[go: up one dir, main page]

JP4483470B2 - 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents

酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4483470B2
JP4483470B2 JP2004229881A JP2004229881A JP4483470B2 JP 4483470 B2 JP4483470 B2 JP 4483470B2 JP 2004229881 A JP2004229881 A JP 2004229881A JP 2004229881 A JP2004229881 A JP 2004229881A JP 4483470 B2 JP4483470 B2 JP 4483470B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sputtering target
indium oxide
slurry
powder
containing indium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004229881A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006045631A (ja
Inventor
昌平 水沼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP2004229881A priority Critical patent/JP4483470B2/ja
Publication of JP2006045631A publication Critical patent/JP2006045631A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4483470B2 publication Critical patent/JP4483470B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ等の透明導電膜として広く用いられ、酸化インジウムを含有する酸化物膜を得るためのスパッタリングターゲットの製造方法に関する。
フラットパネルディスプレイ等の透明導電膜としては、低抵抗、高透過率が求められており、酸化インジウムを含有する酸化物膜がその特性に合うものとして使用されている。
特に、酸化インジウムに酸化スズを添加したITO膜は、抵抗が低く、可視光での透過率が高いために、広く用いられている。さらに近年では、酸化インジウムに酸化インジウム以外の金属酸化物を添加し、様々な特性を持った酸化インジウムを含有する酸化物膜を用いる場合が増えてきた。かかる酸化物膜の成膜には、大面積の膜を得られることから、スパッタリングによる成膜が一般的に主流であり、その成膜に際してスパッタリングターゲットを用いることが多い。
該スパッタリングターゲットは、乾式加圧成形法、鋳込み成形法など、いくつかの方法により製造されている。
これらのうち、乾式加圧成形法では、平均粒径0.5〜2μm程度の原料粉に、水、有機バインダおよび可塑剤等を混合した後に、数十〜数百μmの顆粒(造粒粉)を作製し、金型またはラバー等に充填し、一軸プレスまたはCIP(冷間静水圧プレス)を用いて、通常100〜300MPaの圧力で加圧し、所定の形に成形した後、得られる成形体を焼結および加工することにより、スパッタリングターゲットを得る。
前記造粒粉は、多くの場合、原料粉、および有機バインダ、分散剤、可塑剤等に水を混合することにより、スラリーを調製し、得られたスラリーによりスプレードライヤーを用いて噴霧乾燥することで得られる。
加えられる有機バインダとして、一般的には、PVA(ポリビニルアルコール)が用いられており、この場合、原料粉に対して、通常1〜10質量%のPVAが添加される。
しかしながら、酸化インジウムは、非常に凝集が強く、また、重い原料粉であることから、スラリーの粘度が高く、かつ、原料粉の沈降が速い。そのため、噴霧乾燥を行うことが困難であり、噴霧乾燥工程の効率および造粒粉の収率が、ともに悪くなる。
これらの問題点を補うために、スラリーの調整に際して分散剤が添加される。
使用される分散剤として、一般的には、ポリアクリル酸のNa塩やNH3塩が用いられている。しかし、これらは、不純物を多く含み、また、得られる膜の特性に悪影響を与えるものであったり、酸化インジウムの分散効果が不十分である。
さらに、造粒粉に多くの空孔を含むために、CIP成形時に収縮が大きくなり、成形減圧時に、成形体に割れが発生し、得られるスパッタリングターゲットの歩留まりの低下を招きやすい。
これらの問題を解決するには、成形体の強度をさらに向上させることが必要であり、成形体の強度を高くするには、有機バインダの量を増やすことが有効である。しかし、この場合、脱脂時間が長くなるという理由や、焼成後の製品の密度が低くなるという理由、あるいは、焼成収縮が大きくなるといった理由などにより、成形体の寸法制御が困難となる問題を生じてしまう。
また、造粒粉が硬くなり過ぎ、加圧成形時に造粒粉が変形しにくく、成形体の密度が低くなり、逆に強度の低下を招く場合もある(特許文献1、段落0002〜0011参照)。
これに対して、次の化学式で示されるポリアクリル系ポリマーを有機バインダとして用いた高強度酸化物系セラミックス成形体が、提案されている(特許文献1、段落番号0018参照)。
Figure 0004483470
しかしながら、かかるポリアクリル系ポリマーを利用して、酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットを得たとしても、前記問題は十分には解決されない。なぜなら、十分な分散効果が得られないため、ポリアクリル系ポリマーを有機バインダとして用いてスラリーを調製しても、酸化インジウムの沈降を防止し、効率的に噴霧乾燥できるスラリーを得ることはできない。また、このようなスラリーを、スプレードライヤーにて噴霧乾燥して得られる造粒粉は、多くの空孔を含むために、タップ密度が低く、成形減圧時に、成形体中に取り込まれた空気が成形体外に出るときにかかる応力、または、減圧時に発生する応力で、成形体に割れが発生する場合が多い。さらに、当該ポリアクリル系ポリマーは、前記PVAと比較して高価である。
本発明者らは、これまでに、特開2003−3257号公報に示すように、造粒粉を直接、CIPにて成形を行うように効率的な方法を提案してきたが、前記従来技術により成形体を得ても、造粒粉のタップ密度を高く調整できず成形時の収縮が大きくなること、および量的な調整による成形体強度向上が困難であるために、得られる成形体に割れが発生する可能性が特に高い。
特開平8−277168号公報
特開2003−3257号公報
本発明は、酸化インジウムを含有する酸化物膜を得るためのスパッタリングターゲットの製造方法において、密度の高いスパッタリングターゲットを、高い生産効率で、効率的に得る方法を提供することを目的とする。
本発明に係る酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法は、酸化インジウム粉を含む金属酸化物の原料粉に、水と有機バインダと分散剤を混合および粉砕してスラリーを調整し、該スラリーを乾燥噴霧して造粒粉を得て、得られた造粒粉を加圧成形し、得られた成形体を焼成することにより、スパッタリングターゲットを得る製造方法に係り、前記分散剤が、アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物であることを特徴とする。
これにより、前記有機バインダとしてポリビニルアルコールを用いることができる。
前記アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物の添加量が、前記原料粉に対して、0.1〜3質量%の範囲にあることが好ましい。
これにより、前記スラリー中の原料粉濃度が60%以上であっても、該スラリー粘度を100cps未満とすることができる。
本発明によれば、十分に密度の高い優れたスパッタリングターゲットを得ることができる。また、製造工程において、スラリー濃度を高くすることができるため、生産効率が向上する。また、成形時での成形体の割れも低減できるため、スパッタリングターゲットの収率を向上させることができる。
さらに、有機バインダとして、一般的で安価なポリビニルアルコール(PVA)を用いることができるため、スパッタリングターゲットを安価に製造することが可能となる。
酸化インジウムは、難焼結性であるため、一次粒子、二次粒子をともに平均粒径を1μm未満とする粒度調整を実施し、焼結性を向上させる場合が多い。そのため、造粒粉の製造工程において、粒子が微粒化されることにより、スラリー中での粒子の凝集が強くなり、スラリー粘度が高くなる。さらに、酸化インジウム粉が比較的に重い粒子であること、スラリー中での沈降が速く、均一なスラリーを得ることが難しい。
本発明では、造粒粉の製造工程において、分散剤として、アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物を用いることを特徴とする。
具体的には、次の化学式で示されるアクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物を使用する。
Figure 0004483470
アクリル酸系であり、かつ、NH3塩で中和されているために分散能力に優れる。これにより、酸化インジウムの凝集が抑えられ、均一なスラリーが得られる。その添加量は、酸化インジウム粉と添加酸化物粉の合量に対して、0.1〜3質量%である。0.1質量%未満では、分散能力が乏しく、3質量%を超えると、焼結時に揮発分が多くなるために、焼結時に製品が割れる確率が高くなる。
分散剤を使用しない場合には、原料粉濃度が30〜35%程度のスラリーでも、スラリー粘度が100cpsを超えてしまうが、アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物を用いることにより、原料粉濃度が70%程度であっても、粘度が100cps未満となり、また、酸化インジウムの沈降が抑えられることにより、噴霧乾燥工程における効率が著しく向上する。
分散剤としてアクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物を用いた場合、加えられる有機バインダは、成形体の強度の点からもポリビニルアルコール(PVA)で十分である。ケン化度90〜97mo1%、重合度400〜1000のPVAを用いることが適している。この範囲のケン化度と重合度のPVAを用いることにより、得られる造粒粉が軟質なものとなり、成形時でのつぶれ性が向上する。この結果、成形体中の空孔が減少し、成形体強度が向上し、焼成して得られるスパッタリングターゲットの密度が向上する。
ケン化度が97mo1%を超えたり、重合度が1000を超えるPVAを用いると、成形時での造粒粉のつぶれ性が悪くなり、成形体中の空孔が増加し、成形体強度が減少し、焼結後に得られるスパッタリングターゲットの密度が向上しないので好ましくない。
また、ケン化度が90mo1%未満であったり、重合度が400未満であるPVAを用いると、成形体が軟質となりすぎ、作業効率が悪化するので好ましくない。
有機バインダの量を、酸化インジウム粉と添加酸化物粉の合量に対して1.0〜3.0質量%とする。1.0質量%未満とすると、成形体強度が低下し、成形以後の工程で割れる確率が高くなり、3.0質量%を超えると、バインダにより生じる空孔が大きくなるため、焼結時の粒成長でも、空孔を無くすことが困難となり、製品密度が低下してしまうため、好ましくない。また、焼結時に揮発分が多くなるために製品が割れる可能性が高くなる。
アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物およびPVAを加えたスラリーを、噴霧乾燥する場合は、乾燥温度を130〜200℃にするのが望ましい。200℃を超えて乾燥すると、造粒粉が硬質となり、成形時に空孔生じやすく、スパッタリングターゲットの密度が向上しにくい。
造粒粉のタップ密度は、アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物を分散剤として使用した場合には、凝集が取り除かれるために、使用しない場合と比較して、向上することが認められる。
成形について、本発明者は、前述の特開2003−3257号公報において、造粒粉を直接CIPにて成形を行う効率的な方法を提案してきたが、本発明により、この成形法を利用することが十分に可能となった。成形圧力は、100〜300MPaが望ましい。100MPa未満では、成形体密度および成形体強度の低下による製品歩留りが悪化するため好ましくなく、300MPaを超えても効果が殆ど変化しないので好ましくない。
焼結は、酸化インジウム粉の粒成長が期待される1100℃以上が、望ましい。しかし、1600℃を超える場合には、炉材との反応が激しくなったり、揮発が激しくなるため、望ましくない。
次に、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
(実施例1〜12)
酸化インジウム粉、および表1に示した添加酸化物粉と、ケン化度94mol%、重合度500のポリビニルアルコールを、総原料粉に対して1.25質量%となるように37.5gとして、アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物(中部サイデン製、バンスターX754B)を総原料粉に対して0.25〜4質量%となるように48gとして、総原料粉3000gを調整した。それらと純水2000gとを、10Lポットに入れ、回転数60rpmで、15〜20時間、ボールミル混合および粉砕し、スラリーを作製した。スラリー濃度は、60質量%であった。
次に、得られたスラリーをスプレードライヤーにて噴霧乾燥して、造粒粉を得た。かかる工程において、スラリー濃度が60質量%と高いにもかかわらず、原料粉がスラリー中で沈降する現象などもなく、効率よく造粒粉が得られた。
得られた造粒粉を、前述の特開2003−3257号公報に示される矩形のゴム型に入れ、294MPa(3ton/cm2)で加圧して、300×300×10mmの成形体を作製した。次いで、1500℃で20時間、酸素雰囲気中で焼成し、焼結体を得て、加工を行い、スパッタリングターゲットを得た。
得られたスパッタリングターゲットの製品相対密度を質量および寸法の測定により求めた。その結果を、表1に示す。
Figure 0004483470
表1より適正な分散剤量とすることで、十分な相対密度のターゲットが得られることが分かる。
また、ゴム型に直接、造粒粉を充填するために、強度が要求される成形法でも、十分にスパッタリングターゲットが製造可能であることが分かる。
(比較例1〜3)
酸化インジウム粉、および表2に示した酸化物粉と、ケン化度94mol%、重合度500のポリビニルアルコールを、総原料粉に対して1.25質量%となるように37.5gとして、総原料粉3000gを調整した。それらと純水7000gとを、10Lポットに入れ、回転数60rpmで、15〜20時間、ボールミル混合および粉砕し、スラリーを作製した。スラリー濃度は、30質量%である。
次に、得られたスラリーをスプレードライヤーにて噴霧乾燥して、造粒粉を得た。得られた造粒粉を、前述の特開2003−3257号公報に示される矩形のゴム型に入れ、294MPa(3ton/cm2)で加圧して、300×300×10mmの成形体を作製した。
しかしながら、すべての成形体において割れが発生した。
Figure 0004483470
表2より、比較例1〜3では、成形が困難であるため、スパッタリングターゲットの製造が困難であることが理解される。

Claims (4)

  1. 酸化インジウム粉を含む金属酸化物の原料粉に、水と有機バインダと分散剤を混合および粉砕してスラリーを調整し、該スラリーを乾燥噴霧して造粒粉を得て、得られた造粒粉を加圧成形し、得られた成形体を焼成することにより、スパッタリングターゲットを得る製造方法において、前記分散剤が、次の化学式で示されるアクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物であり、前記スラリー中の原料粉濃度が60%以上であり、かつ、該スラリー粘度が100cps未満であることを特徴とする酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法。
    Figure 0004483470
  2. 前記有機バインダがポリビニルアルコールである請求項1に記載の酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法。
  3. 前記アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物の添加量が、前記原料粉に対して、0.1〜3質量%の範囲にあることを特徴とする請求項1または2に記載の酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法。
  4. 前記スラリー粘度が50cps以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載の酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法。
JP2004229881A 2004-08-05 2004-08-05 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法 Expired - Fee Related JP4483470B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004229881A JP4483470B2 (ja) 2004-08-05 2004-08-05 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004229881A JP4483470B2 (ja) 2004-08-05 2004-08-05 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006045631A JP2006045631A (ja) 2006-02-16
JP4483470B2 true JP4483470B2 (ja) 2010-06-16

Family

ID=36024554

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004229881A Expired - Fee Related JP4483470B2 (ja) 2004-08-05 2004-08-05 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4483470B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114890774B (zh) * 2022-04-20 2023-06-27 柳州华锡有色设计研究院有限责任公司 一种高均匀性ito靶材的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006045631A (ja) 2006-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5750060B2 (ja) セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法
JP2012126937A (ja) Itoスパッタリングターゲットとその製造方法
JP2008308385A (ja) 酸化インジウム系スパッタリングターゲットの製造方法
JP5472655B2 (ja) 蒸着用タブレットとその製造方法
WO2017158928A1 (ja) 酸化物焼結体
JP2008260660A (ja) 高濃度酸化スズito焼結体の製造方法
JP4483470B2 (ja) 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法
JP4508079B2 (ja) スパッタリングターゲットの製造方法
WO2010021274A1 (ja) 複合酸化物焼結体、複合酸化物焼結体の製造方法、スパッタリングターゲット、及び薄膜の製造方法
JP2008214169A (ja) 真空蒸着用ITiO焼結体およびその製造方法
JP5784849B2 (ja) セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法
JP5979082B2 (ja) 蒸着用タブレットとその製造方法
JP2013023745A (ja) 窒化チタンスパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2005324987A (ja) Ito成型体、これを用いたitoスパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4665526B2 (ja) 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法
JP2002274956A (ja) セラミックス焼結体の製造方法
JP2005126766A (ja) 酸化インジウム系ターゲットおよびその製造方法
JP3734540B2 (ja) 酸化インジウム−酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法
JP4120351B2 (ja) 高濃度酸化スズitoターゲットとその製造方法
JP6722736B2 (ja) 焼結体および、スパッタリングターゲット
JP4504271B2 (ja) 酸化インジウム−酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法
JP5967016B2 (ja) 蒸着用タブレットとその製造方法
JP2004277836A (ja) Itoターゲットの製造方法
WO2011061916A1 (ja) Ito焼結体の製造方法及びitoスパッタリングターゲットの製造方法
JP2003055759A (ja) Mg含有ITOスパッタリングターゲットの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061121

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090520

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090526

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090722

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100302

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100315

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4483470

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees