JP2008094982A - メモリーハードディスク基板用研磨液組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】基板表面のうねり、中でも、基板外周部表面のうねりを低減できるメモリーハードディスク基板用研磨液組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物は、水系媒体及びシリカ粒子を含み、積載荷重９．３ｋＰａの摩擦測定試験において前記研磨液組成物を用いて測定される被研磨基板と研磨パッドとの動的摩擦係数の平均値が０．３５以下であり、かつ、前記動的摩擦係数の振幅が０．０２７以下であるメモリーハードディスク基板用研磨液組成物である。
【選択図】なし

Description

本発明は、メモリーハードディスク基板用研磨液組成物及びそれを用いたメモリーハードディスク基板の製造方法に関する。

近年、メモリーハードディスクドライブは、小型化及び大容量化の傾向にある。このため、メモリーハードディスクの単位記録面積を縮小し、１枚あたりの記録容量を大きくすることによって小型化及び大容量化に対応している。一方、メモリーハードディスクの単位記録面積が小さくなると磁気信号が弱くなるため、検出感度を向上する必要がある。検出感度の向上のためには、磁気ヘッドの浮上高さを従来よりも低くすることが必要となるが、この浮上高さを低くすることに伴い、メモリーハードディスク基板（以下、「基板」ともいう。）の表面粗さやうねりを低減する必要がある。さらに、磁気ヘッドは、基板の全面に渡って浮上・移動するため、基板表面全体におけるうねりの低減が求められている。基板表面の粗さやうねりを低減できる研磨液組成物については、例えば、下記特許文献１〜５等に提案されている。

特開２００３−１５５４７１号公報 特開２００４−２０４１５１号公報 特開２００１−２８８４５５号公報 特開２００１−３２３２５４号公報 特開２００２−３０２７４号公報

しかしながら、従来の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨すると、研磨機が振動する場合があり、その結果、被研磨基板の外周部表面のうねりが大きくなるという問題があった。

そこで、本発明は、メモリーハードディスク基板表面のうねり、中でも、基板外周部表面のうねりを低減できるメモリーハードディスク基板用研磨液組成物及びこれを用いたメモリーハードディスク基板の製造方法の提供を目的とする。

すなわち、本発明のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物は、水系媒体及びシリカ粒子を含むメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であって、積載荷重９．３ｋＰａの摩擦測定試験において前記研磨液組成物を用いて測定される被研磨基板と研磨パッドとの動的摩擦係数の平均値が０．３５以下であり、かつ、前記動的摩擦係数の振幅が０．０２７以下であるメモリーハードディスク基板用研磨液組成物である。

また、本発明のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物は、水系媒体及びシリカ粒子を含むメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であって、
前記シリカ粒子中における一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の含有量が、８０体積％以上であり、
一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上５０ｎｍ未満であるシリカ粒子の含有量が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０〜９０体積％であり、
一次粒子の平均粒子径が５０ｎｍ以上１２０ｎｍ未満であるシリカ粒子の含有量が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０体積％以下であり、
一次粒子の平均粒子径が１２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の含有量が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０〜９０体積％であるメモリーハードディスク基板用研磨液組成物である。

本発明のメモリーハードディスク基板の製造方法は、研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含むメモリーハードディスク基板の製造方法であって、前記研磨液組成物は、前記本発明のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であるメモリーハードディスク基板の製造方法である。

本発明の研磨液組成物によれば、研磨中に発生する研磨パッドと被研磨基板との摩擦（以下、「研磨抵抗」ともいう。）を低減できるため、研磨機の振動を抑制でき、基板表面のうねり、中でも基板の外周部表面におけるうねりを低減できる。本発明の製造方法によれば、基板研磨時の研磨抵抗を低減できるため、研磨機の振動が抑制され、基板表面のうねり、中でも基板外周部表面のうねりが低減されたメモリーハードディスク基板を製造できる。

本発明者らは、基板表面のうねりの原因が研磨中に発生する研磨パッドと被研磨基板との摩擦にあり、前記摩擦を低減することによって被研磨基板表面のうねり、中でも、外周部表面におけるうねりを低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。

本願明細書において、「基板の外周部」とは、半径がＲであるディスク状の基板の場合、基板の中心部からの距離が３Ｒ／４よりも外側の領域を示す。

（第１の研磨液組成物）
本発明の第１のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物（以下、「本発明の第１の研磨液組成物」ともいう。）は、水系媒体及びシリカ粒子を含むメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であって、積載荷重９．３ｋＰａの摩擦測定試験において前記研磨液組成物を用いて測定される被研磨基板と研磨パッドとの動的摩擦係数の平均値が０．３５以下であり、かつ、前記動的摩擦係数の振幅が０．０２７以下であるメモリーハードディスク基板用研磨液組成物である。本発明の第１の研磨液組成物によれば、前記動的摩擦係数の平均値が０．３５以下であり、かつ、前記動的摩擦係数の振幅が０．０２７以下であるため、メモリーハードディスク基板表面のうねり、中でも、外周部表面におけるうねりを低減できる。このため、本発明の第１の研磨液組成物を用いて研磨したメモリーハードディスク基板は、表面平坦性及び表面平滑性に優れる。なお、前記動的摩擦係数とは、後述する実施例に記載した摩擦測定試験によって測定した研磨パッドと被研磨基板との動的摩擦係数であり、前記動的摩擦係数の振幅とは、前記動的摩擦係数の標準偏差であり、これらは、後述する実施例に記載した摩擦測定試験によって求めることができる。

また、本発明の第１の研磨液組成物によれば、前述のとおり、基板表面のうねりを低減できるが、うねりの中でも、波長が磁気ヘッドの浮上高さと同程度の長さである長波長うねりを低減できる。前記長波長うねりの低減により、磁気ヘッドの浮上高さをより低くできることから、高密度記録を効果的に行える。なお、本願明細書において「長波長うねり」とは、波長が０．４〜２ｍｍの範囲のうねりを意味する。

前記動的摩擦係数の平均値は、うねりをさらに低減できるため、０．３２以下が好ましく、より好ましくは０．２９以下である。また、前記動的摩擦係数の振幅は、うねりをさらに低減できるため、０．０２６以下が好ましく、より好ましくは０．０２５以下である。したがって、本発明の研磨液組成物において、前記動的摩擦係数の平均値が０．３２以下であり、かつ、前記動的摩擦係数の振幅が０．０２６以下であることが好ましく、より好ましくは前記動的摩擦係数の平均値が０．２９以下であり、かつ、前記動的摩擦係数の振幅が０．０２５以下である。

前記本発明の第１の研磨液組成物において、全シリカ粒子中における一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の含有量（Ｖ０）が８０体積％以上であり、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上５０ｎｍ未満であるシリカ粒子の含有量（Ｖ１）が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０〜９０体積％であり、一次粒子の平均粒子径が５０ｎｍ以上１２０ｎｍ未満であるシリカ粒子の含有量（Ｖ２）が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０体積％以下であり、一次粒子の平均粒子径が１２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の含有量（Ｖ３）が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０〜９０体積％であることが好ましい。このような粒径分布を有するシリカ粒子を含む研磨液組成物であれば、前記動的摩擦係数の平均値及び前記振幅が得られるため、メモリーハードディスク基板表面のうねり、中でも、外周部表面におけるうねりを低減できる。具体的には、Ｖ０が８０体積％以上であり、かつ、Ｖ１が１０〜９０体積％であることにより、表面粗さを抑制できる。また、Ｖ０が８０体積％以上であり、かつ、Ｖ３が１０〜９０体積％であることにより、研磨中に大粒径のシリカ粒子（例えば、一次粒子の平均粒子径が１２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子）によるベアリング効果が発生するため、前記研磨抵抗が抑制され、基板表面のうねりが低減されると推測される。

前記Ｖ０は、表面粗さ低減の観点から、８５体積％以上がより好ましく、さらに好ましくは９０体積％以上である。また、前記Ｖ１は、表面粗さ低減の観点から、４０〜９０体積％がより好ましく、さらに好ましくは６０〜９０体積％である。前記Ｖ２は、基板表面のうねりのさらなる低減の観点から、５体積％以下がより好ましく、さらに好ましくは３体積％以下である。前記Ｖ３は、基板表面のうねりのさらなる低減の観点から、１０〜６０体積％がより好ましく、さらに好ましくは１０〜４０体積％である。前記シリカ粒子は、特定の粒径分布を有する１種類のシリカ粒子からなるものであってもよいし、異なる粒径分布を有する２種類以上のシリカ粒子を混合したものであってもよい。

前記シリカ粒子の粒径分布は、以下の方法により求めることができる。すなわち、シリカ粒子を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（商品名「ＪＥＭ−２０００ＦＸ」、８０ｋＶ、１〜５万倍、日本電子製）を用いて写真を撮影する。撮影した写真を画像データとしてスキャナでパソコンに取込み、解析ソフト（商品名「ＷｉｎＲＯＯＦ」、販売元：三谷商事）を用いて１０００個以上のシリカ粒子それぞれの円相当径を求め、それを直径（一次粒子の平均粒子径）とする。ついで、表計算ソフト（商品名「Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ（登録商標） Ｅｘｃｅｌ」、マイクロソフト社製）を用いて前述のようにして得られた直径から粒子体積に換算する。そして、全シリカ粒子中における一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の含有量（Ｖ０）を体積％として算出する。さらに、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子中において、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上５０ｎｍ未満であるシリカ粒子の含有量（Ｖ１）、一次粒子の平均粒子径が５０ｎｍ以上１２０ｎｍ未満であるシリカ粒子の含有量（Ｖ２）、一次粒子の平均粒子径が１２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の含有量（Ｖ３）を、それぞれ、体積％として算出する。

前記シリカ粒子の粒径分布を調整する方法としては、前記シリカ粒子がコロイダルシリカである場合、シリカ粒子の製造段階における成長過程で新たな核となる粒子を加えることによって所望の粒径分布とする方法や、異なる粒径分布を有する２種類以上のシリカ粒子を混合することによって所望の粒径分布とする方法等が挙げられる。

（第２の研磨液組成物）
本発明の第２のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物（以下、「本発明の第２の研磨液組成物」ともいう。）は、水系媒体及びシリカ粒子を含むメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であって、全シリカ粒子中における一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の含有量（Ｖ０）が８０体積％以上であり、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上５０ｎｍ未満であるシリカ粒子の含有量（Ｖ１）が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０〜９０体積％であり、一次粒子の平均粒子径が５０ｎｍ以上１２０ｎｍ未満であるシリカ粒子の含有量（Ｖ２）が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０体積％以下であり、一次粒子の平均粒子径が１２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の含有量（Ｖ３）が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０〜９０体積％であるメモリーハードディスク基板用研磨液組成物である。本発明の第２の研磨液組成物によれば、前記粒径分布を有するシリカ粒子を含むため、研磨時における被研磨基板と研磨パッドとの摩擦が低減され、メモリーハードディスク基板表面のうねり、中でも、外周部表面のうねりを低減できる。このため、本発明の第２の研磨液組成物を用いて研磨したメモリーハードディスク基板は、表面平坦性及び表面平滑性に優れる。具体的には、Ｖ０が８０体積％以上であり、かつ、Ｖ１が１０〜９０体積％であることにより、表面粗さを抑制できる。また、Ｖ０が８０体積％以上であり、かつ、Ｖ３が１０〜９０体積％であることにより、研磨中にベアリング効果が発生するため、前記研磨抵抗が抑制され、うねりが低減されると推測される。

本発明の第２の研磨液組成物に使用する前記シリカ粒子の粒径分布において、前記Ｖ０は、表面粗さ低減の観点から、８５体積％以上が好ましく、より好ましくは９０体積％以上である。また、前記Ｖ１は、表面粗さの低減の観点から、４０〜９０体積％が好ましく、より好ましくは６０〜９０体積％である。前記Ｖ２は、基板表面のうねりのさらなる低減の観点から、５体積％以下が好ましく、より好ましくは３体積％以下である。前記Ｖ３は、基板表面のうねりのさらなる低減の観点から、１０〜６０体積％が好ましく、より好ましくは１０〜４０体積％である。前記シリカ粒子は、前記粒径分布を有するものであれば、特定の粒径分布を有する１種類のシリカ粒子からなるものであってもよいし、異なる粒径分布を有する２種類以上のシリカ粒子を混合したものであってもよい。また、前記シリカ粒子の粒径分布の調整は、前記本発明の第１の研磨液組成物と同様にして行うことができる。

本発明の第１及び第２の研磨液組成物（以下、「本発明の研磨液組成物」ともいう。）に使用するシリカ粒子としては、コロイダルシリカ粒子、ヒュームドシリカ粒子、表面修飾されたシリカ粒子等が挙げられる。被研磨基板の表面の平滑性をさらに向上させる観点から、コロイダルシリカ粒子が好ましい。前記コロイダルシリカ粒子は、市販のものを使用してもよいし、ケイ酸水溶液から生成させる公知の製造方法等により得られたものであってもよい。また、前記コロイダルシリカの形態は、操作性の観点からスラリー状であることが好ましい。

本発明の研磨液組成物におけるシリカ粒子の含有量（全量）は、研磨速度を向上させる観点から０．５重量％以上が好ましく、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは３重量％以上、特に好ましくは５重量％以上である。また、基板表面の平坦性をさらに向上させる観点から２０重量％以下が好ましく、より好ましくは１５重量％以下、さらに好ましくは１３重量％以下、特に好ましくは１０重量％以下である。すなわち、前記シリカ粒子の含有量は、好ましくは０．５〜２０重量％、より好ましくは１〜１５重量％、さらに好ましくは３〜１３重量％、特に好ましくは５〜１０重量％である。

本発明の研磨液組成物における水系媒体としては、水や、水と溶媒との混合媒体等が使用できる。前記水としては、蒸留水、イオン交換水、超純水等が挙げられる。前記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が好ましい。前記研磨液組成物における水系媒体の含有量は、研磨液組成物の取扱いの観点から、好ましくは５５重量％以上、より好ましくは６７重量％以上、さらに好ましくは７５重量％以上、特に好ましくは８４重量％以上であり、また、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは９９．４９７９重量％以下、より好ましくは９８．９９４７重量％以下、さらに好ましくは９６．９９２重量％以下、特に好ましくは９４．９８７５重量％以下である。したがって、前記水系媒体の含有量は、好ましくは５５〜９９．４９７９重量％、より好ましくは６７〜９８．９９４７重量％、さらに好ましくは７５〜９６．９９２重量％、特に好ましくは８４〜９４．９８７５重量％である。

本発明の研磨液組成物は、基板表面のうねりのさらなる低減、表面粗さの低減及び研磨速度の向上の観点から、酸化剤、酸及び酸の塩からなる群から選択される少なくとも１種をさらに含んでもよい。

前記酸化剤としては、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硫酸類等が挙げられる。

前記過酸化物としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム等が挙げられ、前記過マンガン酸又はその塩としては、過マンガン酸カリウム等が挙げられ、前記クロム酸又はその塩としては、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩等が挙げられ、前記ペルオキソ酸又はその塩としては、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸等が挙げられる。前記酸素酸又はその塩としては、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム等が挙げられ、前記金属塩類としては、塩化鉄(III)、硝酸鉄(III)、硫酸鉄(III)、クエン酸鉄（III）、硫酸アンモニウム鉄(III)等が挙げられる。前記酸化剤の中でも、過酸化水素、硝酸鉄(III)、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄(III)、硫酸アンモニウム鉄(III)等が好ましく、基板表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から過酸化水素が特に好ましい。これらの酸化剤は、単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

本発明の研磨液組成物における前記酸化剤の含有量は、研磨速度の向上の観点から、０．１重量％以上が好ましく、表面粗さ及びうねりをさらに低減し、ピット、スクラッチ等の表面欠陥を減少させて表面品質を向上させる観点から、１重量％以下が好ましく、より好ましくは０．８重量％以下、さらに好ましくは０．６重量％以下である。したがって、表面品質を保ちつつ研磨速度を向上できることから、前記含有量は、０．１〜１重量％が好ましく、より好ましくは０．１〜０．８重量％、さらに好ましくは０．１〜０．６重量％である。

前記酸及び前記酸の塩としては、微小スクラッチの低減と研磨速度の向上を両立させる観点から、ｐＫ１が２以下の化合物が好ましく、微小スクラッチをさらに低減できることから、ｐＫ１が１．５以下の化合物がより好ましく、さらに好ましくは１以下、特に好ましくはｐＫ１で数値化できない程の強い酸性を示す化合物である。前記酸及び酸の塩の具体例としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸及びそれらの塩、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸及びそれらの塩、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸及びそれらの塩、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸及びそれらの塩等が挙げられる。中でも、微小スクラッチをさらに低減できることから、無機酸、有機ホスホン酸、それらの塩が好ましい。前記無機酸及びその塩の中では、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸、それらの塩がより好ましい。前記有機ホスホン酸及びその塩の中では、ＨＥＤＰ、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、それらの塩がより好ましい。これらの酸及び酸の塩は、単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。ここで、ｐＫ１とは、有機化合物又は無機化合物の第一酸解離定数（２５℃）の逆数の対数値を示し、各化合物のｐＫ１は、例えば、改訂４版化学便覧（基礎編）ＩＩ、ｐ３１６−３２５（日本化学会編）等に記載されている。

これらの酸の塩としては、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、有機アミン等との塩等が挙げられる。前記金属の具体例としては、周期律表（長周期型）の１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、微小スクラッチを低減する観点から１Ａ族に属する金属又はアンモニウムとの塩が好ましい。

本発明の研磨液組成物における前記酸及び酸の塩の含有量は、基板表面のうねりをさらに低減し、研磨速度を向上させる観点から、０．１重量％以上が好ましい。また、人体への影響及び研磨装置の腐食防止の観点から、２重量％以下が好ましく、より好ましくは１．５重量％以下、さらに好ましくは１重量％以下である。したがって、基板表面のうねりのさらなる低減及び作業環境の観点から、前記酸及び酸の塩の含有量は、０．１〜２重量％が好ましく、より好ましくは０．１〜１．５重量％、さらに好ましくは０．１〜１重量％である。

本発明の研磨液組成物は、基板表面のうねりをさらに低減させる観点から、界面活性剤をさらに含んでもよい。前記界面活性剤としては、下記一般式（１）〜（３）で表されるスルホン酸化合物又はその塩が挙げられる。これらの界面活性剤は、１種類のみを単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。

Ｒ¹−Ｏ_n−ＳＯ₃Ｍ¹ （１）
［前記一般式（１）において、Ｒ¹は、炭素数３〜２０の炭化水素基であり、Ｍ¹は、水素原子、無機カチオン又は有機カチオンであり、ｎは、０又は１を示す。］

Ｒ²ＯＯＣ−ＣＨ₃−ＣＨ（ＳＯ₃Ｍ²）−ＣＯＯＲ³ （２）
［前記一般式（２）において、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立に、炭素数３〜２０の炭化水素基であり、Ｍ²は、水素原子、無機カチオン又は有機カチオンである。］

［前記一般式（３）において、Ｒ⁴は、炭素数３〜２０の炭化水素基であり、Ｍ³及びＭ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、無機カチオン又は有機カチオンである。］

前記一般式（１）において、Ｒ¹は、基板外周部表面のうねりのさらなる低減の観点から、炭素数３〜２０の炭化水素基であり、好ましくは炭素数６〜２０のアルキル基であり、より好ましくは炭素数８〜１６のアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数８〜１４のアルキル基である。Ｒ¹は、飽和炭化水素であっても不飽和炭化水素であってもよく、また、直鎖構造であっても分岐鎖構造であってもよい。Ｍ¹は、水素原子、無機カチオン又は有機カチオンである。前記無機カチオンとしては、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、アンモニウムイオン等が挙げられ、基板外周部表面のうねりのさらなる低減の観点から、中でもアルカリ金属イオン、アンモニウムイオンが好ましく、より好ましくはアルカリ金属イオンである。前記有機カチオンとしては、一級乃至四級アンモニウムイオン、各種アミン等が挙げられ、中でも、アミン塩が好ましく、より好ましくはトリエタノールアミンである。

前記一般式（１）で表される界面活性剤の具体例としては、オクチルスルホン酸ナトリウム、アルカン（Ｃ_14-16）スルホン酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム塩、ラウリル硫酸アンモニウム塩、ラウリル硫酸トリエタノールアミン塩、高級アルコール硫酸ナトリウム塩等が挙げられる。

前記一般式（２）において、Ｒ²は、炭素数３〜２０の炭化水素基であり、基板外周部表面のうねりのさらなる低減の観点から前記Ｒ¹と同様のものが好ましい。Ｒ³は、炭素数３〜２０の炭化水素基であり、基板外周部表面のうねりのさらなる低減の観点から前記Ｒ¹と同様のものが好ましい。Ｍ²は、水素原子、無機カチオン又は有機カチオンであり、好ましくは前記Ｍ¹と同様のものである。

前記一般式（２）で表される界面活性剤の具体例としては、ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム、ジトリデシルスルホコハク酸ナトリウム、ジシクロヘキシルスルホコハク酸ナトリウム等が挙げられる。

前記一般式（３）において、Ｒ⁴は、基板外周部表面のうねりのさらなる低減の観点から、炭素数３〜２０の炭化水素基であり、前記Ｒ¹と同様のものが好ましい。Ｍ³及びＭ⁴は、それぞれ独立に、水素原子、無機カチオン又は有機カチオンであり、前記Ｍ¹と同様のものがそれぞれ好ましい。

前記一般式（３）で表される界面活性剤の具体例としては、アルキル（Ｃ_9-14）ジフェニルエーテルジスルホン酸ナトリウム等が挙げられる。

本発明の研磨液組成物における前記界面活性剤の含有量は、基板外周部表面のうねりのさらなる低減の観点から、０．００５〜１重量％が好ましく、より好ましくは、０．０１〜１重量％、さらに好ましくは０．０２〜１重量％である。さらに、泡立ち抑制等の操作性を考慮すると、前記界面活性剤の含有量は、０．０２〜０．５重量％が好ましく、より好ましくは０．０２〜０．２重量％である。

本発明の研磨液組成物のｐＨは、被研磨基板の材質や要求される性能等に応じて適宜決定できる。被研磨基板の材質が金属である場合、研磨速度を向上でき、また、研磨液組成物の粘度を低減することによって研磨パッドと被研磨基板との摩擦がさらに低減されて基板表面のうねりをより一層低減できることから、ｐＨ０．５〜６が好ましく、より好ましくはｐＨ０．５〜４、さらに好ましくはｐＨ０．５〜２．５である。前記ｐＨは、硝酸、硫酸等の無機酸やシュウ酸等の有機酸、アンモニウム塩、アンモニア水、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アミン等の塩基性物質等を配合することにより調整できる。

本発明の研磨液組成物は、必要に応じて、その他の成分をさらに含んでもよい。前記その他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質等が挙げられる。本発明の研磨液組成物におけるその他の成分の含有量は、０〜１０重量％が好ましく、０〜５重量％がより好ましい。

なお、本発明の研磨液組成物の濃縮液を用いる場合は、この濃縮液を薄めた状態で各成分の濃度が上記範囲になるのが好ましい。

（研磨液組成物の調製方法）
本発明の研磨液組成物は、前記シリカ粒子及び前記水系媒体を公知の方法で混合することによって調製でき、必要に応じて、前記酸化剤、前記酸、前記酸の塩、前記界面活性剤、前記その他の成分等をさらに混合してもよい。これらの成分の混合順序は特に制限されないが、シリカ粒子の安定性の観点から、まず、シリカ粒子以外の成分を水系媒体に溶解させ、その水溶液にシリカスラリーを添加して混合することが好ましい。シリカスラリーを混合する際、シリカ粒子の乾燥による凝集防止の観点から、シリカ粒子が乾燥しない速度でシリカスラリーを添加することが好ましい。また、シリカ粒子の分散性の観点から、シリカ粒子以外の成分が溶解した水溶液を攪拌しながら、シリカスラリーを添加することが好ましい。

（メモリーハードディスク基板の製造方法）
本発明のメモリーハードディスク基板の製造方法は、前記本発明の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含むメモリーハードディスク基板の製造方法である。本発明の基板の製造方法によれば、前記本発明の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することから、研磨時の研磨抵抗を低減でき、その結果、基板表面のうねり、中でも基板外周部表面のうねりが低減されたメモリーハードディスク基板を製造できる。

前記研磨工程としては、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本発明の研磨液組成物を研磨機に供給し、所定の圧力（研磨圧力）をかけながら、前記定盤や前記被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨する方法が挙げられる。前記研磨機としては、特に限定されず、メモリーハードディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。

前記被研磨基板の材質としては、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属又はこれらの合金、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属や、これらの金属を主成分とする合金を含む被研磨基板が好適である。具体的には、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が適しており、中でもＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板がより適している。

前記被研磨基板の形状は特に限定されないが、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状等が挙げられ、中でも、ディスク状が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、例えば、その外径は２〜９５ｍｍ程度であり、その厚みは０．５〜２ｍｍ程度である。

前記被研磨基板の表面性状は特に限定されないが、高密度記録用の基板を製造する場合、表面粗さが１ｎｍ程度の表面性状を有する基板が適している。前記表面粗さとは、表面平滑性の尺度であり、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて１０μｍ以下の波長で測定可能な粗さであり、中心線平均粗さとして表わすことができる。

前記研磨パッドとしては、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用できる。

前記研磨圧力は、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。前記研磨圧力は、５〜５０ｋＰａが好ましい。前記研磨圧力を５ｋＰａ以上にすると、定盤による被研磨基板の押さえ込みがより大きくなり、研磨時における被研磨基板の振動がさらに抑制される。その結果、基板外周部に対する負荷がさらにかかりにくくなるため、さらに効果的にうねりを低減できると推定される。また、生産性の観点から、前記研磨圧力は５ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは７ｋＰａ以上、さらに好ましくは８ｋＰａ以上、特に好ましくは９ｋＰａ以上である。一方、スクラッチの発生を抑制する観点から、前記研磨圧力は、５０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さらに好ましくは１８ｋＰａ以下、特に好ましくは１６ｋＰａ以下である。したがって、本発明の製造方法において研磨圧力は、５〜５０ｋＰａが好ましく、より好ましくは７〜２０ｋＰａであり、さらに好ましくは８〜１８ｋＰａ、特に好ましくは９〜１６ｋＰａである。研磨圧力の調整は、定盤及び被研磨基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することによって行うことができる。

前記研磨工程における前記研磨液組成物の供給速度は、キャリアサイズが９インチの両面研磨機（以下、「両面９Ｂ研磨機」ともいう）を用いた場合、６０ｍＬ／分以上が好ましい。前記供給速度を６０ｍＬ／分以上とすることにより、研磨抵抗をさらに抑制できるため、研磨時における被研磨基板の振動がさらに抑制される。その結果、基板外周部に対する負荷がさらにかかりにくくなるため、うねりをさらに効果的に低減できると推定される。より一層効果的にうねりを低減する観点から、前記供給速度は、７０ｍＬ／分以上がより好ましく、さらに好ましくは８０ｍＬ／分以上、さらにより好ましくは９０ｍＬ／分以上、特に好ましくは１００ｍＬ／分以上である。また、経済的にうねりを低減する観点から、前記供給速度は、両面９Ｂ研磨機を用いた場合、３００ｍＬ／分以下が好ましく、２７０ｍＬ／分以下がより好ましく、さらに好ましくは２４０ｍＬ／分以下、さらにより好ましくは２１０ｍＬ／分以下である。したがって、前記研磨液組成物の供給速度は、両面９Ｂ研磨機を用いた場合、６０〜３００ｍＬ／分が好ましく、より好ましく７０〜２７０ｍＬ／分、さらに好ましくは８０〜２４０ｍＬ／分、さらにより好ましくは９０〜２１０ｍＬ／分、特に好ましくは１００〜２１０ｍＬ／分である。

本発明の研磨液組成物を研磨機へ供給する方法としては、ポンプ等を用いて連続的に供給する方法等が挙げられる。また、研磨機への供給の際、全ての成分を含む１つの液によって供給してもよいし、研磨液組成物の安定性等を考慮して、各成分を複数の配合用成分液に分けて供給してもよい。後者の場合、供給配管中や被研磨基板上等で前記複数の配合用成分液が混合され、本発明の研磨液組成物となる。

前記研磨工程において、基板の外周部表面のうねりをさらに改善するために、研磨パッドに対する被研磨基板の相対速度を調整してもよい。なお、前記研磨パッドに対する被研磨基板の相対速度とは、下記式によって表される。

相対速度（ｍ／秒）＝（π／４）×（Ｒｕｐ−Ｒｄｏｗｎ）×（Ｄｏｕｔ＋Ｄｉｎ）
Ｒｕｐ：上定盤の回転数（回転／秒）
Ｒｄｏｗｎ：下定盤の回転数（回転／秒）（ただし、上定盤と同方向の回転の場合は正の値とし、逆方向の回転の場合は負の値とする。）
Ｄｏｕｔ：上定盤又は下定盤の外径（ｍ）
Ｄｉｎ：上定盤又は下定盤の内径（ｍ）

前記相対速度は、基板外周部表面のうねりをさらに低減する観点から、１ｍ／秒以下が好ましく、より好ましくは０．８ｍ／秒以下、さらに好ましくは０．６ｍ／秒以下である。また、生産性向上の観点から、前記相対速度は、０．１ｍ／秒以上が好ましく、より好ましくは０．２ｍ／秒以上、さらに好ましくは０．３ｍ／秒以上、特に好ましくは０．４ｍ／秒以上である。したがって、前記相対速度は、０．１〜１ｍ／秒が好ましく、より好ましくは０．２〜０．８ｍ／秒、さらに好ましくは０．３〜０．６ｍ／秒、特に好ましくは０．４〜０．６ｍ／秒である。

被研磨基板の研磨工程を多段階で行う場合、本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程は２段階目以降に行うことが好ましく、最終研磨工程で行うことがより好ましい。その際、前工程の研磨材や研磨液組成物の混入を避けるために、それぞれ別の研磨機を使用することが好ましい。それぞれ別の研磨機を使用する場合、研磨工程毎に基板を洗浄することがより好ましい。

本発明のメモリーハードディスク基板の製造方法によれば、本発明の研磨液組成物を用いた研磨工程を含むため、基板の外周部表面におけるうねりが、例えば、１．０ｎｍ以下、好ましくは０．９ｎｍ以下、より好ましくは０．８ｎｍ以下、さらに好ましくは０．７ｎｍ以下であるメモリーハードディスク基板が得られる。前記基板表面のうねりは、レーザー式全表面形状測定機（商品名「ＴｈｏＴ ｍｏｄｅｌ Ｍ４２２４」、ＴｈｏＴテクノロジー社製）を用いて測定できる。

（研磨液組成物の調製）
下記表１に示す割合となるように、下記コロイダルシリカ、下記硫酸、下記過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）、下記１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）及びイオン交換水を混合し、実施例１〜３及び比較例１〜７の研磨液組成物を調製した。具体的には、まず、硫酸、ＨＥＤＰ、イオン交換水を混合した後、過酸化水素を加え、ついで、ゲル化しないように前記混合液を攪拌しながらコロイダルシリカスラリーを加え、研磨液組成物を調製した。なお、シリカ粒子の一次粒子の平均粒子径は、透過型電子顕微鏡を用いて測定した。

シリカＡ：一次粒子の平均粒子径１６０ｎｍ（触媒化成工業製）
シリカＢ：一次粒子の平均粒子径２１ｎｍ（デュポン製）
シリカＣ：一次粒子の平均粒子径５ｎｍ（日産化学製）
シリカＤ：一次粒子の平均粒子径２８ｎｍ（デュポン製）
シリカＥ：一次粒子の平均粒子径１４ｎｍ（デュポン製）
シリカＦ：一次粒子の平均粒子径１８ｎｍ（触媒化成工業製）
シリカＧ：一次粒子の平均粒子径８ｎｍ（触媒化成工業製）
硫酸：特級（和光純薬工業社製）
ＨＥＤＰ：商品名ディクエスト２０１０（ソルーシア・ジャパン製）
過酸化水素水：３５重量％過酸化水素水（旭電化製）

前記調製した研磨液組成物を用いて、以下の方法によって動的摩擦係数の平均値、動的摩擦係数の振幅及び基板表面のうねりを評価した。その結果を下記表１に示す。

（動的摩擦係数及びその振幅の評価方法（摩擦測定試験））
被研磨基板として、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を、予めアルミナ研磨材を含む研磨液組成物で粗研磨し、さらに、コロイダルシリカ研磨材を含む研磨液組成物で仕上げ研磨した基板を使用した。なお、前記被研磨基板は、厚み１．２７ｍｍ、外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、Ｎｉ−Ｐ密度８．４ｇ／ｃｍ³であった。

下記の測定条件により、被研磨基板と研磨パッドとの間に発生する摩擦を測定した。図１及び図２に、動的摩擦係数の測定に使用した装置の概略図を示す。図１は、前記装置の上面図であり、図２は、前記装置の側面図である。まず、厚み１ｍｍのガラスエポキシ製テンプレート１９を備えたセラミック製キャリア１１に被研磨基板１２をはめ込んだ後、研磨パッド１３を備えた研磨機の下定盤２０上に配置した。ついで、デジタルフォースゲージ（商品名ＦＧＸ−１０Ｒ、日本電産シンポ社製）１７に固定したフック１５とセラミック製キャリア１１とをワイヤー１６（太さ１ｍｍ）により接続した。そして、錘１４とセラミック製キャリア１１の総重量による負荷（９．３ｋＰａ）を加え、研磨液組成物供給口１８から前記研磨液組成物を１００ｍＬ／分で供給し、下定盤２０を矢印Ａ方向に２９．２ｒｐｍで回転させた状態で、ワイヤー１６を通じて伝わる張力をデジタルフォースゲージ１７で測定した。この測定を３分間行い、前記張力を、被研磨基板１２と研磨パッド１３との間に発生する摩擦力とした。そして、測定結果を表計算ソフト（商品名「Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ（登録商標） Ｅｘｃｅｌ」、マイクロソフト社製）で解析した。前記張力（摩擦力）の平均値は、時間経過とともに全体的に徐々に下がり、測定開始から２分後以降、一定の値に収束した。測定開始２．５分後から３分後までの３０秒間の張力（摩擦力）を３００点測定し、下記式より動的摩擦係数を算出し、さらにその平均値及び標準偏差を算出した。
動的摩擦係数＝張力／（錘の荷重＋セラミック製キャリアの荷重）

［摩擦測定条件］
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（厚み０．９ｍｍ、平均開孔径３０μｍ）
研磨液組成物の供給速度：１００ｍＬ／分
下定盤回転数：２９．２ｒｐｍ
測定時間：３分
積載荷重：９．３ｋＰａ

得られた動的摩擦係数の平均値と標準偏差は下記式によってさらに補正した。すなわち、各摩擦測定試験の前後にリファレンスを用いた測定を行い、前記動的摩擦係数の平均値及び標準偏差を下記式によって補正し、補正後の値を動的摩擦係数の平均値及び動的摩擦係数の振幅とした。なお、リファレンスの研磨液組成物の組成は、比較例２の研磨液組成物の組成と同一であり、測定方法は前述の方法と同様である。

補正後の動的摩擦係数の平均値＝［Ａａ＋｛（Ｒａ１−Ｒａ２）／ｎ｝×ａ］×０．４／Ｒａ１
補正後の動的摩擦係数の標準偏差＝［Ａｓ＋｛（Ｒｓ１−Ｒｓ２）／ｎ｝×ａ］×０．０４／Ｒｓ１
Ａａ：実施例又は比較例の研磨液組成物を用いて得られた動的摩擦係数の平均値
Ａｓ：実施例又は比較例の研磨液組成物を用いて得られた動的摩擦係数の標準偏差
Ｒａ１：リファレンス１点目の動的摩擦係数の平均値
Ｒａ２：リファレンス２点目の動的摩擦係数の平均値
Ｒｓ１：リファレンス１点目の動的摩擦係数の標準偏差
Ｒｓ２：リファレンス２点目の動的摩擦係数の標準偏差
ｎ：リファレンス１点目とリファレンス２点目との間に摩擦測定試験を行った回数
ａ：リファレンス１点目を０番手としたときの測定サンプルの番手数

（うねりの測定方法）
被研磨基板として、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を、アルミナ研磨材を含む研磨液組成物で粗研磨した基板を使用した。前記被研磨基板は、厚み１．２７ｍｍ、外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍであった。なお、以下の研磨を行う前に、粗研磨後の基板のうねりを測定し、その値が２ｎｍ程度でばらつきがないことを確認した。

前記研磨液組成物を用い、下記の研磨条件で、各研磨液組成物につき１０枚の被研磨基板を１分間研磨した後、前記１０枚の被研磨基板のうち１枚の基板を取り出し、新たな基板と入れ替えてさらに１分間研磨した。この被研磨基板の入れ替え及び研磨（１分間）を繰り返した。この方法を用いる理由は、研磨量の異なる基板を簡便に得るためである。そして、以下の測定条件によって少なくとも２枚の基板の両面についてうねりを測定し、その測定値に基づき基板１面あたりの平均値をうねりの値とし、横軸を研磨量、縦軸をうねりの値としたグラフを研磨液組成物それぞれについて作成した。このグラフから５０ｍｇ研磨した際のうねりを外挿値として得たものを下記表１に示す。なお、基板を入れ替えながら５０ｍｇ研磨したものと、基板を入れ替えることなく５０ｍｇ研磨したものを比較したところ、研磨後の基板表面のうねりは同等であった。

［研磨条件］
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（厚み０．９ｍｍ、平均開孔径３０μｍ）
研磨液組成物の供給速度：１００ｍＬ／分
下定盤回転数：３７．５ｒｐｍ
研磨パッドに対する被研磨基板の相対速度：０．５５ｍ／秒
研磨圧力：１００ｇ／ｃｍ²

［うねりの測定条件］
測定機：商品名ＴｈｏＴ ｍｏｄｅｌ Ｍ４２２４(ＴｈｏＴテクノロジー社製)
振動計：レーザードップラー振動計（ヨウ素安定化Ｈｅ−Ｎｅレーザー：６３３ｎｍ）
測定波長：０．４〜２ｍｍ（長波長うねり）
測定位置：基板中心より半径２０ｍｍから４６ｍｍの表面
基板回転速度：６０００ｒｐｍ
ゲイン：１６
フィルター：１０ｋＨｚ
レーザーレンジ：５ｍｍ／ｓ／Ｖ
トラックピッチ：０．０１ｍｍ

前記表１に示すように、実施例１〜３の研磨液組成物を用いて研磨した基板は、比較例１〜７の研磨液組成物を用いて研磨した基板と比較して、研磨後の被研磨基板表面のうねりを低減できた。

本発明の研磨液組成物及び基板の製造方法は、メモリーハードディスク基板の製造に有用であり、中でも、メモリーハードディスク基板の製造における仕上げ研磨工程での使用に適している。

図１は、動的摩擦係数の測定方法を説明する上面図である。 図２は、動的摩擦係数の測定方法を説明する側面図である。 図３は、動的摩擦係数と時間との関係の一例を示すグラフである。

符号の説明

１１ キャリア
１２ 被研磨基板
１３ 研磨パッド
１４ 錘
１５ フック
１６ ワイヤー
１７ デジタルフォースゲージ
１８ 研磨液組成物供給口
１９ テンプレート
２０ 下定盤
Ａ 回転方向

Claims (8)

1. 水系媒体及びシリカ粒子を含むメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であって、積載荷重９．３ｋＰａの摩擦測定試験において前記研磨液組成物を用いて測定される被研磨基板と研磨パッドとの動的摩擦係数の平均値が０．３５以下であり、かつ、前記動的摩擦係数の振幅が０．０２７以下であるメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。
2. 前記シリカ粒子中における一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の含有量が、８０体積％以上であり、
   一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上５０ｎｍ未満であるシリカ粒子の含有量が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０〜９０体積％であり、
   一次粒子の平均粒子径が５０ｎｍ以上１２０ｎｍ未満であるシリカ粒子の含有量が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０体積％以下であり、
   一次粒子の平均粒子径が１２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の含有量が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０〜９０体積％である請求項１記載のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。
3. 酸、酸の塩及び酸化剤からなる群から選択される少なくとも１種をさらに含む請求項１又は２に記載のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。
4. 前記研磨液組成物のｐＨが、０．５〜６である請求項１〜３のいずれか１項に記載のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。
5. 水系媒体及びシリカ粒子を含むメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であって、
   前記シリカ粒子中における一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の含有量が、８０体積％以上であり、
   一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上５０ｎｍ未満であるシリカ粒子の含有量が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０〜９０体積％であり、
   一次粒子の平均粒子径が５０ｎｍ以上１２０ｎｍ未満であるシリカ粒子の含有量が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０体積％以下であり、
   一次粒子の平均粒子径が１２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の含有量が、一次粒子の平均粒子径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子の全量中１０〜９０体積％であるメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。
6. 酸、酸の塩及び酸化剤からなる群から選択される少なくとも１種をさらに含む請求項５記載のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。
7. 前記研磨液組成物のｐＨが、０．５〜６である請求項５又は６に記載のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物。
8. 研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含むメモリーハードディスク基板の製造方法であって、
   前記研磨液組成物は、請求項１〜７のいずれか１項に記載のメモリーハードディスク基板用研磨液組成物であるメモリーハードディスク基板の製造方法。

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