JPH11228674A - Production of phenylene group-containing copolymer, and film-forming material - Google Patents
Production of phenylene group-containing copolymer, and film-forming materialInfo
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- JPH11228674A JPH11228674A JP4099798A JP4099798A JPH11228674A JP H11228674 A JPH11228674 A JP H11228674A JP 4099798 A JP4099798 A JP 4099798A JP 4099798 A JP4099798 A JP 4099798A JP H11228674 A JPH11228674 A JP H11228674A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性、低誘電
性、加工性、透明性、密着性に優れ、また架橋剤を混ぜ
て硬化させて用いることにより耐溶剤性に優れたフェニ
レン基含有共重合体の製造方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a phenylene group-containing compound having excellent heat resistance, low dielectric properties, workability, transparency and adhesion, and having excellent solvent resistance by being cured by mixing a crosslinking agent. The present invention relates to a method for producing a copolymer.
【0002】[0002]
【従来の技術】大規模集積回路(LSI)は、微細加工
技術の進歩を反映して、高集積化、多機能化、高性能化
をたどっている。その結果、回路抵抗や配線間のコンデ
ンサー容量(以下、それぞれ、「寄生抵抗」、「寄生容
量」ともいう)が増大して、消費電力が増加するだけで
なく、遅延時間も増大して、デバイスの信号スピードが
低下する大きな要因となっている。そのため、寄生抵抗
や寄生容量を下げることが求められており、その解決策
の一つとして、配線の周辺を層間絶縁膜で被うことによ
り、寄生容量を下げてデバイスの高速化に対応しようと
している。しかしながら、層間絶縁膜には、実装基板製
造時の薄膜形成工程やチップ接続、ピン付けなどの後工
程に耐えられる優れた耐熱性を有することが必要であ
る。2. Description of the Related Art Large-scale integrated circuits (LSIs) have become highly integrated, multifunctional, and high-performance, reflecting the progress of fine processing technology. As a result, the circuit resistance and the capacitance between the wirings (hereinafter, also referred to as “parasitic resistance” and “parasitic capacitance”, respectively) increase, which not only increases the power consumption, but also increases the delay time. This is a major factor in lowering the signal speed. Therefore, it is required to reduce the parasitic resistance and the parasitic capacitance. One of the solutions is to cover the periphery of the wiring with an interlayer insulating film to reduce the parasitic capacitance and respond to the speeding up of the device. I have. However, the interlayer insulating film needs to have excellent heat resistance that can withstand post-processes such as a thin-film forming process at the time of manufacturing a mounting board and chip connection and pinning.
【0003】この高耐熱性の有機材料として、ポリイミ
ドが広く知られているが、極性の高いイミド基を含むた
め、低誘電性、低吸水性の面では、満足なものは得られ
ていない。一方、極性基を含まない高耐熱性の有機材料
として、ポリフェニレンが知られている。このポリフェ
ニレンは耐熱性に優れるが、有機溶媒可溶性に劣るた
め、一般に側鎖を導入することが行われている。このよ
うなポリフェニレンとしては、例えばUSP52140
44、WO96/28491、EP629217などに
記載されているポリマーを挙げることができる。これら
のポリマーは、基本的にポリパラフェニレン構造を主と
してなり、一部屈曲性モノマーを共重合するなどしてい
るが、特定の有機溶媒にしか溶けず、加工性の悪いもの
である。また、多くの側鎖は、極性基やアルキル基であ
るため、耐熱性、低誘電性を充分満たしてはいない。ま
た、これらのポリマーは、パラジクロロベンゼン誘導体
などの芳香族ジクロロ化合物を原料として製造するもの
が主である。このような芳香族ジクロロ化合物から、耐
熱、低誘電材料を製造すべく、フルオロアルキル基ある
いはアリール基を側鎖に導入しようとすると、合成が煩
雑となり、モノマーを安定的に確保できなかったり、側
鎖の立体障害により重合度が充分に上がらないなどの不
都合がある。このように、耐熱性、低誘電性、加工性を
充分に満たし、さらに、安価なプロセスで製造できるポ
リフェニレンはこれまでに見いだされていない。[0003] Polyimide is widely known as the organic material having high heat resistance. However, since it contains a highly polar imide group, no satisfactory material has been obtained in terms of low dielectric property and low water absorption. On the other hand, polyphenylene is known as a high heat-resistant organic material containing no polar group. This polyphenylene is excellent in heat resistance, but is inferior in the solubility in an organic solvent. Therefore, it is common to introduce a side chain. As such polyphenylene, for example, USP 52140
44, WO96 / 28491, EP629217 and the like. These polymers basically have a polyparaphenylene structure and partially copolymerize a flexible monomer, but are soluble only in a specific organic solvent and have poor processability. Further, many side chains are polar groups or alkyl groups, and thus do not sufficiently satisfy heat resistance and low dielectric properties. Further, these polymers are mainly produced from aromatic dichloro compounds such as paradichlorobenzene derivatives as raw materials. If an attempt is made to introduce a fluoroalkyl group or an aryl group into a side chain in order to produce a heat-resistant, low-dielectric material from such an aromatic dichloro compound, the synthesis becomes complicated, and a monomer cannot be stably obtained, There is an inconvenience that the degree of polymerization is not sufficiently increased due to steric hindrance of the chain. As described above, polyphenylene that sufficiently satisfies heat resistance, low dielectric properties, and workability and that can be manufactured by an inexpensive process has not been found so far.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、主鎖に屈曲
基を導入したフェニレン基含有化合物、および水酸基、
ヒドロキシアルキル基またはカルボキシル基を有しこれ
と共重合可能な他の化合物とを用いることにより、耐熱
性、低誘電性、加工性、透明性、密着性に優れ、また架
橋剤を混ぜて硬化させて用いることにより耐溶剤性に優
れた樹脂を得ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a phenylene group-containing compound having a bent group introduced into the main chain, a hydroxyl group,
By using another compound that has a hydroxyalkyl group or a carboxyl group and can be copolymerized with it, it has excellent heat resistance, low dielectric properties, workability, transparency and adhesion, and is cured by mixing a crosslinking agent. It is intended to obtain a resin having excellent solvent resistance by using it.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
(I)で表されるフェニレン基含有化合物(以下「化合
物(I)」ともいう)50〜95モル%、および下記一
般式(II) で表される化合物(以下「化合物(II) 」と
もいう)50〜5モル%〔ただし、(I)+(II) =1
00モル%〕を、遷移金属化合物を含む触媒系の存在下
に共重合することを特徴とするフェニレン基含有共重合
体の製造方法、ならびにこの製造方法により得られた重
合体からなる膜形成材料を提供するものである。According to the present invention, there is provided a phenylene group-containing compound represented by the following general formula (I) (hereinafter also referred to as "compound (I)") of 50 to 95 mol%; ) (Hereinafter also referred to as “compound (II)”) in an amount of 50 to 5 mol% (provided that (I) + (II) = 1)
[00mol%] in the presence of a catalyst system containing a transition metal compound, and a film-forming material comprising the polymer obtained by this method. Is provided.
【0006】[0006]
【化4】 Embedded image
【化5】 Embedded image
【0007】〔式中、Xは2価の有機基、R1 〜R8 は
同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、ハロゲン化アルキル基、アリル基またはアリール
基、R9〜R10は−OSO2 Z(ここで、Zはアルキル
基、ハロゲン化アルキル基もしくはアリール基を示す)
で表される基、R11〜R14は同一または異なり、水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル
基、水酸基、1価の反応性有機基またはその前駆体であ
り、かつそのうちの少なくとも1つは水酸基、1価の反
応性有機基またはその前駆体であり、R15〜R16はハロ
ゲン原子または−OSO2 Z(ここで、Zは上記と同様
である)で表される基である。〕[Wherein X is a divalent organic group, R 1 to R 8 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a halogenated alkyl group, an allyl group or an aryl group, R 9 to R 10 Is —OSO 2 Z (where Z represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group)
R 11 to R 14 are the same or different and are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a monovalent reactive organic group or a precursor thereof, and at least one of them. One is a hydroxyl group, a monovalent reactive organic group or a precursor thereof, and R 15 to R 16 are a halogen atom or a group represented by —OSO 2 Z (where Z is the same as described above). is there. ]
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】本発明は、上記一般式(I)で表
される主鎖に屈曲基を導入したフェニレン基含有化合物
と、これと共重合可能な少なくとも水酸基を有する上記
一般式(II)で表される化合物とを、遷移金属化合物を
含む触媒系の存在下に、重合溶媒中で共重合することに
より、耐熱性、低誘電性、加工性、透明性、密着性に優
れ、有機溶媒に可溶性のフェニレン基含有共重合体を製
造するものである。ここで、上記一般式(I)で表され
る化合物中のXは、2価の有機基、好ましくは、−CY
Y′−(ここで、Y〜Y′は同一または異なり、水素原
子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基およびアリール
基の群から選ばれた少なくとも1種の基を示す)で表さ
れる基、またはフルオレニレン基である。上記化合物
(I)中の−CYY′−のY〜Y′のうち、アルキル基
としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−
プロピル基などが、ハロゲン化アルキル基としては、ト
リフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基などが、
またアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、
トリル基、ペンタフルオロフェニル基などが挙げられ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention relates to a phenylene group-containing compound represented by the above general formula (I) in which a bending group is introduced into the main chain, and the above general formula (II) having at least a hydroxyl group copolymerizable therewith. ), In the presence of a catalyst system containing a transition metal compound, by copolymerization in a polymerization solvent, heat resistance, low dielectric properties, processability, transparency, excellent adhesion, organic This is for producing a phenylene group-containing copolymer that is soluble in a solvent. Here, X in the compound represented by the general formula (I) is a divalent organic group, preferably -CY.
A group represented by Y'- (where Y to Y 'are the same or different and represent at least one group selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a halogenated alkyl group and an aryl group), or It is a fluorenylene group. Among Y to Y 'of -CYY'- in the compound (I), the alkyl group includes a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-
Propyl group and the like, as the halogenated alkyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group and the like,
As the aryl group, a phenyl group, a biphenyl group,
Examples include a tolyl group and a pentafluorophenyl group.
【0009】また、上記一般式(I)中のR1 〜R8 の
うち、ハロゲン原子としては、フッ素原子などが、アル
キル基としては、メチル基、エチル基などが、ハロゲン
化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタ
フルオロエチル基などが、アリル基としては、プロペニ
ル基などが、アリール基としては、フェニル基、ペンタ
フルオロフェニル基などが挙げられる。さらに、R9 〜
R10は、−OSO2 Z(ここで、Zはアルキル基、ハロ
ゲン化アルキル基もしくはアリール基を示す)で表され
る基である。上記−OSO2 Z中のZを構成する、アル
キル基としてはメチル基、エチル基などが、ハロゲン化
アルキル基としてはトリフルオロメチル基などが、アリ
ール基としてはフェニル基、p−トリル基、p−フルオ
ロフェニル基などが挙げられる。Further, among R 1 to R 8 in the general formula (I), a fluorine atom or the like is used as a halogen atom, a methyl group or an ethyl group is used as an alkyl group, and a halogenated alkyl group is used as a halogenated alkyl group. , A trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group and the like, an allyl group includes a propenyl group and the like, and an aryl group includes a phenyl group and a pentafluorophenyl group. Furthermore, R 9 ~
R 10 is a group represented by —OSO 2 Z (where Z represents an alkyl group, a halogenated alkyl group, or an aryl group). Constituting the Z in the above -OSO 2 Z, methyl as the alkyl group group, and ethyl group, and a trifluoromethyl group as a halogenated alkyl group, the aryl group phenyl, p- tolyl group, p -Fluorophenyl group and the like.
【0010】上記一般式(I)で表されるフェニレン基
含有化合物の具体例としては、2,2−ビス(4−メチ
ルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)メタ
ン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフ
ェニルメタン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロ
キシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロ
ペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビ
ス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス(4−
メチルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、9,9
−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェ
ニル)フルオレン、9,9−ビス(4−メチルスルフォ
ニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロ
ペニルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−メチ
ルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレ
ン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフ
ェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メチルスルフォ
ニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルメタ
ン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニ
ルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メチルスル
フォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタ
ン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジフ
ルオロフェニル)ジフェニルメタン、9,9−ビス(4
−メチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)フ
ルオレン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ
−3,5−ジフルオロフェニル)フルオレン、ビス(4
−メチルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4
−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メタ
ン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメ
チルフェニル)メタン、ビス(4−メチルスルフォニロ
キシ−3−プロペニルフェニル)メタン、ビス(4−メ
チルスルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフ
ェニルメタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフェ
ニル)フェニルメタンなどが挙げられる。Specific examples of the phenylene group-containing compound represented by the general formula (I) include 2,2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane and bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) ) Methane, bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 9,9- Screw (4-
Methylsulfonyloxyphenyl) fluorene, 9,9
-Bis (4-methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene, bis (4-methylsulfonyloxy-3) -Methylphenyl) diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxy-3) -Fluorophenyl) diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) diphenylmethane, 9,9-bis (4
-Methylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) fluorene, bis (4
-Methylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4
-Methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) methane, bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) methane, bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) methane, bis (4 -Methylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) phenylmethane and the like.
【0011】また、一般式(I)で表されるフェニレン
基含有化合物の具体例としては、2,2−ビス(4−ト
リフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロ
メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニ
ロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−
トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェ
ニル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フ
ルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスル
フォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキ
シ−3−フェニルフェニル)フルオレン、ビス(4−ト
リフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニ
ル)ジフェニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチル
スルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェ
ニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニ
ロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−
フルオロフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−トリ
フルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロ
フェニル)ジフェニルメタン、9,9−ビス(4−トリ
フルオロメチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニ
ル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチ
ルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フ
ルオレン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロ
キシフェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメチル
スルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メタン、ビス
(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−
ジメチルフェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタ
ン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフ
ェニル)トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス(4
−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)など
が挙げられる。Specific examples of the phenylene group-containing compound represented by the general formula (I) include 2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane and bis (4-trifluoro Methylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane,
2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-
Trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfur) Phonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) diphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy) -3,5-dimethylphenyl) diphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane,
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-
(Fluorophenyl) diphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) diphenylmethane, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9 -Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) fluorene, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) ) Methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-)
Dimethylphenyl) methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane, bis (4
-Trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) and the like.
【0012】さらに、上記一般式(I)で表されるフェ
ニレン基含有化合物の具体例としては、2,2−ビス
(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフル
オロプロパン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシフ
ェニル)メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ
フェニル)ジフェニルメタン、2,2−ビス(4−フェ
ニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス(4−フェニルスルフォ
ニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ
−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェ
ニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フェニルスルフ
ォニロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9
−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメ
チルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フェニ
ルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオ
レン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−
3−フェニルフェニル)フルオレン、ビス(4−フェニ
ルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ジフェニル
メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5
−ジメチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−フ
ェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジ
フェニルメタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ
−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4
−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェ
ニル)ジフェニルメタン、9,9−ビス(4−フェニル
スルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)フルオレ
ン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−
3,5−ジフルオロフェニル)フルオレン、ビス(4−
フェニルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4
−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メ
タン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−
ジメチルフェニル)メタン、ビス(4−フェニルスルフ
ォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタン、ビス
(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)トリフルオ
ロメチルフェニルメタン、ビス(4−フェニルスルフォ
ニロキシフェニル)フェニルメタンなどが挙げられる。Further, specific examples of the phenylene group-containing compound represented by the general formula (I) include 2,2-bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane and bis (4-phenylsulfonyl). Loxyphenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-phenylsulfonyl) Roxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) fluorene , 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methyl) Phenyl) fluorene, 9,9
-Bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-phenylsulfonyl) Roxy
3-phenylphenyl) fluorene, bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) diphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5
-Dimethylphenyl) diphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane, bis (4
-Phenylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) diphenylmethane, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-
3,5-difluorophenyl) fluorene, bis (4-
Phenylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4
-Phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-
Dimethylphenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) phenylmethane, etc. Is mentioned.
【0013】さらに、上記一般式(I)で表されるフェ
ニレン基含有化合物の具体例としては、2,2−ビス
(p−トリルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニ
ル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニ
ル)ジフェニルメタン、2,2−ビス(p−トリルスル
フォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−
ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、9,9−
ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)フルオレ
ン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−
メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(p−トリ
ルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フル
オレン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3−プロペニルフェニル)フルオレン、9,9−ビス
(p−トリルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニ
ル)フルオレン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(p−ト
リルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジ
フェニルメタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(p
−トリルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジ
フェニルメタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、9,
9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−フルオロ
フェニル)フルオレン、9,9−ビス(p−トリルスル
フォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フルオレ
ン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)メタ
ン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフ
ェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス(p−トリル
スルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタン、
ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)トリフル
オロメチルフェニルメタン、ビス(p−トリルスルフォ
ニロキシフェニル)フェニルメタンなどが挙げられる。Further, specific examples of the phenylene group-containing compound represented by the general formula (I) include 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane and bis (p-tolylsulfonyl). Loxyphenyl) methane, bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyl) Roxy
3-propenylphenyl) hexafluoropropane,
2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-
Dimethylphenyl) hexafluoropropane, 9,9-
Bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-)
Methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy)
3-propenylphenyl) fluorene, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene, bis (p-tolylsulfonyloxy)
3-methylphenyl) diphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) diphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxy)
3-propenylphenyl) diphenylmethane, bis (p
-Tolylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxy)
3,5-difluorophenyl) diphenylmethane, 9,
9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) fluorene, bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) Methane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) methane, bis (p-tolylsulfonyloxy)-
3,5-dimethylphenyl) methane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) methane,
Bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) phenylmethane and the like can be mentioned.
【0014】本発明では、上記一般式(I)で表される
フェニレン基含有化合物を少なくとも2種用いて共重合
してもよい。その好ましい組み合わせとしては、2,2
−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン/9,9−ビス(4−メチルスルフォ
ニロキシフェニル)フルオレン、2,2−ビス(4−メ
チルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン/ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフ
ェニルプロパン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニ
ロキシフェニル)フルオレン/ビス(4−メチルスルフ
ォニロキシフェニル)ジフェニルプロパン、2,2−ビ
ス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェ
ニル)プロパン/2,2−ビス(4−メチルスルフォニ
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビ
ス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェ
ニル)プロパン/2,2−ビス(4−メチルスルフォニ
ロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−メチル
スルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン/
2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)
プロパンなどが挙げられる。In the present invention, the phenylene group-containing compound represented by the general formula (I) may be copolymerized using at least two kinds. Preferred combinations include 2, 2
-Bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane / 9,9-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) fluorene, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane / bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylpropane, 9,9-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) fluorene / bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylpropane, 2,2-bis (4-methyl Sulfonyloxy-3-propenylphenyl) propane / 2,2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) propane / 2 , 2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) Propane, 2,2-bis (4-methylsulfonyl b hydroxyphenyl) hexafluoropropane /
2,2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl)
And propane.
【0015】次に、本発明に用いられる共重合可能な他
の化合物としては、上記一般式(II) で表される化合物
の少なくとも1種が好ましい。上記一般式(II) 中、R
11〜R14は、同一または異なり、水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、1価
の反応性有機基またはその前駆体であり、かつそのうち
の少なくとも1つは水酸基、1価の反応性有機基または
その前駆体である。1価の反応性有機基としては、ヒド
ロキシアルキル基、カルボキシル基が挙げられ、また前
駆体とは、後述するように、反応性有機基が保護された
基またはアルコキシカルボニロキシ基を示す。なお、一
般式(II) で表される化合物において、隣接する2つの
置換基がカルボキシル基である場合、2つのカルボキシ
ル基が脱水閉環した構造であってもよい。ここで、ハロ
ゲン原子としてはフッ素原子、アルキル基としてはメチ
ル基、エチル基、プロピル基など、ハロゲン化アルキル
基としてはトリフロロメチル基、ヘキサフロロエチル
基、ヒドロキシアルキル基としてはヒドロキシメチル
基、ヒドロキシエチル基など、アルコキシカルボニロキ
シ基としてはメトキシカルボニロキシ基、エトキシカル
ボニロキシ基などが挙げられる。また、上記一般式(I
I) 中、R15〜R16は、ハロゲン原子または−SO2 Z
基で表される基である。ここで、ハロゲン原子として
は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、
また−SO2 Z基は、一般式(I)と同様である。The other copolymerizable compound used in the present invention is preferably at least one of the compounds represented by the above general formula (II). In the above general formula (II), R
11 to R 14 are the same or different and are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a monovalent reactive organic group or a precursor thereof, and at least one of them is a hydroxyl group, Is a reactive organic group of a valence or a precursor thereof. Examples of the monovalent reactive organic group include a hydroxyalkyl group and a carboxyl group, and the precursor indicates a group in which the reactive organic group is protected or an alkoxycarbonyloxy group, as described later. In the compound represented by the general formula (II), when two adjacent substituents are carboxyl groups, the compound may have a structure in which two carboxyl groups are dehydrated and closed. Here, a halogen atom is a fluorine atom, an alkyl group is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, etc., a halogenated alkyl group is a trifluoromethyl group, a hexafluoroethyl group, and a hydroxyalkyl group is a hydroxymethyl group, a hydroxyalkyl group. Examples of the alkoxycarbonyloxy group such as an ethyl group include a methoxycarbonyloxy group and an ethoxycarbonyloxy group. In addition, the above general formula (I
In the formula (I), R 15 to R 16 represent a halogen atom or —SO 2 Z
It is a group represented by a group. Here, examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
The —SO 2 Z group is the same as in the general formula (I).
【0016】ここで、上記化合物(II) の具体例として
は、2,4−ジクロロベンジルアルコール、3,5−ジ
クロロベンジルアルコール、2,4−ジブロモベンジル
アルコール、3,5−ジブロモベンジルアルコール、
3,5−ジクロロフェノール、3,5−ジブロモフェノ
ール、3,5−ジクロロ−t−ブトキシカルボニロキシ
フェニル、3,5−ジブロモ−t−ブトキシカルボニロ
キシフェニル、2,4−ジクロロ安息香酸、2,5−ジ
クロロ安息香酸、3,5−ジクロロ安息香酸、2,4−
ジブロモ安息香酸、2,5−ジブロモ安息香酸、3,5
−ジブロモ安息香酸、2,4−ジクロロ安息香酸メチ
ル、2,5−ジクロロ安息香酸メチル、3,5−ジクロ
ロ安息香酸メチル、2,4−ジブロモ安息香酸メチル、
2,5−ジブロモ安息香酸メチル、3,5−ジブロモ安
息香酸メチル、2,4−ジクロロ安息香酸−t−ブチ
ル、3,6−ジクロロフタル酸無水物、4,5−ジクロ
ロフタル酸無水物などが挙げられる。化合物(II) は、
1種単独で使用することも、あるいは2種以上を混合し
て用いることもできる。Here, specific examples of the compound (II) include 2,4-dichlorobenzyl alcohol, 3,5-dichlorobenzyl alcohol, 2,4-dibromobenzyl alcohol, 3,5-dibromobenzyl alcohol,
3,5-dichlorophenol, 3,5-dibromophenol, 3,5-dichloro-t-butoxycarbonyloxyphenyl, 3,5-dibromo-t-butoxycarbonyloxyphenyl, 2,4-dichlorobenzoic acid, 2,5-dichlorobenzoic acid, 3,5-dichlorobenzoic acid, 2,4-
Dibromobenzoic acid, 2,5-dibromobenzoic acid, 3,5
-Dibromobenzoic acid, methyl 2,4-dichlorobenzoate, methyl 2,5-dichlorobenzoate, methyl 3,5-dichlorobenzoate, methyl 2,4-dibromobenzoate,
Methyl 2,5-dibromobenzoate, methyl 3,5-dibromobenzoate, t-butyl 2,4-dichlorobenzoate, 3,6-dichlorophthalic anhydride, 4,5-dichlorophthalic anhydride, etc. Is mentioned. Compound (II) is
One type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
【0017】化合物(I)と化合物(II) の使用割合
は、化合物(I)が50〜95モル%、好ましくは60
〜90モル%、化合物(II) が50〜5モル%、好まし
くは40〜10モル%〔ただし、(I)+(II) =10
0モル%〕である。化合物(I)が50モル%未満の場
合〔化合物(II) が50モル%を超える〕では、充分な
低誘電性、耐熱性が得られず、一方、95モル%を超え
る場合〔化合物(II) が5モル%未満〕では、充分な密
着性あるいは架橋剤を混ぜて硬化させて用いても、充分
な耐溶剤性が得られない。上記範囲内であると、溶解
性、密着性に優れ、かつ高分子量の共重合体が得られ
る。The compound (I) and the compound (II) are used in an amount of 50 to 95 mol%, preferably 60 to 95 mol%, of the compound (I).
To 90 mol%, 50 to 5 mol% of compound (II), preferably 40 to 10 mol% [(I) + (II) = 10
0 mol%]. When the amount of the compound (I) is less than 50 mol% (the amount of the compound (II) exceeds 50 mol%), sufficient low dielectric properties and heat resistance cannot be obtained. ) Is less than 5 mol%], but sufficient solvent resistance cannot be obtained even when the composition is cured by mixing with a crosslinking agent. When it is in the above range, a copolymer having excellent solubility and adhesion and having a high molecular weight can be obtained.
【0018】本発明のフェニレン基含有共重合体を製造
する際に使用される触媒は、遷移金属化合物を含む触媒
系であり、この触媒系としては、遷移金属塩および配
位子、または配位子が配位された遷移金属塩、ならびに
還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を上げるた
めに、「塩」を添加してもよい。ここで、遷移金属塩と
しては、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケ
ル、ニッケルアセチルアセトナートなどのニッケル化合
物、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウ
ムなどのパラジウム化合物、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄
などの鉄化合物、塩化コバルト、臭化コバルト、ヨウ化
コバルトなどのコバルト化合物などが挙げられる。これ
らのうち特に、塩化ニッケル、臭化ニッケルなどのニッ
ケル化合物が好ましい。また、配位子としては、トリフ
ェニルホスフィン、2,2′−ビピリジン、1,5−シ
クロオクタジエン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)プロパンなどが挙げられるが、トリフェニルホスフ
ィン、2,2′−ビピリジンが好ましい。The catalyst used for producing the phenylene group-containing copolymer of the present invention is a catalyst system containing a transition metal compound. The catalyst system includes a transition metal salt and a ligand, or a coordination compound. A transition metal salt to which a coordinator is coordinated and a reducing agent are essential components, and a “salt” may be added to increase the polymerization rate. Here, as the transition metal salt, nickel compounds such as nickel chloride, nickel bromide, nickel iodide and nickel acetylacetonate; palladium compounds such as palladium chloride, palladium bromide and palladium iodide; iron chloride and iron bromide And iron compounds such as iron iodide, and cobalt compounds such as cobalt chloride, cobalt bromide and cobalt iodide. Of these, nickel compounds such as nickel chloride and nickel bromide are particularly preferred. Examples of the ligand include triphenylphosphine, 2,2'-bipyridine, 1,5-cyclooctadiene, and 1,3-bis (diphenylphosphino) propane. 2'-bipyridine is preferred.
【0019】さらに、あらかじめ配位子が配位された遷
移金属塩としては、例えば、塩化ニッケル2トリフェニ
ルホスフィン、臭化ニッケル2トリフェニルホスフィ
ン、ヨウ化ニッケル2トリフェニルホスフィン、硝酸ニ
ッケル2−トリフェニルホスフィン、塩化ニッケル2,
2′ビピリジン、臭化ニッケル2,2′ビピリジン、ヨ
ウ化ニッケル2,2′ビピリジン、硝酸ニッケル2,
2′ビピリジン、ビス(1,5−シクロオクタジエン)
ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッ
ケル、テトラキス(トリフェニルホスファイト)ニッケ
ル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
などが挙げられるが、塩化ニッケル2トリフェニルホス
フィン、塩化ニッケル2,2′ビピリジンが好ましい。Further, examples of the transition metal salt to which a ligand is coordinated in advance include, for example, nickel chloride 2-triphenylphosphine, nickel bromide 2-triphenylphosphine, nickel iodide 2-triphenylphosphine, and nickel nitrate 2-triphenylphosphine. Phenylphosphine, nickel chloride 2,
2 'bipyridine, nickel bromide 2,2' bipyridine, nickel iodide 2,2 'bipyridine, nickel nitrate 2,
2 'bipyridine, bis (1,5-cyclooctadiene)
Nickel, tetrakis (triphenylphosphine) nickel, tetrakis (triphenylphosphite) nickel, tetrakis (triphenylphosphine) palladium and the like can be mentioned, with preference given to nickel chloride2triphenylphosphine and nickel chloride 2,2'bipyridine.
【0020】本発明のフェニレン基含有共重合体を製造
する際に使用される触媒は、遷移金属化合物を含む触媒
系であり、この触媒系としては、遷移金属塩および配
位子、または配位子が配位された遷移金属(塩)、なら
びに還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を上げ
るために、「塩」を添加してもよい。ここで、遷移金属
塩としては、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッ
ケル、ニッケルアセチルアセトナートなどのニッケル化
合物、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジ
ウムなどのパラジウム化合物、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化
鉄などの鉄化合物、塩化コバルト、臭化コバルト、ヨウ
化コバルトなどのコバルト化合物などが挙げられる。こ
れらのうち特に、塩化ニッケル、臭化ニッケルなどが好
ましい。また、配位子としては、トリフェニルホスフィ
ン、2,2′−ビピリジン、1,5−シクロオクタジエ
ン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンな
どが挙げられるが、トリフェニルホスフィン、2,2′
−ビピリジンが好ましい。上記配位子は、1種単独で、
あるいは2種以上を併用することができる。The catalyst used for producing the phenylene group-containing copolymer of the present invention is a catalyst system containing a transition metal compound. The catalyst system includes a transition metal salt and a ligand, or a coordinator. A transition metal (salt) to which a ligand is coordinated and a reducing agent are essential components, and a “salt” may be added in order to increase the polymerization rate. Here, as the transition metal salt, nickel compounds such as nickel chloride, nickel bromide, nickel iodide and nickel acetylacetonate; palladium compounds such as palladium chloride, palladium bromide and palladium iodide; iron chloride and iron bromide And iron compounds such as iron iodide, and cobalt compounds such as cobalt chloride, cobalt bromide and cobalt iodide. Of these, nickel chloride and nickel bromide are particularly preferred. Examples of the ligand include triphenylphosphine, 2,2'-bipyridine, 1,5-cyclooctadiene, and 1,3-bis (diphenylphosphino) propane. 2 '
-Bipyridine is preferred. The above-mentioned ligands may be used alone.
Alternatively, two or more kinds can be used in combination.
【0021】さらに、あらかじめ配位子が配位された遷
移金属(塩)としては、例えば、塩化ニッケル2トリフ
ェニルホスフィン、臭化ニッケル2トリフェニルホスフ
ィン、ヨウ化ニッケル2トリフェニルホスフィン、硝酸
ニッケル2−トリフェニルホスフィン、塩化ニッケル
2,2′ビピリジン、臭化ニッケル2,2′ビピリジ
ン、ヨウ化ニッケル2,2′ビピリジン、硝酸ニッケル
2,2′ビピリジン、ビス(1,5−シクロオクタジエ
ン)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)
ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスファイト)ニ
ッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ
ウムなどが挙げられるが、塩化ニッケル2トリフェニル
ホスフィン、塩化ニッケル2,2′ビピリジンが好まし
い。Further, as the transition metal (salt) to which a ligand has been previously coordinated, for example, nickel chloride 2 triphenylphosphine, nickel bromide 2 triphenylphosphine, nickel iodide 2 triphenylphosphine, nickel nitrate 2 -Triphenylphosphine, nickel chloride 2,2 'bipyridine, nickel bromide 2,2' bipyridine, nickel iodide 2,2 'bipyridine, nickel nitrate 2,2' bipyridine, bis (1,5-cyclooctadiene) nickel , Tetrakis (triphenylphosphine)
Nickel, tetrakis (triphenylphosphite) nickel, tetrakis (triphenylphosphine) palladium and the like can be mentioned, and nickel chloride 2 triphenylphosphine and nickel chloride 2,2 ′ bipyridine are preferable.
【0022】本発明の触媒系において使用することがで
きる上記還元剤としては、例えば、鉄、亜鉛、マンガ
ン、アルミニウム、マグネシウム、ナトリウム、カルシ
ウムなどを挙げることできるが、亜鉛、マンガンが好ま
しい。これらの還元剤は、酸や有機酸に接触させること
により、より活性化して用いることができる。また、本
発明の触媒系において使用することのできる「塩」とし
ては、フッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリ
ウム、ヨウ化ナトリウム、硫酸ナトリウムなどのナトリ
ウム化合物、フッ化カリウム、塩化カリウム、臭化カリ
ウム、ヨウ化カリウム、硫酸カリウムなどのカリウム化
合物、フッ化テトラエチルアンモニウム、塩化テトラエ
チルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨ
ウ化テトラエチルアンモニウム、硫酸テトラエチルアン
モニウムなどのアンモニウム化合物などが挙げられる
が、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、臭化カリウ
ム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチ
ルアンモニウムが好ましい。Examples of the reducing agent that can be used in the catalyst system of the present invention include iron, zinc, manganese, aluminum, magnesium, sodium, and calcium, and zinc and manganese are preferred. These reducing agents can be used after being activated by contact with an acid or an organic acid. The “salt” that can be used in the catalyst system of the present invention includes sodium compounds such as sodium fluoride, sodium chloride, sodium bromide, sodium iodide, and sodium sulfate, potassium fluoride, potassium chloride, and bromide. Potassium compounds such as potassium, potassium iodide, and potassium sulfate; ammonium compounds such as tetraethylammonium fluoride, tetraethylammonium chloride, tetraethylammonium bromide, tetraethylammonium iodide, and tetraethylammonium sulfate; and sodium bromide, iodine Sodium iodide, potassium bromide, tetraethylammonium bromide and tetraethylammonium iodide are preferred.
【0023】触媒系における各成分の使用割合は、遷移
金属塩または配位子が配位された遷移金属(塩)が、上
記化合物(I)および化合物(II) の合計量1モルに対
し、通常、0.0001〜10モル、好ましくは0.0
1〜0.5モルである。0.0001モル未満では、重
合反応が充分に進行せず、一方、10モルを超えると、
分子量が低下するという問題がある。触媒系において、
遷移金属塩および配位子を用いる場合、この配位子の使
用割合は、遷移金属塩1モルに対し、通常、0.1〜1
00モル、好ましくは1〜10モルである。0.1モル
未満では、触媒活性が不充分となり、一方、100モル
を超えると、分子量が低下するという問題がある。ま
た、触媒系における還元剤の使用割合は、上記化合物
(I)および化合物(II) の合計量1モルに対し、通
常、0.1〜100モル、好ましくは1〜10モルであ
る。0.1モル未満では、重合が充分進行せず、一方、
100モルを超えると、得られる共重合体の精製が困難
になるという問題がある。さらに、触媒系に「塩」を使
用する場合、その使用割合は、上記化合物(I)および
化合物(II) の合計量1モルに対し、通常、0.001
〜100モル、好ましくは0.01〜1モルである。
0.001モル未満では、重合速度を上げる効果が不充
分であり、一方、100モルを超えると、得られる共重
合体の精製が困難となるという問題がある。The proportion of each component used in the catalyst system is such that the transition metal salt or the transition metal (salt) to which the ligand is coordinated is 1 mol per 1 mol of the total amount of the compound (I) and the compound (II). Usually, 0.0001 to 10 mol, preferably 0.0
1 to 0.5 mol. If the amount is less than 0.0001 mol, the polymerization reaction does not sufficiently proceed.
There is a problem that the molecular weight decreases. In the catalyst system,
When a transition metal salt and a ligand are used, the use ratio of the ligand is usually 0.1 to 1 with respect to 1 mol of the transition metal salt.
00 mol, preferably 1 to 10 mol. If the amount is less than 0.1 mol, the catalytic activity becomes insufficient, while if it exceeds 100 mol, there is a problem that the molecular weight decreases. The proportion of the reducing agent used in the catalyst system is usually 0.1 to 100 mol, preferably 1 to 10 mol, per 1 mol of the total amount of the compound (I) and the compound (II). If the amount is less than 0.1 mol, the polymerization does not proceed sufficiently, while
If it exceeds 100 moles, there is a problem that purification of the obtained copolymer becomes difficult. Further, when a “salt” is used in the catalyst system, the use ratio is usually 0.001 to 1 mol of the total amount of the compound (I) and the compound (II).
To 100 mol, preferably 0.01 to 1 mol.
If the amount is less than 0.001 mol, the effect of increasing the polymerization rate is insufficient, while if it exceeds 100 mol, there is a problem that it is difficult to purify the obtained copolymer.
【0024】本発明で使用することのできる重合溶媒と
しては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノ
ン、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2
−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、γ−ブチロラクタ
ムなどが挙げられ、テトラヒドロフラン、N,N−ジメ
チルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1
−メチル−2−ピロリドンが好ましい。これらの重合溶
媒は、充分に乾燥してから用いることが好ましい。重合
溶媒中における上記化合物(I)および化合物(II) の
濃度は、通常、1〜100重量%、好ましくは5〜40
重量%である。また、本発明の共重合体を重合する際の
重合温度は、通常、0〜200℃、好ましくは50〜8
0℃である。また、重合時間は、通常、0.5〜100
時間、好ましくは1〜40時間である。Examples of the polymerization solvent which can be used in the present invention include tetrahydrofuran, cyclohexanone, dimethyl sulfoxide, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, 1-methyl-2
-Pyrrolidone, γ-butyrolactone, γ-butyrolactam, etc., and tetrahydrofuran, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide,
-Methyl-2-pyrrolidone is preferred. These polymerization solvents are preferably used after being sufficiently dried. The concentration of the compound (I) and the compound (II) in the polymerization solvent is usually 1 to 100% by weight, preferably 5 to 40% by weight.
% By weight. The polymerization temperature when polymerizing the copolymer of the present invention is usually 0 to 200 ° C, preferably 50 to 8 ° C.
0 ° C. The polymerization time is usually 0.5 to 100.
Hours, preferably 1 to 40 hours.
【0025】上記化合物(I)および化合物(II) を用
いて、フェニレン基含有共重合体を得る際のモデル反応
式の一例は、下記のとおりである。なお、本発明の共重
合により得られるフェニレン基含有共重合体は、ランダ
ム共重合体であっても、またブロック共重合体であって
もよい。ここで、ランダム共重合体を得るには、化合物
(I)および化合物(II) を、重合開始時、直前または
直後から重合系に存在させる方法が挙げられる。また、
ブロック共重合体を得るには、化合物(I)、化合物
(II) を、それぞれ、あらかじめ遷移金属化合物を含む
触媒系の存在下で、重合させたのち、反応液を混合し、
重合させる方法、あるいは、1回、反応液を精製し、再
び、遷移金属化合物を含む触媒系の存在下に重合する方
法、また、上記化合物(I)、および化合物(II) を、
あらかじめ遷移金属化合物含む触媒系の存在下で、あら
かじめ重合し、途中から他の共重合成分を添加して重合
する方法などが挙げられる。An example of a model reaction formula for obtaining a phenylene group-containing copolymer using the above compounds (I) and (II) is as follows. The phenylene group-containing copolymer obtained by the copolymerization of the present invention may be a random copolymer or a block copolymer. Here, in order to obtain a random copolymer, there is a method in which the compound (I) and the compound (II) are present in the polymerization system immediately before, immediately after or immediately after the start of the polymerization. Also,
In order to obtain a block copolymer, compound (I) and compound (II) are each polymerized in the presence of a catalyst system containing a transition metal compound in advance, and then the reaction mixture is mixed.
A method of polymerizing, or a method of purifying the reaction solution once and polymerizing again in the presence of a catalyst system containing a transition metal compound, or the above compound (I) and compound (II),
A method in which polymerization is carried out in advance in the presence of a catalyst system containing a transition metal compound in advance, and another copolymerization component is added in the middle to carry out polymerization.
【0026】[0026]
【化6】 Embedded image
【0027】なお、本発明において、上記化合物(II)
は、その水酸基およびカルボキシル基が保護されていて
もよい。ここで、水酸基を保護するには、二炭酸−t−
ブチルをトリエチルアミンなどの塩基存在下で反応させ
る方法、酢酸や塩化アセチルなどのカルボン酸誘導を反
応させてアセチル化する方法などが、また、カルボキシ
ル基を保護するには、アルコール中で酸を反応させるこ
とにより、エステル化する方法などが挙げられる。本発
明において、化合物(II) の水酸基またはカルボキシル
基が上記のように保護されている場合、得られる共重合
体は、適当な溶媒に溶解させ、p−トルエンスルホン酸
などの酸を加え加熱する方法や、カリウム−t−ブトキ
シド、ナトリウムメトキシドなどのアルカリを加え加熱
したのち、酸で洗浄する方法などにより、保護された基
を水酸基またはカルボキシル基に戻すことができる。In the present invention, the compound (II)
May have its hydroxyl group and carboxyl group protected. Here, in order to protect the hydroxyl group, dicarbonate -t-
A method of reacting butyl in the presence of a base such as triethylamine, a method of acetylation by reacting with a carboxylic acid derivative such as acetic acid or acetyl chloride, and a method of protecting a carboxyl group by reacting an acid in an alcohol. Thus, a method of esterification and the like can be mentioned. In the present invention, when the hydroxyl group or carboxyl group of compound (II) is protected as described above, the obtained copolymer is dissolved in an appropriate solvent, and an acid such as p-toluenesulfonic acid is added and heated. The protected group can be returned to a hydroxyl group or a carboxyl group by a method or a method of adding an alkali such as potassium tert-butoxide, sodium methoxide and heating, and then washing with an acid.
【0028】本発明により、下記一般式(III)で表され
る構造単位よりなるフェニレン基含有共重合体が得ら
れ、特に下記一般式(IV) または一般式(V)で表され
る繰り返し構造単位を有する共重合体が好ましい。この
一般式(III)〜(V)で表される繰り返し構造単位を有
するフェニレン基含有共重合体は、特に低誘電性、耐熱
性、有機溶剤可溶性、経済性に優れている。According to the present invention, a phenylene group-containing copolymer comprising a structural unit represented by the following general formula (III) is obtained, and in particular, a repeating structure represented by the following general formula (IV) or (V) Copolymers having units are preferred. The phenylene group-containing copolymer having the repeating structural units represented by the general formulas (III) to (V) is particularly excellent in low dielectric properties, heat resistance, organic solvent solubility, and economic efficiency.
【0029】[0029]
【化7】 Embedded image
【化8】 Embedded image
【化9】 Embedded image
【0030】〔上記一般式(III)〜(V)中、R1 〜R
8 は一般式(I)と同様であり、R11〜R14は一般式
(II) と同様であり、R17〜R18のいずれか一方は、水
酸基、カルボキシル基、もしくは−CH2 OH基、他方
は水素原子であり、m/n(モル比)=95〜50/5
〜50である。〕[In the above general formulas (III) to (V), R 1 to R
8 is the same as in the general formula (I), R 11 to R 14 are the same as in the general formula (II), and one of R 17 to R 18 is a hydroxyl group, a carboxyl group, or a —CH 2 OH group And the other is a hydrogen atom, m / n (molar ratio) = 95 to 50/5
~ 50. ]
【0031】本発明により得られるフェニレン基含有共
重合体のポリスチレン換算重量平均分子量は、1,00
0〜1,000,000、好ましくは1,500〜20
0,000である。1,000未満では、塗膜性、強度
が不充分であり、一方、1,000,000を超える
と、溶解性が不充分となる。The phenylene group-containing copolymer obtained according to the present invention has a weight average molecular weight in terms of polystyrene of 1,000.
0 to 1,000,000, preferably 1,500 to 20
It is 0000. If it is less than 1,000, the coating properties and strength are insufficient, while if it exceeds 1,000,000, the solubility becomes insufficient.
【0032】本発明のフェニレン基含有共重合体の構造
は、赤外線吸収スペクトルによって、900〜675c
m-1、1,300〜1,000cm-1、1,500〜
1,400cm-1、3,100〜3,000cm-1の吸
収により確認でき、これらの組成比は、元素分析により
知ることができる。また、核磁気共鳴スペクトルによ
り、6.0〜8.5ppmのピークから、その構造を確
認することができる。The phenylene group-containing copolymer of the present invention has a structure of 900 to 675 c
m -1 , 1,300 to 1,000 cm -1 , 1,500 to
1,400Cm -1, confirmed by the absorption of 3,100~3,000Cm -1, these composition ratio can be determined by elemental analysis. Further, the structure can be confirmed from a peak at 6.0 to 8.5 ppm by a nuclear magnetic resonance spectrum.
【0033】上記一般式(III)で表される構造単位を有
するフェニレン基含有共重合体は、膜形成材料として好
適であり、例えば、層間絶縁材料、保護膜、低屈折材
料、光導波路材料、反射防止膜、封止材料、液晶配向
膜、プリント基板材料、気体透過膜などの用途に使用す
ることができるが、特に絶縁材料、光学材料に好適であ
る。The phenylene group-containing copolymer having the structural unit represented by the above general formula (III) is suitable as a film-forming material, for example, an interlayer insulating material, a protective film, a low refractive material, an optical waveguide material, It can be used for applications such as an antireflection film, a sealing material, a liquid crystal alignment film, a printed circuit board material, and a gas permeable film, and is particularly suitable for an insulating material and an optical material.
【0034】[0034]
【実施例】以下、実施例を挙げ本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。なお、実施例中、%および部は、特に断らない
限り重量基準である。また、実施例中の各種の測定項目
は、下記のようにして求めた。EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to the following examples. In Examples,% and parts are by weight unless otherwise specified. Various measurement items in the examples were obtained as follows.
【0035】重量平均分子量(Mw) ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)測
定により、ポリスチレン換算で求めた。 1H−NMR分析 N,N−ジメチルホルムアミド−d7を溶媒とし、90
MHzにおいて測定した。IR分析 KBr法により測定した。5%重量減少温度(Td5 ) TG法により、チッ素雰囲気中、昇温速度10℃/分の
条件で測定した。ガラス転移温度 DSC法により、昇温速度20℃/分で測定した。The weight average molecular weight (Mw ) was determined by gel permeation chromatography (GPC) in terms of polystyrene. 1 H-NMR analysis 90% N, N-dimethylformamide-d7
Measured in MHz. IR analysis Measured by KBr method. 5% weight loss temperature (Td5 ) The temperature was measured by a TG method in a nitrogen atmosphere at a heating rate of 10 ° C./min. Glass transition temperature Measured at a heating rate of 20 ° C./min by the DSC method.
【0036】比誘電率(ε) 得られた共重合体を、シクロヘキサン、プロピレングリ
コール−1−モノメチルエーテル−2−アセテートなど
の溶媒に溶解させたのち、SUS基板にスピンコート法
により塗布したのち焼成することにより、共重合体の塗
膜を得た。次に、マスク蒸着により金電極を形成させ、
比誘電率測定用サンプルとした。このサンプルの静電容
量をLCRメーターにより測定し、下記の式から、比誘
電率を求めた。 ε=C・d/ε0 ・S ここで、εは比誘電率、Cは静電容量、ε0 は真空中の
誘電率、Sは上部電極面積である。密着性試験 所定の基板にサンプルを塗布したものを、JIS K5
400碁盤目テープ法に準じて、テープ剥離後の碁盤目
の数を数えることにより行った。耐溶剤性 ガラス基板にサンプルを塗布したものを、所定の溶媒に
1時間浸漬して外観を観察した。 ○;変化なし △;剥がれ、膨潤あり ×;溶解 Relative dielectric constant (ε ) The obtained copolymer is dissolved in a solvent such as cyclohexane, propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate, and then applied to a SUS substrate by spin coating, followed by firing. As a result, a coating film of the copolymer was obtained. Next, a gold electrode is formed by mask evaporation,
The sample was used for measuring the relative dielectric constant. The capacitance of this sample was measured with an LCR meter, and the relative dielectric constant was determined from the following equation. ε = C · d / ε 0 · S Here, ε is a relative permittivity, C is a capacitance, ε 0 is a permittivity in a vacuum, and S is an upper electrode area. Adhesion test A sample obtained by applying a sample to a predetermined substrate is subjected to JIS K5
According to the 400 crosscut tape method, the number of crosscuts after tape peeling was counted. A sample obtained by applying a sample to a solvent-resistant glass substrate was immersed in a predetermined solvent for 1 hour, and the appearance was observed. ○: No change △: Peeling, swelling ×: Dissolution
【0037】実施例1 アルゴンガス導入管および温度計を備えた内容積500
mlの三つ口フラスコに、ヨウ化ナトリウム7.5g、
無水塩化ニッケル1.3g、トリフェニルホスフィン1
5.7g、酢酸に活性化させた亜鉛末45.8g、2,
2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ヘキ
サフルオロプロパン(以下「AFMs」ともいう)3
9.4g(80mmol)、2,4−ジクロロベンジル
アルコール3.54g(20mmol)を加え、24時
間、真空下で乾燥したのち、三つ口フラスコ内をアルゴ
ンガスで充填した。引き続き、乾燥N,N−ジメチルア
セトアミド150mlを添加し、70℃でアルゴン気流
下に攪拌したところ、反応液が褐色となった。そのま
ま、70℃で20時間反応させたのち、反応液を36%
塩酸50mlおよびメタノール2,000ml混合液中
に注ぎ、沈殿物を回収した。得られた沈殿物を、クロロ
ホルム中に加えて懸濁させ、2規定塩酸水溶液で抽出を
行ったのち、クロロホルム層をメタノールに注ぎ、沈殿
を回収し、乾燥白色粉末状重合体を得た。得られた重合
体の分析、評価結果を表1〜2に示す。Example 1 Internal volume 500 equipped with an argon gas inlet tube and a thermometer
7.5 g of sodium iodide in a 3-ml three-necked flask,
1.3 g of anhydrous nickel chloride, triphenylphosphine 1
5.7 g, zinc powder activated in acetic acid 45.8 g, 2,
2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane (hereinafter also referred to as “AFMs”) 3
9.4 g (80 mmol) and 3.54 g (20 mmol) of 2,4-dichlorobenzyl alcohol were added, and after drying for 24 hours under vacuum, the inside of the three-necked flask was filled with argon gas. Subsequently, 150 ml of dry N, N-dimethylacetamide was added, and the mixture was stirred at 70 ° C. under a stream of argon, whereby the reaction solution turned brown. After reacting as it is at 70 ° C. for 20 hours, the reaction solution was reduced to 36%
The mixture was poured into a mixture of 50 ml of hydrochloric acid and 2,000 ml of methanol, and the precipitate was collected. The obtained precipitate was added to and suspended in chloroform, extracted with a 2N aqueous hydrochloric acid solution, and then the chloroform layer was poured into methanol, and the precipitate was collected to obtain a dry white powdery polymer. The analysis and evaluation results of the obtained polymer are shown in Tables 1 and 2.
【0038】実施例2〜6 モノマーを表1に示す組成で仕込んだ以外は、実施例1
と同様にして重合体を得た。得られた重合体の分析、評
価結果を表1〜2に示す。Examples 2-6 Example 1 was repeated except that the monomers were charged according to the composition shown in Table 1.
A polymer was obtained in the same manner as described above. The analysis and evaluation results of the obtained polymer are shown in Tables 1 and 2.
【0039】実施例7 モノマーを表1に示す組成で仕込んだ以外は、実施例1
と同様にして保護基のついた重合体を得た。次いで、攪
拌子を備えたナス型フラスコに、カリウム−t−ブトキ
シド10.9g、ジメチルスルホキシド100mlを加
え、均一溶液とした。この溶液に、先に得られた重合体
10gを加え、80℃で4時間攪拌した。この反応液
を、0.5規定塩酸250ml、メタノール500ml
の混合溶液に注ぎ込み、沈殿を回収した。得られた沈殿
を、クロロホルム100mlに溶かし、2規定塩酸で2
回、純水で1回洗浄し、次いでメタノールで再沈殿させ
ることによって、カルボキシル基を有する重合体の白色
粉末を得た。得られた重合体の分析、評価結果を表1〜
2に示す。Example 7 Example 1 was repeated except that the monomers were charged according to the composition shown in Table 1.
A polymer having a protecting group was obtained in the same manner as described above. Next, 10.9 g of potassium-t-butoxide and 100 ml of dimethyl sulfoxide were added to an eggplant-shaped flask equipped with a stirrer to form a uniform solution. To this solution, 10 g of the polymer obtained above was added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 4 hours. This reaction solution was mixed with 250 ml of 0.5 N hydrochloric acid and 500 ml of methanol.
And the precipitate was collected. The obtained precipitate was dissolved in 100 ml of chloroform, and the solution was diluted with 2N hydrochloric acid.
After washing once with pure water and then reprecipitating with methanol, a white powder of a polymer having a carboxyl group was obtained. Table 1 shows the analysis and evaluation results of the obtained polymer.
It is shown in FIG.
【0040】実施例8〜9 モノマーを、表1に示す組成で仕込んだ以外は、実施例
1と同様にして保護基のついた重合体を得た。次いで、
この重合体10gを、還流管、攪拌子を備えた300m
lのナス型フラスコに加え、次いで、p−トルエンスル
ホン酸1水和物0.5g、トルエン220gを加え、1
20℃で3時間攪拌した。この反応液を約50mlまで
濃縮し、メタノールで再沈殿させることにより、ヒドロ
キシル基を有する重合体の白色粉末を得た。得られた重
合体の分析、評価結果を表1〜2に示す。Examples 8 to 9 Polymers having a protective group were obtained in the same manner as in Example 1 except that the monomers were charged in the compositions shown in Table 1. Then
10 g of this polymer was poured into a 300 m
l of the eggplant-shaped flask, 0.5 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate and 220 g of toluene were added.
The mixture was stirred at 20 ° C for 3 hours. The reaction solution was concentrated to about 50 ml and reprecipitated with methanol to obtain a white powder of a polymer having a hydroxyl group. The analysis and evaluation results of the obtained polymer are shown in Tables 1 and 2.
【0041】[0041]
【表1】 [Table 1]
【0042】表1中、モノマーの略記号は、次のとおり
である。 AFMs;2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ
フェニル)ヘキサフルオロプロパン o−CBzA;2,4−ジクロロベンジルアルコール m−CBzA;3,5−ジクロロベンジルアルコール p−CPhAA;3,6−ジクロロフタル酸無水物 m−CBMe;3,5−ジクロロ安息香酸メチル CPh−t−Boc;3,5−ジクロロ−t−ブトキシ
カルボニロキシベンゼン PFMs;ビス(メチルスルフォニロキシフェニル)ト
リフルオロメチルフェニルメタンIn Table 1, the abbreviations of the monomers are as follows. AFMs; 2,2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane o-CBzA; 2,4-dichlorobenzyl alcohol m-CBzA; 3,5-dichlorobenzyl alcohol p-CPhAA; 3,6-dichloro Phthalic anhydride m-CBMe; methyl 3,5-dichlorobenzoate CPh-t-Boc; 3,5-dichloro-t-butoxycarbonyloxybenzene PFMs; bis (methylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane
【0043】[0043]
【表2】 [Table 2]
【0044】試験例1〜5 実施例で得られた重合体100部に対し、ポリメチロー
ル化メラミン(三井サイテック社製、サイメル300)
を表3に示す組成で配合し、さらに、1−グリシジロキ
シ−3−トリメトキシシリルプロピレンを1部、溶媒と
してプロピレングリコール−1−モノメチルエーテル−
2−アセテートを300部加えて、熱硬化性樹脂組成物
を得た。この樹脂組成物を、所定の基板にスピンコート
し、80℃,120℃でそれぞれ2分ずつ、230℃で
30分焼成することによって得られた薄膜について評価
した。結果を表3に示す。Test Examples 1 to 5 Polymethylolated melamine (Cymel 300, manufactured by Mitsui Cytec Co., Ltd.) was used for 100 parts of the polymer obtained in the examples.
Was mixed in the composition shown in Table 3, and 1 part of 1-glycidyloxy-3-trimethoxysilylpropylene was used as a solvent, and propylene glycol-1-monomethyl ether was used as a solvent.
300 parts of 2-acetate was added to obtain a thermosetting resin composition. This resin composition was spin-coated on a predetermined substrate, and baked at 80 ° C. and 120 ° C. for 2 minutes each and at 230 ° C. for 30 minutes to evaluate a thin film obtained. Table 3 shows the results.
【0045】[0045]
【表3】 [Table 3]
【0046】*)耐溶剤性試験に用いられた溶剤は、次
のとおりである。 NMP;1−メチル−ピロリドン DMSO;ジメチルスルホキシド PGMEA;プロピレングリコール−1−モノメチルエ
ーテル−2−アセテート*) The solvents used in the solvent resistance test are as follows. NMP; 1-methyl-pyrrolidone DMSO; dimethyl sulfoxide PGMEA; propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate
【0047】試験例6 実施例4で得た重合体をシクロヘキサノンに溶解して固
形分濃度10%の溶液とし、この溶液100部に対し、
ジ−n−ブトキシビス(エチルアセトアセテート)ジル
コニウム10部を加え、23℃で20分間反応させたの
ち、メチルトリメトキシシラン100部、ジ−n−ブト
キシビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム2部
とイオン交換水14部を加え、さらに60℃で4時間反
応させた。引き続き、アセチルアセトン5部を加え、6
0℃で1時間反応させ、固形分濃度15%の熱硬化性樹
脂組成物を調製した。この樹脂組成物を所定の基板にス
ピンコートし、80,120℃でそれぞれ2分ずつ、3
00℃で60分焼成することによって得られた薄膜につ
いて評価した。結果を表4に示す。Test Example 6 The polymer obtained in Example 4 was dissolved in cyclohexanone to form a solution having a solid concentration of 10%.
After adding 10 parts of di-n-butoxybis (ethylacetoacetate) zirconium and reacting at 23 ° C. for 20 minutes, 100 parts of methyltrimethoxysilane, 2 parts of di-n-butoxybis (ethylacetoacetate) zirconium and ion-exchanged water 14 parts were added, and the mixture was further reacted at 60 ° C. for 4 hours. Subsequently, 5 parts of acetylacetone was added, and
The mixture was reacted at 0 ° C. for 1 hour to prepare a thermosetting resin composition having a solid content of 15%. This resin composition is spin-coated on a predetermined substrate, and the mixture is heated at 80 and 120 ° C. for 2 minutes each for 3 minutes.
The thin film obtained by baking at 00 ° C. for 60 minutes was evaluated. Table 4 shows the results.
【0048】試験例7 実施例4で得た重合体の代わりに、実施例7で得た重合
体を用いた以外は、すべて試験例6と同様の方法で薄膜
を得た。結果を表4に示す。Test Example 7 A thin film was obtained in the same manner as in Test Example 6, except that the polymer obtained in Example 7 was used instead of the polymer obtained in Example 4. Table 4 shows the results.
【0049】試験例8 実施例8で得た重合体10gに対し、シクロヘキサノン
40gを加えてワニスとした(溶液A)。一方、メチル
トリメトキシシラン13gとシクロヘキサノン66gと
を均一に混合したのち、テトラブトキシジルコニウム2
2gとアセト酢酸エチル6.5gとを60℃で3時間攪
拌してトリブトキシアセト酢酸エチルジルコニウム溶液
(溶液B)を得た。この溶液Bを1.16gにイオン交
換水2.6gを加え、室温で攪拌して均一溶液としたの
ち、60℃で3時間攪拌した。この溶液に溶液Aを加
え、60℃で2時間攪拌したのち、減圧濃縮することに
よって、固形分濃度21.5%の熱硬化性樹脂組成物を
得た。この樹脂組成物を所定の基板にスピンコートし、
80,120℃でそれぞれ2分ずつ、300℃で60分
焼成することによって得られた薄膜について評価した。
結果を表4に示す。Test Example 8 To 10 g of the polymer obtained in Example 8, 40 g of cyclohexanone was added to prepare a varnish (solution A). On the other hand, after uniformly mixing 13 g of methyltrimethoxysilane and 66 g of cyclohexanone, tetrabutoxyzirconium 2
2 g and 6.5 g of ethyl acetoacetate were stirred at 60 ° C. for 3 hours to obtain an ethyl zirconium tributoxyacetoacetate solution (solution B). 2.6 g of ion-exchanged water was added to 1.16 g of this solution B, and the mixture was stirred at room temperature to form a homogeneous solution, followed by stirring at 60 ° C. for 3 hours. Solution A was added to this solution, and the mixture was stirred at 60 ° C. for 2 hours, and then concentrated under reduced pressure to obtain a thermosetting resin composition having a solid content of 21.5%. This resin composition is spin-coated on a predetermined substrate,
The thin films obtained by baking at 80 and 120 ° C. for 2 minutes each and at 300 ° C. for 60 minutes were evaluated.
Table 4 shows the results.
【0050】[0050]
【表4】 [Table 4]
【0051】[0051]
【発明の効果】本発明により得られるフェニレン基含有
共重合体は、耐熱性、低誘電性、透明性、密着性に優
れ、有機溶剤に可溶であることから、加工が容易であ
り、電子材料、光学材料として幅広い用途に極めて好適
に使用することができる。The phenylene group-containing copolymer obtained according to the present invention has excellent heat resistance, low dielectric properties, transparency and adhesion, and is soluble in an organic solvent, so that it is easy to process and has a high electronic conductivity. It can be very suitably used for a wide range of applications as a material or an optical material.
【図1】実施例1の 1H−NMRスペクトルである。FIG. 1 is a 1 H-NMR spectrum of Example 1.
【図2】実施例1のIRスペクトルである。FIG. 2 is an IR spectrum of Example 1.
【図3】実施例2の 1H−NMRスペクトルである。FIG. 3 is a 1 H-NMR spectrum of Example 2.
【図4】実施例2のIRスペクトルである。FIG. 4 is an IR spectrum of Example 2.
【図5】実施例3の 1H−NMRスペクトルである。FIG. 5 is a 1 H-NMR spectrum of Example 3.
【図6】実施例3のIRスペクトルである。FIG. 6 is an IR spectrum of Example 3.
【図7】実施例4の 1H−NMRスペクトルである。FIG. 7 is a 1 H-NMR spectrum of Example 4.
【図8】実施例4のIRスペクトルである。FIG. 8 is an IR spectrum of Example 4.
【図9】実施例7の 1H−NMRスペクトルである。9 is a 1 H-NMR spectrum of Example 7. FIG.
【図10】実施例7のIRスペクトルである。FIG. 10 is an IR spectrum of Example 7.
【図11】実施例8の 1H−NMRスペクトルである。FIG. 11 is a 1 H-NMR spectrum of Example 8.
【図12】実施例8のIRスペクトルである。FIG. 12 is an IR spectrum of Example 8.
【図13】実施例9の 1H−NMRスペクトルである。FIG. 13 is a 1 H-NMR spectrum of Example 9.
【図14】実施例9のIRスペクトルである。14 is an IR spectrum of Example 9. FIG.
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成10年3月26日[Submission date] March 26, 1998
【手続補正1】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】発明の名称[Correction target item name] Name of invention
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【発明の名称】 フェニレン基含有共重合体の製造方法
および膜形成材料Patent application title: Method for producing phenylene group-containing copolymer and film-forming material
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 幸平 東京都中央区築地2丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Kohei Goto 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Inside JSR Co., Ltd.
Claims (5)
基含有化合物50〜95モル%、および下記一般式(I
I) で表される化合物50〜5モル%を、遷移金属化合
物を含む触媒系の存在下に共重合することを特徴とする
フェニレン基含有共重合体の製造方法。 【化1】 【化2】 〔式中、Xは2価の有機基、R1 〜R8 は同一または異
なり、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン
化アルキル基、アリル基またはアリール基、R9〜R10
は−OSO2 Z(ここで、Zはアルキル基、ハロゲン化
アルキル基もしくはアリール基を示す)で表される基、
R11〜R14は同一または異なり、水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、1価
の反応性有機基またはその前駆体であり、かつそのうち
の少なくとも1つは水酸基、1価の反応性有機基または
その前駆体であり、R15〜R16はハロゲン原子または−
OSO2 Z(ここで、Zは上記と同様である)で表され
る基である。〕1. A phenylene group-containing compound represented by the following general formula (I): 50 to 95 mol%;
A method for producing a phenylene group-containing copolymer, comprising copolymerizing 50 to 5 mol% of the compound represented by the formula (I) in the presence of a catalyst system containing a transition metal compound. Embedded image Embedded image [Wherein X is a divalent organic group, R 1 to R 8 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a halogenated alkyl group, an allyl group or an aryl group, R 9 to R 10
Is a group represented by —OSO 2 Z (where Z represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group);
R 11 to R 14 are the same or different and are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a monovalent reactive organic group or a precursor thereof, and at least one of them is a hydroxyl group, A reactive organic group or a precursor thereof, wherein R 15 to R 16 are a halogen atom or-
It is a group represented by OSO 2 Z (where Z is the same as above). ]
で、Y〜Y′は同一または異なり、水素原子、アルキル
基、ハロゲン化アルキル基およびアリール基の群から選
ばれた少なくとも1種の基を示す)で表される基、また
はフルオレニレン基である請求項1記載のフェニレン基
含有共重合体の製造方法。2. In the general formula (I), X is -CYY'- (where Y to Y 'are the same or different, and at least one selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a halogenated alkyl group and an aryl group) 2. The method for producing a phenylene group-containing copolymer according to claim 1, wherein the phenylene group-containing copolymer is a group represented by the following formula:
性有機基がヒドロキシアルキル基またはカルボキシル基
である請求項1記載のフェニレン基含有共重合体の製造
方法。3. The method for producing a phenylene group-containing copolymer according to claim 1, wherein the monovalent reactive organic group represented by R 11 to R 14 in the general formula (I) is a hydroxyalkyl group or a carboxyl group.
重合体からなる膜形成材料。 【化3】 〔式中、R1 〜R14は上記に同じ、m/n(モル比)=
95〜50/5〜50である。〕4. A film-forming material comprising a polymer having a structural unit represented by the following general formula (III). Embedded image [Wherein R 1 to R 14 are the same as above, m / n (molar ratio) =
95 to 50/5 to 50. ]
で、Y〜Y′は同一または異なり、水素原子、アルキル
基、ハロゲン化アルキル基およびアリール基の群から選
ばれた少なくとも1種の基を示す)で表される基、また
はフルオレニレン基である請求項4記載の膜形成材料。5. X in the general formula (III) is -CYY'- (where Y to Y 'are the same or different, and at least one selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a halogenated alkyl group and an aryl group) The film forming material according to claim 4, which is a group represented by one of the following groups: or a fluorenylene group.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4099798A JPH11228674A (en) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | Production of phenylene group-containing copolymer, and film-forming material |
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JP4099798A JPH11228674A (en) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | Production of phenylene group-containing copolymer, and film-forming material |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11228674A true JPH11228674A (en) | 1999-08-24 |
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ID=12596076
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JP4099798A Withdrawn JPH11228674A (en) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | Production of phenylene group-containing copolymer, and film-forming material |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11228674A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004002627A (en) * | 2002-03-25 | 2004-01-08 | Jsr Corp | Method for producing aromatic polymer, composition for film formation, method for film formation and organic film |
US7608928B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-10-27 | Jsr Corporation | Laminated body and semiconductor device |
-
1998
- 1998-02-09 JP JP4099798A patent/JPH11228674A/en not_active Withdrawn
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JP2004002627A (en) * | 2002-03-25 | 2004-01-08 | Jsr Corp | Method for producing aromatic polymer, composition for film formation, method for film formation and organic film |
US7608928B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-10-27 | Jsr Corporation | Laminated body and semiconductor device |
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