JP4365575B2 - テレビジョンチューナの発振回路 - Google Patents
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Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はテレビジョンチューナの発振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のテレビジョンチューナの発振回路を図３に示す。図３は、例えばＶＨＦテレビジョンチューナのローバンド用又はハイバンド用に使用される発振回路４１であり、集積回路４０内に構成された第一及び第二の発振トランジスタ４２、４３と、集積回路４０外に設けられた共振回路４４とによって構成される。第一の発振トランジスタ４２と第二の発振トランジスタ４３との各エミッタは互いに接続されて定電流源４５に接続される。また、第一の発振トランジスタ４２のコレクタは集積回路４０の電源端子Ｂに接続され、第二の発振トランジスタ４３のコレクタは給電抵抗４６を介して電源端子Ｂに接続される。さらに、第二の発振トランジスタ４３のベースは集積回路４０内の接地コンデンサ４７によって高周波的に接地される。
【０００３】
よって、第一の発振トランジスタ４２と第二の発振トランジスタ４３とは差動接続され、第一の発振トランジスタ４２のベースと第二の発振トランジスタ４３のコレクタとは同相となる。
【０００４】
集積回路４０には第一及び第二の端子４０ａ、４０ｂが設けられ、第一の端子４０ａには第一の発振トランジスタ４２のベースが接続され、第二の端子４０ｂには第二の発振トランジスタ４３のコレクタが接続される。共振回路４４はインダクタンス素子４４ａ、バラクタダイオード４４ｂ等を有し、その一端が二つの結合コンデンサ４８、４９を介してそれぞれ第一の端子４０ａ、第二の端子４０ｂに結合される。共振回路４４の他端は接地される。
【０００５】
よって、発振回路４１は不平衡型の発振回路を構成する。そして、バラクタダイオード４４ｂに印加される同調電圧Ｔｕによって発振周波数が設定される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−２５７９５４号公報（図１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記の構成では、第一の発振トランジスタ４２のコレクタは電源に接続されることで高周波的に接地され、第二の発振トランジスタのベースは接地コンデンサ４７によって集積回路内のグランドラインに接地される。このため、電源ラインやグランドラインに流れる電流によって電源端子Ｂとグランドラインとの間に高周波的な電位差が生じ、この電位差が第一の発振トランジスタ４２のコレクタと第二の発振トランジスタ４３のベースとの間に加わる。この結果、発振動作が不安定となって発振信号のＣ／Ｎが悪化し、さらには寄生発振が発生するという問題がある。
【０００８】
本発明は、差動接続された二つの発振トランジスタを用いて構成した不平衡型の発振回路を安定化すると共に発振信号のＣ／Ｎを改善することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明では、差動接続された第一及び第二の発振トランジスタと、前記第一及び第二の発振トランジスタに結合される共振回路とを備え、前記第一の発振トランジスタのコレクタを第一の直流カットコンデンサを介して少抵抗値の抵抗の一端に接続し、前記第二の発振トランジスタのベースを第二の直流カットコンデンサを介して前記少抵抗値の抵抗の一端に接続するとともに、前記少抵抗値の抵抗の他端を接地し、前記第一の発振トランジスタのベースを第一の結合コンデンサを介して前記共振回路の一端に結合し、前記第二の発振トランジスタのコレクタを第二の結合コンデンサを介して前記共振回路の一端に結合し、前記共振回路の他端を接地した。
【００１２】
また、前記第一及び第二の発振トランジスタと、前記第一及び第二の結合コンデンサと、第一及び第二の直流カットコンデンサと、前記少抵抗値の抵抗とを集積回路内に構成し、前記少抵抗値の抵抗を前記集積回路内で接地し、前記集積回路には前記第一及び第二の結合コンデンサに接続される端子を設け、前記共振回路を前記集積回路の外部に設け、前記共振回路の一端を前記端子に接続した。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明のテレビジョンチューナの発振回路の第一の実施形態を図１に示す。図１は、例えばＶＨＦテレビジョンチューナのローバンド用又はハイバンド用に使用される発振回路１であり、集積回路２０内に構成された第一及び第二の発振トランジスタ２、３と、集積回路２０外に設けられた共振回路４とによって構成される。第一の発振トランジスタ２と第二の発振トランジスタ３との各エミッタは互いに接続されて定電流源５に接続される。また、第一の発振トランジスタ２のコレクタは集積回路２０の電源端子Ｂに接続され、第二の発振トランジスタ３のコレクタは給電抵抗６を介して電源端子Ｂに接続される。さらに、第一の発振トランジスタ２のコレクタと第二の発振トランジスタ３のベースとはそれぞれ集積回路２０内に設けられた第一の直流カットコンデンサ７、第二の直流カットコンデンサ８によって集積回路２０内の共通の接地点に高周波的に接地される。
【００１４】
よって、第一の発振トランジスタ２と第二の発振トランジスタ３とは差動接続され、第一の発振トランジスタ２のベースと第二の発振トランジスタ３のコレクタとは同相となる。
【００１５】
集積回路２０には端子２０ａが設けられる。また、集積回路２０内には第一の結合コンデンサ９と第二の結合コンデンサ１０とが構成される。そして、端子２０ａには第一の発振トランジスタ２のベースが第一の結合コンデンサ９を介して接続され、第二の発振トランジスタ３のコレクタが第二の結合コンデンサ１０を介して接続される。
【００１６】
共振回路４はインダクタンス素子４ａ、バラクタダイオード４ｂ等を有し、その一端が端子２０ａに接続され、他端は集積回路２０外で接地される。
【００１７】
よって、発振回路１は不平衡型の発振回路を構成する。そして、バラクタダイオード４ｂに印加される同調電圧Ｔｕによって発振周波数が設定される
【００１８】
以上の構成では、第一の発振トランジスタ２のコレクタと第二の発振トランジスタ３のベースとは共通の接地点に接地されるので、互いに高周波的に同一の接地電位となるので発振動作が安定となってＣ／Ｎが向上すると共に寄生発振も発生しない。また、第一の発振トランジスタ２のベースと第二の発振トランジスタ３のコレクタとをそれぞれ第一の結合コンデンサ９、第二の結合コンデンサ１０によって端子２０ａに接続するので、共振回路４を接続するための端子が一つで済み、集積回路２０を小型化できる。
【００１９】
図２は第二の実施形態を示す。図２において、図１と同一構成部分に付いては説明を省略する。第一の発振トランジスタ２のコレクタは給電抵抗１１を介して電源端子Ｂに接続される。この給電抵抗１１は必ずしも必要ではない。また、第一の発振トランジスタ２のコレクタに接続された第一の直流カットコンデンサ７は少抵抗値の抵抗１２の一端に接続され、第二の発振トランジスタ３のベースに接続された第二の直流カットコンデンサ８も少抵抗値の抵抗１２の一端に接続される。そして、抵抗１２の他端が接地される。抵抗１２は集積回路２０内に構成される。
【００２０】
この構成では、第一の発振トランジスタ２のコレクタと第二の発振トランジスタ３のベースとが抵抗１２によって同一の電位となるのでＣ／Ｎの向上に対して効果があると共に、抵抗１２が共振回路４のＱをダンピングするので、寄生発振の防止に対して一層効果がある。
【００２１】
また、前記第一及び第二の発振トランジスタと、前記第一及び第二の結合コンデンサと、第一及び第二の直流カットコンデンサと、前記抵抗とを集積回路内に構成し、前記抵抗を前記集積回路内で接地し、前記集積回路には前記第一及び第二の結合コンデンサに接続される端子を設け、前記共振回路を前記集積回路の外部に設け、前記共振回路の一端を前記端子に接続した。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、第一の発振トランジスタのコレクタを第一の直流カットコンデンサを介して少抵抗値の抵抗の一端に接続し、第二の発振トランジスタのベースを第二の直流カットコンデンサを介して少抵抗値の抵抗の一端に接続するとともに、少抵抗値の抵抗の他端を接地し、第一の発振トランジスタのベースを第一の結合コンデンサを介して共振回路の一端に結合し、第二の発振トランジスタのコレクタを第二の結合コンデンサを介して共振回路の一端に結合し、共振回路の他端を接地したことで、第一の発振トランジスタのコレクタと第二の発振トランジスタのベースとが抵抗によって同一の電位となるのでＣ／Ｎの向上に対して効果があると共に、抵抗が共振回路のＱをダンピングするので、寄生発振の防止に対して一層効果がある。
【００２４】
また、第一及び第二の発振トランジスタと、第一及び第二の結合コンデンサと、第一及び第二の直流カットコンデンサと、少抵抗値の抵抗とを集積回路内に構成し、少抵抗値の抵抗を集積回路内で接地し、集積回路には第一及び第二の結合コンデンサに接続される端子を設け、共振回路を集積回路の外部に設け、共振回路の一端を端子に接続したので、共振回路を接続するための端子が一つで済み、集積回路を小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のテレビジョンチューナの発振回路の第一の実施形態の構成を示す回路図である。
【図２】本発明のテレビジョンチューナの発振回路の第二の実施形態の構成を示す回路図である。
【図３】従来のテレビジョンチューナの発振回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１ 発振回路
２ 第一の発振トランジスタ
３ 第二の発振トランジスタ
４ 共振回路
４ａ インダクタンス素子
４ｂ バラクタダイオード
５ 定電流源
６、１１ 給電抵抗
７ 第一の直流カットコンデンサ
８ 第二の直流カットコンデンサ
９ 第一の結合コンデンサ
１０ 第二の結合コンデンサ
１１ 給電抵抗
１２ 抵抗
２０ 集積回路
【発明の属する技術分野】
この発明はテレビジョンチューナの発振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のテレビジョンチューナの発振回路を図３に示す。図３は、例えばＶＨＦテレビジョンチューナのローバンド用又はハイバンド用に使用される発振回路４１であり、集積回路４０内に構成された第一及び第二の発振トランジスタ４２、４３と、集積回路４０外に設けられた共振回路４４とによって構成される。第一の発振トランジスタ４２と第二の発振トランジスタ４３との各エミッタは互いに接続されて定電流源４５に接続される。また、第一の発振トランジスタ４２のコレクタは集積回路４０の電源端子Ｂに接続され、第二の発振トランジスタ４３のコレクタは給電抵抗４６を介して電源端子Ｂに接続される。さらに、第二の発振トランジスタ４３のベースは集積回路４０内の接地コンデンサ４７によって高周波的に接地される。
【０００３】
よって、第一の発振トランジスタ４２と第二の発振トランジスタ４３とは差動接続され、第一の発振トランジスタ４２のベースと第二の発振トランジスタ４３のコレクタとは同相となる。
【０００４】
集積回路４０には第一及び第二の端子４０ａ、４０ｂが設けられ、第一の端子４０ａには第一の発振トランジスタ４２のベースが接続され、第二の端子４０ｂには第二の発振トランジスタ４３のコレクタが接続される。共振回路４４はインダクタンス素子４４ａ、バラクタダイオード４４ｂ等を有し、その一端が二つの結合コンデンサ４８、４９を介してそれぞれ第一の端子４０ａ、第二の端子４０ｂに結合される。共振回路４４の他端は接地される。
【０００５】
よって、発振回路４１は不平衡型の発振回路を構成する。そして、バラクタダイオード４４ｂに印加される同調電圧Ｔｕによって発振周波数が設定される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−２５７９５４号公報（図１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記の構成では、第一の発振トランジスタ４２のコレクタは電源に接続されることで高周波的に接地され、第二の発振トランジスタのベースは接地コンデンサ４７によって集積回路内のグランドラインに接地される。このため、電源ラインやグランドラインに流れる電流によって電源端子Ｂとグランドラインとの間に高周波的な電位差が生じ、この電位差が第一の発振トランジスタ４２のコレクタと第二の発振トランジスタ４３のベースとの間に加わる。この結果、発振動作が不安定となって発振信号のＣ／Ｎが悪化し、さらには寄生発振が発生するという問題がある。
【０００８】
本発明は、差動接続された二つの発振トランジスタを用いて構成した不平衡型の発振回路を安定化すると共に発振信号のＣ／Ｎを改善することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明では、差動接続された第一及び第二の発振トランジスタと、前記第一及び第二の発振トランジスタに結合される共振回路とを備え、前記第一の発振トランジスタのコレクタを第一の直流カットコンデンサを介して少抵抗値の抵抗の一端に接続し、前記第二の発振トランジスタのベースを第二の直流カットコンデンサを介して前記少抵抗値の抵抗の一端に接続するとともに、前記少抵抗値の抵抗の他端を接地し、前記第一の発振トランジスタのベースを第一の結合コンデンサを介して前記共振回路の一端に結合し、前記第二の発振トランジスタのコレクタを第二の結合コンデンサを介して前記共振回路の一端に結合し、前記共振回路の他端を接地した。
【００１２】
また、前記第一及び第二の発振トランジスタと、前記第一及び第二の結合コンデンサと、第一及び第二の直流カットコンデンサと、前記少抵抗値の抵抗とを集積回路内に構成し、前記少抵抗値の抵抗を前記集積回路内で接地し、前記集積回路には前記第一及び第二の結合コンデンサに接続される端子を設け、前記共振回路を前記集積回路の外部に設け、前記共振回路の一端を前記端子に接続した。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明のテレビジョンチューナの発振回路の第一の実施形態を図１に示す。図１は、例えばＶＨＦテレビジョンチューナのローバンド用又はハイバンド用に使用される発振回路１であり、集積回路２０内に構成された第一及び第二の発振トランジスタ２、３と、集積回路２０外に設けられた共振回路４とによって構成される。第一の発振トランジスタ２と第二の発振トランジスタ３との各エミッタは互いに接続されて定電流源５に接続される。また、第一の発振トランジスタ２のコレクタは集積回路２０の電源端子Ｂに接続され、第二の発振トランジスタ３のコレクタは給電抵抗６を介して電源端子Ｂに接続される。さらに、第一の発振トランジスタ２のコレクタと第二の発振トランジスタ３のベースとはそれぞれ集積回路２０内に設けられた第一の直流カットコンデンサ７、第二の直流カットコンデンサ８によって集積回路２０内の共通の接地点に高周波的に接地される。
【００１４】
よって、第一の発振トランジスタ２と第二の発振トランジスタ３とは差動接続され、第一の発振トランジスタ２のベースと第二の発振トランジスタ３のコレクタとは同相となる。
【００１５】
集積回路２０には端子２０ａが設けられる。また、集積回路２０内には第一の結合コンデンサ９と第二の結合コンデンサ１０とが構成される。そして、端子２０ａには第一の発振トランジスタ２のベースが第一の結合コンデンサ９を介して接続され、第二の発振トランジスタ３のコレクタが第二の結合コンデンサ１０を介して接続される。
【００１６】
共振回路４はインダクタンス素子４ａ、バラクタダイオード４ｂ等を有し、その一端が端子２０ａに接続され、他端は集積回路２０外で接地される。
【００１７】
よって、発振回路１は不平衡型の発振回路を構成する。そして、バラクタダイオード４ｂに印加される同調電圧Ｔｕによって発振周波数が設定される
【００１８】
以上の構成では、第一の発振トランジスタ２のコレクタと第二の発振トランジスタ３のベースとは共通の接地点に接地されるので、互いに高周波的に同一の接地電位となるので発振動作が安定となってＣ／Ｎが向上すると共に寄生発振も発生しない。また、第一の発振トランジスタ２のベースと第二の発振トランジスタ３のコレクタとをそれぞれ第一の結合コンデンサ９、第二の結合コンデンサ１０によって端子２０ａに接続するので、共振回路４を接続するための端子が一つで済み、集積回路２０を小型化できる。
【００１９】
図２は第二の実施形態を示す。図２において、図１と同一構成部分に付いては説明を省略する。第一の発振トランジスタ２のコレクタは給電抵抗１１を介して電源端子Ｂに接続される。この給電抵抗１１は必ずしも必要ではない。また、第一の発振トランジスタ２のコレクタに接続された第一の直流カットコンデンサ７は少抵抗値の抵抗１２の一端に接続され、第二の発振トランジスタ３のベースに接続された第二の直流カットコンデンサ８も少抵抗値の抵抗１２の一端に接続される。そして、抵抗１２の他端が接地される。抵抗１２は集積回路２０内に構成される。
【００２０】
この構成では、第一の発振トランジスタ２のコレクタと第二の発振トランジスタ３のベースとが抵抗１２によって同一の電位となるのでＣ／Ｎの向上に対して効果があると共に、抵抗１２が共振回路４のＱをダンピングするので、寄生発振の防止に対して一層効果がある。
【００２１】
また、前記第一及び第二の発振トランジスタと、前記第一及び第二の結合コンデンサと、第一及び第二の直流カットコンデンサと、前記抵抗とを集積回路内に構成し、前記抵抗を前記集積回路内で接地し、前記集積回路には前記第一及び第二の結合コンデンサに接続される端子を設け、前記共振回路を前記集積回路の外部に設け、前記共振回路の一端を前記端子に接続した。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、第一の発振トランジスタのコレクタを第一の直流カットコンデンサを介して少抵抗値の抵抗の一端に接続し、第二の発振トランジスタのベースを第二の直流カットコンデンサを介して少抵抗値の抵抗の一端に接続するとともに、少抵抗値の抵抗の他端を接地し、第一の発振トランジスタのベースを第一の結合コンデンサを介して共振回路の一端に結合し、第二の発振トランジスタのコレクタを第二の結合コンデンサを介して共振回路の一端に結合し、共振回路の他端を接地したことで、第一の発振トランジスタのコレクタと第二の発振トランジスタのベースとが抵抗によって同一の電位となるのでＣ／Ｎの向上に対して効果があると共に、抵抗が共振回路のＱをダンピングするので、寄生発振の防止に対して一層効果がある。
【００２４】
また、第一及び第二の発振トランジスタと、第一及び第二の結合コンデンサと、第一及び第二の直流カットコンデンサと、少抵抗値の抵抗とを集積回路内に構成し、少抵抗値の抵抗を集積回路内で接地し、集積回路には第一及び第二の結合コンデンサに接続される端子を設け、共振回路を集積回路の外部に設け、共振回路の一端を端子に接続したので、共振回路を接続するための端子が一つで済み、集積回路を小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のテレビジョンチューナの発振回路の第一の実施形態の構成を示す回路図である。
【図２】本発明のテレビジョンチューナの発振回路の第二の実施形態の構成を示す回路図である。
【図３】従来のテレビジョンチューナの発振回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１ 発振回路
２ 第一の発振トランジスタ
３ 第二の発振トランジスタ
４ 共振回路
４ａ インダクタンス素子
４ｂ バラクタダイオード
５ 定電流源
６、１１ 給電抵抗
７ 第一の直流カットコンデンサ
８ 第二の直流カットコンデンサ
９ 第一の結合コンデンサ
１０ 第二の結合コンデンサ
１１ 給電抵抗
１２ 抵抗
２０ 集積回路
Claims (2)
- 差動接続された第一及び第二の発振トランジスタと、前記第一及び第二の発振トランジスタに結合される共振回路とを備え、前記第一の発振トランジスタのコレクタを第一の直流カットコンデンサを介して少抵抗値の抵抗の一端に接続し、前記第二の発振トランジスタのベースを第二の直流カットコンデンサを介して前記少抵抗値の抵抗の一端に接続するとともに、前記少抵抗値の抵抗の他端を接地し、前記第一の発振トランジスタのベースを第一の結合コンデンサを介して前記共振回路の一端に結合し、前記第二の発振トランジスタのコレクタを第二の結合コンデンサを介して前記共振回路の一端に結合し、前記共振回路の他端を接地したことを特徴とするテレビジョンチューナの発振回路。
- 前記第一及び第二の発振トランジスタと、前記第一及び第二の結合コンデンサと、第一及び第二の直流カットコンデンサと、前記少抵抗値の抵抗とを集積回路内に構成し、前記少抵抗値の抵抗を前記集積回路内で接地し、前記集積回路には前記第一及び第二の結合コンデンサに接続される端子を設け、前記共振回路を前記集積回路の外部に設け、前記共振回路の一端を前記端子に接続したことを特徴とする請求項１に記載のテレビジョンチューナの発振回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002336067A JP4365575B2 (ja) | 2002-11-20 | 2002-11-20 | テレビジョンチューナの発振回路 |
| EP03257215A EP1432116B1 (en) | 2002-11-20 | 2003-11-15 | Oscillation circuit for television tuner |
| DE60303423T DE60303423T2 (de) | 2002-11-20 | 2003-11-15 | Oszillatorschaltung für einen Fernsehtuner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002336067A JP4365575B2 (ja) | 2002-11-20 | 2002-11-20 | テレビジョンチューナの発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004172934A JP2004172934A (ja) | 2004-06-17 |
| JP4365575B2 true JP4365575B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=32375735
Family Applications (1)
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