JP4345348B2 - Method for forming protrusion for vertical alignment type liquid crystal display element and spacer for vertical alignment type liquid crystal display element - Google Patents
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- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01G—HORTICULTURE; CULTIVATION OF VEGETABLES, FLOWERS, RICE, FRUIT, VINES, HOPS OR SEAWEED; FORESTRY; WATERING
- A01G9/00—Cultivation in receptacles, forcing-frames or greenhouses; Edging for beds, lawn or the like
- A01G9/02—Receptacles, e.g. flower-pots or boxes; Glasses for cultivating flowers
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Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental Sciences (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直配向型液晶表示素子用の突起および垂直配向型液晶表示素子用のスペーサーの形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示素子はフラットパネルディスプレイの中で最も広く使用されており、近年におけるパソコン、ワープロ等のOA機器や液晶テレビ等の普及に伴い、TFT(薄膜トランジスター)方式の液晶ディスプレイ(TFT−LCD)の表示品質に対する要求性能がますます厳しくなっている。
TFT−LCDの中で現在最も利用されている方式はTN(Twisted Nematic)型LCDであり、この方式は、2枚の透明な電極を有する基板(以下、「透明電極基板」という。)の両外側に配向方向が90度異なる偏光膜をそれぞれ配置し、2枚の透明電極基板の内側に配向膜を配置するとともに、両配向膜間にネマチック型液晶を配置して、液晶の配向方向が一方の電極側から他方の電極側にかけて90度捩じれるようにしたものである。この状態で無偏光の光が入射すると、一方の偏光板を透過した直線偏光が液晶中を偏光方向がずれながら透過するため他方の偏光板を透過できて、明状態となる。次に、両電極に電圧を印加して液晶分子を直立させると、液晶に達した直線偏光がそのまま透過するため他方の偏光板を透過できず、暗状態となる。その後、再び電圧を印加しない状態にすると、明状態に戻ることになる。
【0003】
このようなTN型LCDは、近年における技術改良により、正面でのコントラストや色再現性などはブラウン管(CRT)と同等あるいはそれ以上となっている。しかしながら、TN型LCDには視野角が狭いという大きな問題がある。
このような問題を解決するものとして、MVA(Multi-domain Vertically Aligned)型LCD(垂直配向型液晶ディスプレイ)が開発されている。
このMVA型LCDは、非特許文献1および特許文献1に記載されているように、TN型LCDの旋光モードではなく、負の誘電率異方性を有するネガ型液晶と垂直方向の配向膜を組み合わせた複屈折モードを利用したものであり、電圧を印加していない状態でも、配向膜に近い位置にある液晶の配向方向がほぼ垂直に維持されるため、コントラスト、視野角などに優れ、また液晶を配向させるためのラビング処理を行なわなくてもよいなど製造工程の面でも優れている。
【0004】
MVA型LCDにおいては、1つの画素領域で液晶が複数の配向方向をとりうるようにするためのドメイン規制手段として、表示側の電極を1つの画素領域内にスリットを有するものとするとともに、光の入射側電極基板上の同一画素領域内に、電極のスリットとは異なる位置に斜面を有する突起(例えば、三角錐状、半凸レンズ形状等)を形成している。
また一般に、従来の液晶ディスプレイでは、2枚の透明電極基板の隙間(セルギャップ)を一定に維持するために、樹脂やセラミック等の球形または棒状のスペーサーが使用されている。このスペーサーは2枚の透明電極基板を貼り合わせるときに、いずれか一方の基板の上に散布され、セルギャップをスペーサーの直径により決定している。
また、スペーサーの直径のバラツキに起因するセルギャップの不均一等の不具合発生を回避するために、特許文献2に、フォトレジストを用いて突起およびスペーサーを形成する方法が提案されており、この方法は微細加工が可能で形状の制御も容易であるといった利点を有する。しかし、特許文献2にはフォトレジストの組成が具体的には記載されておらず、形成された突起およびスペーサーの性能も明らかでない。
【0005】
【非特許文献1】
「液晶」Vol.3, No.2, p.117 (1999)
【特許文献1】
特開平11−258605号公報
【特許文献2】
特開2001−201750号公報
【0006】
垂直配向型液晶表示素子用の突起およびスペーサーの形成に用いられるフォトレジストに要求される性能としては、次のような項目を挙げることができる。即ち、突起およびスペーサーには、その断面形状が適切であることに加え、後の配向膜形成工程で使用される溶剤に対する耐性、配向膜形成工程で加えられる熱に対する耐性、透明性、解像度、残膜率等に高い性能が要求される。また、得られる垂直配向型液晶表示素子には配向性、電圧保持率等に優れていることも要求される。
本出願人は既に、 [A] (a1)不飽和カルボン酸および/または不飽和カルボン酸無水物、(a2)エポキシ基含有不飽和化合物、並びに(a3)これら以外の不飽和化合物の共重合体、 [B] 不飽和重合性化合物、並びに [C] 感放射線重合開始剤を含有する、突起およびスペーサーを同時に形成するための感放射線性樹脂組成物、それから形成した突起およびスペーサー、ならびに該突起およびスペーサーを具備する液晶表示素子を提案している(特許文献3参照。)。
しかし、垂直配向型液晶表示素子の突起およびスペーサーの形成に有用な感放射線性樹脂組成物の開発は緒についたばかりであり、TFT−LCDの急速な普及およびますます厳しくなる要求性能に対応して、優れた性能を有する突起およびスペーサーを形成しうる新たな感放射線性樹脂組成物の開発は重要な技術課題となっている。
【0007】
【特許文献3】
特開2003−29405号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上の事情に鑑みなされたもので、その課題は、垂直配向型液晶表示素子用の突起および垂直配向型液晶表示素子用のスペーサーの形成方法、より具体的には、フォトレジストとして解像度および残膜率に優れ、かつパターン形状、耐熱性、耐溶剤性、透明性等に優れた突起およびスペーサーを形成でき、しかも配向性、電圧保持率等に優れた垂直配向型液晶表示素子をもたらしうる垂直配向型液晶表示素子用の突起および垂直配向型液晶表示素子用のスペーサーの形成方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、前記課題は、
(1)(a)フェノール性水酸基および/またはカルボキシル基を有するラジカル重合性モノマーの単独重合体あるいは共重合体を含むアルカリ可溶性樹脂、(b)1,2−キノンジアジド化合物および(c)下記一般式(1)で表される化合物を含有する感放射線性樹脂組成物を用いて、基板に被膜を形成する工程、(2)該被膜に突起部分とスペーサー部分の両パターンを有する1種類のフォトマスクを用いて放射線を1回露光する工程、(3)露光後の該被膜をアルカリ現像液により現像する工程、並びに(4)形成されたパターンに再度放射線を露光する工程を備えてなることを特徴とする垂直配向型液晶表示素子用の突起および垂直配向型液晶表示素子用のスペーサーの形成方法、により達成される。
【化2】
(式中、R 1 〜R 6 は相互に独立に水素原子または基−CH 2 ORを示し、Rは水素原子または炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示す。)
【0014】
以下、本発明における感放射線性樹脂組成物の各成分について詳細に説明する。
(a)アルカリ可溶性樹脂
本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂についていう「アルカリ可溶性」とは、後述する突起およびスペーサーの形成方法により、基板に本発明における感放射線性樹脂組成物の被膜を形成し、露光したのち、露光後の該被膜をアルカリ現像液により現像したとき、露光後の該被膜の露光部を実質上全て溶解除去しうる性質を意味する。
本発明におけるアルカリ可溶性樹脂は、フェノール性水酸基および/またはカルボキシル基を有するラジカル重合性モノマー(以下、「酸性ラジカル重合性モノマー」という。)の単独重合体、酸性ラジカル重合性モノマー同士の共重合体あるいは酸性ラジカル重合性モノマーとそれ以外のラジカル重合性モノマー(以下、「他のラジカル重合性モノマー」という。)との共重合体(以下、これらの単独重合体および共重合体をまとめて「アルカリ可溶性樹脂(a1)」という。)を含むものである。
【0015】
酸性ラジカル重合性モノマーとしては、例えば、
o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、o−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、m−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、p−ヒドロキシ−α−メチルスチレンや、これらの化合物中のベンゼン環をカルボキシル基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアミド基あるいは炭素数2〜8の直鎖状もしくは分岐状のエステル基の1個以上あるいは1種以上で置換した誘導体等のヒドロキシスチレン(誘導体)類;
ビニルヒドロキノン、5−ビニルピロガロール、6−ビニルピロガロール、1−ビニルフロログリシノール等のビニル基含有ポリフェノール類;
【0016】
o−ビニル安息香酸、m−ビニル安息香酸、p−ビニル安息香酸や、これらの化合物中のベンゼン環を炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアミド基あるいは炭素数2〜8の直鎖状もしくは分岐状のエステル基の1個以上あるいは1種以上で置換した誘導体等のビニル安息香酸(誘導体)類;
アクリル酸、メタクリル酸や、アクリル酸のα−位を、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基あるいはシアノ基で置換した誘導体等の不飽和モノカルボン酸類;
【0017】
マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、無水フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸、1,4−シクロヘキセンジカルボン酸等の不飽和ジカルボン酸や、これらの不飽和ジカルボン酸中の一方のカルボキシル基を、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、フェニル基、o−トリル基、m−トリル基あるいはp−トリル基でエステル化したハーフエステル、これらの不飽和ジカルボン酸中の一方のカルボキシル基を炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアミド基に変換されたたハーフアミド等の不飽和ジカルボン酸(誘導体)類
等を挙げることができる。
【0018】
これらの酸性ラジカル重合性モノマーのうち、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、イタコン酸等が好ましい。
前記酸性ラジカル重合性モノマーは、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
【0019】
また、他のラジカル重合性モノマーとしては、例えば、
スチレン、α−メチルスチレンや、これらの化合物中のベンゼン環を炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアミド基あるいは炭素数2〜8の直鎖状もしくは分岐状のエステル基の1個以上あるいは1種以上で置換した誘導体等のスチレン(誘導体)類;
1,3−ブタジエン、イソプレン、クロロプレン等の共役ジオレフイン類;
【0020】
メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、i−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、i−ブチル(メタ)アクリレート、sec−ブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、n−ペンチル(メタ)アクリレート、ネオペンチル(メタ)アクリレート、i−ペンチル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、アリル(メタ)アクリレート、プロパルギル(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、ナフチル(メタ)アクリレート、アントラセニル(メタ)アクリレート、アントラキノニル(メタ)アクリレート、ピペロニル(メタ)アクリレート、サリチル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、フェネチル(メタ)アクリレート、クレシル(メタ)アクリレート、トリフェニルメチル(メタ)アクリレート、クミル(メタ)アクリレート、アダマンチル(メタ)アクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、ヘプタフルオロ−n−プロピル(メタ)アクリレート、ヘプタフルオロ−i−プロピル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、2−(N,N−ジメチルアミノ)エチル(メタ)アクリレート、3−(N,N−ジメチルアミノ)プロピル(メタ)アクリレート、フリル(メタ)アクリレート、フルフリル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸エステル類;
【0021】
(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジエチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジ−n−プロピル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジ−i−プロピル(メタ)アクリルアミド、N−フェニル(メタ)アクリルアニリド、N−アントラニル(メタ)アクリルアミド等の(メタ)アクリルアミド(誘導体)類;
(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、シアン化ビニリデン等の不飽和ニトリル化合物や、
アクロレイン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、弗化ビニル、弗化ビニリデン、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、酢酸ビニル、N−フェニルマレイミド、N−(p−ヒドロキシフェニル)マレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−(メタ)アクリロイルフタルイミド、N−アクリロイルフタルイミド、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル
等を挙げることができる。
【0022】
これらの他のラジカル重合性モノマーのうち、スチレン、1,3−ブタジエン、フェニル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、N−シクロヘキシルマレイミド、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル等が好ましい。
前記他のラジカル重合性モノマーは、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
【0023】
アルカリ可溶性樹脂(a1)において、他のラジカル重合性モノマーの共重合割合は、全モノマー100重量部に対して、好ましくは60〜95重量部、さらに好ましくは65〜90重量%である。この場合、他のラジカル重合性モノマーの共重合割合が60重量部未満では、得られる樹脂のアルカリ現像液に対する溶解性が高くなり過ぎ、アルカリ現像後の被膜の適切な膜厚を保持することが困難となるおそれがあり、一方95重量部を超えると、得られる樹脂のアルカリ現像液への溶解性が不十分となるおそれがある。
【0024】
本発明における好ましいアルカリ可溶性樹脂(a1)としては、、例えば、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)、p−ヒドロキシスチレン/p−ヒドロキシ−α−メチルスチレン共重合体、p−ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体、(メタ)アクリル酸/スチレン/グリシジル(メタ)アクリレート共重合体、(メタ)アクリル酸/スチレン/トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル(メタ)アクリレート/グリシジル(メタ)アクリレート共重合体、(メタ)アクリル酸/スチレン/グリシジル(メタ)アクリレート/N−シクロヘキシルマレイミド共重合体、(メタ)アクリル酸/スチレン/グリシジル(メタ)アクリレート/N−シクロヘキシルマレイミド/p−ビニルベンジルグリシジルエーテル共重合体、(メタ)アクリル酸/スチレン/トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル(メタ)アクリレート/グリシジル(メタ)アクリレート/1,3−ブタジエン共重合体、(メタ)アクリル酸/スチレン/トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル(メタ)アクリレート/グリシジル(メタ)アクリレート/p−ビニルベンジルグリシジルエーテル共重合体、(メタ)アクリル酸/2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート/トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル(メタ)アクリレート/グリシジル(メタ)アクリレート/p−ビニルベンジルグリシジルエーテル共重合体、(メタ)アクリル酸/ラウリル(メタ)アクリレート/トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル(メタ)アクリレート/グリシジル(メタ)アクリレート/p−ビニルベンジルグリシジルエーテル共重合体、(メタ)アクリル酸/スチレン/トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イル(メタ)アクリレート/グリシジル(メタ)アクリレート/N−シクロヘキシルマレイミド/1,3−ブタジエン共重合体等を挙げることができる。
【0025】
アルカリ可溶性樹脂(a1)は、例えば、酸性ラジカル重合性モノマーを、場合より他のラジカル重合性モノマーと共に、適当な溶媒中、ラジカル重合開始剤を用いて重合することにより製造することができる。
重合に用いられる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル等のエチレングリコールエーテル類;エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のジエチレングリコールエーテル類;
【0026】
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−ブチルエーテル等のプロピレングリコールエーテル類;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールn−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールn−ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールn−プロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールn−ブチルエーテルプロピオネート等のプロピレングリコールアルキルエーテルプロピオネート類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等のケトン類;
【0027】
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸n−ブチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸n−ブチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸n−プロピル、メトキシ酢酸n−ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸n−プロピル、エトキシ酢酸n−ブチル、n−プロポキシ酢酸メチル、n−プロポキシ酢酸エチル、n−プロポキシ酢酸n−プロピル、n−プロポキシ酢酸n−ブチル、n−ブトキシ酢酸メチル、n−ブトキシ酢酸エチル、n−ブトキシ酢酸n−プロピル、n−ブトキシ酢酸n−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−プロピル、乳酸n−ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸n−プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸n−ブチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸n−プロピル、2−メトキシプロピオン酸n−ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸n−プロピル、2−エトキシプロピオン酸n−ブチル、
【0028】
2−n−プロポキシプロピオン酸メチル、2−n−プロポキシプロピオン酸エチル、2−n−プロポキシプロピオン酸n−プロピル、2−n−プロポキシプロピオン酸n−ブチル、2−n−ブトキシプロピオン酸メチル、2−n−ブトキシプロピオン酸エチル、2−n−ブトキシプロピオン酸n−プロピル、2−n−ブトキシプロピオン酸n−ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸n−プロピル、3−メトキシプロピオン酸n−ブチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸n−プロピル、3−エトキシプロピオン酸n−ブチル、3−n−プロポキシプロピオン酸メチル、3−n−プロポキシプロピオン酸エチル、3−n−プロポキシプロピオン酸n−プロピル、3−n−プロポキシプロピオン酸n−ブチル、3−n−ブトキシプロピオン酸メチル、3−n−ブトキシプロピオン酸エチル、3−n−ブトキシプロピオン酸n−プロピル、3−n−ブトキシプロピオン酸n−ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル等の他のエステル類等を挙げることができる。
これらの溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
【0029】
重合時の溶媒の使用量は、全ラジカル重合性モノマー100重量部当たり、通常、20〜1,000重量部である。
【0030】
重合に用いられるラジカル重合開始剤としては、例えば、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)等のアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1’−ビス−(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキサン等の有機過酸化物;過酸化水素;これらの過酸化物と還元剤とからなるレドックス系開始剤等を挙げることができる。
【0031】
また、アルカリ可溶性樹脂(a1)の別の製造法としては、前記酸性ラジカル重合性モノマーのフェノール性水酸基および/またはカルボキシル基をアルキル基、アセチル基、フェナシル基等の保護基で保護したモノマーを(共)重合したのち、加水分解等により該保護基を離脱させる方法を挙げることができる。
【0032】
また、本発明においては、アルカリ可溶性樹脂が炭素−炭素不飽和結合を有する場合、水素添加して使用することもでき、それにより透明性や軟化点を調整することができる。
アルカリ可溶性樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」という。)は、好ましくは2,000〜100,000、さらに好ましくは3,000〜50,000、特に好ましくは5,000〜30,000である。この範囲のMwを有するアルカリ可溶性樹脂を使用することにより、解像度、現像性および感度に優れた感放射線性樹脂組成物が得られ、また形状および耐熱性に優れた突起およびスペーサーを形成することができる。
【0033】
また、本発明においては、アルカリ可溶性樹脂として、商品名で、例えば、マルカリンカーM、同PHM−C(以上、丸善石油化学(株)製)、VP−15000(日本曹達(株)製)等のヒドロキシスチレン(共)重合体またはその部分水素添加物等の市販品を使用することもできる。
本発明において、アルカリ可溶性樹脂は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
【0034】
(b)1,2−キノンジアジド化合物
本発明に用いられる1,2−キノンジアジド化合物としては、放射線の露光によりカルボン酸を生成する化合物、例えば、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ベンゾキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸アミド、1,2−ベンゾキノンジアジド−5−スルホン酸アミド、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸アミド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸アミド等が好ましく、さらに好ましくは1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルである。
【0035】
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルの具体例としては、
2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等のトリヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類;
【0036】
2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,2’−テトラヒドロキシ−4’−メチルベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,2’−テトラヒドロキシ−4’−メチルベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等のテトラヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類;
【0037】
2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等のペンタヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類;
2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等のヘキサヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類;
【0038】
ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、トリ(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、トリ(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,2,2−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2,2−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、
【0039】
ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、4,4’−〔1−{4−(1− [4−ヒドロキシフェニル] −1−メチルエチル)フェニル}エチリデン〕ビスフェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、4,4’−〔1−{4−(1− [4−ヒドロキシフェニル] −1−メチルエチル)フェニル}エチリデン〕ビスフェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、
【0040】
ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)(2−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)(2−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘキサノール−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘキサノール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2−メチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)−7−ヒドロキシクロマン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2−メチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)−7−ヒドロキシクロマン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、
【0041】
2−〔ビス(5−i−プロピル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)メチル〕フェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2−〔ビス(5−i−プロピル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)メチル〕フェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1−〔1−{3−(1− [4−ヒドロキシフェニル] −1−メチルエチル)−4,6−ジヒドロキシフェニル}−1−メチルエチル〕−3−〔1−{3−(1− [4−ヒドロキシフェニル] −1−メチルエチル)−4,6−ジヒドロキシフェニル}−1−メチルエチル〕ベンゼン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1−〔1−{3−(1− [4−ヒドロキシフェニル] −1−メチルエチル)−4,6−ジヒドロキシフェニル}−1−メチルエチル〕−3−〔1−{3−(1− [4−ヒドロキシフェニル] −1−メチルエチル)−4,6−ジヒドロキシフェニル}−1−メチルエチル〕ベンゼン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、4,6−ビス〔1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕−1,3−ジヒドロキシベンゼン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、4,6−ビス〔1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕−1,3−ジヒドロキシベンゼン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等のポリ(ヒドロキシフェニル)アルカンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類
等を挙げることができる。
【0042】
さらに、これらの化合物の他に、非特許文献2や非特許文献3に記載されている1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルや1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルを用いることができる。
【0043】
【非特許文献2】
J. Kosar著「Light-Sensitive Systems 」(John Wiley&Sons社、1965年発行)p.339
【非特許文献3】
W.S. De Fores 著「Photoresist 」(McGraw-Hill 社、1975年発行)p.50
【0044】
これらの1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルのうち、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルが好ましく、特に、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、4,4’−4,4’−〔1−{4−(1− [4−ヒドロキシフェニル] −1−メチルエチル)フェニル}エチリデン〕ビスフェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,2,2−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2−メチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)−7−ヒドロキシクロマン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等が、(a)アルカリ可溶性樹脂のアルカリ現像液への溶解抑制効果の観点から好ましい。
前記1,2−キノンジアジド化合物は単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
【0045】
1,2−キノンジアジド化合物の使用量は、(a)アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、好ましくは5〜50重量部、さらに好ましくは10〜40重量部である。この場合、1,2−キノンジアジド化合物の使用量が5重量部未満では、露光により生成されるカルボン酸量が少なくなり、パターン形成が困難となりやすく、一方50重量部を超えると、短時間の露光では添加した1,2−キノンジアジド化合物の全てを分解させることが困難となり、アルカリ現像液による現像が困難となるおそれがある。
【0046】
(c)一般式(1)で表される化合物
【0048】
本発明に用いられる一般式(1)で表される化合物(以下、「化合物(c)」という。)としては、例えば、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサブチロールメラミン、部分メチロール化メラミンや、これらの化合物中の少なくとも一部のヒドロキシル基の水素原子を炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基で置換した化合物等を挙げることができる。
【0049】
また、化合物(c)の市販品としては、例えば、サイメル202、同238、同266、同267、同272、同300、同301、同303、同325、同327、同370、同701、同1141、同1156、同1158(以上、三井サイアナミッド(株)製)、ニカラックMx−31、同40、同45、同032、同706、同708、同750、ニカラックMs−11、同001、ニカラックMw−22、同30(以上、三和ケミカル(株)製)等を挙げることができる。
前記化合物(c)は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
【0050】
化合物(c)を使用する際の添加量は、(a)アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、好ましくは1〜50重量部、さらに好ましくは5〜40重量部である。化合物(c)をこの範囲の量で添加することにより、良好な形状の突起およびスペーサーを形成することができ、またアルカリ現像液に対して適切な溶解性を示す感放射線性樹脂組成物を得ることができる。
【0054】
他の添加剤
本発明における感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、下記する他の添加剤を添加することができる。
−増感剤−
増感剤は、感放射線性樹脂組成物の感度をさらに向上させる作用を有する成分である。
このような増感剤としては、例えば、2H−ピリド−(3,2−b)−1,4−オキサジン−3(4H)−オン類、10H−ピリド−(3,2−b)−(1,4)−ベンゾチアジン類、ウラゾ−ル類、ヒダントイン類、バルビツ−ル酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル類、アロキサン類、マレイミド類、フラボン類、ジベンザルアセトン類、ジベンザルシクロヘキサン類、カルコン類、キサンテン類、チオキサンテン類、ポルフィリン類、フタロシアニン類、アクリジン類、アントラセン類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、3−位および/または7−位に置換基を有するクマリン類等を挙げることができる。
これらの増感剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
増感剤の添加量は、(a)アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、通常、30重量部以下、好ましくは0〜20重量部である。
【0055】
−トリハロメチル基含有−s−トリアジン−
トリハロメチル基含有−s−トリアジンは、下記一般式(2)で表される化合物からなる。
【0056】
【化3】
〔式中、Xはハロゲン原子を示し、Aは−CX3 または下記式(i)〜(vi)
【0057】
【化4】
【0058】
【化5】
【0059】
で表わされる基を示し、B、DおよびEは相互に独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、水酸基、炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のアルキルチオ基、炭素数6〜12のアリールオキシ基、炭素数6〜12のアリールチオ基、炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を有する二級アミノ基、炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のケトアルキル基、炭素数6〜12のケトアリール基、炭素数2〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカルボニル基または炭素数2〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキルカルボニルオキシ基を示し、mは1〜5の整数である。〕
【0060】
トリハロメチル基含有−s−トリアジンとしては、例えば、
2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−フェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メチルチオフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3−メチルチオフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−メチルチオフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、
【0061】
2−(4−メトキシ−β−スチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3−メトキシ−β−スチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−メトキシ−β−スチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3,4,5−トリメトキシ−β−スチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メチルチオ−β−スチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3−メチルチオ−β−スチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−メチルチオ−β−スチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(3−メトキシナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−メトキシナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン等を挙げることができる。
【0062】
これらの化合物のうち、2−(3−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メチルチオフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシ−β−スチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン等が好ましい。
前記トリハロメチル基含有−s−トリアジンは、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
【0063】
トリハロメチル基含有−s−トリアジンの添加量は、(a)アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、好ましくは10重量部以下、さらに好ましくは5重量部以下である。
【0064】
−他のフェノール性水酸基含有低分子化合物−
他のフェノール性水酸基含有低分子化合物としては、例えば、1,1−ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)アセトン、1,1−ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)アセトン、1,1−ビス(2,6−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)アセトン、4,6−ビス〔1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕−1,3−ジヒドロキシベンゼン、4,6−ビス〔1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕−1,3−ジヒドロキシ−2−メチルベンゼン等を挙げることができる。
これらの他のフェノール性水酸基含有低分子化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
【0065】
他のフェノール性水酸基含有低分子化合物の添加量は、(a)アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、好ましくは50重量部以下、さらに好ましくは45重量部以下である。
【0066】
−オニウム塩化合物−
オニウム塩化合物は、下記一般式(3)で表される化合物からなる。
【0067】
【化6】
〔式中、Aは前記一般式(2)におけるAと同義であり、nは2または3であるり、Z+ はS+ またはI+ を示し、Y- はBF4 - PF6 - 、SbF6 - 、
AsF6 - 、p−トルエンスルホン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオンまたはトリフルオロ酢酸アニオンを示す。〕
【0068】
オニウム塩化合物としては、例えば、
ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウムp−トルエンスルホネート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムp−トルエンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムp−トルエンスルホネート等のジアリールヨードニウム塩;
【0069】
トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート等のトリアリールスルホニウム塩
等を挙げることができる。
【0070】
これらの化合物のうち、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート等が好ましい。
前記オニウム塩化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
【0071】
オニウム塩化合物の添加量は、(a)アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、好ましくは10重量部以下、さらに好ましくは5重量部以下である。
【0072】
−界面活性剤−
界面活性剤は、塗布性(例えばストリエーション)や被膜形成後の露光部のアルカリ現像性を改良する作用を有する成分である。
このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレン−n−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン−n−ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジアルキルエステル類等のノニオン系界面活性剤や、以下商品名で、エフトップEF301、同303、同352(以上、新秋田化成(株)製)、メガファックF171、同172、同173(以上、大日本インキ(株)製)、フロラードFC430、同431(以上、住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、サーフロンSC−101、同102、同103、同104、同105、同106(以上、旭硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤;KP341(信越化学工業(株)製);ポリフローNo.57、同95(以上、共栄社化学(株)製)等を挙げることができる。
前記界面活性剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
界面活性剤の添加量は、感放射線性樹脂組成物の全固形分に対して、通常、0.5重量部以下、好ましくは0.2重量部以下である。
【0073】
組成物溶液
本発明における感放射線性樹脂組成物は、適当な溶剤に溶解した溶液(以下、「組成物溶液」という。)として使用することが好ましい。
組成物溶液に用いられる溶剤としては、感放射線性樹脂組成物の各成分を溶解し、該各成分と反応せず、適当な蒸気圧を有するものが好ましい。
このような溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールエーテル類;エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類;ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール−n−プロピルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、2−ヘプタノン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、ヒドロキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、乳酸メチル、乳酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸n−ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート等の他のエステル類等を挙げることができる。
これらの溶剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
【0074】
さらに必要に応じて、前記溶剤と共に、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶剤を添加することもできる。
これらの高沸点溶剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
本発明における組成物溶液は、固形分濃度が例えば20〜40重量%に調整され、必要に応じて、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過して使用してもよい。
【0075】
突起およびスペーサーの形成方法
次に、本発明における感放射線性樹脂組成物を用いて、基板に、垂直配向型液晶表示素子用の突起および垂直配向型液晶表示素子用のスペーサーを形成する方法について説明する。
先ず、組成物溶液を基板に塗布したのち、プレベークすることにより溶剤を除去して、被膜を形成する。
前記基板としては、例えば、ガラス、石英、シリコン、透明樹脂等からなるものを使用することができる。
組成物溶液の塗布方法としては、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法等の各種の方法を用いることができる。
また、プレベークの条件は、各成分の種類や配合割合などによっても異なるが、70〜90℃で1〜15分間程度の条件が適切である。
次いで、被膜に紫外線等の放射線を露光したのち、アルカリ現像液により現像することにより、不要な部分を除去して所定のパターンを形成する。
【0076】
露光する際に用いるパターンマスクおよび露光操作は、(イ)突起部分とスペーサー部分の両パターンを有する1種類のフォトマスクを用いて、1回露光する方法からなる。また、(イ)の方法に使用するパターンマスクとして、突起部分とスペーサー部分とで異なる透過率を有するものを使用することも可能である。
露光に使用される放射線としては、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用することができるが、紫外線が好ましい。
【0077】
前記アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ類;エチルアミン、n−プロピルアミン等の一級アミン類;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等の二級アミン類;トリメチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエチルアミン、トリエチルアミン等の三級アミン類;ジメチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類;ピロール、ピペリジン、N−メチルピペリジン、N−メチルピロリジン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン等の環状三級アミン類;ピリジン、コリジン、ルチジン、キノリン等の芳香族三級アミン類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の四級アンモニウム塩等の水溶液を使用することができる。
また、前記アルカリ現像液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒および/または界面活性剤を適当量添加することもできる。
現像方法としては、液盛り法、ディッピング法、シャワー法等の何れでもよく、現像時間は、通常、30〜180秒間である。
アルカリ現像後、例えば流水洗浄を30〜90秒間行って、例えば圧縮空気や圧縮窒素で乾燥することにより、パターンを形成する。
【0078】
次いで、アルカリ現像後のパターンに再度放射線を露光したのち、好ましくは、例えば、ホットプレート、オーブン等の加熱装置にて、所定温度、例えば150〜250℃で、所定時間、例えばホットプレート上では5〜30分間、オーブン中では30〜90分間、ポストベークを行うことによって、所定の突起およびスペーサーを形成することができる。但し、この工程における露光には、フォトマスクを使用しても使用しなくてもよい。
【0079】
このようにして形成された突起の高さは、通常、0.1〜3.0μm、好ましくは0.5〜2.0μm、特に好ましくは1.0〜1.5μmであり、またスペーサーの高さは、通常、1〜10μm、好ましくは2〜8μm、特に好ましくは3〜5μmである。
【0080】
このような本発明の垂直配向型液晶表示素子用の突起および垂直配向型液晶表示素子用のスペーサーの形成方法によると、微細加工が可能で、また形状およびサイズ(高さや底部寸法)の制御も容易であり、パターン形状、耐熱性、耐溶剤性、透明性等に優れた微細な突起およびスペーサーを安定して生産性よく形成することができ、かつ配向性、電圧保持率等に優れた垂直配向型液晶表示素子をもたらすことができる。
【0081】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら制約されるものではない。
合成例1
冷却管および攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)10重量部およびジエチレングリコールエチルメチルエーテル250重量部を仕込み、さらにメタクリル酸22重量部、スチレン5重量部、トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イルメタクリレート28重量部、グリシジルメタクリレート45重量部およびα−メチルスチレンダイマー5重量部を仕込んで、窒素置換したのち、ゆるやかに撹拌しつつ、反応溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を保持して4時間重合を行うことにより、アルカリ可溶性樹脂の溶液(固形分濃度29.8重量%)を得た。
得られたアルカリ可溶性樹脂のMwは8,000であった。このアルカリ可溶性樹脂を「樹脂(a-1) 」とする。
【0082】
合成例2
冷却管および攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)10重量部およびジエチレングリコールエチルメチルエーテル250重量部を仕込み、さらにメタクリル酸15重量部、スチレン12重量部、トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イルメタクリレート28重量部、グリシジルメタクリレート45重量部およびα−メチルスチレンダイマー5重量部を仕込んで、窒素置換したのち、ゆるやかに撹拌しつつ、反応溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を保持して4時間重合を行うことにより、アルカリ可溶性樹脂の溶液(固形分濃度29.0重量%)を得た。
得られたアルカリ可溶性樹脂のMwは7,800であった。このアルカリ可溶性樹脂を「樹脂(a-2) 」とする。
【0083】
合成例3
冷却管および攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7重量部およびジエチレングリコールエチルメチルエーテル200重量部を仕込み、さらにメタクリル酸18重量部、スチレン6重量部、トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イルメタクリレート10重量部、グリシジルメタクリレート33重量部、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル33重量部およびα−メチルスチレンダイマー3重量部を仕込んで、窒素置換したのち、ゆるやかに撹拌しつつ、反応溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を保持して5時間重合を行うことにより、アルカリ可溶性樹脂の溶液(固形分濃度31.5重量%)を得た。
得られたアルカリ可溶性樹脂のMwは11,000であった。このアルカリ可溶性樹脂を「樹脂(a-3) 」とする。
【0084】
合成例4
冷却管および攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)6重量部およびジエチレングリコールエチルメチルエーテル200重量部を仕込み、さらにメタクリル酸12重量部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート25重量部、トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イルメタクリレート6重量部、グリシジルメタクリレート27重量部、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル30重量部およびα−メチルスチレンダイマー3重量部を仕込んで、窒素置換したのち、ゆるやかに撹拌しつつ、反応溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を保持して4.5時間重合を行うことにより、アルカリ可溶性樹脂の溶液(固形分濃度32.7重量%)を得た。
得られたアルカリ可溶性樹脂のMwは13,000であった。このアルカリ可溶性樹脂を「樹脂(a-4) 」とする。
【0085】
合成例5
冷却管および攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)8.5重量部およびジエチレングリコールエチルメチルエーテル220重量部を仕込み、さらにメタクリル酸15重量部、ラウリルメタクリレート10重量部、トリシクロ[5.2.1.02,6 ]デカン−8−イルメタクリレート30重量部、グリシジルメタクリレート35重量部、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル10重量部およびα−メチルスチレンダイマー3重量部を仕込んで、窒素置換したのち、ゆるやかに撹拌しつつ、反応溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を保持して4.5時間重合を行うことにより、アルカリ可溶性樹脂の溶液(固形分濃度31.5重量%)を得た。
得られたアルカリ可溶性樹脂のMwは8,000であった。このアルカリ可溶性樹脂を「樹脂(a-5) 」とする。
【0086】
【実施例】
実施例2
(a)成分として樹脂(a-1) 100重量部、(b)成分として4,4’−〔1−{4−(1− [4−ヒドロキシフェニル] −1−メチルエチル)フェニル}エチリデン〕ビスフェノール1.0モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド2.0モルとの縮合物からなる4,4’−〔1−{4−(1− [4−ヒドロキシフェニル] −1−メチルエチル)フェニル}エチリデン〕ビスフェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル30重量部、(c)成分としてサイメル300を20重量部、および界面活性剤としてメガファックF172を0.01重量部混合して、全体の固形分濃度が25重量%になるようにジエチレングリコールエチルメチルエーテルで希釈・溶解させたのち、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過して、組成物溶液(S−2)を調製した。
次いで、下記する手順で突起およびスペーサーを形成して、各種評価を行った。評価結果を表2および表3に示す。
【0087】
(1−1)突起およびスペーサーの形成
ガラス基板上にスピンナーを用いて組成物溶液(S−2)を塗布したのち、90℃のホットプレート上で2分間プレベークして、膜厚4.0μmの被膜を形成した。その後、突起部分に相当する5μm幅の残しパターンとスペーサー部分に相当する30μmドットの残しパターンを有するフォトマスクを介して、波長365nmにおける強度が100W/m2 の紫外線を10秒間露光した。その後、1.5重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により25℃で60秒間現像したのち、純水で1分間洗浄した。その後、波長365nmにおける強度が100W/m2 の紫外線を30秒間露光したのち、オーブン中、220℃で60分間ポストベークを行って、突起およびスペーサーを形成した。
【0089】
(2)解像度の評価
前記(1−1)の手順によりパターンを形成したとき、パターンが解像できている場合を「良好」、解像できていない場合を「不良」とした。
(3)残膜率の評価
感放射線性樹脂組成物を用いて、突起およびスペーサーを形成する際には、前記特許文献2に開示されているように、露光エネルギー量(露光時間)を変えたとき、アルカリ現像時の膜減り量の変化が穏やかで高い残膜率を有するのが好ましいといえる。そこで、波長365nmにおける強度が100W/m2 の紫外線を4秒間、5秒間または6秒間露光した場合の残膜率をそれぞれ測定し、4秒間露光および6秒間露光の場合の残膜率がともに、5秒間露光の場合の残膜率に対して90〜110%の範囲内にある場合を「良好」とした。
【0090】
(4−1)突起の断面形状の評価
突起の断面形状A、BまたはCを下記のように定義したとき、形成された突起の断面形状を走査型電子顕微鏡により観察して、AまたはBの場合を「良好」、Cの場合を「不良」とした。突起の断面形状A、BおよびCは、模式的には図1に例示するとおりである。
A:底部の寸法が5μmを超え7μm以下である場合、
B:底部の寸法が7μmを超える場合、
C:底部の寸法にかかわらず台形形状である場合。
【0091】
(4−2)スペーサーの断面形状の評価
スペーサーの断面形状A、BおよびCを下記のように定義したとき、形成されたスペーサーの断面形状を走査型電子顕微鏡により観察して、AまたはCの場合を「良好」、Bの場合を「不良」とした。スペーサーの断面形状A、BおよびCは、模式的には図1に例示するとおりである。
A:底部の寸法が30μmを超え36μm以下である場合、
B:底部の寸法が36μmを超える場合、
C:底部の寸法にかかわらず台形形状である場合。
【0092】
(5)耐熱性の評価
シリコン基板上にスピンナーを用いて組成物溶液(S−2) を塗布したのち、90℃のホットプレート上で2分間プレベークして、膜厚4.0μmの被膜を形成したのち、得られた被膜にキャノン(株)製PLA−501F露光機(超高圧水銀ランプ)を用いて、波長365nmにおける強度が100W/m2 の紫外線を10秒間露光した。その後、この基板をクリーンオーブン内にて220℃で1時間ポストベークを行って硬化膜を形成し、その膜厚(T1)を測定した。また、この硬化膜を形成した基板をクリーンオーブン内にて240℃でさらに1時間ポストベークを行ったのち、硬化膜の膜厚(T2)を測定し、追加ベークによる膜厚変化率(|T2−T1|/T1)×100(%)を算出して評価した。その値が5%以下のときは、耐熱性が良好といえる。
【0093】
(6)耐溶剤性の評価
前記(5)の手順と同様にして、硬化膜の膜厚(T2)を測定した。その後、硬化膜を形成したシリコン基板を70℃に保持したジメチルスルホキシド中に20分間浸漬したのち、硬化膜の膜厚(t2)を測定し、浸漬による膜厚変化率(|t2−T2|/T2)×100(%)を算出して評価した。その値が5%以下のとき、耐溶剤性が良好といえる。
【0094】
(7)透明性の評価
シリコン基板の代わりにガラス基板「コーニング7059」(コーニング社製)を用いた以外は、前記(5)の手順と同様にして、ガラス基板上に硬化膜を形成した。その後、この基板について、400〜800nmの波長範囲の光線透過率を分光光度計「150−20型ダブルビーム」((株)日立製作所製)を用いて測定して評価した。その値が95%以上のとき、透明性が良好といえる。
【0095】
(8)配向性および電圧保持率の評価
組成物溶液(S−2)を用いて、電極であるITO(錫をドープした酸化インジュウム)膜を有するガラス基板の電極面に、前記(1−1)の手順と同様にして、突起およびスペーサーを形成した。その後、液晶配向剤としてAL1H659(商品名、ジェイエスアール(株)製)を、液晶配向膜塗布用印刷機により、突起およびスペーサーを形成したガラス基板に塗布したのち、180℃で1時間乾燥して、膜厚0.05μmの被膜を形成した。
また、液晶配向剤としてAL1H659を、液晶配向膜塗布用印刷機により、ITO膜を有する別のガラス基板の電極面に塗布し、180℃で1時間乾燥して、膜厚0.05μmの被膜を形成した。
【0096】
次いで、得られた両基板のそれぞれの液晶配向膜の外面に、直径5μmのガラスファイバー入りエポキシ樹脂接着剤をスクリーン印刷により塗布し、両基板を液晶配向膜面が相対するように重ね合わせて圧着したのち、接着剤を硬化させた。その後、液晶注入口より両基板間に、メルク社製液晶MLC−6608(商品名)を充填して、エポキシ系接着剤で液晶注入口を封止したのち、両基板の外面に偏光板を、その偏向方向が直交するように張り合わせて、垂直配向型液晶表示素子を作製した。得られた垂直配向型液晶表示素子の縦断面図を模式的に図2に示す。
次いで、得られた垂直配向型液晶表示素子の配向性および電圧保持率を、下記のようにして評価した。
【0097】
配向性の評価に際しては、電圧をオン・オフさせたとき、液晶セル中に異常ドメインが生じるかどうかを、偏光顕微鏡で観察して、異常ドメインが認められない場合を「良好」とした。
また、電圧保持率の評価に際しては、液晶表示素子に5Vの電圧を印加したのち、回路を開にし、その16.7ミリ秒後の保持電圧を測定して、その印加電圧(5V)に対する割合を算出し、その値が98%以上の場合を「良好」、98%未満の場合を「不良」とした。
【0098】
実施例3〜12
表1に示す各成分を用い、また現像液であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の濃度を表1に示すとおりとした以外は実施例2と同様にして、組成物溶液を調製し、突起およびスペーサーを形成して、各種評価を行った。評価結果を表2および表3に示す。
【0099】
【表1】
【0100】
表1における(b)〜(c)成分は、次のとおりである。
b-1:4,4’−〔1−{4−(1− [4−ヒドロキシフェニル] −1−メチルエチル)
フェニル}エチリデン〕ビスフェノール1.0モルと1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸クロリド2.0モルとの縮合物
b-2:2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン1.0モルと1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸クロリド2.6モルとの縮合物
b-3:2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン1.0モルと1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸クロリド2.5モルとの縮合物
b-4:1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニ
ルプロパン1.0モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド
1.9モルとの縮合物
b-5:2−メチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−7−ヒドロキシクロマン1.0モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸クロリド3.0モルとの縮合物
【0101】
c-1:サイメル300
c-2:サイメル272
c-3:ニカラックMs−11
【0102】
【表2】
【0103】
【表3】
【0105】
【発明の効果】
本発明の垂直配向型液晶表示素子用の突起および垂直配向型液晶表示素子用のスペーサーの形成方法は、微細加工が可能で、また形状およびサイズ(高さや底部寸法等)の制御も容易であり、パターン形状、耐熱性、耐溶剤性、透明性等に優れた微細な突起およびスペーサーを安定して生産性よく形成することができ、かつ配向性、電圧保持率等に優れた垂直配向型液晶表示素子をもたらすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】突起およびスペーサーの断面形状を例示する模式図である。
【図2】突起およびスペーサーを有する垂直配向型液晶表示素子の断面形状を例示する模式図である。
1 スペーサー
2 突起
3 液晶
4 液晶配向膜
5 カラーフィルタ
6 ガラス基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a protrusion for a vertical alignment type liquid crystal display element andFor vertical alignment type liquid crystal display elementsThe present invention relates to a method for forming a spacer.
[0002]
[Prior art]
Liquid crystal display elements are most widely used in flat panel displays. With the recent spread of OA equipment such as personal computers and word processors and liquid crystal televisions, TFT (thin film transistor) type liquid crystal displays (TFT-LCD) The required performance for display quality is becoming stricter.
The most widely used method among TFT-LCDs is a TN (Twisted Nematic) type LCD, which is a substrate having two transparent electrodes (hereinafter referred to as “transparent electrode substrate”). A polarizing film having a different orientation direction by 90 degrees is disposed on the outside, an alignment film is disposed on the inner side of the two transparent electrode substrates, and a nematic liquid crystal is disposed between the two alignment films. This is twisted 90 degrees from one electrode side to the other electrode side. When non-polarized light is incident in this state, the linearly polarized light transmitted through one polarizing plate is transmitted through the liquid crystal while the polarization direction is shifted, so that it can be transmitted through the other polarizing plate, resulting in a bright state. Next, when a voltage is applied to both the electrodes to make the liquid crystal molecules stand upright, the linearly polarized light reaching the liquid crystal is transmitted as it is, so that it cannot be transmitted through the other polarizing plate, resulting in a dark state. Thereafter, when the voltage is not applied again, the light state is restored.
[0003]
Such a TN-type LCD has the same or better contrast and color reproducibility in the front than the cathode ray tube (CRT) due to recent technological improvements. However, the TN type LCD has a big problem that the viewing angle is narrow.
As a solution to this problem, an MVA (Multi-domain Vertically Aligned) LCD (vertical alignment liquid crystal display) has been developed.
As described in Non-Patent Document 1 and Patent Document 1, this MVA-type LCD has a negative-type liquid crystal having negative dielectric anisotropy and a vertical alignment film instead of the optical rotation mode of TN-type LCD. Combined birefringence mode is used, and even when no voltage is applied, the alignment direction of the liquid crystal located near the alignment film is maintained almost vertical, so it has excellent contrast, viewing angle, etc. It is also excellent in terms of the manufacturing process, such as not having to perform a rubbing treatment for aligning the liquid crystal.
[0004]
In the MVA type LCD, as a domain regulating means for allowing the liquid crystal to take a plurality of orientation directions in one pixel region, a display-side electrode has a slit in one pixel region, and light A projection (for example, a triangular pyramid shape, a semi-convex lens shape, etc.) having a slope at a position different from the slit of the electrode is formed in the same pixel region on the incident side electrode substrate.
In general, in a conventional liquid crystal display, a spherical or rod-shaped spacer such as a resin or ceramic is used in order to maintain a constant gap (cell gap) between two transparent electrode substrates. When the two transparent electrode substrates are bonded to each other, the spacer is dispersed on one of the substrates, and the cell gap is determined by the spacer diameter.
Further, in order to avoid the occurrence of problems such as cell gap non-uniformity due to variation in spacer diameter, Patent Document 2 proposes a method of forming protrusions and spacers using a photoresist. Has the advantage that fine processing is possible and the shape can be easily controlled. However, Patent Document 2 does not specifically describe the composition of the photoresist, and the performance of the formed protrusions and spacers is not clear.
[0005]
[Non-Patent Document 1]
"Liquid Crystal" Vol.3, No.2, p.117 (1999)
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 11-258605
[Patent Document 2]
JP 2001-201750 A
[0006]
Examples of the performance required for the photoresist used for forming the protrusions and spacers for the vertical alignment type liquid crystal display element include the following items. In other words, the protrusions and spacers have appropriate cross-sectional shapes, resistance to solvents used in the subsequent alignment film forming process, resistance to heat applied in the alignment film forming process, transparency, resolution, and remaining. High performance is required for film ratio and the like. In addition, the obtained vertical alignment type liquid crystal display element is required to be excellent in orientation, voltage holding ratio, and the like.
The present applicant has already [A] (a1) unsaturated carboxylic acid and / or unsaturated carboxylic acid anhydride, (a2) epoxy group-containing unsaturated compound, and (a3) a copolymer of unsaturated compounds other than these. [B] an unsaturated polymerizable compound, and [C] a radiation-sensitive polymerization initiator, a radiation-sensitive resin composition for simultaneously forming protrusions and spacers, protrusions and spacers formed therefrom, and the protrusions and A liquid crystal display element having a spacer has been proposed (see Patent Document 3).
However, the development of radiation-sensitive resin compositions useful for the formation of protrusions and spacers in vertical alignment liquid crystal display elements has just begun, and in response to the rapid spread of TFT-LCD and increasingly demanding performance requirements. Development of a new radiation-sensitive resin composition capable of forming protrusions and spacers having excellent performance has become an important technical issue.
[0007]
[Patent Document 3]
JP 2003-29405 A
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and its problem is that a protrusion for a vertical alignment type liquid crystal display element andFor vertical alignment type liquid crystal display elementsspacerForming methodMore specifically, it is possible to form protrusions and spacers that are excellent in resolution and remaining film ratio as a photoresist, and that are excellent in pattern shape, heat resistance, solvent resistance, transparency, etc., and orientation, voltage holding ratio, etc. For a vertical alignment type liquid crystal display element capable of providing an excellent vertical alignment type liquid crystal display elementFor vertical alignment type liquid crystal display elementsIt is to provide a method for forming a spacer.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, the problem is
(1) (a) Alkali-soluble resin containing a homopolymer or copolymer of a radical polymerizable monomer having a phenolic hydroxyl group and / or a carboxyl group,(B) 1,2-quinonediazide compoundAnd (c) a compound represented by the following general formula (1)A step of forming a film on the substrate using the radiation-sensitive resin composition containing, and (2) one-time exposure of radiation using one type of photomask having both patterns of protrusions and spacers on the film And (3) a step of developing the exposed film with an alkali developer, and (4) a step of exposing the formed pattern to radiation again. And a method of forming a spacer for a vertical alignment type liquid crystal display element.
[Chemical 2]
(Wherein R 1 ~ R 6 Are independently of one another a hydrogen atom or a group —CH 2 R represents OR, and R represents a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. )
[0014]
Hereinafter, each component of the radiation sensitive resin composition in this invention is demonstrated in detail.
(A) Alkali-soluble resin
“Alkali-soluble” as used for the alkali-soluble resin used in the present invention means that a film of the radiation-sensitive resin composition according to the present invention is formed on a substrate by a method of forming protrusions and spacers, which will be described later. When the coating film is developed with an alkali developer, it means a property capable of dissolving and removing substantially all of the exposed portion of the coating film after exposure.
The alkali-soluble resin in the present invention includes a homopolymer of a radical polymerizable monomer having a phenolic hydroxyl group and / or a carboxyl group (hereinafter referred to as “acid radical polymerizable monomer”), and a copolymer of acidic radical polymerizable monomers. Alternatively, a copolymer of an acidic radical polymerizable monomer and another radical polymerizable monomer (hereinafter referred to as “other radical polymerizable monomer”) (hereinafter referred to as “alkaline”). Soluble resin (a1) ")Is included.
[0015]
Examples of acidic radical polymerizable monomers include:
o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, o-hydroxy-α-methylstyrene, m-hydroxy-α-methylstyrene, p-hydroxy-α-methylstyrene, and benzene rings in these compounds Are a carboxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a linear or branched alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms, a linear or branched halogen atom having 1 to 4 carbon atoms. One or more of an alkyl group, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a linear or branched amide group having 1 to 4 carbon atoms, or a linear or branched ester group having 2 to 8 carbon atoms, or 1 Hydroxystyrenes (derivatives) such as derivatives substituted with more than one species;
Vinyl group-containing polyphenols such as vinyl hydroquinone, 5-vinyl pyrogallol, 6-vinyl pyrogallol, 1-vinyl phloroglicinol;
[0016]
o-Vinylbenzoic acid, m-Vinylbenzoic acid, p-Vinylbenzoic acid and the benzene ring in these compounds are linear or branched alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, straight chain having 1 to 4 carbon atoms. Linear or branched alkoxyl group, linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, halogen atom, nitro group, cyano group, linear or branched amide having 1 to 4 carbon atoms Vinyl benzoic acids (derivatives) such as derivatives substituted with one or more of a group or a linear or branched ester group having 2 to 8 carbon atoms;
Acrylic acid, methacrylic acid, and the α-position of acrylic acid, a linear or branched alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms, a linear or branched alkyl halide group having 1 to 4 carbon atoms, halogen Unsaturated monocarboxylic acids such as derivatives substituted with atoms, nitro groups or cyano groups;
[0017]
Unsaturated dicarboxylic acids such as maleic acid, maleic anhydride, fumaric acid, fumaric anhydride, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid, 1,4-cyclohexenedicarboxylic acid, and one carboxyl group in these unsaturated dicarboxylic acids , Methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, phenyl group, o-tolyl group, m-tolyl group Alternatively, a half ester esterified with a p-tolyl group, or an unsaturated half amide obtained by converting one carboxyl group in these unsaturated dicarboxylic acids into a linear or branched amide group having 1 to 4 carbon atoms. Saturated dicarboxylic acids (derivatives)
Etc.
[0018]
Of these acidic radical polymerizable monomers, m-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, itaconic acid and the like are preferable.
The acidic radical polymerizable monomers can be used alone or in admixture of two or more.
[0019]
Examples of other radical polymerizable monomers include:
Styrene, α-methylstyrene, and the benzene ring in these compounds are linear or branched alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, linear or branched alkoxyl groups having 1 to 4 carbon atoms, carbon number 1-4 linear or branched alkyl halide group, halogen atom, nitro group, cyano group, 1 to 4 linear or branched amide group or 2 to 8 carbon linear chain Or styrene (derivatives) such as derivatives substituted with one or more branched ester groups or one or more;
Conjugated diolephines such as 1,3-butadiene, isoprene, chloroprene;
[0020]
Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, i-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, i-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) Acrylate, t-butyl (meth) acrylate, n-pentyl (meth) acrylate, neopentyl (meth) acrylate, i-pentyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, allyl (meth) acrylate, Propargyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, naphthyl (meth) acrylate, anthracenyl (meth) acrylate, anthraquinonyl (meth) acrylate, piperonyl (meth) acrylate, salicyl (meth) Acrylate, benzyl (meth) acrylate, phenethyl (meth) acrylate, cresyl (meth) acrylate, triphenylmethyl (meth) acrylate, cumyl (meth) acrylate, adamantyl (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.02,6] Decan-8-yl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) Acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, heptafluoro-n-propyl (meth) acrylate, heptafluoro-i-propyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, 2- (N, N-dimethylamino) ethyl ( (Meth) acrylic esters such as (meth) acrylate, 3- (N, N-dimethylamino) propyl (meth) acrylate, furyl (meth) acrylate, furfuryl (meth) acrylate;
[0021]
(Meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N, N-diethyl (meth) acrylamide, N, N-di-n-propyl (meth) acrylamide, N, N-di-i-propyl (meth) ) (Meth) acrylamide (derivatives) such as acrylamide, N-phenyl (meth) acrylanilide, N-anthranyl (meth) acrylamide;
Unsaturated nitrile compounds such as (meth) acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, vinylidene cyanide,
Acrolein, vinyl chloride, vinylidene chloride, vinyl fluoride, vinylidene fluoride, N-vinylpyrrolidone, vinylpyridine, vinyl acetate, N-phenylmaleimide, N- (p-hydroxyphenyl) maleimide, N-cyclohexylmaleimide, N- ( (Meth) acryloylphthalimide, N-acryloylphthalimide, p-vinylbenzylglycidyl ether
Etc.
[0022]
Among these other radically polymerizable monomers, styrene, 1,3-butadiene, phenyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.02,6] Decan-8-yl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, N-cyclohexylmaleimide, p-vinylbenzylglycidyl ether and the like are preferable.
The other radical polymerizable monomers can be used alone or in admixture of two or more.
[0023]
In the alkali-soluble resin (a1), the copolymerization ratio of the other radical polymerizable monomer is preferably 60 to 95 parts by weight, more preferably 65 to 90% by weight with respect to 100 parts by weight of all monomers. In this case, if the copolymerization ratio of the other radical polymerizable monomer is less than 60 parts by weight, the solubility of the resulting resin in the alkali developer becomes too high, and the appropriate film thickness of the coating after alkali development can be maintained. On the other hand, if it exceeds 95 parts by weight, the solubility of the resulting resin in an alkaline developer may be insufficient.
[0024]
Preferred alkali-soluble resins (a1) in the present invention include, for example, poly (p-hydroxystyrene), p-hydroxystyrene / p-hydroxy-α-methylstyrene copolymer, p-hydroxystyrene / styrene copolymer. , (Meth) acrylic acid / styrene / glycidyl (meth) acrylate copolymer, (meth) acrylic acid / styrene / tricyclo [5.2.1.02,6] Decan-8-yl (meth) acrylate / glycidyl (meth) acrylate copolymer, (meth) acrylic acid / styrene / glycidyl (meth) acrylate / N-cyclohexylmaleimide copolymer, (meth) acrylic acid / styrene / Glycidyl (meth) acrylate / N-cyclohexylmaleimide / p-vinylbenzyl glycidyl ether copolymer, (meth) acrylic acid / styrene / tricyclo [5.2.1.02,6] Decan-8-yl (meth) acrylate / glycidyl (meth) acrylate / 1,3-butadiene copolymer, (meth) acrylic acid / styrene / tricyclo [5.2.1.0]2,6] Decan-8-yl (meth) acrylate / glycidyl (meth) acrylate / p-vinylbenzyl glycidyl ether copolymer, (meth) acrylic acid / 2-hydroxyethyl (meth) acrylate / tricyclo [5.2.1. 02,6] Decan-8-yl (meth) acrylate / glycidyl (meth) acrylate / p-vinylbenzyl glycidyl ether copolymer, (meth) acrylic acid / lauryl (meth) acrylate / tricyclo [5.2.1.0]2,6] Decan-8-yl (meth) acrylate / glycidyl (meth) acrylate / p-vinylbenzyl glycidyl ether copolymer, (meth) acrylic acid / styrene / tricyclo [5.2.1.0]2,6And decane-8-yl (meth) acrylate / glycidyl (meth) acrylate / N-cyclohexylmaleimide / 1,3-butadiene copolymer.
[0025]
The alkali-soluble resin (a1) can be produced, for example, by polymerizing an acidic radical polymerizable monomer together with other radical polymerizable monomers in a suitable solvent using a radical polymerization initiator.
Examples of the solvent used for polymerization include alcohols such as methanol, ethanol and diacetone alcohol; ethers such as tetrahydrofuran, tetrahydropyran and dioxane; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether and ethylene glycol. Ethylene glycol ethers such as diethyl ether; ethylene glycol alkyl ether acetates such as ethylene glycol methyl ether acetate and ethylene glycol ethyl ether acetate; diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl Diethylene glycol ethers such as Chirueteru;
[0026]
Propylene glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, propylene glycol mono-n-butyl ether; propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol n- Propylene glycol alkyl ether acetates such as propyl ether acetate and propylene glycol n-butyl ether acetate; propylene glycol methyl ether propionate, propylene glycol ethyl ether propionate, propylene glycol n-propyl ether propionate, propylene glycol n-butyl ether Such as propionate B propylene glycol alkyl ether propionate compound: toluene, xylene and the like aromatic hydrocarbons; methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-ketones such as methyl-2-pentanone;
[0027]
Methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, n-butyl acetate, methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, n-butyl hydroxyacetate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, n-propyl methoxyacetate, n-butyl methoxyacetate, Methyl ethoxy acetate, ethyl ethoxy acetate, n-propyl ethoxy acetate, n-butyl ethoxy acetate, methyl n-propoxyacetate, ethyl n-propoxyacetate, n-propyl n-propoxyacetate, n-butyl n-propoxyacetate, n- Methyl butoxyacetate, n-butoxyethyl acetate, n-butoxyacetate n-propyl, n-butoxyacetate n-butyl, methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, n-butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, 3 -Ethyl hydroxypropionate, 3-hydroxy N-propyl propionate, n-butyl 3-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate N-propyl 2-methoxypropionate, n-butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, n-propyl 2-ethoxypropionate, n-butyl 2-ethoxypropionate ,
[0028]
Methyl 2-n-propoxypropionate, ethyl 2-n-propoxypropionate, n-propyl 2-n-propoxypropionate, n-butyl 2-n-propoxypropionate, methyl 2-n-butoxypropionate, 2 -Ethyl n-butoxypropionate, n-propyl 2-n-butoxypropionate, n-butyl 2-n-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, n-methoxymethoxypropionate -Propyl, n-butyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, n-propyl 3-ethoxypropionate, n-butyl 3-ethoxypropionate, 3-n-propoxypropion Methyl acid, ethyl 3-n-propoxypropionate N-propyl 3-n-propoxypropionate, n-butyl 3-n-propoxypropionate, methyl 3-n-butoxypropionate, ethyl 3-n-butoxypropionate, n-propyl 3-n-butoxypropionate And other esters such as n-butyl 3-n-butoxypropionate and methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate.
These solvents can be used alone or in admixture of two or more.
[0029]
The amount of the solvent used in the polymerization is usually 20 to 1,000 parts by weight per 100 parts by weight of all radical polymerizable monomers.
[0030]
Examples of the radical polymerization initiator used for polymerization include 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis- ( Azo compounds such as 4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile); organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxypivalate, 1,1′-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane Hydrogen peroxide; a redox initiator composed of these peroxides and a reducing agent.
[0031]
As another method for producing the alkali-soluble resin (a1), a monomer in which the phenolic hydroxyl group and / or carboxyl group of the acidic radical polymerizable monomer is protected with a protecting group such as an alkyl group, an acetyl group, or a phenacyl group ( Examples thereof include a method in which the protective group is removed by co-polymerization and then hydrolysis.
[0032]
Further, in the present invention, when the alkali-soluble resin has a carbon-carbon unsaturated bond, it can be used after hydrogenation, whereby the transparency and softening point can be adjusted.
The polystyrene-converted weight average molecular weight (hereinafter referred to as “Mw”) of the alkali-soluble resin is preferably 2,000 to 100,000, more preferably 3,000 to 50,000, and particularly preferably 5,000 to 30,0000. 000. By using an alkali-soluble resin having Mw in this range, a radiation-sensitive resin composition excellent in resolution, developability and sensitivity can be obtained, and protrusions and spacers excellent in shape and heat resistance can be formed. it can.
[0033]
Moreover, in this invention, as alkali-soluble resin, it is a brand name, for example, Marka linker M, the same PHM-C (above, Maruzen Petrochemical Co., Ltd. product), VP-15000 (Nippon Soda Co., Ltd. product), etc. Commercially available products such as hydroxystyrene (co) polymers or partially hydrogenated products thereof can also be used.
In this invention, alkali-soluble resin can be used individually or in mixture of 2 or more types.
[0034]
(B) 1,2-quinonediazide compound
Examples of the 1,2-quinonediazide compound used in the present invention include compounds that generate carboxylic acid upon exposure to radiation, such as 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,2-benzoquinonediazide-5-sulfone. Acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid amide, 1,2-benzoquinonediazide-5 -Sulfonic acid amide, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid amide, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid amide, and the like, more preferably 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester It is.
[0035]
Specific examples of 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester include
2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,4,4 1,2 of trihydroxybenzophenone such as 6-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,4,6-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester -Naphthoquinonediazide sulfonic acid esters;
[0036]
2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5 Sulfonic acid ester, 2,3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide- 5-sulfonic acid ester, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphtho Quinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,2′-tetrahydroxy-4 -Methylbenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2, 3,4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone-1,2 -1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters of tetrahydroxybenzophenone such as naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid ester;
[0037]
2,3,4,2 ′, 6′-pentahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,2 ′, 6′-pentahydroxybenzophenone-1,2-naphtho 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters of pentahydroxybenzophenone such as quinone diazide-5-sulfonic acid ester;
2,4,6,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,4,6,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone -1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 3,4,5,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 3,4, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid esters of hexahydroxybenzophenone such as 5,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid ester;
[0038]
Bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, bis ( p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, tri (p-hydroxyphenyl) methane -1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, tri (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2,2-tri (p-hydroxyphenyl) ethane -1,2-Naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester 2,2,2 (p- hydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester,
[0039]
Bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5 Sulfonic acid ester, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) ) Propane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane-1,2-naphthoquinonediazide-4- Sulfonic acid ester, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane-1, -Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 4,4 '-[1- {4- (1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl) phenyl} ethylidene] bisphenol-1,2-naphthoquinonediazide-4 -Sulfonic acid ester, 4,4 '-[1- {4- (1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl) phenyl} ethylidene] bisphenol-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester,
[0040]
Bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) (2-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) (2- Hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 3,3,3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiindene-5,6,7,5 ′, 6 ', 7'-Hexanol-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 3,3,3', 3'-tetramethyl-1,1'-spirobiindene-5,6,7,5 ' , 6 ′, 7′-hexanol-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2,4-trimethyl-7,2 ′, 4′-trihydroxyflavan-1,2-na Toquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2,4-trimethyl-7,2 ′, 4′-trihydroxyflavan-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2-methyl-2- (2 , 4-Dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4 -(4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester,
[0041]
2- [bis (5-i-propyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) methyl] phenol-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2- [bis (5-i-propyl-4- Hydroxy-2-methylphenyl) methyl] phenol-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1- [1- {3- (1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl) -4, 6-dihydroxyphenyl} -1-methylethyl] -3- [1- {3- (1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl) -4,6-dihydroxyphenyl} -1-methylethyl] benzene -1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1- [1- {3- (1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl) -4,6-dihydride Xylphenyl} -1-methylethyl] -3- [1- {3- (1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl) -4,6-dihydroxyphenyl} -1-methylethyl] benzene-1, 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 4,6-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1,3-dihydroxybenzene-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid Esters, poly (hydroxyphenyl) alkanes such as 4,6-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1,3-dihydroxybenzene-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid esters
Etc.
[0042]
In addition to these compounds, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester described in Non-Patent Document 2 and
[0043]
[Non-Patent Document 2]
"Light-Sensitive Systems" by J. Kosar (John Wiley & Sons, 1965) p.339
[Non-Patent Document 3]
“Photoresist” by W.S. De Fores (McGraw-Hill, 1975) p.50
[0044]
Of these 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid esters and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid esters, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid esters are preferred, and in particular, 2,3 , 4-Trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,1, 3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 4,4′-4,4 ′-[1- {4- (1- [4-Hydroxyphenyl] -1-methylethyl) phenyl} ethylidene] bisphenol-1,2-na Phthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2,4-trimethyl-7,2 ′, 4′-trihydroxyflavan-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2,2-tri ( p-hydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman-1 , 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester and the like are preferable from the viewpoint of the effect of suppressing the dissolution of (a) the alkali-soluble resin in the alkali developer.
The 1,2-quinonediazide compounds can be used alone or in admixture of two or more.
[0045]
The amount of the 1,2-quinonediazide compound used is preferably 5 to 50 parts by weight, more preferably 10 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the (a) alkali-soluble resin. In this case, if the amount of 1,2-quinonediazide compound used is less than 5 parts by weight, the amount of carboxylic acid produced by exposure decreases, and pattern formation tends to be difficult. In this case, it is difficult to decompose all of the added 1,2-quinonediazide compound, and development with an alkaline developer may be difficult.
[0046]
(C) Compound represented by general formula (1)
[0048]
The compound represented by the general formula (1) used in the present invention (hereinafter, “Compound(C) ". )As, for example, hexamethylol melamine, hexabutyrol melamine, partially methylolated melamine, or a hydrogen atom of at least some hydroxyl groups in these compounds is a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms And the like.
[0049]
Examples of commercially available compounds (c) include Cymel 202, 238, 266, 267, 272, 300, 301, 303, 303, 327, 327, 370, 701, 1141, 1156, 1158 (manufactured by Mitsui Cyanamid Co., Ltd.), Nicarak Mx-31, 40, 45, 032, 706, 708, 750, Nicarak Ms-11, 001, Nicalac Mw-22, 30 (above, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) and the like.
The said compound (c) can be used individually or in mixture of 2 or more types.
[0050]
The addition amount when using the compound (c) is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 5 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (a) alkali-soluble resin. By adding the compound (c) in an amount within this range, it is possible to form protrusions and spacers having good shapes, and to obtain a radiation-sensitive resin composition exhibiting appropriate solubility in an alkaline developer. be able to.
[0054]
Other additives
The following other additives can be added to the radiation-sensitive resin composition in the present invention, if necessary.
-Sensitizer-
A sensitizer is a component which has the effect | action which further improves the sensitivity of a radiation sensitive resin composition.
Examples of such a sensitizer include 2H-pyrido- (3,2-b) -1,4-oxazin-3 (4H) -ones, 10H-pyrido- (3,2-b)-( 1,4) -benzothiazines, urazoles, hydantoins, barbituric acids, glycine anhydrides, 1-hydroxybenzotriazoles, alloxans, maleimides, flavones, dibenzalacetones , Dibenzalcyclohexanes, chalcones, xanthenes, thioxanthenes, porphyrins, phthalocyanines, acridines, anthracenes, benzophenones, acetophenones, coumarins having substituents at the 3- and / or 7-positions And the like.
These sensitizers can be used alone or in admixture of two or more.
The addition amount of the sensitizer is usually 30 parts by weight or less, preferably 0 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (a) alkali-soluble resin.
[0055]
-Trihalomethyl group-containing-s-triazine-
The trihalomethyl group-containing s-triazine is composed of a compound represented by the following general formula (2).
[0056]
[Chemical 3]
[Wherein, X represents a halogen atom, and A represents —CXThreeOr the following formulas (i) to (vi)
[0057]
[Formula 4]
[0058]
[Chemical formula 5]
[0059]
B, D and E are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, An aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a linear or branched alkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms, a linear or branched alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, and an aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms An arylthio group having 6 to 12 carbon atoms, a secondary amino group having a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a linear or branched ketoalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a carbon number A 6-12 ketoaryl group, a C2-C20 linear or branched alkoxycarbonyl group or a C2-C20 linear or branched alkylcarbonyloxy group, m Is an integer of 1 to 5. ]
[0060]
Examples of the trihalomethyl group-containing-s-triazine include:
2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2-phenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-chlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) ) -S-triazine, 2- (3-chlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-chlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2 -Methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methylthiophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-to Azine, 2- (3-methylthiophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methylthiophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine,
[0061]
2- (4-Methoxy-β-styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3-methoxy-β-styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s- Triazine, 2- (2-methoxy-β-styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3,4,5-trimethoxy-β-styryl) -4,6-bis ( Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methylthio-β-styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3-methylthio-β-styryl) -4,6- Bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methylthio-β-styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxynaphthyl) -4,6-bis (Trik Romethyl) -s-triazine, 2- (3-methoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s -A triazine etc. can be mentioned.
[0062]
Among these compounds, 2- (3-chlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine 2- (4-methylthiophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxy-β-styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine and the like are preferable.
The trihalomethyl group-containing -s-triazine can be used alone or in admixture of two or more.
[0063]
The addition amount of the trihalomethyl group-containing-s-triazine is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 5 parts by weight or less, with respect to 100 parts by weight of the (a) alkali-soluble resin.
[0064]
-Other phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compounds-
Examples of other phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compounds include 1,1-bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) acetone, 1,1-bis (2,4-dihydroxyphenyl) acetone, 1, 1-bis (2,6-dimethyl-4-hydroxyphenyl) acetone, 4,6-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1,3-dihydroxybenzene, 4,6-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1,3-dihydroxy-2-methylbenzene and the like can be mentioned.
These other phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compounds can be used alone or in admixture of two or more.
[0065]
The amount of the other phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound added is preferably 50 parts by weight or less, more preferably 45 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the (a) alkali-soluble resin.
[0066]
-Onium salt compounds-
The onium salt compound is composed of a compound represented by the following general formula (3).
[0067]
[Chemical 6]
[Wherein, A has the same meaning as A in formula (2), n is 2 or 3,+Is S+Or I+Y-Is BFFour -PF6 -, SbF6 -,
AsF6 -, P-toluenesulfonic acid anion, trifluoromethanesulfonic acid anion or trifluoroacetic acid anion. ]
[0068]
Examples of onium salt compounds include:
Diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium p-toluenesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, 4- Methoxyphenylphenyliodonium hexafluorophosphonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium hexafluoroarsenate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenylphenyliodoni P-toluenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate, bis Diaryl iodonium salts such as (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium p-toluenesulfonate;
[0069]
Triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium hexafluorophosphonate, triphenylsulfonium hexafluoroarsenate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium Tetrafluoroborate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyl Nyldiphenylsulfonium p-toluenesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium tetrafluoroborate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphonate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoride Triarylsulfonium salts such as romethanesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium p-toluenesulfonate
Etc.
[0070]
Among these compounds, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoro Acetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate and the like are preferable.
The said onium salt compound can be used individually or in mixture of 2 or more types.
[0071]
The amount of the onium salt compound added is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 5 parts by weight or less, with respect to 100 parts by weight of the (a) alkali-soluble resin.
[0072]
-Surfactant-
The surfactant is a component having an effect of improving coatability (for example, striation) and alkali developability of an exposed portion after the film is formed.
Examples of such surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene-n-octylphenyl ether, polyoxyethylene Polyoxyethylene aryl ethers such as -n-nonylphenyl ether; nonionic surfactants such as polyethylene glycol dialkyl esters such as polyethylene glycol dilaurate and polyethylene glycol distearate; 303, 352 (above, Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), MegaFuck F171, 172, 173 (above, Dainippon Ink Co., Ltd.), Florard FC430, 431 (above, Fluorine-based interfaces such as Asahi Guard AG710, Surflon S-382, Surflon SC-101, 102, 103, 104, 105, 106 (above, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) Activating agent; KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.); 57 and 95 (above, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.).
The surfactants can be used alone or in admixture of two or more.
The addition amount of the surfactant is usually 0.5 parts by weight or less, preferably 0.2 parts by weight or less with respect to the total solid content of the radiation-sensitive resin composition.
[0073]
Composition solution
The radiation sensitive resin composition in the present invention is preferably used as a solution dissolved in an appropriate solvent (hereinafter referred to as “composition solution”).
The solvent used in the composition solution is preferably a solvent that dissolves each component of the radiation-sensitive resin composition and does not react with each component and has an appropriate vapor pressure.
Examples of such solvents include ethylene glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; ethylene glycol alkyl ether acetates such as ethylene glycol methyl ether acetate and ethylene glycol ethyl ether acetate; diethylene glycol dimethyl ether and diethylene glycol. Diethylene glycol dialkyl ethers such as diethyl ether and diethylene glycol methyl ethyl ether; Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate and propylene glycol-n-propyl ether acetate; Aromatics such as toluene and xylene Hydrogen halides; ketones such as methyl ethyl ketone, 2-heptanone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone; ethyl acetate, n-butyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, ethyl hydroxyacetate, ethyl ethoxyacetate, 3-methyl- 3-methoxybutyl propionate, methyl lactate, ethyl lactate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, Other esters such as n-butyl 3-methoxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate and 3-methyl-3-methoxybutyl butyrate can be mentioned.
These solvents can be used alone or in admixture of two or more.
[0074]
Further, if necessary, together with the solvent, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1 -High-boiling solvents such as nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate, carbitol acetate and the like can also be added.
These high boiling point solvents can be used alone or in admixture of two or more.
The composition solution in the present invention is adjusted to a solid content concentration of, for example, 20 to 40% by weight, and may be used after being filtered, for example, with a filter having a pore size of about 0.2 μm.
[0075]
Method for forming protrusions and spacers
Next, a method for forming a protrusion for a vertical alignment type liquid crystal display element and a spacer for a vertical alignment type liquid crystal display element on a substrate using the radiation sensitive resin composition of the present invention will be described.
First, after apply | coating a composition solution to a board | substrate, a solvent is removed by prebaking and a film is formed.
As the substrate, for example, a substrate made of glass, quartz, silicon, transparent resin or the like can be used.
As a coating method of the composition solution, for example, various methods such as a spray method, a roll coating method, and a spin coating method can be used.
Moreover, although the conditions of prebaking differ also with the kind of each component, a mixture ratio, etc., the conditions for about 1 to 15 minutes at 70-90 degreeC are suitable.
Next, the coating film is exposed to radiation such as ultraviolet rays and then developed with an alkali developer to remove unnecessary portions and form a predetermined pattern.
[0076]
The pattern mask used for the exposure and the exposure operation are as follows: (a) A method of performing exposure once using one type of photomask having both patterns of the protruding portion and the spacer portion.Consist of. In addition, as the pattern mask used in the method (A), it is possible to use a mask having different transmittances between the protruding portion and the spacer portion.
Visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X-rays and the like can be used as radiation used for exposure, but ultraviolet rays are preferred.
[0077]
Examples of the alkali developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia; primary amines such as ethylamine and n-propylamine; Secondary amines such as n-propylamine; tertiary amines such as trimethylamine, methyldiethylamine, dimethylethylamine, triethylamine; alkanolamines such as dimethylethanolamine, methyldiethanolamine, triethanolamine; pyrrole, piperidine, N- Cyclic tertiary amines such as methylpiperidine, N-methylpyrrolidine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene; pyridine , Collidine, Cytidine, aromatic tertiary amines such as quinoline; tetramethylammonium hydroxide, the aqueous solution of quaternary ammonium salts such as tetraethyl ammonium hydroxide may be used.
In addition, an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol and / or a surfactant can be added to the alkaline developer.
As a developing method, any of a liquid filling method, a dipping method, a shower method and the like may be used, and the developing time is usually 30 to 180 seconds.
After alkali development, for example, washing with running water is performed for 30 to 90 seconds, and the pattern is formed by, for example, drying with compressed air or compressed nitrogen.
[0078]
Next, after exposing the pattern after alkali development again to radiation, it is preferable to use a heating device such as a hot plate or an oven at a predetermined temperature, for example, 150 to 250 ° C., for a predetermined time, for example, 5 Predetermined protrusions and spacers can be formed by post-baking for 30 to 90 minutes in an oven for 30 to 90 minutes. However, a photomask may or may not be used for exposure in this step.
[0079]
The height of the protrusions thus formed is usually 0.1 to 3.0 μm, preferably 0.5 to 2.0 μm, particularly preferably 1.0 to 1.5 μm, and the height of the spacer The thickness is usually 1 to 10 μm, preferably 2 to 8 μm, particularly preferably 3 to 5 μm.
[0080]
Such protrusions for the vertical alignment type liquid crystal display element of the present invention andFor vertical alignment type liquid crystal display elementsAccording to the spacer formation method, fine processing is possible, and the shape and size (height and bottom dimensions) can be easily controlled. Fine protrusions with excellent pattern shape, heat resistance, solvent resistance, transparency, etc. A spacer can be stably formed with high productivity, and a vertical alignment type liquid crystal display element excellent in alignment, voltage holding ratio, and the like can be provided.
[0081]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
Synthesis example 1
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 10 parts by weight of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 250 parts by weight of diethylene glycol ethyl methyl ether, and further 22 parts by weight of methacrylic acid and 5 parts by weight of styrene. , Tricyclo [5.2.1.02,6After adding 28 parts by weight of decane-8-yl methacrylate, 45 parts by weight of glycidyl methacrylate and 5 parts by weight of α-methylstyrene dimer, the temperature of the reaction solution was raised to 70 ° C. while gently stirring, and then stirring. The solution was kept at this temperature for 4 hours to obtain an alkali-soluble resin solution (solid content concentration: 29.8% by weight).
Mw of the obtained alkali-soluble resin was 8,000. This alkali-soluble resin is referred to as “resin (a-1)”.
[0082]
Synthesis example 2
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 10 parts by weight of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 250 parts by weight of diethylene glycol ethyl methyl ether, and further 15 parts by weight of methacrylic acid and 12 parts by weight of styrene. , Tricyclo [5.2.1.02,6After adding 28 parts by weight of decane-8-yl methacrylate, 45 parts by weight of glycidyl methacrylate and 5 parts by weight of α-methylstyrene dimer, the temperature of the reaction solution was raised to 70 ° C. while gently stirring, and then stirring. The solution was kept at this temperature for 4 hours to obtain an alkali-soluble resin solution (solid content concentration: 29.0% by weight).
Mw of the obtained alkali-soluble resin was 7,800. This alkali-soluble resin is referred to as “resin (a-2)”.
[0083]
Synthesis example 3
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by weight of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by weight of diethylene glycol ethyl methyl ether, and further 18 parts by weight of methacrylic acid and 6 parts by weight of styrene. , Tricyclo [5.2.1.02,6] 10 parts by weight of decan-8-yl methacrylate, 33 parts by weight of glycidyl methacrylate, 33 parts by weight of p-vinylbenzylglycidyl ether and 3 parts by weight of α-methylstyrene dimer were substituted with nitrogen, and then gently stirred. The temperature of the reaction solution was raised to 70 ° C., and polymerization was carried out for 5 hours while maintaining this temperature to obtain an alkali-soluble resin solution (solid content concentration: 31.5% by weight).
Mw of the obtained alkali-soluble resin was 11,000. This alkali-soluble resin is referred to as “resin (a-3)”.
[0084]
Synthesis example 4
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 6 parts by weight of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by weight of diethylene glycol ethyl methyl ether, and further 12 parts by weight of methacrylic acid, 2-hydroxyethyl. 25 parts by weight of methacrylate, tricyclo [5.2.1.02,6] 6 parts by weight of decan-8-yl methacrylate, 27 parts by weight of glycidyl methacrylate, 30 parts by weight of p-vinylbenzylglycidyl ether and 3 parts by weight of α-methylstyrene dimer were charged with nitrogen, and then gently stirred. The temperature of the reaction solution was raised to 70 ° C. and polymerization was carried out for 4.5 hours while maintaining this temperature to obtain an alkali-soluble resin solution (solid content concentration: 32.7% by weight).
Mw of the obtained alkali-soluble resin was 13,000. This alkali-soluble resin is referred to as “resin (a-4)”.
[0085]
Synthesis example 5
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 8.5 parts by weight of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by weight of diethylene glycol ethyl methyl ether, and further 15 parts by weight of methacrylic acid and lauryl methacrylate. 10 parts by weight, tricyclo [5.2.1.02,6] 30 parts by weight of decan-8-yl methacrylate, 35 parts by weight of glycidyl methacrylate, 10 parts by weight of p-vinylbenzyl glycidyl ether and 3 parts by weight of α-methylstyrene dimer were substituted with nitrogen, and then gently stirred. The temperature of the reaction solution was raised to 70 ° C., and the polymerization was carried out for 4.5 hours while maintaining this temperature to obtain an alkali-soluble resin solution (solid content concentration 31.5% by weight).
Mw of the obtained alkali-soluble resin was 8,000. This alkali-soluble resin is referred to as “resin (a-5)”.
[0086]
【Example】
Example2
100 parts by weight of resin (a-1) as component (a), 4,4 ′-[1- {4- (1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl) phenyl} ethylidene] as component (b) 4,4 ′-[1- {4- (1- [4-hydroxyphenyl] −1) composed of a condensate of 1.0 mol of bisphenol and 2.0 mol of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride -Methylethyl) phenyl} ethylidene] bisphenol-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate, 30 parts by weight,(C) 20 parts by weight of Cymel 300 as a component,A membrane filter having a pore size of 0.2 μm is mixed with 0.01 part by weight of Megafac F172 as a surfactant, diluted with diethylene glycol ethyl methyl ether so that the total solid concentration is 25% by weight, and then dissolved. And the composition solution (S-2) Was prepared.
Next, protrusions and spacers were formed by the following procedure, and various evaluations were performed. The evaluation results are shown in Table 2 and Table 3.
[0087]
(1-1) Formation of protrusions and spacers
The composition solution (S-2) was applied on a glass substrate using a spinner and then pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a film having a thickness of 4.0 μm. Thereafter, the intensity at a wavelength of 365 nm is 100 W / m through a photomask having a remaining pattern of 5 μm width corresponding to the protruding portion and a remaining pattern of 30 μm dots corresponding to the spacer portion.2 Were exposed to UV light for 10 seconds. afterwards,1.5After developing at 25 ° C. for 60 seconds with a weight% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, the plate was washed with pure water for 1 minute. Thereafter, the intensity at a wavelength of 365 nm is 100 W / m.2 After being exposed to UV rays for 30 seconds, post-baking was performed in an oven at 220 ° C. for 60 minutes to form protrusions and spacers.
[0089]
(2) Resolution evaluation
When the pattern was formed by the procedure (1-1), the case where the pattern was resolved was determined as “good”, and the case where the pattern was not resolved was determined as “bad”.
(3) Evaluation of remaining film rate
When forming projections and spacers using a radiation-sensitive resin composition, as disclosed in Patent Document 2, when the amount of exposure energy (exposure time) is changed, the film loss during alkali development is reduced. It can be said that it is preferable that the amount change is gentle and the remaining film rate is high. Therefore, the intensity at a wavelength of 365 nm is 100 W / m.2The remaining film rate when exposed to UV light for 4 seconds, 5 seconds, or 6 seconds was measured, respectively. In the range of 90 to 110%, it was determined as “good”.
[0090]
(4-1) Evaluation of cross-sectional shape of protrusion
When the cross-sectional shape A, B or C of the protrusion is defined as follows, the cross-sectional shape of the formed protrusion is observed with a scanning electron microscope, and the case of A or B is “good” and the case of C is “ “Bad”. The cross-sectional shapes A, B and C of the protrusions are typically as illustrated in FIG.
A: When the dimension of the bottom is more than 5 μm and 7 μm or less,
B: When the bottom dimension exceeds 7 μm,
C: A trapezoidal shape regardless of the size of the bottom.
[0091]
(4-2) Evaluation of spacer cross-sectional shape
When the cross-sectional shapes A, B and C of the spacer are defined as follows, the cross-sectional shape of the formed spacer is observed with a scanning electron microscope, and the case of A or C is “good” and the case of B is “ “Bad”. The cross-sectional shapes A, B and C of the spacer are schematically as illustrated in FIG.
A: When the dimension of the bottom is more than 30 μm and not more than 36 μm,
B: When the bottom dimension exceeds 36 μm,
C: A trapezoidal shape regardless of the size of the bottom.
[0092]
(5) Evaluation of heat resistance
Using a spinner on a silicon substrate, the composition solution (S-2) And then pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a film having a film thickness of 4.0 μm. Then, the obtained film is subjected to a PLA-501F exposure machine (extra-high pressure mercury, manufactured by Canon Inc.). The intensity at a wavelength of 365 nm is 100 W / m2Were exposed to UV light for 10 seconds. Thereafter, this substrate was post-baked at 220 ° C. for 1 hour in a clean oven to form a cured film, and the film thickness (T1) was measured. Further, the substrate on which this cured film was formed was post-baked at 240 ° C. for another hour in a clean oven, and then the thickness (T2) of the cured film was measured, and the rate of change in film thickness due to additional baking (| T2 -T1 | / T1) × 100 (%) was calculated and evaluated. When the value is 5% or less, it can be said that the heat resistance is good.
[0093]
(6) Evaluation of solvent resistance
The film thickness (T2) of the cured film was measured in the same manner as the procedure (5). Then, after immersing the silicon substrate on which the cured film is formed in dimethyl sulfoxide kept at 70 ° C. for 20 minutes, the thickness (t2) of the cured film is measured, and the rate of change in film thickness due to immersion (| t2-T2 | / T2) × 100 (%) was calculated and evaluated. When the value is 5% or less, it can be said that the solvent resistance is good.
[0094]
(7) Evaluation of transparency
A cured film was formed on the glass substrate in the same manner as in the procedure (5) except that a glass substrate “Corning 7059” (manufactured by Corning) was used instead of the silicon substrate. Then, about this board | substrate, the light transmittance of the wavelength range of 400-800 nm was measured and evaluated using the spectrophotometer "150-20 type double beam" (made by Hitachi, Ltd.). When the value is 95% or more, it can be said that the transparency is good.
[0095]
(8) Evaluation of orientation and voltage holding ratio
Composition solution (S-2) Was used to form protrusions and spacers on the electrode surface of the glass substrate having the ITO (tin-doped indium oxide) film, which is an electrode, in the same manner as in the procedure (1-1). Thereafter, AL1H659 (trade name, manufactured by JSR Co., Ltd.) as a liquid crystal alignment agent was applied to a glass substrate on which protrusions and spacers were formed with a liquid crystal alignment film coating printer, and then dried at 180 ° C. for 1 hour. A film having a thickness of 0.05 μm was formed.
Moreover, AL1H659 as a liquid crystal aligning agent is apply | coated to the electrode surface of another glass substrate which has an ITO film | membrane with a printer for liquid crystal aligning film application | coating, and it dries at 180 degreeC for 1 hour, and forms a 0.05-micrometer-thick film. Formed.
[0096]
Next, an epoxy resin adhesive with a glass fiber having a diameter of 5 μm is applied to the outer surfaces of the liquid crystal alignment films of both substrates obtained by screen printing, and the substrates are stacked and bonded so that the liquid crystal alignment film surfaces face each other. After that, the adhesive was cured. Then, between the two substrates from the liquid crystal injection port, liquid crystal MLC-6608 (trade name) manufactured by Merck Co., Ltd. was filled, and the liquid crystal injection port was sealed with an epoxy adhesive, and then a polarizing plate was placed on the outer surface of both substrates. The vertically aligned liquid crystal display element was produced by pasting so that the deflection directions were orthogonal. FIG. 2 schematically shows a longitudinal sectional view of the obtained vertical alignment type liquid crystal display element.
Next, the orientation and voltage holding ratio of the obtained vertical alignment type liquid crystal display element were evaluated as follows.
[0097]
In the evaluation of the orientation, when a voltage was turned on / off, whether or not an abnormal domain was generated in the liquid crystal cell was observed with a polarizing microscope.
In evaluating the voltage holding ratio, a voltage of 5 V was applied to the liquid crystal display element, the circuit was opened, the holding voltage after 16.7 milliseconds was measured, and the ratio to the applied voltage (5 V). When the value was 98% or more, “good” was determined, and when the value was less than 98%, “bad” was determined.
[0098]
Example3~ 12
Examples except that each component shown in Table 1 was used and the concentration of the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution as a developer was as shown in Table 1.2In the same manner as above, a composition solution was prepared, protrusions and spacers were formed, and various evaluations were performed. The evaluation results are shown in Table 2 and Table 3.
[0099]
[Table 1]
[0100]
(B)-(c) The components are as follows.
b-1: 4,4 '-[1- {4- (1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl)
Phenyl} ethylidene] bisphenol 1.0 mol and 1,2-naphthoquinonediadi
Condensate with 2.0 mol of do-5-sulfonic acid chloride
b-2: 1.0 mol of 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 1,2-naphthoquinone di
Condensate with 2.6 moles of azido-5-sulfonic acid chloride
b-3: 1.0 mol of 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone and 1,2-naphtho
Condensate with 2.5 mol of quinonediazide-5-sulfonic acid chloride
b-4: 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-pheny
1.0 mol of rupropane and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride
Condensate with 1.9 mol
b-5: 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl)
Nyl) -7-hydroxychroman and 1,2-naphthoquinonediazide-5
-Condensate with 3.0 mol of sulfonic acid chloride
[0101]
c-1: Cymel 300
c-2: Cymel 272
c-3: Nikarak Ms-11
[0102]
[Table 2]
[0103]
[Table 3]
[0105]
【The invention's effect】
Projections for vertical alignment type liquid crystal display element of the present invention andFor vertical alignment type liquid crystal display elementsThe spacer formation method can be finely processed, and the shape and size (height, bottom dimension, etc.) can be easily controlled. Fine protrusions excellent in pattern shape, heat resistance, solvent resistance, transparency, etc. A spacer can be stably formed with good productivity, and a vertical alignment type liquid crystal display element excellent in alignment, voltage holding ratio, and the like can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view illustrating the cross-sectional shapes of protrusions and spacers.
FIG. 2 is a schematic view illustrating the cross-sectional shape of a vertical alignment type liquid crystal display element having protrusions and spacers.
1 Spacer
2 protrusions
3 LCD
4 Liquid crystal alignment film
5 Color filter
6 Glass substrate
Claims (1)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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