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KR20170064003A - 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 - Google Patents

액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 Download PDF

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KR20170064003A
KR20170064003A KR1020177014954A KR20177014954A KR20170064003A KR 20170064003 A KR20170064003 A KR 20170064003A KR 1020177014954 A KR1020177014954 A KR 1020177014954A KR 20177014954 A KR20177014954 A KR 20177014954A KR 20170064003 A KR20170064003 A KR 20170064003A
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KR
South Korea
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gap
workpiece
fluid
immersion liquid
pressure
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Abandoned
Application number
KR1020177014954A
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English (en)
Inventor
토마스 더블유 노박
앤드류 제이 헤이즐턴
더글라스 씨 왓슨
Original Assignee
가부시키가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 니콘 filed Critical 가부시키가이샤 니콘
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Abstract

광학 어셈블리 (16) 와 디바이스 (30) 사이의 갭 (246) 내의 환경을 제어하는 환경 시스템 (26) 은 유체 배리어 (254), 액침유체 시스템 (252), 및 운반 (transport) 영역 (256) 을 포함한다. 유체 배리어 (254) 는 디바이스 (30) 부근에 위치결정되고, 갭 (246) 부근의 운반 영역 (256) 을 유지한다. 액침유체 시스템 (252) 은 그 갭 (246) 을 채우는 액침유체 (248) 를 제공한다. 운반 영역 (256) 은 디바이스 (30) 로부터 떨어져서 유체 배리어 (254) 및 디바이스 (30) 부근에 있는 액침유체 (248) 의 적어도 일부를 운반한다. 액침유체 시스템 (252) 은 운반 영역 (256) 과 유체 소통하는 유체 제거 시스템 (282) 을 포함할 수 있다. 운반 영역 (256) 은 다공성 재료로 제조될 수 있다.

Description

액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템{ENVIRONMENTAL SYSTEM INCLUDING A TRANSPORT REGION FOR AN IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS}
본 출원은 2003 년 4 월 10 일자로 출원되고 명칭이 "액침 리소그래피용 진공 링 시스템 및 심지 (wick) 링 시스템"인 미국 가출원 제 60/462,112 호, 및 2003 년 7 월 2 일자로 출원되고 명칭이 "액침 리소그래피용 액침유체를 제거 및 검사하기 위하여 렌즈의 주변부 주위에 펌프 및 심지의 복수의 동심 (concentric) 배열"인 미국 가출원 제 60/485,033 호의 우선권을 주장한다. 허용되는 한, 미국 가출원 제 60/462,122 및 제 60/485,033 호의 내용은 참조로 여기에 포함된다.
노광 장치들은 일반적으로 반도체 프로세싱 동안에 레티클로부터의 이미지들을 반도체 웨이퍼 상에 전사하는데 사용된다. 통상의 노광 장치는 조명 소스, 레티클을 위치결정하는 레티클 스테이지 어셈블리, 광학 어셈블리, 반도체 웨이퍼를 위치결정하는 웨이퍼 스테이지 어셈블리, 및 레티클 및 웨이퍼의 위치를 정밀하게 모니터하는 측정 시스템을 포함한다.
액침 리소그래피 시스템은 광학 어셈블리와 웨이퍼 사이의 갭을 채우는 액침유체층을 이용한다. 웨이퍼는 통상의 리소그래피 시스템에서 빠르게 이동되며, 그 갭에서 떨어져서 액침유체를 운반하도록 기대된다. 그 갭으로부터 방출되는 액침유체는 리소그래피 시스템의 다른 구성요소들의 동작을 방해할 수 있다. 예를 들어, 액침유체는 웨이퍼의 위치를 모니터하는 측정 시스템을 방해할 수 있다.
본 발명은 광학 어셈블리와 디바이스 스테이지에 의해 유지되는 디바이스 사이의 갭 내의 환경을 제어하는 환경 시스템에 관한 것이다. 환경 시스템은 액침유체 소소 및 디바이스 부근에 위치결정되는 운반 (transport) 영역을 포함한다. 액침유체 소스는 갭에 들어가는 액침유체를 전달한다. 운반 영역은 그 갭을 빠져나가는 액침유체를 포착한다. 이 설계에 있어서, 어떤 실시형태들에서, 본 발명은 디바이스 및/또는 광학 어셈블리를 잠재적으로 변형시킬 수 있는 디바이스에 대한 직접적인 진공 흡인을 이용하는 것을 피한다.
일 실시형태에서, 환경 시스템은 디바이스 부근에 위치결정되며 갭을 둘러싸는 유체 배리어를 포함한다. 또한, 유체 배리어는 그 디바이스 부근의 운반 영역을 유지할 수 있다.
일 실시형태에서, 환경 시스템은 운반 영역 부근으로부터 액침유체를 제거하는 유체 제거 시스템을 포함한다. 또 다른 실시형태에서, 유체 제거 시스템은 운반 영역으로부터 액침유체를 제거하는 제거 유체를 제공할 수 있다. 이 실시형태에서, 제거 유체는 액침유체의 액침유체 온도보다 높은 제거 유체 온도에 있을 수 있다.
일 실시형태에서, 운반 영역은 운반 영역 부근의 액침유체를 수집하는 복수의 통로를 포함하는 기판이다. 예를 들어, 운반 영역은 모세관 작용에 의해 액침유체를 운반하는 재료로 제조될 수 있다. 이 실시형태에서, 통로들은 복수의 작은 구멍일 수 있다. 다른 실시형태에서, 통로들은 운반 영역을 통하여 연장되는 복수의 이격된 운반 개구부일 수 있다.
또한, 본 발명은 노광 장치, 웨이퍼, 디바이스, 갭 내의 환경 제어 방법, 노광 장치의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 및 웨이퍼 제조 방법에 관한 것이다.
도 1 은 본 발명의 특징을 가지는 노광 장치의 측면도이다.
도 2a 는 도 1 의 노광 장치의 일부에 대한 사시도이다.
도 2b 는 도 2a 의 라인 2B-2B 을 따라 절단한 단면도이다.
도 2c 는 도 2b 의 라인 2C-2C 을 따라 절단한 확대 상세도이다.
도 2d 는 노광 장치의 일부의 또 다른 실시형태의 확대 상세도이다.
도 3a 는 본 발명의 특징을 가지는 액침유체 소스에 대한 측면도이다.
도 3b 는 본 발명의 특징을 가지는 유체 제거 시스템의 측면도이다.
도 3c 는 본 발명의 특징을 가지는 유체 제거 시스템의 또 다른 실시형태의 측면도이다.
도 3d 는 본 발명의 특징을 가지는 유체 제거 시스템의 또 다른 실시형태의 측면도이다.
도 4 는 노광 장치의 또 다른 실시형태의 일부에 대한 확대 단면도이다.
도 5a 는 노광 장치의 또 다른 실시형태의 일부에 대한 확대 단면도이다.
도 5b 는 도 5a 의 라인 5B-5B 에 따라 절단한 확대 상세도이다.
도 6a 는 본 발명에 따른 디바이스 제조 방법을 개요화하는 흐름도이다.
도 6b 는 디바이스 프로세싱을 더 상세히 개요화하는 흐름도이다.
도 1 은 정밀한 어셈블리 즉, 본 발명의 특징을 가지는 노광 장치 (10) 의 개략도이다. 노광 장치 (10) 는 장치 프레임 (12), 조명 시스템 (14) (조사 장치), 광학 어셈블리 (16), 레티클 스테이지 어셈블리 (18), 디바이스 스테이지 어셈블리 (20), 측정 시스템 (22), 제어 시스템 (24), 및 유체 환경 시스템 (26) 을 포함한다. 노광 장치 (10) 의 구성요소들의 설계는 노광 장치 (10) 의 설계 조건에 적합하게 되도록 변경될 수 있다.
복수의 도면은 X 축, 그 X 축에 직교하는 Y 축, 및 X 축과 Y 축에 직교하는 Z 축을 나타내는 방위 시스템을 포함한다. 이 축들을 제 1, 제 2, 및 제 3 축으로 지칭할 수도 있다.
노광 장치 (10) 는 레티클 (28) 로부터의 집적 회로의 패턴 (미도시) 을 반도체 웨이퍼 (30)(파선으로 나타냄) 상에 전사하는 리소그래피 디바이스로서 특히 유용하다. 또한, 웨이퍼 (30) 는 일반적으로 디바이스 또는 피가공물 (workpiece) 로서 지칭된다. 노광 장치 (10) 는 설치 베이스 (32) 에, 예를 들어, 그라운드, 베이스, 또는 플로어 또는 일부 다른 지지 구조에 설치된다.
복수의 서로 다른 타입의 리소그래피 디바이스가 있다. 예를 들어, 노광 장치 (10) 는 레이클 (28) 과 웨이퍼 (30) 를 동시에 이동시키면서 레티클 (28) 로부터의 패턴을 웨이퍼 (30) 상에 노광하는 주사형 리소그래피 시스템으로서 사용될 수 있다. 주사형 리소그래피 디바이스에서, 레티클 (28) 은 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 에 의해 광학 어셈블리 (16) 의 광학축에 수직하게 이동하며, 웨이퍼 (30) 는 웨이퍼 스테이지 어셈블리 (20) 에 의해 광학 어셈블리 (16) 의 광학축에 수직하게 이동한다. 레티클 (28) 과 웨이퍼 (30) 의 주사는 레티클 (28) 과 웨이퍼 (30) 가 동시에 이동되는 동안에 발생한다.
다른 방법으로, 노광 장치 (10) 는 레티클 (28) 과 웨이퍼 (30) 가 정지해 있는 동안에 레티클 (28) 을 노광하는 스텝 앤 리피트 방식의 리소그래피 시스템일 수 있다. 스텝 앤 리피트 프로세스에서, 웨이퍼 (30) 는 개별적인 필드의 노광 동안에 레티클 (28) 과 광학 어셈블리 (16) 에 대하여 일정한 위치에 있다. 이후에, 연속적인 노광 단계들 사이에서, 웨이퍼 (30) 는 웨이퍼 (30) 의 다음 필드가 노광을 위하여 광학 어셈블리 (16) 및 레티클 (28) 에 관련된 위치에 있도록 광학 어셈블리 (16) 의 광학축에 수직하게 웨이퍼 스테이지 어셈블리 (20) 와 함께 연속적으로 이동한다. 이 프로세스에 후속하여, 레티클 (28) 상의 이미지들은 웨이퍼 (30) 의 필드들 상에 순차적으로 노광된 후, 웨이퍼 (30) 의 다음 필드는 광학 어셈블리 (16) 와 레티클 (28) 에 관련된 위치에 있게 된다.
그러나, 여기서 제공된 노광 장치 (10) 를 사용하는 것은 반도체 제조용 포토리소그래피 시스템으로 제한되지는 않는다. 예를 들어, 노광 장치 (10) 는 직사각형 유리판 상에 액정 디스플레이 디바이스 패턴을 노광하는 LCD 포토리소그래피 시스템 또는 박막 자기 헤드를 제조하기 위한 포토리소그래피 시스템으로서 사용될 수 있다.
장치 프레임 (12) 은 노광 장치 (10) 의 구성요소들을 지지한다. 도 1 에 나타낸 장치 프레임 (12) 은 설치 베이스 (32) 상에서 레티클 스테이지 어셈블리 (18), 웨이퍼 스테이지 어셈블리 (20), 광학 어셈블리 (16), 및 조명 시스템(14)을 지지한다.
조명 시스템 (14) 은 조명 소스 (34) 및 조명 광학 어셈블리 (36) 를 포함한다. 조명 소스 (34) 는 광 에너지의 빔 (광선) 을 방출한다. 조명 광학 어셈블리 (36) 는 광 에너지의 빔을 조명 소스 (34) 로부터 광학 어셈블리 (16) 로 안내한다. 빔은 레티클 (28) 의 다른 부분들을 선택적으로 조명하고 웨이퍼 (30) 를 노광한다. 도 1 에서, 조명 소스 (34) 는 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 위에 지지되는 것으로 나타낸다. 그러나, 통상적으로 조명 소스 (34) 는 장치 프레임 (12) 의 측면들 중 하나에 고정되고, 조명 소스 (34) 로부터의 에너지 빔은 조명 광학 어셈블리 (36) 를 이용하여 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 위로 제공된다.
조명 소스 (34) 는 g-라인 소스 (436 nm) 또는 i-라인 소스 (365nm), KrF 엑시머 레이저 (248 nm), ArF 엑시머 레이저 (193 nm) 또는 F2 레이저 (157 nm) 일 수 있다. 다른 방법으로, 조명 소스 (34) 는 x-레이 또는 전자 빔과 같은 대전된 입자 빔을 생성할 수 있다. 예를 들어, 전자 빔이 사용되는 경우에, 열이온 방출형 란탄 헥사보라이드 (LaB6) 또는 탄탈 (Ta) 이 전자총의 캐소드로서 사용될 수 있다. 또한, 전자 빔이 사용되는 경우에, 이 구조는 마스크를 사용하거나 또는 마스크를 이용하지 않고 기판 상에 패턴을 직접 형성할 수 있도록 구성될 수 있다.
광학 어셈블리 (16) 는 레티클 (28) 을 통과하는 광을 웨이퍼 (30) 에 투영 및/또는 결상시킨다. 노광 장치 (10) 의 설계에 따라, 광학 어셈블리 (16) 는 레티클 (28) 상에 조명되는 이미지를 확대 또는 축소시킬 수 있다. 광학 어셈블리 (16) 는 축소 시스템으로 제한될 필요는 없다. 또한, 광학 어셈블리는 1x 또는 확대 시스템일 수 있다.
엑시머 레이저와 같은 원 (far) 자외선을 이용하는 경우에, 원자외선을 투과하는 석영 및 형석과 같은 유리 재료를 광학 어셈블리 (16) 에 사용할 수 있다. F2 타입 레이저 또는 x-레이가 사용되는 경우에, 광학 어셈블리 (16) 는 반사굴절형 또는 굴절형 중 어느 하나 (또한, 레티클은 반사형 타입이 바람직하다) 일 수 있고, 전자빔이 사용되는 경우에, 전자 광학계는 전자 렌즈 및 디플렉터로 이루어 질 수 있다. 전자 빔들에 대한 광학 경로는 진공 상태에 있어야 한다.
또한, 200 nm 이하의 파장의 진공 자외선 방사 (VUV) 를 이용하는 노광 디바이스에 있어서, 반사굴절형 광학 시스템의 사용이 고려될 수 있다. 반사굴절형 광학 시스템의 일례들은 일본 특허공개공보 평 10-20195 및 그 대응특허인 미국특허 제 5,835,275 호와, 일본특허공개공보 평8-171054 호 및 그 대응특허인 미국 특허 제 5,668,672 호를 포함한다. 이 경우에, 반사 광학 디바이스는 빔 스플리터 및 오목 미러를 포함하는 반사굴절형 광학 시스템일 수 있다. 일본 특허공개공보 평 10-3039 호 및 그에 대응하는 미국특허출원 제 873,605 호 (출원일: 1997년 12월 6일) 와 특허공개공보 평 제 8-334695 호 및 그 대응 특허인 미국 특허 제 5,689,377 호는 빔 스플리터를 제외하고 오목 미러 등을 포함하는 반사-굴절형 타입의 광학 시스템을 이용하며, 이 또한 본 발명에 사용될 수 있다. 허용되는 한, 상술한 특허공개공보에 개시된 일본 특허출원 뿐만 아니라 미국특허의 개시내용은 여기서 참조로 포함된다.
일 실시형태에서, 광학 어셈블리 (16) 는 하나 이상의 광학적 설치 분리기 (37) 를 사용하여 상기 장치 프레임 (12) 에 고정된다. 광학적 설치 분리기 (37) 들은 장치 프레임 (12) 의 진동이 광학 어셈블리 (16) 에 진동을 발생시키는 것을 방지한다. 각각의 광학적 설치 분리기 (37) 는 진동을 분리시키는 공기압 실린더 (미도시), 진동을 분리하고 2 개 이상의 단계의 움직임으로 위치를 제어하는 액츄에이터 (미도시)를 포함할 수 있다. 적절한 광학적 설치 분리기 (37) 는 매사츄세추주 우번에 위치한 Integrated Dynamics Engineering 에 의해 시판되고 있다. 쉬운 예시를 위하여, 2 개의 이격된 광학적인 설치 분리기 (37) 는 광학 어셈블리 (16) 를 장치 프레임 (12) 에 고정시키는데 사용되는 것으로서 도시된다. 그러나, 예를 들어, 3 개의 이격된 광학적인 설치 분리기 (37) 는 광학 어셈블리 (16) 를 장치 프레임 (12) 에 운동학적으로 고정시키는데 사용될 수 있다.
레티클 스테이지 어셈블리 (18) 는 광학 어셈블리 (16) 와 웨이퍼 (30) 에 대하여 레티클 (28) 을 유지 및 위치 결정한다. 일 실시형태에서, 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 는 레티클 (28) 을 유지하는 레티클 스테이지 (38), 및 레티클 스테이지 (38) 와 레티클 (28) 을 이동 및 위치결정하는 레티클 스테이지 이동기 (mover) 어셈블리 (40) 를 포함한다.
다소 이와 유사하게, 디바이스 스테이지 어셈블리 (20) 는 레티클 (28) 의 조명 부분들의 투영 이미지에 대하여 웨이퍼 (30) 를 유지 및 위치결정한다. 일 실시형태에서, 디바이스 스테이지 어셈블리 (20) 는 웨이퍼 (30) 를 유지하는 디바이스 스테이지 (42), 디바이스 스테이지 (42) 를 지지 및 안내하는 디바이스 스테이지 베이스 (43), 및 광학 어셈블리 (16) 및 디바이스 스테이지 베이스 (43) 에 대하여 디바이스 스테이지 (42) 및 웨이퍼 (30) 를 이동 및 위치 결정하는 디바이스 스테이지 이동기 어셈블리 (44) 를 포함한다. 이하, 디바이스 스테이지 (42) 를 더 상세히 설명한다.
각각의 스테이지 이동기 어셈블리 (40, 44) 는 3 의 자유도로, 3 의 자유도 보다 작게, 또는 3 의 자유도 보다 크게 각각의 스테이지 (38, 42) 를 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 다른 실시형태들에서, 각 스테이지 이동기 어셈블리 (40, 44) 는 1, 2, 3, 4, 5 또는 6 의 자유도로 각각의 스테이지 (38, 42) 를 이동시킬 수 있다. 레티클 스테이지 이동기 어셈블리 (40) 및 디바이스 스테이지 이동기 어셈블리 (44) 는 각각 회전 모터, 보이스 코일 모터, 구동력을 발생시키기 위하여 로렌츠력을 이용하는 선형 모터, 전자기 이동기, 평면모터, 또는 일부 다른 포오스 이동기와 같은 하나 이상의 이동기를 포함할 수 있다.
포토리소그래피 시스템들에 있어서, 선형 모터 (미국 특허 제 5,623,853 호 또는 제 5,528,118 호 참조) 가 웨이퍼 스테이지 어셈블리 또는 레티클 스테이지 어셈블리에 사용되는 경우에, 선형 모터들은 에어 베어링을 사용하는 에어 레비테이션형, 또는 로렌츠력 또는 반응력을 이용하는 자기 레비테이션형을 이용할 수 있다. 부가적으로, 스테이지는 가이드를 따라 이동할 수 있거나 또는 스테이지는 가이드를 사용하지 않는 가이드리스형 스테이지일 수 있다. 허용되는 한, 미국 특허 제 5,623,853 호 및 제 5,528,118 호의 개시내용은 여기서 참조로 포함된다.
다른 방법으로, 스테이지들 중 하나는 2 차원적으로 배열된 자석들을 가지는 자석 유닛 및 대향 위치들에서 2 차원적으로 배열된 코일들을 가지는 전기자 코일에 의해 발생되는 전자기력에 의해 스테이지를 구동하는 평면 모터에 의해 구동될 수 있다. 이러한 타입의 구동 시스템에서, 자석 유닛 또는 전기자 코일 유닛 중 어느 하나는 스테이지 베이스에 접속되며, 나머지 유닛은 스테이지의 이동면측에 설치된다.
상술한 바와 같은 스테이지들의 이동은 포토리소그래피 시스템의 성능에 영향을 줄 수 있는 반력을 생성시킨다. 웨이퍼 (기판) 스테이지 이동에 의해 생성된 반력은 미국특허 제 5,528,100 호 및 일본특허공개 평 8-136475호에 개시된 바와 같은 프레임 부재를 사용하여 플로어 (그라운드) 에 기계적으로 전달될 수 있다. 또한, 레티클 (마스크) 스테이지 이동에 의해 생성된 반력은 미국특허 제 5,874,820 호 및 일본특허공개 평 8-330224 호에 개시된 바와 같이 프레임 부재를 이용하여 플로어 (그라운드) 에 기계적으로 전달될 수 있다. 허용되는 한, 미국 특허 제 5,528,100 호, 제 5,874,820 호, 및 일본 특허공개 평 8-330224 호의 개시내용은 여기서 참고로 포함된다.
측정 시스템 (22) 은 광학 어셈블리 (16) 또는 일부 다른 관련 부재에 대한 레티클 (28) 및 웨이퍼 (30) 의 이동을 모니터한다. 이 정보를 갖고, 제어 시스템 (24) 은 레티클 (28) 을 정밀하게 위치 결정하기 위하여 레티클 스테이지 어셈블리 (18) 를 제어하고, 웨이퍼 (30) 를 정밀하게 위치 결정하기 위하여 디바이스 스테이지 어셈블리 (20) 를 제어할 수 있다. 측정 시스템 (22) 의 설계는 변할 수 있다. 예를 들어, 측정 시스템 (22) 은 복수의 레이저 간섭계, 인코더, 미러, 및/또는 다른 측정 디바이스를 이용할 수 있다.
제어 시스템 (24) 은 측정 시스템 (22) 으로부터 정보를 수신하고, 레티클 (28) 및 웨이퍼 (30) 를 정확하게 위치 결정하기 위하여 스테이지 이동기 어셈블리 (40, 44) 를 제어한다. 부가적으로, 제어 시스템 (24) 은 환경 시스템 (26) 의 구성요소들의 동작을 제어할 수 있다. 제어 시스템 (24) 은 하나 이상의 프로세서 또는 회로를 포함할 수 있다.
환경 시스템 (26) 은 광학 어셈블리 (16) 와 웨이퍼 (30) 사이의 갭 (246)(도 2b 에 나타냄) 의 환경을 제어한다. 갭 (246) 은 이미징 필드 (250) 를 포함한다. 이미징 필드는 노광되는 웨이퍼 (30) 의 영역에 인접한 영역, 및 광 에너지의 빔이 광학 어셈블리 (16) 및 웨이퍼 (30) 사이를 이동하는 영역을 포함한다. 이 설계에 있어서, 환경 시스템 (26) 은 이미징 필드의 환경을 제어할 수 있다.
환경 시스템 (26) 에 의해 갭 (246) 내에서 생성 및/또는 제어되는 원하는 환경은, 조명 시스템 (14) 을 포함하여, 노광 장치 (10) 의 나머지 구성요소들의 설계, 및 웨이퍼 (30) 에 따라 변할 수 있다. 예를 들어, 원하는 제어된 환경은 물과 같은 유체일 수 있다. 다른 방법으로, 원하는 제어된 환경은 또 다른 타입의 유체 일 수 있다.
도 2a 는 웨이퍼 (30), 및 광학 어셈블리 (16), 디바이스 스테이지 (42), 및 환경 시스템 (26) 을 포함하는 도 1 의 노광 장치 (10) 의 일부에 대한 사시도이다.
도 2b 는 광학 어셈블리 (16), 디바이스 스테이지 (42), 및 환경 시스템 (26) 을 포함한, 도 2a 의 노광 장치의 일부에 대한 단면도이다. 도 2b 는 광학 어셈블리 (16) 가 옵티컬 하우징 (250A), 최종 광학 소자 (250B), 및 최종 광학 소자 (250B) 를 광학 하우징 (250A) 에 고정하는 소자 리테이너 (250C) 를 포함함을 나타낸다. 부가적으로, 도 2b 는 최종 광학 소자 (250B) 와 웨이퍼 (30) 사이의 갭 (246) 을 나타낸다. 일 실시형태에서, 갭 (246) 은 대략적으로 1mm 이다.
일 실시형태에서, 환경 시스템 (26) 은 액침유체 (248)(원으로 나타냄) 를 사용하여 이미징 필드와 갭 (246) 의 나머지를 채운다. 환경 시스템 (26) 과 환경 시스템 (26) 의 구성요소들의 설계는 변할 수 있다. 도 2b 에 나타낸 실시형태에서, 환경 시스템 (26) 은 액침유체 시스템 (252), 유체 배리어 (254), 및 운반 영역 (2560) 을 포함한다. 이 실시형태에서, (ⅰ) 액침유체 시스템 (252) 은 액침유체 (248) 를 갭 (246) 으로 전달 및/또는 주입하고, 운반 영역 (256) 으로 부터 또는 그 운반 영역 (256) 부근의 액침유체 (248) 를 제거하고, 및/또는 운반 영역 (256) 을 통하여 액침유체 (248) 의 이동을 용이하게 하고, (ⅱ) 유체 배리어 (254) 는 액침유체 (248) 가 갭 (246) 부근에서 떨어져 흐르는 것을 방지하고, (ⅲ) 운반 영역 (256) 은 갭 (246) 으로부터 흐르는 액침유체를 전송 및/또는 운반한다. 또한, 유체 배리어 (254) 는 갭 (246) 부근에 챔버 (257) 를 형성한다.
액침유체 시스템 (252) 의 설계는 변할 수 있다. 예를 들어, 액침유체 시스템 (252) 는 갭 (246) 에서 또는 그 갭 (246) 부근의 하나 이상의 위치, 광학 어셈블리 (16) 의 에지, 및/또는 직접적으로 광학 어셈블리 (16) 와 웨이퍼 (30) 사이에 액침유체 (248) 를 주입할 수 있다. 또한, 액침유체 시스템 (252) 은 디바이스 (30), 갭 (246) 및/또는 광학 어셈블리 (16) 의 에지에서 또는 그 부근에서의 하나 이상의 위치에서 액침유체 (248) 를 제거 및/또는 배출하는데 도움을 줄 수 있다.
도 2b 에 나타낸 실시형태에서, 액침유체 시스템 (252) 는 광학 어셈블리 (16) 의 주변부 및 액침유체 소스 (260) 부근에 위치결정되는 하나 이상의 주입기 노즐 (258)(단지 하나만 나타냄) 및 액침유체소스 (260) 를 포함한다. 도 2c 는 하나의 주입기 노즐 (258) 을 더 상세히 나타낸다. 이 실시형태에서, 각각의 주입기 노즐 (258) 은 액침유체 소스 (260) 와 유체 소통하는 노즐 출구 (262) 를 포함한다. 적절한 시간에, 액침유체 소스 (260) 는 하나 이상의 노즐 출구 (262) 에 챔버 (257) 로 방출되는 액침유체 (248) 를 제공한다.
또한, 도 2b 및 도 2c 는 챔버 (257) 내의 액침유체 (248) 가 웨이퍼 (30) 의 상부에 놓여 있음을 나타낸다. 액침유체 (248) 는 갭 (246) 으로 흐른다. 또한, 웨이퍼 (30) 가 광학 어셈블리 (16) 아래에서 이동할 때, 이는 웨이퍼 (30) 의 상부 표면 부근에서 액침유체 (248) 를 갭 (246) 으로 드래그한다.
일 실시형태에서, 유체 배리어 (254) 는 갭 (246) 주위에 챔버 (257) 를 형성하고, 갭 (246) 으로 부터의 액침유체 (248) 의 흐름을 제한하고, 그 갭 (246) 을 액침유체 (248) 로 가득차게 유지하는데 도움을 주고, 그리고 그 갭 (246) 을 벗어나는 액침유체 (248) 의 회수를 용이하게 한다. 일 실시형태에서, 유체 배리어 (254) 는 갭 (246) 과 광학 어셈블리 (16) 의 하부를 둘러싸고, 전반적으로 갭 (246) 과 광학 어셈블리 (16) 의 하부 주위에 위치결정된다. 또한, 일 실시형태에서, 유체 배리어 (254) 는 액침유체 (248) 를 광학 어셈블리 (16) 중심에 있는 웨이퍼 (30) 및 디바이스 스테이지 (42) 상의 영역으로 제한한다. 다른 방법으로, 예를 들어, 유체 배리어 (254) 는 단지 갭 (246) 의 부분 주위에 위치결정될 수 있거나 또는 광학 어셈블리 (16) 의 중심에서 벗어나게 될 수 있다.
도 2b 및 도 2c 에 나타낸 실시형태에서, 유체 배리어 (254) 는 격납 프레임 (264) 및 프레임 지지부 (268) 를 포함한다. 이 실시형태에서, 격납 프레임 (264) 은 일반적으로 고리 모양의 링 형상이고, 갭 (246) 을 둘러싼다. 부가적으로, 이 실시형태에서, 격납 프레임 (264) 은 상부 측 (270A), 웨이퍼 (30) 에 대향하는 대향 하부 측 (270B), 갭 (246) 에 대향하는 내부 측 (270C), 및 외부 측 (270D) 을 포함한다. 또한, 이 실시형태에서, 유체 배리어 (254) 는 운반 영역 (256) 을 수용하는 채널 (272) 을 포함한다. 예를 들어, 채널 (272) 은 고리 형상일 수 있다.
상부 및 하부라는 용어는 단지 편의를 위하여 사용되며, 격납 프레임 (264) 의 방위는 회전될 수 있다. 또한, 격납 프레임 (264) 은 또 다른 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 격납 프레임 (264) 은 직사각형 프레임 형상 또는 8 각형의 프레임 형상, 타원형의 프레임 형상, 또는 또 다른 적절한 형상일 수 있다.
프레임 지지부 (268) 는 웨이퍼 (30) 및 디바이스 스테이지 (42) 상의 장치 프레임 (12), 또 다른 구조, 및/또는 광학 어셈블리 (16) 에 대하여 격납 프레임 (264) 을 접속 및 지지한다. 일 실시형태에서, 프레임 지지부 (268) 는 격납 프레임 (264) 의 중량 전체를 지지한다. 다른 방법으로, 예를 들어, 프레임 지지부 (268) 는 격납 프레임 (264) 의 중량의 일부만을 지지할 수 있다. 일 실시형태에서, 프레임 지지부 (268) 는 하나 이상의 지지부 어셈블리 (274) 를 포함할 수 있다. 예를 들어, 프레임 지지부 (268) 는 3 개의 이격된 지지부 어셈블리 (274) (도 2b 에 2 개만 나타냄) 를 포함할 수 있다. 이 실시형태에서, 각각의 지지부 어셈블리 (274) 는 광학 어셈블리 (16) 와 상기 격납 프레임 (264) 의 내측 (270C) 사이에 연장되어 있다.
일 실시형태에서, 각 지지부 어셈블리 (274) 는 격납 프레임 (264) 을 광학 어셈블리 (16) 에 견고하게 고정하는 마운트이다. 다른 방법으로, 예를 들어, 각각의 지지부 어셈블리는 만곡된 방식으로 격납 프레임 (264) 을 지지하는 만곡부일 수 있다. 여기서 사용된 바와 같이, "만곡부" 라는 용어는 일부 방향으로는 비교적 높은 강성을 가지며, 다른 방향들로는 비교적 낮은 강성을 가지는 부분을 의미한다. 일 실시형태에서, 만곡부는 (ⅰ) X 축을 따라 그리고 Y 축을 따라 비교적 단단하게 되고, (ⅱ) Z 축을 따라 비교적 유연하게 되도록 구성된다. 일 실시형태에서, 만곡부들은 Z축에 따른 격납 프레임 (264) 의 이동을 허용하고, X 축 및 Y 축에 따른 격납 프레임 (264) 의 이동을 억제한다.
다른 방법으로, 예를 들어, 각 지지부 어셈블리 (274) 는 웨이퍼 (30) 및 디바이스 스테이지 (42) 에 대하여 격납 프레임 (264) 의 위치를 조정하는데 사용될 수 있는 작동기일 수 있다. 이 실시형태에서, 프레임 지지부 (268) 는 또한 격납 프레임 (264) 의 위치를 모니터하는 프레임 측정 시스템 (미도시) 을 포함할 수 있다. 예를 들어, 프레임 측정 시스템은 X 축에 대하여 및/또는 Y 축에 대하여, Z 축을 따른 격납 프레임 (264) 의 위치를 모니터할 수 있다. 이 정보에 대하여, 지지부 어셈블리 (274) 는 격납 프레임 (264) 의 위치를 조정하는데 사용될 수 있다. 이 실시형태에서, 지지부 어셈블리 (274) 는 격납 프레임 (264) 의 위치를 능동적으로 조정할 수 있다.
도 2b 및 도 2c 도 전사 영역 (256) 을 보다 상세하게 나타낸다. 이 실시형태에서, 전사 영역 (256) 은, 실질적으로 고리 모양의 디스크 형상이고, 갭 (246) 을 둘러싸며, 광학 어셈블리 (16) 와 실질적으로 동일한 중심에 있는 기판 (275) 이다. 다른 방법으로는, 예를 들어, 기판 (275) 은 타원 프레임 형상, 직사각형 프레임 형상, 또는 8 각형 프레임 형상을 포함하는 또 다른 형상일 수 있다. 또 다른 방법으로는, 예를 들어, 운반 영역 (256) 은, 갭 (246) 의 일부를 둘러싸도록 구성되는 복수의 기판 세그먼트 및/또는 실질적으로 동심인 복수의 기판을 포함할 수 있다.
운반 영역 (256) 의 치수는, 원하는 액침유체의 회수 속도를 달성하도록 선택될 수 있다.
또한, 이 실시형태에서, 운반 영역 (256) 은 격납 프레임 (264) 의 하부 측 (270B) 에서 또는 그 부근에서 격납 프레임 (264) 에 고정되고, 격납 프레임 (264) 과 협동하여 운반 영역 (256) 에 접하여 및/또는 그 위에 제거 챔버 (276) 를 형성한다. 또한, 도 2c 에 나타낸 바와 같이, 운반 영역 (256) 은, 제거 챔버 (276) 에 인접한 제 1 표면 (278A), 및 디바이스 (30) 와 갭 (246) 에 인접한 대항되는 제 2 표면 (278B) 을 포함한다.
본 실시형태에서, 운반 영역 (256) 은, 격납 프레임 (264) 과 웨이퍼 (30) 및/또는 디바이스 스테이지 (42) 사이를 흐르는 액침유체 (248) 의 적어도 일부를 포획, 유지, 및/또는 흡수한다. 운반 영역 (256) 에 이용된 재료의 종류는 변할 수 있다. 일 실시형태에서, 기판 (275) 은 복수의 통로 (280) 를 포함한다. 예를 들어, 통로 (280) 는 비교적 작고 타이트하게 패킹될 수 있다.
예로서, 운반 영역 (256) 은, 모세관 작용에 의해 액침유체 (248) 를 운반하는 복수의 작은 구멍 및/또는 틈을 갖는 다공성 재료일 수 있다. 이 실시형태에서, 통로 (280) 는, 모세관력이 액침유체 (248) 를 작은 구멍으로 인출할 만큼 충분히 작을 수 있다. 적절한 재료의 예는, 금속, 유리, 또는 세라믹으로 이루어진 심지 (wick) 타입 구조를 포함한다. 적절한 심지 타입 구조의 예들은, 짜여진 유리섬유, 소결된 금속 파우더, 스크린, 와이어 메시, 또는 임의의 재료의 그루브를 포함하는 상호 접속된 작은 통로의 네크워크를 갖는 임의의 재료를 포함하지만, 이것으로 제한되지는 않는다. 운반 영역 (256) 은 친수성 (hydrophilic) 일 수 있다.
일 실시형태에서, 운반 영역 (256) 은 대략 20 과 200 미크론 사이의 작은 구멍 사이즈를 갖는다. 다른 비제한적인 실시형태에서, 운반 영역 (256) 은 적어도 대략 40, 80, 100, 140, 160, 또는 180 의 다공성 (porosity) 을 가질 수 있다.
어떤 실시형태에서, 비교적으로 높은 유량이 요구된다. 보다 높은 흐름을 수용하기 위하여, 다공성이 보다 큰 재료가 운반 영역 (256) 에 필요할 수도 있다. 운반 영역 (256) 의 다공성의 선택은, 운반 영역 (256) 의 총 요구 유량에 의존한다. 보다 큰 다공성을 가지는 운반 영역 (256) 을 이용하고, 운반 영역 (256) 의 두께를 감소시키거나 또는 운반 영역 (256) 의 표면적을 증가시켜, 보다 큰 전체 흐름 속도를 성취할 수 있다. 일 실시형태에서, 액침 리소그래피에서의 0.3-1.0 L/분 의 흐름 속도 조건에 대하여, 40-150㎛ 의 작은 구멍 사이즈를 이용하여 액침유체 (248) 회수를 위한 30-150cm2 면적을 커버할 수 있다. 또한, 다공성 재료의 종류와 설명도 액침유체 (248) 의 애플리케이션과 특성에 의존한다.
다시 도 2b 를 참조하면, 어떤 실시형태에서, 운반 영역 (256) 은 액침유체 (248) 를 흡수하기 위하여 제한된 용량을 갖는다. 일 실시형태에서, 액침유체 시스템 (252) 은, 운반 영역 (256) 으로부터 또는 그 부근에서 액침유체 (248) 를 제거하고, 운반 영역 (256) 및 제거 챔버 (276) 와 유체 소통하는 유체 제거 시스템 (282) 을 포함한다. 이러한 설계에 의해, 액침유체 (248) 는 운반 영역 (256) 에 의해 포착되고, 유체 제거 시스템 (276) 에 의해 제거될 수 있다.
일 실시형태에서, 유체 제거 시스템 (282) 은 운반 영역 (256) 의 상부 제 1 표면 (278A) 으로부터 액침유체 (248) 를 제거하여, 부가적인 액침유체 (248) 가 운반 영역 (256) 의 하부 제 2 표면 (278B) 으로 흐르게 한다. 예를 들어, 유체 제거 시스템 (282) 은 운반 영역 (256) 양단에 압력 차를 생성할 수 있다. 일 실시예에서, 유체 제거 시스템 (282) 은 제 1 표면 (278A) 에서의 압력이 제 2 표면 (278B) 에서의 압력보다 낮아지게 한다.
액침유체 (248) 의 제거는 몇몇 다른 방식으로 달성될 수 있고, 유체 제거 시스템 (282) 의 다수의 실시형태를 이하에 설명한다.
도 2c 는, 프레임 갭 (284) 이 (i) 격납 프레임 (264) 의 하부 측 (270B) 과 운반 영역 (256) 의 제 2 표면 (278B), 및 (ii) 웨이퍼 (30) 및/또는 디바이스 스테이지 (42) 사이에 존재하여, 격납 프레임 (264) 에 대한 디바이스 스테이지 (42) 와 웨이퍼 (30) 의 이동을 용이하게 함을 나타낸다. 프레임 갭 (284) 의 크기는 변할 수 있다. 일 실시형태에서, 프레임 갭 (284) 은 대략 0.1mm 와 2mm 사이에 있다. 다른 실시예에서, 프레임 갭 (284) 은 대략 0.05, 0.1, 0.2, 0.5, 1, 1.5, 2, 3, 또는 5mm 일 수 있다.
이 실시형태에서, 대부분의 액침유체 (248) 는 유체 배리어 (254) 내에 가두어지고, 주변부 주위의 대부분의 누출은 운반 영역 (256) 에 의해 좁은 프레임 갭 (284) 내에서 배출된다. 이 경우에, 액침유체 (248) 가 운반 영역 (256) 에 닿으면, 운반 영역 (256) 으로 인출되고 흡수된다. 따라서, 운반 영역 (256) 은 임의의 액침유체 (248) 가 링 외부로 흐르는 것을 방지한다.
도 2d 는 도 2c 에 나타낸 실시형태와 다소 유사한 노광 장치 (10D) 의 또 다른 실시형태의 일부에 대한 단면도를 나타낸다. 그러나, 도 2d 에서, 디바이스 (30D) 및/또는 스테이지 (42D) 는, 운반 영역 (256D) 의 제 2 표면 (278BD) 보다 격납 프레임 (264D) 의 내측 (270CD) 및/또는 외측 (270DD) 의 하부 측 (270BD) 에 근접해 있다. 다르게 말하면, 하부 측 (270BD) 과 디바이스 (30D) 및/또는 스테이지 (42D) 사이의 거리가, 제 2 표면 (278BD) 과 디바이스 (30D) 및/또는 스테이지 (42D) 사이의 거리보다 작다.
도 3a 는 액침유체 소스 (260) 의 일 실시형태를 나타낸다. 이 실시형태에서, 액침유체 소스 (260) 는, (i) 액침유체 (248) 를 유지하는 유체 저장기 (386A), (ii) 유체 저장기 (386A) 와 유체 소통하며 액침유체 (248) 를 필터링하는 필터 (386B), (iii) 필터 (386B) 와 유체 소통하고 액침유체 (248) 로부터 임의의 공기, 오염물, 또는 가스를 제거하는 통기 장치 (386C), (iv) 통기 장치 (386C) 와 유체 소통하며 액침유체 (248) 의 온도를 제어하는 온도 제어기 (386D), 예를 들어 열 교환기 또는 냉각기, (v) 온도 제어기 (386D) 와 유체 소통하는 압력 소스 (386E), 예를 들어 펌프, 및 (vi) 압력 소스 (386E) 와의 유체 소통하는 입구를 갖고 노즐 출구 (262) (도 2c 에 도시) 와의 유체 소통하는 출구를 가지며, 노즐 출구 (262) 에 대한 압력과 흐름을 제어하는 흐름 제어기 (386F) 포함한다.
부가적으로, 액침유체 소스 (260) 는, (i) 노즐 출구 (262) 로 전달된 액침유체 (248) 의 압력을 측정하는 압력 센서 (386G), (ii) 노즐 출구 (262) 에 대한 액침유체 (248) 의 유속을 측정하는 흐름 센서 (386H), 및 (iii) 노즐 출구 (262) 에 대한 액침유체 (248) 의 온도를 측정하는 온도 센서 (386I) 를 포함할 수 있다. 이러한 구성 요소의 동작은, 노즐 출구 (262) 에 대한 액침유체 (248) 의 유속, 온도 및/또는 압력을 제어할 수 있도록 제어 시스템 (24) (도 1 에 나타냄) 에 의해 제어된다. 이러한 센서들 (386G-386I) 로부터의 정보는, 제어 시스템 (24) 이 액침유체 소스 (360A) 의 다른 구성 요소를 적절하게 조정하여 액침유체 (248) 의 원하는 온도, 흐름 및/또는 압력을 달성할 수 있도록, 제어 시스템 (24) 에 전송될 수 있다.
액침유체 소스 (260) 의 구성 요소들의 방위는 변할 수 있다. 또한, 하나 이상의 구성 요소가 필요하지 않을 수 있거나 일부 구성 요소들이 복제될 수 있다. 예를 들어, 액침유체 소스 (260) 는 복수의 펌프, 복수의 저장기, 온도 제어기, 또는 다른 구성 요소를 포함할 수 있다. 또한, 환경 시스템 (26) 은 복수의 액침유체 소스 (260) 를 포함할 수 있다.
액침유체 (248) 가 갭 (246) (도 2b 에 나타냄) 에 주입되는 속도는 변할 수 있다. 일 실시형태에서, 액침유체 (248) 는 대략 0.5 리터/분 내지 2 리터/분 사이의 속도로 노즐 출구 (262) 를 통해 갭 (246) 으로 공급된다. 그러나, 속도는 이러한 양보다 더 크거나 또는 이 보다 작을 수 있다.
액침유체 (248) 의 타입은 장치 (10) 의 설계 조건에 적절하게 되도록 변할 수 있다. 일 실시형태에서, 액침유체 (248) 는 가스 제거된 물, 이온 제거된 물과 같은 유체이다. 다른 방법으로는, 예를 들어, 액침유체 (248) 는 폼블린 오일과 같은 과불화 폴리에테르 (PFPE) 와 같은 또 다른 타입의 유체일 수 있다.
도 3b 는 유체 제거 시스템 (382B) 의 제 1 실시형태, 및 유체 배리어 (254), 운반 영역 (256), 웨이퍼 (30), 및 액침유체 (248) 의 일부를 나타낸다. 또한, 유체 제거 시스템 (382B) 을 여기서는 압력 시스템이라도 한다. 일 실시형태에서, 유체 제거 시스템 (382B) 은 운반 영역 (256) 의 제 1 표면 (278A) 에 운반 압력을 생성 및/또는 인가한다. 이 실시형태에서, 유체 제거 시스템 (382B) 은, 제 1 표면 (278A) 과 제 2 표면 (278B) 사이에 압력차가 존재하도록, 운반 영역 (256) 의 제 1 표면 (278A) 에서 운반 압력을 유지한다. 다른 비제한적인 실시형태에서, 유체 제거 시스템 (382B) 은, 제 1 표면 (278A) 에서의 운반 압력이 대략 -10, -100, -500, -1000, -2000, -5000, -7000, 또는 -10,000 Pa 게이지가 되도록 제거 챔버 (276) 내의 압력을 제어한다.
도 3b 에서, 유체 제거 시스템 (382B) 은, (i) 제거 챔버 (276) 내에 낮은 챔버 압력을 생성하는 저압 소스 (390BA), 및 (ii) 제거 챔버 (276) 로부터 액침유체 (248) 를 포획하는 회수 저장기 (390BC) 를 포함한다. 이 실시형태에서, 저압 소스 (390BA) 는 펌프 또는 진공 소스 (390BD), 및 챔버 (276) 내의 챔버 압력을 정밀하게 제어하는 챔버 압력 조절기 (390BE) 를 포함할 수 있다. 다른 비제한적인 실시형태에서, 예를 들어, 챔버 압력은 대략 -10, -100, -500, -1000, -2000, -5000, -7000, 또는 -10,000 Pa 게이지가 되도록 제어된다. 챔버 압력 조절기 (390BE) 는 제어 시스템 (24) 에 의해 챔버 압력을 제어하도록 제어될 수 있다.
도 3c 는 유체 제거 시스템 (382C) 의 다른 실시형태, 및 유체 배리어 (254), 운반 영역 (256), 웨이퍼 (30), 및 액침유체 (248) 의 일부를 나타낸다. 이 실시형태에서, 유체 제거 시스템 (382C) 은 건조 제거유체 (396) (삼각형으로 나타냄), 예를 들어 공기를 제거 챔버 (276) 를 통해 및 운반 영역 (256) 의 상부 제 1 표면 (278A) 을 가로질러 가한다. 제거유체 (396) 는 액침유체 (248) 를 운반 영역 (256) 밖으로 분출시켜 운반 영역 (256) 의 상부 표면 (278A) 을 건조시킨다. 몇몇 경우에 제거유체 (396) 를 가열하여, 건조유체 (396) 로의 액침유체 (248) 의 흐름을 향상시킬 수 있다. 다르게 말하면, 일 실시형태에서, 제거유체 (396) 는 액침유체 (248) 의 액침유체 온도보다 높은 제거유체 온도에 존재한다.
도 3c 에서, 유체 제거 시스템 (382C) 은, (i) 압축 건조 제거유체 (396) 의 유체 소스 (396A), (ii) 건조 제거유체 (396) 의 온도를 제어하는 온도 제어기 (396B), (iii) 건조 제거유체 (396) 의 흐름을 측정하는 흐름 센서 (396C), 및 (iv) 건조 제거유체 (396) 의 온도를 측정하는 온도 센서 (396D) 를 포함한다. 유체 소스 (396A) 는 제어 시스템 (24) 에 의해 제어된 펌프를 포함할 수 있고, 온도 제어기 (396B) 는 제어 시스템 (24) 에 의해 제어된 히터일 수 있다.
도 3d 는 유체 제거 시스템 (382D) 의 또 다른 실시형태, 및 유체 배리어 (254), 운반 영역 (256), 웨이퍼 (30), 및 액침유체 (248) 의 일부를 나타낸다. 이 실시형태에서, 운반 영역 (256) 은 유체 배리어 (254) 외부로 연장되어 있다. 또한, 유체 제거 시스템 (382C) 은, 운반 영역 (256) 의 제 1 표면 (278A) 에 가열된 유체 (396F) (삼각형으로 나타냄) 를 제공하여 액침유체 (248) 가 운반 영역 (256) 외부에 끓어 넘치게 하여 포획하는 열 소스 (397) 를 포함한다.
도 3b-3d 에 나타낸 유체 제거 시스템 (382B 및 382C) 의 구성 요소의 방위는 변화할 수 있다. 또한, 하나 이상의 구성 요소는 불필요할 수도 있고/또는 일부 구성 요소는 복제될 수 있다. 예를 들어, 각 유체 제거 시스템 (382B, 382C, 및 382D) 은 복수의 펌프, 복수의 저장기, 밸브, 또는 다른 구성 요소를 포함할 수 있다. 또한, 환경 시스템 (26) 은 복수의 유체 제거 시스템 (382B, 382C, 382D) 을 포함할 수 있다.
도 4 는 환경 시스템 (426) 의 다른 실시형태의 일부 , 웨이퍼 (30) 의 일부 및 디바이스 스테이지 (42) 의 일부에 대한 확대도이다. 이 실시형태에서, 환경 시스템 (426) 은, 도 2a-2c 에 나타낸 상술한 대응하는 구성 요소와 다소 유사하다. 그러나, 이 실시형태에서, 운반 영역 (456) 은 약간 다르다. 특히, 이 실시형태에서, 운반 영역 (456) 의 기판 (475) 내의 통로 (480) (2 개만 나타냄) 는 복수의 이격된 운반 개구부이며, 제 1 표면 (478A) 과 제 2 표면 (478B) 사이에서 기판 (475) 을 통해 실질적으로 횡방향으로 연장되어 있다.
이 실시형태에서, 예를 들어, 기판 (475) 은, 유리 또는 그 밖의 친수성 재료와 같은 재료로 제조될 수 있다. 일 실시형태에서, 운반 개구부 (480) 는 대략 0.1 과 0.2mm 사이의 직경을 가질 수 있다. 그러나, 특정 실시형태에서, 운반 개구부는 이러한 크기보다 크거나 작을 수 있다.
이 설계에 대하여, 예를 들어, 하나 이상의 유체 제거 시스템 (382B 및 382C) (도 3b 및 3c 에 나타냄) 은 진공 또는 부분 진공을 운반 개구부 (480) 상에 인가하는데 사용될 수 있다. 부분 진공에 의해 액침유체 (248) 를 운반 영역 (456) 을 통해 인출한다.
도 5a 는, 광학 어셈블리 (516), 디바이스 스테이지 (542), 및 환경 시스템 (526) 을 포함하는, 노광 장치 (510) 의 또 다른 실시형태의 일부에 대한 단면도이다. 도 5a 도 웨이퍼 (30) 와 갭 (546) 을 나타내며, 액침유체 (548) 로 그 갭 (546) 이 채워지는 점을 나타낸다. 도 5b 는 라인 5B-5B 에 따라 절단한 도 5a 의 확대된 부분을 나타낸다.
이 실시형태에서, 환경 시스템 (526) 은 상술한 대응하는 구성 요소에 다소 유사한, 액침유체 시스템 (552), 유체 배리어 (554), 및 운반 영역 (556) 을 또한 포함한다. 이 실시형태에서, 유체 배리어 (554) 는, 갭 (546) 주위에 챔버 (557) 를 형성하는 격납 프레임 (564), 및 그 격납 프레임 (564) 을 장치 프레임 (12) 에 접속하고 지지하는 프레임 지지부 (568) 를 포함한다. 그러나, 이 실시형태에서, 격납 프레임 (564) 은, (i) 액침유체 시스템 (552) 의 액침유체 소스 (560) 와 유체 소통하는 노즐 출구 (562) 를 규정하는 고리 모양 형상의 제 1 채널 (581), (ii) 고리 모양 형상의 제 2 채널 (583), (iii) 고리 모양 형상의 제 3 채널 (585), 및 (iv) 운반 영역 (556) 을 수용하는 고리 모양 형상의 제 4 채널 (587) 을 포함한다. 이 실시형태에서, 채널 (581, 583, 585, 587) 은 대략 동심이고, 광학 어셈블리 (516) 를 중심에 두고 있다. 또한, 이 실시형태에서, 제 2 채널 (583) 은 제 1 채널 (581) 을 둘러싸고, 제 3 채널 (585) 은 제 2 채널 (583) 을 둘러싸며, 제 4 채널 (587) 은 제 3 채널 (585) 을 둘러싼다. 그러나, 채널 (581, 583, 585, 587) 의 형상, 방위, 및/또는 위치는 변경될 수 있다.
일 실시형태에서, 액침유체 시스템 (552) 은 제 1 채널 (581), 및 챔버 (557) 로 방출되는 노즐 출구 (562) 에 액침유체 (548) 를 제공한다. 운반 영역 (556) 은 격납 프레임 (564) 과 협동하여, 운반 영역 (556) 에 접하게 그리고 그 위에 제거 챔버 (576) 를 형성한다. 또한, 운반 영역 (556) 은, 제거 챔버 (576) 에 인접한 제 1 표면 (578A), 및 디바이스 (30) 와 갭 (546) 에 인접한 반대측의 제 2 표면 (578B) 을 포함한다.
이 실시형태에서, 제 3 채널 (585) 은 제 1 제거 시스템 (528A) 과 유체 소통한다. 일 실시형태에서, 제 1 제거 시스템 (528A) 은 제 3 채널 (585) 내에, 액침유체 (548) 를 제 3 채널 (585) 로 주입 및/또는 인출하는 진공 또는 부분 진공을 생성한다. 예를 들어, 다른 비제한적인 실시형태에서, 제 1 제거 시스템 (528A) 은 제 3 채널 (585) 내 압력을 대략 -10, -100, -500, -1000, -2000, -5000, -7000, 또는 -10,000 Pa 게이지로 유지할 수 있다.
또한, 이 실시형태에서, 제 4 채널 (587) 은 제 2 제거 시스템 (528B) 과 유체 소통한다. 이 실시형태에서, 제 2 제거 시스템 (528B) 은, 운반 영역 (556) 의 상부 제 1 표면 (578A) 으로부터 액침유체 (548) 를 제거하여, 부가적인 액침유체 (548) 가 운반 영역 (556) 의 하부 제 2 표면 (578B) 으로 흐르게 한다.
일 실시형태에서, 제 1 제거 시스템 (528A) 의 설계는 도 3b-3d 에 나타낸 제거 시스템 (382B, 382C) 중 하나의 설계와 다소 유사할 수 있고/또는 제 2 제거 시스템 (528B) 의 설계는 도 3b-3d 에 나타낸 설계들 중 하나와 다소 유사할 수 있다.
일 실시형태에서, 갭 (546) 으로부터 빠져 나오는 대부분의 액침유체 (548) 는 제 3 채널 (585) 을 통해 회수된다. 예를 들어, 제 3 채널 (585) 은 갭 (546) 으로부터 회수된 액침유체 (548) 의 대략 80-90% 사이를 회수할 수 있다. 다른 실시형태에서, 제 3 채널 (585) 은, 적어도 갭 (546) 으로부터 회수된 액침유체 (548) 의 대략 50, 60, 70, 80, 또는 90% 를 회수할 수 있다. 이러한 설계에 의해, 제 4 채널 (587) 은 제 3 채널 (585) 에 의해 포획되지 않은 액침유체 (548) 를 포획하는데 사용될 수 있다.
부가적으로, 일 실시형태에서, 환경 시스템 (526) 은, 갭 (546) 내의 압력을 제어하는데 사용될 수 있는 압력 제어기 (591) 를 포함한다. 일 실시형태에서, 압력 제어기 (591) 는 갭 (546) 내의 압력을 갭 (546) 의 외부 압력과 대략 동일하게 할 수 있다. 예를 들어, 일 실시형태에서, 제 2 채널 (583) 은 압력 제어기 (591) 를 규정한다. 이 실시형태에서, 제 2 채널 (583) 은 대기압에 개방되고, 제 3 채널 (585) 의 주변부 내부에 위치결정된다. 이러한 설계에 의해, 제 3 채널 (585) 내의 부압 (negative pressure) (진공 또는 부분 진공) 은 광학 어셈블리 (516) 와 웨이퍼 (30) 사이의 압력에 크게 영향을 미치지 않는다.
다른 방법으로, 예를 들어, 제어 압력 소스 (583) 는 제어유체 (595) (삼각형으로 나타냄) 를 갭 (546) 으로 방출하는 제 2 채널 (583) 에 전달할 수 있다. 일 실시형태에서, 제어유체 (595) 는 액침유체 (548) 에 의해 쉽게 흡수되지 않는 가스일 수 있다. 예를 들어, 액침유체 (548) 가 물인 경우, 제어유체 (595) 는 물일 수 있다. 액침유체 (548) 가 제어유체 (595) 를 흡수하지 않거나 다른 방법으로 제어유체에 반응하지 않는 경우, 웨이퍼 (30) 의 표면 상에 기포가 발생할 가능성이 감소될 수 있다.
또 다른 실시형태에서, 환경 시스템 (526) 은, 격납 프레임 (546) 과 웨이퍼 (30) 및/또는 디바이스 스테이지 (542) 사이에 유체 베어링 (미도시) 을 생성하는 디바이스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 격납 프레임 (564) 은 베어링 유체 (미도시) 의 베어링 유체 소스 (미도시) 와 유체 소통하는 하나 이상의 베어링 출구 (미도시) 를 포함할 수 있다. 이 실시형태에서, 베어링 유체 소스는 베어링 출구에 압축 유체를 제공하여, 기체 정역학 (aerostatic) 베어링을 형성한다. 유체 베어링은 격납 프레임 (564) 의 중량 모두 또는 일부를 지지할 수 있다.
각 실시형태에서, 필요한 경우, 부가적인 운반 영역을 부가될 수 있다.
반도체 디바이스는 상기한 시스템을 이용하여, 도 6a 에 일반적으로 나타낸 프로세스에 의해 제조될 수 있다. 단계 601 에서, 디바이스의 기능 및 성능 특성을 설계한다. 다음으로, 단계 602 에서, 패턴을 갖는 마스크 (레티클) 를 이전의 설계 단계에 따라 설계하고, 동시에 단계 603 에서, 실리콘 재료로 웨이퍼를 만든다. 단계 604 에서, 단계 602 에서 설계된 마스크 패턴을 단계 603 으로부터의 웨이퍼 상에서, 본 발명에 따른 상술한 포토리소그래피 시스템에 의해 노광한다. 단계 605 에서, 반도체 장치를 조립하고 (다이싱 프로세스, 본딩 프로세스, 및 패키징 프로세스를 포함하여), 마지막으로, 단계 606 에서 장치를 검사한다.
도 6b 는, 반도체 장치를 제조하는 경우, 상기한 단계 604 의 상세한 흐름도 일례를 나타낸다. 도 6b 에서, 단계 611 (산화 단계) 에서, 웨이퍼 표면을 산화한다. 단계 612 (CVD 단계) 에서, 절연 필름을 웨이퍼 표면 상에 형성한다. 단계 613 (전극 형성 단계) 에서, 전극을 증기 증착에 의해 웨이퍼 상에 형성한다. 단계 614 (이온 주입 단계) 에서, 이온을 웨이퍼에 주입한다. 상술한 단계 611-614 는 웨이퍼를 제조하는 동안 웨어퍼 전처리 단계를 형성하고, 이 전처리 단계는 처리 조건에 따라 각 단계가 선택된다..
웨이퍼 처리의 각 단계에서, 상기한 전처리 단계가 완료된 경우, 다음의 후처리 단계가 수행된다. 후처리 단계가 수행되는 동안, 우선, 단계 615 (포토레지스트 형성 단계) 에서, 포토레지스트를 웨이퍼에 도포한다. 다음으로, 단계 616 (노광 단계) 에서, 상기한 노광 장치를 이용하여, 마스크 (레티클) 의 회로 패턴을 웨이퍼에 전사한다. 그런 다음, 단계 617 (현상 단계) 에서, 노광된 웨이퍼를 현상하고, 단계 618 (에칭 단계) 에서, 잔여 포토레지스트 이외의 부분 (노광된 재료 표면) 을 에칭에 의해 제거한다. 단계 619 (포토레지스트 제거 단계) 에서, 에칭 후 남아 있는 불필요한 포토레지스트를 제거한다.
이러한 처리 및 후처리 단계를 반복하여, 다중 회로 패턴을 형성한다.
여기서 개시하고 나타낸 바와 같은 노광 장치 (10) 는 충분히 목적하는 바를 달성할 수 있고 상술한 이점을 제공할 수 있으며, 현재의 본 발명의 바람직한 실시형태는 단순히 예로서 나타낸 것으로, 첨부된 청구항에서 설명한 바 이외의 본 명세서에 나타낸 상세한 구조 또는 설계에 대한 세부사항을 제한하지 않음을 이해한다.

Claims (37)

  1. 피가공물을 유지하도록 구성된 스테이지;
    이미지를 규정하는 레티클을 유지하도록 구성된 레티클 스테이지;
    조사 소스 및 광학 소자를 포함하며, 상기 피가공물 상의 노광 영역으로 상기 레티클에 의해 규정된 이미지를 투영하도록 구성된 투영 시스템;
    액침액 (immersion fluid) 으로 채워지도록 구성된, 상기 광학 소자와 상기 피가공물 사이의 갭; 및
    상기 갭을 빠져나오는 액침액을 수집하기 위한 복수의 통로를 포함하며, 상기 갭에 인접하게 위치결정되는 다공성 재료를 포함하는, 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 재료는 상기 갭을 실질적으로 둘러싸는, 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 액침액을 상기 다공성 재료를 통하여 밀어내도록 동작하는 압력 차이를 상기 다공성 재료 양단에 생성하는데 사용되는 압력 시스템을 더 포함하는, 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 재료는 심지 (wick) 또는 메시 (mesh) 재료 중 하나를 포함하는, 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 재료의 상기 복수의 통로는 상기 갭을 빠져나오는 상기 액침액을 수집하기 위하여 모세관 작용에 의해 도움을 받는, 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 재료 부근으로부터 액침액을 제거하는 유체 제거 시스템을 더 포함하는, 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 다공성 재료는 제 1 표면, 및 상기 피가공물 부근에 위치결정되는 제 2 표면을 포함하며,
    상기 유체 제거 시스템은 상기 제 1 표면의 압력이 상기 제 2 표면의 압력 보다 낮도록 상기 제 1 표면의 압력을 제어하는, 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 갭 내의 압력을 제어하는 압력 제어기를 더 포함하는, 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 액침액에 의해 쉽게 흡수되지 않는 제어 유체를 상기 갭으로 전달하는 제어 압력 소스를 더 포함하는, 장치.
  10. 피가공물을 유지하도록 구성된 스테이지;
    이미지를 규정하는 레티클을 유지하도록 구성된 레티클 스테이지;
    조사 소스 및 광학 소자를 포함하며, 상기 피가공물 상의 노광 영역으로 상기 레티클에 의해 규정되는 이미지를 투영하도록 구성된 투영 시스템;
    액침액으로 채워지도록 구성된, 상기 광학 소자와 상기 피가공물 사이의 갭; 및
    제 1 표면, 상기 피가공물 부근에 위치한 제 2 표면, 및 상기 갭을 빠져나오는 액침액을 수집하기 위한 표면들 사이에 연장된 복수의 통로를 가지며, 상기 갭에 인접하게 위치결정되는 운반 영역을 포함하는, 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 운반 영역은 상기 갭을 실질적으로 둘러싸는, 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 액침액을 상기 운반 영역을 통하여 밀어내도록 동작하는 압력 차이를 상기 운반 영역 양단에 생성하는 유체 제거 시스템을 더 포함하는, 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 유체 제거 시스템은 상기 제 1 표면의 압력이 상기 제 2 표면의 압력 보다 낮도록 상기 제 1 표면의 압력을 제어하는, 장치.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 갭 내의 압력을 제어하기 위한 압력 제어기를 더 포함하는, 장치.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 액침액에 의해 쉽게 흡수되지 않는 제어 유체를 상기 갭으로 전달하는 제어 압력 소스를 더 포함하는, 장치.
  16. 피가공물을 유지하도록 구성된 스테이지;
    이미지를 규정하는 레티클을 유지하도록 구성된 레티클 스테이지;
    조사 소스 및 광학 소자를 포함하며, 상기 피가공물 상의 노광 영역으로 상기 레티클에 의해 규정되는 이미지를 투영하도록 구성된 투영 시스템;
    액침액으로 채워지도록 구성된, 상기 광학 소자와 상기 피가공물 사이의 갭;
    상기 피가공물로부터 떨어져 위치결정되는 제 1 표면, 상기 피가공물에 인접하게 위치결정되는 제 2 표면, 및 상기 갭을 빠져나오는 액침액을 수집하기 위한 복수의 통로를 포함하며, 상기 갭에 인접하게 위치결정되는, 운반 영역; 및
    상기 운반 영역과 유체 소통되며, 상기 표면들 사이의 상기 운반 영역 양단에 압력 차이를 유지하는 유제 제거 시스템을 포함하는, 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 운반 영역은 상기 갭을 실질적으로 둘러싸는, 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 운반 영역은 모세관 작용에 의해 액침액을 수집하는 다공성 재료를 포함하는, 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 다공성 재료는 심지 또는 메시 재료 중 하나를 포함하는, 장치.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 유체 제거 시스템은 상기 제 1 표면 부근의 압력을 상기 제 2 표면의 압력보다 낮게 유지하는, 장치.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 운반 영역은 상기 표면들 사이의 상기 운반 영역을 통하여 연장되는 복수의 이격된 운반 개구부를 포함하는, 장치.
  22. 피가공물에 이미지를 전사하는 방법에 있어서,
    레티클 스테이지를 이용하여 레티클을 유지하는 단계;
    상기 피가공물 상에 상기 이미지를 투영하는 광학 어셈블리를 제공하는 단계;
    상기 광학 어셈블리로부터 갭을 두고 배치된 상기 피가공물을 스테이지를 이용하여 유지하는 단계;
    액침액을 상기 갭으로 제공하는 단계; 및
    상기 갭을 빠져나오는 액침액을 수집하기 위한 복수의 통로를 포함하는 다공성 재료를 상기 갭에 인접하게 위치결정하는 단계를 포함하는, 이미지 전사 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    압력 시스템을 이용하여 상기 다공성 재료를 통하여 상기 액침액을 밀어내도록 동작하는 압력 차이를 상기 다공성 재료 양단에 생성하는 단계를 더 포함하는, 이미지 전사 방법.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 다공성 재료의 복수의 통로는 상기 갭을 빠져나오는 상기 액침액을 수집하기 위해 모세관 작용에 의해 도움을 받는, 이미지 전사 방법.
  25. 이미지를 피가공물에 전사하는 방법에 있어서,
    레티클 스테이지를 이용하여 레티클을 유지하는 단계;
    상기 피가공물 상에 상기 이미지를 투영하는 광학 어셈블리를 제공하는 단계;
    상기 광학 어셈블리로부터 갭을 두고 배치되는 피가공물을 스테이지를 이용하여 유지하는 단계;
    액침액을 상기 갭에 제공하는 단계; 및
    상기 피가공물로부터 떨어져 위치결정되는 제 1 표면, 상기 피가공물에 인접하게 위치결정되는 제 2 표면, 및 상기 갭을 빠져나오는 액침액을 수집하기 위해 표면들 사이에 연장되는 복수의 통로를 포함하는 운반 영역을 상기 갭에 인접하게 위치결정하는 단계를 포함하는, 이미지 전사 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    압력 시스템을 이용하여 상기 운반영역을 통하여 상기 액침액을 밀어내도록 동작하는 압력 차이를 상기 운반 영역 양단에 생성하는 단계를 더 포함하는, 이미지 전사 방법.
  27. 피가공물에 이미지를 전사하는 방법에 있어서,
    레티클 스테이지를 이용하여 레티클을 유지하는 단계;
    상기 피가공물 상에 상기 이미지를 투영하는 광학 어셈블리를 제공하는 단계;
    상기 광학 어셈블리로부터 갭을 두고 배치되는 상기 피가공물을 스테이지를 이용하여 유지하는 단계;
    액침액을 상기 갭에 제공하는 단계;
    상기 피가공물로부터 떨어져 위치결정되는 제 1 표면, 상기 피가공물에 인접하게 위치결정되는 제 2 표면, 및 상기 갭을 빠져나오는 액침액을 수집하기 위한 복수의 통로를 포함하는 운반 영역을 상기 갭에 인접하게 위치결정하는 단계; 및
    상기 표면들 사이의 상기 운반 영역 양단에 압력 차이를 생성하는 단계를 포함하는, 이미지 전사 방법.
  28. 피가공물을 유지하도록 구성된 스테이지;
    조사 소스 및 광학 소자를 포함하며, 리소그래피 공정에서 상기 피가공물 상의 노광 영역에 이미지를 투영하도록 구성된 투영 시스템;
    액침액으로 채워지도록 구성되며, 상기 리소그래피 공정에서 상기 광학 소자와 상기 피가공물 사이에 규정된 갭; 및
    상기 갭 내의 상기 액침액을 수집하는 심지 구조를 가지며, 상기 갭에 인접하게 위치결정되는 운반 영역을 포함하는, 액침 리소그래피 장치.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 운반 영역은 다공성 재료를 포함하는, 액침 리소그래피 장치.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 액침액은 모세관력을 이용하여 상기 운반 영역으로 인출되는, 액침 리소그래피 장치.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 운반 영역은 상기 모세관력이 상기 액침액을 상기 운반 영역으로 인출하도록 충분히 작은 통로들을 가지는, 액침 리소그래피 장치.
  32. 제 28 항에 있어서,
    상기 운반 영역은 상기 모세관력이 상기 액침액을 상기 운반 영역으로 인출하도록 충분히 작은 통로들을 가지는, 액침 리소그래피 장치.
  33. 제 28 항에 있어서,
    상기 운반 영역은 상기 갭을 실질적으로 둘러싸는, 액침 리소그래피 장치.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 운반 영역은 상기 액침액이 누출되는 것을 방지하는, 액침 리소그래피 장치.
  35. 제 33 항에 있어서,
    상기 운반 영역의 내부에 배열되며, 상기 액침액을 공급하는 공급 노즐을 더 포함하는, 액침 리소그래피 장치.
  36. 제 28 항에 있어서,
    상기 운반 영역을 통하여 상기 액침액을 밀어내는 유체 제거 시스템을 더 포함하는, 액침 리소그래피 장치.
  37. 리소그래피 공정을 이용하여 마이크로-디바이스를 제조하는 디바이스 제조 방법으로서,
    상기 리소그래피 공정은 제 28 항에 기재된 액침 리소그래피 장치를 이용하는, 디바이스 제조 방법.



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Families Citing this family (193)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI251127B (en) 2002-11-12 2006-03-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4529433B2 (ja) * 2002-12-10 2010-08-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
WO2004053956A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
KR20050062665A (ko) 2002-12-10 2005-06-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
US7948604B2 (en) 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
JP4362867B2 (ja) 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101037057B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
EP1598855B1 (en) 2003-02-26 2015-04-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, and method of producing apparatus
EP1610361B1 (en) 2003-03-25 2014-05-21 Nikon Corporation Exposure system and device production method
KR101176817B1 (ko) 2003-04-07 2012-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
WO2004093159A2 (en) 2003-04-09 2004-10-28 Nikon Corporation Immersion lithography fluid control system
KR101238142B1 (ko) 2003-04-10 2013-02-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
KR101724117B1 (ko) 2003-04-10 2017-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
KR101129213B1 (ko) 2003-04-10 2012-03-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
EP2887143B1 (en) 2003-04-11 2016-11-02 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
SG189557A1 (en) 2003-04-11 2013-05-31 Nikon Corp Cleanup method for optics in immersion lithography
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060009356A (ko) 2003-05-15 2006-01-31 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TW201415536A (zh) 2003-05-23 2014-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
TWI616932B (zh) 2003-05-23 2018-03-01 Nikon Corp Exposure device and component manufacturing method
KR101618419B1 (ko) 2003-05-28 2016-05-04 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261741A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101940892B1 (ko) 2003-06-13 2019-01-21 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR101148810B1 (ko) 2003-06-19 2012-05-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1491956B1 (en) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060027832A (ko) 2003-07-01 2006-03-28 가부시키가이샤 니콘 광학 엘리먼트로서 동위원소적으로 특정된 유체를 사용하는방법
EP2843472B1 (en) 2003-07-08 2016-12-07 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4844123B2 (ja) 2003-07-09 2011-12-28 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
ATE513309T1 (de) 2003-07-09 2011-07-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
CN102854755A (zh) * 2003-07-09 2013-01-02 株式会社尼康 曝光装置
EP3346485A1 (en) 2003-07-25 2018-07-11 Nikon Corporation Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method
KR101599649B1 (ko) 2003-07-28 2016-03-14 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101303536B (zh) 2003-08-29 2011-02-09 株式会社尼康 曝光装置和器件加工方法
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101308826B1 (ko) 2003-09-03 2013-09-13 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1670043B1 (en) 2003-09-29 2013-02-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
WO2005036623A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005136364A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR101361892B1 (ko) 2003-10-08 2014-02-12 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
TWI553701B (zh) 2003-10-09 2016-10-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus and exposure method, component manufacturing method
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
KR101121260B1 (ko) 2003-10-28 2012-03-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스의 제조 방법
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
KR101682884B1 (ko) 2003-12-03 2016-12-06 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품
DE602004030481D1 (de) 2003-12-15 2011-01-20 Nippon Kogaku Kk Bühnensystem, belichtungsvorrichtung und belichtungsverfahren
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005191394A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
EP1706793B1 (en) * 2004-01-20 2010-03-03 Carl Zeiss SMT AG Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7697110B2 (en) 2004-01-26 2010-04-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101377815B1 (ko) 2004-02-03 2014-03-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101253355B1 (ko) 2004-03-25 2013-04-11 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005104195A1 (ja) 2004-04-19 2005-11-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101368523B1 (ko) 2004-06-04 2014-02-27 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템
WO2005119742A1 (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US20070103661A1 (en) * 2004-06-04 2007-05-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
CN101819386B (zh) 2004-06-09 2013-10-09 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
US8508713B2 (en) 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8482716B2 (en) 2004-06-10 2013-07-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8373843B2 (en) 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8717533B2 (en) 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20080068567A1 (en) 2004-06-10 2008-03-20 Hiroyuki Nagasaka Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101433491B1 (ko) 2004-07-12 2014-08-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4983257B2 (ja) 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
US7701550B2 (en) * 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1801850B1 (en) * 2004-09-17 2014-11-26 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
TW201804516A (zh) 2004-09-17 2018-02-01 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
US7522261B2 (en) * 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100533662C (zh) 2004-11-01 2009-08-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602006012746D1 (de) 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
KR101942138B1 (ko) 2005-01-31 2019-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
CN102262361B (zh) 2005-02-10 2013-12-25 Asml荷兰有限公司 曝光装置和曝光方法
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100445872C (zh) * 2005-05-09 2008-12-24 浙江大学 浸没式光刻系统中的液体传送及气密封装置
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751026B2 (en) * 2005-08-25 2010-07-06 Nikon Corporation Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography
WO2007026573A1 (ja) * 2005-08-29 2007-03-08 Mitsui Chemicals, Inc. 液浸式露光用液体および液浸式露光方法
US20070058263A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and methods for immersion lithography
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1962328B1 (en) 2005-11-14 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR20080108341A (ko) * 2006-04-03 2008-12-12 가부시키가이샤 니콘 액침 액체에 대해 소용매성인 입사면 및 광학 윈도우
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI439813B (zh) * 2006-05-10 2014-06-01 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
KR101565275B1 (ko) 2006-08-31 2015-11-02 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI590005B (zh) 2006-08-31 2017-07-01 尼康股份有限公司 Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101604246B1 (ko) 2006-08-31 2016-03-17 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 시스템 및 이동체 구동 방법, 패턴 형성 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 디바이스 제조 방법, 그리고 결정 방법
TWI623825B (zh) 2006-09-01 2018-05-11 Nikon Corp 曝光裝置及方法、以及元件製造方法
TWI596656B (zh) 2006-09-01 2017-08-21 尼康股份有限公司 Moving body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, element manufacturing method, and correction method
US7826030B2 (en) * 2006-09-07 2010-11-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5029870B2 (ja) * 2006-11-13 2012-09-19 株式会社ニコン 露光方法及び装置、液浸部材、露光装置のメンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US20080156356A1 (en) * 2006-12-05 2008-07-03 Nikon Corporation Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US8004651B2 (en) 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US20080225248A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Nikon Corporation Apparatus, systems and methods for removing liquid from workpiece during workpiece processing
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US20080231823A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Nikon Corporation Apparatus and methods for reducing the escape of immersion liquid from immersion lithography apparatus
US8134685B2 (en) 2007-03-23 2012-03-13 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US7763869B2 (en) * 2007-03-23 2010-07-27 Asm Japan K.K. UV light irradiating apparatus with liquid filter
US8068209B2 (en) * 2007-03-23 2011-11-29 Nikon Corporation Nozzle to help reduce the escape of immersion liquid from an immersion lithography tool
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US9013672B2 (en) 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8300207B2 (en) * 2007-05-17 2012-10-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method
US20090122282A1 (en) * 2007-05-21 2009-05-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion system, exposing method, and device fabricating method
US7576833B2 (en) 2007-06-28 2009-08-18 Nikon Corporation Gas curtain type immersion lithography tool using porous material for fluid removal
US7966743B2 (en) * 2007-07-31 2011-06-28 Eastman Kodak Company Micro-structured drying for inkjet printers
JP4533416B2 (ja) * 2007-09-25 2010-09-01 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
SG151198A1 (en) 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
US8289497B2 (en) 2008-03-18 2012-10-16 Nikon Corporation Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
US8233139B2 (en) * 2008-03-27 2012-07-31 Nikon Corporation Immersion system, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
KR20110018332A (ko) * 2008-04-30 2011-02-23 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 패턴 형성 장치, 노광 장치, 스테이지 구동 방법, 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US9176393B2 (en) 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
JP2010098172A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Canon Inc 液体回収装置、露光装置及びデバイス製造方法
US8634055B2 (en) * 2008-10-22 2014-01-21 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
US8477284B2 (en) * 2008-10-22 2013-07-02 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
NL2005207A (en) 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20110222031A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
NL2008979A (en) * 2011-07-11 2013-01-14 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US9268231B2 (en) * 2012-04-10 2016-02-23 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
JP6008783B2 (ja) * 2013-04-03 2016-10-19 日本航空電子工業株式会社 コネクタ
US9405287B1 (en) * 2015-07-22 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for optical calibration of wafer placement by a robot
JP6534318B2 (ja) * 2015-09-02 2019-06-26 アズビル株式会社 蛍光粒子の計測方法
US10948830B1 (en) 2019-12-23 2021-03-16 Waymo Llc Systems and methods for lithography

Family Cites Families (230)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE224448C (ko)
DE221563C (ko)
US767963A (en) * 1903-10-22 1904-08-16 Herman F W Schleckser Fob, charm, or locket.
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
US4441808A (en) 1982-11-15 1984-04-10 Tre Semiconductor Equipment Corp. Focusing device for photo-exposure system
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US4837443A (en) 1987-10-15 1989-06-06 The Perkin-Elmer Corporation Guard ring for a differentially pumped seal apparatus
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JP3374413B2 (ja) * 1992-07-20 2003-02-04 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3212199B2 (ja) 1993-10-04 2001-09-25 旭硝子株式会社 平板型陰極線管
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5707535A (en) * 1996-01-11 1998-01-13 Harris; Ronald B. Vacuum loadable divided phase separator for liquid/solid separation
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3227595B2 (ja) * 1996-08-20 2001-11-12 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
US6104687A (en) * 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
CN1144263C (zh) 1996-11-28 2004-03-31 株式会社尼康 曝光装置以及曝光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP3728613B2 (ja) * 1996-12-06 2005-12-21 株式会社ニコン 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置
EP0890136B9 (en) 1996-12-24 2003-12-10 ASML Netherlands B.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
US6262796B1 (en) 1997-03-10 2001-07-17 Asm Lithography B.V. Positioning device having two object holders
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US20010003028A1 (en) 1997-09-19 2001-06-07 Nikon Corporation Scanning Exposure Method
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
US6675173B1 (en) * 1998-01-22 2004-01-06 Ori Software Development Ltd. Database apparatus
JPH11260791A (ja) * 1998-03-10 1999-09-24 Toshiba Mach Co Ltd 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置
AU2747999A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
US5997963A (en) * 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
US6430527B1 (en) * 1998-05-06 2002-08-06 Avici Systems Prefix search circuitry and method
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000076707A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Sony Corp 光学記録媒体作製用原盤記録装置
AU5447499A (en) 1998-09-03 2000-03-27 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device and method for producing the same
FI982095A7 (fi) * 1998-09-29 2000-03-30 Nokia Corp Menetelmä muistin toteuttamiseksi ja muistijärjestely
EP1052552A3 (en) 1999-04-19 2003-03-12 ASML Netherlands B.V. Gas bearings for use with vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP3653198B2 (ja) * 1999-07-16 2005-05-25 アルプス電気株式会社 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
TWI264617B (en) * 1999-12-21 2006-10-21 Asml Netherlands Bv Balanced positioning system for use in lithographic apparatus
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) * 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP3630054B2 (ja) 2000-01-11 2005-03-16 松下電器産業株式会社 プリント配線板の製造装置およびそれを用いたプリント配線板の製造方法
TW579664B (en) 2000-01-11 2004-03-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Apparatus and method for manufacturing printed circuit board
US6697363B1 (en) * 2000-06-28 2004-02-24 Alcatel Canada Inc. Method and apparatus for longest matching prefix determination in a communication network
US6488040B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
US7000622B2 (en) 2002-09-30 2006-02-21 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
JP2002134384A (ja) 2000-10-20 2002-05-10 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US20020080339A1 (en) * 2000-12-25 2002-06-27 Nikon Corporation Stage apparatus, vibration control method and exposure apparatus
JP2002200453A (ja) * 2000-12-28 2002-07-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 塗布装置および塗布方法
US6731372B2 (en) 2001-03-27 2004-05-04 Nikon Corporation Multiple chamber fluid mount
US20020163629A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US7032658B2 (en) 2002-01-31 2006-04-25 Smart Drilling And Completion, Inc. High power umbilicals for electric flowline immersion heating of produced hydrocarbons
JP2003124180A (ja) 2001-10-16 2003-04-25 Ebara Corp 基板処理装置
US6811613B2 (en) 2001-11-26 2004-11-02 Tokyo Electron Limited Coating film forming apparatus
US6764386B2 (en) * 2002-01-11 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Air bearing-sealed micro-processing chamber
US6907890B2 (en) * 2002-02-06 2005-06-21 Akrion Llc Capillary drying of substrates
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US6694323B2 (en) * 2002-04-25 2004-02-17 Sybase, Inc. System and methodology for providing compact B-Tree
WO2004019128A2 (en) 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6934252B2 (en) * 2002-09-16 2005-08-23 North Carolina State University Methods and systems for fast binary network address lookups using parent node information stored in routing table entries
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6988327B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7520285B2 (en) 2002-09-30 2009-04-21 Lam Research Corporation Apparatus and method for processing a substrate
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7240679B2 (en) * 2002-09-30 2007-07-10 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
EP2495613B1 (en) * 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI251127B (en) * 2002-11-12 2006-03-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) * 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101470360B (zh) * 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
JP4362867B2 (ja) 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US6992750B2 (en) * 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
KR20050062665A (ko) * 2002-12-10 2005-06-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
WO2004053956A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
WO2004055803A1 (en) 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
GB0229345D0 (en) * 2002-12-17 2003-01-22 Safe T Ltd Hollow needle applicators
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
WO2004057589A1 (en) 2002-12-19 2004-07-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
EP1584089B1 (en) 2002-12-19 2006-08-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
SG107157A1 (en) * 2002-12-19 2004-11-29 Asml Holding Nv Liquid flow proximity sensor for use in immersion lithography
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
TWI247339B (en) 2003-02-21 2006-01-11 Asml Holding Nv Lithographic printing with polarized light
JP4352930B2 (ja) 2003-02-26 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
EP1598855B1 (en) 2003-02-26 2015-04-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, and method of producing apparatus
US7206059B2 (en) * 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
EP1610361B1 (en) 2003-03-25 2014-05-21 Nikon Corporation Exposure system and device production method
KR101176817B1 (ko) * 2003-04-07 2012-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
WO2004093159A2 (en) 2003-04-09 2004-10-28 Nikon Corporation Immersion lithography fluid control system
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
KR101129213B1 (ko) 2003-04-10 2012-03-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로
KR101724117B1 (ko) 2003-04-10 2017-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
KR101238142B1 (ko) 2003-04-10 2013-02-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
EP2887143B1 (en) 2003-04-11 2016-11-02 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
SG189557A1 (en) 2003-04-11 2013-05-31 Nikon Corp Cleanup method for optics in immersion lithography
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4146755B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4025683B2 (ja) * 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
EP2270599A1 (en) 2003-05-13 2011-01-05 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW201415536A (zh) 2003-05-23 2014-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
JP2004349645A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4084710B2 (ja) * 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) * 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
KR101148810B1 (ko) 2003-06-19 2012-05-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) * 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) * 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
KR20060027832A (ko) 2003-07-01 2006-03-28 가부시키가이샤 니콘 광학 엘리먼트로서 동위원소적으로 특정된 유체를 사용하는방법
CN102854755A (zh) 2003-07-09 2013-01-02 株式会社尼康 曝光装置
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7299235B2 (en) * 2003-07-28 2007-11-20 Rightorder, Incorporated Method and apparatus for ternary PATRICIA trie blocks
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101308826B1 (ko) 2003-09-03 2013-09-13 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
EP1519230A1 (en) 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4513299B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4515209B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
JP2005159322A (ja) 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
JP4747263B2 (ja) 2003-11-24 2011-08-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー オブジェクティブにおける光学素子のための保持装置
US7545481B2 (en) * 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005166776A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Canon Inc 液浸露光装置
US7125652B2 (en) * 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP5106858B2 (ja) 2003-12-15 2012-12-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ
KR100965330B1 (ko) 2003-12-15 2010-06-22 칼 짜이스 에스엠티 아게 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈
US7017334B2 (en) * 2003-12-18 2006-03-28 United Technologies Corporation Compact fastening collar and stud for connecting walls of a nozzle liner and method associated therewith
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
JP2005183744A (ja) 2003-12-22 2005-07-07 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN102830487A (zh) * 2004-01-14 2012-12-19 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
KR101099847B1 (ko) 2004-01-16 2011-12-27 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
EP1706793B1 (en) 2004-01-20 2010-03-03 Carl Zeiss SMT AG Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
JP2007520893A (ja) * 2004-02-03 2007-07-26 ロチェスター インスティテュート オブ テクノロジー 流体を使用したフォトリソグラフィ法及びそのシステム
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005081067A1 (en) 2004-02-13 2005-09-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
US20050205108A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) * 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) * 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) * 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1756663B1 (en) 2004-06-17 2015-12-16 Nikon Corporation Fluid pressure compensation for immersion lithography lens
US7057702B2 (en) 2004-06-23 2006-06-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7426014B2 (en) 2004-07-01 2008-09-16 Nikon Corporation Dynamic fluid control system for immersion lithography
US7693850B2 (en) * 2004-07-19 2010-04-06 Rightorder, Inc. Method and apparatus for adding supplemental information to PATRICIA tries
US7701550B2 (en) * 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355674B2 (en) 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7161654B2 (en) 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7265813B2 (en) 2004-12-28 2007-09-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

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