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JP4541129B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は液晶表示装置に関し、特に回位(disclination)を防止して開口率を向上させることができる液晶表示装置に関する。
液晶表示装置(Liquid Crystal Display Device)は低電圧駆動、低消費電力、軽薄短小、フルカラー具現等の長所を有する。これによって、液晶表示装置は、時計及び電卓の表示窓、コンピューターのモニター、テレビセット用モニター、TV及び端末機用ディスプレーとして頻繁に用いられている。
TN(Twisted Nematic)モード液晶表示装置は光視野角(viewing angle)が狭いという問題点がある。これによって、最近はこのような光視野角を広げることができる技術等が研究されている。光視野角を広げることができる技術ではIPS(In Plane Switching)モード液晶表示装置とVA(Vertical Alignment)モード液晶表示装置がある。
IPSモード液晶表示装置は、TFT基板上に画素電極と共通電極を形成することで光視野角を広げる。この時、液晶は横方向の横電界によって駆動される。しかし、このようなIPSモード液晶表示装置はその構造特性上開口率が低くなる問題点があった。
一方、VAモード液晶表示装置は負(−)の誘電率異方性を持つネガティブ型液晶を利用する。すなわち、電圧が印加されない状態では液晶分子の長軸方向が配向膜(alignment layer)平面に垂直に配列し、電圧が印加されれば液晶分子が配向膜平面に平行に配列する性質を利用して、光の透過度を調節することで画像を表示する。
このようなVAモード液晶表示装置では、基板上に補助電極、電界誘導窓(electric field guide window)及び誘電体突起(dielectric rib)を形成して液晶層に印加される電界を歪曲させ、このように歪曲された電界によって液晶分子の方向子を望む方向に配向させることで、光視野角を広げることができる。
図１は従来のVAモード液晶表示装置の単位画素の平面図で、図２は図１のＩ-Ｉ'ラインの断面図である。図１及び図２で、従来のVAモード液晶表示装置は、第１及び第２基板(１、２)、第１基板(１)上に縦横に形成されて画素領域を定義するゲートライン(７)及びデータライン(９)と、前記画素領域に形成された電界誘導窓(electric field guide window、１４)によって多数個に分離した画素電極(１３)と、前記ゲートライン(７)と同一層に形成された補助電極(１１)と、前記ゲートライン(７)を含んだ前記第１基板(１)上に形成されたゲート絶縁膜(gate insulating layer、３)と、前記データライン(９)を含む前記ゲート絶縁膜(３)上に形成された保護層(passivation layer、５)と、前記第２基板(２)上に形成されるブラックマトリックス(black matrix)層(４)と、前記ブラックマトリックス(４)を含む前記第２基板(２)上に形成されたカラーフィルター層(６)と、前記カラーフィルター層(６)上に形成された共通電極(８)と、前記共通電極(８)上に形成された誘電体突起(dielectric rib、１０)と、前記第１基板(１)と第２基板(２)の間に挿入された液晶層(２０)と、前記画素電極(１３)を含む保護層(５)上に形成された第１配向膜(１５)と、前記共通電極(８)上に形成された第２配向膜(１２)とを具備する。
この時、前記第１配向膜(１５)及び前記第２配向膜(１２)をポリアミド(polyamide)又はポリイミド(polyimide)界化合物、PVA(polyvinylalcohol)、ポリアミック酸(polyamic acid)等の物質を利用して配向処理することができる。この時、前記第１配向膜(１５)又は前記第２配向膜(１２)のうちの一つの配向膜には、多数の方向に配向処理されたマルチドメインを形成することができる。このようにマルチドメインで配向処理された液晶表示装置をMVA(Multi-domain Vertical Alignment)モード液晶表示装置と言う。以下で説明されるVAモード液晶表示装置はMVAモード液晶表示装置を意味する。
このような従来のVAモード液晶表示装置においては、第１基板(１)上に形成された画素電極(１３)と第２基板(２)上に形成された共通電極(８)に電場が形成される時、電界誘導窓(１４)及び誘電体突起(１０)によってフリンジフィールド(fringe field)が形成され、液晶分子が前記フリンジフィールドによってお互いに相違するように配向されることで、視野角を補償する。この時、前記第１基板(１)上に形成された補助電極(１１)に印加された電圧によって前記液晶分子の配向角度や方向を制御することができる。
しかし、従来のVAモード液晶表示装置では電界誘導窓(１４)又は誘電体突起(１０)で回位(disclination)が発生するようになる。これによって、回位が発生した部分では望む画像が表示されなくなって画質品位を落とす問題点があった。
又、従来のVAモード液晶表示装置では、電界誘導窓(１４)と誘電体突起(１０)の間の間隔が狭い(おおよそ２５μm)ために開口率が悪くなり、安定的なテクスチャ(texture)を得難い問題点があった。
本発明は、反射領域と透過領域のセルギャップ差による段差を利用して回位を防止し、開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
前記目的を果たすための本発明の望ましい一実施例によれば、液晶表示装置は、ゲートラインとデータラインによって画素領域が定義され、前記画素領域を反射領域と透過領域に区切り、前記透過領域に電界誘導窓が形成され、前記画素領域に画素電極が形成され、前記反射領域と前記透過領域の境界に所定の段差部が形成された第１基板と、前記第１基板と対向されて配置され、前記電界誘導窓から所定距離に間隔を置いて誘電体突起が形成された第２基板と、前記第１及び第２基板の間に挿入された液晶層とを含む。
前記電界誘導窓を前記透過領域の中心部分に形成することができる。
前記透過領域でのセルギャップは前記反射領域でのセルギャップより大きいことが望ましい。
前記段差部を前記反射領域に対応する画素電極の下部に形成された段差層によって形成することができる。
前記段差層を前記画素領域当たり少なくとも２個以上形成することができる。
前記段差層を前記電界誘導窓の左右に対称的に形成することができる。
前記電界誘導窓によって前記画素電極を２部分以上に分離することができる。
前記反射領域に対応する画素電極の上及び前記反射領域と前記透過領域の間の境界面には反射板を形成することができる。
前記誘電体突起は前記電界誘導窓からおおよそ３０−７０μｍであることが望ましい。このように誘電体突起と電界誘導窓の間の距離を広く形成することで、開口率を向上することができる。
前記誘電体突起を前記反射領域に形成された画素電極に対応するように形成することができる。
お互いに相違している方向に配向された多数のドメイン等を持つ第１及び第２配向膜を前記第１基板及び前記第２基板のそれぞれに形成することができる。
前記画素領域には一つの透過領域と少なくとも２個以上の反射領域を区画することができる。
前記段差部で発生されたフリンジフィールドは前記電界誘導窓と前記段差部の間に発生されたフリンジフィールドを等しい方向に誘導して、液晶等の方向が両フリンジフィールド領域で等しくなる。
前記段差部で発生されたフリンジフィールドは前記段差部と前記誘電体突起の間に発生されたフリンジフィールドを等しい方向に誘導して、液晶等の方向が両フリンジフィールド領域で等しくなる。
前記電界誘導窓で発生されたフリンジフィールドは前記電界誘導窓と前記誘電体突起の間に発生されたフリンジフィールドを等しい方向に誘導して、液晶等の方向が両フリンジフィールド領域で等しくなる。
本発明によれば、電界誘導窓が形成された透過領域と誘電体突起が形成された反射領域の間の境界に段差部を形成することで、段差部で形成されたフリンジフィールドを利用して回位が発生することを防止できる。
さらに本発明によれば、電界誘導窓と誘電体突起との間の間隔を広く形成することで、開口率を向上させることができる。
さらに本発明によれば、フリーチルトを持つようになってより安定的なテクスチャを具現することができる。
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を説明する。
本発明は、回位の発生だけではなく開口率悪化による画質低下の問題を解決するためのものとして、光透過液晶表示装置に使われる反射領域と透過領域を利用する。
図３は本発明の望ましい一実施例によるVAモード液晶表示素子の単位画素の平面図で、図４は図３のII-II'の断面図である。
図３及び図４で、本発明のVAモード液晶表示装置は、ゲートライン(１０７)とデータライン(１０９)によって画素領域が定義され、前記画素領域を光を反射させる反射領域(r)と光を透過させる透過領域(t)に区切り、前記透過領域(t)に電界誘導窓(１１４)が形成され、前記画素領域に画素電極(１１３)が形成され、そして前記反射領域(r)と前記透過領域(t)との境界に所定の段差部が形成された第１基板(１０１)と、前記第１基板(１０１)と対向されて配置され、前記電界誘導窓(１１４)から所定距離に間隔を置いた誘電体突起(１１０)が形成された第２基板(１０２)と、前記第１及び第２基板(１０１、１０２)の間に挿入された液晶層(１２０)を具備する。
前記第１基板(１０１)上にはゲートライン(１０７)と薄膜トランジスターを構成するゲート電極(未図示)が形成され、前記ゲートライン(１０７)を含んだ前記第１基板(１０１)上にゲート絶縁膜(gate insulating layer、１０３)が形成される。前記ゲート絶縁膜(１０３)上にデータライン(１０９)と前記薄膜トランジスターを構成するソース/ドレーン電極(未図示)が形成され、前記データライン(１０９)を含む前記第１基板(１０１)上に保護層(passivation layer、１０５)が形成される。ここで、前記薄膜トランジスターをゲート電極、ソース/ドレーン電極及び活性層(active layer, 未図示)で構成することができる。前記ゲート絶縁膜(１０３)とペシベイション膜(１０５)をBCB(BenzoCycloButene)、アクリル樹脂(acrylic resin)、ポリアミド(polyamide)化合物、 SiNx、又はSiOx等の物質で形成することが望ましい。ここまでの説明は一般的に広く公知されたことがある。
本発明は、前に説明したように、反射領域(r)と透過領域(t)との間の境界に所定の段差部(G)が形成される。すなわち、前記段差部(G)を前記電界誘導窓(１１４)の左右に対称的に形成することができる。言い換えれば、前記電界誘導窓(１１４)が存在すれば、前記電界誘導窓(１１４)の周辺で２個の段差部(G)を対称的に形成することができる。このように段差部(G)を形成することは電界誘導窓(１１４)と誘電体突起(１１０)でそれぞれ発生する回位(disclination)を防止するためである。
このような段差部(G)を形成するために、反射領域(r)に対応する前記保護層(１０５)上に前記段差部(G)の厚さと等しい段差層(１１８)を形成する。この時、透過領域(t)に対応する前記保護層(１０５)上には段差層(１１８)が形成されない。これによって、透過領域(t)と反射領域(r)の間の境界で前記段差部(G)を形成することができる。故に、前記段差部(G)の厚さは前記段差層(１１８)の厚さと等しくなる。
この時、前記段差層(１１８)を画素領域当たり少なくとも２個以上形成することができる。そして、このような段差層(１１８)は反射領域(r)に対応するようになる。従って、一つの画素領域には一つの透過領域(t)と少なくとも２個以上の反射領域(r)に区画することができる。
前記段差層(１１８)を含んだ前記第１基板(１０１)上に画素電極(１１３)を形成する。この時、前記画素電極(１１３)が前記段差層(１１８)を完全に覆って透過領域(t)の中心部分まで延長形成される。この時、画素電極(１１３)は前記電界誘導窓(１１４)によって分離するようになる。すなわち、前記電界誘導窓(１１４)には画素電極(１１３)が存在しなくなる。これによって、前記電界誘導窓(１１４)は前記画素電極(１１３)の厚さ程度凹んだ形に形成される。又、前記電界誘導窓(１１４)によって隣接する画素電極等の間が分離されるようになる。従って、一つの画素領域には少なくとも２個以上の画素電極を形成することができる。この時、前記電界誘導窓(１１４)によって分離された隣接する画素電極等はお互いに間に連結されるのが望ましい。前記画素電極(１１３)をITO(indium tin oxide)又はIZO(indium zinc oxide)で形成することができる。このような場合、前記電界誘導窓(１１４)はその数が増加されるほど応答特性、駆動電圧等の表示素子特性が向上するが、それと同時に開口率の減少を伴うので、適切な調節が要求される。
前記透過領域(t)で前記電界誘導窓(１１４)を除いた残り部分には画素電極が形成されることが望ましい。
前記反射領域(r)に対応する前記画素電極上そして前記反射領域(r)と前記透過領域(t)との間の境界面に反射板(１１６)が形成される。この時、前記反射板(１１６)は反射モードの時入射された周辺光(ambient light)を全て反射させて前記第２基板(１０２)に進行するようにする。
前記反射板(１１６)を含む前記第１基板(１０１)上にはお互いに相違する方向に配向された多数のドメイン等を持つ第１配向膜(１１５)が形成される。ここで、多数のドメイン等を通常「マルチドメイン」と呼ぶ。このようなマルチドメインによって液晶分子等を予めお互いに相違した方向に配向することができる。
この時、前記透過領域(t)と反射領域(r)との間に光が進行する距離の差を減らすために、前記透過領域(t)のセルギャップを反射領域(r)のセルギャップのおおよそ２倍程度大きくする。
一般的に,液晶の位相差値(δ)は、
δ= Δn ・ｄ
によって得られる。
δは液晶の位相差値で、Δnは液晶の屈折率で、ｄはセルギャップである。これによって、光の反射を利用する反射モードと光の透過を利用する透過モード間には光効率の差が発生するようになる。このような光効率の差を減らすために、透過領域(t)のセルギャップ(ｄ１)を反射領域(r)のセルギャップ(ｄ２)より大きくして、これに従って液晶層(３２０)の位相差値を一定に維持することができる。
従って、段差部(G)の厚さは透過領域(t)のセルギャップの半分程度であることが望ましい。このように段差部(G)の厚さが透過領域(t)のセルギャップの半分程度とすれば、前記段差部(G)の厚さ位に前記反射領域(r)のセルギャップが小さくなる。これによって、前記透過領域(t)のセルギャップが前記反射領域(r)のセルギャップより２倍程度に大きくなり、光効率を向上させることができる。
一方、前記第２基板(１０２)上に遮光のために形成されたブラックマトリックス(１０４)が形成される。この時、前記ブラックマトリックス(１０４)は、画素領域等の間に位置し、カラーフィルター層(１０６)を経由した光が周辺に進行することを阻む。
前記ブラックマトリックス(１０４)を含む前記第２基板(１０２)上に、赤(R)サーブカラーフィルター、緑(G)サーブカラーフィルター及び青(B)サーブカラーフィルターが相互に配列されたカラーフィルター層(１０６)が形成され、前記カラーフィルター層(１０６)上に共通電圧を供給するための共通電極(１０８)が形成される。ここで、前記共通電極(１０８)はITOで形成されることが望ましい。
又、前記共通電極(１０８)上にはお互いに相違した方向に配向されたマルチドメインを有する第２配向膜(１１２)が形成される。このようなマルチドメインによって、液晶分子等を予めお互いに相違した方向に配向することができる。前記共通電極(１０８)上には前記透過領域(t)に形成された電界誘導窓(１１４)から所定距離に間隔を置いた誘電体突起(１１０)が形成される。前記誘電体突起(１１０)は前記電界誘導窓(１１４)からおおよそ３０-７０μｍ範囲であることが望ましい。より望ましいことは前記誘電体突起(１１０)と前記電界誘導窓(１１４)間の距離はおおよそ５０μｍである。
前記誘電体突起(１１０)を、前記反射領域(r)に形成された画素電極(１１３)に対応するように形成することが望ましい。従って、前記誘電体突起(１１０)を少なくとも２個以上形成する。
前記誘電体突起(１１０)の誘電率は前記液晶層(１２０)の液晶の誘電率と等しいか小さいことが望ましい。又、この時、前記誘電体突起(１１０)は感光性物質で形成されることが望ましく、より望ましいことはアクリル樹脂(photoacrylate)、又はＢＣＢ(BenzoCycloButene)で形成される。
図４で、前記液晶層(１２０)の液晶は負(−)の誘電率異方性を持つネガティブ特性を持つことが望ましい。又、前記液晶層(１２０)の液晶には電界印加によって液晶の分子配列及び光軸が連続的に形成されるようにカイラルドポント(chiral dopant)がドーピングされることが望ましい。
前記第１基板(１０１)及び第２基板(１０２)のうちの少なくとも一つの基板の外面に位相差フィルム(未図示)が形成される。前記位相差フィルムは前記基板に垂直である方向と光視野角の変化による方向の間で光視野角を補償して階調反転(gray inversion)が発生しない領域を拡大して、対角線方向でコントラスト比を高める。前記位相差フィルムを、光軸が一つであるネガティブ一軸性フィルム(negative uniaxial film)又は光軸が二つであるネガティブ二軸性フィルム(negative biaxial film)で形成することができるが、ネガティブ二軸性フィルムの方が広視野角側面であるので、ネガティブ一軸性フィルムより望ましい。
又、前記第１基板(１０１)及び第２基板(１０２)の各外面に第１及び第２偏光板(未図示)をさらに具備することができる。この時、前記第１及び第２偏光板を前記位相差フィルムと一体に形成することができる。この時、前記第１偏光板と第２偏光板の光透過軸はお互いに９０度を成す。
図５は本発明の望ましい一実施例によるＶＡモード液晶表示装置のフリンジフィールド(fringe field)方向を図示した図面である。
図５に図示されたように、画素領域が反射領域(r)と透過領域(t)とに区画される。この時、前記画素領域には一つの透過領域(t)と少なくとも２個以上の反射領域(r)が存在することができる。
前記第１基板には前記透過領域(t)中心部分に内部に凹んだ電界誘導窓(１１４)が形成されて、前記電界誘導窓(１１４)を除いた残り部分に画素電極(１１３)が形成される。この時、前記反射領域(r)の前記画素電極(１１３)の下部には所定の段差を持つ段差部(G)を形成するための段差層(１１８)が形成される。これによって、前記段差層(１１８)の厚さを有する段差部(G)が前記反射領域(r)と透過領域(t)との間の境界に形成される。又、前記反射領域(r)の画素電極(１１３)上、及び前記反射領域(r)と透過領域(t)との間の境界面には反射板(１１６)が形成される。
前記第２基板(１０２)には前記第１基板(１０１)に形成された電界誘導窓(１１４)から所定距離に間隔を置いた位置に誘電体突起(１１０)が形成される。
前記第１基板(１０１)の反射領域(r)に対応する第１配向膜(１１５)と前記第２基板(１０２)の第２配向膜(１１２)との間の第１セルギャップがｄ１で、前記第１基板(１０１)の透過領域(t)に対応する第１配向膜(１１５)と前記第２基板(１０２)の第２配向膜(１１２)との間の第２セルギャップがｄ２になる。この時、前記第１セルギャップ(ｄ１)と前記第２セルギャップ(ｄ２)との間の差が前記段差部(G)の厚さになる。
図５に図示されたように、前記第１セルギャップ(ｄ１)は前記第２セルギャップ(ｄ２)の２倍になることが望ましい。このように前記第１セルギャップ(ｄ１)を前記第２セルギャップ(ｄ２)の２倍にすることで、光の透過率が均一になり、光効率が向上する。これによって、前記段差部(G)の厚さは前記第１セルギャップの半分程度になる。
これによって、本発明では電界誘導窓(１１４)及び誘電体突起(１１０)にフリンジフィールド(fringe field)が形成される。又、本発明では前記段差部(G)でもフリンジフィールドが形成される。この時、前記電界誘導窓 (１１４)及び誘電体突起(１１０)では回位(disclination)が発生する。ここで回位は前記電界誘導窓(１１４)及び誘電体突起(１１０)によって液晶の配向が非連続的に変化することを意味する。
NW(Normally White)モードでは光が遮断される状態で回位線(disclination line)が発生するので、コントラスト比(contrast ratio)が低くなる。この点を改善するために回位線が発生する部分を遮光膜(Black Matrix)で遮る。しかし、 NB(Normally Black)モードでは明るい状態で回位線が発生し、コントラスト比が小さくなるので、敢えて遮光膜で回位線を遮る必要がない。
本発明では電界誘導窓(１１４)が形成されている透過領域(t)と誘電体突起(１１０)が形成されている反射領域(r)との境界に段差部(G)を形成することで、回位を防止することができる。すなわち、前記段差部(G)によってもフリンジフィールドが形成されることができる。これによって、前記段差部(G)で形成されたフリンジフィールドによって前記電界誘導窓(１１４)と前記段差部(G)との間に形成されたフリンジフィールドの方向を等しく誘導する一方、前記誘電体突起(１１０)と段差部(G)との間に形成されたフリンジフィールドの方向を等しく誘導することで、回位が発生しなくなる。
本発明は図面に図示された実施例を参考に説明されたが、これは例示に過ぎず、本技術分野の通常の知識を有する者であれば今後多様な変形及び均等な他の実施例が可能だという点を理解すべきである。従って、本発明の真正な技術的範囲は、添付された特許請求の範囲の記載によって決せられるものである。
従来のVAモード液晶表示装置の単位画素の平面図である。 図１のＩ-Ｉ'ラインの断面図である。 本発明の望ましい一実施例によるVAモード液晶表示素子の単位画素の平面図である。 図３のII-II'の断面図である。 本発明の望ましい一実施例によるVAモード液晶表示装置のフリンジフィールド(fringe field)方向を図示した図面である。
符号の説明
１０１ 第１基板
１０２ 第２基板
１０３ ゲート絶縁膜
１０５ 保護層
１０７ ゲートライン
１０９ データライン
１１２ 第２配向膜
１１３ 画素電極
１１４ 電界誘導窓
１１５ 第１配向膜
１１６ 反射板
１１８ 段差層
１１０ 誘電体突起
１２０ 液晶層
r 反射領域
t 透過領域
G 段差部

Claims (12)

  1. 液晶表示装置であって、
    ゲートラインとデータラインによって画素領域が定義され、前記画素領域が少なくとも２つ以上の反射領域と透過領域とで区切られている、第１基板を含み、前記第１基板は、
    前記第１基板上に形成された保護層と、
    前記保護層上で且つ前記反射領域上に形成された、前記反射領域と前記透過領域との境界に少なくとも２つ以上の段差部を形成する少なくとも２つ以上の段差層と、
    前記透過領域上に形成された電界誘導窓と、
    前記段差層上で且つ前記電界誘導窓以外の部分に形成され、前記電界誘導窓で分離された少なくとも２つ以上の画素電極と、
    前記反射領域に対応する前記画素電極上で且つ前記反射領域と前記透過領域との境界に形成された少なくとも２つ以上の反射板とを含み、前記液晶表示装置はさらに、
    前記第１基板と対向され配置された第２基板を含み、前記第２基板は、前記電界誘導窓から所定距離に間隔を置きそして前記反射領域に対応する前記第２基板の部分に形成された少なくとも２つ以上の誘電体突起を有し、そして、
    前記第１及び第２基板の間に挿入された液晶層を含み、
    前記透過領域の第１セルギャップと前記反射領域の第２セルギャップとの差が前記段差部の厚さになり、そして、
    前記電界誘導窓と前記誘電体突起とが一方向で互いに平行に形成される、液晶表示装置。
  2. 前記透過領域の前記第１セルギャップは前記反射領域の前記第２セルギャップより大きいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 前記段差層が前記画素領域ごとに形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  4. 前記段差部が前記電界誘導窓の左右に対称的に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  5. 前記誘電体突起の各々と前記電界誘導窓との間の距離は３０−７０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  6. 前記誘電体突起の各々と前記電界誘導窓との間の距離は５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  7. 前記電界誘導窓は凹んだ形を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  8. お互いに相違する方向に配向された多数のドメインを有する第１及び第２配向膜が前記第１基板及び前記第２基板にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  9. 前記液晶層の液晶は負の誘電率異方性を持つことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  10. 前記段差部の各々で発生されたフリンジフィールドは前記電界誘導窓と前記段差部の各々の間に発生されたフリンジフィールドを等しい方向に誘導して、液晶の方向が両フリンジフィールド領域で等しいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  11. 前記段差部の各々で発生されたフリンジフィールドは前記段差部の各々と前記誘電体突起の間に発生されたフリンジフィールドを等しい方向に誘導して、液晶の方向が両フリンジフィールド領域で等しいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  12. 前記電界誘導窓で発生されたフリンジフィールドは前記電界誘導窓と前記誘電体突起間に発生されたフリンジフィールドを等しい方向に誘導して、液晶の方向が両フリンジフィールド領域で等しいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
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