JP4469128B2 - Process for producing aromatic polymer - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれにより得られるポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテルを含有する膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた有機膜が形成可能な膜形成用組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、CVD法などの真空プロセスで形成されたシリカ(SiO2 )膜が多用されている。そして、近年、より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、SOG(Spin on Glass)膜と呼ばれるテトラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布型無機絶縁膜やポリアリーレンエーテルなどの塗布型有機絶縁膜も使用されるようになっている。
特に半導体素子などのさらなる高集積化や多層化に伴い、より優れた導体間の電気絶縁性が要求されており、したがって、より金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた層間絶縁膜材料が求められるようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記要求を満たすためのポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれを用いた膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた膜形成用組成物、および工業的に安定性の高い製造方法および該組成物から得られる有機膜を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ポリアリーレン、ポリアリーレンエーテルなどの芳香族ポリマーを、20℃における水に対する溶解度が100g/100cc以下である有機溶剤(以下、「特定有機溶剤」ともいう)に溶解し、その溶液を水または酸性水溶液と接触させて液々抽出を行う工程を含むことを特徴とする芳香族ポリマーの製造方法に関する。
次に、本発明は上記製造方法にて作製した膜形成用組成物に関する。
次に、本発明は、上記膜形成用組成物を基板に塗布し、加熱することを特徴とする膜の形成方法に関する。
次に、本発明は、上記膜の形成方法によって得られる有機膜に関する。
【0005】
【発明の実施の形態】
本発明に用いる芳香族ポリマーは、ポリアリーレンおよびポリアリーレンエーテルであり、具体的には下記一般式(1)で表される繰り返し構造単位を有する重合体(以下「重合体(1)」ともいう)、下記一般式(2)で表される繰り返し構造単位を有する重合体(以下「重合体(2)」ともいう)、および下記一般式(3)で表される繰り返し構造単位を有する重合体(以下「重合体(3)」ともいう)から選ばれる少なくとも1種である。
【化7】
一般式(1)
【化8】
一般式(2)
【化9】
一般式(3)
【0006】
〔R7〜R11はそれぞれ独立して炭素数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜20のアルコキシル基、アリール基、またはハロゲン原子、Xは−CQQ’−(ここでQ、Q’は同一であっても異なっていてもよく、ハロゲン化アルキル基、アルキル基、水素原子、ハロゲン原子またはアリール基を示す)に示す基、およびフルオレニレン基からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Yは−O−、−CO−、−COO−、−CONH−、−S−、−SO2−およびフェニレン基の群から選ばれた少なくとも1種であり、aは0または1を示し、b〜fは0〜4の整数を示し、gは5〜100モル%、hは0〜95モル%、iは0〜95モル%(ただし、g+h+i=100モル%)、jは0〜100モル%、kは0〜100モル%(ただし、j+k=100モル%)。AおよびBはそれぞれ独立に下記一般式(4)〜(6)で表される2価の芳香族基からなる群から選ばれる少なくとも1種の2価の芳香族基である。〕
【化10】
一般式(4)
【化11】
一般式(5)
【化12】
一般式(6)
(式中、R12、R13、R18及びR19は、独立に単結合、−O−、−CO−、−CH2−、−COO−、−CONH−、−S−、−SO2−、フェニレン基、イソプロピリデン基、ヘキサフルオロイソプロピリデン基、ジフェニルメチリデン基、フルオレニレン基または式
で表される基を示し、R14〜R16、R17及びR20〜R22は独立に炭素原子数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数1〜20のアルコキシル基又はアリール基を表わし、lおよびqは独立に0〜3の整数を示し、m〜p及びr〜tは独立に0〜4の整数を示す。)
【0007】
重合体(1);
式(1)で表される重合体は、例えば、下記一般式(7)に示す化合物を含むモノマーを遷移金属化合物を含む触媒系の存在下に重合することによって製造することができる。
【化13】
一般式(7)
(式中、R7 ,R8 はそれぞれ独立して炭素数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜20のアルコキシル基、アリール基またはハロゲン原子、Xは−CQQ′−(ここで、Q,Q′は同一であっても異なっていてもよく、ハロゲン化アルキル基、アルキル基、水素原子、ハロゲン原子またはアリール基を示す)に示す基、およびフルオレニレン基からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、b,cは0〜4の整数を示し、Zはアルキル基、ハロゲン化アルキル基またはアリール基を示す。)
【0008】
上記一般式(7)中のXを構成するQ,Q′のうち、アルキル基としては、メチル基、エチル基、i−プロピル基、n−プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基など;ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基など;アリールアルキル基としては、ベンジル基、ジフェニルメチル基など;アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、トリル基、ペンタフルオロフェニル基などを挙げることができる。
また、上記式(7)中の、−OSO2 Zを構成するZとしては、アルキル基として、メチル基、エチル基など;ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基など;アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、p−トリル基、p−ペンタフルオロフェニル基などを挙げることができる。
上記一般式(7)中のXとしては、下記一般式(8)〜(13)に示す2価の基が好ましい。これらのうちでは、一般式(13)に示すフルオレニレン基がさらに好ましい。
一般式(8) −C(CH3)2−
一般式(9) −C(CF3)2−
一般式(10) −C(CF3)(C6H5)−
一般式(11) −CH(CH3)−
一般式(12) −C(C6H5)2−
一般式(13)
【化14】
【0009】
上記一般式(7)に示す化合物(モノマー)の具体例としては、例えば、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)メタン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)プロパン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)プロパン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)プロパン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)プロパン
9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、
9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フルオレン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)メタン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メタン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェニルメタン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)フェニルメタン、
2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)メタン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、
9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フルオレン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)メタン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メタン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェニルメタン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)メタン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、
9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フルオレン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)メタン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メタン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェニルメタン、
ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)フェニルメタン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)メタン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、
9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フルオレン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)メタン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メタン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェニルメタン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)フェニルメタン
などを挙げることができる。
本発明においては、上記一般式(7)に示す化合物を2種以上共重合することもできる。
【0010】
上記一般式(7)に示す化合物は、例えば、下記の製法によって合成することができる。
すなわち、ビスフェノール化合物〔例えば、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン〕およびビスフェノール化合物の2当量以上の塩基を溶媒に溶かす。このとき、ピリジンなどを溶媒として用いて、溶媒と塩基との両方の役割を兼用させてもよい。また、必要に応じて、4−ジメチルアミノピリジンなどの触媒を加えてもよい。
次いで、スルフォン酸クロライド(無水物)(例えば、メタンスルフォン酸クロライド)を15℃以下に保持しながら、5〜60分かけて乾燥窒素気流下に滴下する。その後、その温度で0〜60分攪拌したのち、室温に戻し、0〜24時間攪拌し、懸濁液を作成する。得られた懸濁液を3〜20倍量の氷水に再沈殿させ、その沈殿を回収し、再結晶などの操作を繰り返して、結晶としてビススルフォネート化合物を得ることができる。
あるいは、まず、ビスフェノール化合物〔例えば、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン〕を水酸化ナトリウム水溶液などの2当量のアルカリ水溶液に溶かす。その一方、スルフォン酸クロライド(無水物)(例えば、メタンスルフォン酸クロライド)をトルエン、クロロホルムなどの有機溶媒に溶かす。次いで、これらに必要に応じてアセチルトリメチルアンモニウムクロライドなどの相間移動触媒を加えたのち、激しく攪拌する。その後、反応して得られた有機層を精製することによっても、目的のビススルフォネート化合物を得ることができる。
【0011】
本発明においては、上記一般式(7)に示す化合物の少なくとも1種と、下記一般式(14)〜(15)に示す化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種とを共重合させてもよい。
【化15】
一般式(14)
〔一般式(14)中、R9 〜R10はそれぞれ独立して炭素数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜20のアルコキシル基、アリール基またはハロゲン原子、R12〜R13は、−OSO2 Z(ここで、Zはアルキル基、ハロゲン化アルキル基またはアリール基を示す。)、塩素原子、臭素原子または沃素原子を示し、Yは−O−、−CO−、−COO−、−CONH−、−S−、−SO2 −およびフェニレン基の群から選ばれた少なくとも1種であり、aは0または1を示し、d,eは0〜4の整数を示す。]
【0012】
R9 〜R10のうち、ハロゲン原子としては、フッ素原子など、1価の有機基としては、アルキル基として、メチル基、エチル基など、ハロゲン化アルキル基として、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基など、アリル基として、プロペニル基など、アリール基として、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基などを挙げることができる。また、−OSO2 Zを構成するZとしては、アルキル基として、メチル基、エチル基など、ハロゲン化アルキル基として、トリフルオロメチル基など、アリール基として、フェニル基、p−トリル基、p−フルオロフェニル基などを挙げることができる。
【0013】
上記一般式(14)に示す化合物としては、例えば、
4,4′−ジメチルスルフォニロキシビフェニル、
4,4′−ジメチルスルフォニロキシ−3,3′−ジプロペニルビフェニル、
4,4′−ジブロモビフェニル、4,4′−ジヨードビフェニル、
4,4′−ジメチルスルフォニロキシ−3,3′−ジメチルビフェニル、
4,4′−ジメチルスルフォニロキシ−3,3′−ジフルオロビフェニル、
4,4′−ジメチルスルフォニロキシ−3,3′,5,5′−テトラフルオロビフェニル、
4,4′−ジブロモオクタフルオロビフェニル、
4,4−メチルスルフォニロキシオクタフルオロビフェニル、
3,3′−ジアリル−4,4′−ビス(4−フルオロベンゼンスルフォニロキシ)ビフェニル、
4,4′−ジクロロ−2,2′−トリフルオロメチルビフェニル、
4,4′−ジブロモ−2,2′−トリフルオロメチルビフェニル、
4,4′−ジヨード−2,2′−トリフルオロメチルビフェニル、
ビス(4−クロロフェニル)スルフォン、
4,4′−ジクロロベンゾフェノン、
2,4−ジクロロベンゾフェノン
などを挙げることができる。
上記一般式(14)に示す化合物は、1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
【0014】
【化16】
一般式(15)
〔一般式(15)中、R11は、炭素数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜20のアルコキシル基、アリール基またはハロゲン原子、R14〜R15は、−OSO2 Z(ここで、Zはアルキル基、ハロゲン化アルキル基またはアリール基を示す。)、塩素原子、臭素原子または沃素原子を示し、fは0〜4の整数を示す。〕
【0015】
R11のうち、ハロゲン原子としては、フッ素原子など、1価の有機基としては、アルキル基として、メチル基、エチル基など、ハロゲン化アルキル基として、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基など、アリル基として、プロペニル基など、アリール基として、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基などを挙げることができる。また、−OSO2 Zを構成するZとしては、アルキル基として、メチル基、エチル基など、ハロゲン化アルキル基として、トリフルオロメチル基など、アリール基として、フェニル基、p−トリル基、p−フルオロフェニル基などを挙げることができる。
【0016】
上記一般式(15)に示す化合物としては、例えば、
o−ジクロロベンゼン、o−ジブロモベンゼン、o−ジヨードベンゼン、o−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、2,3−ジクロロトルエン、2,3−ジブロモトルエン、2,3−ジヨードトルエン、3,4−ジクロロトルエン、3,4−ジブロモトルエン、3,4−ジヨードトルエン、2,3−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、3,4−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、m−ジクロロベンゼン、m−ジブロモベンゼン、m−ジヨードベンゼン、m−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、2,4−ジクロロトルエン、2,4−ジブロモトルエン、2,4−ジヨードトルエン、3,5−ジクロロトルエン、3,5−ジブロモトルエン、3,5−ジヨードトルエン、2,6−ジクロロトルエン、2,6−ジブロモトルエン、2,6−ジヨードトルエン、3,5−ジメチルスルフォニロキシトルエン、2,6−ジメチルスルフォニロキシトルエン、2,4−ジクロロベンゾトリフルオライド、2,4−ジブロモベンゾトリフルオライド、2,4−ジヨードベンゾトリフルオライド、3,5−ジクロロベンゾトリフルオライド、3,5−ジブロモトリフルオライド、3,5−ジヨードベンゾトリフルオライド、1,3−ジブロモ−2,4,5,6−テトラフルオロベンゼン、2,4−ジクロロベンジルアルコール、3,5−ジクロロベンジルアルコール、2,4−ジブロモベンジルアルコール、3,5−ジブロモベンジルアルコール、3,5−ジクロロフェノール、3,5−ジブロモフェノール、3,5−ジクロロ−t−ブトキシカルボニロキシフェニル、3,5−ジブロモ−t−ブトキシカルボニロキシフェニル、2,4−ジクロロ安息香酸、3,5−ジクロロ安息香酸、2,4−ジブロモ安息香酸、3,5−ジブロモ安息香酸、2,4−ジクロロ安息香酸メチル、3,5−ジクロロ安息香酸メチル、3,5−ジブロモ安息香酸メチル、2,4−ジブロモ安息香酸メチル、2,4−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、3,5−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、2,4−ジブロモ安息香酸−t−ブチル、3,5−ジブロモ安息香酸−t−ブチルなどを挙げることもでき、好ましくはm−ジクロロベンゼン、2,4−ジクロロトルエン、3,5−ジメチルスルフォニロキシトルエン、2,4−ジクロロベンゾトリフルオライド、2,4−ジクロロベンゾフェノン、2,4−ジクロロフェノキシベンゼンなどである。
上記一般式(15)に示す化合物は、1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
【0017】
重合体(1)中の繰り返し構造単位の割合は、上記一般式(1)において、gは5〜100モル%、好ましくは5〜95モル%、hは0〜95モル%、好ましくは0〜90モル%、iは0〜95モル%、好ましくは0〜90モル%(ただし、g+h+i=100モル%)である。
gが5モル%未満(hまたはiが95モル%を超える)では、重合体の有機溶剤への溶解性が劣る場合がある。
【0018】
重合体(1)を製造する際に用いられる触媒は、遷移金属化合物を含む触媒系が好ましく、この触媒系としては、▲1▼遷移金属塩および配位子、または配位子が配位された遷移金属(塩)、ならびに▲2▼還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を上げるために、「塩」を添加してもよい。
【0019】
ここで、遷移金属塩としては、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケル、ニッケルアセチルアセトナートなどのニッケル化合物、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウムなどのパラジウム化合物、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄などの鉄化合物、塩化コバルト、臭化コバルト、ヨウ化コバルトなどのコバルト化合物などを挙げることができる。これらのうち、特に塩化ニッケル、臭化ニッケルなどが好ましい。
【0020】
また、配位子としては、トリフェニルホスフィン、2,2′−ビピリジン、1,5−シクロオクタジエン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンなどを挙げることができるが、トリフェニルホスフィン、2,2′−ビピリジンが好ましい。上記配位子は、1種単独でまたは2種以上を組合わせて用いることができる。
【0021】
さらに、あらかじめ配位子が配位された遷移金属(塩)としては、例えば、塩化ニッケル2トリフェニルホスフィン、臭化ニッケル2トリフェニルホスフィン、ヨウ化ニッケル2トリフェニルホスフィン、硝酸ニッケル2−トリフェニルホスフィン、塩化ニッケル2,2′ビピリジン、臭化ニッケル2,2′ビピリジン、ヨウ化ニッケル2,2′ビピリジン、硝酸ニッケル2,2′ビピリジン、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスファイト)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムなどを挙げることができるが、塩化ニッケル2トリフェニルホスフィン、塩化ニッケル2,2′ビピリジンが好ましい。
【0022】
このような触媒系において使用することができる上記還元剤としては、例えば、鉄、亜鉛、マンガン、アルミニウム、マグネシウム、ナトリウム、カルシウムなどを挙げることできるが、亜鉛、マンガンが好ましい。これらの還元剤は、酸や有機酸に接触させることにより、より活性化して用いることができる。
【0023】
また、このような触媒系において使用することのできる「塩」としては、フッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、硫酸ナトリウムなどのナトリウム化合物、フッ化カリウム、塩化カリウム、臭化カリウム、ヨウ化カリウム、硫酸カリウムなどのカリウム化合物、フッ化テトラエチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウム、硫酸テトラエチルアンモニウムなどのアンモニウム化合物などを挙げることができるが、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、臭化カリウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウムが好ましい。
【0024】
このような触媒系における各成分の使用割合は、遷移金属塩または配位子が配位された遷移金属(塩)が、上記一般式(7)、(14)〜(15)の化合物の総量1モルに対し、通常、0.0001〜10モル、好ましくは0.01〜0.5モルである。0.0001モル未満であると、重合反応が充分に進行せず、一方、10モルを超えると、分子量が低下することがある。
【0025】
このような触媒系において、遷移金属塩および配位子を用いる場合、この配位子の使用割合は、遷移金属塩1モルに対し、通常、0.1〜100モル、好ましくは1〜10モルである。0.1モル未満では、触媒活性が不充分となり、一方、100モルを超えると、分子量が低下するという問題がある。
【0026】
また、触媒系における還元剤の使用割合は、上記一般式(7)、(14)〜(15)の化合物の総量1モルに対し、通常、0.1〜100モル、好ましくは1〜10モルである。0.1モル未満であると、重合が充分進行せず、一方、100モルを超えると、得られる重合体の精製が困難になることがある。
【0027】
さらに、触媒系に「塩」を使用する場合、その使用割合は、上記一般式(7)、(14)〜(15)の化合物の総量1モルに対し、通常、0.001〜100モル、好ましくは0.01〜1モルである。0.001モル未満であると、重合速度を上げる効果が不充分であり、一方、100モルを超えると、得られる重合体の精製が困難となることがある。
【0028】
本発明で使用することのできる重合溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、γ−ブチロラクタムなどを挙げることができ、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリドンが好ましい。これらの重合溶媒は、充分に乾燥してから用いることが好ましい。
【0029】
重合溶媒中における上記一般式(7)、(14)〜(15)の化合物の総量の濃度は、通常、1〜100重量%、好ましくは5〜40重量%である。
【0030】
また、上記重合体を重合する際の重合温度は、通常、0〜200℃、好ましくは50〜80℃である。また、重合時間は、通常、0.5〜100時間、好ましくは1〜40時間である。
なお、上記重合体(1)のポリスチレン換算の重量平均分子量は、通常、1,000〜1,000,000である。
【0031】
重合体(2);
一般式(2)で表される重合体は、例えば、下記一般式(16)〜(18)に示す化合物を含むモノマーを触媒系の存在下に重合することによって製造することができる。
【0032】
【化17】
一般式(16)
[一般式(16)中、R7、R8はそれぞれ独立して炭素数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜20のアルコキシル基、アリール基またはハロゲン原子、Xは−CQQ’−(ここでQ、Q’は同一であっても異なっていてもよく、ハロゲン化アルキル基、アルキル基、水素原子、ハロゲン原子またはアリール基を示す)に示す基、およびフルオレニレン基からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、b、cは0〜4の整数を示し、R16は、R17は水酸基、ハロゲン原子、−OM基(Mはアルカリ金属である)からなる群から選ばれる少なくとも1種を示す。]
【0033】
前記一般式(16)に示す化合物(モノマー)の具体例としては、例えば
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、
ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−プロペニルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−フルオロフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−クロロフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
ビス(4−クロロフェニル)メタン、
ビス(4−クロロフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(4−クロロ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−クロロ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−クロロ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−クロロフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−クロロ−3−メチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−クロロ−3−プロペニルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−クロロ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−クロロ−3−フルオロフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−クロロ−3,5−ジフルオロフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−クロロフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
ビス(4−ブロモフェニル)メタン、
ビス(4−ブロモフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(4−ブロモ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−ブロモ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−ブロモ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−ブロモフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ブロモ−3−メチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ブロモ−3−プロペニルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ブロモ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ブロモ−3−フルオロフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−ブロモ−3,5−ジフルオロフェニル)プロパン、
ビス(4−フルオロフェニル)メタン、
ビス(4−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(4−フルオロ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−フルオロ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−フルオロ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−フルオロフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−フルオロ−3−メチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−フルオロ−3−プロペニルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−フルオロ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−フルオロ−3−フルオロフェニル)プロパン、
2,2−ビス(4−フルオロ−3,5−ジフルオロフェニル)プロパンなどを挙げることができる。上記ビスフェノール化合物はナトリウム、カリウムなどを含有する塩基性化合物によって、水酸基を−OM基(Mはアルカリ金属である)に置換させても良い。
本発明においては、前記一般式(16)に示す化合物を2種以上共重合することもできる。
【0034】
【化18】
一般式(17)
[一般式(17)中、R9、R10はそれぞれ独立して炭素数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜20のアルコキシル基、アリール基またはハロゲン原子、R18は、R19は水酸基、ハロゲン原子、−OM基(Mはアルカリ金属である)からなる群から選ばれる少なくとも1種を示し、Yは−O−、−CO−、−COO−、−CONH−、−S−、−SO2−およびフェニレン基の群から選ばれた少なくとも1種であり、aは0または1を示し、d,eは0〜4の整数を示す。]
【0035】
前記一般式(17)に示す化合物としては、例えば、
4,4′−ジクロロビフェニル、4,4′−ジブロモビフェニル、4,4′−ジフルオロビフェニル、4,4′−ジヨードビフェニル、4,4′−ジヒドロキシビフェニル、
4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジプロペニルビフェニル、
4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジメチルビフェニル、
4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジエチルビフェニル、
4,4′−ジメチルヒドロキシ−3,3′,5,5′−テトラフルオロビフェニル、
4,4′−ジブロモオクタフルオロビフェニル、
4,4−ジヒドロキシオクタフルオロビフェニル、
3,3′−ジアリル−4,4′−ビス(4−ヒドロキシ)ビフェニル、
4,4′−ジクロロ−2,2′−トリフルオロメチルビフェニル、
4,4′−ジブロモ−2,2′−トリフルオロメチルビフェニル、
4,4′−ジヨード−2,2′−トリフルオロメチルビフェニル、
ビス(4−クロロフェニル)スルフォン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフォン、
ビス(4−クロロフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、
4,4′−ジクロロベンゾフェノン、4,4′−ジヒドロキシベンゾフェノン、
2,4−ジクロロベンゾフェノン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン
などを挙げることができる。
上記ビスフェノール化合物はナトリウム、カリウムなどを含有する塩基性化合物によって、水酸基を−OM基(Mはアルカリ金属である)に置換させても良い。前記一般式(17)に示す化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
【0036】
【化19】
一般式(18)
[一般式(18)中、R11は、炭素数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜20のアルコキシル基、アリール基またはハロゲン原子、R14、R15は、−OSO2Z(ここで、Zはアルキル基、ハロゲン化アルキル基またはアリール基を示す。)、塩素原子、臭素原子または沃素原子を示し、fは0〜4の整数を示す。]
【0037】
前記一般式(18)に示す化合物としては、例えば、
1,2−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジヒドロキシベンゼン、1,4−ジヒドロキシベンゼン、2,3−ジヒドロキシトルエン、2,5−ジヒドロキシトルエン、2,6−ジヒドロキシトルエン、3,4−ジヒドロキシトルエン、3,5−ジヒドロキシトルエン、o−ジクロロベンゼン、o−ジブロモベンゼン、o−ジヨードベンゼン、o−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、2,3−ジクロロトルエン、2,3−ジブロモトルエン、2,3−ジヨードトルエン、3,4−ジクロロトルエン、3,4−ジブロモトルエン、3,4−ジヨードトルエン、2,3−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、3,4−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、m−ジクロロベンゼン、m−ジブロモベンゼン、m−ジヨードベンゼン、m−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、2,4−ジクロロトルエン、2,4−ジブロモトルエン、2,4−ジヨードトルエン、3,5−ジクロロトルエン、3,5−ジブロモトルエン、3,5−ジヨードトルエン、2,6−ジクロロトルエン、2,6−ジブロモトルエン、2,6−ジヨードトルエン、3,5−ジメチルスルフォニロキシトルエン、2,6−ジメチルスルフォニロキシトルエン、2,4−ジクロロベンゾトリフルオライド、2,4−ジブロモベンゾトリフルオライド、2,4−ジヨードベンゾトリフルオライド、3,5−ジクロロベンゾトリフルオライド、3,5−ジブロモトリフルオライド、3,5−ジヨードベンゾトリフルオライド、1,3−ジブロモ−2,4,5,6−テトラフルオロベンゼン、2,4−ジクロロベンジルアルコール、3,5−ジクロロベンジルアルコール、2,4−ジブロモベンジルアルコール、3,5−ジブロモベンジルアルコール、3,5−ジクロロフェノール、3,5−ジブロモフェノール、3,5−ジクロロ−t−ブトキシカルボニロキシフェニル、3,5−ジブロモ−t−ブトキシカルボニロキシフェニル、2,4−ジクロロ安息香酸、3,5−ジクロロ安息香酸、2,4−ジブロモ安息香酸、3,5−ジブロモ安息香酸、2,4−ジクロロ安息香酸メチル、3,5−ジクロロ安息香酸メチル、3,5−ジブロモ安息香酸メチル、2,4−ジブロモ安息香酸メチル、2,4−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、3,5−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、2,4−ジブロモ安息香酸−t−ブチル、3,5−ジブロモ安息香酸−t−ブチルなどを挙げることもできる。
上記ビスフェノール化合物はナトリウム、カリウムなどを含有する塩基性化合物によって、水酸基を−OM基(Mはアルカリ金属である)に置換させても良い。
前記一般式(18)に示す化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
一般式(2)で表される重合体中の繰り返し構造単位の割合は、上記一般式(2)において、jは0〜100モル%、kは0〜100モル%(ただし、j+k=100モル%)である。
【0038】
一般式(2)で表されるの重合体の合成方法として、ビスフェノール化合物とジハロゲン化化合物をアルカリ金属化合物の存在下で、溶剤中で加熱することにより得られる。
上記ビスフェノール化合物とジハロゲン化化合物の使用割合は、ビスフェノール化合物が45〜55モル%、好ましくは48〜52モル%、ジハロゲン化化合物が55〜45モル%、好ましくは52〜48モル%である。ビスフェノール化合物の使用割合が45未満や55を越えると重合体の分子量が上昇しにくく、塗膜の塗布性が劣る場合がある。
この際使用するアルカリ金属化合物としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム、金属ナトリウム、金属カリウム、金属リチウムなどを挙げることができる。
これらは、1種または2種以上を同時に使用しても良い。
アルカリ金属化合物の使用量は、ビスフェノール化合物に対して、通常、100〜400モル%、好ましくは100〜250モル%である。
また、反応を促進させるため、金属銅、塩化第一銅、塩化第二銅、臭化第一銅、臭化第二銅、ヨウ化第一銅、ヨウ化第二銅、硫酸第一銅、硫酸第二銅、酢酸第一銅、酢酸第二銅、ギ酸第一銅、ギ酸第二銅などの助触媒を使用しても良い。
この助触媒の使用量は、ビスフェノール化合物に対し、通常、1〜50モル%、好ましくは1〜30モル%である。
【0039】
反応に使用する溶剤としては、例えばピリジン、キノリン、ベンゾフェノン、ジフェニルエーテル、ジアルコキシベンゼン(アルコキシル基の炭素数は1〜4)、トリアルコキシベンゼン(アルコキシル基の炭素数は1〜4)、ジフェニルスルホン、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホキシド、ジエチルスルホン、ジイソプロピルスルホン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロチオフェン、スルホラン、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを使用することができる。
これらは、1種または2種以上を同時に使用しても良い。
一般式(2)で表される重合体を合成する際の反応濃度としては、モノマーの重量を基準として、2〜50重量%、反応温度としては50〜250℃である。
また、重合体合成時に生じる金属塩や未反応モノマーを除去するため、反応溶液をろ過することや反応溶液を重合体に対して貧溶剤である溶媒により再沈殿や酸性、アルカリ性水溶液により洗浄することが好ましい。
このようにして得られる一般式(2)で表される重合体のGPC法による重量平均分子量は、通常、500〜500,000、好ましくは800〜100,000である。
【0040】
重合体(3);
一般式(3)で表される重合体は、例えば、下記一般式(19)及び一般式(20)
【化20】
一般式(19)
【化21】
一般式(20)
(式中、R12〜R17およびl〜pは前記一般式(3)に関して定義したとおりである。)
で表わされる化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物と、下記一般式(21)及び一般式(22)
【化22】
一般式(21)
【化23】
一般式(22)
(式中、R17〜R22及びp〜tは前記一般式(3)に関して定義したとおりであり、Xはハロゲン原子を表わす。)
で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物とを触媒の存在下で重合する。
【0041】
前記一般式(19)で表わされる化合物としては、例えば、4,4’−ジエチニルビフェニル、3,3’−ジエチニルビフェニル、3,4’−ジエチニルビフェニル、4,4’−ジエチニルジフェニルエーテル、3,3’−ジエチニルジフェニルエーテル、3,4’−ジエチニルジフェニルエーテル、4,4’−ジエチニルベンゾフェノン、3,3’−ジエチニルベンゾフェノン、3,4’−ジエチニルベンゾフェノン、4,4’−ジエチニルジフェニルメタン、3,3’−ジエチニルジフェニルメタン、3,4’−ジエチニルジフェニルメタン、4,4’−ジエチニルベンゾイックアシッドフェニルエステル、3,3’−ジエチニルベンゾイックアシッドフェニルエステル、3,4’−ジエチニルベンゾイックアシッドフェニルエステル、4,4’−ジエチニルベンズアニリド、3,3’−ジエチニルベンズアニリド、3,4’−ジエチニルベンズアニリド、4,4’−ジエチニルジフェニルスルフィド、3,3’−ジエチニルジフェニルスルフィド、3,4’−ジエチニルジフェニルスルフィド、4,4’−ジエチニルジフェニルスルホン、3,3’−ジエチニルジフェニルスルホン、3,4’−ジエチニルジフェニルスルホン、2,4,4’−トリエチニルジフェニルエーテル、9,9−ビス(4−エチニルフェニル)フルオレン、4,4”−ジエチニル−p−ターフェニル、4,4”−ジエチニル−m−ターフェニル、4,4”−ジエチニル−o−ターフェニルなどを挙げることができる。これらの化合物は1種単独で使用しても2種以上を同時に使用してもよい。
【0042】
一般式(20)で表わされる化合物としては、例えば、1,2−ジエチニルベンゼン、1,3−ジエチニルベンゼン、1,4−ジエチニルベンゼン、2,5−ジエチニルトルエン,3,4−ジエチニルトルエンなどを挙げることができる。これらの化合物は1種単独で使用しても2種以上を同時に使用してもよい。
【0043】
前記一般式(21)で表わされる化合物としては、例えば、1,2−ビス(2−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1,2−ビス(2−ヨードフェノキシ)ベンゼン、1,2−ビス(3−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1,2−ビス(3−ヨードフェノキシ)ベンゼン、1,2−ビス(4−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1,2−ビス(4−ヨードフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(2−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(2−ヨードフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−ヨードフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−ヨードフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−ヨードフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(2−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(2−ヨードフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−ヨードフェノキシ)ベンゼン、
1−(2−ブロモベンゾイル)−3−(2−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1−(2−ヨードベンゾイル)−3−(2−ヨードフェノキシ)ベンゼン、1−(3−ブロモベンゾイル)−3−(3−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1−(3−ヨードベンゾイル)−3−(3−ヨードフェノキシ)ベンゼン、1−(4−ブロモベンゾイル)−3−(4−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1−(4−ヨードベンゾイル)−3−(4−ヨードフェノキシ)ベンゼン、1−(3−ブロモベンゾイル)−4−(3−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1−(3−ヨードベンゾイル)−4−(3−ヨードフェノキシ)ベンゼン、1−(4−ブロモベンゾイル)−4−(4−ブロモフェノキシ)ベンゼン、1−(4−ヨードベンゾイル)−4−(4−ヨードフェノキシ)ベンゼン、
2,2’−ビス(2−ブロモフェノキシ)ベンゾフェノン、2,2’−ビス(2−ヨードフェノキシ)ベンゾフェノン、2,4’−ビス(2−ブロモフェノキシ)ベンゾフェノン、2,4’−ビス(2−ヨードフェノキシ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(2−ブロモフェノキシ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(2−ヨードフェノキシ)ベンゾフェノン、2,2’−ビス(3−ブロモフェノキシ)ベンゾフェノン、2,2’−ビス(3−ヨードフェノキシ)ベンゾフェノン、2,4’−ビス(3−ブロモフェノキシ)ベンゾフェノン、2,4’−ビス(3−ヨードフェノキシ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(3−ブロモフェノキシ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(3−ヨードフェノキシ)ベンゾフェノン、2,2’−ビス(4−ブロモフェノキシ)ベンゾフェノン、2,2’−ビス(4−ヨードフェノキシ)ベンゾフェノン、2,4’−ビス(4−ブロモフェノキシ)ベンゾフェノン、2,4’−ビス(4−ヨードフェノキシ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(4−ブロモフェノキシ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(4−ヨードフェノキシ)ベンゾフェノン、
2,2’−ビス(2−ブロモベンゾイル)ベンゾフェノン、2,2’−ビス(2−ヨードベンゾイル)ベンゾフェノン、2,4’−ビス(2−ブロモベンゾイル)ベンゾフェノン、2,4’−ビス(2−ヨードベンゾイル)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(2−ブロモベンゾイル)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(2−ヨードベンゾイル)ベンゾフェノン、2,2’−ビス(3−ブロモベンゾイル)ベンゾフェノン、2,2’−ビス(3−ヨードベンゾイル)ベンゾフェノン、2,4’−ビス(3−ブロモベンゾイル)ベンゾフェノン、2,4’−ビス(3−ヨードベンゾイル)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(3−ブロモベンゾイル)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(3−ヨードベンゾイル)ベンゾフェノン、2,2’−ビス(4−ブロモベンゾイル)ベンゾフェノン、2,2’−ビス(4−ヨードベンゾイル)ベンゾフェノン、2,4’−ビス(4−ブロモベンゾイル)ベンゾフェノン、2,4’−ビス(4−ヨードベンゾイル)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(4−ブロモベンゾイル)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(4−ヨードベンゾイル)ベンゾフェノン、
3,4’−ビス (2−ブロモフェノキシ)ジフェニルエーテル、3,4’−ビス (2−ヨードフェノキシ)ジフェニルエーテル、3,4’−ビス (3−ブロモフェノキシ)ジフェニルエーテル、3,4’−ビス (3−ヨードフェノキシ)ジフェニルエーテル、3,4’−ビス (4−ブロモフェノキシ)ジフェニルエーテル、3,4’−ビス (4−ヨードフェノキシ)ジフェニルエーテル、4,4’−ビス (2−ブロモフェノキシ)ジフェニルエーテル、4,4’−ビス (2−ヨードフェノキシ)ジフェニルエーテル、4,4’−ビス (3−ブロモフェノキシ)ジフェニルエーテル、4,4’−ビス (3−ヨードフェノキシ)ジフェニルエーテル、4,4’−ビス (4−ブロモフェノキシ)ジフェニルエーテル、4,4’−ビス (4−ヨードフェノキシ)ジフェニルエーテル、
3,4’−ビス (2−ブロモベンゾイル)ジフェニルエーテル、3,4’−ビス (2−ヨードベンゾイル)ジフェニルエーテル、3,4’−ビス (3−ブロモベンゾイル)ジフェニルエーテル、3,4’−ビス (3−ヨードベンゾイル)ジフェニルエーテル、3,4’−ビス (4−ブロモベンゾイル)ジフェニルエーテル、3,4’−ビス (4−ヨードベンゾイル)ジフェニルエーテル、4,4’−ビス (2−ブロモベンゾイル)ジフェニルエーテル、4,4’−ビス (2−ヨードベンゾイル)ジフェニルエーテル、4,4’−ビス (3−ブロモベンゾイル)ジフェニルエーテル、4,4’−ビス (3−ヨードベンゾイル)ジフェニルエーテル、4,4’−ビス (4−ブロモベンゾイル)ジフェニルエーテル、4,4’−ビス (4−ヨードベンゾイル)ジフェニルエーテル、
2,2’−ビス(4−クロロフェニル)イソプロピリデン、2,2’−ビス(4−ヨードフェニル)イソプロピリデン、2,2’−ビス(4−ブロモフェニル)イソプロピリデン、2,2’−ビス(3−クロロフェニル)イソプロピリデン、2,2’−ビス(3−ヨードフェニル)イソプロピリデン、2,2’−ビス(3−ブロモフェニル)イソプロピリデン、2,2’−ビス(4−クロロフェニル)ヘキサフルオロイソプロピリデン、2,2’−ビス(4−ヨードフェニル)ヘキサフルオロイソプロピリデン、2,2’−ビス(4−ブロモフェニル)ヘキサフルオロイソプロピリデン、2,2’−ビス(3−クロロフェニル)ヘキサフルオロイソプロピリデン、2,2’−ビス(3−ヨードフェニル)ヘキサフルオロイソプロピリデン、2,2’−ビス(3−ブロモフェニル)ヘキサフルオロイソプロピリデン、2,2’−ビス(4−クロロフェニル)ジフェニルメチリデン、2,2’−ビス(4−ヨードフェニル)ジフェニルメチリデン、2,2’−ビス(4−ブロモフェニル)ジフェニルメチリデン、2,2’−ビス(3−クロロフェニル)ジフェニルメチリデン、2,2’−ビス(3−ヨードフェニル)ジフェニルメチリデン、2,2’−ビス(3−ブロモフェニル)ジフェニルメチリデン、9,9−ビス(4−クロロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヨードフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ブロモフェニル)フルオレン、9,9−ビス(3−クロロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(3−ヨードフェニル)フルオレン、9,9−ビス(3−ブロモフェニル)フルオレン、4,4”−ジクロロ−m−ターフェニル、4,4”−ジヨード−m−ターフェニル、4,4”−ジブロモ−m−ターフェニル、4,4”−ジクロロ−p−ターフェニル、4,4”−ジヨード−p−ターフェニル、4,4”−ジブロモ−p−ターフェニルなどを挙げることができる。これらの化合物は1種単独で使用しても2種以上を同時に使用してもよい。
【0044】
前記一般式(22)で表わされる化合物としては、例えば、1,2−ジクロロベンゼン、1,3−ジクロロベンゼン、1,4−ジクロロベンゼン、1,2−ジヨードベンゼン、1,3−ジヨードベンゼン、1,4−ジヨードベンゼン、1,2−ジブロモベンゼン、1,3−ジブロモベンゼン、1,4−ジブロモベンゼン、2,3−ジクロロトルエン、2,4−ジクロロトルエン、2,5−ジクロロトルエン、2,6−ジクロロトルエン、3,4−ジクロロトルエン、2,3−ジヨードトルエン、2,4−ジヨードトルエン、2,5−ジヨードトルエン、2,6−ジヨードトルエン、3,4−ジヨードトルエン、2,3−ジブロモトルエン、2,4−ジブロモトルエン、2,5−ジブロモトルエン、2,6−ジブロモトルエン、3,4−ジブロモトルエンなどを挙げることができる。これらの化合物は1種単独で使用しても2種以上を同時に使用してもよい。
【0045】
本発明の重合体は、前記一般式(19)で表される化合物及び/又は一般式(20)で表される化合物と、一般式(21)で表される化合物及び/又は一般式(22)で表される化合物を触媒の存在下で重合させることにより製造され、この際一般式(19)で表される化合物及び/又は一般式(20)で表される化合物と、一般式(21)で表される化合物及び/又は一般式(22)で表される化合物の使用割合は、前者の化合物の総量1モルに対して、後者の化合物の総量が0.8〜1.2モル、好ましくは0.9〜1.1モル、特に好ましくは0.95〜1.05である。後者の化合物の総量が0.8モル未満の場合や1.2モルを越える場合は、得られる重合体の分子量が上昇しにくい。
【0046】
本発明の製造方法においては、これらの化合物を遷移金属化合物を含む触媒の存在下で重合させることが好ましい。さらに、遷移金属化合物及び塩基性化合物を含む触媒がより好ましく、特に下記の(a)、(b)及び(c)成分から構成されているものが特に好ましい。
(a)パラジウム塩及びパラジウムに対し配位子として結合するか、配位子として結合する基(原子団)を供給して錯体(錯イオンを含む)を形成し得る物質(以下、配位子形成体という)、又はパラジウム錯体(必要に応じて配位子形成体をさらに加えてもよい)
(b)1価の銅化合物
(c)塩基性化合物
【0047】
パラジウム塩としては、例えば、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウム等を挙げることができる。配位子形成体としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ−o−トリルホスフィン、トリシアノフェニルホスフィン、トリシアノメチルホスフィン等を挙げることができる。中でも、トリフェニルホスフィンが好ましい。これらの化合物は1種単独で使用しても2種以上を同時に使用してもよい。
【0048】
パラジウム錯体としては、例えば、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジブロモビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジヨードビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス(トリ−o−トリルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス(トリシアノフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス(トリシアノメチルホスフィン)パラジウム、ジブロモビス(トリ−o−トリルホスフィン)パラジウム、ジブロモビス(トリシアノフェニルホスフィン)パラジウム、ジブロモビス(トリシアノメチルホスフィン)パラジウム、ジヨードビス(トリ−o−トリルホスフィン)パラジウム、ジヨードビス(トリシアノフェニルホスフィン)パラジウム、ジヨードビス(トリシアノメチルホスフィン)パラジウム、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、テトラキス(トリ−o−トリルホスフィン)パラジウム、テトラキス(トリシアノフェニルホスフィン)パラジウム、テトラキス(トリシアノメチルホスフィン)パラジウム等を挙げることができる。中でも、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムが好ましい。これらの化合物は1種単独で使用しても2種以上を同時に使用してもよい。
【0049】
1価の銅化合物としては、例えば、塩化銅(I)、臭化銅(I)、ヨウ化銅(I)等を挙げることができる。これらの化合物は1種単独で使用しても2種以上を同時に使用してもよい。
【0050】
上記触媒の使用割合は、下記のとおりである。
パラジウム塩の使用割合は、一般式(19)〜(22)で表される化合物の総量1モルに対し、好ましくは、0.0001〜10モル、さらに好ましくは、0.001〜1モルである。0.0001モル未満であると重合が十分に進行しないことがあり、一方、10モルを超えると精製が困難となることがある。
【0051】
また、配位子形成体の使用割合は、一般式(19)〜(22)で表される化合物の総量1モルに対し、好ましくは、0.0004〜50モル、さらに好ましくは0.004〜5モルである。0.0004モル未満であると重合が十分に進行しないことがあり、一方、50モルを超えると精製が困難となることがある。
パラジウム錯体の使用割合は、一般式(19)〜(22)で表される化合物の総量1モルに対し、好ましくは、0.0001〜10モル、さらに好ましくは0.001〜1モルである。0.0001モル未満であると重合が十分に進行しないことがあり、一方、10モルを超えると精製が困難となることがある。
1価の銅化合物の使用割合は、一般式(19)〜(22)で表される化合物の総量1モルに対し、好ましくは、0.0001〜10モル、さらに好ましくは0.001〜1モルである。0.0001モル未満であると重合が十分に進行しないことがあり、一方、10モルを超えると精製が困難となることがある。
【0052】
塩基性化合物としては、例えば、ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクタン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、ジエチルアミン、アンモニア、n−ブチルアミン、イミダゾール等を挙げることができる。中でも、ジエチルアミン、ピペリジン、n−ブチルアミンが好ましい。これらの化合物は1種単独で使用しても2種以上を同時に使用してもよい。
【0053】
塩基性化合物の使用割合は、一般式(19)〜(22)で表される化合物の総量1モルに対し、好ましくは、1〜1000モル、さらに好ましくは1〜100モルである。1モル未満であると重合が十分に進行しないことがあり、一方、100モルを超えると経済的ではなくなる。
【0054】
本発明の製造方法では、必要に応じて溶媒を用いることができる。重合溶媒としては特に制限はないが、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ジエチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジグライム、アニソール、ジエチレンクリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル等のエーテル系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクルペンタノン等のケトン系溶媒;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶媒;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。これらの溶媒は十分に乾燥、脱酸素して用いることが好ましい。これらの溶媒は1種単独で使用しても2種以上を同時に使用してもよい。
【0055】
重合溶媒中におけるモノマー(重合成分)濃度は、好ましくは、1〜80重量%、さらに好ましくは5〜60重量%である。
また、重合温度は、好ましくは、0〜150℃、さらに好ましくは5〜100℃である。また、重合時間は、好ましくは、0.5〜100時間、さらに好ましくは1〜40時間である。
【0056】
上記のように得られたポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテルは、特定有機溶剤に溶解し、その溶液を水または酸性水溶液と接触させて液々抽出することで精製を行うことが出来る。
特定有機溶剤は、20℃における水に対する溶解度が100g/100cc以下、好ましくは30g/100cc以下、特に好ましくは20g/100cc以下のものである。
特定有機溶剤の具体例としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブチル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エチルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどのエステル系溶剤;
n−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、n−ヘプタン、i−ヘプタン、2,2,4−トリメチルペンタン、n−オクタン、i−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒;
ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n−プロピルベンセン、i−プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、i−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−i−プロピルベンセン、n−アミルナフタレン、トリメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒;
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−ヘキサノン、2−ヘプタノン、メチルシクロヘキサノンなどのケトン系溶剤などを挙げることができる。
これら特定有機溶剤は2種以上を同時に使用しても良い。
【0057】
また、本発明の効果を損なわない範囲で特定有機溶剤にその他の溶剤を添加しても良い。
その他の溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタノール、i−ペンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノール、t−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、ヘプタノール−3、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6−ジメチルヘプタノール−4、n−デカノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコールなどのモノアルコール系溶媒;
エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、ペンタンジオール−2,4、2−メチルペンタンジオール−2,4、ヘキサンジオール−2,5、ヘプタンジオール−2,4、2−エチルヘキサンジオール−1,3、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価アルコール系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多価アルコール部分エーテル系溶媒;
アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−ブチルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−i−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン、フェンチョン、アセチルアセトン、2,4−ヘキサンジオン、2,4−ヘプタンジオン、3,5−ヘプタンジオン、2,4−オクタンジオン、3,5−オクタンジオン、2,4−ノナンジオン、3,5−ノナンジオン、5−メチル−2,4−ヘキサンジオン、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン、1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ヘプタンジオンなどのケトン系溶剤;
ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−エチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド、N−メチルピロリドン、N−ホルミルモルホリン、N−ホルミルピペリジン、N−ホルミルピロリジン、N−アセチルモルホリン、N−アセチルピペリジン、N−アセチルピロリジンなどのアミド系溶剤;
γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトンなどのエステル系溶剤;
アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、N,N,N´,N´−テトラエチルスルファミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、N−メチルモルホロン、N−メチルピロール、N−エチルピロール、N−メチル−Δ3 −ピロリン、N−メチルピペリジン、N−エチルピペリジン、N,N−ジメチルピペラジン、N−メチルイミダゾール、N−メチル−4−ピペリドン、N−メチル−2−ピペリドン、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジメチルテトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノンなどの非プロトン系溶剤などを挙げることができる。
【0058】
特定有機溶剤に対するその他の溶剤の使用量は、特定有機溶剤100重量部に対して0〜100重量部である。その他の溶剤の使用量が100重量部を越えると液々抽出時の層分離性が悪くなる。
これら他の溶剤は1種または2種以上を同時に使用しても良い。
【0059】
ポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテルを特定有機溶剤に溶解する際の有機溶剤の使用量は特に制限されるものではないが、有機溶剤を余り多く用いると、全体の液量が多くなって操作上の問題を生じることがあり、また有機溶剤の量が余り少ないと、水または酸性水溶液で処理した後の水層との分離が悪くなるなどの問題を生じることがある。好適な特定有機溶剤の使用量は、ポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテル100重量部に対して50〜5000重量部、より好ましくは100〜4000重量部である。
【0060】
特定有機溶剤に溶解させたポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテルは、次に水または酸性水溶液と接触処理させ液々抽出される。
本発明で抽出に用いる液体は水だけであっても良いが、酸性水溶液、例えば水に酸を加えてpHを5以下としたものが好ましい。なお、水溶液の酸性度を余り大きくするとポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテルに影響を及ぼす場合があり、通常はpH0以上程度の酸性水溶液が好ましく、より好適なpH範囲は1〜5である。
【0061】
酸性水溶液とする際に用いる酸としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸などの無機酸;
酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、シキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸、コハク酸、フマル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、リンゴ酸、グルタル酸の加水分解物、無水マレイン酸の加水分解物、無水フタル酸の加水分解物などの有機酸を挙げることができ、有機酸をより好ましい例として挙げることができ、有機ジカルボン酸を特に好ましい例として挙げることができる。
これら化合物は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
【0062】
本発明においてポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテル溶液に水または酸性水溶液を添加してもよいし、あるいは水または酸性水溶液にポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテル溶液を添加しても良い。
用いる水または酸性水溶液は、本発明の目的に沿って金属含有量の少ないもの、例えば電気抵抗10MΩ/cm以上を示すイオン交換水や蒸留水などが望ましい。例えば、イオン交換水をそのまま用いるとか、あるいは金属含有量の少ない水に酸を加えて弱酸性としたものを用いるといった方法が好ましい。
【0063】
水または酸性水溶液の使用量に特別な制限はないが、その量が余りに少ないと、金属除去のための抽出回数を多くする必要があり、また水または酸性水溶液の量が余りにも多いと、全体の液量が多くなって操作上の問題を生じることがある。
水または酸性水溶液の好適な使用量は、ポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテル100重量部に対して100〜3000重量部、より好ましくは150〜2500重量部である。
液々抽出処理は通常、前記ポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテル溶液と抽出剤である水または酸性水溶液とを、5〜60℃の温度、より好ましくは10〜50℃の温度で、攪拌などにより良く混合させた後、静置することによって行われる。
これにより、ポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテル溶液層と水層が二層に分離し、ポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテル溶液中に含まれていた金属イオンが水層に移行する。この際、遠心分離器などを用いてポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテル溶液層と水層の分離性を向上させることもできる。
【0064】
このような処理により、ポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテル重合体溶液中の金属含有量を低減することが出来るが、得られるポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテル溶液層を更に、水または酸性水溶液に投入、攪拌による混合、静置、分液という操作を数回繰り返して、金属含有量を一層低減させることが望ましい。また、酸性水溶液を用いて液々抽出処理した場合には、かかる酸性水溶液による抽出終了後に、更に水を用いて数回抽出処理を行い、酸を除去しておくことが望ましい。
【0065】
こうして得られるポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテル溶液は、その後必要に応じて塗膜形成用溶剤を加え、減圧蒸留などの操作を施して、残留している水ならびに特定有機溶剤を除去することが出来る。
この際使用することができる膜形成用溶剤としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒および非プロトン系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種が挙げられる。
ここで、アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタノール、i−ペンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノール、t−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、ヘプタノール−3、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6−ジメチルヘプタノール−4、n−デカノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコールなどのモノアルコール系溶媒;
エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、ペンタンジオール−2,4、2−メチルペンタンジオール−2,4、ヘキサンジオール−2,5、ヘプタンジオール−2,4、2−エチルヘキサンジオール−1,3、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価アルコール系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多価アルコール部分エーテル系溶媒;などを挙げることができる。
これらのアルコール系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
ケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−ブチルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−i−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、2−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、2,4−ヘキサンジオン、2,4−ヘプタンジオン、3,5−ヘプタンジオン、2,4−オクタンジオン、3,5−オクタンジオン、2,4−ノナンジオン、3,5−ノナンジオン、5−メチル−2,4−ヘキサンジオン、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン、1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ヘプタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。
これらのケトン系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
アミド系溶媒としては、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−エチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド、N−メチルピロリドン、N−ホルミルモルホリン、N−ホルミルピペリジン、N−ホルミルピロリジン、N−アセチルモルホリン、N−アセチルピペリジン、N−アセチルピロリジンなどが挙げられる。
これらアミド系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
エステル系溶媒としては、ジエチルカーボネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブチル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エチルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどが挙げられる。
これらエステル系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
非プロトン系溶媒としては、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、N,N,N´,N´−テトラエチルスルファミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、N−メチルモルホロン、N−メチルピロール、N−エチルピロール、N−メチル−Δ3 −ピロリン、N−メチルピペリジン、N−エチルピペリジン、N,N−ジメチルピペラジン、N−メチルイミダゾール、N−メチル−4−ピペリドン、N−メチル−2−ピペリドン、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジメチルテトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノンなどを挙げることができる。
【0066】
その他の添加剤
本発明で得られる膜形成用組成物には、さらに有機ポリマー、界面活性剤、シランカップリング剤、ラジカル発生剤、重合性の二重結合を含有する化合物、重合性の三重結合などの成分を添加してもよい。
【0067】
有機ポリマーとしては、例えば、糖鎖構造を有する化合物、ビニルアミド系重合体、(メタ)アクリル系重合体、芳香族ビニル化合物、デンドリマー、ポリイミド,ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポリアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物などを挙げることができる。
【0068】
ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチレンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキシド構造などが挙げられる。
具体的には、ポリオキシメチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルなどのエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸塩などのエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどのエーテルエステル型化合物などを挙げることができる。
ポリオキシチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマーとしては下記のようなブロック構造を有する化合物が挙げられる。
−(X)j−(Y)k−
−(X)j−(Y)k−(X)l-
(式中、Xは−CH2CH2O−で表される基を、Yは−CH2CH(CH3)O−で表される基を示し、jは1〜90、kは10〜99、lは0〜90の数を示す)
これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げることができる。
これらは1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
【0069】
界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ(メタ)アクリレート系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げることができる。
【0070】
フッ素系界面活性剤としては、例えば1,1,2,2−テトラフロロオクチル(1,1,2,2−テトラフロロプロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフロロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロデカン、N−[3−(パーフルオロオクタンスルホンアミド)プロピル]-N,N‘−ジメチル−N−カルボキシメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、パーフルオロアルキル−N−エチルスルホニルグリシン塩、リン酸ビス(N−パーフルオロオクチルスルホニル−N−エチルアミノエチル)、モノパーフルオロアルキルエチルリン酸エステル等の末端、主鎖および側鎖の少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活性剤を挙げることができる。
また、市販品としてはメガファックF142D、同F172、同F173、同F183(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、エフトップEF301、同303、同352(新秋田化成(株)製)、フロラードFC−430、同FC−431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(旭硝子(株)製)、BM−1000、BM−1100(裕商(株)製)、NBX−15((株)ネオス)などの名称で市販されているフッ素系界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上記メガファックF172,BM−1000,BM−1100,NBX−15が特に好ましい。
シリコーン系界面活性剤としては、例えばSH7PA、SH21PA、SH30PA、ST94PA(いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製などを用いることが出来る。これらの中でも、上記SH21PA、SH30PAが特に好ましい。
【0071】
界面活性剤の使用量は、特定有機溶剤(完全加水分解縮合物)に対して通常0.0001〜10重量部である。
これらは1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
【0072】
シランカップリング剤としては、例えば3−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アミノグリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、1−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、2−アミノプロピルトリメトキシシラン、2−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、N−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、10−トリメトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、10−トリエトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、9−トリメトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテート、9−トリエトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテート、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−ビス(オキシエチレン)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−ビス(オキシエチレン)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、ポリビニルメトキシシロキサン、ポリビニルエトキシシロキサンなどが挙げられる。
これらは1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
【0073】
ラジカル発生剤としては、例えばイソブチリルパーオキサイド、α、α’ビス(ネオデカノイルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、ジ−nプロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、ジ−2−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ(2−エチルヘキシルパーオキシ)ジカーボネート、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ジメトキブチルパーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メトキシブチルパーオキシ)ジカーボネート、t−ブチルパーオキシネオデカノエート、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、t−ヘキシルパーオキシピバレート、t−ブチルパーオキシピバレート、3,5,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ2−エチルヘキサノエート、スクシニックパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシ2−エチルヘキサノエート、t−ヘキシルパーオキシ2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシ2−エチルヘキサノエート、m−トルオイルアンドベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−t−ブチルパーオキシ−2−メチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、2,2−ビス(4,4−ジ−t−ブチルパーオキシシクロヘキシル)プロパン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロデカン、t−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシマレイン酸、t−ブチルパーオキシ−3,3,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシラウレート、2,5−ジメチル−2,5−ジ(m−トルオイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘキシルパーオキシベンゾエート、2,5−ジメチル−2,5−ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシアセテート、2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)ブタン、t−ブチルパーオキシベンゾエート、n−ブチル−4,4−ビス(t−ブチルパーオキシ)バレレート、ジ−t−ブチルパーオキシイソフタレート、α、α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、p−メンタンヒドロパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキサイド、t−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルヒドロパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、t−ヘキシルヒドロパーオキサイド、t−ブチルヒドロパーオキサイド、2,3−ジメチル−2,3−ジフェニルブタン等を挙げることができる。
【0074】
ラジカル発生剤の配合量は、重合体100重量部に対し、0.1〜10重量部が好ましい。
これらは1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
【0075】
重合性の二重結合を含有する化合物としては、例えば、アリルベンゼン、ジアリルベンゼン、トリアリルベンゼン、アリルオキシベンゼン、ジアリルオキシベンゼン、トリアリルオキシベンゼン、α,ω―ジアリルオキシアルカン類、α,ω―ジアリルアルケン類、α,ω―ジアリルアルケン類、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、N―アリルフタルイミド、N―アリルピロメリットイミド、N、N′―ジアリルウレア、トリアリルイソシアヌレート、2,2′−ジアリルビスフェノールAなどのアリル化合物;
スチレン、ジビニルベンゼン、トリビニルベンゼン、スチルベン、プロペニルベンゼン、ジプロペニルベンゼン、トリプロペニルベンゼン、フェニルビニルケトン、メチルスチリルケトン、α,α’―ジビニルアルカン類、α,α’―ジビニルアルケン類、α,α’―ジビニルアルキン類、α,α’―ジビニルオキシアルカン類、α,α’―ジビニルアルケン類、α,α’―ジビニルアルキン類、α,α’―ジアクリルオキシアルカン類、α,α’―ジアクリルアルケン類、α,α’―ジアクリルアルケン類、α,α’―ジメタクリルオキシアルカン類、α,α’―ジメタクリルアルケン類、α,α’―ジメタクリルアルケン類、ビスアクリルオキシベンゼン、トリスアクリルオキシベンゼン、ビスメタクリルオキシベンゼン、トリスメタクリルオキシベンゼン、N―ビニルフタルイミド、N―ビニルピロメリットイミドなどのビニル化合物;
2,2′−ジアリル−4,4′−ビフェノールを含むポリアリーレンエーテル、2,2′−ジアリル−4,4′−ビフェノールを含むポリアリーレンなどを挙げることができる。
これらは、1種または2種以上を同時に使用しても良い。
【0076】
重合性の三重結合を含有する化合物としては、例えば、下記一般式(23)および一般式(24)で表される化合物もしくはいずれか一方が挙げられる。
【化24】
一般式(23)
【化25】
一般式(24)
(一般式中、R24は2〜v価の芳香族基を示し、R25は2〜w価の芳香族基を示し、R23は炭素数1〜3のアルキル基を示し、uは0〜5の整数を示し、vおよびwはそれぞれ独立に2〜6の整数である。)
【0077】
上記一般式(23)において、R23は炭素数1〜3のアルキル基であり、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基を挙げることができる。また、一般式(23)におけるR24および一般式(24)におけるR25は、それぞれ2〜v価および2〜w価の芳香族基であり、例えば、以下の一般式(25)に示す基を挙げることができる。
【化26】
一般式(25)
〔上記一般式中、Mは−O−、−S−、−CH2 −、−C(CH3 )2 −、フルオレニル基から選ばれる少なくとも1種の基を示す。〕
【0078】
かかる一般式(23)で表される化合物の具体例としては、例えば、1,4−ビス(フェニルエチニルベンゼン)、1,3−ビス(フェニルエチニルベンゼン)、1,2−ビス(フェニルエチニル)ベンゼン、1,3,5−トリス(フェニルエチニル)ベンゼン、1,2,4−トリス(フェニルエチニル)ベンゼン、4,4’−ビス(フェニルエチニル)ジフェニルエーテル、2,4,4’−トリス(フェニルエチニル)ジフェニルエーテルなどを挙げることができる。
【0079】
また、上記一般式(24)で表される化合物の具体例としては、例えば、1,4−ジエチニルベンゼン、1,3−ジエチニルベンゼン、1,2−ジエチニルベンゼン、1,3,5−トリエチニルベンゼン、1,2,4−トリエチニルベンゼン、4,4’−ジエチニルジフェニルエーテル、2,4,4’−トリエチニルジフェニルエーテルなどを挙げることができる。
【0080】
このようにして得られる本発明の組成物の全固形分濃度は、好ましくは、0.1〜30重量%であり、使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃度が0.1〜30重量%であると、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、保存安定性もより優れるものである。
なお、この全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および上記有機溶剤による希釈によって行われる。
【0081】
本発明の組成物を、シリコンウエハ、SiO2ウエハ、SiNウエハなどの基材に塗布する際には、スピンコート、浸漬法、ロールコート法、スプレー法などの塗装手段が用いられる。
【0082】
この際の膜厚は、乾燥膜厚として、1回塗りで厚さ0.005〜2.5μm程度、2回塗りでは厚さ0.01〜5.0μm程度の塗膜を形成することができる。その後、常温で乾燥するか、あるいは80〜600℃程度の温度で、通常、5〜240分程度加熱して乾燥することにより、絶縁膜を形成することができる。
この際の加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用することが出来、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行うことができる。
また、電子線や紫外線を照射することによっても塗膜を形成させることができる。
また、上記塗膜の硬化速度を制御するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、窒素、空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択することができる。
【0083】
このようにして得られる層間絶縁膜は、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れることから、LSI、システムLSI、DRAM、SDRAM、RDRAM、D−RDRAMなどの半導体素子用層間絶縁膜やエッチングストッパーや化学機械研磨ストッパー、半導体素子の表面コート膜などの保護膜、多層レジストを用いた半導体作製工程の中間層、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示素子用の保護膜や絶縁膜、表示素子用カラーフィルターの保護膜などの用途に有用である。
【0084】
【実施例】
以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載により本発明は限定されるものではない。
なお、実施例および比較例中の部および%は、特記しない限り、それぞれ重量部および重量%であることを示している。
また、各種の評価は、次のようにして行なった。
【0085】
重量平均分子量(Mw)
下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定した。
試料:テトラヒドロフランを溶媒として使用し、試料1gを、100ccのテトラヒドロフランに溶解して調製した。
標準ポリスチレン:米国プレッシャーケミカル社製の標準ポリスチレンを使用した。
装置:米国ウオーターズ社製の高温高速ゲル浸透クロマトグラム(モデル150−C ALC/GPC)
カラム:昭和電工(株)製のSHODEX A−80M(長さ50cm)
測定温度:40℃
流速:1cc/分
【0086】
金属含有量
下記条件によるフレームレス原子吸光法により測定した。
試料:試料1gを、蒸留シクロヘキサノン100gに溶解して調製した。
測定法:日立製作所社製フレームレス原子吸光光度計GC12Aを用いて、溶液中のNa、K、Fe、Ni、Zn、Cu、Pd量を測定した。
【0087】
塗膜の比誘電率
8インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて組成物試料を塗布し、ホットプレート上で80℃で2分間、窒素雰囲気200℃で2分間基板を乾燥し、さらに410℃の窒素雰囲気のホットプレートで15分間基板を焼成した。得られた基板に蒸着法によりアルミニウム電極パターンを形成させ比誘電率測定用サンプルを作成した。該サンプルを周波数100kHzの周波数で、横河・ヒューレットパッカード(株)製、HP16451B電極およびHP4284AプレシジョンLCRメータを用いてCV法により当該塗膜の比誘電率を測定した。
【0088】
塗膜のリーク電流
8インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて組成物試料を塗布し、ホットプレート上で80℃で2分間、窒素雰囲気200℃で2分間基板を乾燥し、さらに410℃の窒素雰囲気のホットプレートで15分間基板を焼成した。得られた基板に蒸着法によりアルミニウム電極パターンを形成させリーク電流測定用サンプルを作成した。リーク電流は、Keithley(株)製の6517Aを使用し、塗膜に0.2MV/cmの電圧を印加した際の電流値を測定した。下記基準で塗膜のリーク電流を評価した。
○;リーク電流が5×10-10A未満
×;リーク電流が5×10-10A以上
【0089】
合成例1
三つ口フラスコに、ヨウ化ナトリウム7.5g、無水塩化ニッケル1.3g、トリフェニルホスフィン15.7g、酢酸により活性化させた亜鉛粉末19.6g、および9,9−ビス(メチルスルフォニロキシ)フルオレン16.7gを加え、24時間、真空下で乾燥したのち、三つ口フラスコ内をアルゴンガスで充填した。次いで、乾燥N,N−ジメチルアセトアミド50ml、乾燥テトラヒドロフラン50ml、および2,4−ジクロロトルエン10.8gを添加し、70℃アルゴン気流下で攪拌したところ、反応液が褐色となった。そのまま、70℃で20時間反応させたのち、冷却後、反応液を36%塩酸400mlおよびメタノール1,600ml混合液中に注ぎ、沈殿物を回収した。
得られた沈殿物を、クロロホルムに溶解し、不溶物を除去した後、メタノールに注ぎ、沈殿物を回収した。この沈殿物をメタノールで十分洗浄し、乾燥したところ、重量平均分子量10,500の白色粉末状の重合体▲1▼を得た。
この重合体▲1▼溶液の金属含有量をフレームレス原子吸光法で測定したところ、Na(180ppb)、K(12ppb)、Fe(45ppb)、Ni(160ppb)、Zn(130ppb)、Cu(30ppb)、Pd(10ppb)であった。
【0090】
合成例2
窒素導入管、ディーンスターク、冷却管を取り付けた三口フラスコに、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン26.48g、9,9−ビス(4−ヒドロキシー3−メチルフェニル)フルオレン28.35g、無水炭酸カリウム45.60g、ジメチルアセトアミド500mL、トルエン150mLをくわえ、窒素雰囲気下140℃で3時間加熱を行った。塩形成時に生成する水および過剰のトルエンを除去した後、反応溶液を室温まで冷却した。その後この反応液に4,4‘−ジフルオロベンゾフェノン32.73gを添加し、165℃で10時間反応させた。冷却後、反応液を10%HCl含有メタノール5Lに投じ再沈殿を行った。
得られた沈殿物を、クロロホルムに溶解し、不溶物を除去した後、メタノールに注ぎ、沈殿物を回収した。この沈殿物をメタノールで十分洗浄し、乾燥したところ、重量平均分子量153,000の白色粉末状の重合体▲2▼を得た。
この重合体▲2▼溶液の金属含有量をフレームレス原子吸光法で測定したところ、Na(20ppb)、K(120ppb)、Fe(35ppb)、Ni(10ppb)、Zn(12ppb)、Cu(20ppb)、Pd(8ppb)であった。
【0091】
合成例3
温度計、アルゴンガス導入管、攪拌装置を備えた三口フラスコにテトラヒドロフラン120ml、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム3.46g、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム2.1g、ヨウ化銅1.44g、ピペリジン20ml、4,4’−ビス(2−ヨードフェノキシ)ベンゾフェノン185.72gを加えた。次に、4,4’−ジエチニルジフェニルエーテル65.48gを加え25℃で20時間反応させた。反応液を10%HCl含有メタノール5Lに投じ再沈殿を行った。
得られた沈殿物を、クロロホルムに溶解し、不溶物を除去した後、メタノールに注ぎ、沈殿物を回収した。この沈殿物をメタノールで十分洗浄し、乾燥したところ、重量平均分子量35,000の重合体▲3▼を得た。
この重合体▲3▼溶液の金属含有量をフレームレス原子吸光法で測定したところ、Na(24ppb)、K(10ppb)、Fe(13ppb)、Ni(10ppb)、Zn(12ppb)、Cu(150ppb)、Pd(220ppb)であった。
【0092】
実施例1
重合体▲1▼5gをトリメチルベンゼン95gに溶解させた後、ポリエチレン製の分液ロートに入れ、更に蒸留水100gを添加し、混合物をよく振り混ぜた後、30分間静置した。ポリアリーレン溶液層が上層に、水層が下層に分離したので水層を除去した。残ったポリアリーレン溶液層に新たに蒸留水100gを加え、再度振り混ぜ、静置し、分離した水層を除去する。この抽出操作を併せて5回繰り返した。この溶液をメタノールに注ぎ、沈殿物を回収した。この沈殿物をメタノールで十分洗浄し、乾燥したところ、重量平均分子量10,500の白色粉末状の重合体Aを得た。
この重合体A溶液の金属含有量をフレームレス原子吸光法で測定したところ、Na(2ppb)、K(1ppb)、Fe(3ppb)、Ni(3ppb)、Zn(3ppb)、Cu(2ppb)、Pd(1ppb)であった。
この重合体A 3gをトリメチルベンゼン57gに溶解し、0.2μm孔径のテフロン製フィルターでろ過を行い本発明の膜形成用組成物を得た。
得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布した。
得られた塗膜の比誘電率を評価したところ、2.91と低い比誘電率を示した。さらに、塗膜のリーク電流は1×10-10Aであり、低リーク電流を示した。
【0093】
実施例2
重合体▲2▼5gをシクロヘキサノン95gに溶解させた後、ポリエチレン製の分液ロートに入れ、pH4のシュウ酸水溶液100gを添加し、混合物をよく振り混ぜた後、30分間静置した。ポリアリーレンエーテル溶液層が上層に、水層が下層に分離したので水層を除去した。残ったポリアリーレンエーテル溶液層に新たにpH4のシュウ酸水溶液100gを加え、再度振り混ぜ、静置し、分離した水層を除去する。この抽出操作を併せて5回繰り返した。この溶液をメタノールに注ぎ、沈殿物を回収した。この沈殿物をメタノールで十分洗浄し、乾燥したところ、重量平均分子量153,000の白色粉末状の重合体Bを得た。
この重合体B溶液の金属含有量をフレームレス原子吸光法で測定したところ、Na(2ppb)、K(3ppb)、Fe(2ppb)、Ni(1ppb)、Zn(1ppb)、Cu(2ppb)、Pd(1ppb)であった。
この重合体B 3gをシクロヘキサノン57gに溶解し、0.2μm孔径のテフロン製フィルターでろ過を行い本発明の膜形成用組成物を得た。
得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布した。
得られた塗膜の比誘電率を評価したところ、2.98と低い比誘電率を示した。さらに、塗膜のリーク電流は9×10-11Aであり、低リーク電流を示した。
【0094】
実施例3
重合体▲3▼5gをシクロヘキサノン95gに溶解させた後、ポリエチレン製の分液ロートに入れ、pH4のマレイン酸水溶液100gを添加し、混合物をよく振り混ぜた後、30分間静置した。ポリアリーレンエーテル溶液層が上層に、水層が下層に分離したので水層を除去した。残ったポリアリーレンエーテル溶液層に新たにpH4のマレイン酸水溶液100gを加え、再度振り混ぜ、静置し、分離した水層を除去する。この抽出操作を併せて5回繰り返した。この溶液をメタノールに注ぎ、沈殿物を回収した。この沈殿物をメタノールで十分洗浄し、乾燥したところ、重量平均分子量35,000の白色粉末状の重合体Cを得た。
この重合体C溶液の金属含有量をフレームレス原子吸光法で測定したところ、Na(2ppb)、K(1ppb)、Fe(2ppb)、Ni(1ppb)、Zn(1ppb)、Cu(4ppb)、Pd(5ppb)であった。
この重合体C 3gをシクロヘキサノン57gに溶解し、0.2μm孔径のテフロン製フィルターでろ過を行い本発明の膜形成用組成物を得た。
得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布した。
得られた塗膜の比誘電率を評価したところ、2.99と低い比誘電率を示した。さらに、塗膜のリーク電流は7×10-11Aであり、低リーク電流を示した。
【0095】
実施例4
温度計、アルゴンガス導入管、攪拌装置を備えた三口フラスコにテトラヒドロフラン120ml、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム3.46g、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム2.1g、ヨウ化銅1.44g、ピペリジン20ml、4,4’−ビス(2−ヨードフェノキシ)ベンゾフェノン185.72gを加えた。次に、4,4’−ジエチニルジフェニルエーテル65.48gを加え25℃で20時間反応させた。この溶液にシクロヘキサノン500gを添加した後、ポリエチレン製の分液ロートに入れ、pH4のマレイン酸水溶液100gを添加し、混合物をよく振り混ぜた後、30分間静置した。ポリアリーレンエーテル溶液層が上層に、水層が下層に分離したので水層を除去した。残ったポリアリーレン溶液層に新たにpH4のシュウ酸水溶液500gを加え、再度振り混ぜ、静置し、分離した水層を除去する。この抽出操作を併せて7回繰り返した。この溶液をメタノールに注ぎ、沈殿物を回収した。この沈殿物をメタノールで十分洗浄し、乾燥したところ、重量平均分子量35,000の白色粉末状の重合体Dを得た。
この重合体D溶液の金属含有量をフレームレス原子吸光法で測定したところ、Na(3ppb)、K(1ppb)、Fe(2ppb)、Ni(1ppb)、Zn(1ppb)、Cu(6ppb)、Pd(8ppb)であった。
この重合体D 3gをシクロヘキサノン57gに溶解し、0.2μm孔径のテフロン製フィルターでろ過を行い本発明の膜形成用組成物を得た。
得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布した。
得られた塗膜の比誘電率を評価したところ、2.99と低い比誘電率を示した。さらに、塗膜のリーク電流は1×10-10Aであり、低リーク電流を示した。
【0096】
比較例1
合成例1で得られた重合体▲1▼3gをトリメチルベンゼン57gに溶解し、0.2μm孔径のテフロン製フィルターでろ過を行い本発明の膜形成用組成物を得た。
得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布した。
得られた塗膜の比誘電率を評価したところ、2.92と低い比誘電率を示したが、塗膜のリーク電流は7×10-10Aであり、リーク電流特性に劣るものであった。
【0097】
比較例2
合成例2で得られた重合体▲2▼3gをシクロヘキサノン57gに溶解し、0.2μm孔径のテフロン製フィルターでろ過を行い本発明の膜形成用組成物を得た。
得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布した。
得られた塗膜の比誘電率を評価したところ、2.98と低い比誘電率を示したが、塗膜のリーク電流は8×10-10Aであり、リーク電流特性に劣るものであった。
【0098】
比較例3
合成例3で得られた重合体▲3▼3gをシクロヘキサノン57gに溶解し、0.2μm孔径のテフロン製フィルターでろ過を行い本発明の膜形成用組成物を得た。
得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布した。
得られた塗膜の比誘電率を評価したところ、2.98と低い比誘電率を示したが、塗膜のリーク電流は9×10-10Aであり、リーク電流特性に劣るものであった。
【0099】
【発明の効果】
本発明によれば、ポリアリーレン及び/またはポリアリーレンエーテルを、20℃における水に対する溶解度が100g/100cc以下である有機溶剤に溶解し、その溶液を水または酸性水溶液と接触させて液々抽出を行うことで、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた有機膜が形成可能な膜形成用組成物(層間絶縁膜用材料)を提供することが可能である。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing polyarylene and / or polyarylene ether and a composition for forming a film containing the polyarylene and / or polyarylene ether obtained thereby, and more particularly, an interlayer insulating film material in a semiconductor element or the like. The present invention relates to a film-forming composition capable of forming an organic film having a low content of metal impurities and excellent in relative dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, silica (SiO2) formed by a vacuum process such as a CVD method as an interlayer insulating film in a semiconductor element or the like.2 ) Membranes are frequently used. In recent years, for the purpose of forming a more uniform interlayer insulating film, a coating type inorganic insulating film or polyarylene ether which is mainly composed of a hydrolysis product of tetraalkoxylane called SOG (Spin on Glass) film, etc. The coating type organic insulating film is also used.
In particular, with further higher integration and multilayering of semiconductor elements and the like, better electrical insulation between conductors is required, and therefore, the content of metal impurities is lower, relative permittivity characteristics, and low leakage current characteristics. An interlayer insulating film material excellent in the above has been demanded.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention relates to a method for producing polyarylene and / or polyarylene ether for satisfying the above requirements and a film-forming composition using the same, and more particularly, the inclusion of metal impurities as an interlayer insulating film in a semiconductor element or the like. An object of the present invention is to provide a film forming composition having a small amount and excellent in relative dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics, an industrially highly stable production method, and an organic film obtained from the composition.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
In the present invention, an aromatic polymer such as polyarylene or polyarylene ether is dissolved in an organic solvent (hereinafter also referred to as “specific organic solvent”) having a solubility in water at 20 ° C. of 100 g / 100 cc or less. The present invention relates to a method for producing an aromatic polymer, comprising a step of performing liquid-liquid extraction by contacting with water or an acidic aqueous solution.
Next, the present invention relates to a film-forming composition produced by the above production method.
Next, the present invention relates to a method for forming a film, wherein the film forming composition is applied to a substrate and heated.
Next, the present invention relates to an organic film obtained by the film forming method.
[0005]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The aromatic polymer used in the present invention is polyarylene and polyarylene ether, and specifically, a polymer having a repeating structural unit represented by the following general formula (1) (hereinafter also referred to as “polymer (1)”). ), A polymer having a repeating structural unit represented by the following general formula (2) (hereinafter also referred to as “polymer (2)”), and a polymer having a repeating structural unit represented by the following general formula (3) (Hereinafter also referred to as “polymer (3)”).
[Chemical 7]
General formula (1)
[Chemical 8]
General formula (2)
[Chemical 9]
General formula (3)
[0006]
[R7~ R11Are each independently a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group, or a halogen atom, and X is —CQQ′— (where Q, Q ′ May be the same or different and is at least one selected from the group consisting of a halogenated alkyl group, an alkyl group, a hydrogen atom, a halogen atom or an aryl group), and a fluorenylene group, Y is at least one selected from the group of —O—, —CO—, —COO—, —CONH—, —S—, —SO 2 — and a phenylene group, a represents 0 or 1, and b to f represents an integer of 0 to 4, g is 5 to 100 mol%, h is 0 to 95 mol%, i is 0 to 95 mol% (provided g + h + i = 100 mol%), and j is 0 to 100 mol%. , K is 0 to 100 mol% However, j + k = 100 mol%). A and B are each independently at least one divalent aromatic group selected from the group consisting of divalent aromatic groups represented by the following general formulas (4) to (6). ]
[Chemical Formula 10]
General formula (4)
Embedded image
General formula (5)
Embedded image
General formula (6)
(Wherein R12, R13, R18And R19Are independently a single bond, —O—, —CO—, —CH.2-, -COO-, -CONH-, -S-, -SO2-, Phenylene group, isopropylidene group, hexafluoroisopropylidene group, diphenylmethylidene group, fluorenylene group or formula
R represents a group represented by R14~ R16, R17And R20~ R22Independently represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group or aryl group having 1 to 20 carbon atoms, l and q independently represent an integer of 0 to 3; -P and rt show the integer of 0-4 independently. )
[0007]
Polymer (1);
The polymer represented by the formula (1) can be produced, for example, by polymerizing a monomer containing a compound represented by the following general formula (7) in the presence of a catalyst system containing a transition metal compound.
Embedded image
General formula (7)
(In the formula, R 7 and R 8 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group or a halogen atom, X is —CQQ ′-( Here, Q and Q ′ may be the same or different, and are selected from the group consisting of a halogenated alkyl group, an alkyl group, a hydrogen atom, a halogen atom or an aryl group), and a fluorenylene group. And b and c each represent an integer of 0 to 4, and Z represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group.)
[0008]
Of Q and Q ′ constituting X in the general formula (7), examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an i-propyl group, an n-propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group; Examples of the halogenated alkyl group include a trifluoromethyl group and a pentafluoroethyl group; examples of the arylalkyl group include a benzyl group and a diphenylmethyl group; examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a tolyl group, and a pentafluorophenyl group. And so on.
In the above formula (7), Z constituting -OSO2Z is an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group; a halogenated alkyl group such as a trifluoromethyl group or a pentafluoroethyl group; Examples of the group include a phenyl group, a biphenyl group, a p-tolyl group, and a p-pentafluorophenyl group.
X in the general formula (7) is preferably a divalent group represented by the following general formulas (8) to (13). Of these, a fluorenylene group represented by the general formula (13) is more preferable.
Formula (8) —C (CH 3) 2 —
Formula (9) -C (CF3) 2-
Formula (10) -C (CF3) (C6H5)-
Formula (11) -CH (CH3)-
Formula (12) -C (C6H5) 2-
Formula (13)
Embedded image
[0009]
Specific examples of the compound (monomer) represented by the general formula (7) include, for example,
2,2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane,
Bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) methane,
Bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane,
2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) propane,
2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) propane,
2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) propane,
2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) propane,
2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) propane,
2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) propane,
2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) propane,
2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) propane,
2,2-bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) propane,
2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) propane,
2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) propane,
2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) propane,
2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane,
2,2-bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) propane,
2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) propane,
2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) propane,
2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) propane,
2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) propane,
2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) propane,
2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) propane,
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) propane,
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) propane
9,9-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene,
Bis (4-methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) diphenylmethane,
Bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) diphenylmethane,
Bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane,
Bis (4-methylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane,
Bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) diphenylmethane,
9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) fluorene,
9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) fluorene,
Bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) methane,
Bis (4-methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) methane,
Bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) methane,
Bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) methane,
Bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane,
Bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) phenylmethane,
2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) methane,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane,
2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane,
9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) diphenylmethane,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) diphenylmethane,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) diphenylmethane,
9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) fluorene,
9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) fluorene,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) methane,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) methane,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) methane,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) methane,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl),
2,2-bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane,
Bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) methane,
Bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane,
2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane,
9,9-bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene,
Bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) diphenylmethane,
Bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) diphenylmethane,
Bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane,
Bis (4-phenylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane,
Bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) diphenylmethane,
9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) fluorene,
9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) fluorene,
Bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) methane,
Bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) methane,
Bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) methane,
Bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) methane,
Bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane,
Bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) phenylmethane,
2,2-bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane,
Bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) methane,
Bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane,
2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane,
9,9-bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) fluorene,
9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) fluorene,
9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene,
9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene,
9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene,
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) diphenylmethane,
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) diphenylmethane,
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane,
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane,
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) diphenylmethane,
9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) fluorene,
9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) fluorene,
Bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) methane,
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) methane,
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) methane,
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) methane,
Bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane,
Bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) phenylmethane
And so on.
In the present invention, two or more compounds represented by the general formula (7) can be copolymerized.
[0010]
The compound represented by the general formula (7) can be synthesized, for example, by the following production method.
That is, a bisphenol compound [for example, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane] and a base of 2 equivalents or more of the bisphenol compound are dissolved in a solvent. At this time, pyridine or the like may be used as a solvent, and both roles of the solvent and the base may be combined. Moreover, you may add catalysts, such as 4-dimethylaminopyridine, as needed.
Then, sulfonic acid chloride (anhydride) (for example, methanesulfonic acid chloride) is dropped in a dry nitrogen stream over 5 to 60 minutes while maintaining at 15 ° C. or lower. Then, after stirring for 0 to 60 minutes at that temperature, the temperature is returned to room temperature and stirred for 0 to 24 hours to prepare a suspension. The resulting suspension is reprecipitated in 3 to 20 times the amount of ice water, the precipitate is recovered, and operations such as recrystallization are repeated to obtain a bissulfonate compound as crystals.
Alternatively, first, a bisphenol compound [for example, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane] is dissolved in a 2-equivalent alkaline aqueous solution such as an aqueous sodium hydroxide solution. Meanwhile, sulfonic acid chloride (anhydride) (for example, methanesulfonic acid chloride) is dissolved in an organic solvent such as toluene or chloroform. Next, a phase transfer catalyst such as acetyltrimethylammonium chloride is added to these as necessary, followed by vigorous stirring. Thereafter, the target bissulfonate compound can also be obtained by purifying the organic layer obtained by the reaction.
[0011]
In the present invention, at least one compound represented by the general formula (7) may be copolymerized with at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following general formulas (14) to (15). .
Embedded image
General formula (14)
[In General Formula (14), R9 to R10 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group or a halogen atom, R12 to R13. Represents —OSO 2 Z (wherein Z represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group), a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, and Y represents —O—, —CO—, —COO—. , —CONH—, —S—, —SO 2 — and a phenylene group, a represents 0 or 1, and d and e represent integers of 0 to 4. ]
[0012]
Among R9 to R10, the halogen atom is a fluorine atom, the monovalent organic group is an alkyl group, a methyl group, an ethyl group, the halogenated alkyl group is a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, etc. Examples of the aryl group include a propenyl group, and examples of the aryl group include a phenyl group and a pentafluorophenyl group. Further, as Z constituting -OSO2Z, an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group, a halogenated alkyl group, a trifluoromethyl group or the like, an aryl group such as a phenyl group, a p-tolyl group, or a p-fluoro group. A phenyl group etc. can be mentioned.
[0013]
As the compound represented by the general formula (14), for example,
4,4'-dimethylsulfonyloxybiphenyl,
4,4'-dimethylsulfonyloxy-3,3'-dipropenylbiphenyl,
4,4'-dibromobiphenyl, 4,4'-diiodobiphenyl,
4,4'-dimethylsulfonyloxy-3,3'-dimethylbiphenyl,
4,4'-dimethylsulfonyloxy-3,3'-difluorobiphenyl,
4,4'-dimethylsulfonyloxy-3,3 ', 5,5'-tetrafluorobiphenyl,
4,4'-dibromooctafluorobiphenyl,
4,4-methylsulfonyloxyoctafluorobiphenyl,
3,3′-diallyl-4,4′-bis (4-fluorobenzenesulfonyloxy) biphenyl,
4,4'-dichloro-2,2'-trifluoromethylbiphenyl,
4,4'-dibromo-2,2'-trifluoromethylbiphenyl,
4,4'-diiodo-2,2'-trifluoromethylbiphenyl,
Bis (4-chlorophenyl) sulfone,
4,4'-dichlorobenzophenone,
2,4-dichlorobenzophenone
And so on.
The compounds represented by the general formula (14) can be used singly or in combination of two or more.
[0014]
Embedded image
General formula (15)
[In General Formula (15), R11 is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group or a halogen atom, and R14 to R15 are -OSO2Z. (Here, Z represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group), a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, and f represents an integer of 0 to 4. ]
[0015]
Among R11, a halogen atom is a fluorine atom, etc., a monovalent organic group is an alkyl group, a methyl group, an ethyl group, etc., a halogenated alkyl group, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, etc. Examples of the group include a propenyl group, and examples of the aryl group include a phenyl group and a pentafluorophenyl group. Further, as Z constituting -OSO2Z, an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group, a halogenated alkyl group, a trifluoromethyl group or the like, an aryl group such as a phenyl group, a p-tolyl group, or a p-fluoro group. A phenyl group etc. can be mentioned.
[0016]
As the compound represented by the general formula (15), for example,
o-dichlorobenzene, o-dibromobenzene, o-diiodobenzene, o-dimethylsulfonyloxybenzene, 2,3-dichlorotoluene, 2,3-dibromotoluene, 2,3-diiodotoluene, 3,4- Dichlorotoluene, 3,4-dibromotoluene, 3,4-diiodotoluene, 2,3-dimethylsulfonyloxybenzene, 3,4-dimethylsulfonyloxybenzene, m-dichlorobenzene, m-dibromobenzene, m- Diiodobenzene, m-dimethylsulfonyloxybenzene, 2,4-dichlorotoluene, 2,4-dibromotoluene, 2,4-diiodotoluene, 3,5-dichlorotoluene, 3,5-dibromotoluene, 3, 5-diiodotoluene, 2,6-dichlorotoluene, 2,6-dibromotoluene, 2,6-di Toluene, 3,5-dimethylsulfonyloxytoluene, 2,6-dimethylsulfonyloxytoluene, 2,4-dichlorobenzotrifluoride, 2,4-dibromobenzotrifluoride, 2,4-diiodobenzotrifluoride, 3,5-dichlorobenzotrifluoride, 3,5-dibromotrifluoride, 3,5-diiodobenzotrifluoride, 1,3-dibromo-2,4,5,6-tetrafluorobenzene, 2,4-dichloro Benzyl alcohol, 3,5-dichlorobenzyl alcohol, 2,4-dibromobenzyl alcohol, 3,5-dibromobenzyl alcohol, 3,5-dichlorophenol, 3,5-dibromophenol, 3,5-dichloro-t-butoxy Carbonyloxyphenyl, 3,5-dibromo-t Butoxycarbonyloxyphenyl, 2,4-dichlorobenzoic acid, 3,5-dichlorobenzoic acid, 2,4-dibromobenzoic acid, 3,5-dibromobenzoic acid, methyl 2,4-dichlorobenzoate, 3,5 -Methyl dichlorobenzoate, methyl 3,5-dibromobenzoate, methyl 2,4-dibromobenzoate, -t-butyl 2,4-dichlorobenzoate, tert-butyl 3,5-dichlorobenzoate, 2, Examples thereof include t-butyl 4-dibromobenzoate and t-butyl 3,5-dibromobenzoate, and preferably m-dichlorobenzene, 2,4-dichlorotoluene, 3,5-dimethylsulfonyloxy. Toluene, 2,4-dichlorobenzotrifluoride, 2,4-dichlorobenzophenone, 2,4-dichlorophenoxybenzene and the like.
The compounds represented by the general formula (15) can be used singly or in combination of two or more.
[0017]
The ratio of the repeating structural unit in the polymer (1) is as follows. In the general formula (1), g is 5 to 100 mol%, preferably 5 to 95 mol%, and h is 0 to 95 mol%, preferably 0 to 0 mol%. 90 mol%, i is 0 to 95 mol%, preferably 0 to 90 mol% (provided that g + h + i = 100 mol%).
If g is less than 5 mol% (h or i exceeds 95 mol%), the solubility of the polymer in an organic solvent may be poor.
[0018]
The catalyst used in the production of the polymer (1) is preferably a catalyst system containing a transition metal compound. As this catalyst system, (1) a transition metal salt and a ligand, or a ligand is coordinated. Further, transition metal (salt) and (2) a reducing agent are essential components, and “salt” may be added to increase the polymerization rate.
[0019]
Here, transition metal salts include nickel compounds such as nickel chloride, nickel bromide, nickel iodide, nickel acetylacetonate, palladium compounds such as palladium chloride, palladium bromide, palladium iodide, iron chloride, iron bromide And iron compounds such as iron iodide, and cobalt compounds such as cobalt chloride, cobalt bromide and cobalt iodide. Of these, nickel chloride, nickel bromide and the like are particularly preferable.
[0020]
Examples of the ligand include triphenylphosphine, 2,2′-bipyridine, 1,5-cyclooctadiene, 1,3-bis (diphenylphosphino) propane, and the like. 2,2'-bipyridine is preferred. The said ligand can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
[0021]
Furthermore, as the transition metal (salt) in which the ligand is coordinated in advance, for example, nickel chloride 2 triphenylphosphine, nickel bromide 2 triphenylphosphine, nickel iodide 2 triphenylphosphine, nickel nitrate 2-triphenyl Phosphine, nickel chloride 2,2'bipyridine, nickel bromide 2,2'bipyridine, nickel iodide 2,2'bipyridine, nickel nitrate 2,2'bipyridine, bis (1,5-cyclooctadiene) nickel, tetrakis ( Triphenylphosphine) nickel, tetrakis (triphenylphosphite) nickel, tetrakis (triphenylphosphine) palladium and the like can be mentioned, and nickel chloride 2triphenylphosphine and nickel chloride 2,2'bipyridine are preferred.
[0022]
Examples of the reducing agent that can be used in such a catalyst system include iron, zinc, manganese, aluminum, magnesium, sodium, calcium, and the like, and zinc and manganese are preferable. These reducing agents can be used after being more activated by bringing them into contact with an acid or an organic acid.
[0023]
“Salts” that can be used in such a catalyst system include sodium compounds such as sodium fluoride, sodium chloride, sodium bromide, sodium iodide, sodium sulfate, potassium fluoride, potassium chloride, bromide. Examples include potassium compounds such as potassium, potassium iodide, and potassium sulfate, and ammonium compounds such as tetraethylammonium fluoride, tetraethylammonium chloride, tetraethylammonium bromide, tetraethylammonium iodide, and tetraethylammonium sulfate. Sodium iodide, potassium bromide, tetraethylammonium bromide and tetraethylammonium iodide are preferred.
[0024]
The proportion of each component in such a catalyst system is such that the transition metal salt or transition metal (salt) coordinated with a ligand is the total amount of the compounds of the above general formulas (7) and (14) to (15). It is 0.0001-10 mol normally with respect to 1 mol, Preferably it is 0.01-0.5 mol. When the amount is less than 0.0001 mol, the polymerization reaction does not proceed sufficiently. On the other hand, when the amount exceeds 10 mol, the molecular weight may decrease.
[0025]
In such a catalyst system, when a transition metal salt and a ligand are used, the use ratio of the ligand is usually 0.1 to 100 mol, preferably 1 to 10 mol, relative to 1 mol of the transition metal salt. It is. If the amount is less than 0.1 mol, the catalytic activity becomes insufficient. On the other hand, if the amount exceeds 100 mol, the molecular weight decreases.
[0026]
Moreover, the usage-amount of the reducing agent in a catalyst system is 0.1-100 mol normally with respect to 1 mol of total amounts of the compound of the said General formula (7), (14)-(15), Preferably it is 1-10 mol. It is. When the amount is less than 0.1 mol, the polymerization does not proceed sufficiently. On the other hand, when the amount exceeds 100 mol, purification of the resulting polymer may be difficult.
[0027]
Further, when “salt” is used in the catalyst system, the use ratio thereof is usually 0.001 to 100 mol with respect to 1 mol of the total amount of the compounds of the general formulas (7) and (14) to (15). Preferably it is 0.01-1 mol. If the amount is less than 0.001 mol, the effect of increasing the polymerization rate is insufficient. On the other hand, if the amount exceeds 100 mol, purification of the resulting polymer may be difficult.
[0028]
Examples of the polymerization solvent that can be used in the present invention include tetrahydrofuran, cyclohexanone, dimethyl sulfoxide, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, 1-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, γ- Butyrolactam can be mentioned, and tetrahydrofuran, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and 1-methyl-2-pyrrolidone are preferable. These polymerization solvents are preferably used after sufficiently dried.
[0029]
The concentration of the total amount of the compounds of the general formulas (7) and (14) to (15) in the polymerization solvent is usually 1 to 100% by weight, preferably 5 to 40% by weight.
[0030]
Moreover, the polymerization temperature at the time of superposing | polymerizing the said polymer is 0-200 degreeC normally, Preferably it is 50-80 degreeC. The polymerization time is usually 0.5 to 100 hours, preferably 1 to 40 hours.
In addition, the weight average molecular weight of polystyrene conversion of the said polymer (1) is 1,000-1,000,000 normally.
[0031]
Polymer (2);
The polymer represented by the general formula (2) can be produced, for example, by polymerizing a monomer containing compounds represented by the following general formulas (16) to (18) in the presence of a catalyst system.
[0032]
Embedded image
General formula (16)
[In the general formula (16), R7, R8Are each independently a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group or a halogen atom, X is -CQQ'- (where Q and Q 'are Which may be the same or different, and is at least one selected from the group consisting of a halogenated alkyl group, an alkyl group, a hydrogen atom, a halogen atom or an aryl group) and a fluorenylene group; b , C represents an integer of 0 to 4, and R16Is R17Represents at least one selected from the group consisting of a hydroxyl group, a halogen atom, and an -OM group (M is an alkali metal). ]
[0033]
Specific examples of the compound (monomer) represented by the general formula (16) include, for example,
2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane,
Bis (4-hydroxyphenyl) methane,
Bis (4-hydroxyphenyl) diphenylmethane,
2,2-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-hydroxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane,
2,2-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) propane,
2,2-bis (4-hydroxy-3-propenylphenyl) propane,
2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) propane,
2,2-bis (4-hydroxy-3-fluorophenyl) propane,
2,2-bis (4-hydroxy-3,5-difluorophenyl) propane,
2,2-bis (4-chlorophenyl) hexafluoropropane,
Bis (4-chlorophenyl) methane,
Bis (4-chlorophenyl) diphenylmethane,
2,2-bis (4-chloro-3-methylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-chloro-3-propenylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-chloro-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-chlorophenyl) propane,
2,2-bis (4-chloro-3-methylphenyl) propane,
2,2-bis (4-chloro-3-propenylphenyl) propane,
2,2-bis (4-chloro-3,5-dimethylphenyl) propane,
2,2-bis (4-chloro-3-fluorophenyl) propane,
2,2-bis (4-chloro-3,5-difluorophenyl) propane,
2,2-bis (4-chlorophenyl) hexafluoropropane,
Bis (4-bromophenyl) methane,
Bis (4-bromophenyl) diphenylmethane,
2,2-bis (4-bromo-3-methylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-bromo-3-propenylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-bromo-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-bromophenyl) propane,
2,2-bis (4-bromo-3-methylphenyl) propane,
2,2-bis (4-bromo-3-propenylphenyl) propane,
2,2-bis (4-bromo-3,5-dimethylphenyl) propane,
2,2-bis (4-bromo-3-fluorophenyl) propane,
2,2-bis (4-bromo-3,5-difluorophenyl) propane,
Bis (4-fluorophenyl) methane,
Bis (4-fluorophenyl) diphenylmethane,
2,2-bis (4-fluoro-3-methylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-fluoro-3-propenylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-fluoro-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-fluorophenyl) propane,
2,2-bis (4-fluoro-3-methylphenyl) propane,
2,2-bis (4-fluoro-3-propenylphenyl) propane,
2,2-bis (4-fluoro-3,5-dimethylphenyl) propane,
2,2-bis (4-fluoro-3-fluorophenyl) propane,
Examples include 2,2-bis (4-fluoro-3,5-difluorophenyl) propane. In the bisphenol compound, a hydroxyl group may be substituted with an -OM group (M is an alkali metal) with a basic compound containing sodium, potassium, or the like.
In the present invention, two or more compounds represented by the general formula (16) may be copolymerized.
[0034]
Embedded image
Formula (17)
[In the general formula (17), R9, RTenAre each independently a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group or a halogen atom, R18Is R19Represents at least one selected from the group consisting of a hydroxyl group, a halogen atom, and an —OM group (M is an alkali metal), and Y represents —O—, —CO—, —COO—, —CONH—, —S—. , —SO 2 — and at least one selected from the group of phenylene groups, a represents 0 or 1, and d and e represent integers of 0 to 4. ]
[0035]
Examples of the compound represented by the general formula (17) include:
4,4'-dichlorobiphenyl, 4,4'-dibromobiphenyl, 4,4'-difluorobiphenyl, 4,4'-diiodobiphenyl, 4,4'-dihydroxybiphenyl,
4,4'-dihydroxy-3,3'-dipropenylbiphenyl,
4,4'-dihydroxy-3,3'-dimethylbiphenyl,
4,4'-dihydroxy-3,3'-diethylbiphenyl,
4,4'-dimethylhydroxy-3,3 ', 5,5'-tetrafluorobiphenyl,
4,4'-dibromooctafluorobiphenyl,
4,4-dihydroxyoctafluorobiphenyl,
3,3'-diallyl-4,4'-bis (4-hydroxy) biphenyl,
4,4'-dichloro-2,2'-trifluoromethylbiphenyl,
4,4'-dibromo-2,2'-trifluoromethylbiphenyl,
4,4'-diiodo-2,2'-trifluoromethylbiphenyl,
Bis (4-chlorophenyl) sulfone, bis (4-hydroxyphenyl) sulfone,
Bis (4-chlorophenyl) ether, bis (4-hydroxyphenyl) ether,
4,4'-dichlorobenzophenone, 4,4'-dihydroxybenzophenone,
2,4-dichlorobenzophenone, 2,4-dihydroxybenzophenone
And so on.
In the bisphenol compound, a hydroxyl group may be substituted with an -OM group (M is an alkali metal) with a basic compound containing sodium, potassium, or the like. The compounds represented by the general formula (17) can be used singly or in combination of two or more.
[0036]
Embedded image
General formula (18)
[In the general formula (18), R11Is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group or a halogen atom, R14, R15-OSO2Z (wherein Z represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group), a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, and f represents an integer of 0-4. ]
[0037]
Examples of the compound represented by the general formula (18) include:
1,2-dihydroxybenzene, 1,3-dihydroxybenzene, 1,4-dihydroxybenzene, 2,3-dihydroxytoluene, 2,5-dihydroxytoluene, 2,6-dihydroxytoluene, 3,4-dihydroxytoluene, 3 , 5-dihydroxytoluene, o-dichlorobenzene, o-dibromobenzene, o-diiodobenzene, o-dimethylsulfonyloxybenzene, 2,3-dichlorotoluene, 2,3-dibromotoluene, 2,3-diiodo Toluene, 3,4-dichlorotoluene, 3,4-dibromotoluene, 3,4-diiodotoluene, 2,3-dimethylsulfonyloxybenzene, 3,4-dimethylsulfonyloxybenzene, m-dichlorobenzene, m -Dibromobenzene, m-diiodobenzene, m-dimethylsulfur Onyloxybenzene, 2,4-dichlorotoluene, 2,4-dibromotoluene, 2,4-diiodotoluene, 3,5-dichlorotoluene, 3,5-dibromotoluene, 3,5-diiodotoluene, 2 , 6-dichlorotoluene, 2,6-dibromotoluene, 2,6-diiodotoluene, 3,5-dimethylsulfonyloxytoluene, 2,6-dimethylsulfonyloxytoluene, 2,4-dichlorobenzotrifluoride, 2,4-dibromobenzotrifluoride, 2,4-diiodobenzotrifluoride, 3,5-dichlorobenzotrifluoride, 3,5-dibromotrifluoride, 3,5-diiodobenzotrifluoride, 1,3- Dibromo-2,4,5,6-tetrafluorobenzene, 2,4-dichlorobenzyl alcohol 3,5-dichlorobenzyl alcohol, 2,4-dibromobenzyl alcohol, 3,5-dibromobenzyl alcohol, 3,5-dichlorophenol, 3,5-dibromophenol, 3,5-dichloro-t-butoxycarbonyloxy Phenyl, 3,5-dibromo-t-butoxycarbonyloxyphenyl, 2,4-dichlorobenzoic acid, 3,5-dichlorobenzoic acid, 2,4-dibromobenzoic acid, 3,5-dibromobenzoic acid, 2, Methyl 4-dichlorobenzoate, methyl 3,5-dichlorobenzoate, methyl 3,5-dibromobenzoate, methyl 2,4-dibromobenzoate, tert-butyl 2,4-dichlorobenzoate, 3,5- Dichlorobenzoic acid-t-butyl, 2,4-dibromobenzoic acid-t-butyl, 3,5-dibromobenzoic acid-t-butyl, etc. You can also.
In the bisphenol compound, a hydroxyl group may be substituted with an -OM group (M is an alkali metal) with a basic compound containing sodium, potassium, or the like.
The compounds represented by the general formula (18) can be used singly or in combination of two or more.
The ratio of the repeating structural unit in the polymer represented by the general formula (2) is as follows. In the general formula (2), j is 0 to 100 mol%, k is 0 to 100 mol% (where j + k = 100 mol) %).
[0038]
As a method for synthesizing the polymer represented by the general formula (2), the polymer can be obtained by heating a bisphenol compound and a dihalogenated compound in a solvent in the presence of an alkali metal compound.
The bisphenol compound and the dihalogenated compound are used in a proportion of 45 to 55 mol%, preferably 48 to 52 mol%, and 55 to 45 mol%, preferably 52 to 48 mol% of the dihalogenated compound. If the proportion of the bisphenol compound used is less than 45 or exceeds 55, the molecular weight of the polymer is hardly increased and the coatability of the coating film may be inferior.
Examples of the alkali metal compound used in this case include sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, lithium hydrogen carbonate, sodium hydride, hydrogenated Examples include potassium, lithium hydride, metallic sodium, metallic potassium, metallic lithium and the like.
These may be used alone or in combination of two or more.
The usage-amount of an alkali metal compound is 100-400 mol% normally with respect to a bisphenol compound, Preferably it is 100-250 mol%.
In order to promote the reaction, metal copper, cuprous chloride, cupric chloride, cuprous bromide, cupric bromide, cuprous iodide, cupric iodide, cuprous sulfate, Cocatalysts such as cupric sulfate, cuprous acetate, cupric acetate, cuprous formate, and cupric formate may be used.
The usage-amount of this promoter is 1-50 mol% normally with respect to a bisphenol compound, Preferably it is 1-30 mol%.
[0039]
Examples of the solvent used for the reaction include pyridine, quinoline, benzophenone, diphenyl ether, dialkoxybenzene (the alkoxyl group has 1 to 4 carbon atoms), trialkoxybenzene (the alkoxyl group has 1 to 4 carbon atoms), diphenylsulfone, Dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, diethyl sulfoxide, diethyl sulfone, diisopropyl sulfone, tetrahydrofuran, tetrahydrothiophene, sulfolane, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, dimethylimidazolidinone, γ-butyrolactone, dimethylformamide, Dimethylacetamide and the like can be used.
These may be used alone or in combination of two or more.
The reaction concentration when synthesizing the polymer represented by the general formula (2) is 2 to 50% by weight based on the weight of the monomer, and the reaction temperature is 50 to 250 ° C.
Moreover, in order to remove the metal salt and unreacted monomer generated at the time of polymer synthesis, the reaction solution is filtered, or the reaction solution is reprecipitated with a solvent that is a poor solvent for the polymer, or washed with an acidic or alkaline aqueous solution. Is preferred.
Thus, the weight average molecular weight by GPC method of the polymer represented by General formula (2) obtained is 500-500,000 normally, Preferably it is 800-100,000.
[0040]
Polymer (3);
Examples of the polymer represented by the general formula (3) include the following general formula (19) and general formula (20).
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General formula (19)
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General formula (20)
(Wherein R12~ R17And l to p are as defined in relation to the general formula (3). )
At least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following general formula (21) and general formula (22):
Embedded image
Formula (21)
Embedded image
General formula (22)
(Wherein R17~ R22And p to t are as defined in relation to the general formula (3), and X represents a halogen atom. )
Is polymerized in the presence of a catalyst with at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by:
[0041]
Examples of the compound represented by the general formula (19) include 4,4′-diethynylbiphenyl, 3,3′-diethynylbiphenyl, 3,4′-diethynylbiphenyl, and 4,4′-diethynyldiphenyl ether. 3,3′-diethynyl diphenyl ether, 3,4′-diethynyl diphenyl ether, 4,4′-diethynyl benzophenone, 3,3′-diethynyl benzophenone, 3,4′-diethynyl benzophenone, 4,4 ′ -Diethynyldiphenylmethane, 3,3'-diethynyldiphenylmethane, 3,4'-diethynyldiphenylmethane, 4,4'-diethynylbenzoic acid phenyl ester, 3,3'-diethynylbenzoic acid phenyl ester, 3 , 4'-diethynyl benzoic acid phenyl ester, , 4'-diethynylbenzanilide, 3,3'-diethynylbenzanilide, 3,4'-diethynylbenzanilide, 4,4'-diethynyldiphenyl sulfide, 3,3'-diethynyldiphenyl sulfide, 3 , 4′-diethynyl diphenyl sulfide, 4,4′-diethynyl diphenyl sulfone, 3,3′-diethynyl diphenyl sulfone, 3,4′-diethynyl diphenyl sulfone, 2,4,4′-triethynyl diphenyl ether, 9,9-bis (4-ethynylphenyl) fluorene, 4,4 "-diethynyl-p-terphenyl, 4,4" -diethynyl-m-terphenyl, 4,4 "-diethynyl-o-terphenyl, etc. These compounds may be used alone or in combination of two or more.
[0042]
Examples of the compound represented by the general formula (20) include 1,2-diethynylbenzene, 1,3-diethynylbenzene, 1,4-diethynylbenzene, 2,5-diethynyltoluene, 3,4- Examples include diethynyltoluene. These compounds may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types simultaneously.
[0043]
Examples of the compound represented by the general formula (21) include 1,2-bis (2-bromophenoxy) benzene, 1,2-bis (2-iodophenoxy) benzene, 1,2-bis (3-bromo). Phenoxy) benzene, 1,2-bis (3-iodophenoxy) benzene, 1,2-bis (4-bromophenoxy) benzene, 1,2-bis (4-iodophenoxy) benzene, 1,3-bis (2 -Bromophenoxy) benzene, 1,3-bis (2-iodophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-bromophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-iodophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-bromophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-iodophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-bromophenoxy) benzene, 1,4-bis ( -Iodophenoxy) benzene, 1,4-bis (2-bromophenoxy) benzene, 1,4-bis (2-iodophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-bromophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-iodophenoxy) benzene,
1- (2-bromobenzoyl) -3- (2-bromophenoxy) benzene, 1- (2-iodobenzoyl) -3- (2-iodophenoxy) benzene, 1- (3-bromobenzoyl) -3- ( 3-bromophenoxy) benzene, 1- (3-iodobenzoyl) -3- (3-iodophenoxy) benzene, 1- (4-bromobenzoyl) -3- (4-bromophenoxy) benzene, 1- (4- Iodobenzoyl) -3- (4-iodophenoxy) benzene, 1- (3-bromobenzoyl) -4- (3-bromophenoxy) benzene, 1- (3-iodobenzoyl) -4- (3-iodophenoxy) Benzene, 1- (4-bromobenzoyl) -4- (4-bromophenoxy) benzene, 1- (4-iodobenzoyl) -4- (4-iodophenoxy) ) Benzene,
2,2′-bis (2-bromophenoxy) benzophenone, 2,2′-bis (2-iodophenoxy) benzophenone, 2,4′-bis (2-bromophenoxy) benzophenone, 2,4′-bis (2 -Iodophenoxy) benzophenone, 4,4'-bis (2-bromophenoxy) benzophenone, 4,4'-bis (2-iodophenoxy) benzophenone, 2,2'-bis (3-bromophenoxy) benzophenone, 2, 2'-bis (3-iodophenoxy) benzophenone, 2,4'-bis (3-bromophenoxy) benzophenone, 2,4'-bis (3-iodophenoxy) benzophenone, 4,4'-bis (3-bromo Phenoxy) benzophenone, 4,4′-bis (3-iodophenoxy) benzophenone, 2,2′-bis (4 Bromophenoxy) benzophenone, 2,2′-bis (4-iodophenoxy) benzophenone, 2,4′-bis (4-bromophenoxy) benzophenone, 2,4′-bis (4-iodophenoxy) benzophenone, 4,4 '-Bis (4-bromophenoxy) benzophenone, 4,4'-bis (4-iodophenoxy) benzophenone,
2,2′-bis (2-bromobenzoyl) benzophenone, 2,2′-bis (2-iodobenzoyl) benzophenone, 2,4′-bis (2-bromobenzoyl) benzophenone, 2,4′-bis (2 -Iodobenzoyl) benzophenone, 4,4'-bis (2-bromobenzoyl) benzophenone, 4,4'-bis (2-iodobenzoyl) benzophenone, 2,2'-bis (3-bromobenzoyl) benzophenone, 2, 2′-bis (3-iodobenzoyl) benzophenone, 2,4′-bis (3-bromobenzoyl) benzophenone, 2,4′-bis (3-iodobenzoyl) benzophenone, 4,4′-bis (3-bromo Benzoyl) benzophenone, 4,4′-bis (3-iodobenzoyl) benzophenone, 2,2′-bis (4 Bromobenzoyl) benzophenone, 2,2′-bis (4-iodobenzoyl) benzophenone, 2,4′-bis (4-bromobenzoyl) benzophenone, 2,4′-bis (4-iodobenzoyl) benzophenone, 4,4 '-Bis (4-bromobenzoyl) benzophenone, 4,4'-bis (4-iodobenzoyl) benzophenone,
3,4′-bis (2-bromophenoxy) diphenyl ether, 3,4′-bis (2-iodophenoxy) diphenyl ether, 3,4′-bis (3-bromophenoxy) diphenyl ether, 3,4′-bis (3 -Iodophenoxy) diphenyl ether, 3,4'-bis (4-bromophenoxy) diphenyl ether, 3,4'-bis (4-iodophenoxy) diphenyl ether, 4,4'-bis (2-bromophenoxy) diphenyl ether, 4, 4′-bis (2-iodophenoxy) diphenyl ether, 4,4′-bis (3-bromophenoxy) diphenyl ether, 4,4′-bis (3-iodophenoxy) diphenyl ether, 4,4′-bis (4-bromo Phenoxy) diphenyl ether, 4,4′-bis (4- Dofenokishi) diphenyl ether,
3,4′-bis (2-bromobenzoyl) diphenyl ether, 3,4′-bis (2-iodobenzoyl) diphenyl ether, 3,4′-bis (3-bromobenzoyl) diphenyl ether, 3,4′-bis (3 -Iodobenzoyl) diphenyl ether, 3,4'-bis (4-bromobenzoyl) diphenyl ether, 3,4'-bis (4-iodobenzoyl) diphenyl ether, 4,4'-bis (2-bromobenzoyl) diphenyl ether, 4, 4′-bis (2-iodobenzoyl) diphenyl ether, 4,4′-bis (3-bromobenzoyl) diphenyl ether, 4,4′-bis (3-iodobenzoyl) diphenyl ether, 4,4′-bis (4-bromo Benzoyl) diphenyl ether, 4,4′-bis (4- Dobenzoiru) diphenyl ether,
2,2′-bis (4-chlorophenyl) isopropylidene, 2,2′-bis (4-iodophenyl) isopropylidene, 2,2′-bis (4-bromophenyl) isopropylidene, 2,2′-bis (3-chlorophenyl) isopropylidene, 2,2′-bis (3-iodophenyl) isopropylidene, 2,2′-bis (3-bromophenyl) isopropylidene, 2,2′-bis (4-chlorophenyl) hexa Fluoroisopropylidene, 2,2′-bis (4-iodophenyl) hexafluoroisopropylidene, 2,2′-bis (4-bromophenyl) hexafluoroisopropylidene, 2,2′-bis (3-chlorophenyl) hexa Fluoroisopropylidene, 2,2′-bis (3-iodophenyl) hexafluoroisopropylidene, 2 2′-bis (3-bromophenyl) hexafluoroisopropylidene, 2,2′-bis (4-chlorophenyl) diphenylmethylidene, 2,2′-bis (4-iodophenyl) diphenylmethylidene, 2,2 ′ -Bis (4-bromophenyl) diphenylmethylidene, 2,2'-bis (3-chlorophenyl) diphenylmethylidene, 2,2'-bis (3-iodophenyl) diphenylmethylidene, 2,2'-bis ( 3-bromophenyl) diphenylmethylidene, 9,9-bis (4-chlorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-iodophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-bromophenyl) fluorene, 9,9 -Bis (3-chlorophenyl) fluorene, 9,9-bis (3-iodophenyl) fluorene, 9,9-bis (3-bromide) Phenyl) fluorene, 4,4 "-dichloro-m-terphenyl, 4,4" -diiodo-m-terphenyl, 4,4 "-dibromo-m-terphenyl, 4,4" -dichloro-p-ter And phenyl, 4,4 "-diiodo-p-terphenyl, 4,4" -dibromo-p-terphenyl, and the like. These compounds may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types simultaneously.
[0044]
Examples of the compound represented by the general formula (22) include 1,2-dichlorobenzene, 1,3-dichlorobenzene, 1,4-dichlorobenzene, 1,2-diiodobenzene, 1,3-diiodo. Benzene, 1,4-diiodobenzene, 1,2-dibromobenzene, 1,3-dibromobenzene, 1,4-dibromobenzene, 2,3-dichlorotoluene, 2,4-dichlorotoluene, 2,5-dichloro Toluene, 2,6-dichlorotoluene, 3,4-dichlorotoluene, 2,3-diiodotoluene, 2,4-diiodotoluene, 2,5-diiodotoluene, 2,6-diiodotoluene, 3, 4-diiodotoluene, 2,3-dibromotoluene, 2,4-dibromotoluene, 2,5-dibromotoluene, 2,6-dibromotoluene, 3,4-dibro Or the like can be mentioned toluene. These compounds may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types simultaneously.
[0045]
The polymer of the present invention comprises a compound represented by the general formula (19) and / or a compound represented by the general formula (20), a compound represented by the general formula (21) and / or the general formula (22). And a compound represented by the general formula (19) and / or a compound represented by the general formula (20), and a compound represented by the general formula (21). ) And / or the ratio of the compound represented by the general formula (22) is such that the total amount of the latter compound is 0.8 to 1.2 mol with respect to 1 mol of the total amount of the former compound, Preferably it is 0.9-1.1 mol, Most preferably, it is 0.95-1.05. When the total amount of the latter compound is less than 0.8 mol or exceeds 1.2 mol, the molecular weight of the resulting polymer is unlikely to increase.
[0046]
In the production method of the present invention, it is preferable to polymerize these compounds in the presence of a catalyst containing a transition metal compound. Furthermore, a catalyst containing a transition metal compound and a basic compound is more preferable, and those composed of the following components (a), (b) and (c) are particularly preferable.
(A) a substance capable of binding to a palladium salt and palladium as a ligand or forming a complex (including a complex ion) by supplying a group (atomic group) bonded as a ligand (hereinafter referred to as a ligand) Formed body), or palladium complex (additional ligand-forming body may be added if necessary)
(B) Monovalent copper compound
(C) Basic compound
[0047]
Examples of the palladium salt include palladium chloride, palladium bromide, palladium iodide and the like. Examples of the ligand-forming body include triphenylphosphine, tri-o-tolylphosphine, tricyanophenylphosphine, tricyanomethylphosphine, and the like. Of these, triphenylphosphine is preferable. These compounds may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types simultaneously.
[0048]
Examples of the palladium complex include dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, dibromobis (triphenylphosphine) palladium, diiodobis (triphenylphosphine) palladium, dichlorobis (tri-o-tolylphosphine) palladium, dichlorobis (tricyanophenylphosphine) palladium. Dichlorobis (tricyanomethylphosphine) palladium, dibromobis (tri-o-tolylphosphine) palladium, dibromobis (tricyanophenylphosphine) palladium, dibromobis (tricyanomethylphosphine) palladium, diiodobis (tri-o-tolylphosphine) palladium, Diiodobis (tricyanophenylphosphine) palladium, diiodobis (tricyanomethylphosphine) para Um, tetrakis (triphenylphosphine) palladium, tetrakis (tri--o- tolyl phosphine) palladium, tetrakis (tricyanophenylphosphine) palladium, tetrakis (tricyanomethylphosphine) palladium. Of these, dichlorobis (triphenylphosphine) palladium and tetrakis (triphenylphosphine) palladium are preferable. These compounds may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types simultaneously.
[0049]
Examples of the monovalent copper compound include copper (I) chloride, copper (I) bromide, copper (I) iodide and the like. These compounds may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types simultaneously.
[0050]
The ratio of the catalyst used is as follows.
The use ratio of the palladium salt is preferably 0.0001 to 10 mol, more preferably 0.001 to 1 mol, with respect to 1 mol of the total amount of the compounds represented by the general formulas (19) to (22). . If the amount is less than 0.0001 mol, polymerization may not proceed sufficiently, while if it exceeds 10 mol, purification may be difficult.
[0051]
Moreover, the usage-amount of a ligand formation body becomes like this. Preferably it is 0.0004-50 mol with respect to 1 mol of total amounts of the compound represented by General formula (19)-(22), More preferably, it is 0.004- 5 moles. If it is less than 0.0004 mol, polymerization may not proceed sufficiently, while if it exceeds 50 mol, purification may be difficult.
The use ratio of the palladium complex is preferably 0.0001 to 10 mol, more preferably 0.001 to 1 mol, with respect to 1 mol of the total amount of the compounds represented by the general formulas (19) to (22). If the amount is less than 0.0001 mol, polymerization may not proceed sufficiently, while if it exceeds 10 mol, purification may be difficult.
The use ratio of the monovalent copper compound is preferably 0.0001 to 10 mol, more preferably 0.001 to 1 mol with respect to 1 mol of the total amount of the compounds represented by the general formulas (19) to (22). It is. If the amount is less than 0.0001 mol, polymerization may not proceed sufficiently, while if it exceeds 10 mol, purification may be difficult.
[0052]
Examples of basic compounds include pyridine, pyrrole, piperazine, pyrrolidine, piperidine, picoline, trimethylamine, triethylamine, monoethanolamine, diethanolamine, dimethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine, triethanolamine, diazabicyclooctane, diazabicyclo Nonane, diazabicycloundecene, tetramethylammonium hydroxide, diethylamine, ammonia, n-butylamine, imidazole and the like can be mentioned. Of these, diethylamine, piperidine, and n-butylamine are preferable. These compounds may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types simultaneously.
[0053]
The use ratio of the basic compound is preferably 1 to 1000 mol, more preferably 1 to 100 mol, per 1 mol of the total amount of the compounds represented by the general formulas (19) to (22). If the amount is less than 1 mol, polymerization may not proceed sufficiently, while if it exceeds 100 mol, it is not economical.
[0054]
In the production method of the present invention, a solvent can be used as necessary. The polymerization solvent is not particularly limited. For example, halogen solvents such as chloroform, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, chlorobenzene and dichlorobenzene; aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, mesitylene and diethylbenzene; Ether solvents such as diethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, diglyme, anisole, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, 2-heptanone, cyclohexanone, cyclpentanone; acetic acid Ester solvents such as methyl, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate and γ-butyrolactone; N N- dimethylformamide, N, N- dimethylacetamide may be mentioned amide solvents such as N- methyl-2-pyrrolidone. These solvents are preferably used after sufficiently dried and deoxygenated. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
[0055]
The monomer (polymerization component) concentration in the polymerization solvent is preferably 1 to 80% by weight, more preferably 5 to 60% by weight.
The polymerization temperature is preferably 0 to 150 ° C, more preferably 5 to 100 ° C. The polymerization time is preferably 0.5 to 100 hours, more preferably 1 to 40 hours.
[0056]
The polyarylene and / or polyarylene ether obtained as described above can be purified by dissolving in a specific organic solvent, and bringing the solution into contact with water or an acidic aqueous solution to extract liquids.
The specific organic solvent has a solubility in water at 20 ° C. of 100 g / 100 cc or less, preferably 30 g / 100 cc or less, particularly preferably 20 g / 100 cc or less.
Specific examples of the specific organic solvent include, for example, methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-acetate. Pentyl, 3-methoxybutyl acetate, methyl pentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methyl cyclohexyl acetate, n-nonyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, propylene glycol monobutyl ether , Ethyl propionate, n-butyl propionate, i-amyl propionate, diethyl oxalate, di-n-butyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-amyl lactate, diethyl malonate, phthalate Esthetics such as dimethyl acid and diethyl phthalate System solvent;
Aliphatic carbonization such as n-pentane, i-pentane, n-hexane, i-hexane, n-heptane, i-heptane, 2,2,4-trimethylpentane, n-octane, i-octane, cyclohexane, methylcyclohexane A hydrogen-based solvent;
Benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, trimethylbenzene, methylethylbenzene, n-propyl benzene, i-propyl benzene, diethylbenzene, i-butylbenzene, triethylbenzene, di-i-propyl benzene, n-amylnaphthalene, trimethylbenzene, etc. Aromatic hydrocarbon solvents;
Examples thereof include ketone solvents such as cyclopentanone, cyclohexanone, 2-hexanone, 2-heptanone, and methylcyclohexanone.
Two or more of these specific organic solvents may be used simultaneously.
[0057]
Moreover, you may add another solvent to a specific organic solvent in the range which does not impair the effect of this invention.
Examples of other solvents include methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-pentanol, i-pentanol, and 2-methylbutanol. , Sec-pentanol, t-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, heptanol-3, n-octanol, 2-ethyl Hexanol, sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethylheptanol-4, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec-heptadecyl alcohol, , Cyclohexanol, methyl cyclohexanol, 3,3,5-trimethyl cyclohexanol, benzyl alcohol, mono-alcohol solvents such as diacetone alcohol;
Ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, pentanediol-2,4, 2-methylpentanediol-2,4, hexanediol-2,5, heptanediol-2,4, 2- Polyhydric alcohol solvents such as ethylhexanediol-1,3, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol;
Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2-ethylbutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl Ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene group Monoethyl ether, polyhydric alcohol partial ether solvents such as dipropylene glycol monopropyl ether;
Acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, ethyl-n-butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, di-i- Butyl ketone, trimethylnonanone, cyclohexanone, 2,4-pentanedione, acetonylacetone, acetophenone, fencheon, acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2,4-heptanedione, 3,5-heptanedione, 2,4 -Octanedione, 3,5-octanedione, 2,4-nonanedione, 3,5-nonanedione, 5-methyl-2,4-hexanedione, 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptane Dione, 1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-hept Ketone-based solvents such as Njion;
Formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-ethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-ethylacetamide, N, N-diethyl Amide solvents such as acetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone, N-formylmorpholine, N-formylpiperidine, N-formylpyrrolidine, N-acetylmorpholine, N-acetylpiperidine, N-acetylpyrrolidine;
ester solvents such as γ-butyrolactone and γ-valerolactone;
Acetonitrile, dimethyl sulfoxide, N, N, N ′, N′-tetraethylsulfamide, hexamethylphosphoric triamide, N-methylmorpholone, N-methylpyrrole, N-ethylpyrrole, N-methyl-Δ3-pyrroline, N-methylpiperidine, N-ethylpiperidine, N, N-dimethylpiperazine, N-methylimidazole, N-methyl-4-piperidone, N-methyl-2-piperidone, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3- Examples thereof include aprotic solvents such as dimethyl-2-imidazolidinone and 1,3-dimethyltetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone.
[0058]
The usage-amount of the other solvent with respect to a specific organic solvent is 0-100 weight part with respect to 100 weight part of specific organic solvents. When the amount of other solvents used exceeds 100 parts by weight, the layer separation property during liquid-liquid extraction is deteriorated.
These other solvents may be used alone or in combination of two or more.
[0059]
The amount of the organic solvent used for dissolving the polyarylene and / or polyarylene ether in the specific organic solvent is not particularly limited. However, if too much organic solvent is used, the total amount of liquid increases and the operation becomes difficult. In addition, if the amount of the organic solvent is too small, problems such as poor separation from the water layer after treatment with water or an acidic aqueous solution may occur. A suitable specific organic solvent is used in an amount of 50 to 5000 parts by weight, more preferably 100 to 4000 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyarylene and / or polyarylene ether.
[0060]
The polyarylene and / or polyarylene ether dissolved in the specific organic solvent is then contacted with water or an acidic aqueous solution and extracted liquid-liquid.
The liquid used for the extraction in the present invention may be only water, but an acidic aqueous solution, for example, an acid added to water to adjust the pH to 5 or less is preferable. If the acidity of the aqueous solution is too large, it may affect the polyarylene and / or polyarylene ether. Usually, an acidic aqueous solution having a pH of about 0 or more is preferable, and a more preferable pH range is 1 to 5.
[0061]
Examples of the acid used for the acidic aqueous solution include inorganic acids such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, and boric acid;
Acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, oxalic acid, maleic acid, methylmalonic acid, adipic acid, sebacic acid, gallic acid, butyric acid, merit acid, Arachidonic acid, shikimic acid, 2-ethylhexanoic acid, oleic acid, stearic acid, linoleic acid, linolenic acid, salicylic acid, benzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, monochloroacetic acid, dichloroacetic acid Hydrolysis of trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, formic acid, malonic acid, sulfonic acid, phthalic acid, fumaric acid, citric acid, tartaric acid, succinic acid, fumaric acid, itaconic acid, mesaconic acid, citraconic acid, malic acid, glutaric acid Organic acid such as hydrolyzate of maleic anhydride, hydrolyzate of maleic anhydride, hydrolyzate of phthalic anhydride Bets can be, there may be mentioned organic acids as a more preferable example is an organic dicarboxylic acid as particularly preferred examples.
These compounds may be used alone or in combination of two or more.
[0062]
In the present invention, water or an acidic aqueous solution may be added to the polyarylene and / or polyarylene ether solution, or the polyarylene and / or polyarylene ether solution may be added to water or the acidic aqueous solution.
The water or acidic aqueous solution used is preferably one having a low metal content, for example, ion-exchanged water or distilled water having an electric resistance of 10 MΩ / cm or more in accordance with the object of the present invention. For example, a method in which ion-exchanged water is used as it is or a method in which an acid is added to water having a low metal content to make it weakly acidic is preferable.
[0063]
There are no particular restrictions on the amount of water or acidic aqueous solution used, but if the amount is too small, it is necessary to increase the number of extractions for removing the metal, and if the amount of water or acidic aqueous solution is too large, The amount of liquid may increase and cause operational problems.
A suitable amount of water or acidic aqueous solution used is 100 to 3000 parts by weight, more preferably 150 to 2500 parts by weight with respect to 100 parts by weight of polyarylene and / or polyarylene ether.
The liquid-liquid extraction is usually performed by stirring the polyarylene and / or polyarylene ether solution and the water or acidic aqueous solution as the extractant at a temperature of 5 to 60 ° C., more preferably at a temperature of 10 to 50 ° C. After mixing well, it is performed by allowing to stand.
Thereby, the polyarylene and / or polyarylene ether solution layer and the aqueous layer are separated into two layers, and metal ions contained in the polyarylene and / or polyarylene ether solution are transferred to the aqueous layer. At this time, the separability between the polyarylene and / or the polyarylene ether solution layer and the aqueous layer can be improved by using a centrifugal separator or the like.
[0064]
By such treatment, the metal content in the polyarylene and / or polyarylene ether polymer solution can be reduced, but the resulting polyarylene and / or polyarylene ether solution layer is further converted into water or an acidic aqueous solution. It is desirable to further reduce the metal content by repeating the operations of charging, mixing by stirring, standing, and separating several times. In addition, when liquid extraction processing is performed using an acidic aqueous solution, it is desirable to further perform extraction processing using water several times after the extraction with the acidic aqueous solution is completed to remove the acid.
[0065]
The polyarylene and / or polyarylene ether solution thus obtained can be subjected to an operation such as distillation under reduced pressure after removing a remaining film as well as a specific organic solvent, if necessary. I can do it.
Examples of the film-forming solvent that can be used at this time include at least one selected from the group consisting of alcohol solvents, ketone solvents, amide solvents, ester solvents, and aprotic solvents.
Here, as the alcohol solvent, methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-pentanol, i-pentanol, 2-methyl Butanol, sec-pentanol, t-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, heptanol-3, n-octanol, 2- Ethylhexanol, sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethylheptanol-4, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec-heptadecyl alcohol Phenol, cyclohexanol, methyl cyclohexanol, 3,3,5-trimethyl cyclohexanol, benzyl alcohol, mono-alcohol solvents such as diacetone alcohol;
Ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, pentanediol-2,4, 2-methylpentanediol-2,4, hexanediol-2,5, heptanediol-2,4, 2- Polyhydric alcohol solvents such as ethylhexanediol-1,3, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol;
Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2-ethylbutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl Ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol And the like; monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, polyhydric alcohol partial ether solvents such as dipropylene glycol monopropyl ether.
These alcohol solvents may be used alone or in combination of two or more.
Examples of ketone solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, ethyl-n-butyl ketone, and methyl-n-hexyl. In addition to ketones, di-i-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclohexanone, 2-hexanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, acetonylacetone, acetophenone, fenchon, acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2 , 4-heptanedione, 3,5-heptanedione, 2,4-octanedione, 3,5-octanedione, 2,4-nonanedione, 3,5-nonanedione, 5-methyl-2,4-hexanedione, 2,2,6,6-tetramethyl-3, - heptanedione, 1,1,1,5,5,5 beta-diketones such as hexafluoro-2,4-heptane dione and the like.
These ketone solvents may be used alone or in combination of two or more.
Examples of amide solvents include formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-ethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-ethylacetamide N, N-diethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone, N-formylmorpholine, N-formylpiperidine, N-formylpyrrolidine, N-acetylmorpholine, N-acetylpiperidine, N-acetylpyrrolidine, etc. Can be mentioned.
These amide solvents may be used alone or in combination of two or more.
Examples of ester solvents include diethyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, diethyl carbonate, methyl acetate, ethyl acetate, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, and i-acetate. -Butyl, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methylpentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methylcyclohexyl acetate, n-acetate -Nonyl, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene acetate monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl acetate Glycol mono-n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene Glycol acetate, methoxytriglycol acetate, ethyl propionate, n-butyl propionate, i-amyl propionate, diethyl oxalate, di-n-butyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-lactate Examples include amyl, diethyl malonate, dimethyl phthalate, and diethyl phthalate.
These ester solvents may be used alone or in combination of two or more.
As aprotic solvents, acetonitrile, dimethyl sulfoxide, N, N, N ′, N′-tetraethylsulfamide, hexamethylphosphoric triamide, N-methylmorpholone, N-methylpyrrole, N-ethylpyrrole, N -Methyl-Δ3-pyrroline, N-methylpiperidine, N-ethylpiperidine, N, N-dimethylpiperazine, N-methylimidazole, N-methyl-4-piperidone, N-methyl-2-piperidone, N-methyl-2 -Pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-dimethyltetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone and the like can be mentioned.
[0066]
Other additives
The film-forming composition obtained in the present invention further contains components such as an organic polymer, a surfactant, a silane coupling agent, a radical generator, a compound containing a polymerizable double bond, and a polymerizable triple bond. It may be added.
[0067]
Examples of the organic polymer include a compound having a sugar chain structure, a vinylamide polymer, a (meth) acrylic polymer, an aromatic vinyl compound, a dendrimer, a polyimide, a polyamic acid, a polyarylene, a polyamide, a polyquinoxaline, and a polyoxadi. Examples thereof include azoles, fluorine-based polymers, and compounds having a polyalkylene oxide structure.
[0068]
Examples of the compound having a polyalkylene oxide structure include a polymethylene oxide structure, a polyethylene oxide structure, a polypropylene oxide structure, a polytetramethylene oxide structure, and a polybutylene oxide structure.
Specifically, polyoxymethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyethylene sterol ether, polyoxyethylene lanolin derivative, ethylene oxide derivative of alkylphenol formalin condensate, polyoxyethylene poly Ether type compounds such as oxypropylene block copolymer, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester, polyoxyethylene fatty acid alkanolamide sulfate, etc. Ether ester type compound, polyethylene glycol fatty acid ester, ethylene glycol fat Esters, fatty acid monoglycerides, polyglycerol fatty acid esters, sorbitan fatty acid esters, propylene glycol fatty acid esters, and the like ether ester type compounds such as sucrose fatty acid esters.
Examples of the polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer include compounds having the following block structure.
-(X) j- (Y) k-
-(X) j- (Y) k- (X) l-
Wherein X is —CH2CH2In the group represented by O—, Y represents —CH2CH (CHThree) Represents a group represented by O-, j represents 1 to 90, k represents 10 to 99, and l represents 0 to 90)
Among these, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester, More preferred examples include ether type compounds.
These may be used alone or in combination of two or more.
[0069]
Examples of the surfactant include nonionic surfactants, anionic surfactants, cationic surfactants, and amphoteric surfactants, and further include fluorine surfactants, silicone surfactants, Polyalkylene oxide surfactants, poly (meth) acrylate surfactants and the like can be mentioned, and fluorine surfactants and silicone surfactants can be preferably mentioned.
[0070]
Examples of the fluorosurfactant include 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctyl hexyl ether, octa Ethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2, , 2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, sodium perfluorododecyl sulfonate, 1,1,2,2,8,8 , 9,9,10,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3,3-hexafluorodecane, N- [3- (perfluoroo Tansulfonamido) propyl] -N, N′-dimethyl-N-carboxymethyleneammonium betaine, perfluoroalkylsulfonamidopropyltrimethylammonium salt, perfluoroalkyl-N-ethylsulfonylglycine salt, bis (N-perfluorophosphate) Octylsulfonyl-N-ethylaminoethyl), monoperfluoroalkylethyl phosphate ester, etc., a fluorine-based surfactant comprising a compound having a fluoroalkyl or fluoroalkylene group at least at any one of its terminal, main chain and side chain Can be mentioned.
Commercially available products include MegaFuck F142D, F172, F173, F173, and F183 (above, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), F-Top EF301, 303, and 352 (made by Shin-Akita Kasei). , FLORARD FC-430, FC-431 (manufactured by Sumitomo 3M), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC -105, SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), BM-1000, BM-1100 (manufactured by Yusho Co., Ltd.), NBX-15 (Neos Co., Ltd.), etc. Mention may be made of surfactants. Among these, the above-mentioned Megafac F172, BM-1000, BM-1100, and NBX-15 are particularly preferable.
As the silicone surfactant, for example, SH7PA, SH21PA, SH30PA, ST94PA (all manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd., etc.) can be used. Among these, the above-mentioned SH21PA and SH30PA are particularly preferable.
[0071]
The usage-amount of surfactant is 0.0001-10 weight part normally with respect to a specific organic solvent (complete hydrolysis-condensation product).
These may be used alone or in combination of two or more.
[0072]
Examples of the silane coupling agent include 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminoglycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldimethoxysilane, 1- Methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 2-aminopropyltrimethoxysilane, 2-aminopropyltriethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3- Aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, N-ethoxycarbonyl 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-triethoxysilylpropyltriethylenetriamine, N-triethoxysilylpropyltriethylenetriamine, 10-trimethoxysilyl-1,4 , 7-triazadecane, 10-triethoxysilyl-1,4,7-triazadecane, 9-trimethoxysilyl-3,6-diazanonyl acetate, 9-triethoxysilyl-3,6-diazanonyl acetate, N -Benzyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-benzyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-bis (Oxyethylene)- - aminopropyltrimethoxysilane, N- bis (oxyethylene) -3-aminopropyltriethoxysilane, poly vinylmethoxysiloxane, polyvinyl ethoxy siloxane.
These may be used alone or in combination of two or more.
[0073]
Examples of the radical generator include isobutyryl peroxide, α, α ′ bis (neodecanoylperoxy) diisopropylbenzene, cumylperoxyneodecanoate, di-npropylperoxydicarbonate, diisopropylperoxydicarbonate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate, bis (4-tert-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneodecanoate, di-2 -Ethoxyethyl peroxydicarbonate, di (2-ethylhexylperoxy) dicarbonate, t-hexylperoxyneodecanoate, dimethoxybutylperoxydicarbonate, di (3-methyl-3-methoxybutylperoxy) Dicarbonate, t- Butyl peroxyneodecanoate, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, t-hexyl peroxypivalate, t-butyl peroxypivalate, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, octanoyl peroxide, Lauroyl peroxide, stearoyl peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy 2-ethylhexanoate, succinic peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (2-ethylhexanoyl) Peroxy) hexane, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxy 2-ethylhexanoate, t-hexylperoxy 2-ethylhexanoate, t-butylperoxy 2-ethylhexanoate, m-toluoyl Andbenzoyl peroxide, benzoy Peroxide, t-butylperoxyisobutyrate, di-t-butylperoxy-2-methylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1 -Bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, 2,2 -Bis (4,4-di-t-butylperoxycyclohexyl) propane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclodecane, t-hexylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxymaleic acid, t -Butylperoxy-3,3,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxylaurate, 2 5-dimethyl-2,5-di (m-toluoylperoxy) hexane, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxy 2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexylperoxybenzoate, 2,5- Dimethyl-2,5-di (benzoylperoxy) hexane, t-butylperoxyacetate, 2,2-bis (t-butylperoxy) butane, t-butylperoxybenzoate, n-butyl-4,4- Bis (t-butylperoxy) valerate, di-t-butylperoxyisophthalate, α, α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5 -Di (t-butylperoxy) hexane, t-butylcumyl peroxide, di-t-butyl Ruperoxide, p-menthane hydroperoxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexyne-3, diisopropylbenzene hydroperoxide, t-butyltrimethylsilyl peroxide, 1,1,3 , 3-tetramethylbutyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, t-hexyl hydroperoxide, t-butyl hydroperoxide, 2,3-dimethyl-2,3-diphenylbutane, and the like.
[0074]
The blending amount of the radical generator is preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer.
These may be used alone or in combination of two or more.
[0075]
Examples of the compound containing a polymerizable double bond include allylbenzene, diallylbenzene, triallylbenzene, allyloxybenzene, diallyloxybenzene, triallyloxybenzene, α, ω-diallyloxyalkanes, α, ω -Dialylalkenes, α, ω-diallylalkenes, allylamine, diallylamine, triallylamine, N-allylphthalimide, N-allylpyromellitimide, N, N'-diallylurea, triallyl isocyanurate, 2,2'-diallyl Allyl compounds such as bisphenol A;
Styrene, divinylbenzene, trivinylbenzene, stilbene, propenylbenzene, dipropenylbenzene, tripropenylbenzene, phenyl vinyl ketone, methyl styryl ketone, α, α'-divinylalkanes, α, α'-divinylalkenes, α, α'-divinylalkynes, α, α'-divinyloxyalkanes, α, α'-divinylalkenes, α, α'-divinylalkynes, α, α'-diacryloxyalkanes, α, α ' -Diacrylalkenes, α, α'-diacrylalkenes, α, α'-dimethacryloxyalkanes, α, α'-dimethacrylalkenes, α, α'-dimethacrylalkenes, bisacryloxy Benzene, trisacryloxybenzene, bismethacryloxybenzene, trismethacryloxybenze , N- vinylphthalimide, vinyl compounds such as N- vinyl pyromellitimide;
Examples include polyarylene ether containing 2,2'-diallyl-4,4'-biphenol, polyarylene containing 2,2'-diallyl-4,4'-biphenol, and the like.
These may be used alone or in combination of two or more.
[0076]
Examples of the compound containing a polymerizable triple bond include compounds represented by the following general formula (23) and general formula (24), or any one of them.
Embedded image
Formula (23)
Embedded image
General formula (24)
(In the general formula, R24 represents a 2-v valent aromatic group, R25 represents a 2-w valent aromatic group, R23 represents a C 1-3 alkyl group, and u represents 0-5. An integer is shown, and v and w are each independently an integer of 2 to 6.)
[0077]
In the said General formula (23), R23 is a C1-C3 alkyl group, and can mention a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, and i-propyl group. In addition, R24 in the general formula (23) and R25 in the general formula (24) are 2-v and 2-w aromatic groups, respectively, and examples thereof include groups represented by the following general formula (25). be able to.
Embedded image
Formula (25)
[In the above general formula, M represents at least one group selected from —O—, —S—, —CH 2 —, —C (CH 3) 2 —, and a fluorenyl group. ]
[0078]
Specific examples of the compound represented by the general formula (23) include 1,4-bis (phenylethynylbenzene), 1,3-bis (phenylethynylbenzene), 1,2-bis (phenylethynyl), for example. Benzene, 1,3,5-tris (phenylethynyl) benzene, 1,2,4-tris (phenylethynyl) benzene, 4,4′-bis (phenylethynyl) diphenyl ether, 2,4,4′-tris (phenyl) And ethynyl) diphenyl ether.
[0079]
Specific examples of the compound represented by the general formula (24) include 1,4-diethynylbenzene, 1,3-diethynylbenzene, 1,2-diethynylbenzene, 1,3,5, and the like. -Triethynylbenzene, 1,2,4-triethynylbenzene, 4,4'-diethynyl diphenyl ether, 2,4,4'-triethynyl diphenyl ether and the like can be mentioned.
[0080]
The total solid content concentration of the composition of the present invention thus obtained is preferably 0.1 to 30% by weight, and is appropriately adjusted according to the purpose of use. When the total solid content concentration of the composition is 0.1 to 30% by weight, the film thickness of the coating film is in an appropriate range, and the storage stability is more excellent.
In addition, adjustment of this total solid content concentration is performed by concentration and dilution with the organic solvent, if necessary.
[0081]
The composition of the present invention is applied to a silicon wafer, SiO.2When applying to a substrate such as a wafer or SiN wafer, a coating means such as spin coating, dipping, roll coating, or spraying is used.
[0082]
In this case, as a dry film thickness, a coating film having a thickness of about 0.005 to 2.5 μm can be formed by one coating, and a coating film having a thickness of about 0.01 to 5.0 μm can be formed by two coatings. . Thereafter, the insulating film can be formed by drying at room temperature or drying by heating at a temperature of about 80 to 600 ° C. for about 5 to 240 minutes.
As a heating method at this time, a hot plate, an oven, a furnace, or the like can be used, and a heating atmosphere is performed in the air, a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, a vacuum, a reduced pressure with a controlled oxygen concentration, or the like. Can do.
Moreover, a coating film can be formed also by irradiating an electron beam or an ultraviolet-ray.
Moreover, in order to control the curing rate of the coating film, it is possible to heat stepwise or select an atmosphere such as nitrogen, air, oxygen, reduced pressure, etc. as necessary.
[0083]
Since the interlayer insulating film thus obtained has a low content of metal impurities and is excellent in relative dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics, semiconductors such as LSI, system LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, and D-RDRAM are used. Interlayer insulation film for elements, etching stoppers, chemical mechanical polishing stoppers, protective films such as semiconductor element surface coat films, intermediate layers for semiconductor fabrication processes using multilayer resists, interlayer insulation films for multilayer wiring boards, for liquid crystal display elements It is useful for applications such as protective films, insulating films, and protective films for color filters for display elements.
[0084]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the following description shows the example of an aspect of this invention generally, and this invention is not limited by this description without a particular reason.
In addition, unless otherwise indicated, the part and% in an Example and a comparative example have shown that they are a weight part and weight%, respectively.
Various evaluations were performed as follows.
[0085]
Weight average molecular weight (Mw)
It measured by the gel permeation chromatography (GPC) method by the following conditions.
Sample: Tetrahydrofuran was used as a solvent, and 1 g of a sample was prepared by dissolving in 100 cc of tetrahydrofuran.
Standard polystyrene: Standard polystyrene manufactured by US Pressure Chemical Company was used.
Apparatus: High-temperature high-speed gel permeation chromatogram (Model 150-C ALC / GPC) manufactured by Waters, USA
Column: SHODEX A-80M (length: 50 cm) manufactured by Showa Denko K.K.
Measurement temperature: 40 ° C
Flow rate: 1cc / min
[0086]
Metal content
The measurement was performed by flameless atomic absorption under the following conditions.
Sample: 1 g of a sample was prepared by dissolving in 100 g of distilled cyclohexanone.
Measurement method: The amount of Na, K, Fe, Ni, Zn, Cu, and Pd in the solution was measured using a flameless atomic absorption photometer GC12A manufactured by Hitachi, Ltd.
[0087]
Relative permittivity of coating film
A composition sample is applied onto an 8-inch silicon wafer by spin coating, and the substrate is dried on a hot plate at 80 ° C. for 2 minutes and at 200 ° C. in a nitrogen atmosphere for 2 minutes, and then heated in a nitrogen atmosphere at 410 ° C. The substrate was baked on the plate for 15 minutes. An aluminum electrode pattern was formed on the obtained substrate by vapor deposition to prepare a sample for measuring relative permittivity. The relative permittivity of the coating film was measured by a CV method using a sample of Yokogawa-Hewlett-Packard Co., Ltd., HP16451B electrode, and HP4284A Precision LCR meter at a frequency of 100 kHz.
[0088]
Leakage current of coating film
A composition sample is applied onto an 8-inch silicon wafer by spin coating, and the substrate is dried on a hot plate at 80 ° C. for 2 minutes and at 200 ° C. in a nitrogen atmosphere for 2 minutes, and then heated in a nitrogen atmosphere at 410 ° C. The substrate was baked on the plate for 15 minutes. An aluminum electrode pattern was formed on the obtained substrate by vapor deposition to prepare a sample for measuring leakage current. As the leakage current, 6517A manufactured by Keithley Co., Ltd. was used, and the current value when a voltage of 0.2 MV / cm was applied to the coating film was measured. The leakage current of the coating film was evaluated according to the following criteria.
○: Leakage current is 5 × 10-TenLess than A
×: Leakage current is 5 × 10-TenA or higher
[0089]
Synthesis example 1
In a three-necked flask, 7.5 g of sodium iodide, 1.3 g of anhydrous nickel chloride, 15.7 g of triphenylphosphine, 19.6 g of zinc powder activated with acetic acid, and 9,9-bis (methylsulfonyloxy) ) After adding 16.7 g of fluorene and drying under vacuum for 24 hours, the inside of the three-necked flask was filled with argon gas. Next, 50 ml of dry N, N-dimethylacetamide, 50 ml of dry tetrahydrofuran and 10.8 g of 2,4-dichlorotoluene were added and stirred under a stream of argon at 70 ° C., and the reaction solution became brown. The reaction was allowed to proceed at 70 ° C. for 20 hours, and after cooling, the reaction solution was poured into a mixture of 400% 36% hydrochloric acid and 1,600 ml of methanol to collect a precipitate.
The obtained precipitate was dissolved in chloroform to remove insoluble matters, and then poured into methanol to collect the precipitate. The precipitate was sufficiently washed with methanol and dried to obtain a white powdery polymer (1) having a weight average molecular weight of 10,500.
When the metal content of this polymer (1) solution was measured by flameless atomic absorption, Na (180 ppb), K (12 ppb), Fe (45 ppb), Ni (160 ppb), Zn (130 ppb), Cu (30 ppb) ), Pd (10 ppb).
[0090]
Synthesis example 2
In a three-necked flask equipped with a nitrogen introduction tube, Dean Stark, and a cooling tube, 26.48 g of 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene, 28.35 g of 9,9-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene Then, 45.60 g of anhydrous potassium carbonate, 500 mL of dimethylacetamide, and 150 mL of toluene were added, and the mixture was heated at 140 ° C. for 3 hours in a nitrogen atmosphere. After removing water generated during salt formation and excess toluene, the reaction solution was cooled to room temperature. Thereafter, 32.73 g of 4,4′-difluorobenzophenone was added to the reaction solution and reacted at 165 ° C. for 10 hours. After cooling, the reaction solution was poured into 5 L of 10% HCl-containing methanol for reprecipitation.
The obtained precipitate was dissolved in chloroform to remove insoluble matters, and then poured into methanol to collect the precipitate. The precipitate was sufficiently washed with methanol and dried to obtain a white powdery polymer (2) having a weight average molecular weight of 153,000.
When the metal content of this polymer (2) solution was measured by flameless atomic absorption, Na (20 ppb), K (120 ppb), Fe (35 ppb), Ni (10 ppb), Zn (12 ppb), Cu (20 ppb) ), Pd (8 ppb).
[0091]
Synthesis example 3
In a three-necked flask equipped with a thermometer, an argon gas inlet tube, and a stirrer, 120 ml of tetrahydrofuran, 3.46 g of tetrakistriphenylphosphine palladium, 2.1 g of dichlorobistriphenylphosphine palladium, 1.44 g of copper iodide, 20 ml of piperidine, 4,4 185.72 g of '-bis (2-iodophenoxy) benzophenone was added. Next, 65.48 g of 4,4′-diethynyl diphenyl ether was added and reacted at 25 ° C. for 20 hours. The reaction solution was poured into 5 L of 10% HCl-containing methanol for reprecipitation.
The obtained precipitate was dissolved in chloroform to remove insoluble matters, and then poured into methanol to collect the precipitate. The precipitate was sufficiently washed with methanol and dried to obtain a polymer (3) having a weight average molecular weight of 35,000.
When the metal content of this polymer (3) solution was measured by flameless atomic absorption, Na (24 ppb), K (10 ppb), Fe (13 ppb), Ni (10 ppb), Zn (12 ppb), Cu (150 ppb) ), Pd (220 ppb).
[0092]
Example 1
After 5 g of the polymer (1) was dissolved in 95 g of trimethylbenzene, it was placed in a polyethylene separatory funnel, 100 g of distilled water was further added, the mixture was shaken well, and then allowed to stand for 30 minutes. Since the polyarylene solution layer was separated into the upper layer and the aqueous layer was separated into the lower layer, the aqueous layer was removed. 100 g of distilled water is newly added to the remaining polyarylene solution layer, shaken again, and allowed to stand, and the separated aqueous layer is removed. This extraction operation was repeated 5 times. This solution was poured into methanol and the precipitate was collected. The precipitate was sufficiently washed with methanol and dried to obtain a white powdery polymer A having a weight average molecular weight of 10,500.
When the metal content of the polymer A solution was measured by flameless atomic absorption, Na (2 ppb), K (1 ppb), Fe (3 ppb), Ni (3 ppb), Zn (3 ppb), Cu (2 ppb), Pd (1 ppb).
3 g of this polymer A was dissolved in 57 g of trimethylbenzene and filtered through a Teflon filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a film forming composition of the present invention.
The obtained composition was applied onto a silicon wafer by spin coating.
When the relative dielectric constant of the obtained coating film was evaluated, it showed a low relative dielectric constant of 2.91. Furthermore, the leakage current of the coating film is 1 × 10-TenA, indicating a low leakage current.
[0093]
Example 2
After 5 g of the polymer (2) was dissolved in 95 g of cyclohexanone, it was placed in a polyethylene separatory funnel, 100 g of a pH 4 aqueous oxalic acid solution was added, the mixture was shaken well, and then allowed to stand for 30 minutes. Since the polyarylene ether solution layer was separated into the upper layer and the aqueous layer was separated into the lower layer, the aqueous layer was removed. 100 g of aqueous oxalic acid solution having a pH of 4 is newly added to the remaining polyarylene ether solution layer, shaken again, and allowed to stand, and the separated aqueous layer is removed. This extraction operation was repeated 5 times. This solution was poured into methanol and the precipitate was collected. The precipitate was sufficiently washed with methanol and dried to obtain a white powdery polymer B having a weight average molecular weight of 153,000.
When the metal content of this polymer B solution was measured by flameless atomic absorption, Na (2 ppb), K (3 ppb), Fe (2 ppb), Ni (1 ppb), Zn (1 ppb), Cu (2 ppb), Pd (1 ppb).
3 g of this polymer B was dissolved in 57 g of cyclohexanone and filtered through a Teflon filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a film forming composition of the present invention.
The obtained composition was applied onto a silicon wafer by spin coating.
When the relative dielectric constant of the obtained coating film was evaluated, it showed a low relative dielectric constant of 2.98. Furthermore, the leakage current of the coating film is 9 × 10-11A, indicating a low leakage current.
[0094]
Example 3
After 5 g of the polymer (3) was dissolved in 95 g of cyclohexanone, it was put into a polyethylene separatory funnel, 100 g of a pH 4 maleic acid aqueous solution was added, the mixture was shaken well, and then allowed to stand for 30 minutes. Since the polyarylene ether solution layer was separated into the upper layer and the aqueous layer was separated into the lower layer, the aqueous layer was removed. To the remaining polyarylene ether solution layer, 100 g of a pH 4 maleic acid aqueous solution is newly added, shaken again, allowed to stand, and the separated aqueous layer is removed. This extraction operation was repeated 5 times. This solution was poured into methanol and the precipitate was collected. The precipitate was sufficiently washed with methanol and dried to obtain a white powdery polymer C having a weight average molecular weight of 35,000.
When the metal content of the polymer C solution was measured by flameless atomic absorption, Na (2 ppb), K (1 ppb), Fe (2 ppb), Ni (1 ppb), Zn (1 ppb), Cu (4 ppb), Pd (5 ppb).
3 g of this polymer C was dissolved in 57 g of cyclohexanone and filtered through a Teflon filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a film forming composition of the present invention.
The obtained composition was applied onto a silicon wafer by spin coating.
When the relative dielectric constant of the obtained coating film was evaluated, it showed a low relative dielectric constant of 2.99. Furthermore, the leakage current of the coating film is 7 × 10-11A, indicating a low leakage current.
[0095]
Example 4
In a three-necked flask equipped with a thermometer, an argon gas inlet tube, and a stirrer, 120 ml of tetrahydrofuran, 3.46 g of tetrakistriphenylphosphine palladium, 2.1 g of dichlorobistriphenylphosphine palladium, 1.44 g of copper iodide, 20 ml of piperidine, 4,4 185.72 g of '-bis (2-iodophenoxy) benzophenone was added. Next, 65.48 g of 4,4′-diethynyl diphenyl ether was added and reacted at 25 ° C. for 20 hours. After adding 500 g of cyclohexanone to this solution, the mixture was placed in a polyethylene separatory funnel, 100 g of a pH 4 maleic acid aqueous solution was added, the mixture was shaken well, and then allowed to stand for 30 minutes. Since the polyarylene ether solution layer was separated into the upper layer and the aqueous layer was separated into the lower layer, the aqueous layer was removed. To the remaining polyarylene solution layer, 500 g of pH 4 oxalic acid aqueous solution is newly added, shaken again, and allowed to stand, and the separated aqueous layer is removed. This extraction operation was repeated seven times. This solution was poured into methanol and the precipitate was collected. This precipitate was sufficiently washed with methanol and dried to obtain a white powdery polymer D having a weight average molecular weight of 35,000.
When the metal content of the polymer D solution was measured by flameless atomic absorption, Na (3 ppb), K (1 ppb), Fe (2 ppb), Ni (1 ppb), Zn (1 ppb), Cu (6 ppb), Pd (8 ppb).
3 g of this polymer D was dissolved in 57 g of cyclohexanone and filtered through a Teflon filter having a pore size of 0.2 μm to obtain the film forming composition of the present invention.
The obtained composition was applied onto a silicon wafer by spin coating.
When the relative dielectric constant of the obtained coating film was evaluated, it showed a low relative dielectric constant of 2.99. Furthermore, the leakage current of the coating film is 1 × 10-TenA, indicating a low leakage current.
[0096]
Comparative Example 1
3 g of the polymer {circle around (1)} obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 57 g of trimethylbenzene and filtered through a Teflon filter having a pore size of 0.2 μm to obtain the film forming composition of the present invention.
The obtained composition was applied onto a silicon wafer by spin coating.
When the relative dielectric constant of the obtained coating film was evaluated, it showed a low relative dielectric constant of 2.92, but the leakage current of the coating film was 7 × 10.-TenA, which is inferior in leakage current characteristics.
[0097]
Comparative Example 2
3 g of the polymer (2) obtained in Synthesis Example 2 was dissolved in 57 g of cyclohexanone, and filtered through a Teflon filter having a pore size of 0.2 μm to obtain the film forming composition of the present invention.
The obtained composition was applied onto a silicon wafer by spin coating.
When the relative dielectric constant of the obtained coating film was evaluated, it showed a low relative dielectric constant of 2.98, but the leakage current of the coating film was 8 × 10.-TenA, which is inferior in leakage current characteristics.
[0098]
Comparative Example 3
3 g of the polymer {circle around (3)} obtained in Synthesis Example 3 was dissolved in 57 g of cyclohexanone and filtered through a Teflon filter having a pore size of 0.2 μm to obtain the film forming composition of the present invention.
The obtained composition was applied onto a silicon wafer by spin coating.
When the relative dielectric constant of the obtained coating film was evaluated, it showed a low relative dielectric constant of 2.98, but the leakage current of the coating film was 9 × 10.-TenA, which is inferior in leakage current characteristics.
[0099]
【The invention's effect】
According to the present invention, polyarylene and / or polyarylene ether is dissolved in an organic solvent having a solubility in water at 20 ° C. of 100 g / 100 cc or less, and the solution is brought into contact with water or an acidic aqueous solution for liquid-liquid extraction. By doing so, it is possible to provide a film-forming composition (interlayer insulating film material) capable of forming an organic film having a low content of metal impurities and excellent in relative dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics. .
Claims (2)
芳香族ポリマーがポリアリーレンおよびポリアリーレンエーテルもしくはいずれか一方であることを特徴とする芳香族ポリマーの製造方法。Including a step of performing liquid-liquid extraction by contacting a solution obtained by dissolving an aromatic polymer in an organic solvent having a solubility in water at 20 ° C. of 100 g / 100 cc or less with an aqueous organic dicarboxylic acid solution having a pH of 5 or less,
A method for producing an aromatic polymer, wherein the aromatic polymer is polyarylene and / or polyarylene ether.
で表される基を示し、R14〜R16、R17及びR20〜R22は独立に炭素原子数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数1〜20のアルコキシル基又はアリール基を表わし、lおよびqは独立に0〜3の整数を示し、m〜p及びr〜tは独立に0〜4の整数を示す。)The method for producing an aromatic polymer according to claim 1, wherein the polyarylene and the polyarylene ether are at least one polymer selected from the group of the following general formulas (1) to (3).
R 14 to R 16 , R 17 and R 20 to R 22 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, or an alkoxyl having 1 to 20 carbon atoms. A group or an aryl group, l and q independently represent an integer of 0 to 3, and m to p and rt independently represent an integer of 0 to 4; )
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