JP4650413B2 - 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム - Google Patents
液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4650413B2 JP4650413B2 JP2006509568A JP2006509568A JP4650413B2 JP 4650413 B2 JP4650413 B2 JP 4650413B2 JP 2006509568 A JP2006509568 A JP 2006509568A JP 2006509568 A JP2006509568 A JP 2006509568A JP 4650413 B2 JP4650413 B2 JP 4650413B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gap
- immersion fluid
- environment
- wafer
- projection system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 85
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 title claims description 51
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 title description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 238
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 163
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 21
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 5
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000003570 air Substances 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 238000005276 aerator Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
- G03B27/426—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original in enlargers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/703—Gap setting, e.g. in proximity printer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本願は、２００３年４月１０日に出願した「液浸リソグラフィ用の減圧リングシステム及びウィックリングシステム」と題する仮出願第６０/４６２,１１２号、及び２００３年７月２日に出願した「液浸リソグラフィ用の液浸流体を取り除き且つ検査するための、レンズ周囲のポンプ及びウィックの多重同心配置」と題する仮出願第６０/４８５,０３３号の優先権を主張する。許容される範囲において、仮出願第６０/４６２,１１２号及び第６０/４８５,０３３号の内容をここに援用して本文の記載の一部とする。
露光装置は、一般的に、半導体処理中にレチクルから半導体ウェハに像を転写するために使用される。典型的な露光装置は、照明源、レチクルを位置付けるレチクルステージアセンブリ、光学アセンブリ、半導体ウェハを位置付けるウェハステージアセンブリ、及びレチクルとウェハの位置を正確にモニター（監視）する測定システムを含む。
液浸リソグラフィシステムは、光学アセンブリとウェハの間のギャップ（間隙）を充たす液浸流体層を利用する。ウェハは典型的なリソグラフィシステム内で急速に移動させられ、ギャップから液浸流体が運び去られることが予期される。ギャップから漏出した液浸流体は、リソグラフィシステムの他の構成要素の動作に干渉し得る。例えば、液浸流体は、ウェハの位置をモニターする測定システムに干渉し得る。
本発明は、デバイスステージに保持されるデバイスと光学アセンブリのギャップの環境を制御する環境システムを対象とする。環境システムは、液浸流体源、及びデバイスの近くに位置付けられた移送領域を含む。液浸流体源は、ギャップに入る液浸流体を供給する。移送領域は、ギャップから出る液浸流体を捕える。この設計により、ある実施形態では、本発明が、デバイス及び／又は光学アセンブリを変形させる可能性のある直接的な減圧吸引をデバイスに使用することを回避する。
一実施形態では、環境システムは、デバイスの近くに位置付けられ且つギャップを囲む流体バリアを含む。また、流体バリアは、デバイスの近くに移送領域を保持できる。
一実施形態では、環境システムは、移送領域の近くから液浸流体を除去する流体除去システムを含む。別の実施形態では、流体除去システムは、移送領域から液浸流体を除去する除去流体を供給できる。この実施形態では、除去流体を、液浸流体の液浸流体温度より高い除去流体温度にすることができる。
一実施形態では、移送領域は、移送領域近くの液浸流体を捕集する複数の通路を有する基板である。一例として、移送領域は、毛管作用によって液浸流体を運ぶ材料で製作できる。この実施形態では、通路は複数の細孔であり得る。代替実施形態では、通路は、移送領域を通って延在する、間隔を隔てられた複数の移送孔とすることができる。
本発明はまた、露光装置、ウェハ、デバイス、ギャップ内の環境を制御する方法、露光装置を製作する方法、デバイスを製作する方法、及びウェハを製造する方法も対象にしている。
図１は、精密アセンブリ、すなわち、本発明の特徴を備えた露光装置１０の概略図である。露光装置１０は、装置フレーム１２、照明システム１４（照射装置）、光学アセンブリ１６、レチクルステージアセンブリ１８、デバイスステージアセンブリ２０、測定システム２２、制御システム２４、及び流体環境システム２６を含む。露光装置１０の構成要素の設計は、露光装置１０の設計要件に合うように変更することができる。
複数の図は、Ｘ軸、Ｘ軸に直交するＹ軸、及びＸ軸とＹ軸に直交するＺ軸を示す方位系を含む。なお、これらの軸は、第一軸、第二軸及び第三軸とも呼ばれることができる点に注目されたい。
露光装置１０は、レチクル２８から半導体ウェハ３０（破線で図示）に集積回路のパターン（図示されない）を転写するリソグラフィックデバイスとして特に有用である。ウェハ３０は、一般的に、デバイス又はワークピースとも呼ばれる。露光装置１０は、設置基盤（取付ベース）３２、例えば、地面、基礎、又は床などの支持構造に取り付けられる。
リソグラフィックデバイスには多くの異なったタイプがある。例えば、露光装置１０は、レクチル２８及びウェハ３０が同期移動している状態でレチクル２８からウェハ３０にパターンを露光する走査型フォトリソグラフィシステムとして使用できる。走査型リソグラフィック装置では、レチクル２８はレチクルステージアセンブリ１８によって光学アセンブリ１６の光軸に対して垂直に移動させられ、ウェハ３０はウェハステージアセンブリ２０によって光学アセンブリ１６の光軸の垂直方向に移動される。レチクル２８及びウェハ３０の走査は、レチクル２８及びウェハ３０が同期移動している間に行われる。
あるいは、露光装置１０は、レチクル２８及びウェハ３０が静止している間にレチクル２８を露光するステップアンドリピート型フォトリソグラフィシステムとすることもできる。ステップアンドリピート処理では、ウェハ３０は、個々のフィールド（領域）の露光中、レチクル２８及び光学アセンブリ１６に対して一定の位置にある。その後、連続する複数の露光工程の間に、ウェハ３０の次のフィールドが光学アセンブリ１６及びレチクル２８に対する所定の露光位置に運ばれるように、ウェハ３０をウェハステージアセンブリ２０と共に光学アセンブリ１６の光軸に対して垂直に連続して移動する。この処理に続いて、レチクル２８上の像が、順次、ウェハ３０のフィールド上に露光され、その後、ウェハ３０の次のフィールドが光学アセンブリ１６及びレチクル２８に対する位置に運ばれる。
しかし、ここで提供される露光装置１０の用途は、半導体製造用フォトリソグラフィシステムに限定されない。例えば、露光装置１０は、液晶ディスプレイデバイスのパターンを矩形のガラス板に露光するLＣＤフォトリソグラフィシステム、又は薄膜磁気ヘッド製造用フォトリソグラフィシステムとして使用できる。
装置フレーム１２は、露光装置１０の構成要素を支持する。図１に示される装置フレーム１２は、レチクルステージアセンブリ１８、ウェハステージアセンブリ２０、光学アセンブリ１６、及び取付台３２の上方にある照明システム１４を支持する。
照明システム１４は、照明源３４及び照明光学アセンブリ３６を含む。照明源３４は、光エネルギーのビーム（照射）を放つ。照明光学アセンブリ３６は、光エネルギーのビームを照明源３４から光学アセンブリ１６に導く。ビームは、レチクル２８の異なる部分を選択的に照らし、ウェハ３０を露光する。図１において、照明源３４は、レチクルステージアセンブリ１８の上方に支持されているように図示されている。しかし典型的には、照明源３４は装置フレーム１２の一側面に固定され、照明源３４からのエネルギービームは照明光学アセンブリ３６でレチクルステージアセンブリ１８の上方に向けられている。
照明源３４は、ｇ線源（４３６ｎｍ）、i線源（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）又はＦ２レーザー（１５７ｎｍ）とすることができる。あるいは、照明源３４は、Ｘ線又は電子ビームのような荷電粒子ビームを生成できる。例えば、電子ビームを使用する場合、熱電子放出型の六ホウ化ランタン（ＬａＢ６）又はタンタル（Ｔａ）を電子銃用の陰極として使用できる。さらに、電子ビームを使用する場合、構造は、マスクを使用する構造又はマスクを使用せずに基板上に直接パターンを形成できる構造とすることができる。
光学アセンブリ１６は、レチクル２８を透過する光をウェハ３０に投影及び／又は合焦する。露光装置１０の設計により、光学アセンブリ１６は、レチクル２８上で照射された像を拡大又は縮小できる。光学アセンブリ１６は、縮小システムに限定される必要はなく、等倍システム又は拡大システムにすることもできる。
エキシマレーザーのような遠紫外線を使用する場合、遠紫外線を透過する石英及び蛍石のようなガラス材料を光学アセンブリ１６で使用できる。Ｆ２型レーザー又はＸ線を使用する場合、光学アセンブリ１６はカタディオプトリック又は屈折性（レチクルも反射性が望ましい）のいずれとすることもでき、電子ビームを使用する場合、電子光学系を電子レンズ及びデフレクター（偏向器）で構成できる。電子ビーム用の光路は減圧状態にあるべきである。
また、波長が２００ｎｍ以下の真空紫外線（ＶＵＶ）を使用する露光デバイスでは、カタディオプトリック型光学システムの使用を考慮することができる。カタディオプトリック型光学システムの例として、特許公開公報に公開された特開平１０-２０１９５及びこれに対応する米国特許第５,８３５,２７５号、並びに特開平８-１７１０５４及びこれに対応する米国特許第５,６６８,６７２号の開示に含まれている。これらの場合、反射光学装置は、ビームスプリッター及び凹面鏡を組み込んだカタディオプトリック光学システムとすることができる。特開平１０-３０３９及びその対応米国特許出願第８７３,６０５号（出願日：１９９７年６月１２日）、並びに特開平８-３３４６９５及びその対応米国特許第５,６８９,３７７号もまた、凹面鏡などを組み込んだ反射屈折型光学システムを使用するが、この光学システムはビームスプリッターを組み込んでいない。これらも本発明に採用できる。許容される範囲において、前記特許公開公報に記載の日本国特許出願及び、前記米国特許における開示をここに援用して本文の記載の一部とする。
一実施形態では、光学アセンブリ１６は、一つ以上の光学マウントアイソレータ３７で装置フレーム１２に固定されている。光学マウントアイソレータ３７は、装置フレーム１２の振動が光学アセンブリ１６に振動を生じるのを抑える。各光学マウントアイソレータ３７は、振動を遮断する空気圧シリンダ（図示されない）、及び振動を遮断して少なくとも２つの運動の自由度で位置を制御するアクチュエータ（図示されない）を含むことができる。好適な光学マウントアイソレータ３７が、マサチュセッツ州のウォバーンにあるＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｄｙｎａｍｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇによって販売されている。図示を容易にするために、離れた位置に置かれた２つの光学マウントアイソレータ３７が、光学アセンブリ１６を装置フレーム１２に固定するのに使用されるように示されている。しかし、例えば、離れた位置に置かれた３個の光学マウントアイソレータ３７が、光学アセンブリ１６を装置フレーム１２にキネマテッィクに固定するように使用できる。
レチクルステージアセンブリ１８は、光学アセンブリ１６とウェハ３０に対してレチクル２８を保持し、光学アセンブリ１６とウェハ３０に対してレチクル２８を位置付ける。一実施形態では、レチクルステージアセンブリ１８は、レチクル２８を保持するレチクルステージ３８、及びレチクルステージ３８とレチクル２８を移動して位置付けるレチクルステージ移動アセンブリ４０を含む。
幾分同様に、デバイスステージアセンブリ２０は、レチクル２８の照射部分の投影像に対してウェハ３０を保持し、レチクル２８の照射部分の投影像に対してウェハ３０を位置付ける。一実施形態では、デバイスステージアセンブリ２０は、ウェハ３０を保持するデバイスステージ４２、デバイスステージ４２を支持して案内するデバイスステージベース４３、及びデバイスステージ４２とウェハ２８を光学アセンブリ１６とデバイスステージベース４３に対して移動して位置付けるデバイスステージ駆動アセンブリ４４を含む。デバイスステージ４２について以下により詳細に説明する。
各ステージ駆動アセンブリ４０、４４は、それぞれのステージ３８、４２を３の自由度、３未満の自由度又は３を超える自由度で動かすことができる。例えば、代替実施形態では、各ステージ移動アセンブリ４０、４４は、それぞれのステージ３８、４２を１、２、３、４、５又は６自由度で移動させることができる。レチクルステージ駆動アセンブリ４０及びデバイスステージ駆動アセンブリ４４は、それぞれ、ロータリーモーター、ボイスコイルモーター、ローレンツ力を利用して駆動力を生じるリニアモーター、電磁駆動機、平面モーター又はその他の力による駆動機のような、一つ以上の駆動機を含むことができる。
フォトリソグラフィシステムでは、ウェハステージアセンブリ又はレチクルステージアセンブリにリニアモーター（米国特許番号５,６２３,８５３号又は５,５２８,１１８号参照）が使用される時、リニアモーターは、エアベアリングを使用した空気浮上型、又はローレンツ力又はリアクタンス力を利用した磁気浮上型のどちらにすることもできる。また、ステージは、ガイドに沿って移動可能であってもよく、あるいはガイドを使用しないガイドレスタイプのステージであってもよい。許容される範囲において、米国特許番号５,６２３,８５３及び５,５２８,１１８における開示をここに援用し、本文の記載の一部とする。
あるいは、これらのステージの一つは平面モーターで駆動しうる。平面モーターは、２次元配置された複数の磁石を有するマグネットユニット及び対向位置に２次元配置された複数のコイルを有する電機子コイルユニットによって生じる電磁力によってステージを駆動する。この型式の駆動システムでは、マグネットユニット及び電機子コイルユニットの一方がステージベース（ステージ基盤）に接続され、他方がステージの移動平面側に取り付けられる。
上記のようなステージの移動は、フォトリソグラフィシステムの性能に影響を与えうる反力を生じる。ウェハ（基板）ステージの動作によって生じる反力は、米国特許第５,５２８,１００号及び特開平８-１３６４７５に記載されているようなフレーム部材の使用によって機械的に床（地面）に伝達できる。また、レチクル（マスク）ステージの動作によって生じる反力は、米国特許第５,８７４,８２０号及び特開平８-３３０２２４に記載されているようなフレーム部材によって機械的に床（地面）に伝達できる。許容される範囲において、米国特許番号５,５２８,１００及び５,８７４,８２０及び特開平８-３３０２２４における開示をここに援用し、本文の記載の一部とする。
測定システム２２は、光学アセンブリ１６又は別の基準に対するレチクル２８及びウェハ３０の移動をモニターする。この情報により、制御システム２４はレチクルステージアセンブリ１８を制御してレチクル２８を正確に位置付けることができ、デバイスステージアセンブリ２０を制御してウェハ３０を正確に位置付けることができる。測定システム２２の設計は変更可能である。例えば、測定システム２２は、多軸レーザー干渉計、エンコーダ、ミラー、及び／又はその他の測定デバイスを利用できる。
制御システム２４は、測定システム２２から情報を受信し、ステージ移動アセンブリ１８、２０を制御してレチクル２８及びウェハ３０を正確に位置付ける。また、制御システム２４は、環境システム２６の構成要素の動作を制御できる。制御システム２４は、一つ以上のプロセッサー及び回路を含むことができる。
環境システム２６は、光学アセンブリ１６とウェハ３０のギャップ２４６（図２Ｂに図示）における環境を制御する。ギャップ２４６は、結像領域を含む。結像領域は、ウェハ３０の露光されている領域に隣接するエリア及び光エネルギーのビームが光学アセンブリ１６とウェハ３０の間を進行するエリアを含む。この設計により、環境システム２６は結像領域内の環境を制御できる。
環境システム２６によってギャップ２４６内で生成及び／又は制御される所望の環境は、ウェハ３０及び照明システム１４を含む露光装置１０の残りの構成要素の設計に従って変更可能である。例えば、制御される所望の環境は、水のような流体にすることができる。あるいは、制御される所望の環境は、別種の流体にすることができる。
図２Ａは、ウェハ３０、及び光学アセンブリ１６、デバイスステージ４２及び環境システム２６を含む、図１の露光装置１０の一部の斜視図である。
図２Ｂは、光学アセンブリ１６、デバイスステージ４２及び環境システム２６を含む、図２Ａの露光装置１０の前記一部の断面図である。図２Ｂは、光学アセンブリ１６が光学ハウジング２５０Ａ、終端光学素子２５０Ｂ、及び終端光学素子２５０Ｂを光学ハウジング２５０Ａに固定するエレメントリテーナ２５０Ｃを含むことを示す。また、図２Ｂは、終端光学素子２５０Ｂとウェハ３０のギャップ２４６を示す。一実施形態では、ギャップ２４６は約１ｍｍである。
一実施形態では、環境システム２６は、結像領域及びギャップ２４６の残部を液浸流体２４８（円で図示）で充たす。環境システム２６及び環境システム２６の構成要素の設計は変更可能である。図２Ｂに示された実施形態では、環境システム２６は、液浸流体システム２５２、流体バリア２５４、及び移送領域２５６を含む。この実施形態では、（ｉ）液浸流体システム２５２は、液浸流体２４８をギャップ２４６に送出し、且つ／又は注入し、移送領域２５６又はその近くから液浸流体２４８を取り除き、且つ／又は液浸流体２４８が移送領域２５６を通過するのを促進し、（ｉｉ）流体バリア２５４は、ギャップ２４６付近から液浸流体２４８が流れ去るのを阻止し、（ｉｉｉ）移送領域２５６は、ギャップ２４６から流出する液浸流体２４８を移送し、且つ／又は搬送する。また、流体バリア２５４はギャップ２４６の近くにチャンバー（室）２５７を形成する。
液浸流体システム２５２の設計は変更可能である。例えば、液浸流体システム２５２は、ギャップ２４６及びチャンバー２５７、光学アセンブリ１６の縁、又はその近くの１箇所又は数箇所に、及び／又は光学アセンブリ１６とウェハ３０の間に直接に、液浸流体２４８を注入できる。さらに、液浸流体システム２５２は、デバイス３０、ギャップ２４６及び／又は光学アセンブリ１６の縁又はその近くの１箇所若しくは数箇所で、液浸流体２４８の除去及び／又は排出を支援できる。
図２Ｂに示される実施形態では、液浸流体システム２５２は、光学アセンブリ１６の周囲近くに位置する一つ以上のインジェクタノズル２５８（一つのみ図示）及び液浸流体源２６０を含む。図２Ｃは、一つのインジェクタノズル２５８を更に詳細に示す。この実施形態では、各インジェクタノズル２５８は、液浸流体源２６０と流通（連通）しているノズルアウトレット２６２を含む。適当な時に、液浸流体源２６０は、チャンバー２５７中に放出される液浸流体２４８を一つ以上のノズルアウトレット２６２に供給する。
図２Ｂ及び図２Ｃは、チャンバー２５７内の液浸流体２４８がウェハ３０の上側に在ることも示している。液浸流体２４８はギャップ２４６に流れ込む。さらに、ウェハ３０が光学アセンブリ１６の下方を移動する時、ウェハ３０上面付近の液浸流体２４８はウェハ３０によりギャップ２４６中に引き込まれる。
一実施形態では、流体バリア２５４は、ギャップ２４６の周りにチャンバー２５７を形成し、ギャップ２４６からの液浸流体２４８の流量を制限し、ギャップ２４６を液浸流体２４８で満たした状態に維持することを支援し、ギャップ２４６から漏出する液浸流体２４８の回収を容易にする。一実施形態では、流体バリア２５４は、ギャップ２４６及び光学アセンブリ１６底部の周りを囲み、その周り全体に渡って配置されている。さらに、一実施形態では、流体バリア２５４は、光学アセンブリ１６の中央に位置付けられたウェハ３０及びデバイスステージ４２の上の領域に液浸流体２４８を閉じ込める。あるいは、例えば、流体バリア２５４を、ギャップ２４６の一部のみの周りに配置することができ、又は流体バリア２５４を光学アセンブリ１６に対して偏心させることができる。
図２Ｂ及び図２Ｃに示された実施形態では、流体バリア２５４はコンテインメントフレーム２６４及びフレーム支持体２６８を含む。この実施形態では、コンテインメントフレーム２６４は概して環状のリング形状であり、ギャップ２４６を囲んでいる。また、この実施形態では、コンテインメントフレーム２６４は、頂面２７０Ａ、ウェハ３０に面する反対側の底面２７０Ｂ、ギャップ２４６に面する内面２７０Ｃ、及び外面２７０Ｄを有する。さらに、この実施形態では、流体バリア２５４は、移送領域２５６を受け入れる流路２７２を有する。例として、流路２７２は環状にすることができる。
なお、「頂」及び「底」という用語は単に便宜上使用されているだけであり、コンテインメントフレーム２６４の向きは回転できる。また、コンテインメントフレーム２６４は他の形状をとることができる。例えば、コンテインメントフレーム２６４は、矩形フレーム形状、八角フレーム形状、楕円フレーム形状又は別の好適な形状をとることができる。
フレーム支持体２６８は、ウェハ３０及びデバイスステージ４２の上方で、装置フレーム１２、別の構造体及び／又は光学アセンブリ１６にコンテインメントフレーム２６４を接続して支持する。一実施形態では、フレーム支持体２６８は、コンテインメントフレーム２６４の全重量を支持する。あるいは、例えば、フレーム支持体２６８は、コンテインメントフレーム２６４の重量の一部のみを支持できる。一実施形態では、フレーム支持体２６８は、一つ以上の支持アセンブリ２７４を含むことができる。例えば、フレーム支持体２６８は、３個の離れた支持アセンブリ２７４（図２Ｂに２個のみ示す）を含むことができる。この実施形態では、各支持アセンブリ２７４は、光学アセンブリ１６とコンテインメントフレーム２６４の内面２７０Ｃの間に延在する。
一実施形態では、各支持アセンブリ２７４は、コンテインメントフレーム２６４を光学アセンブリ１６に堅く固定するマウントである。あるいは、例えば、各支持アセンブリは、コンテインメントフレーム２６４をフレキシブルに支持するフレクシャであり得る。ここでは、用語「フレクシャ」は、ある方向に比較的高い剛性を有し、他の方向に比較的低い剛性を有する部品を意味する。一実施形態では、複数のフレクシャは、（ｉ）Ｘ軸及びＹ軸の方向に比較的硬く、（ｉｉ）Ｚ軸の方向に比較的フレキシブルであるように、協働する。この実施形態では、複数のフレクシャは、Ｚ軸に沿ったコンテインメントフレーム２６４の動作を許容し、Ｘ軸及びＹ軸に沿ったコンテインメントフレーム２６４の動作を抑制することができる。
あるいは、例えば、各支持アセンブリ２７４は、ウェハ３０及びデバイスステージ４２に対してコンテインメントフレーム２６４の位置を調整するためのアクチュエータとすることができる。この実施形態では、フレーム支持体２６８は、コンテインメントフレーム２６４の位置をモニターするフレーム測定システム（図示されない）を含むこともできる。例えば、フレーム測定システムは、Ｚ軸に沿った、Ｘ軸周りの、且つ／又はＹ軸周りのコンテインメントフレーム２６４の位置をモニターすることができる。この情報により、支持アセンブリ２７４を、コンテインメントフレーム２６４の位置調整に使用できる。この実施形態では、支持アセンブリ２７４は、コンテインメントフレーム２６４の位置を能動的に調整できる。
また、図２Ｂ及び図２Ｃは移送領域２５６をより詳細に示す。この実施形態では、移送領域２５６は、実質的に環状円板の形状で、ギャップ２４６を囲み、実質的に光学アセンブリ１６と同心である基板２７５である。あるいは、例えば、基板２７５は、楕円フレーム形状、矩形フレーム形状又は八角形フレーム形状を含む別の形状にすることができる。あるいは、例えば、移送領域２５６は、ギャップ２４６の一部を囲むように協働する複数の基板片、及び／又は実質的に同心の複数の基板を含むことができる。
移送領域２５６の寸法は、所望の液浸流体回収率を達成するように選択できる。
さらに、この実施形態では、移送領域２５６は、コンテインメントフレーム２６４の底面２７０Ｂ又はその近くに固定されており、移送領域２５６の上に隣接した除去チャンバー２７６をコンテインメントフレーム２６４と共に形成している。また、図２Ｃに示されているように、移送領域２５６は除去チャンバー２７６に隣接した第一表面２７８Ａと、デバイス３０及びギャップ２４６に隣接した反対側の第二表面とを有する。
この実施形態では、移送領域２５６は、コンテインメントフレーム２６４とウェハ３０やデバイスステージ４２の間を流れる液浸流体２４８の少なくとも一部を捕え、保持し、且つ／又は吸収する。移送領域２５６で使用される材料の種類は変更することができる。一実施形態では、基板２７５は複数の通路２８０を含む。例えば、通路２８０は比較的小さく、ぎっしり詰まっている。
一例として、移送領域２５６は、毛管作用によって液浸流体２４８を運ぶ多数の細孔、及び／又は隙間を有する多孔性材料とすることができる。この実施形態では、通路２８０は、毛管力が液浸流体２４８を細孔に引き込むのに十分なほど小さくすることができる。好適な材料の例は、金属、ガラス又はセラミックから形成されたウィック型構造を含む。好適なウィック型構造は、互いにつながった小さい通路の網を有するあらゆる材料を含み、ガラス繊維織物、焼結された金属粉末、スクリーン（網）、ワイヤーメッシュ、又はあらゆる材料の溝を含むが、これらに限定されない。移送領域２５６は親水性にすることができる。
一実施形態では、移送領域２５６は約２０〜２００ミクロンの孔径を有する。他の非排他的な実施形態では、移送領域２５６は、少なくとも約４０、８０、１００、１４０、１６０又は１８０の多孔度を有することができる。
ある実施形態では、比較的大きい流量の許容量が要求される。より大きい流量に対応するには、より高い多孔度の材料が移送領域２５６に必要となる場合もある。移送領域２５６の多孔度の選択は、移送領域２５６の全体のフローレートの要件に依存する。より大きな全体のフローレートは、より高い多孔度を有する移送領域２５６を使用すること、移送領域２５６の厚さを減らすこと、又は移送領域２５６の表面積を増やすことによって達成できる。一実施形態では、液浸リソグラフィにおける０.３〜１.０リットル／分のフローレートで、液浸流体２４８の回収用の３０〜１５０ｃｍ２の面積をカバーするのに、４０〜１５０μｍの孔径を使用できる。多孔性材料の種類及び仕様も液浸流体２４８の使用条件と特性に依存する。
図２Ｂに戻ると、ある実施形態では、移送領域２５６の液浸流体２４８を吸収する能力（許容量）に限界がある。一実施形態では、液浸流体システム２５２は、移送領域２５６又はその近くから液浸流体２４８を取り除く流体除去システム２８２を含む。流体除去システム２８２は、移送領域２５６及び除去チャンバー２７６と流通している。この設計により、液浸流体２４８は、移送領域２５６で捕えることができ、流体除去システム２８２によって取り除くことができる。
一実施形態では、流体除去システム２８２は、移送領域２５６の頂部の第一表面２７８Ａから液浸流体２４８を除去し、移送領域２５６の底部の第二表面２７８Ｂに追加の液浸流体２４８を流入させる。例えば、流体除去システム２５２は、移送領域２５６に差圧を生成できる。一実施形態では、流体除去システム２８２は、第一表面２７８Ａにおける圧力を第二表面２７８Ｂにおける圧力より低くさせる。
液浸流体２４８を取り除くことは幾つかの異なる方法で達成でき、流体除去システム２８２の複数の実施形態を以下に述べる。
図２Ｃは、フレームギャップ２８４が（ｉ）コンテインメントフレーム２６４の底面２７０Ｂ及び移送領域２５６の第二表面２７８Ｂと、（ｉｉ）ウェハ３０及び／又はデバイスステージ４２との間に存在して、コンテインメントフレーム２６４に対するデバイスステージ４２及びウェハ３０の移動を容易としていることを示している。フレームギャップ２８４のサイズは変更することができる。一実施形態では、フレームギャップ２８４は、約０.１〜２ｍｍである。別の例では、フレームギャップ２８４は、約０.０５、０.１、０.２、０.５、１、１.５、２、３又は５ｍｍの値をとることができる。
この実施形態では、液浸流体２４８の大部分は流体バリア２５４内に閉じ込められ、周辺の漏出物の大部分は移送領域２５６によって狭いフレームギャップ２８４内で排出される。この場合、液浸流体２４８は、移送領域２５６に触れると移送領域２５６中に引き込まれ、吸収される。このように、移送領域２５６は、液浸流体２４８が環から流出するのを抑制する。
図２Ｄは、図２Ｃに示された実施形態に幾分類似した露光装置１０Ｄの別の実施形態の部分断面図を示す。しかし、図２Ｄでは、デバイス３０Ｄ及び／又はステージ４２Ｄは、移送領域２５６Ｄの第二表面２７８ＢＤより、コンテインメントフレーム２６４Ｄの内面２７０ＣＤの方に近い、且つ／又は外面２７０ＤＤの下側２７０ＢＤの方に近い。換言すれば、下側２７８ＢＤとデバイス３０Ｄ及び／又はステージ４２Ｄとの間の距離は、第二表面２７８ＤＢとデバイス３０Ｄ及び／又はステージ４２Ｄとの間の距離より短い。
図３Ａは液浸流体源２６０の一実施形態を示す。この実施形態では、液浸流体源２６０は、（ｉ）液浸流体２４８を保持する流体リザーバ（流体容器）３８６Ａ、（ｉｉ）流体リザーバ３８６Ａと流通し、液浸流体２４８を濾過するフィルタ３８６Ｂ、（ｉｉｉ）フィルタ３８６Ｂと流通し、液浸流体２４８からあらゆる空気、汚染物質、又はガスを除去するエアレータ（通気装置）３８６Ｃ、（ｉｖ）エアレータ３８６Ｃと流通し、液浸流体２４８の温度を制御する温度制御器３８６Ｄ、例えば熱交換器又は冷却装置、（ｖ）温度制御器３８６Ｄと流通している圧力源３８６Ｅ、例えばポンプ、及び（ｖｉ）圧力源３８６Ｅと流通しているインレット及びノズルアウトレット２６２（図２Ｃに示す）と流通しているアウトレットを有する流量制御器３８６Ｆを含む。流量制御器３８６Ｆは、ノズルアウトレット２６２への圧力及び流量を制御する。
また、液浸流体源２６０は、（ｉ）ノズルアウトレットに送出される液浸流体２４８の圧力を測定する圧力センサー３８６Ｇ、（ｉｉ）ノズルアウトレット２６２への液浸流体２４８の流量を測定する流量センサー３８６Ｈ、及び（ｉｉｉ）ノズルアウトレット２６２に流れる液浸流体２４８の温度を測定する温度センサー３８６Iを含むことができる。これらの構成要素の動作を制御システム２４（図１に示す）で制御することにより、ノズルアウトレット２６２に流れる液浸流体２４８の流量、温度及び／又は圧力を制御できる。これらのセンサー３８６Ｇ〜３８６Ｉからの情報が制御システム２４に転送されることにより、制御システム２４は液浸源３６０Ａの他の構成要素を適切に調節して、液浸流体２４８の所望の温度、流量及び／又は圧力を達成することができる。
なお、液浸流体源２６０の構成要素の配向は変更できる。さらに、一つ以上の構成要素が不要な場合もあり、幾つかの構成要素は二重にできる。例えば、液浸流体源２６０は、複数のポンプ、複数の容器、（複数の）温度制御器又はその他の構成要素を含むことができる。さらに、環境システム２６は、複数の液浸流体源２６０を含むことができる。
液浸流体２４８をギャップ２４６（図２Ｂに示す）中に注入する割合は変更可能である。一実施形態では、液浸流体２４８は、約０.５リットル/分から２リットル/分の間の割合でノズルアウトレット２６２を経由してギャップ２４６に供給される。しかし、この割合は、これらの値より大きくすることもでき、又は小さくすることもできる。
液浸流体２４８の種類は装置１０の設計要件に合うように変更できる。一実施形態では、液浸流体２４８は、脱気及び脱イオン化した水のような流体である。あるいは、例えば、液浸流体２４８は、フォンブリン（Ｆｏｍｂｌｉｎ）オイルのような過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＦ）のような別種の流体とすることができる。
図３Ｂは、流体除去システム３８２Ｂの第一実施形態と、流体バリア２５４の一部、移送領域２５６、ウェハ３０、及び液浸流体２４８の図を図示している。本願では、流体除去システム３８２Ｂを圧力システムとも呼ぶ。一実施形態では流体除去システム３８２Ｂは移送圧力を生成し、且つ／あるいは移送圧力を移送領域２５６の第一表面２７８Ａに加える。この実施形態では、第一表面２７８Ａと第二表面２７８Ｂとの間に差圧が存在するように、流体除去システム３８２Ｂは移送領域２５６の第一表面２７８Ａにおける移送圧力を維持する。他の非排他的な実施形態では、第一表面２７８Ａの移送圧力が約−１０、−１００、−５００、−１０００、−２０００、−５０００、−７０００又は−１０,０００パスカルのゲージ圧となるように、流体除去システム３８２Ｂは除去チャンバー２７６内の圧力を制御する。
図３Ｂでは、流体除去システム３８２Ｂは、（ｉ）除去チャンバー２７６内に低い室圧を生成する低圧源３９０ＢＡ、及び（ｉｉ）除去チャンバー２７６からの液浸流体２４８を捕える回収容器３９０ＢＣを含む。この実施形態では、低圧源３９０ＢＡはポンプすなわち真空源３９０ＢＤ、及びチャンバー２７６のチャンバー内の圧力を正確に制御する室圧調整器３９０ＢＥを含むことができる。他の非排他的な実施形態では、例えば、チャンバー内の圧力は約−１０、−１００、−５００、−１０００、−２０００、−５０００、−７０００又は−１０,０００パスカルのゲージ圧となるように制御される。室圧調整器３９０ＢＥを制御システム２４で制御することによりチャンバー内の圧力を制御できる。
図３Ｃは、流体除去システム３８２Ｃの別の実施形態と、流体バリア２５４の一部、移送領域２５６、ウェハ３０及び液浸流体２４８の図を図示している。この実施形態では、流体除去システム３８２Ｃは、乾燥した除去流体３９６（三角形で図示）、例えば空気を、除去チャンバー２７６を通過させ、移送領域２５６の頂部の第一表面２７８Ａを横断させる。除去流体３９６は移送領域２５６の頂部表面２７８Ａを乾燥させ、移送領域２５６から液浸流体２４８を排出する。場合により、除去流体３９６を加熱するができ、乾燥流体３９６への液浸流体２４８の流入（流量）を改善できる。換言すれば、一実施形態では、除去流体３９６は、液浸流体２４８の液浸流体温度より高い除去流体温度にある。
図３Ｃでは、流体除去システム３８２Ｃは、（ｉ）加圧された乾燥除去流体３９６の流体源３９６Ａ、（ｉｉ）乾燥除去流体３９６の温度を制御する温度制御器３９６Ｂ、（ｉｉｉ）乾燥除去流体３９６の流量を測定する流量センサー３９６Ｃ、及び（iv）乾燥除去流体３９６の温度を測定する温度センサー３９６Ｄを含む。流体源３９６Ａは、制御システム２４によって制御されるポンプを含むことができる。温度制御器３９６Ｂは、制御システム２４によって制御されるヒーターとすることができる。
図３Ｄは、流体除去システム３８２Ｄのさらに別の実施形態と、流体バリア２５４の一部、移送領域２５６、ウェハ３０及び液浸流体２４８の図を図示している。この実施形態では、移送領域２５６は流体バリア２５４の外側に延在している。さらに、流体除去システム３８２Ｃは熱源３９７を含む。熱源３９７が移送領域２５６の第一表面２７８Ａに加熱された流体３９６Ｆ（三角形で図示）を供給することにより、液浸流体２４８は沸騰して移送領域２５６から排出され、捕えられる。
なお、図３Ｂ〜３Ｄに示される流体除去システム３８２Ｂ及び３８２Ｃの構成要素の配向は変更できる。さらに、一つ以上の構成要素が不要な場合もあり、幾つかの構成要素は二重にできる。例えば、各流体除去システム３８２Ｂ、３８２Ｃ、３８２Ｄは、複数のポンプ、複数のリザーバ、（複数の）弁又は他の構成要素を含むことができる。また、環境システム２６は、複数の流体除去システム３８２Ｂ、３８２Ｃ、３８２Ｄを含むことができる。
図４は、環境システム４２６の別の実施形態の一部、ウェハ３０の一部及びデバイスステージ４２の一部の拡大図である。この実施形態では、環境システム４２６は、上で記述され、且つ図２Ａ〜２Ｃに示された対応する構成要素にいくらか類似している。しかし、この実施形態では、移送領域４５６が僅かに異なる。特に、この実施形態では、移送領域４５６の基板４７５に形成された通路４８０（二つのみ図示）は、第一表面４７８Ａと第二表面の間で実質的に基板４７５を貫通している、間隔をあけた複数の移送孔である。
この実施形態では、例えば、基板４７５は、ガラス又は他の親水性材料のような材料で製作できる。一実施形態では、移送孔４８０は約０.１〜０.２ｍｍの直径を有することができる。しかし、ある実施形態では、移送孔はこれらの寸法より大きくすることができ、又は小さくすることができる。
この設計により、例えば、流体除去システム３８２Ｂ、３８２Ｃ（図３Ｂ及び図３Ｃに図示）の一つ以上を使用して、移送孔４８０に減圧又は部分減圧を適用できる。部分減圧は、移送領域４５６を通して液浸流体２４８を引き寄せる。
図５Ａは、光学アセンブリ５１６、デバイスステージ５４２、及び環境システム５２６を含む露光装置５１０の別の実施形態の一部の断面図である。図５Ａはウェハ３０、ギャップ５４６及び液浸流体５４８がギャップ５４６を充たしていることも示す。図５Ｂは、図５Ａの５Ｂ-５Ｂ線で囲まれた拡大部分を示す。
この実施形態では、環境システム５２６は、上記対応構成要素に幾分類似した液浸流体システム５５２、流体バリア５５４及び移送領域５５６を含む。この実施形態では、流体バリア５５４は、ギャップ５４６の周りにチャンバー５５７を形成するコンテインメントフレーム５６４、及びコンテインメントフレーム５６４を装置フレーム１２に接続して支持するフレーム支持体５６８を含む。しかし、この実施形態では、コンテインメントフレーム５６４は、（ｉ）液浸流体システム５５２の液浸流体源５６０と流通しているノズルアウトレット５６２を形成している環状第一流路５８１、（ｉｉ）環状第二流路５８３、（ｉｉｉ）環状第三流路５８５、及び（ｉｖ）移送領域５５６を受ける環状第四流路５８７を有する。この実施形態では、流路５８１、５８３、５８５、５８７は、ほぼ同心であり、光学アセンブリ５１６を中心にしている。さらに、この実施形態では、第二流路５８３は第一流路５８１を囲み、第三流路５８５は第二流路５８３を囲み、第四流路５８７は第三流路５８５を囲んでいる。しかし、流路５８１、５８３、５８５、５８７の形状、配向及び／又は位置は変更できる。
一実施形態では、液浸流体システム５５２は、チャンバー５５７に放出される液浸流体５４８を第一流路５８１及びノズルアウトレット５６２に供給する。移送領域５５６はコンテインメントフレーム５６４と共に、移送領域５５６の上側に隣接した除去チャンバー５７６を形成する。さらに、移送領域５５６は、除去チャンバー５７６に隣接する第一表面５７８Ｂと、デバイス３０及びギャップ５４６に隣接する反対側の第二表面５７８Ｂとを有する。
この実施形態では、第三流路５８５は第一除去システム５８２Ａと流通している。一実施形態では、第一除去システム５８２Ａは、液浸流体５４８を第三流路５８５に引く及び／又は引き込む減圧又は部分減圧を第三流路５８５に生成する。例えば、他の非排他的な実施形態では、第一除去システム５８２Ａは、第三流路５８５内の圧力を約−１０、−１００、−５００、−１０００、−２０００、−５０００、−７０００又は−１０,０００パスカルのゲージ圧に維持できる。
さらに、この実施形態では、第四流路５８７は第二除去システム５８２Ｂと流通している。この実施形態では、第二除去システム５８２は、移送領域５５６の頂部の第一表面５７８Ａから液浸流体５４８を取り除き、移送領域５５６の底部の第二表面５７８Ｂに追加の液浸流体５４８を流入させる。
一実施形態では、第一除去システム５８２Ａの設計は、図３Ｂ〜３Ｄに示された除去システム３８２Ｂ、３８２Ｃの一つの設計と類似することができ、且つ／又は、第二除去システム５８２Ｂの設計は、図３Ｂ〜３Ｄに示された設計の一つに幾分類似することができる。
一実施形態では、ギャップ５４６から流出する液浸流体５４８の大部分は、第三流路５８５を通して回収される。例えば、第三流路５８５は、ギャップ５４６から回収される液浸流体５４８の約８０〜９０％を回収できる。別の実施形態では、第三流路は、ギャップ５４６から回収される液浸流体５４８の少なくとも約５０、６０、７０、８０又は９０％を回収できる。この設計により、第四流路５８７を使用して、第三流路５８５で捕えられない液浸流体５４８を捕えることができる。
また、一実施形態では、環境システム５２６は、ギャップ５４６内の圧力の制御に使用できる圧力制御器５９１を含む。一実施形態では、圧力制御器５９１は、ギャップ５４６内の圧力をギャップ５４６外の圧力とほぼ等しくさせることができる。例えば、一実施形態では、第二流路が圧力制御器５９１を形成している。この実施形態では、第二流路５８３は大気圧に開放され、第三流路５８５の内側に位置する。この設計により、第三流路５８５内の負圧（減圧又は部分減圧）は光学アセンブリ５１６とウェハ３０の間の圧力に強く影響しない。
あるいは、例えば、制御圧力源５９３がギャップ５４６中に放出される制御流体５９５（三角形で図示）を第二流路５８３に供給できる。一実施形態では、制御流体５９５は、液浸流体５４８に容易に吸収されないガスとすることができる。例えば、液浸流体５４８が水の場合、制御流体５９５は水に容易に吸収されないガスとすることができる。液浸流体５４８が制御流体５９５を吸収しない場合、又はそれに別の形で反応しない場合には、ウェハ３０の表面に泡が形成される可能性を減らすことができる。
さらに別の実施形態では、環境システム５２６は、コンテインメントフレーム５６４とウェハ３０及び／又はデバイスステージ５４２の間に流体ベアリング（図示なし）を生成するデバイスを含むことができる。例えば、コンテインメントフレーム５６４は、ベアリング流体（図示なし）のベアリング流体源（図示なし）と流通している一つ以上のベアリングアウトレット（図示なし）を含むことができる。この実施形態では、ベアリング流体源は、加圧された流体をベアリングアウトレットに供給して静的空気ベアリングを生成する。流体ベアリングはコンテインメントフレーム５６４の重量の全部又は一部を支持できる。
なお、各実施形態において、必要に応じて別の移送領域を追加できる。
概略的に図６Ａに示されるプロセスによって、上記システムを使用して半導体デバイスを製造できる。工程６０１で、デバイスの機能特性及び性能特性を設計する。次に、工程６０２で、その前の設計工程に従って、パターンを有するマスク（レチクル）を設計し、並行する工程６０３で、シリコン材料からウェハを製作する。工程６０４では、工程６０２で設計したマスクパターンを、工程６０３で製作したウェハに、本発明に従ってこれまでに記述したフォトリソグラフィシステムにより露光する。工程６０５で、半導体デバイスを組み立てる（ダイシングプロセス、ボンディングプロセス、及びパッケージングプロセスを含む）。最後に、工程６０６で、このデバイスを検査する。
図６Ｂは、半導体デバイスを製造する場合の上記工程６０４の詳細なフローチャートの例を示す。図６Ｂにおいて、工程６１１（酸化工程）で、ウェハ表面を酸化する。工程６１２（ＣＶＤ工程）で、ウェハ表面に絶縁フィルムを形成する。工程６１３（電極形成工程）で、蒸着によりウェハ上に電極を形成する。工程６１４（イオン注入工程）で、ウェハ中にイオンを注入する。上記工程６１１〜６１４はウェハ処理におけるウェハに対する前処理工程を形成し、処理要件に応じて各工程が選択される。
ウェハ処理の各段階において、上記前処理工程が完了すると、下記の後処理工程が実施される。後処理では、まず、工程６１５（フォトレジスト形成工程）で、ウェハにフォトレジストを塗布する。次に、工程６１６（露光工程）で、上記露光デバイスを使用してウェハにマスク（レチクル）の回路パターンを転写する。それから、工程６１７（現像工程）で、露光されたウェハを現像し、工程６１８（エッチング工程）で、残存フォトレジスト以外（露光された材料表面）の部分をエッチングにより除去する。工程６１９（フォトレジスト除去工程）で、エッチング後に残る不要フォトレジストを除去する。
これらの前処理工程及び後処理工程を繰り返すことにより多重の回路パターンを形成する。
本願に図示され且つ開示された特定の露光装置１０は、充分に目標を達成することができ、且つ本願で以前に記述した利点を十分に提供できるが、本発明の現在望ましい実施形態を単に例示するものであり、添付の請求項に記載されているもの以外で、本願に示された構造又は設計の詳細に限定するものでは無いと解されるものとする。
Claims (51)
- ワークピースを保持するように構成されたステージと、
像を規定するレチクルを保持するように構成されたレチクルステージと、
照明源及び光学素子を含み、レチクルによって規定された像を前記ワークピース上の露光領域に投影するように構成された投影システムと、
前記光学素子と前記ワークピースの間の液浸流体で充たされるように構成されたギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を捕集する複数の通路を有する多孔性材料とを備えた装置。 - 前記多孔性材料が前記ギャップを実質的に囲んでいる請求項１に記載の装置。
- 前記多孔性材料がウィック又はメッシュ材料の一方を含む請求項１に記載の装置。
- 前記多孔性材料の前記複数の通路が前記ギャップから出る液浸流体を捕集するために毛管作用によって補助される請求項１に記載の装置。
- さらに、前記多孔性材料の近くから液浸流体を取り除く流体除去システムを備えた請求項１に記載の装置。
- 像をワークピースに転写する方法であって、
レチクルステージでレチクルを保持する工程と、
前記ワークピース上に光学アセンブリで前記像を投影する工程と、
前記光学アセンブリからギャップを隔てて前記ワークピースをステージで保持する工程と、
前記ギャップに液浸流体を向かわせる工程と、
前記ギャップから出る液浸流体を捕集するための複数の通路を有する多孔性材料を前記ギャップに隣接させて位置付ける工程とを含む方法。 - 前記ギャップから出る液浸流体を捕集するために、前記多孔性材料の前記複数の通路が毛管作用によって補助される請求項６に記載の方法。
- ワークピースを保持するように構成されたステージと、
照明源及び光学素子を含み、リソグラフィプロセスにおいて前記ワークピース上の露光領域に像を投影するように構成された投影システムと、
前記リソグラフィプロセスにおいて前記光学素子と前記ワークピースの間に規定された液浸流体で充たされるように構成されたギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップ内の液浸流体を捕集するウィック構造を有する移送領域とを備えた液浸リソグラフィ装置。 - 前記移送領域が多孔性材料を含む請求項８に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記液浸流体が毛管力によって前記移送領域内に引き込まれる請求項８に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記移送領域は、毛管力が前記液浸流体を前記移送領域内に引き込むのに十分小さい通路を有する請求項１０に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記移送領域は、毛管力が前記液浸流体を前記移送領域内に引き込むのに十分小さい通路を有する請求項８に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記移送領域が前記ギャップを実質的に囲んでいる請求項８に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記移送領域が前記液浸流体の漏れを阻止する請求項１３に記載の液浸リソグラフィ装置。
- さらに、前記移送領域を通して前記液浸流体を引くための流体除去システムを備えた請求項８に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 請求項８の液浸リソグラフィ装置を利用するリソグラフィプロセスを使用してマイクロデバイスを製造するためのデバイス製造方法。
- ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境システムにおいて、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を捕集する、複数の通路を有する多孔性材料を備えた環境システム。 - 前記多孔性材料がウィック又はメッシュ材料の一方を含む請求項１７に記載の環境システム。
- 前記多孔性材料は、ガラス繊維織物、焼結された金属粉末、スクリーン、又はワイヤーメッシュを含む請求項１７記載の環境システム。
- 前記複数の通路は、毛管力を有する請求項１７記載の環境システム。
- 前記複数の通路は、互いに連結された通路網を含む請求項１７記載の環境システム。
- ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境システムにおいて、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を捕集する、複数の通路を有するウィック材料を備えた環境システム。 - ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境システムにおいて、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を捕集する、複数の通路を有するメッシュ材料を備えた環境システム。 - ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境システムにおいて、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を捕集する、複数の通路を有するガラス繊維織物を含む材料を備えた環境システム。 - ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境システムにおいて、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を捕集する、複数の通路を有する焼結された金属粉末を含む材料を備えた環境システム。 - ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境システムにおいて、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を捕集する、複数の通路を有するスクリーンを含む材料を備えた環境システム。 - ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境システムにおいて、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を捕集する、複数の通路を有するワイヤーメッシュを含む材料を備えた環境システム。 - 前記複数の通路は、液浸流体を引き込む毛管力を有する請求項２２〜２７のいずれか一項に記載の環境システム。
- ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境システムにおいて、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を引き込む毛管力を有する複数の通路を有する材料を備えた環境システム。 - 前記複数の通路は、互いに連結された通路網を含む請求項２２〜２９のいずれか一項記載の環境システム。
- 前記材料は、前記ギャップの周りに配置される請求項１７〜３０のいずれか一項記載の環境システム。
- 前記材料と前記ウエハとのギャップは、０．１〜２ｍｍである請求項１７〜３１のいずれか一項記載の環境システム。
- 前記材料の近くから液浸流体を除去する流体除去システムをさらに含む請求項１７〜３２のいずれか一項記載の環境システム。
- 投影システムと、
液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子とウエハとの間のギャップの環境を制御する、請求項１７〜３３のいずれか一項に記載の環境システムとを備え、
前記ウエハ上の露光領域に前記投影システムで像を投影するリソグラフィ装置。 - ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境制御方法において、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を複数の通路を有する多孔性材料で捕集する環境制御方法。 - 前記多孔性材料がウィック又はメッシュ材料の一方を含む請求項３５に記載の環境制御方法。
- 前記多孔性材料は、ガラス繊維織物、焼結された金属粉末、スクリーン、又はワイヤーメッシュを含む請求項３５記載の環境制御方法。
- 前記複数の通路は、毛管力を有する請求項３５記載の環境制御方法。
- 前記複数の通路は、互いに連結された通路網を含む請求項３５記載の環境制御方法。
- ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境制御方法において、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を複数の通路を有するウィック材料で捕集する環境制御方法。 - ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境制御方法において、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を複数の通路を有するメッシュ材料で捕集する環境制御方法。 - ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境制御方法において、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を複数の通路を有するガラス繊維織物を含む材料で捕集する環境制御方法。 - ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境制御方法において、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を複数の通路を有する焼結された金属粉末を含む材料で捕集する環境制御方法。 - ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境制御方法において、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を複数の通路を有するスクリーンを含む材料で捕集する環境制御方法。 - ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境制御方法において、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を複数の通路を有するワイヤーメッシュを含む材料で捕集する環境制御方法。 - 前記複数の通路は、液浸流体を引き込む毛管力を有する請求項４０〜４５のいずれか一項に記載の環境制御方法。
- ウエハ上の露光領域に投影システムで像を投影するリソグラフィ装置で用いられ、液浸流体で満たされるように構成された前記投影システムの光学素子と前記ウエハとの間のギャップの環境を制御する環境制御方法において、
前記ギャップに隣接して位置付けられ、前記ギャップから出る液浸流体を、毛管力を有する複数の通路を有する材料で捕集する環境制御方法。 - 前記複数の通路は、互いに連結された通路網を含む請求項４０〜４７のいずれか一項記載の環境制御方法。
- 前記材料は、前記ギャップの周りに配置される請求項３５〜４８のいずれか一項記載の環境制御方法。
- 前記材料と前記ウエハとのギャップは、０．１〜２ｍｍである請求項３５〜４８のいずれか一項記載の環境制御方法。
- 流体除去システムにより前記材料の近くから液浸流体が除去される請求項３５〜５０のいずれか一項記載の環境制御方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US46211203P | 2003-04-10 | 2003-04-10 | |
| US48503303P | 2003-07-02 | 2003-07-02 | |
| PCT/US2004/009994 WO2004092833A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-04-01 | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010026009A Division JP5088388B2 (ja) | 2003-04-10 | 2010-02-08 | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006523028A JP2006523028A (ja) | 2006-10-05 |
| JP2006523028A5 JP2006523028A5 (ja) | 2010-04-02 |
| JP4650413B2 true JP4650413B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=33303064
Family Applications (10)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006509568A Expired - Fee Related JP4650413B2 (ja) | 2003-04-10 | 2004-04-01 | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2010026009A Expired - Fee Related JP5088388B2 (ja) | 2003-04-10 | 2010-02-08 | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2011106092A Expired - Fee Related JP5644660B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-05-11 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2012083122A Expired - Fee Related JP5644804B2 (ja) | 2003-04-10 | 2012-03-30 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2013269879A Expired - Fee Related JP5765414B2 (ja) | 2003-04-10 | 2013-12-26 | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2014247000A Expired - Fee Related JP5954394B2 (ja) | 2003-04-10 | 2014-12-05 | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2015219233A Expired - Lifetime JP6319270B2 (ja) | 2003-04-10 | 2015-11-09 | 液浸露光方法及びそれを用いたマイクロデバイスの製造方法 |
| JP2016227059A Expired - Fee Related JP6409853B2 (ja) | 2003-04-10 | 2016-11-22 | 液浸露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2017238410A Pending JP2018041111A (ja) | 2003-04-10 | 2017-12-13 | 液浸露光装置 |
| JP2018237299A Withdrawn JP2019045881A (ja) | 2003-04-10 | 2018-12-19 | 装置 |
Family Applications After (9)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010026009A Expired - Fee Related JP5088388B2 (ja) | 2003-04-10 | 2010-02-08 | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2011106092A Expired - Fee Related JP5644660B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-05-11 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2012083122A Expired - Fee Related JP5644804B2 (ja) | 2003-04-10 | 2012-03-30 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2013269879A Expired - Fee Related JP5765414B2 (ja) | 2003-04-10 | 2013-12-26 | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2014247000A Expired - Fee Related JP5954394B2 (ja) | 2003-04-10 | 2014-12-05 | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2015219233A Expired - Lifetime JP6319270B2 (ja) | 2003-04-10 | 2015-11-09 | 液浸露光方法及びそれを用いたマイクロデバイスの製造方法 |
| JP2016227059A Expired - Fee Related JP6409853B2 (ja) | 2003-04-10 | 2016-11-22 | 液浸露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2017238410A Pending JP2018041111A (ja) | 2003-04-10 | 2017-12-13 | 液浸露光装置 |
| JP2018237299A Withdrawn JP2019045881A (ja) | 2003-04-10 | 2018-12-19 | 装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (11) | US7251017B2 (ja) |
| EP (3) | EP3062152B1 (ja) |
| JP (10) | JP4650413B2 (ja) |
| KR (9) | KR101745223B1 (ja) |
| CN (1) | CN101813892B (ja) |
| HK (2) | HK1091272A1 (ja) |
| WO (1) | WO2004092833A2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187976A (ja) * | 2003-04-10 | 2011-09-22 | Nikon Corp | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2017016158A (ja) * | 2003-09-03 | 2017-01-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
Families Citing this family (191)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7372541B2 (en) | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR100588124B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
| US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG2010050110A (en) | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR20050085235A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| EP1571694A4 (en) | 2002-12-10 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE |
| JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP4529433B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-08-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| WO2004053956A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| US7242455B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| US7948604B2 (en) | 2002-12-10 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| SG157962A1 (en) | 2002-12-10 | 2010-01-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
| DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
| SG10201809095SA (en) | 2003-02-26 | 2018-11-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| JP4353179B2 (ja) | 2003-03-25 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| ATE426914T1 (de) | 2003-04-07 | 2009-04-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
| JP4488004B2 (ja) | 2003-04-09 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ流体制御システム |
| JP4488005B2 (ja) | 2003-04-10 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路 |
| EP1611485B1 (en) | 2003-04-10 | 2015-06-03 | Nikon Corporation | Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus |
| JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
| SG2012031738A (en) | 2003-04-11 | 2015-07-30 | Nippon Kogaku Kk | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
| DE602004024295D1 (de) | 2003-04-11 | 2010-01-07 | Nippon Kogaku Kk | Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie |
| SG152078A1 (en) | 2003-04-17 | 2009-05-29 | Nikon Corp | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
| TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4552853B2 (ja) | 2003-05-15 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| TWI503865B (zh) | 2003-05-23 | 2015-10-11 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
| TWI511181B (zh) | 2003-05-23 | 2015-12-01 | 尼康股份有限公司 | Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR101915914B1 (ko) | 2003-05-28 | 2018-11-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
| US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7317504B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP2261741A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP3104396B1 (en) | 2003-06-13 | 2018-03-21 | Nikon Corporation | Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP4437474B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-03-24 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
| EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
| DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
| US7236232B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
| EP3179309A1 (en) | 2003-07-08 | 2017-06-14 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
| EP2264532B1 (en) | 2003-07-09 | 2012-10-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| KR101209540B1 (ko) * | 2003-07-09 | 2012-12-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| ATE489724T1 (de) | 2003-07-09 | 2010-12-15 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementherstellung |
| WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2005010960A1 (ja) | 2003-07-25 | 2005-02-03 | Nikon Corporation | 投影光学系の検査方法および検査装置、ならびに投影光学系の製造方法 |
| EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| KR20190002749A (ko) | 2003-07-28 | 2019-01-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법 |
| US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
| US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
| US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101419192B1 (ko) | 2003-08-29 | 2014-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2005029559A1 (ja) | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| TWI574302B (zh) | 2003-09-29 | 2017-03-11 | An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method | |
| US7369217B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
| KR20060126949A (ko) | 2003-10-08 | 2006-12-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법 |
| JP2005136364A (ja) | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| KR101111364B1 (ko) | 2003-10-08 | 2012-02-27 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법 |
| TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
| EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1679738A4 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-06 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
| US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US7528929B2 (en) | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101525367B1 (ko) | 2003-12-03 | 2015-06-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
| KR101547037B1 (ko) | 2003-12-15 | 2015-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
| US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2005191394A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
| WO2005071491A2 (en) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
| US7697110B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-04-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR101377815B1 (ko) | 2004-02-03 | 2014-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| TWI518744B (zh) | 2004-03-25 | 2016-01-21 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法 |
| US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101258033B1 (ko) * | 2004-04-19 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| WO2005111722A2 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-24 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
| US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20070103661A1 (en) * | 2004-06-04 | 2007-05-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| WO2005119742A1 (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| EP1774405B1 (en) | 2004-06-04 | 2014-08-06 | Carl Zeiss SMT GmbH | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
| CN105911821B (zh) | 2004-06-09 | 2019-03-15 | 株式会社尼康 | 曝光装置 |
| SG153820A1 (en) | 2004-06-10 | 2009-07-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
| US8508713B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| WO2005122221A1 (ja) | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US8717533B2 (en) | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US8373843B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8384874B2 (en) | 2004-07-12 | 2013-02-26 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method to detect if liquid on base member |
| KR20070048164A (ko) | 2004-08-18 | 2007-05-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP2325866A1 (en) | 2004-09-17 | 2011-05-25 | Nikon Corporation | Substrate holding device, exposure apparatus and device manufacturing method |
| WO2006030902A1 (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US7522261B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101318037B1 (ko) * | 2004-11-01 | 2013-10-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7423720B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7411657B2 (en) | 2004-11-17 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7446850B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7196770B2 (en) | 2004-12-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Prewetting of substrate before immersion exposure |
| US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7365827B2 (en) | 2004-12-08 | 2008-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7352440B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
| US7403261B2 (en) | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7880860B2 (en) * | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7405805B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7491661B2 (en) | 2004-12-28 | 2009-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, top coat material and substrate |
| DE602006012746D1 (de) | 2005-01-14 | 2010-04-22 | Asml Netherlands Bv | Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren |
| US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| KR101942138B1 (ko) | 2005-01-31 | 2019-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| KR100938271B1 (ko) | 2005-02-10 | 2010-01-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스 |
| US8018573B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7378025B2 (en) | 2005-02-22 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7224431B2 (en) | 2005-02-22 | 2007-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
| US7428038B2 (en) | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
| US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7684010B2 (en) | 2005-03-09 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing |
| US7330238B2 (en) | 2005-03-28 | 2008-02-12 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method |
| US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7291850B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20060232753A1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
| US7317507B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN100445872C (zh) * | 2005-05-09 | 2008-12-24 | 浙江大学 | 浸没式光刻系统中的液体传送及气密封装置 |
| US7652746B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7474379B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7834974B2 (en) | 2005-06-28 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7468779B2 (en) | 2005-06-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8054445B2 (en) | 2005-08-16 | 2011-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7751026B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-07-06 | Nikon Corporation | Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography |
| WO2007026573A1 (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-08 | Mitsui Chemicals, Inc. | 液浸式露光用液体および液浸式露光方法 |
| US20070058263A1 (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and methods for immersion lithography |
| US7411658B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR20080068013A (ko) * | 2005-11-14 | 2008-07-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체 회수 부재, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조방법 |
| US7864292B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7804577B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US7633073B2 (en) | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7773195B2 (en) | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
| US7420194B2 (en) | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
| US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8045134B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
| JP4889331B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US7709813B2 (en) | 2006-04-03 | 2010-05-04 | Nikon Corporation | Incidence surfaces and optical windows that are solvophobic to immersion liquids |
| US9477158B2 (en) | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2007129753A1 (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-15 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR101585370B1 (ko) | 2006-08-31 | 2016-01-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| KR101565272B1 (ko) | 2006-08-31 | 2015-11-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| CN104460241B (zh) | 2006-08-31 | 2017-04-05 | 株式会社尼康 | 移动体驱动系统及方法、图案形成装置及方法、曝光装置及方法、组件制造方法 |
| TWI434326B (zh) | 2006-09-01 | 2014-04-11 | 尼康股份有限公司 | Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, and correcting method |
| KR101442449B1 (ko) | 2006-09-01 | 2014-09-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| US7826030B2 (en) * | 2006-09-07 | 2010-11-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP5029870B2 (ja) * | 2006-11-13 | 2012-09-19 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、液浸部材、露光装置のメンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
| US8045135B2 (en) | 2006-11-22 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method |
| US20080156356A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
| US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
| US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8004651B2 (en) | 2007-01-23 | 2011-08-23 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
| US20080225248A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Nikon Corporation | Apparatus, systems and methods for removing liquid from workpiece during workpiece processing |
| US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
| US8068209B2 (en) * | 2007-03-23 | 2011-11-29 | Nikon Corporation | Nozzle to help reduce the escape of immersion liquid from an immersion lithography tool |
| US8134685B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
| US7763869B2 (en) * | 2007-03-23 | 2010-07-27 | Asm Japan K.K. | UV light irradiating apparatus with liquid filter |
| US20080231823A1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for reducing the escape of immersion liquid from immersion lithography apparatus |
| US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
| US7900641B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
| US8300207B2 (en) * | 2007-05-17 | 2012-10-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method |
| US20090122282A1 (en) * | 2007-05-21 | 2009-05-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid immersion system, exposing method, and device fabricating method |
| US7576833B2 (en) | 2007-06-28 | 2009-08-18 | Nikon Corporation | Gas curtain type immersion lithography tool using porous material for fluid removal |
| US7966743B2 (en) * | 2007-07-31 | 2011-06-28 | Eastman Kodak Company | Micro-structured drying for inkjet printers |
| JP4533416B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| SG151198A1 (en) | 2007-09-27 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
| US8289497B2 (en) * | 2008-03-18 | 2012-10-16 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography |
| US8233139B2 (en) * | 2008-03-27 | 2012-07-31 | Nikon Corporation | Immersion system, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
| KR101670624B1 (ko) * | 2008-04-30 | 2016-11-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 패턴 형성 장치, 노광 장치, 스테이지 구동 방법, 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| EP2128703A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
| JP2010098172A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Canon Inc | 液体回収装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US8477284B2 (en) * | 2008-10-22 | 2013-07-02 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials |
| US8634055B2 (en) * | 2008-10-22 | 2014-01-21 | Nikon Corporation | Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials |
| NL2005207A (en) | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| US20110222031A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
| EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
| NL2008979A (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-14 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
| US9268231B2 (en) * | 2012-04-10 | 2016-02-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
| JP6008783B2 (ja) * | 2013-04-03 | 2016-10-19 | 日本航空電子工業株式会社 | コネクタ |
| US9405287B1 (en) * | 2015-07-22 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for optical calibration of wafer placement by a robot |
| JP6534318B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2019-06-26 | アズビル株式会社 | 蛍光粒子の計測方法 |
| US10948830B1 (en) | 2019-12-23 | 2021-03-16 | Waymo Llc | Systems and methods for lithography |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
| JP2004289127A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2004289126A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (227)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE224448C (ja) | ||||
| DE221563C (ja) | ||||
| US767963A (en) * | 1903-10-22 | 1904-08-16 | Herman F W Schleckser | Fob, charm, or locket. |
| GB1242527A (en) * | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
| US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
| US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
| JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
| JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
| US4441808A (en) * | 1982-11-15 | 1984-04-10 | Tre Semiconductor Equipment Corp. | Focusing device for photo-exposure system |
| DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
| DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
| JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
| US4837443A (en) | 1987-10-15 | 1989-06-06 | The Perkin-Elmer Corporation | Guard ring for a differentially pumped seal apparatus |
| JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
| JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
| JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系 |
| JP3374413B2 (ja) * | 1992-07-20 | 2003-02-04 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 |
| JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
| JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
| JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
| JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
| JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
| JP3212199B2 (ja) | 1993-10-04 | 2001-09-25 | 旭硝子株式会社 | 平板型陰極線管 |
| JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
| US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
| US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
| US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
| JPH08136475A (ja) | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Kawasaki Steel Corp | 板状材の表面観察装置 |
| JPH08171054A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| US5707535A (en) * | 1996-01-11 | 1998-01-13 | Harris; Ronald B. | Vacuum loadable divided phase separator for liquid/solid separation |
| JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| JP3227595B2 (ja) * | 1996-08-20 | 2001-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
| US6104687A (en) * | 1996-08-26 | 2000-08-15 | Digital Papyrus Corporation | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
| US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
| JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
| EP1944654A3 (en) | 1996-11-28 | 2010-06-02 | Nikon Corporation | An exposure apparatus and an exposure method |
| JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| JP3728613B2 (ja) * | 1996-12-06 | 2005-12-21 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置 |
| EP1197801B1 (en) | 1996-12-24 | 2005-12-28 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic device with two object holders |
| DE69829614T2 (de) * | 1997-03-10 | 2006-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern |
| JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
| JP3747566B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
| JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
| US20010003028A1 (en) | 1997-09-19 | 2001-06-07 | Nikon Corporation | Scanning Exposure Method |
| JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
| JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US6675173B1 (en) * | 1998-01-22 | 2004-01-06 | Ori Software Development Ltd. | Database apparatus |
| JPH11260791A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置 |
| US5997963A (en) * | 1998-05-05 | 1999-12-07 | Ultratech Stepper, Inc. | Microchamber |
| US6430527B1 (en) * | 1998-05-06 | 2002-08-06 | Avici Systems | Prefix search circuitry and method |
| JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
| JP2000076707A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Sony Corp | 光学記録媒体作製用原盤記録装置 |
| WO2000014779A1 (fr) | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Nikon Corporation | Appareil et procede d'exposition, dispositif et procede de production dudit appareil |
| FI982095L (fi) * | 1998-09-29 | 2000-03-30 | Nokia Networks Oy | Menetelmä muistin toteuttamiseksi ja muistijärjestely |
| EP1052552A3 (en) | 1999-04-19 | 2003-03-12 | ASML Netherlands B.V. | Gas bearings for use with vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
| JP3653198B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2005-05-25 | アルプス電気株式会社 | 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置 |
| JP2001118773A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
| TWI264617B (en) * | 1999-12-21 | 2006-10-21 | Asml Netherlands Bv | Balanced positioning system for use in lithographic apparatus |
| US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
| US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
| JP3630054B2 (ja) | 2000-01-11 | 2005-03-16 | 松下電器産業株式会社 | プリント配線板の製造装置およびそれを用いたプリント配線板の製造方法 |
| TW579664B (en) | 2000-01-11 | 2004-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Apparatus and method for manufacturing printed circuit board |
| US6697363B1 (en) * | 2000-06-28 | 2004-02-24 | Alcatel Canada Inc. | Method and apparatus for longest matching prefix determination in a communication network |
| US6488040B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-12-03 | Lam Research Corporation | Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying |
| US7000622B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-02-21 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus |
| TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
| JP2002134384A (ja) | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
| US20020080339A1 (en) * | 2000-12-25 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Stage apparatus, vibration control method and exposure apparatus |
| JP2002200453A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 塗布装置および塗布方法 |
| US6731372B2 (en) | 2001-03-27 | 2004-05-04 | Nikon Corporation | Multiple chamber fluid mount |
| WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
| TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
| US7032658B2 (en) | 2002-01-31 | 2006-04-25 | Smart Drilling And Completion, Inc. | High power umbilicals for electric flowline immersion heating of produced hydrocarbons |
| JP2003124180A (ja) | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Ebara Corp | 基板処理装置 |
| US6811613B2 (en) | 2001-11-26 | 2004-11-02 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming apparatus |
| US6764386B2 (en) * | 2002-01-11 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Air bearing-sealed micro-processing chamber |
| JP2005522020A (ja) * | 2002-02-06 | 2005-07-21 | アクリオン・エルエルシー | 基板の毛管乾燥 |
| DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
| DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
| US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
| US6694323B2 (en) * | 2002-04-25 | 2004-02-17 | Sybase, Inc. | System and methodology for providing compact B-Tree |
| EP1532489A2 (en) | 2002-08-23 | 2005-05-25 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
| US6934252B2 (en) * | 2002-09-16 | 2005-08-23 | North Carolina State University | Methods and systems for fast binary network address lookups using parent node information stored in routing table entries |
| US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
| US7198055B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-04-03 | Lam Research Corporation | Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
| US7520285B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-04-21 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for processing a substrate |
| US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
| US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
| US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
| US6988327B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
| US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
| US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
| EP2495613B1 (en) * | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
| EP1420300B1 (en) * | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1420299B1 (en) | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
| SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
| DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
| EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
| SG157962A1 (en) * | 2002-12-10 | 2010-01-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
| KR20050085235A (ko) * | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| WO2004053956A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
| AU2003276569A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
| GB0229345D0 (en) * | 2002-12-17 | 2003-01-22 | Safe T Ltd | Hollow needle applicators |
| WO2004057589A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
| EP1431710A3 (en) * | 2002-12-19 | 2004-09-15 | ASML Holding N.V. | Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography |
| US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
| EP1584089B1 (en) | 2002-12-19 | 2006-08-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
| US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
| US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
| SG10201809095SA (en) | 2003-02-26 | 2018-11-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| JP4352930B2 (ja) | 2003-02-26 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
| US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
| US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
| US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
| JP4353179B2 (ja) | 2003-03-25 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| ATE426914T1 (de) * | 2003-04-07 | 2009-04-15 | Nikon Corp | Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
| JP4488004B2 (ja) | 2003-04-09 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ流体制御システム |
| JP4656057B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
| JP4488005B2 (ja) | 2003-04-10 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路 |
| EP1611485B1 (en) | 2003-04-10 | 2015-06-03 | Nikon Corporation | Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus |
| KR101745223B1 (ko) | 2003-04-10 | 2017-06-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
| JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
| DE602004024295D1 (de) | 2003-04-11 | 2010-01-07 | Nippon Kogaku Kk | Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie |
| SG2012031738A (en) | 2003-04-11 | 2015-07-30 | Nippon Kogaku Kk | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
| SG152078A1 (en) | 2003-04-17 | 2009-05-29 | Nikon Corp | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
| JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
| EP2282233A1 (en) | 2003-05-13 | 2011-02-09 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus |
| TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI511181B (zh) | 2003-05-23 | 2015-12-01 | 尼康股份有限公司 | Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2004349645A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
| DE10324477A1 (de) | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
| JP4437474B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-03-24 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
| JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP1498778A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7236232B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
| KR101209540B1 (ko) | 2003-07-09 | 2012-12-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
| US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
| US7299235B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-11-20 | Rightorder, Incorporated | Method and apparatus for ternary PATRICIA trie blocks |
| US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
| US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
| US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
| US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
| US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
| US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
| US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
| US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
| US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
| US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
| KR101288140B1 (ko) | 2003-09-03 | 2013-07-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
| JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
| EP1519230A1 (en) | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4513299B2 (ja) | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP4515209B2 (ja) | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
| US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
| JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
| US20070105050A1 (en) | 2003-11-05 | 2007-05-10 | Dsm Ip Assets B.V. | Method and apparatus for producing microchips |
| US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
| US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4747263B2 (ja) | 2003-11-24 | 2011-08-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | オブジェクティブにおける光学素子のための保持装置 |
| JP2005166776A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Canon Inc | 液浸露光装置 |
| US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
| KR100965330B1 (ko) | 2003-12-15 | 2010-06-22 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈 |
| KR101200654B1 (ko) | 2003-12-15 | 2012-11-12 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈 |
| US7017334B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-03-28 | United Technologies Corporation | Compact fastening collar and stud for connecting walls of a nozzle liner and method associated therewith |
| JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
| US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
| US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
| JP2005183744A (ja) | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
| US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
| US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
| JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
| KR101309242B1 (ko) | 2004-01-14 | 2013-09-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
| CN101799587B (zh) | 2004-01-16 | 2012-05-30 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 光学系统、投影系统及微结构半导体部件的制造方法 |
| WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
| WO2005071491A2 (en) | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
| US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
| US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
| EP1723467A2 (en) | 2004-02-03 | 2006-11-22 | Rochester Institute of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
| WO2005076084A1 (en) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
| US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2005081067A1 (en) | 2004-02-13 | 2005-09-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
| WO2005081030A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
| US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
| US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
| US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
| US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
| US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101259190B1 (ko) | 2004-06-17 | 2013-04-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 렌즈에 대한 유체 압력 보상 |
| US7057702B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1761822A4 (en) | 2004-07-01 | 2009-09-09 | Nikon Corp | DYNAMIC FLUID CONTROL SYSTEM FOR IMMERSION LITHOGRAPHY |
| US7693850B2 (en) * | 2004-07-19 | 2010-04-06 | Rightorder, Inc. | Method and apparatus for adding supplemental information to PATRICIA tries |
| US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7355674B2 (en) * | 2004-09-28 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
| US7161654B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7265813B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-09-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-04-01 KR KR1020157016371A patent/KR101745223B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-01 EP EP16151255.3A patent/EP3062152B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-01 KR KR1020177014954A patent/KR20170064003A/ko active IP Right Grant
- 2004-04-01 WO PCT/US2004/009994 patent/WO2004092833A2/en active Application Filing
- 2004-04-01 KR KR1020137011294A patent/KR101409565B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-01 KR KR1020147007727A patent/KR101497289B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-01 CN CN2010101136265A patent/CN101813892B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-01 KR KR1020147032349A patent/KR20140139139A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-04-01 KR KR1020117016439A patent/KR101177330B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-01 EP EP04759085.6A patent/EP1611486B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-01 KR KR1020127015202A patent/KR101323993B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-01 KR KR1020057019303A patent/KR101238142B1/ko active IP Right Grant
- 2004-04-01 JP JP2006509568A patent/JP4650413B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-01 EP EP17206979.1A patent/EP3352015A1/en not_active Withdrawn
- 2004-04-01 KR KR1020127021786A patent/KR101431938B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-09-28 US US11/236,713 patent/US7251017B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-10-27 HK HK06111866.2A patent/HK1091272A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-02-12 US US11/705,001 patent/US7345742B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-27 US US11/819,447 patent/US7929111B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-27 US US11/819,446 patent/US7929110B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-28 US US11/819,689 patent/US7969552B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-28 US US11/819,691 patent/US7965376B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-08 JP JP2010026009A patent/JP5088388B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-05-11 JP JP2011106092A patent/JP5644660B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-02 US US13/067,464 patent/US8830443B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012083122A patent/JP5644804B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-12-26 JP JP2013269879A patent/JP5765414B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-08-19 US US14/463,066 patent/US9244363B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-12-05 JP JP2014247000A patent/JP5954394B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-11-09 JP JP2015219233A patent/JP6319270B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2015-12-01 US US14/955,968 patent/US9632427B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-11-22 JP JP2016227059A patent/JP6409853B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-04-13 US US15/486,419 patent/US9910370B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-12-13 JP JP2017238410A patent/JP2018041111A/ja active Pending
-
2018
- 2018-01-25 US US15/879,755 patent/US20180164703A1/en not_active Abandoned
- 2018-09-27 HK HK18112453.5A patent/HK1253211A1/zh unknown
- 2018-12-19 JP JP2018237299A patent/JP2019045881A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
| JP2004289127A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2004289126A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187976A (ja) * | 2003-04-10 | 2011-09-22 | Nikon Corp | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2012129564A (ja) * | 2003-04-10 | 2012-07-05 | Nikon Corp | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2014057114A (ja) * | 2003-04-10 | 2014-03-27 | Nikon Corp | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2015079982A (ja) * | 2003-04-10 | 2015-04-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2016026329A (ja) * | 2003-04-10 | 2016-02-12 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2017037350A (ja) * | 2003-04-10 | 2017-02-16 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
| JP2018041111A (ja) * | 2003-04-10 | 2018-03-15 | 株式会社ニコン | 液浸露光装置 |
| JP2017016158A (ja) * | 2003-09-03 | 2017-01-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6409853B2 (ja) | 液浸露光装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070323 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070612 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091208 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091218 |
|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20100208 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100423 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101116 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101129 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4650413 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |