JP4146811B2 - サスペンション、及びハードディスク装置 - Google Patents

Description

本発明は、サスペンション、及びハードディスク装置に関する。

ハードディスク等の記録媒体に磁気情報を記録及び再生する薄膜磁気ヘッドは、いわゆるヘッドスライダに形成されている。このヘッドスライダを、サスペンションの先端領域に搭載することにより、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）が構成される。一般的に、このサスペンションは、ＳＵＳ等で形成されたロードビームに可撓性のフレクシャを重ねたものであり、フレクシャには薄膜磁気ヘッドの記録／再生用の配線が施されている。また、このようなサスペンションの基端側は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）で駆動されるアクチュエータアームに連結される。そして、サスペンションとアクチュエータアームを連結したものにＶＣＭコイル等を取り付けることにより、所謂ヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）が構成されている。

ところで、近年のハードディスクの高記録密度化、特にトラック幅の狭小化に伴い、ヘッドスライダを高精度で微小量駆動させる技術が求められている。そこで従来、下記特許文献１に示すように、上記サスペンションとアクチュエータアームとの連結部分に、圧電素子を利用した圧電アクチュエータを配置するヘッドジンバルアセンブリが提案されていた。これは所謂２段変動式のアセンブリであり、第１段階として、薄膜磁気ヘッドの比較的大きな移動はボイスコイルモータによるアクチュエータアームの駆動で制御し、第２段階として、トラッキング補正等の微小な移動は圧電アクチュエータによるサスペンションの駆動により制御しようとするものである。

ところが、このような２段変動式のヘッドジンバルアセンブリでは、圧電アクチュエータによって長尺のサスペンション全体を駆動させる必要があるため、トラッキングの高精度化に限界があった。

このため、例えば下記特許文献２に開示されているように、ヘッドスライダとサスペンションの間に圧電アクチュエータを設ける装置が提案されている。この装置によれば、薄膜圧電体素子は長尺サスペンションそのものを駆動させる必要が無く、直接的にヘッドスライダを駆動させることができるため、より高精度のトラッキングを実現することができる。
特開２００２−１３４８０７号公報 特開２００２−２０３３８４号公報

本発明の目的は、圧電アクチュエータの機械的強度を保つと共に、圧電アクチュエータの変位を効率よくヘッドスライダに伝えることが可能なサスペンション、及びハードディスク装置を提供することにある。

本発明に係るサスペンションは、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダが搭載されるサスペンションであって、アクチュエータアームに接続される支持ビーム部と、可撓性を有する配線基板を有すると共に、支持ビーム部に接着されるフレクシャと、フレクシャに接続されると共に、ヘッドスライダをサスペンションに対して相対的に変位させる圧電アクチュエータと、一方の面側が圧電アクチュエータに対向すると共に、他方の面側がヘッドスライダに対向しており、圧電アクチュエータの変位をヘッドスライダに伝達する金属製の伝達板と、を備え、伝達板は、後部と、後部に連結部を介して接続される前部とを有しており、伝達板の後部は圧電アクチュエータの根元部分と重なるように位置し、伝達板の前部は圧電アクチュエータの先端部分と重なるように位置しており、圧電アクチュエータは、後部と前部とに渡るように伝達板に固定され、ヘッドスライダは、伝達板の前部に戴置されていることを特徴とする。

本発明に係るサスペンションでは、圧電アクチュエータの機械的強度が伝達板により保たれ、圧電アクチュエータが破壊されるのを防ぐことができる。伝達板の後部が圧電アクチュエータの根元部分と重なるように位置すると共に伝達板の前部が圧電アクチュエータの先端部分と重なるように位置し、圧電アクチュエータが伝達板の後部と前部とに渡るように固定されているので、伝達板の前部に戴置されたヘッドスライダに対して圧電アクチュエータの変位を効率よく伝えることができる。

また、圧電アクチュエータは、圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを有しており、圧電体膜及び一対の電極膜は、伝達板の上に一方の電極膜、圧電体膜、及び他方の電極膜の順に成膜されていることが好ましい。この場合、圧電アクチュエータは、伝達板と共に取り扱われることとなり、サスペンションに含まれる他の部材への搭載等を容易に行うことができ、歩留りが向上される。また、圧電アクチュエータが、板状部材に接着されることなく、板状部材の上に形成されることとなる。これにより、圧電アクチュエータを板状部材に固定するための接着工程が省略されることとなり、製造工程の簡素化を図ることができる。

本発明に係るハードディスク装置は、記録媒体と、この記録媒体に対して記録又は再生の少なくとも一方を行う薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダと、このヘッドスライダが搭載されるサスペンションとを備え、サスペンションは、アクチュエータアームに接続される支持ビーム部と、可撓性を有する配線基板を有すると共に、支持ビーム部に接着されるフレクシャと、フレクシャに接続されると共に、ヘッドスライダをサスペンションに対して相対的に変位させる圧電アクチュエータと、一方の面側が圧電アクチュエータに対向すると共に、他方の面側がヘッドスライダに対向しており、圧電アクチュエータの変位をヘッドスライダに伝達する金属製の伝達板と、を有し、伝達板は、後部と、後部に連結部を介して接続される前部とを有しており、伝達板の後部は圧電アクチュエータの根元部分と重なるように位置し、伝達板の前部は圧電アクチュエータの先端部分と重なるように位置しており、圧電アクチュエータは、後部と前部とに渡るように伝達板に固定され、ヘッドスライダは、伝達板の前部に戴置されていることを特徴とする。

本発明に係るハードディスク装置では、圧電アクチュエータの機械的強度が伝達板により保たれ、圧電アクチュエータが破壊されるのを防ぐことができる。伝達板の後部が圧電アクチュエータの根元部分と重なるように位置すると共に伝達板の前部が圧電アクチュエータの先端部分と重なるように位置し、圧電アクチュエータが伝達板の後部と前部とに渡るように固定されているので、伝達板の前部に戴置されたヘッドスライダに対して圧電アクチュエータの変位を効率よく伝えることができる。

本発明によれば、圧電アクチュエータの機械的強度を保つと共に、圧電アクチュエータの変位を効率よくヘッドスライダに伝えることが可能なサスペンション、及びハードディスク装置を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明に係るサスペンション、ハードディスク装置、及び、サスペンションの製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態のハードディスク装置を示す概略構成図である。ハードディスク装置１は、筐体５内に、記録媒体としてのハードディスク１０と、これに磁気情報を記録及び再生するヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）２０とを備えている。ハードディスク１０は、図示を省略するモータによって回転させられる。更に、ハードディスク装置１には、ハードディスク１０への情報の記録及び再生等の各種制御を行う制御部１５、及び、薄膜磁気ヘッドをハードディスク１０の上から退避させておくためのランプ機構１６が内蔵されている。

ヘッドスタックアセンブリ２０は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）により支軸２１周りに回転自在に支持されたアクチュエータアーム２２と、このアクチュエータアーム２２に接続されたヘッドジンバルアセンブリ（以下、「ＨＧＡ」と称す）３０とから構成される組立て体を、図の奥行き方向に複数個積層したものである。ＨＧＡ３０には、ハードディスク１０に対向するようにヘッドスライダ３２が取り付けられている。

ＨＧＡ３０は、薄膜磁気ヘッド３１を２段階で変動させる形式を採用しており、この形式を実現するために、圧電アクチュエータ７０が設けられている。圧電アクチュエータ７０は、ヘッドスライダ３２を支持ビーム部５０に対して相対的に変位させるものである。薄膜磁気ヘッドの比較的大きな移動はボイスコイルモータによるサスペンション４０及びアクチュエータアーム２２の全体の駆動で制御し、微小な移動は圧電アクチュエータ７０によるヘッドスライダ３２の駆動により制御する。

支持ビーム部５０は、ベースプレート５１と、これに張り付けられた連結板５２と、ロードビーム５３とを備えている。図３に示すように、連結板５２は、ベースプレートよりも薄く且つ柔軟性が高くなっており、側方に突出した長方形状の突出部５２ａと、互いに離隔して延びる一対の連結片５２ｂ，５２ｂとが形成されている。各連結片５２ｂ，５２ｂには、ロードビーム５３が揺動自在に連結されている。ロードビーム５３の先端には、ヘッドスライダ３２がランプ機構１６に退避している際にスロープに乗り上がるタブ５３ａが形成されている。尚、ベースプレート５１におけるロードビーム５３が設けられた側の反対側が、アクチュエータアーム２２に接続される側である。また、連結板５２とロードビーム５３とは一体的に形成してもよい。

サスペンション４０は、フレクシャ６０を有している。このフレクシャ６０は、ポリイミド樹脂等で形成された可撓性を有する配線基板６１を有しており、この底面にはステンレス鋼等によって形成された薄板状の支持板（図示略）が部分的に張り付けられている。フレクシャ６０は、レーザスポット溶接によって支持ビーム部５０に接着されている。配線基板６１は、その後端側にパッド搭載領域６１ａを有している。パッド搭載領域６１ａは、連結板５２の突出部５２ａの上に敷かれる形になる。

フレクシャ６０のパッド搭載領域６１ａには、記録用の電極６２ｂ，６３ｂ、圧電アクチュエータ用の電極６４ｂ〜６６ｂ、再生用の電極６７ｂ，６８ｂが搭載されている。一方、図４の拡大図に示すように、フレクシャ６０の先端側には、４つの電極６２ａ，６３ａ，６７ａ，６８ａが配列されている。また、フレクシャ６０の４つの電極６２ａ，６３ａ，６７ａ，６８ａの後方には、３つの電極６４ａ〜６６ａが配列されている。電極６２ａ〜６８ａと電極６２ｂ〜６８ｂは、それぞれ配線６２ｃ〜６８ｃで電気的に接続されている。各配線６２ｃ〜６８ｃは、実際は絶縁膜で覆われている。なお、配線基板６１上の配線６２ｃ〜６８ｃは、例えばめっき法等の成膜技術によって形成することができる。

電極６２ａ，６３ａはヘッドスライダ３２の記録パッド３３，３４にそれぞれ接続され、電極６７ａ，６８ａは再生パッド３５，３６にそれぞれ接続される。これらの電極同士の接続には、図２に示すようにゴールドボールボンディングが用いられる。

ここで、図４及び図５を参照して、圧電アクチュエータ７０の詳細について説明する。圧電アクチュエータ７０は、伸縮方向が互いに異なるように構成された第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂを有している。各領域７０ａ，７０ｂは、ＰＺＴ等の薄膜の圧電素子で構成されており、その周囲は樹脂コーティングされている。尚、薄膜の圧電素子には、厚膜の素子と比較して、軽量、振動に対する周波数特性が良好、設置場所の幅が広い、低電圧で制御可能という様々な利点がある。

第１領域７０ａと第２領域７０ｂは、根元付近は樹脂によって一体化されているが、先細りになる先端側は互いに離間している。圧電アクチュエータ７０の図中底面側には、それぞれ所定の駆動電圧が印加される電極７１ａ，７１ｂが設けられている。そして、これらの電極７１ａ，７１ｂは、直接的に、又は、導電部材を介して間接的に、フレクシャ６０上の電極６６ａ，６４ａに電気的に接続される。

圧電アクチュエータ７０の電極７１ａ，７１ｂ付近の根元領域は、電極７１ａ，７１ｂと電極６６ａ，６４ａとが接続されることにより、フレクシャ６０の配線基板６１に接着される。一方、この根元領域よりも先端側の領域は、フレクシャ６０の開口領域に位置するため、ロードビーム５３と対面する形になる。

第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂは、図５に示されるように、薄膜圧電体７３と、
当該薄膜圧電体７３を挟むように配置される第１及び第２の電極膜７５ａ，７５ｂとを有している。薄膜圧電体７３、第１の電極膜７５ａ及び第２の電極膜７５ｂは、後述する伝達板８０の上に第２の電極膜７５ｂ、薄膜圧電体７３、及び第１の電極膜７５ａの順に成膜されている。

第１の電極膜７５ａは、電極７１ａ（７１ｂ）に電気的に接続されている。第２の電極膜７５ｂは、伝達板８０と電気的に接続されており、当該伝達板８０が直接的に、又は、導電部材を介して間接的に、フレクシャ６０上の電極６５ａに電気的に接続される。これにより、第２の電極膜７５ｂは、伝達板８０、電極６５ａ、配線６５ｃ及び電極６５ｂを通して、グランド電位に接続される。なお、第２の電極膜７５ｂの電極取出しを伝達板８０から行わない場合には、第２の電極膜７５ｂに電気的に接続された電極を別途設け、当該電極と電極６５ａとを電気的に接続することにより、第２の電極膜７５ｂの電極取出しを実現するようにしてもよい。

電極７１ａ，７１ｂのそれぞれには、薄膜圧電体７３を駆動する駆動電圧が印可される。駆動電圧が印加されると、図５に示されるように、薄膜圧電体７３は駆動電圧に対応して矢印Ａ１，Ａ２方向に伸縮する。電極７１ａ，７１ｂにそれぞれ印加される駆動電圧は、例えばバイアス電圧を中心として互いに逆位相となっている。電極７１ａにバイアス電圧に対しプラスの駆動電圧が印加されると、第１領域７０ａにおける薄膜圧電体７３は矢印Ａ１方向に収縮する。一方、電極７１ｂにバイアス電圧に対しマイナスの駆動電圧が印加されると、第２領域７０ｂにおける薄膜圧電体７３は矢印Ａ２方向に伸長する。

第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂは、図１７に示されるように、２つの薄膜圧電体が積層配置された２層構造としてもよい。第２の電極膜７５ｂの上には、積層体９０が接着剤９１により固定されている。積層体９０は、薄膜圧電体７３と、当該薄膜圧電体７３を挟むように配置される第３の電極金属膜７５ｃ及び第４の電極金属膜７５ｄとを含んでいる。第２の電極膜７５ｂと第３の電極金属膜７５ｃとが接着剤９１で接着されている。

第１の電極金属膜７５ａ及び第４の電極金属膜７５ｄは、電極７１ａに電気的に接続されている。第２の電極金属膜７５ｂと第３の電極金属膜７５ｃとは、伝達板８０に電気的に接続されている。電極７１ａ，７１ｂのそれぞれには、２つの薄膜圧電体７３をそれぞれ駆動する駆動電圧が印可される。駆動電圧が印加されると、図１７に示されるように、２つの薄膜圧電体７３は駆動電圧に対応して矢印Ａ１，Ａ２方向に伸縮する。電極７１ａ，７１ｂにそれぞれ印加される駆動電圧は、例えばバイアス電圧を中心として互いに逆位相となっている。電極７１ａにバイアス電圧に対しプラスの駆動電圧が印加されると、第１領域７０ａにおける２つの薄膜圧電体７３は矢印Ａ１方向に収縮する。一方、電極７１ｂにバイアス電圧に対しプラスの駆動電圧が印加されると、第２領域７０ｂにおける２つの薄膜圧電体７３は矢印Ａ２方向に伸長する。なお、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂは、３つ以上の薄膜圧電体が積層配置された多層構造としてもよい。

本実施形態のサスペンション４０は、圧電アクチュエータ７０の変位をヘッドスライダ３２に伝達する伝達板８０を有している。伝達板８０は、一方の面（図４の下面）が圧電アクチュエータ７０に対向し、他方の面がヘッドスライダ３２に対向している。伝達板８０は、導電性を有する金属、例えばステンレス鋼等によって形成され、図４にも示されるように、幅方向に延びる矩形形状の後部８３と、幅細で長尺の連結部８４を介して後部８３に接続された前部８５とを有している。

ここで、図６を参照して、ヘッドスライダ３２、圧電アクチュエータ７０、及び、伝達板８０の位置関係を説明する。同図は、ヘッドスライダ３２がハードディスク１０に対向する所謂エアベアリング面から見た図である。ヘッドスライダ３２は、伝達板８０の前部８５上に載置されている。圧電アクチュエータ７０は、伝達板８０の下に位置しており、電極７１ａ，７１ｂが位置する根元部分が伝達板８０の後部８３と重なり、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの先端部分がそれぞれ前部８５と重なるように位置している。

次に、図７〜図１０を参照して、圧電アクチュエータ７０の製造過程について説明する。図７〜図１０の各（ａ）は、圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図である。図７（ｂ）は図７（ａ）におけるVIIｂ−VIIｂ方向の断面構成を示す模式図である。図８（ｂ）は図８（ａ）におけるVIIIｂ−VIIIｂ方向の断面構成を示す模式図である。図９（ｂ）は図９（ａ）におけるIXｂ−IXｂ方向の断面構成を示す模式図である。図１０（ｂ）は図１０（ａ）におけるXｂ−Xｂ方向の断面構成を示す模式図である。

圧電アクチュエータ７０の形成は、以下の工程（１）〜（４）に従って行う。

工程（１）
まず、導電性を有する金属（例えば、ステンレス鋼等）製の基板Ｓを用意する。そして、この基板Ｓの上に、第２の電極膜７５ｂを構成する材料からなる薄膜Ｆ１、薄膜圧電体７３を構成する材料からなる薄膜Ｆ２、及び第１の電極膜７５ａを構成する材料からなる薄膜Ｆ３の順に積層して積層体Ｌ１を形成する（図７（ａ）及び（ｂ）参照）。薄膜Ｆ１，Ｆ２には、例えばＰｔやＩｒ等の金属の他、導電性酸化物（例えば、ＩｒＯ等）や導電性樹脂といった導電性材料を用いることができる。薄膜Ｆ３には、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリウム等の圧電材料を用いることができる。薄膜Ｆ１〜Ｆ３を形成する方法には、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、レーザーアブレーション法等の方法を用いることができる。

工程（２）
次に、積層体Ｌ１をパターニングする（図８（ａ）及び（ｂ）参照）。この工程（２）では、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂに対応する位置にレジスト膜（図示せず）を形成し、当該レジスト膜をマスクとして薄膜Ｆ１〜Ｆ３をエッチングにより除去する。続いて、上記レジスト膜を除去する。

以上の工程（１）及び（２）により、基板Ｓの上に第２の電極膜７５ｂ、薄膜圧電体７３及び第１の電極膜７５ａの順に成膜されて、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂが形成されることとなる。
工程（３）

次に、第２の電極膜７５ｂ、薄膜圧電体７３及び第１の電極膜７５ａの腐食を回避するために、基板Ｓ上において、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの表面を覆うように樹脂膜７７を形成する（図９（ａ）及び（ｂ）参照）。樹脂膜７７の材料には、例えばポリイミド樹脂等を用いることができる。

そして、電極７１ａ，７１ｂに対応する位置に開口を有するレジスト膜（図示せず）を形成する。そして、このレジスト膜をマスクとして樹脂膜７７をエッチングにより除去し、樹脂膜７７にコンタクトホール７８を形成する（同じく、図９（ａ）及び（ｂ）参照）。続いて、上記レジスト膜を除去する。

工程（４）
次に、基板Ｓを所定の形状、すなわち後部８３、連結部８４及び前部８５を有する形状に加工する。この工程（４）では、後部８３、連結部８４及び前部８５に対応する位置にレジスト膜（図示せず）を形成し、当該レジスト膜をマスクとして基板Ｓを圧電アクチュエータ７０（第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂ）が形成された面の裏面側からエッチングして除去する。続いて、上記レジスト膜を除去する。これにより、基板Ｓから伝達板８０が形成されることとなる。その後、電極７１ａ，７１ｂ（図示略）を形成する。なお、基板Ｓを除去することにより、第２の電極膜７５ｂの一部が露出することとなるが、この露出する部分も樹脂膜７７で覆うことが好ましい。

これらの工程（１）〜（４）により、伝達板８０の上に圧電アクチュエータ７０が直接形成されることとなる。

なお、２つの薄膜圧電体が積層配置された２層構造とする場合、積層体Ｌ１が形成された基板（上記ステンレス鋼に限られることなく他の材料、例えばＭｇＯからなる基板であってもよい。）をもう１つ用意し、上記工程（２）の前に、薄膜Ｆ３同士が対向するように積層体Ｌ１同士を接着剤で接着した後に、一方の基板を除去する工程が追加されることとなる。

続いて、ＨＧＡ３０の組立て過程の一例を説明する。

まず、フレクシャ６０をレーザスポット溶接にてロードビーム５３に固定する。次に、伝達板８０及び圧電アクチュエータ７０を、電極７１ａ，７１ｂと電極６６ａ，６４ａとを接続すると共に伝達板８０の後部８３と電極６５ａとを接続することにより、フレクシャ６０に固定する。圧電アクチュエータ７０は電極７１ａ，７１ｂ（電極６６ａ，６４ａ）の位置でのみフレクシャ６０に接続され、伝達板８０は電極６５ａの位置でのみフレクシャ６０に接続されている。したがって、圧電アクチュエータ７０及び伝達板８０は、ロードビーム５３から浮いた状態となっている。

次いで、伝達板８０の前部８５にヘッドスライダ３２を接着することにより、本実施形態のＨＧＡ３０が得られる。尚、ヘッドスライダ３２を伝達板８０に取り付けた後に、これをサスペンション４０に搭載してもよい。

また、このようにして得られたＨＧＡ３０にアクチュエータアーム２２を連結してヘッドスタックアセンブリ２０を構成し、これをハードディスク１０上に移動可能に組み立てることで、本第１実施形態のハードディスク装置１を作製することができる。

以上のように、本第１実施形態においては、圧電アクチュエータ７０が、伝達板８０に接着されることなく、伝達板８０の上に形成されることとなる。これにより、圧電アクチュエータ７０を伝達板８０に固定するための接着工程が省略されることとなり、製造工程の簡素化を図ることができる。

また、本第１実施形態においては、圧電アクチュエータ７０の機械的強度が伝達板８０により保たれ、圧電アクチュエータ７０が破壊されるのを防ぐことができる。また、圧電アクチュエータ７０は、単体で取り扱われることがなく、伝達板８０と共に取り扱われることとなり、その取り扱いが容易となる。これらのことから、歩留りが向上される。

これらの結果、本第１実施形態においては、量産性が著しく向上される。

また、本第１実施形態においては、圧電アクチュエータ７０は伝達板８０と共に取り扱われることとなり、圧電アクチュエータ７０のサスペンション４０（フレクシャ６０）への搭載を容易に行うことができる。

また、本第１実施形態に係る製造方法においては、圧電アクチュエータ７０が伝達板８０に接着されることなく、基板Ｓの上に圧電アクチュエータ７０が形成された後に、当該基板Ｓが所定の形状に加工されることにより、圧電アクチュエータ７０が形成された伝達板８０が得られることとなる。これにより、圧電アクチュエータ７０を伝達板８０に固定するための接着工程が省略されることとなり、製造工程の簡素化を図ることができる。

また、本第１実施形態に係る製造方法においては、その製造過程において、圧電アクチュエータ７０の機械的強度が基板Ｓあるいは伝達板８０により保たれ、圧電アクチュエータ７０が破壊されるのを防ぐことができる。また、圧電アクチュエータ７０は、単体で取り扱われることがなく、基板Ｓあるいは伝達板８０と共に取り扱われることとなり、その取り扱いが容易となる。これらのことから、歩留りが向上される。

また、本第１実施形態に係る製造方法においては、基板Ｓの上に、第２の電極膜７５ｂを構成する材料からなる薄膜Ｆ１、薄膜圧電体７３を構成する材料からなる薄膜Ｆ２、及び第１の電極膜７５ａを構成する材料からなる薄膜Ｆ３の順に積層して積層体Ｌ１を形成した後に、当該積層体Ｌ１をパターニングして、圧電アクチュエータ７０を形成し、基板Ｓが所定の形状（後部８３、連結部８４及び前部８５を有する形状）となるように、圧電アクチュエータ７０が形成された基板Ｓを当該基板Ｓにおける圧電アクチュエータ７０が形成された面の裏面側からエッチングしている。これにより、圧電アクチュエータ７０が接着されることなく形成された伝達板８０を容易に得ることができる。

また、本第１実施形態に係る製造方法においては、成膜された第２の電極膜７５ｂ、薄膜圧電体７３、及び第１の電極膜７５ａを覆うように樹脂膜７７を形成している。これにより、成膜された第２の電極膜７５ｂ、薄膜圧電体７３、及び第１の電極膜７５ａを保護することができる。

次に、図１１を参照して、圧電アクチュエータ７０の製造過程の変形例について説明する。図１１（ａ）は、圧電アクチュエータの製造過程の変形例を説明するための模式図である。図１１（ｂ）は図１１（ａ）におけるXIｂ−XIｂ方向の断面構成を示す模式図である。

圧電アクチュエータ７０の形成は、以下の工程（１）〜（３）に従って行う。

工程（１）
まず、基板Ｓを用意する。そして、この基板Ｓの上に、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂに対応した形状となるように第２の電極膜７５ｂを構成する材料、薄膜圧電体７３を構成する材料、及び第１の電極膜７５ａを構成する材料の順に塗布して積層体Ｌ２を形成する（図１１（ａ）及び（ｂ）参照）。そして、積層体Ｌ２を基板Ｓと共に加熱して、各材料を焼結する。各材料の塗布は、当該各材料をスラリー化し、スラリー化した材料をドクターブレード法により塗布することで行われる。

以上の工程（１）により、基板Ｓの上に第２の電極膜７５ｂ、薄膜圧電体７３及び第１の電極膜７５ａの順に成膜されて、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂが形成されることとなる。

工程（２）及び（３）の工程は、上述した本実施形態における工程（３）及び（４）と同じであり、ここでの説明を省略する。これらの工程（１）〜（３）により、伝達板８０の上に圧電アクチュエータ７０が直接形成されることとなる。

以上のように、本第１実施形態に係る製造方法の変形例においても、上述した実施形態と同じく、圧電アクチュエータ７０を伝達板８０に固定するための接着工程が省略されることとなり、製造工程の簡素化を図ることができる。また、歩留りが向上される。

また、本第１実施形態に係る製造方法の変形例においては、基板Ｓの上に、第２の電極膜７５ｂを構成する材料からなる薄膜Ｆ１、薄膜圧電体７３を構成する材料からなる薄膜Ｆ２、及び第１の電極膜７５ａを構成する材料の順に塗布して積層体Ｌ２を形成した後に、当該積層体Ｌ２を焼結して、圧電アクチュエータ７０を形成し、基板Ｓが所定の形状（後部８３、連結部８４及び前部８５を有する形状）となるように、圧電アクチュエータ７０が形成された基板Ｓを当該基板Ｓにおける圧電アクチュエータ７０が形成された面の裏面側からエッチングしている。これにより、圧電アクチュエータ７０が接着されることなく形成された伝達板８０を容易に得ることができる。

（第２実施形態）
次に、図１２を参照して、第２実施形態に係るサスペンション及びハードディスク装置を説明する。同図は、フレクシャ６０を支持板６９が設けられた側、つまり支持ビーム部５０に対向する側から見た図である。第２実施形態に係るＨＧＡ及びハードディスク装置は、フレクシャ６０の構成等に関して第１実施形態に係るＨＧＡ３０及びハードディスク装置１と相違する。

本第２実施形態のＨＧＡ及びハードディスク装置では、第１実施形態と同様に、フレクシャ６０は、配線基板６１と、この配線基板６１の少なくとも一部を支持する支持板６９を有する。支持板６９は、例えばステンレス鋼等の金属等によって形成することができる。圧電アクチュエータ７０は、支持板６９に形成されている。

支持板６９の先端側は、略Ｔ字状に形成されており、基部６９ａから伸びる幅細且つ長尺のビーム部６９ｂと、当該ビーム部６９ｂに接続された先端部６９ｃとを有している。先端部６９ｃは、幅方向に伸びる帯状を呈している。

ここで、図１２を参照して、ヘッドスライダ３２、圧電アクチュエータ７０、及び、伝達板８０の位置関係を説明する。ヘッドスライダ３２は、伝達板８０のビーム部６９ｂの一部及び先端部６９ｃの一部と重なるように、フレクシャ６０上に載置されている。圧電アクチュエータ７０は、支持板６９の上に位置しており、電極７１ａ，７１ｂが位置する根元部分が支持板６９の基部６９ａの先端部分と重なり、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの先端部分がそれぞれヘッドスライダ３２と重なるように位置している。

続いて、図１３〜図１６を参照して、圧電アクチュエータ７０の製造過程について説明する。図１３〜図１６の各（ａ）は、圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図である。図１３（ｂ）は図１３（ａ）におけるXIIIｂ−XIIIｂ方向の断面構成を示す模式図である。図１４（ｂ）は図１４（ａ）におけるXIVｂ−XIVｂ方向の断面構成を示す模式図である。図１５（ｂ）は図１５（ａ）におけるXVｂ−XVｂ方向の断面構成を示す模式図である。図１６（ｂ）は図１６（ａ）におけるXVIｂ−XVIｂ方向の断面構成を示す模式図である。

圧電アクチュエータ７０の形成は、以下の工程（１）〜（６）に従って行う。まず、工程（１）及び（２）については、上述の第１実施形態における工程（１）及び（２）と同じであり、説明を省略する。

工程（３）
次に、基板Ｓ上において、基板Ｓの所定領域、第１領域７０ａ、及び第２領域７０ｂの表面を覆うように、第１の樹脂膜７７ａを形成する（図１３（ａ）及び（ｂ）参照）。第１の樹脂膜７７ａの材料には、樹脂膜７７と同様に、例えばポリイミド樹脂等を用いることができる。

そして、所定の位置に開口を有するレジスト膜（図示せず）を形成する。そして、このレジスト膜をマスクとして第１の樹脂膜７７ａをエッチングにより除去し、第１の樹脂膜７７ａにコンタクトホール７８を形成する（同じく、図１３（ａ）及び（ｂ）参照）。続いて、上記レジスト膜を除去する。

工程（４）
次に、配線６２ｃ〜６８ｃ（配線６５ｃは不図示）を形成する（図１４（ａ）及び（ｂ）参照）。配線６２ｃ〜６８ｃは、めっき法により形成することができる。なお、配線６４ｃ，６６ｃは、コンタクトホール７８を通して第１の電極膜７５ａに電気的に接続されるように形成される。本第２実施形態においては、配線６４ｃ，６６ｃを第１の電極膜７５ａに直接接続するように形成するので、電極７１ａ，７１ｂ及び電極６４ａ，６６ａを設ける必要はない。

工程（５）
次に、配線６２ｃ〜６８ｃを覆うように、第１の樹脂膜７７ａの上に第２の樹脂膜７７ｂを形成する（図１５（ａ）及び（ｂ）参照）。第２の樹脂膜７７ｂの材料には、樹脂膜７７及び第１の樹脂膜７７ａと同様に、例えばポリイミド樹脂等を用いることができる。これにより、基板Ｓ上に、第１の樹脂膜７７ａ及び第２の樹脂膜７７ｂを含む配線基板６１が形成されることとなる。

工程（６）
次に、基板Ｓを所定の形状、すなわち基部６９ａ、ビーム部６９ｂ及び先端部６９ｃを有する形状に加工する（図１６（ａ）及び（ｂ）参照）。この工程（６）では、基部６９ａ、ビーム部６９ｂ及び先端部６９ｃに対応する位置にレジスト膜（図示せず）を形成し、当該レジスト膜をマスクとして基板Ｓを圧電アクチュエータ７０（第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂ）が形成された面の裏面側からエッチングして除去する。続いて、上記レジスト膜を除去する。これにより、基板Ｓから支持板６９が形成されることとなる。その後、電極６２ａ，６３ａ，６７ａ，６８ａ（図示略）を形成する。なお、基板Ｓを除去することにより、第２の電極膜７５ｂの一部が露出することとなるが、この露出する部分も第１の樹脂膜７７ａあるいは第２の樹脂膜７７ｂで覆うことが好ましい。また、不図示の配線６５ｃは、支持板６９と電気的に接続される。

これらの工程（１）〜（６）により、フレクシャ６０が形成されると共に、支持板６９の上に圧電アクチュエータ７０が直接形成されることとなる。

以上のように、本第２実施形態においては、圧電アクチュエータ７０が、支持板６９に接着されることなく、支持板６９の上に形成されることとなる。これにより、圧電アクチュエータ７０を支持板６９に固定するための接着工程が省略されることとなり、製造工程の簡素化を図ることができる。

また、本第２実施形態においては、圧電アクチュエータ７０の機械的強度が支持板６９あるいは基板Ｓにより保たれ、圧電アクチュエータ７０が破壊されるのを防ぐことができる。また、圧電アクチュエータ７０は、単体で取り扱われることがなく、支持板６９（フレクシャ６０）と共に取り扱われることとなり、その取り扱いが容易となる。これらのことから、歩留りが向上される。

これらの結果、本第２実施形態においても、上述した第１実施形態と同じく、量産性が著しく向上される。

また、本第２実施形態においては、圧電アクチュエータ７０は支持板６９と共に取り扱われることとなり、圧電アクチュエータ７０のサスペンション４０への搭載を容易に行うことができる。

また、本第２実施形態に係る製造方法においては、圧電アクチュエータ７０が支持板６９に接着されることなく、基板Ｓの上に圧電アクチュエータ７０が形成された後に、当該基板Ｓが所定の形状に加工されることにより、圧電アクチュエータ７０が形成された支持板６９が得られることとなる。これにより、圧電アクチュエータ７０を支持板６９に固定するための接着工程が省略されることとなり、製造工程の簡素化を図ることができる。

また、本第２実施形態に係る製造方法においては、その製造過程において、圧電アクチュエータ７０の機械的強度が基板Ｓあるいは支持板６９により保たれ、圧電アクチュエータ７０が破壊されるのを防ぐことができる。また、圧電アクチュエータ７０は、単体で取り扱われることがなく、基板Ｓあるいは支持板６９と共に取り扱われることとなり、その取り扱いが容易となる。これらのことから、歩留りが向上される。

また、本第２実施形態に係る製造方法においては、成膜された第２の電極膜７５ｂ、薄膜圧電体７３、及び第１の電極膜７５ａを覆うように第１の樹脂膜７７ａを形成し、当該第１の樹脂膜７７ａの上に配線６２ｃ〜６８ｃを形成した後に、当該配線６２ｃ〜６８ｃを覆うように第１の樹脂膜７７ａの上に第２の樹脂膜７７ｂを形成している。これにより、成膜された第２の電極膜７５ｂ、薄膜圧電体７３、第１の電極膜７５ａ、及び配線６２ｃ〜６８ｃを保護することができると共に、圧電アクチュエータ７０を備えるフレクシャ６０を簡易に得ることができる。

以上、本発明者らによってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、記録媒体に対して記録及び再生の双方を行う薄膜磁気ヘッドに代えて、記録又は再生の一方のみを行う薄膜磁気ヘッドを用いてもよい。

第１実施形態のハードディスク装置を示す図である。 第１実施形態のヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を示す斜視図である。 ＨＧＡの分解斜視図である。 ＨＧＡのフレクシャ先端付近の分解斜視図である。 圧電アクチュエータの構成を説明するための模式図である。 圧電アクチュエータ及び伝達板の平面図である。 （ａ）は圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるVIIｂ−VIIｂ方向の断面構成を示す模式図である。 （ａ）は圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるVIIIｂ−VIIIｂ方向の断面構成を示す模式図である。 （ａ）は圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるIXｂ−IXｂ方向の断面構成を示す模式図である。 （ａ）は圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXｂ−Xｂ方向の断面構成を示す模式図である。 （ａ）は圧電アクチュエータの製造過程の変形例を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXIｂ−XIｂ方向の断面構成を示す模式図である。 第２実施形態に係るＨＧＡ及びハードディスク装置に含まれるフレクシャを支持ビームに取り付けられる側から見た平面図である。 （ａ）は圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXIIIｂ−XIIIｂ方向の断面構成を示す模式図である。 （ａ）は圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXIVｂ−XIVｂ方向の断面構成を示す模式図である。 （ａ）は圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXVｂ−XVｂ方向の断面構成を示す模式図である。 （ａ）は圧電アクチュエータの製造過程を説明するための模式図であり、（ｂ）は（ａ）におけるXVIｂ−XVIｂ方向の断面構成を示す模式図である。 圧電アクチュエータの構成を説明するための模式図である。

符号の説明

１…ハードディスク装置、１０…ハードディスク、２０…ヘッドスタックアセンブリ、２２…アクチュエータアーム、３１…薄膜磁気ヘッド、３２…ヘッドスライダ、４０…サスペンション、６０…フレクシャ、６１…配線基板、６２ｃ〜６８ｃ…配線、６９…支持板、７０…圧電アクチュエータ、７１ａ，７１ｂ…電極、７３…薄膜圧電体、７５ａ…第１の電極膜、７５ｂ…第２の電極膜、７７…樹脂膜、７７ａ…第１の樹脂膜、７７ｂ…第２の樹脂膜、８０…伝達板、Ｆ１〜Ｆ３…薄膜、Ｌ１，Ｌ２…積層体、Ｓ…基板。

Claims (5)

1. 薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダが搭載されるサスペンションであって、
   アクチュエータアームに接続される支持ビーム部と、
   可撓性を有する配線基板を有すると共に、前記支持ビーム部に接着されるフレクシャと、
   前記フレクシャに接続されると共に、前記ヘッドスライダを前記サスペンションに対して相対的に変位させる圧電アクチュエータと、
   一方の面側が前記圧電アクチュエータに対向すると共に、他方の面側が前記ヘッドスライダに対向しており、前記圧電アクチュエータの変位を前記ヘッドスライダに伝達する金属製の伝達板と、を備え、
   前記伝達板は、後部と、前記後部に連結部を介して接続される前部とを有しており、
   前記伝達板の前記後部は前記圧電アクチュエータの根元部分と重なるように位置し、前記伝達板の前記前部は前記圧電アクチュエータの先端部分と重なるように位置しており、前記圧電アクチュエータは前記後部と前記前部とに渡るように前記伝達板に固定され、
   前記ヘッドスライダは、前記伝達板の前記前部に戴置されていることを特徴とするサスペンション。
2. 前記圧電アクチュエータは、圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを有しており、
   前記圧電体膜及び前記一対の電極膜は、前記伝達板の上に一方の前記電極膜、前記圧電体膜、及び他方の前記電極膜の順に成膜されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション。
3. 圧電体膜と、当該圧電体膜を挟むように配置される一対の電極膜とを含む積層体を更に備え、
   前記積層体は、前記他方の電極膜の上に接着されていることを特徴とする請求項２に記載のサスペンション。
4. 前記圧電アクチュエータは、前記根元部分において一体化されると共に前記先端部分において離間した第１領域と第２領域とを有しており、
   前記第１領域と前記第２領域とは、前記連結部を挟んで当該連結部の両側に位置していることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション。
5. 記録媒体と、この記録媒体に対して記録又は再生の少なくとも一方を行う薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダと、このヘッドスライダが搭載されるサスペンションとを備え、
   前記サスペンションは、
   アクチュエータアームに接続される支持ビーム部と、
   可撓性を有する配線基板を有すると共に、前記支持ビーム部に接着されるフレクシャと、
   前記フレクシャに接続されると共に、前記ヘッドスライダを前記サスペンションに対して相対的に変位させる圧電アクチュエータと、
   一方の面側が前記圧電アクチュエータに対向すると共に、他方の面側が前記ヘッドスライダに対向しており、前記圧電アクチュエータの変位を前記ヘッドスライダに伝達する金属製の伝達板と、を有し、
   前記伝達板は、後部と、前記後部に連結部を介して接続される前部とを有しており、
   前記伝達板の前記後部は前記圧電アクチュエータの根元部分と重なるように位置し、前記伝達板の前記前部は前記圧電アクチュエータの先端部分と重なるように位置しており、前記圧電アクチュエータは、前記後部と前記前部とに渡るように前記伝達板に固定され、
   前記ヘッドスライダは、前記伝達板の前記前部に戴置されていることを特徴とするハードディスク装置。
   

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