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JP3991318B2 - 光モジュールの製造方法、光通信装置、電子機器 - Google Patents

光モジュールの製造方法、光通信装置、電子機器 Download PDF

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Description

本発明は、光通信システムに用いて好適な光モジュール及びその製造方法に関する。
従来、基幹系、アクセス系において使用されていた光通信の技術は、LAN(Local Area Network)はもとより、各種装置に含まれる回路チップ相互間、あるいは回路基板相互間などにおける信号の高速伝送の用途に応用されつつある。このような光通信に用いられる光モジュールとして、特開2000−250846号公報(特許文献1)には、基板を挟んで光素子と光通路とを対向配置する構造の光モジュールが開示されている。
特開2002−250846号公報
光通信に用いられる光モジュールにおいては、通信の回線数やチャンネル数の増加に伴って更なる小型化が望まれ、かつ広い普及を図るために低コスト化が望まれている。
そこで、本発明は、製造コストの削減を図ることを可能とする光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
第1の態様の本発明は、透光性樹脂膜を介在させて、光素子と、光通路の一端を支持する支持部材とを対向配置してなる光モジュールの製造方法であって、上記透光性樹脂膜の一方面上に複数の上記光素子を取り付ける第1工程と、上記透光性樹脂膜の他方面側から当該透光性樹脂膜を通して上記光素子のそれぞれを撮像して画像認識処理を行い、各光素子の位置を検出する第2工程と、上記第2工程において検出した上記光素子のそれぞれの位置を基準にして取り付け位置の調整を行い、上記透光性樹脂膜の他方面上に複数の上記支持部材を取り付ける第3工程と、一対の上記光素子及び上記支持部材を含む所定領域ごとに上記透光性樹脂膜を切断して複数の上記光モジュールを得る第4工程と、を含むものである。
第2の態様の本発明は、透光性樹脂膜を介在させて、光素子と、光通路の一端を支持する支持部材とを対向配置してなる光モジュールの製造方法であって、上記透光性樹脂膜の一方面上に複数の上記支持部材を取り付ける第1工程と、上記透光性樹脂膜の他方面側から当該透光性樹脂膜を通して上記支持部材のそれぞれを撮像して画像認識処理を行い、各支持部材の位置を検出する第2工程と、上記第2工程において検出した上記支持部材のそれぞれの位置を基準にして取り付け位置の調整を行い、上記透光性樹脂膜の他方面上に複数の上記光素子を取り付ける第3工程と、一対の上記光素子及び上記支持部材を含む所定領域ごとに上記透光性樹脂膜を切断して複数の上記光モジュールを得る第4工程と、を含むものである。
上述した各態様の本発明にかかる製造方法では、シート状等に形成された大判の透光性樹脂膜に対して、多数の光モジュールに対応する多数の光素子や支持部材を一括して取り付け、最後に分割して個片化しているので、多数の光モジュールを一括して形成することが可能となる。従って、既に個片化された部品を組み立てて個々の光モジュールを製造する場合に比べて光素子等の部品のハンドリングが容易であり、透光性樹脂膜のロード、アンロードの手間を省くことができ、製造コストの削減が可能となる。また、本発明の製造方法はプロセスの自動化に対応しやすく、かかる点からも低コスト化が可能となる。
上記各態様の本発明は、上記光素子と上記透光性樹脂膜との間に屈折率整合材を充填する第5工程を更に含むことも好ましい。
これにより、光損失の少ない光モジュールを得る。
上記各態様の本発明は、上記光素子の全体を覆う封止材を形成する第6工程を更に含むことも好ましい。
これにより、耐環境性に優れた光モジュールを得る。
上記各態様の本発明は、上記透光性樹脂膜として上記光素子及び上記支持部材が配置されるべき位置の近傍に貫通孔を有するものを用い、上記第6工程においては、上記光素子を覆うと共に上記支持部材の少なくとも一部を覆うようにして、上記貫通孔を介して上記透光性樹脂膜の両面に渡って上記封止材を形成することも好ましい。
かかる方法によれば、強固な耐環境性を実現する封止材を形成する場合であっても、一括形成に対応しやすい。
上記各態様の本発明は、上記第4工程に先立って、上記光素子のそれぞれの動作を検査する第7工程を更に含むことも好ましい。
検査工程についても多数の光モジュールに対して一括して行うことが可能となり、より一層の製造コストの削減を図ることが可能となる。
また、上記各態様の本発明の製造方法に含まれる各工程を、上記透光性樹脂膜を一方向へ送り、当該透光性樹脂膜の送り方向に沿った複数箇所のそれぞれにおいて並行して行うことも好ましい。すなわち、いわゆるリールtoリール方式によって本発明の各工程を行うことが好ましい。
上記各態様の本発明の製造方法は、リールtoリール方式の製造方法を採用しやすいため、量産効果による製造コストの削減を図ることができる。
第3の態様の本発明は、光通路の一端を支持する支持部材と、当該支持部材が有する開口内に配置される光素子と、上記支持部材及び上記光素子が一方面上に配置される透光性樹脂膜と、を含んでなる光モジュールの製造方法であって、上記透光性樹脂膜の一方面上に複数の上記光素子を取り付ける第1工程と、上記透光性樹脂膜の他方面側から当該透光性樹脂膜を通して上記光素子のそれぞれを撮像して画像認識処理を行い、各光素子の位置を検出する第2工程と、上記第2工程において検出した上記光素子のそれぞれの位置を基準にして取り付け位置の調整を行い、上記透光性樹脂膜の一方面上に複数の上記支持部材を取り付ける第3工程と、一対の上記光素子及び上記支持部材を含む所定領域ごとに上記透光性樹脂膜を切断して複数の上記光モジュールを得る第4工程と、を含むものである。
第4の態様の本発明は、光通路の一端を支持する支持部材と、当該支持部材が有する開口内に配置される光素子と、上記支持部材及び上記光素子が一方面上に配置される透光性樹脂膜と、を含んでなる光モジュールの製造方法であって、上記透光性樹脂膜の一方面上に複数の上記支持部材を取り付ける第1工程と、上記透光性樹脂膜の他方面側から当該透光性樹脂膜を通して上記支持部材のそれぞれを撮像して画像認識処理を行い、各支持部材の位置を検出する第2工程と、上記第2工程において検出した上記支持部材のそれぞれの位置を基準にして取り付け位置の調整を行い、上記透光性樹脂膜の一方面上であって複数の上記支持部材のそれぞれの上記開口内に上記光素子を取り付ける第3工程と、一対の上記光素子及び上記支持部材を含む所定領域ごとに上記透光性樹脂膜を切断して複数の上記光モジュールを得る第4工程と、を含むものである。
上述した各態様の本発明にかかる製造方法においても、シート状等に形成された大判の透光性樹脂膜に対して、多数の光モジュールに対応する多数の光素子や支持部材を一括して取り付け、最後に分割して個片化しているので、多数の光モジュールを一括して形成することが可能となる。従って、既に個片化された部品を組み立てて個々の光モジュールを製造する場合に比べて光素子等の部品のハンドリングが容易であり、透光性樹脂膜のロード、アンロードの手間を省くことができ、製造コストの削減が可能となる。また、本発明の製造方法はプロセスの自動化に対応しやすく、かかる点からも低コスト化が可能となる。
上記各態様の本発明は、上記支持部材の上記開口内であって上記光素子と上記透光性樹脂膜との間に屈折率整合材を充填する第5工程を更に含むことも好ましい。
これにより、光損失の少ない光モジュールを得る。
上記各態様の本発明は、上記第4工程に先立って、上記光素子のそれぞれの動作を検査する第6工程を更に含むことも好ましい。
検査工程についても多数の光モジュールに対して一括して行うことが可能となり、より一層の製造コストの削減を図ることが可能となる。
上記各態様の本発明は、上記透光性樹脂膜を一方向へ送り、当該透光性樹脂膜の送り方向に沿った複数箇所のそれぞれにおいて各工程を並行して行うことも好ましい。すなわち、リールtoリール方式によって本発明の各工程を行うことが好ましい。
上記各態様の本発明の製造方法についても、リールtoリール方式の製造方法を採用しやすいため量産効果による製造コストの削減を図ることができる。
第5の態様の本発明は、上述した光モジュールを備える光通信装置(光トランシーバ)でもある。このような本発明にかかる光通信装置は、例えば、パーソナルコンピュータやいわゆるPDA(携帯型情報端末装置)など、光を伝送媒体として外部装置等との間の情報通信を行う各種の電子機器に用いることが可能である。なお、「光通信装置」とは、信号光の送信にかかる構成(発光素子等)と信号光の受信にかかる構成(受光素子等)の両方を含む装置のみならず、送信にかかる構成のみを備える装置(いわゆる光送信モジュール)や受信にかかる構成のみを備える装置(いわゆる光受信モジュール)を含む。
第6の態様の本発明は、上述した光モジュール或いは光トランシーバを備える電子機器でもある。ここで「電子機器」とは、電子回路等を用いて一定の機能を実現する機器一般をいい、その構成には特に限定がないが、例えば、パーソナルコンピュータ、PDA(携帯型情報端末)、電子手帳など各種機器が挙げられる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
<第1の実施形態>
図1は、第1の実施形態にかかる光モジュールの構成を説明する断面図である。図1に示す光モジュール1は、透光性樹脂膜を介在させて、光素子と、光通路の一端を支持する支持部材(スリーブ)とを対向配置した構成を有するものであり、光素子10、透光性樹脂膜12、第1配線膜14、第2配線膜16、屈折率整合材(アンダーフィル材)18、スリーブ20を含んで構成される。
光素子10は、透光性樹脂膜12上に配置されており、対向配置されるスリーブ20により一端を支持される光ファイバ(光通路)2へ向けて信号光を発光し、又は光ファイバから出射される信号光を受光する。例えば、光モジュール1が情報送信側に用いられる場合には光素子10としてVCSEL(面発光レーザ)などの発光素子が用いられる。また、光モジュール1が情報受信側に用いられる場合には光素子10として受光素子が用いられる。
透光性樹脂膜12は、光素子10とスリーブ20との間に介在し、これらを支持するものである。光素子10とスリーブ20に支持される光ファイバ2とはこの透光性樹脂膜12を介して光結合する。透光性樹脂膜12は、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂等の光を透過する樹脂を用いて形成することができる。光透過性が良好であり、可撓性を有し、取扱いが容易であるという点からはポリイミド膜が好適に用いられる。
第1配線膜14は、光素子10と図示しない外部の電子回路等との間の信号伝送を担うものであり、例えば銅などの導電体を用いて、透光性樹脂膜10の上面(一方面)に所定の形状(配線パターン)に形成されている。
第2配線膜16は、光素子10と図示しない外部の電子回路等との間の信号伝送を担うものであり、例えば銅などの導電体を用いて透光性樹脂膜10の下面(他方面)に所定の形状(配線パターン)に形成されている。例えば、この第2配線膜16は基準電位(接地電位)に接続されている。更に好ましくは、第2配線膜16は、光素子10の発光面又は受光面に対向する部位を開口させつつ、透光性樹脂膜10の下面の略全面に形成される。
なお、光素子10の高速動作に対応するためには、透光性樹脂膜12、第1配線膜14及び第2配線膜16を含んで、高周波信号の伝送に適したマイクロストリップラインを構成することが好ましい。その場合の詳細については後述する。
アンダーフィル材18は、光素子10と透光性樹脂膜12との間に設けられ、光損失を低減するためのものである。アンダーフィル材18としては、透光性樹脂膜12と屈折率の近い樹脂材料等が好適に用いられる。例えば本例では、アンダーフィル材18として熱硬化型エポキシ材料を用いる。アンダーフィル材18を設けることにより、界面反射が抑制されて光結合効率が向上する。
スリーブ20は、光ファイバ2の一端を支持して光素子10と対向配置させるためのものであり、光ファイバ2が挿入された際に当該光ファイバ2との間に実質的な隙間が生じない形状に形成された貫通孔22を有する。
次に、透光性樹脂膜12、第1配線膜14及び第2配線膜16を含んでマイクロストリップラインを構成する場合について詳細に説明する。このようにしてマイクロストリップラインを構成する場合に、その特性インピーダンスは以下の計算式に基づいて所望の値に設定することができる。すなわち、マイクロストリップラインの特性インピーダンスZ0(Ω)は、伝送路(第1配線膜14)の線幅をB、線厚みをC、伝送路とグラウンド(接地電位用の第2配線膜16)との間隔をH、誘電体層(透光性樹脂膜12)の比誘電率をεrとすると、以下の計算式によって求められる。
Z0=(87/(εr+1.41)1/2)×ln(5.98H/(0.8B+C))
ここで、光素子10の入出力インピーダンスが50Ωの場合には、マイクロストリップラインの特性インピーダンスを50Ωとすることにより、インピーダンス整合を図って信号減衰を防ぐことが可能となる。例えば、透光性樹脂膜12として、比誘電率εr=3.4のポリイミドを用い、B=0.09mm、H=0.05mm、C=0.012mmとすることにより、マイクロストリップラインの特性インピーダンスZ0を約50Ωとすることができる。透光性樹脂膜12の厚さは0.05mmとなるが、これより薄いと導体幅が狭くなり、直流抵抗分が増加したり線幅のばらつきによるインピーダンス値の変動が大きくなる場合がある。
本実施形態の光モジュール1はこのような構成を有しているため、小型で安価な光モジュールを提供し得る。また、透光性樹脂膜12を介在させることにより光素子10とスリーブ20との相互間が隔離されるので、光ファイバ2の挿入側からの外気及び湿気等の影響を防ぎ、光素子の密封性を高めることが可能となる。次に、本実施形態の光モジュール1の製造方法について説明する。
図2は、第1の実施形態の光モジュールの製造方法を説明する図である。
(光素子実装工程)
図2(A)に示すように、透光性樹脂膜12を用意し、当該透光性樹脂膜12の一方面上に複数の光素子10を取り付ける。各光素子10はその発光面又は受光面が透光性樹脂膜12と対向するようにして取り付けられる。各光素子10は、例えばフリップチップボンディング法により一括して各第1配線膜14の所定位置に接続される。透光性樹脂膜12としては、例えば、数〜数百の光モジュールに対応した複数の配線膜を含むフレキシブルプリント基板(FPC:flexible printed circuits)を用いる。本実施形態では、ポリイミド膜の一方面に第1配線膜14が配置され、他方面に第2配線膜16が配置されるマイクロストリップラインを含むフレキシブルプリント基板を用いる。フレキシブルプリント基板に含まれる第1配線膜14及び第2配線膜16としては、例えば、厚み約10μmの銅(Cu)に、ニッケル(Ni)や金(Au)などを電鋳して12μm程度の厚さとしたものが好適である。
(アンダーフィル材形成工程)
次に、図2(A)に示すように、光素子10と透光性樹脂膜12との相互間に、透光性樹脂膜12と屈折率のほぼ等しいアンダーフィル材18を充填する。本例では、光素子10と透光性樹脂膜12との間に1液性の熱硬化型エポキシ材料を供給し、その後、熱硬化させることによってアンダーフィル材18を形成する。
(画像認識工程)
次に、図2(B)に示すように、透光性樹脂膜12の他方面側から当該透光性樹脂膜12を通して各光素子10のそれぞれを撮像して画像認識処理を行い、各光素子10のパターン位置(形状)を検出する。各光素子10の撮像は、例えばCCDカメラなどの撮像手段によって行われる。透光性樹脂膜12としてポリイミド膜を用いる場合には、ポリイミドが赤色光から近赤外光における透明性が高いので、かかる波長範囲に対する感度が高い撮像手段を用いるとよい。また、画像認識処理の対象としては、後のスリーブ20の取り付け時に基準位置として利用できるものであれば光素子10の如何なる部分を検出してもよいが、特に各光素子10の発光部又は受光部を検出することが好ましい。光素子10が発光素子である場合には、通電して発光させ、この発光位置を画像認識処理によって検出することも好適である。
(スリーブ実装工程)
次に、図2(C)に示すように、上記工程において検出した光素子10のそれぞれの位置を基準にして取り付け位置の調整を行い、透光性樹脂膜12の他方面上の各光素子10のそれぞれと対向する位置に各スリーブ20を取り付ける。上記工程において光素子10の発光部又は受光部を検出した場合であれば、これらの発光部等とスリーブ20の貫通孔22の中心軸(中央)とが略一致するように、スリーブ20の取り付け位置の調整が行われる。光ファイバ2はスリーブ20の貫通孔22に挿入することにより位置合わせがなされて光素子10と光学結合するので、光素子10の位置を基準にして当該基準とスリーブ20の貫通孔22の中央とが略一致するようにスリーブ20の取り付けを行うことにより、光ファイバ2と光素子10との光軸調整を容易に行うことが可能となる。スリーブ20の取り付けは、例えば当該スリーブ20と透光性樹脂膜12との間に熱硬化性の接着シートを挟んで熱圧着することにより行うとよい。かかる方法は、液状の接着材を用いる場合に比べて接着材のはみ出しがなく、簡単かつ強固に取り付けを行うことができるため都合がよい。
(検査工程)
次に、必要に応じて各光素子10のそれぞれの動作チェック(検査)を行う。各配線膜を介して光素子10に対する給電を行い、発光状態又は受光状態の評価など各種の所望の検査を行う。1つ1つの光モジュールごとに個片化する前に検査を行うので、各光素子10への給電を一括して行うことができ、評価に要する作業を大幅に短縮することが可能となる。なお、一括給電ではなく各光素子10に対してプローブ等を用いて個別的に給電することも可能である。この場合でも、プロセスの自動化に対する対応が容易になるため、各光モジュール1に個片化した後に個々に評価するよりも短時間で検査を行うことが可能となる。
(切断工程)
次に、図2(D)に示すように、複数の光モジュール1のそれぞれに対応する所定領域、すなわち一対の光素子10及びスリーブ20を含む領域ごとに透光性樹脂膜12を切断して複数の光モジュール1を得る。本工程における切断は、ダイシングやレーザ切断等の方法によって行うことができる。以上の工程を経て、本実施形態の光モジュール1が完成する。
上記の光モジュール1に対して光素子10を駆動するための回路(送信IC、受信IC等)を取り付け、或いはこれらの回路が実装された回路基板に上記光モジュール1を取り付けることにより、光トランシーバ(光通信装置)を構成することができる。このような本発明にかかる光モジュールや光通信装置は、例えば、パーソナルコンピュータやいわゆるPDA(携帯型情報端末装置)など、光を伝送媒体として外部装置等との間の情報通信を行う各種の電子機器に用いることが可能である。
ところで、上述した図2で説明した製造方法では、光素子10の取り付けを先に行い、その後この光素子10の形状を認識して相対位置が合うようにスリーブ20の取り付けを行っていたが、光素子10とスリーブ20の取り付けの順番を逆にしてもよい。以下、この場合の製造方法について説明する。なお、上記した製造方法と重複する内容については適宜説明を省略する。
図3は、第1の実施形態の光モジュールの製造方法の他の例を説明する図である。
(スリーブ実装工程)
図3(A)に示すように、透光性樹脂膜12を用意し、当該透光性樹脂膜12の下面(一方面)に複数のスリーブ20を取り付ける。
(画像認識工程)
次に、図3(B)に示すように、透光性樹脂膜12の他方面(上面)側から当該透光性樹脂膜12を通して各スリーブ20のそれぞれを撮像して画像認識処理を行い、各スリーブ20のパターン位置(形状)を検出する。画像認識処理の対象としては、後の光素子10の取り付け時に基準位置として利用できるものであればスリーブ20の如何なる部分を検出してもよいが、特に各スリーブ20の貫通孔22を検出することが好ましい。
(光素子実装工程)
次に、図3(C)に示すように、上記工程において検出したスリーブ20のそれぞれの位置を基準にして取り付け位置の調整を行い、透光性樹脂膜12の他方面上の各スリーブ20のそれぞれと対向する位置に各光素子10を取り付ける。上記工程においてスリーブ20の貫通孔22を検出した場合であれば、この貫通孔22の中心軸(中央)と光素子10の発光部又は受光部とが略一致するように、各光素子10の取り付け位置の調整が行われる。光ファイバ2はスリーブ20の貫通孔22に挿入することにより位置合わせがなされて光素子10と光学結合するので、スリーブ20の貫通孔22の位置を基準にして当該基準と光素子10の発光部等とが略一致するように光素子10の取り付けを行うことにより、光ファイバ2と光素子10との光軸調整を容易に行うことが可能となる。
(アンダーフィル材形成工程)
その後、光素子10と透光性樹脂膜12との相互間に、透光性樹脂膜12と屈折率のほぼ等しいアンダーフィル材18を充填する。
(検査工程)
また、必要に応じて各光素子10のそれぞれの動作チェック(検査)を行う。
(切断工程)
次に、図3(D)に示すように、複数の光モジュール1のそれぞれに対応する所定領域、すなわち一対の光素子10及びスリーブ20を含む領域ごとに透光性樹脂膜12を切断して複数の光モジュール1を得る。以上の製造方法によっても本実施形態の光モジュール1を製造することができる。
また、上述した光モジュール1に対して、更に光素子10の略全体を覆って外部環境から保護する封止材を設けることも好ましい。以下にこの場合の製造方法の一例を説明する。なお、上記した製造方法と重複する内容については適宜説明を省略する。
図4は、第1の実施形態の光モジュールの製造方法の他の例を説明する図である。
まず、上述した図2(A)〜図2(C)、又は図3(A)〜図3(C)に示した工程と同様にして、光素子10及びスリーブ20の取り付けを行う。本例では後の封止材の形成時の都合上、光素子10及びスリーブ20が配置されるべき位置の近傍に貫通孔114を有する透光性樹脂膜12aを用いる(図4(A))。
(封止材形成工程)
次に、図4(B)に示すように、光素子10の全体を覆うようにして封止材24を形成する。図示のように、本例の封止材24は、光素子10を覆うと共にスリーブ20の少なくとも一部を覆うようにして、各貫通孔114を介して透光性樹脂膜12の両面に渡って形成される。この封止材24は、例えば樹脂のインサート成型を行うことによって形成される。インサート成型を行う際に樹脂材料が通るように貫通孔114を設けておくことにより、透光性樹脂膜12の両面に渡る封止材24を容易に形成することができる。また、スリーブ20の少なくとも一部を覆うように封止材24を形成することにより、強固に封止を行うことが可能となる。
このように、本実施形態の製造方法では、シート状等に形成された大判の透光性樹脂膜に対して、多数の光モジュールに対応する多数の光素子や支持部材を一括して取り付け、最後に分割して個片化しているので、多数の光モジュールを一括して形成することが可能となる。従って、既に個片化された部品を組み立てて個々の光モジュールを製造する場合に比べて光素子等の部品のハンドリングが容易であり、透光性樹脂膜のロード、アンロードの手間を省くことができ、製造コストの削減が可能となる。また、本発明の製造方法はプロセスの自動化に対応しやすく、かかる点からも低コスト化が可能となる。
更に、本実施形態の製造方法は、透光性樹脂膜を一方向へ送りながら当該透光性樹脂膜の送り方向に沿った複数箇所のそれぞれにおいて上述した各工程を並行して行う、いわゆるリールtoリール方式の採用が容易である。
図5は、いわゆるリールtoリール方式を採用する場合の製造方法の例を説明する図である。図5では上述した図2で説明した製造工程をリールtoリール方式に応用した場合の例が概略的に示されている。なお図3、図4で説明した製造方法の場合についても同様にしてリールtoリール方式に応用可能である。図5に示すように、透光性樹脂膜12が一方向に間欠的に、あるいは連続的に送られ、その送り方向に沿った各箇所のそれぞれにおいて、光素子実装工程、画像認識工程、スリーブ実装工程及び切断工程が並行して行われる。また、必要に応じて、光素子実装工程の後にアンダーフィル材形成工程が追加され、或いは切断工程の前に検査工程や封止材形成工程が追加される。
<第2の実施形態>
図6は、第2の実施形態にかかる光モジュールの構成を説明する断面図である。図6に示す光モジュール5は、光通路の一端を支持する支持部材(レセプタクル)と、当該支持部材が有する開口内に配置される光素子と、支持部材及び光素子が一方面上に配置される透光性樹脂膜と、を含んで構成されるものであり、光素子50、透光性樹脂膜52、第1配線膜54、第2配線膜56、屈折率整合材(アンダーフィル材)58、レセプタクル60を含んで構成される。本例の光モジュール5は、一般にMTコネクタと称される規格に対応する構造を有するものである。すなわち、本例の光モジュール5は、光通路としてのテープファイバ7の一端に設けられるフェルール6と相互に組み合わせて、一対のMTコネクタを構成するものである。フェルール6側には2又はそれ以上のピン8が設けられ、光モジュール5側にはこれらのピン8と嵌合すべき貫通孔62、64が設けられる。これらのピンと貫通孔とを嵌合させることにより、光素子50とテープファイバ7との相対的な位置決めがなされる。
光素子50は、レセプタクル60が有する開口63の内側であって透光性樹脂膜52上に配置されており、対向配置されるフェルール6により一端を支持されるテープファイバ(光通路)7へ向けて信号光を発光し、又はテープファイバから出射される信号光を受光する。例えば、光モジュール5が情報送信側に用いられる場合には光素子50としてVCSEL(面発光レーザ)などの発光素子が用いられる。光素子50は複数のVCSELを含むVCSELアレイであってもよい。また、光モジュール5が情報受信側に用いられる場合には光素子50として受光素子が用いられる。光素子50は複数の受光素子(PD)を含むPDアレイであってもよい。
透光性樹脂膜52は、一方面上に光素子50とレセプタクル60が配置され、これらを支持する。光素子50とテープファイバ7とはこの透光性樹脂膜52を介して光結合する。透光性樹脂膜52は、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂等の光を透過する樹脂を用いて形成することができる。光透過性が良好であり、可撓性を有し、取扱いが容易であるという点からはポリイミド膜が好適に用いられる。
第1配線膜54は、光素子50と図示しない外部の電子回路等との間の信号伝送を担うものであり、例えば銅などの導電体を用いて、透光性樹脂膜50の上面(一方面)に所定の形状(配線パターン)に形成されている。
第2配線膜56は、光素子50と図示しない外部の電子回路等との間の信号伝送を担うものであり、例えば銅などの導電体を用いて透光性樹脂膜50の下面(他方面)に所定の形状(配線パターン)に形成されている。例えば、この第2配線膜56は基準電位(接地電位)に接続されている。更に好ましくは、第2配線膜56は、光素子50の発光面又は受光面に対向する部位を開口させつつ、透光性樹脂膜52の下面の略全面に形成される。
なお、光素子50の高速動作に対応するためには、透光性樹脂膜52、第1配線膜54及び第2配線膜56を含んで、高周波信号の伝送に適したマイクロストリップラインを構成することが好ましい。
アンダーフィル材58は、レセプタクル60の開口63内であって光素子50と透光性樹脂膜52との間に設けられ、光損失を低減するためのものである。アンダーフィル材58としては、透光性樹脂膜52と屈折率の近い樹脂材料等が好適に用いられる。例えば本例では、アンダーフィル材58として熱硬化型エポキシ材料を用いる。アンダーフィル材58を設けることにより、界面反射が抑制されて光結合効率が向上する。
レセプタクル60は、テープファイバ7の一端に設けられたフェルール6を支持し、テープファイバ7と光素子50と対向配置させるためのものであり、フェルール6のピン8と嵌合すべき貫通孔62を有する。この貫通孔62と連通するように透光性樹脂膜52にも貫通孔64が設けられており、これらの貫通孔62、64にフェルール6のピン8が挿入される。
本実施形態の光モジュール5はこのような構成を有しているため、小型で安価な光モジュールを提供し得る。また、透光性樹脂膜52を介在させることにより光素子50とフェルール6との相互間が隔離されるので、テープファイバ7の配置側からの外気及び湿気等の影響を防ぎ、光素子の密封性を高めることが可能となる。次に、本実施形態の光モジュール5の製造方法について説明する。
図7は、第2の実施形態の光モジュールの製造方法を説明する図である。なお、上述した第1の実施形態と重複する内容については適宜説明を省略する。
(光素子実装工程)
図7(A)に示すように、透光性樹脂膜52を用意し、当該透光性樹脂膜52の一方面上に複数の光素子50を取り付ける。
(画像認識工程)
次に、図7(B)に示すように、透光性樹脂膜52の他方面側から当該透光性樹脂膜52を通して各光素子50のそれぞれを撮像して画像認識処理を行い、各光素子50のパターン位置(形状)を検出する。各光素子50の発光部又は受光部を検出すると更に好ましい。
(レセプタクル実装工程)
次に、図7(C)に示すように、上記工程において検出した光素子50のそれぞれの位置を基準にして取り付け位置の調整を行い、透光性樹脂膜52の一方面上に、各光素子10が開口63内に配置されるようにして各レセプタクル60を取り付ける。また、レセプタクル60は、当該レセプタクル60の貫通孔62と透光性樹脂膜52の貫通孔64とが連通するように位置合わせがなされる。レセプタクル60の取り付けは、例えば当該レセプタクル60と透光性樹脂膜52との間に熱硬化性の接着シートを挟んで熱圧着することにより行うとよい。
(アンダーフィル材形成工程)
次に、図7(D)に示すように、レセプタクル60の開口63内であって光素子50と透光性樹脂膜52との相互間に、透光性樹脂膜52と屈折率のほぼ等しいアンダーフィル材58を充填する。
(検査工程)
次に、必要に応じて各光素子50のそれぞれの動作チェック(検査)を行う。各配線膜を介して光素子50に対する給電を行い、発光状態又は受光状態の評価など各種の所望の検査を行う。1つ1つの光モジュールごとに個片化する前に検査を行うので、各光素子50への給電を一括して行うことができ、評価に要する作業を大幅に短縮することが可能となる。なお、一括給電ではなく各光素子50に対してプローブ等を用いて個別的に給電することも可能である。この場合でも、プロセスの自動化に対する対応が容易になるため、各光モジュール5に個片化した後に個々に評価するよりも短時間で検査を行うことが可能となる。
(切断工程)
次に、図7(E)に示すように、複数の光モジュール5のそれぞれに対応する所定領域、すなわち一対の光素子50及びレセプタクル60を含む領域ごとに透光性樹脂膜52を切断して複数の光モジュール5を得る。本工程における切断は、ダイシングやレーザ切断等の方法によって行うことができる。以上の工程を経て、本実施形態の光モジュール5が完成する。
上記の光モジュール5に対して光素子50を駆動するための回路(送信IC、受信IC等)を取り付け、或いはこれらの回路が実装された回路基板に上記光モジュール5を取り付けることにより、光トランシーバ(光通信装置)を構成することができる。このような本発明にかかる光モジュールや光通信装置は、例えば、パーソナルコンピュータやいわゆるPDA(携帯型情報端末装置)など、光を伝送媒体として外部装置等との間の情報通信を行う各種の電子機器に用いることが可能である。
ところで、上述した図7で説明した製造方法では、光素子50の取り付けを先に行い、その後この光素子50の形状を認識して相対位置が合うようにレセプタクル60の取り付けを行っていたが、光素子50とレセプタクル60の取り付けの順番を逆にしてもよい。以下、この場合の製造方法について説明する。
図8は、第2の実施形態の光モジュールの製造方法の他の例を説明する図である。
(スリーブ実装工程)
図8(A)に示すように、透光性樹脂膜12を用意し、当該透光性樹脂膜12の上面(一方面)に複数のレセプタクル60を取り付ける。
(画像認識工程)
次に、図8(B)に示すように、透光性樹脂膜52の下面(他方面)側から当該透光性樹脂膜52を通して各レセプタクル60のそれぞれを撮像して画像認識処理を行い、各レセプタクル60のパターン位置(形状)を検出する。画像認識処理の対象としては、後の光素子50の取り付け時に基準位置として利用できるものであればレセプタクル60の如何なる部分を検出してもよいが、特に各レセプタクル60の貫通孔62を検出することが好ましい。なお、貫通孔62を透光性樹脂膜52の上面側から撮像して画像認識処理を行うことも可能である。
(光素子実装工程)
次に、図8(C)に示すように、上記工程において検出したレセプタクル60のそれぞれの位置を基準にして取り付け位置の調整を行い、透光性樹脂膜52の一方面上であって各レセプタクル60の開口63内に各光素子10を取り付ける。
(アンダーフィル材形成工程)
その後、レセプタクル60の開口63内であって光素子50と透光性樹脂膜52との相互間に、透光性樹脂膜52と屈折率のほぼ等しいアンダーフィル材58を充填する。
(検査工程)
また、必要に応じて各光素子50のそれぞれの動作チェック(検査)を行う。
(切断工程)
次に、図8(E)に示すように、複数の光モジュール5のそれぞれに対応する所定領域、すなわち一対の光素子50及びレセプタクル60を含む領域ごとに透光性樹脂膜52を切断して複数の光モジュール5を得る。以上の製造方法によっても本実施形態の光モジュール1を製造することができる。
このように、本実施形態の製造方法では、シート状等に形成された大判の透光性樹脂膜に対して、多数の光モジュールに対応する多数の光素子や支持部材を一括して取り付け、最後に分割して個片化しているので、多数の光モジュールを一括して形成することが可能となる。従って、既に個片化された部品を組み立てて個々の光モジュールを製造する場合に比べて光素子等の部品のハンドリングが容易であり、透光性樹脂膜のロード、アンロードの手間を省くことができ、製造コストの削減が可能となる。また、本発明の製造方法はプロセスの自動化に対応しやすく、かかる点からも低コスト化が可能となる。
更に、本実施形態の製造方法についても、透光性樹脂膜を一方向へ送りながら当該透光性樹脂膜の送り方向に沿った複数箇所のそれぞれにおいて上述した各工程を並行して行う、いわゆるリールtoリール方式の採用が容易である。上述した第1の実施形態の場合(図5参照)と同様であるために図示は省略するが、透光性樹脂膜52が一方向に間欠的に、あるいは連続的に送られ、その送り方向に沿った各箇所のそれぞれにおいて、上記図7又は図8において説明した各工程を並行して行えばよい。また、必要に応じて、光素子実装工程の後にアンダーフィル材形成工程を追加し、或いは切断工程の前に検査工程や封止材形成工程を追加すればよい。
なお、本発明は上述した各実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、光素子を駆動するための駆動回路等の付加回路を含まない光モジュールを例に挙げて説明していたが、これらの付加回路を含む光モジュールであっても本発明を適用することが可能である。
第1の実施形態にかかる光モジュールの構成を説明する断面図である。 第1の実施形態の光モジュールの製造方法を説明する図である。 第1の実施形態の光モジュールの製造方法の他の例を説明する図である。 第1の実施形態の光モジュールの製造方法の他の例を説明する図である。 いわゆるリールtoリール方式を採用する場合の製造方法の例を説明する図である。 第2の実施形態にかかる光モジュールの構成を説明する断面図である。 第2の実施形態の光モジュールの製造方法を説明する図である。 第2の実施形態の光モジュールの製造方法の他の例を説明する図である。
符号の説明
1…光モジュール、 2…光通路(光ファイバ)、 10…光素子、 12…透光性樹脂膜、 14…第1配線膜、 16…第2配線膜、 18…屈折率整合材(アンダーフィル材)、 20…支持部材(スリーブ)

Claims (12)

  1. 透光性樹脂膜を介在させて、光素子と、光通路の一端を支持する支持部材とを対向配置してなる光モジュールの製造方法であって、
    前記透光性樹脂膜の一方面上に複数の前記光素子を取り付ける第1工程と、
    前記透光性樹脂膜の他方面側から当該透光性樹脂膜を通して前記光素子のそれぞれを撮像して画像認識処理を行い、各光素子の位置を検出する第2工程と、
    前記第2工程において検出した前記光素子のそれぞれの位置を基準にして取り付け位置の調整を行い、前記透光性樹脂膜の他方面上に複数の前記支持部材を取り付ける第3工程と、
    相互に対向配置された前記光素子と前記支持部材との対を含む所定領域ごとに前記透光性樹脂膜を切断する第4工程と、
    を含む、光モジュールの製造方法。
  2. 透光性樹脂膜を介在させて、光素子と、光通路の一端を支持する支持部材とを対向配置してなる光モジュールの製造方法であって、
    前記透光性樹脂膜の一方面上に複数の前記支持部材を取り付ける第1工程と、
    前記透光性樹脂膜の他方面側から当該透光性樹脂膜を通して前記支持部材のそれぞれを撮像して画像認識処理を行い、各支持部材の位置を検出する第2工程と、
    前記第2工程において検出した前記支持部材のそれぞれの位置を基準にして取り付け位置の調整を行い、前記透光性樹脂膜の他方面上に複数の前記光素子を取り付ける第3工程と、
    相互に対向配置された前記光素子と前記支持部材との対を含む所定領域ごとに前記透光性樹脂膜を切断する第4工程と、
    を含む、光モジュールの製造方法。
  3. 前記光素子と前記透光性樹脂膜との間に屈折率整合材を充填する第5工程を更に含む、請求項1又は2に記載の光モジュールの製造方法。
  4. 前記光素子の全体を覆う封止材を形成する第6工程を更に含む、請求項1又は2に記載の光モジュールの製造方法。
  5. 前記透光性樹脂膜は、前記光素子及び前記支持部材が配置されるべき位置の近傍に貫通孔を有し、前記第6工程における前記封止材は、前記光素子を覆うと共に前記支持部材の少なくとも一部を覆うようにして、前記貫通孔を介して前記透光性樹脂膜の両面に渡って形成される、請求項4に記載の光モジュールの製造方法。
  6. 前記第4工程に先立って、前記光素子のそれぞれの動作を検査する第7工程を更に含む、請求項1又は2に記載の光モジュールの製造方法。
  7. 前記透光性樹脂膜を一方向へ送り、当該透光性樹脂膜の送り方向に沿った複数箇所のそれぞれにおいて前記第1工程乃至前記第4工程を並行して行う、請求項1乃至6のいずれかに記載の光モジュールの製造方法。
  8. ピンが設けられており光通路の一端に設けられるフェルールを支持する支持部材と、当該支持部材が有する開口内に配置される光素子と、前記支持部材及び前記光素子が一方面上に配置される透光性樹脂膜と、を含んでなる光モジュールの製造方法であって、
    前記透光性樹脂膜の一方面上に複数の前記光素子を取り付ける第1工程と、
    前記透光性樹脂膜の他方面側から当該透光性樹脂膜を通して前記光素子のそれぞれを撮像して画像認識処理を行い、各光素子の位置を検出する第2工程と、
    前記第2工程において検出した前記光素子のそれぞれの位置を基準にして取り付け位置の調整を行い、前記透光性樹脂膜の一方面上に複数の前記支持部材を取り付ける第3工程と、
    前記支持部材と当該支持部材内に配置される前記光素子との対を含む所定領域ごとに前記透光性樹脂膜を切断する第4工程と、
    前記フェルールを、前記光素子と前記支持部材との対のそれぞれに対して、前記透光性樹脂膜の他方面側から、当該透光性樹脂膜及び前記支持部材のそれぞれに予め設けられており相互に連通する貫通孔と前記ピンとを嵌合させることにより組み合わせる第5工程と、
    を含む、光モジュールの製造方法。
  9. ピンが設けられており光通路の一端に設けられるフェルールを支持する支持部材と、当該支持部材が有する開口内に配置される光素子と、前記支持部材及び前記光素子が一方面上に配置される透光性樹脂膜と、を含んでなる光モジュールの製造方法であって、
    前記透光性樹脂膜の一方面上に複数の前記支持部材を取り付ける第1工程と、
    前記透光性樹脂膜の他方面側から当該透光性樹脂膜を通して前記支持部材のそれぞれを撮像して画像認識処理を行い、各支持部材の位置を検出する第2工程と、
    前記第2工程において検出した前記支持部材のそれぞれの位置を基準にして取り付け位置の調整を行い、前記透光性樹脂膜の一方面上であって複数の前記支持部材のそれぞれの前記開口内に前記光素子を取り付ける第3工程と、
    前記支持部材と当該支持部材内に配置される前記光素子との対を含む所定領域ごとに前記透光性樹脂膜を切断する第4工程と、
    前記フェルールを、前記光素子と前記支持部材との対のそれぞれに対して、前記透光性樹脂膜の他方面側から、当該透光性樹脂膜及び前記支持部材のそれぞれに予め設けられており相互に連通する貫通孔と前記ピンとを嵌合させることにより組み合わせる第5工程と、
    を含む、光モジュールの製造方法。
  10. 前記支持部材の前記開口内であって前記光素子と前記透光性樹脂膜との間に屈折率整合材を充填する第6工程を更に含む、請求項8又は9に記載の光モジュールの製造方法。
  11. 前記第4工程に先立って、前記光素子のそれぞれの動作を検査する第7工程を更に含む、請求項8又は9に記載の光モジュールの製造方法。
  12. 前記透光性樹脂膜を一方向へ送り、当該透光性樹脂膜の送り方向に沿った複数箇所のそれぞれにおいて前記第1工程乃至前記第4工程を並行して行う、請求項8乃至11のいずれかに記載の光モジュールの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007088584A1 (ja) 2006-01-31 2007-08-09 Fujitsu Limited 光モジュールおよびその製造方法
US8157614B2 (en) * 2009-04-30 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Method of making and apparatus having windowless polishing pad and protected fiber
JP5809866B2 (ja) 2011-07-21 2015-11-11 オリンパス株式会社 光素子モジュール、光伝送モジュール、および光伝送モジュールの製造方法
WO2013090823A1 (en) * 2011-12-14 2013-06-20 Finisar Corporation Chip on flex optical subassembly
JP6485840B2 (ja) * 2015-01-23 2019-03-20 オリンパス株式会社 光伝送モジュールおよび内視鏡

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04212906A (ja) * 1990-12-06 1992-08-04 Nec Corp 光モジュール
JPH05121710A (ja) * 1991-10-24 1993-05-18 Furukawa Electric Co Ltd:The 受発光素子アレイモジユール
JP3277646B2 (ja) * 1993-11-10 2002-04-22 富士通株式会社 光半導体装置の製造方法
JP2000321469A (ja) * 1999-05-12 2000-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光結合装置とその製造方法および光ファイバモジュール
TW506236B (en) 2000-06-09 2002-10-11 Sanyo Electric Co Method for manufacturing an illumination device
JP3540770B2 (ja) * 2000-06-09 2004-07-07 三洋電機株式会社 光照射装置の製造方法
US6800857B2 (en) * 2000-08-10 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Large-area fiber plate, radiation image pickup apparatus utilizing the same and producing method therefor
JP3821638B2 (ja) * 2000-08-30 2006-09-13 康博 小池 Pof通信用受光装置
JP2002164602A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
JP2002250846A (ja) 2001-02-26 2002-09-06 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
JP3775480B2 (ja) * 2001-03-13 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 光モジュールの製造方法
US20040179722A1 (en) * 2001-10-02 2004-09-16 Katsunori Moritoki Image sensing apparatus
JP2004031508A (ja) 2002-06-24 2004-01-29 Nec Corp 光電気複合モジュールおよびそのモジュールを構成要素とする光入出力装置
JP3759494B2 (ja) 2002-12-12 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 光通信装置
JP2004287065A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Seiko Epson Corp 光通信モジュール、光通信装置、及びその製造方法
JP2004309570A (ja) * 2003-04-02 2004-11-04 Seiko Epson Corp 光通信モジュール、光通信装置、及びその製造方法
JP2004309925A (ja) 2003-04-09 2004-11-04 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器
JP2004319843A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器
JP3960257B2 (ja) 2003-04-25 2007-08-15 セイコーエプソン株式会社 光通信モジュール、光通信装置、及びその製造方法
JP3807385B2 (ja) * 2003-05-14 2006-08-09 セイコーエプソン株式会社 光モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器
JP2004361630A (ja) 2003-06-04 2004-12-24 Seiko Epson Corp 光通信モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器

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