JP4356754B2

JP4356754B2 - 機械的変形量検出センサ

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Publication number: JP4356754B2
Application number: JP2007045978A
Authority: JP
Inventors: 久和宮島; 雅夫荒川; 明薮田; 淳阪井
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2007-02-26
Filing date: 2007-02-26
Publication date: 2009-11-04
Anticipated expiration: 2022-07-19
Also published as: JP2007139799A

Description

本発明は、機械的変形量検出センサに関するものである。

従来より、検出対象とする物理量の大きさを検出するセンサとして、当該物理量がセンサ構造体に加わったときに生じるセンサ構造体の機械的変形の大きさを物理量の大きさを示す指標として捉え、この機械的変形量を電気信号に変換する機械的変形量検出センサが知られており、その代表例として例えば半導体加速度センサや半導体圧力センサ等がある。これら半導体加速度センサや半導体圧力センサ等にあっては、センサ構造体を半導体基板によって形成しており、半導体結晶に応力が加わると電気抵抗が変化する現象、つまりピエゾ抵抗を用いて電気信号として取り出すようになっている。多結晶薄膜歪ゲージ用いた圧力センサとしては特許文献１に開示されたものがある。
特開平０６−０３７３３４号公報

ところで、従来の如くピエゾ抵抗を用いたセンサでは、センサ構造体をシリコン基板を加工して形成する際に、センサ構造体の形成工程の流れの中でピエゾ抵抗を半導体拡散技術によって形成できるため、一連の半導体基板加工プロセスで製造可能であり製造上のメリットがあるものの、センサ構造体の機械的変形量に対応したピエゾ抵抗の電気抵抗の変化率、つまり導電率の変化量には限界があり、そのためピエゾ抵抗が有する潜在力を超える更に高感度化は困難であった。

本発明は、上記の点に鑑みて為されたもので、その目的とするところは従来方式に比べてより高感度化が実現できる機械的変形量検出センサを提供することにある。

上述の目的を達成するために、請求項１の機械的変形量検出センサに係る発明では、半導体基板または絶縁基板により形成され、検出対象とする物理量が当該構造体に加わったときにその物理量に起因して変形する変形部と当該変形部を支持する支持部を一体に有したセンサ構造体と、前記変形部の変形に共動して機械的に変形するように前記変形部に配置されたカーボンナノチューブ抵抗素子と、前記センサ構造体上にパターン形成され前記カーボンナノチューブ抵抗素子に接続された配線パターンとを備え、前記配線パターンを介して前記カーボンナノチューブ抵抗素子に電圧印加することにより、前記カーボンナノチューブ抵抗素子の機械的変形に伴う導電率変化を電気信号として取り出すものであって、前記配線パターンは前記カーボンナノチューブ抵抗素子との接続端部に金属電極部を有し、前記カーボンナノチューブ抵抗素子の両端部は前記金属電極部により覆われることで押さえられており、前記カーボンナノチューブ抵抗素子はその表面が絶縁性の被覆膜により前記金属電極部と共に覆われることで、前記センサ構造体上に固定化されていることを特徴とする。

請求項１の機械的変形量検出センサの発明によれば、カーボンナノチューブ抵抗素子の電気的特性を利用し、従来に比して優れた感度での物理量検出が可能となる。すなわち、前記配線パターンを介して前記カーボンナノチューブ抵抗素子に電圧印加した状態で、当該検出センサが検出対象とする物理量が前記センサ構造体に加わると、まず前記変形部が変形し、この変形に共動、つまり変形する形状を追従するように前記カーボンナノチューブ抵抗素子が機械的に変形し、この機械的変形に伴ってカーボンナノチューブ抵抗素子の導電率が比較的大きく変化し、この導電率の変化に起因して変化する電圧値又は電流値等の変化量も比較的大きくなり、それが高感度な電気信号として配線パターンを介して取り出されることになる。そして、この電気信号を検出対象とする物理量の大きさの指標として、当該物理量に換算することで高感度な物理量検出が可能となる。

加えて、前記カーボンナノチューブ抵抗素子の両端部は前記金属電極部により覆われることで押さえられているので、金属電極部によりカーボンナノチューブ抵抗素子と配線パターンとの接続を確実に行えるとともに、前記カーボンナノチューブ抵抗素子を前記変形部上に強固に固定化することができる。さらに、前記カーボンナノチューブ抵抗素子はその表面が絶縁性の被覆膜により前記金属電極部と共に覆われることで、前記センサ構造体上に固定化されているので、カーボンナノチューブ抵抗素子を保護できるとともに前記変形部上により強固に固定化することができる。

請求項２の機械的変形量検出センサに係る発明では、請求項１の発明において、前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、触媒を起点として所定位置に成長させて形成されたことを特徴とする。

請求項２の機械的変形量検出センサに係る発明によれば、前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、触媒を起点として所定位置に成長させて形成させるので、センサ構造体のスケールが小さく、カーボンナノチューブ自体のサイズも極めて小さくても、所定位置に配置固定化することができる。

請求項３の機械的変形量検出センサに係る発明では、請求項１又は２の発明において、前記被覆膜は前記センサ構造体の表面に設けられたパッシベーション膜であることを特徴とする。

請求項３の機械的変形量検出センサに係る発明によれば、被覆膜をセンサ構造体の表面に設けたパッシベーション膜で構成しているので、センサ構造体表面の保護とともに、前記カーボンナノチューブ抵抗素子を保護及び固定化を同時に行うことができる。

請求項４の機械的変形量検出センサに係る発明では、請求項１乃至３の何れかの発明において、前記センサ構造体はシリコン基板により形成されたＭＥＭＳセンサチップであって、前記カーボンナノチューブ抵抗素子は絶縁膜を介して前記変形部上に配置されていることを特徴とする。

請求項４の機械的変形量検出センサに係る発明によれば、ＭＥＭＳセンサチップとすることで、非常に微小な素子体であるカーボンナノチューブを用いている本発明にあっては、高感度化と小型化を両立するのに非常に有利である。また、カーボンナノチューブ抵抗素子は絶縁膜を介して変形部上に配置されていることで、好ましい構成となる。

請求項５の機械的変形量検出センサに係る発明では、請求項１乃至４の何れかの発明において、前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、その長手方向が前記変形部の変形方向と直交するよう配置されていることを特徴とする。

請求項５の機械的変形量検出センサに係る発明によれば、長手方向と変形部の変形方向が直交することで、変形部の変形がカーボンナノチューブ抵抗素子の変形として最も良く反映され、その結果、カーボンナノチューブ抵抗素子において導電率の変化もその分大きくなって高感度化に有利となる。

請求項６の機械的変形量検出センサに係る発明では、請求項１乃至５の何れかの発明において、前記センサ構造体において前記変形部以外の前記応力では変形しない部位に基準用抵抗素子が配置され、該基準用抵抗素子と前記カーボンナノチューブ抵抗素子とを前記配線パターンにより接続することでブリッジ回路が構成されていることを特徴とする。

請求項６の機械的変形量検出センサに係る発明によれば、ブリッジ回路の入力端に電圧を印加する一方、該ブリッジ回路の出力端の電圧を前記カーボンナノチューブ抵抗素子の機械的変形に伴う導電率変化に対応した電気信号として取り出すことができ、高感度化に加えて検出精度が向上する。

請求項７の機械的変形量検出センサに係る発明では、請求項６の発明において、前記基準用抵抗素子はカーボンナノチューブにより構成されていることを特徴とする。

請求項７の機械的変形量検出センサに係る発明によれば、検出用の抵抗素子と基準用抵抗素子とを何れも同材料であるカーボンナノチューブにより構成することで、検出精度がより向上する。

請求項８の機械的変形量センサに係る発明では、請求項１乃至７の何れかの発明において、前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、単層カーボンナノチューブを複数本並設したものを電気的に並列接続して構成されていることを特徴とする。

請求項８の機械的変形量センサに係る発明によれば、単層カーボンナノチューブを複数本並設したものを電気的に並列接続することで、個々の単層カーボンナノチューブにおける導電率の変化度合いのバラツキを平均化して抑え、高感度に加えて検出精度の向上を図ることができる。

本発明は、センサ構造体に加わった検出対象の物理量の大きさをカーボンナノチューブ抵抗素子の導電率変化による電気信号として検出できるため、カーボンナノチューブの電気的特性を利用し、例えばピエゾ抵抗素子を用いた従来方式に比べて優れた感度での物理量検出が可能となる、という効果を奏する。また、カーボンナノチューブ抵抗素子の両端部は金属電極部により覆われることで押さえられているので、金属電極部によりカーボンナノチューブ抵抗素子と配線パターンとの接続を確実に行えるとともに、カーボンナノチューブ抵抗素子を変形部上に強固に固定化することができる。さらに、カーボンナノチューブ抵抗素子はその表面が絶縁性の被覆膜により金属電極部と共に覆われることで、センサ構造体上に固定化されているので、カーボンナノチューブ抵抗素子を保護できるとともに変形部上により強固に固定化することができる、という効果を奏する。

以下、本発明の実施形態に係る機械的変形量検出センサについて説明する。
（実施形態１）
本実施形態に示す機械的変形量検出センサは、図１に示すように、流体の圧力を検出するための圧力センサである。本実施形態において、センサ構造体１はシリコン基板を加工して形成した、いわゆるＭＥＭＳセンサチップ（半導体圧力センサチップ）であって、矩形枠状の支持部１ａと、この支持部１ａの枠内を占める薄肉のダイヤフラム２とから構成されている。

この圧力センサチップ１において、薄肉の受圧部たるダイヤフラム２はシリコン基板の裏面側の一部を異方性エッチングして所定厚を残すよう凹部３を掘り込むことで形成される。圧力センサチップ１の裏面には、上記凹部３に流体圧力を導入するための圧力導入孔５を有するガラス製の台座４が接合されている。圧力センサチップ１においてダイヤフラム２は圧力導入孔５から流体圧力が導入されたときに撓むように変形する。

ダイヤフラム２の表面には、流体圧力の大きさに応じてダイヤフラム２が変形する量を電気信号として取り出すために、カーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２が配置されている。これらカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２は、ダイヤフラム２の周縁部であって、支持部１ａの枠内での対向辺の中央位置に夫々の軸線が同一線上に位置するように配置固定されている。ここでカーボンナノチューブは軸方向（長手方向）に対して垂直な方向に変形すると、その変形量に応じて導電率（電気抵抗値）が変化するという特性がある。

一方、ダイヤフラム２の撓み変形は基板厚み方向に生ずる。従って、上記の如く配置することで、軸方向の配向がダイヤフラム２の撓み変形の方向と直交し、ダイヤフラム２の撓み変形が効率良くカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２に伝わって、カーボンナノチューブの導電率変化が大きくなる。また、カーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の配置位置をダイヤフラム２の撓み変形量が大きくなる周縁部とすることによっても、ダイヤフラム２の撓み変形が効率良くカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２に伝わって、カーボンナノチューブの導電率変化が大きくなる。

また、カーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２はその全長がダイヤフラム２上にあっても構わないが、当該実施形態では長手方向の中程位置でダイヤフラム２と支持部１ａとの境界を跨ぐようカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２を配置しその略１／２の部分はダイヤフラム２上に存在させている。ダイヤフラム２は撓み変形するとき、支持部１ａとの境界付近でその撓み変形は屈曲するように大きくなるからである。

またこれらカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２とともに、図２に示す如く、検出信号取り出し用のブリッジ回路を組むための基準用抵抗素子６３，６４が流体圧力により変形しない支持部１ａの表面においてカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の軸線と同一線上に位置するように配置固定されている。基準用抵抗素子６３，６４にはカーボンナノチューブが構成材料として用いられている。また、これらカーボンナノチューブからなる抵抗素子６１〜６４はダイヤフラム２が加圧されない状態では同じ電気抵抗を持つように形成している。このように検出用抵抗素子６１，６２と基準用抵抗素子６３，６４とを同様にカーボンナノチューブを構成材料として用い且つ抵抗値を等しくすることでブリッジ回路の検出精度を向上させている。

ブリッジ回路において、ダイヤフラム２の変形に共動して変形するカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２が対向する１対の辺に位置し、基準用抵抗素子６３，６４は別の対向する一対の辺に位置している。そして、カーボンナノチューブ抵抗素子６１と基準用抵抗素子６４との接続点と、カーボンナノチューブ抵抗素子６２と基準用抵抗素子６３との接続点間に直流電圧Ｖｄを印加し、カーボンナノチューブ抵抗素子６１と基準用抵抗素子６３との接続点と、カーボンナノチューブ抵抗素子６２とカーボンナノチューブ６４との接続点間の電位差を検出信号として取り出す回路構成となっている。

図３は、抵抗素子６１〜６４を接続し前記ブリッジ回路を構成している配線パターン７を例示する図である。この例において、配線パターン７はダイヤフラム２を含むセンサ構造体１表面にパターン形成されており、ブリッジ回路に電圧Ｖｄを印加するための入力端８ａ，８ｂ用の電極パッドと、検出信号取り出すための出力端９ａ，９ｂ用の電極パッドを夫々支持部１ａの表面に設けてある。ここで、配線パターン７はアルミ等の金属配線で形成することができるが、圧力センサチップ１の構成材料であるシリコン基板に不純物ドープ等により形成した拡散配線でパターン形成しても良く、それらの組合せであっても良い。

図４はカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２や基準用抵抗素子６３，６４を構成するカーボンナノチューブ６の配置状態を示す概要図である。図示の如く、カーボンナノチューブ６は棒状の微小構造体であって、その両端部において配線パターン７と接続されて
いる。

このカーボンナノチューブ６をセンサ構造体１の表面の所定位置に形成する手法としては、既に棒状に形成されているカーボンナノチューブを所定位置に配置固定化する方法と、センサ構造体１の表面の所定位置においてカーボンナノチューブを成長させる方法とが挙げられる。前者の場合、市販等されているカーボンナノチューブを用いることができるが、センサ構造体１のスケールが小さいのに加え、カーボンナノチューブ自体のサイズも極めて小さいため、所定位置に配置固定化するにはハンドリングが良いとは言えないため、後者の手法が好ましく用いられる。後者の場合、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ等の金属（又はその化合物）を触媒としてこの触媒を起点として所定位置にカーボンナノチューブを生長させるようにする。例えば図４に示す例では、圧力センサチップ１表面におけるカーボンナノチューブ６を設けるべき位置において、カーボンナノチューブ６の両端部に相当する部位にＦｅ２Ｏ３を触媒部として形成し、ＣＶＤやアーク放電等の手法により前記触媒部間にカーボンナノチューブ６を生長させている。

ここで触媒部の形成方法としては、例えば、圧力センサチップ１の表面にレジストパターニングを行い、触媒材料を滴下又はスピンコート等することで形成できる。またカーボンナノチューブ６の生長手法としては、メタン等の炭化水素と水素ガスからなる混合ガスをカーボンナノチューブ６を生長させたい方向に流しながら５００から１０００℃の温度範囲でＣＶＤやアーク放電等を行うことにより、カーボンナノチューブ６を生長させることができる。

ここで用いられるカーボンナノチューブ６の種別としては、単層カーボンナノチューブが好ましい。複層カーボンナノチューブでも良いが、単層カーボンナノチューブの方が長手方向において変形させたとき導電率の変化が大きく、ゆえに高感度化に有利となる。該実施形態では、カーボンナノチューブ６を用いた抵抗素子６１−６４は、単層カーボンナノチューブを複数本並設したものを電気的に並列接続して構成されたものが使用されている。これにより、個々の単層カーボンナノチューブにおける導電率の変化度合いのバラツキを平均化して抑え、高感度に加えて検出精度の向上を図ることができる。

該実施形態においてカーボンナノチューブ６の末端部は、配線パターン７から延設されたＡｌ、Ｔｉ／Ａｕ等の金属電極部１０により覆われている。この金属電極部１０を設けることで、カーボンナノチューブ６の末端部と配線パターン７との接続が確実に行えると共に、カーボンナノチューブ６の末端部を押さえるので、カーボンナノチューブ６がチップ１の所定位置表面から剥がれ落ちるのが防止され、カーボンナノチューブ６は強固に固定化される。

該実施形態では、図５に示すように、カーボンナノチューブ６の表面を絶縁性の被覆膜１３で覆うこともできる。被覆膜１３を設けることで、カーボンナノチューブ６を保護できるとともに圧力センサチップ１上により強固に固定化されることになる。この被覆膜１３は、スポット的にカーボンナノチューブ６を覆うようにしても構わないが、圧力センサチップ１表面に設けたパッシベーション膜を被覆膜１３として用いると良い。こうすることで、センサチップ１の表面保護とともに、カーボンナノチューブ６の保護と固定化を同時に行うことができる。

尚、該実施形態において、シリコン基板から形成されるダイヤフラム２や支持部１ａの表層にはＳｉＯ２等からなる絶縁膜１１が設けられており、この絶縁膜１１上にカーボンナノチューブ６及び配線パターン７（但し金属配線の部分）が設けられている。因みに、配線パターン７において拡散配線で構成される部分がある場合には、拡散配線の設けられる位置は絶縁膜１１より下側のシリコン層内になるが、例えば絶縁膜１１に所望の位置でコンタクトホールを設けることで絶縁膜１１の表面側と導通を図ることができる。

而して、当該半導体圧力センサにあっては、台座４に設けた圧力導入孔５から流体圧力が導入されない状態では、ブリッジ回路の出力端９ａ、９ｂ間の電位差は０であるが、凹部３内に流体圧力が導入されるとその圧力を受けてダイヤフラム２の中央部が図６において図示するように上方に膨らむように撓み、ダイヤフラム２の周縁部が斜め上向きに引っ張られるように変形する。このためダイヤフラム２の周縁部上に配置固定しているカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２は軸方向に直交する方向（弾性定数の小さい方向）にダイヤフラム２の周縁部の変形と共動する形で圧縮変形する。この圧縮変形によってカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の両端間の電気抵抗（導電率）は変形量に応じて変化し、その電気抵抗の変化に応じた電位差がブリッジ回路の出力端９ａ，９ｂ間に生じることになる。つまりこの電位差の大きさがダイヤフラム２の受けている流体圧力の大きさに対応し、この電位差から流体圧力を検出することができるのである。
（実施形態２）
図７は本発明の実施形態２に係る半導体圧力センサを示している。上記実施形態１ではダイヤフラム２を含む圧力センサチップ１の表面が平坦面で、この平坦面上にカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２を配置固定しているが、カーボンナノチューブは変形する角度の大きい場所での電気抵抗の変化が大きいという特性があり、この特性を生かすように構成したのが本実施形態である。

つまり本実施形態は図７（ｂ）に示すようにダイヤフラム２の表面位置を、ダイヤフラム２の変形部たる周縁境界部と支持部１ａとの境界部において段部１２を形成し、ダイヤフラム２の周囲のセンサ構造体１の表面位置よりも低くしている。カーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２は、その長手方向がこの段部１２を跨いで上側面（支持部１ａの表面）から段部１２の立下り面、下側面（ダイヤフラム２の表面）と屈曲しながら沿わせて夫々配置固定されている。その他の構成は実施形態１と同じであるので、ブリッジ回路構成、電極配置、金属配線等の図示は省略する。

而して台座４に設けた圧力導入孔５から流体圧力が導入されるとその圧力を受けてダイヤフラム２の中央部が図８において図示するように上方に膨らむように撓み、ダイヤフラム２の周縁部が斜め上向きに引っ張られるように変形する。このためダイヤフラム２の周縁境界部の段部１２上に配置固定しているカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２は軸方向（長手方向）に直交する方向（弾性定数の小さい方向）にダイヤフラム２の周縁部の変形と共動する形で圧縮変形する。この際段部１２の位置にあるカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の部位が大きな角度で圧縮変形するため、カーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の両端間の電気抵抗（導電率）は大きく変化することになり、ブリッジ回路の出力端９ａ，９ｂ間に生じる電位差も大きくなる。つまり、少ない変形量に対して大きなレベルの電気信号を得ることができ、高感度に流体圧力を検出することができるのである。
（実施形態３）
図９は本発明の実施形態３に係る半導体圧力センサを示している。上記実施形態１，２では基準用抵抗素子を設けてブリッジ回路を構成しているが、本実施形態は、図９に示すようにダイヤフラム２の表面中央部に、周縁部のカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の軸方向と軸方向を平行させた２つの基準用抵抗素子６３’、６４’を並行するように配置固定し、この基準用抵抗素子６３’，６４’を用いて図１０に示すブリッジ回路を構成している。基準用抵抗素子６３’，６４’はカーボンナノチューブにより構成されている。

而して台座４に設けた圧力導入孔５から流体圧力が導入されるとその圧力を受けてダイヤフラム２の中央部が図１１において図示するように上方に膨らむように撓み、ダイヤフラム２の周縁部が斜め上向きに引っ張られるように変形する。このためダイヤフラム２の中央部に配置している基準用抵抗素子６３’，６４’は伸張する形で変形することになり、一方周縁部上に配置固定しているカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２は軸方向に直交する方向（弾性定数の小さい方向）にダイヤフラム２の周縁部の変形と共動する形で圧縮変形する。つまりカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の電気抵抗の変化方向と、基準用抵抗素子６３’６４の電気抵抗の変化方向とが逆となる。

これによりブリッジ回路の出力端９ａ，９ｂ間に生じる電位差は実施形態１の場合に比べて大きくなる。つまり、少ない変形量に対して大きなレベルの電気信号を得ることができ、高感度に流体圧力を検出することができるのである。
（実施形態４）
図１２は、本発明の実施形態４に係る加速度センサを示している。前掲の実施形態１乃至３は、圧力センサを構成するものであったが、本実施形態は、加速度センサを構成するもので、図１２（ａ）に示すように、シリコン基板に対してエッチング等のマイクロマシン加工処理を行うことにより加速度センサチップ２０が形成されている。この加速度センサチップ２０は、枠状の支持部２１と、２つの平行するビーム部２２、２２で片側が支持部２１に一体に支持されて、支持部２１に囲まれる空間内に揺動自在に配置された重り部２２と、上記ビーム部２３，２３とを有している。図１２（ｂ）に示すように、この支持部２１の上面にはセンサチップ２０の外周部に金属膜２４が周設されており、センサチップ２０の上面には、下面に重り部２２の上方向の移動を可能する凹部２５を形成した上部ガラスキャップ２６が配置固定されている。この上部ガラスキャップ２６の下面は金属膜２４を介してセンサチップ２０の上面周縁部と接合されている。

加速度センサチップ２０の下側には、重り部２２の下方移動を可能とする凹部２７を上面に有する下部ガラスキャップ２８が配置固定されている。この下部ガラスキャップ２８は、その上面周縁部においてセンサチップ２０の支持体２１の下面と陽極接合により接合されている。

重り部２２の揺動で変形する変形部たるビーム部２３，２３の上には、カーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２が配置固定されている。このカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２は軸方向（長手方向）においてビーム部２３，２３の上面から重り部２２の上面に跨るように配置されており、ビーム部２３，２３の変形方向に対して軸方向が直交するように配置固定している。

また重り部２２の上面にはカーボンナノチューブからなる基準用抵抗素子６３，６４をカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の軸方向に直交する形で配置固定している。これらの抵抗素子６１〜６４の配置固定は実施形態１と同様な方法で行う。

またこれらの抵抗素子６１〜６４を図２と同様にブリッジ接続するための金属配線を支持部２１，重り部２２，ビーム部２３，２３の表面に形成し、また支持部２１の表面にはブリッジ回路の入力用、出力用の電極を形成しているが、図１２では図示を省略している。

尚図１２中２９、３０は重り部２２の動きを規制するストッパである。

而して図１２に示すように加速度が矢印方向Ｙに加わると、加速度に対応する力が重り部２２に加わって図示するように重り部２２は揺動し、この揺動によって支持部２１と重り部２２を連結するビーム部２３，２３が撓んで変形し、この変形に追従する形でカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２も変形することになる。

この変形量は加速度の大きさに対応し、この変形量に応じてカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２の両端間の電気抵抗（導電率）は変化し、その電気抵抗の変化に応じた電位差が図２に示すブリッジ回路の出力端９ａ，９ｂ間に生じることになる。つまりこの電位差の大きさが重り部２２が受けている加速度の大きさに対応し、この電位差から加速度を検出することができるのである。
（実施形態５）
図１４は本発明の実施形態５に係る加速度センサを示している。本実施形態は、図１４に示すように支持部２１の表面の高さと、重り部２の表面の高さとの間に差を設けてビーム部２３の上面に段部２３ａを形成し、この段部２３ａを跨ぐように段の上側面から下側面に沿わせてカーボンナノチューブ抵抗素子６１，６２を夫々配置固定している。

つまり実施形態２の段部１２と同様にビーム部２３，２３の変形に対してナノチューブ６１，６３の大きな電気抵抗の変化が得られるようにして高感度化を図ったものである。段部２３ａの役割は実施形態２と同じであるので、詳細な説明は省略する。また図１５に示すように矢印方向Ｙの加速度が加わった場合の加速度センサとしての動作は実施形態４と同じであるので、加速度センサとしての動作の説明も省略する。
（実施形態６）
図１６は本発明の実施形態６に係る加速度センサを示すものである。実施形態３，４の加速度センサの何れもがカーボンナノチューブを用いた基準用抵抗素子６３’，６４’を重り部３３上面に設けてあったが、本実施形態は、図１６に示すように各ビーム部２３上にカーボンナノチューブ抵抗素子６１又は６２に対して軸線が直交するように配置固定したもので、上述した図１０のブリッジ回路をこれらカーボンナノチューブからなる抵抗素子６１，６２、６３’６４’で構成する。尚その他の構成は実施形態４と同じ構成であるの説明は省略する。

以上、本発明の具体例として各実施形態を説明してきたが、本発明がこれらに限定されるものではなく、その技術的思想の範囲において応用が可能であることは言うまでもない。

例えば、また上記実施形態中、基準用抵抗素子を用いる場合、この基準用抵抗素子を拡散抵抗で代用させても勿論良い。また、実施形態ではシリコン基板を用いたＭＥＭＳセンサを例示したが、他の半導体材料からなる基板より形成されるセンサ構造体であっても良い。また、本発明ではカーボンナノチューブを検出用素子として用いていることから、ピエゾ抵抗方式のように半導体基板である制約もなく、ガラス等の絶縁材料基板を使用することも可能である。

更に上記実施形態は、圧力センサ又は加速度センサを構成するものであったが、機械的変形量検出センサとして、接触圧を検出する触覚センサ、空気圧を検出する音波センサ（マイクロフォン）、超音波センサ、更に圧力を受けて変位する部位を身体に当て、心拍、脈拍等を脈動変化に伴う身体から受ける圧力変化を検出するセンサ等を構成することができるのは勿論である。

（ａ）は本発明の圧力センサを構成する実施形態１の上面図である。（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。同上の検出信号取り出し用のブリッジ回路の構成図である。同上の電極及び金属配線の配置説明図である。同上に用いるカーボンナノチューブの配置固定の説明図である。同上に用いるカーボンナノチューブの配置固定の説明図である。同上の動作説明用断面図である。（ａ）は本発明の圧力センサを構成する実施形態２の上面図である。（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。同上の動作説明用断面図である。（ａ）は本発明の圧力センサを構成する実施形態３の上面図である。（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。同上の検出信号取り出し用のブリッジ回路の構成図である。同上の動作説明用断面図である。（ａ）は本発明の加速度センサを構成する実施形態４の上部ガラスキャップを外した状態の上面図である。（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘにおける上部ガラスキャップを被せた状態の断面図である。同上の動作説明用断面図である。（ａ）は本発明の加速度センサを構成する実施形態５の上部ガラスキャップを外した状態の上面図である。（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘにおける上部ガラスキャップを被せた状態の断面図である。同上の動作説明用断面図である。（ａ）は本発明の加速度センサを構成する実施形態６の上部ガラスキャップを外した状態の上面図である。（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘにおける上部ガラスキャップを被せた状態の断面図である。

符号の説明

１センサ構造体
１ａ支持部
２ダイヤフラム
３凹部
４台座
５圧力導入孔
６１、６２カーボンナノチューブ抵抗素子
６３、６４基準用抵抗素子

Claims

半導体基板または絶縁基板により形成され、検出対象とする物理量が当該構造体に加わったときにその物理量に起因して変形する変形部と当該変形部を支持する支持部を一体に有したセンサ構造体と、前記変形部の変形に共動して機械的に変形するように前記変形部に配置されたカーボンナノチューブ抵抗素子と、前記センサ構造体上にパターン形成され前記カーボンナノチューブ抵抗素子に接続された配線パターンとを備え、前記配線パターンを介して前記カーボンナノチューブ抵抗素子に電圧印加することにより、前記カーボンナノチューブ抵抗素子の機械的変形に伴う導電率変化を電気信号として取り出すものであって、前記配線パターンは前記カーボンナノチューブ抵抗素子との接続端部に金属電極部を有し、前記カーボンナノチューブ抵抗素子の両端部は前記金属電極部により覆われることで押さえられており、前記カーボンナノチューブ抵抗素子はその表面が絶縁性の被覆膜により前記金属電極部と共に覆われることで、前記センサ構造体上に固定化されていることを特徴とする機械的変形量検出センサ。
前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、触媒を起点として所定位置に成長させて形成されたことを特徴とする請求項１記載の機械的変形量検出センサ。
前記被覆膜は前記センサ構造体の表面に設けられたパッシベーション膜であることを特徴とする請求項１又は２記載の機械的変形量検出センサ。
前記センサ構造体はシリコン基板により形成されたＭＥＭＳセンサチップであって、前記カーボンナノチューブ抵抗素子は絶縁膜を介して前記変形部上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか記載の機械的変形量検出センサ。
前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、その長手方向が前記変形部の変形方向と直交するよう配置されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか記載の機械的変形量検出センサ。
前記センサ構造体において前記変形部以外の前記応力では変形しない部位に基準用抵抗素子が配置され、該基準用抵抗素子と前記カーボンナノチューブ抵抗素子とを前記配線パターンにより接続することでブリッジ回路が構成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか記載の機械的変形量検出センサ。
前記基準用抵抗素子はカーボンナノチューブにより構成されていることを特徴とする請求項６記載の機械的変形量検出センサ。
前記カーボンナノチューブ抵抗素子は、単層カーボンナノチューブを複数本並設したものを電気的に並列接続して構成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか記載の機械的変形量検出センサ。