として算出)
オリンパス光学製顕微鏡(本体BX60M、デジタルカメラDP70、対物レンズ20倍、中間レンズ2.5倍)を使用し、暗視野観察(視野550×420μm)にて、突き刺さった酸化アルミニウム粒子を輝点として検出し、その数を測定した。
上記観察は、基板裏表面を中心から30mm位置を90°ごとの各4点、計8点観察し、観察された輝点数の平均値を1mm2当りの個数に換算し、研磨粒子の突き刺さり評価とした。結果を表2に示す。
Claims (6)
- 平均二次粒子径(DAl)が0.1〜0.6μmの酸化アルミニウム粒子及び酸を含有し、該酸化アルミニウム粒子全体に占める粒径が1μm以上の粒子の割合が0.5重量%以下である、pHが0.1〜6の研磨液組成物Aを用いてNi−Pメッキアルミニウム合金基板を研磨する粗研磨工程、並びに
コロイダルシリカ粒子を含有する研磨液組成物Bを用いて粗研磨工程で得られた基板を研磨する仕上げ研磨工程を有してなる磁気ディスク基板の製造方法であって、
粗研磨工程の研磨荷重Pが下記(1)式を満足し、かつ仕上げ研磨工程の研磨量Rが下記(2)式を満足する、磁気ディスク基板の製造方法。
74−(40×DAl)≦P≦138−(80×DAl) (1)
{P×(DAl)2+10}×0.01≦R≦0.5 (2)
[ここで、DAl、P、及びRはそれぞれ、μm、g/cm2、及びμm単位で表される。] - 粗研磨工程の研磨荷重Pが下記(4)式:
74−(40×D Al )≦P≦125−(80×D Al ) (4)
[ここで、D Al 及びPはそれぞれ、μm及びg/cm 2 単位で表される。]
を満足する、請求項1記載の製造方法。 - 仕上げ研磨工程の研磨量Rが下記(6)式:
{P×(D Al ) 2 +10}×0.015≦R≦0.5 (6)
[ここで、D Al 、P、及びRはそれぞれ、μm、g/cm 2 、及びμm単位で表される。]
を満足する、請求項1又は2記載の製造方法。 - 酸化アルミニウム粒子がα−アルミナ及び中間アルミナを含有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法。
- コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径が1〜50nmである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の製造方法。
- 研磨液組成物Aがさらに酸化剤を含有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の製造方法。
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