JP3972727B2 - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は内燃機関の排気浄化装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、リーン空燃比のもとで燃焼が継続される内燃機関の排気通路内に、流入する排気ガスの空燃比がリーンのときに流入する排気ガス中のNOXを蓄え、流入する排気ガスの空燃比が低下したときに排気ガス中に還元剤が含まれていると蓄えているNOXを還元して蓄えているNOXの量が減少するNOX触媒を配置し、NOX触媒に還元剤を供給するための還元剤供給弁をNOX触媒上流の排気通路内に配置し、NOX触媒内に蓄えられているイオウ分の量を減少させるべきときには還元剤供給弁からNOX触媒に還元剤を供給してNOX触媒内に流入する排気ガスの空燃比を一時的に理論空燃比又はリッチに切り替えるようにした内燃機関の排気浄化装置が知られている。
【0003】
ところが、NOX触媒内を多量の排気ガスが流通しているときにこの排気ガスの空燃比を理論空燃比又はリッチに切り替えるためには多量の還元剤が必要となる。
【0004】
そこで、NOX触媒を迂回してNOX触媒上流の排気通路とNOX触媒下流の排気通路とを互いに接続するバイパス通路を設け、開弁されると排気ガスがバイパス通路内を流通してNOX触媒内を流通する排気ガスの量が減少するバイパス制御弁をバイパス通路内に配置し、バイパス制御弁を閉弁状態に保持すると共に、NOX触媒内に蓄えられているイオウ分の量を減少させるべきときに一時的に開弁するようにした内燃機関の排気浄化装置が公知である(特開2001−336418号公報参照)。このようにすると、NOX触媒内に流入する排気ガスの空燃比を理論空燃比又はリッチに切り替えるために必要な還元剤の量を低減することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このようなNOX触媒内に蓄えられているイオウ分の量の減少作用は例えばNOX触媒内に蓄えられているイオウ分の量が許容最大量を越えたときに行われる。ところが、排気ガス中に含まれるイオウ分の量はNOXに比べるとかなり少なく、このためこの減少作用が行われる頻度はかなり低くなっている。このことはバイパス制御弁が長時間にわたって閉弁状態に保持されるということを意味しており、その結果バイパス制御弁が閉弁位置に固着する恐れがあるという問題点がある。バイパス制御弁が閉弁位置に固着するとNOX触媒内に蓄えられているイオウ分の量を減少させるために必要な還元剤の量をもはや低減することができなくなる。
【0006】
そこで本発明の目的は、NOX触媒内に蓄えられているイオウ分の量を減少させるために必要な還元剤の量を確実に低減することができる内燃機関の排気浄化装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために1番目の発明によれば、リーン空燃比のもとで燃焼が継続される内燃機関の排気通路内に、流入する排気ガスの空燃比がリーンのときに流入する排気ガス中のNOXを蓄え、流入する排気ガスの空燃比が低下したときに排気ガス中に還元剤が含まれていると蓄えているNOXを還元して蓄えているNOXの量が減少するNOX触媒を配置し、NOX触媒を迂回してNOX触媒上流の排気通路とNOX触媒下流の排気通路とを互いに接続するバイパス通路を設け、開弁されると排気ガスがバイパス通路内に流入してNOX触媒内に流入する排気ガスの量が減少するバイパス制御弁をバイパス通路内に配置した内燃機関の排気浄化装置において、バイパス制御弁が閉弁状態に保持されており、バイパス通路の流入端が接続されている部分とバイパス通路の流出端が接続されている部分との間の排気通路内に、機関減速運転が行われると一時的に閉弁される排気絞り弁を配置し、一時的に閉弁されている排気絞り弁を開弁すべきときには排気絞り弁を閉弁状態に保持しつつバイパス制御弁を一時的に開弁し、次いで排気絞り弁を開弁するようにしている。
【0008】
また、2番目の発明によれば1番目の発明において、バイパス通路の流入端が接続されている部分とNOX触媒との間の排気通路内に、NOX触媒に還元剤を供給するための還元剤供給弁を配置し、一時的に閉弁されている排気絞り弁を開弁すべきときにバイパス制御弁が一時的に開弁されているときに還元剤供給弁からNOX触媒に還元剤を供給するようにしている。
【0009】
また、3番目の発明によれば1番目の発明において、前記NOX触媒内に蓄えられているイオウ分を還元して蓄えられているイオウ分の量を減少させるべきときに、バイパス制御弁が一時的に開弁される。
【0010】
また、4番目の発明によれば1番目の発明において、前記NOX触媒が排気ガス中に含まれる微粒子を捕集するためのパティキュレートフィルタ上に担持されている。
【0011】
なお、本明細書では排気通路の或る位置よりも上流の排気通路、燃焼室、及び吸気通路内に供給された空気の量と、炭化水素HC及び一酸化炭素COのような還元剤の量との比をその位置における排気ガスの空燃比と称している。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1は本発明を圧縮着火式内燃機関に適用した場合を示している。なお、本発明は火花点火式内燃機関にも適用することもできる。
【0013】
図1を参照すると、1は機関本体、2はシリンダブロック、3はシリンダヘッド、4はピストン、5は燃焼室、6は電気制御式燃料噴射弁、7は吸気弁、8は吸気ポート、9は排気弁、10は排気ポートを夫々示す。吸気ポート8は対応する吸気枝管11を介してサージタンク12に連結され、サージタンク12は吸気ダクト13を介して排気ターボチャージャ14のコンプレッサ15に連結される。吸気ダクト13内にはステップモータ16により駆動されるスロットル弁17が配置され、更に吸気ダクト13周りには吸気ダクト13内を流れる吸入空気を冷却するための冷却装置18が配置される。図1に示される実施例では機関冷却水が冷却装置18内に導かれ、機関冷却水によって吸入空気が冷却される。
【0014】
一方、排気ポート10は排気マニホルド19及び排気管20を介して排気ターボチャージャ14の排気タービン21に連結され、排気タービン21の出口は上流側排気ダクト22を介し、パティキュレートフィルタ23を収容したケーシング24に接続される。このケーシング24には下流側排気ダクト25が接続される。上流側排気ダクト22内にはアクチュエータ26によって駆動される排気絞り弁27と、パティキュレートフィルタ23に還元剤を供給するための電気制御式還元剤供給弁28とが配置される。この還元剤供給弁28には電気制御式の還元剤ポンプ29から還元剤が供給される。還元剤には液体又は気体の炭化水素のほか水素や尿素などを用いることができるが、本発明による実施例では還元剤として燃料即ち軽油が用いられている。
【0015】
排気絞り弁27は通常運転時には開弁状態に維持されており、即ち排気絞り弁27の開度はその最大開度に保持されている。機関減速運転が行われると、即ち例えばアクセルペダルの踏み込み量がゼロになりこのとき機関回転数が予め定められた許容下限値よりも高ければ、排気絞り弁27が閉弁され即ち排気絞り弁27の開度が例えば小さな一定値まで減少される。その結果、機関背圧が上昇し、機関制動力が得られることになる。次いで、アクセルペダルが踏み込まれるか又は機関回転数Nが許容下限値N1以下になると排気絞り弁27が開弁される。排気絞り弁27が閉弁されると、内燃機関から排出された全ての排気ガスがパティキュレートフィルタ23内に流入する。
【0016】
一方、排気絞り弁27上流の上流側排気ダクト22と下流側排気ダクト25とはバイパス管30を介して互いに接続され、バイパス管30内にはアクチュエータ31により駆動されるバイパス制御弁32が配置される。このバイパス制御弁32は通常運転時には閉弁状態に維持されており、即ちバイパス管30が閉塞されている。バイパス制御弁32が開弁されると、排気絞り弁27が開弁されていても排気ガスがバイパス管30内に流入し、パティキュレートフィルタ23内に流入する排気ガスの量がわずかばかりの量まで減少する。
【0017】
なお、排気絞り弁27を下流側排気ダクト25内に配置することもでき、この場合には上流側排気ダクト22と排気絞り弁27下流の下流側排気ダクト25とがバイパス管30を介して互いに接続される。
【0018】
更に図1を参照すると、排気マニホルド19とサージタンク12とは排気ガス再循環(以下、EGRと称す)通路34を介して互いに連結され、EGR通路34内には電気制御式EGR制御弁35が配置される。また、EGR通路34周りにはEGR通路34内を流れるEGRガスを冷却するための冷却装置36が配置される。図1に示される実施例では機関冷却水が冷却装置36内に導かれ、機関冷却水によってEGRガスが冷却される。
【0019】
一方、各燃料噴射弁6は燃料供給管6aを介して燃料リザーバ、いわゆるコモンレール37に連結される。このコモンレール37内へは電気制御式の吐出量可変な燃料ポンプ38から燃料が供給され、コモンレール37内に供給された燃料は各燃料供給管6aを介して燃料噴射弁6に供給される。コモンレール37にはコモンレール37内の燃料圧を検出するための燃料圧センサ39が取付けられ、燃料圧センサ39の出力信号に基づいてコモンレール37内の燃料圧が目標燃料圧となるように燃料ポンプ38の吐出量が制御される。
【0020】
電子制御ユニット40はデジタルコンピュータからなり、双方向性バス41によって互いに接続されたROM(リードオンリメモリ)42、RAM(ランダムアクセスメモリ)43、CPU(マイクロプロセッサ)44、入力ポート45及び出力ポート46を具備する。パティキュレートフィルタ23にはパティキュレートフィルタ23の温度を検出するための温度センサ49aが接続され、ケーシング24にはパティキュレートフィルタ23の前後の差圧、即ちパティキュレートフィルタ23の圧損を検出するための圧損センサ49bが接続される。これらセンサ49a,49b及び燃料圧センサ39の出力信号はそれぞれ対応するAD変換器47を介して入力ポート45に入力される。また、アクセルペダル50にはアクセルペダル50の踏み込み量を検出するための負荷センサ51が接続され、負荷センサ51の出力電圧は対応するAD変換器47を介して入力ポート45に入力される。更に入力ポート45にはクランクシャフトが例えば30°回転する毎に出力パルスを発生するクランク角センサ52が接続される。
【0021】
一方、出力ポート46は対応する駆動回路48を介して燃料噴射弁6、ステップモータ16、アクチュエータ26,31、還元剤供給弁28、還元剤ポンプ29、EGR制御弁35、燃料ポンプ38にそれぞれ接続される。
【0022】
図2にパティキュレートフィルタ23の構造を示す。なお、図2において(A)はパティキュレートフィルタ23の正面図を示しており、(B)はパティキュレートフィルタ23の側面断面図を示している。図2(A)および(B)に示されるようにパティキュレートフィルタ23はハニカム構造をなしており、互いに平行をなして延びる複数個の排気ガス通路50,51を具備する。これら排気ガス通路は上流端が開放されかつ下流端がシール材52により閉塞されている排気ガス流入通路50と、下流端が開放されかつ上流端がシール材53により閉塞されている排気ガス流出通路51とにより構成される。なお、図2(A)においてハッチングを付した部分はシール材53を示している。これら排気ガス通路50,51は例えばコージェライトのような多孔質材から形成される薄肉の隔壁54を介して交互に配置される。云い換えると排気ガス通路50,51は各排気ガス流入通路50が4つの排気ガス流出通路51によって包囲され、各排気ガス流出通路51が4つの排気ガス流入通路50によって包囲されるように配置される。
【0023】
パティキュレートフィルタ23は例えばコージェライトのような多孔質材料から形成されており、従って排気ガス流入通路50内に流入した排気ガスは図2(B)において矢印で示されるように周囲の隔壁54内を通って隣接する排気ガス流出通路51内に流出する。
【0024】
また、パティキュレートフィルタ23の隔壁54の両側面及び細孔内壁面上には図3に示されるようにNOX触媒60がそれぞれ担持されている。このNOX触媒60は例えばアルミナを担体とし、この担体上に例えばカリウムK、ナトリウムNa、リチウムLi、セシウムCsのようなアルカリ金属、バリウムBa、カルシウムCaのようなアルカリ土類、ランタンLa、イットリウムYのような希土類から選ばれた少なくとも一つと、白金Pt、パラジウムPd、ロジウムRh、イリジウムIrのような貴金属とが担持されている。
【0025】
NOX触媒は流入する排気ガスの平均空燃比がリーンのときにはNOXを蓄え、流入する排気ガスの空燃比が低下したときに排気ガス中に還元剤が含まれていると蓄えているNOXを還元して蓄えているNOXの量を減少させる蓄積還元作用を行う。
【0026】
NOX触媒の蓄積還元作用の詳細なメカニズムについては完全には明らかにされていない。しかしながら、現在考えられているメカニズムを、担体上に白金Pt及びバリウムBaを担持させた場合を例にとって簡単に説明すると次のようになる。
【0027】
即ち、NOX触媒に流入する排気ガスの空燃比が理論空燃比よりもかなりリーンになると流入する排気ガス中の酸素濃度が大巾に増大し、酸素O2がO2 −又はO2−の形で白金Ptの表面に付着する。一方、流入する排気ガス中のNOは白金Ptの表面上でO2 −又はO2−と反応し、NO2となる(NO+O2→NO2+O*、ここでO*は活性酸素)。次いで生成されたNO2の一部は白金Pt上でさらに酸化されつつNOX触媒内に吸収されて酸化バリウムBaOと結合しながら、硝酸イオンNO3 −の形でNOX触媒内に拡散する。このようにしてNOXがNOX触媒内に蓄えられる。
【0028】
これに対し、NOX触媒に流入する排気ガスの空燃比がリッチ又は理論空燃比になると、排気ガス中の酸素濃度が低下してNO2の生成量が低下し、反応が逆方向(NO3 −→NO+2O*)に進み、斯くしてNOX触媒内の硝酸イオンNO3 −がNO2の形でNOX触媒から放出される。この放出されたNOXは排気ガス中に還元剤即ちHC,COが含まれているとこれらHC,COと反応して還元せしめられる。このようにして白金Ptの表面上にNOXが存在しなくなるとNOX触媒から次から次へとNOXが放出されて還元され、NOX触媒内に蓄えられているNOXの量が次第に減少する。
【0029】
なお、硝酸塩を形成することなくNOXを蓄え、NOXを放出することなくNOXを還元することも可能である。また、活性酸素O*に着目すれば、NOX触媒はNOXの蓄積及び放出に伴って活性酸素O*を生成する活性酸素生成触媒と見ることもできる。
【0030】
上述したように、通常運転時には排気絞り弁27が開弁状態に維持されており、バイパス制御弁32が閉弁状態に維持されており、内燃機関から排出された全ての排気ガスがパティキュレートフィルタ23内に流入する。
【0031】
このとき、排気ガス中に含まれる主に炭素の固体からなる微粒子はパティキュレートフィルタ23上に捕集される。図1に示される内燃機関はリーン空燃比のもとでの燃焼が継続して行われており、即ちパティキュレートフィルタ23に流入する排気ガスの空燃比がリーンに維持されており、また、NOX触媒60は酸化能を有しているので、パティキュレートフィルタ23の温度が微粒子を酸化しうる温度、例えば250℃以上に維持されていれば、パティキュレートフィルタ23上で微粒子が酸化せしめられ除去される。
【0032】
ところが、パティキュレートフィルタ23の温度が微粒子を酸化しうる温度に維持されなくなるか又は単位時間当たりにパティキュレートフィルタ23内に流入する微粒子の量がかなり多くなるとパティキュレートフィルタ23上に堆積する微粒子の量が次第に増大し、パティキュレートフィルタ23の圧損が増大する。
【0033】
そこで本発明による実施例では、例えばパティキュレートフィルタ23上の堆積微粒子量が許容最大量を越えたときにはパティキュレートフィルタ23に流入する排気ガスの空燃比をリーンに維持しつつパティキュレートフィルタ23の温度を600℃以上まで上昇し次いで600℃以上に維持する昇温制御が行われる。この昇温制御が行われるとパティキュレートフィルタ23上に堆積した微粒子が着火燃焼せしめられ除去される。図1に示される実施例では、圧損センサ49bにより検出されるパティキュレートフィルタ23の圧損が許容最大値を越えたときにパティキュレートフィルタ23上の堆積微粒子量が許容最大量を越えたと判断される。
【0034】
なお、パティキュレートフィルタ23の温度を上昇させる方法には種々の方法がある。例えばパティキュレートフィルタ23の端面に電気ヒータを配置して電気ヒータによりパティキュレートフィルタ23又はパティキュレートフィルタ23に流入する排気ガスを加熱する方法や、パティキュレートフィルタ23上流の排気通路内に燃料を供給してこの燃料を燃焼させることによりパティキュレートフィルタ23を加熱する方法や、内燃機関から排出される排気ガスの温度を上昇させてパティキュレートフィルタ23の温度を上昇させる方法がある。
【0035】
一方、上述したようにパティキュレートフィルタ23内に流入する排気ガスの空燃比はリーンに維持されているので、排気ガス中のNOXはパティキュレートフィルタ23上のNOX触媒60内に蓄えられる。また、排気ガス中にはイオウ分が例えばSOXの形で含まれており、NOX触媒60内にはNOXばかりでなくSOXも蓄えられる。
【0036】
このSOXのNOX触媒60内への蓄積メカニズムはNOXの蓄積メカニズムと同じであると考えられる。即ち、担体上に白金Pt及びバリウムBaを担持させた場合を例にとって簡単に説明すると、NOX触媒60に流入する排気ガスの空燃比がリーンのときには上述したように酸素O2がO2 −又はO2−の形で白金Ptの表面に付着しており、流入する排気ガス中のSO2は白金Ptの表面上でO2 −又はO2−と反応し、SO3となる。次いで生成されたSO3は白金Pt上でさらに酸化されつつNOX触媒60内に吸収されて酸化バリウムBaOと結合しながら、硫酸イオンSO4 −の形でNOX触媒60内に拡散する。この硫酸イオンSO4 −は次いでバリウムイオンBa+と結合して硫酸塩BaSO4を生成する。
【0037】
このようにしてNOX触媒60内の蓄積NOX量及び蓄積SOX量が次第に増大する。本発明による実施例では、NOX触媒60内の蓄積NOX量がその許容最大量を越えたときにはNOX触媒60内に蓄えられているNOXを還元しNOX触媒60内の蓄積NOX量を減少させるようにし、NOX触媒60内の蓄積SOX量がその許容最大量を越えたときにはNOX触媒60内に蓄えられているSOXを還元しNOX触媒60内の蓄積SOX量を減少させるようにしている。このことを図4に示されるルーチンを参照して詳しく説明する。なお、図4に示されるルーチンは予め定められた設定時間毎の割り込みによって実行される。
【0038】
図4を参照すると、まず初めにステップ100ではNOX触媒60の蓄積NOX量QN及び蓄積SOX量QSが例えば機関運転状態に基づいて算出される。即ち、単位時間当たりにNOX触媒60内に蓄えられるNOX及びSOXの量は単位時間当たりに内燃機関から排出されるNOX及びSOXの量に依存し、単位時間当たりに内燃機関から排出されるNOXの量は例えば機関負荷を表すアクセルペダルの踏み込み量及び機関回転数に依存し、単位時間当たりに内燃機関から排出されるSOXの量は燃料噴射量に依存する。従って、アクセルペダルの踏み込み量及び機関回転数と燃料噴射量とから、単位時間当たりにNOX触媒60内に蓄えられるNOX及びSOXの量がそれぞれ求められ、これらが逐次積算される。
【0039】
続くステップ101では蓄積SOX量QSが予め定められた許容最大SOX量QS1よりも多いか否かが判別される。QS≦QS1のときには次いでステップ102に進み、蓄積NOX量QNが許容最大NOX量QN1よりも多いか否かが判別される。QN≦QN1のときには処理サイクルを終了し、QN>QN1のときには次いでステップ103に進み、NOX触媒60内に流入する排気ガスの空燃比がリッチになるように還元剤供給弁28から還元剤が一定時間だけ供給される。続くステップ104では蓄積NOX量QNがクリアされる。
【0040】
一方、ステップ101においてQS>QS1のときには次いでステップ105に進み、パティキュレートフィルタ23に流入する排気ガスの空燃比をリーンに維持しつつNOX触媒60の温度を550℃まで上昇し次いで550℃以上に維持する昇温制御が行われる。続くステップ106ではバイパス制御弁32が開弁され、続くステップ107ではNOX触媒60内に流入する排気ガスの空燃比がリッチ又は理論空燃比になるように還元剤供給弁28から還元剤が一定時間だけ供給される。即ち、上述したNOX触媒60のSOX蓄積メカニズムにおける硫酸塩BaSO4は分解しにくく、NOX触媒60内に流入する排気ガスの空燃比をただ単にリッチにしてもNOX触媒60内の硫酸塩BaSO4の量は減少しない。しかしながら、NOX触媒60の温度を550℃以上に維持しつつNOX触媒60に流入する排気ガスの空燃比をリッチ又は理論空燃比にすると、NOX触媒60内の硫酸塩BaSO4が分解してSO3の形でNOX触媒60から放出される。この放出されたSO3は排気ガス中に還元剤即ちHC,COが含まれているとこれらHC,COと反応してSO2に還元せしめられる。このようにしてNOX触媒60内に蓄えられているSOXの量が次第に減少し、このときNOX触媒60からSOXがSO3の形で流出することがない。
【0041】
この場合、バイパス制御弁32が開弁されているので、NOX触媒60内に流入する排気ガスの量が低減されており、従ってNOX触媒60内に流入する排気ガスの空燃比をリッチ又は理論空燃比に切り替えるのに必要な還元剤の量を低減することができる。なお、NOX触媒60内に蓄えられているイオウ分の量を減少させるべきときに、バイパス制御弁32を開弁しかつ排気絞り弁27を閉弁するようにしてもよい。
【0042】
続くステップ108ではバイパス制御弁32が閉弁状態に戻され、続くステップ109では蓄積SOX量QSがクリアされる。次いで、ステップ104に進み、蓄積NOX量QNがクリアされる。ステップ107においてNOX触媒60内に流入する排気ガスの空燃比がリッチ又は理論空燃比に切り替えられると、NOX触媒60内に蓄えられているNOXも還元されNOX触媒60内の蓄積NOX量も減少するからである。
【0043】
上述したNOX触媒60のNOX及びSOXの蓄積還元メカニズムによれば、NOX触媒60内にNOX及びSOXが蓄えられるときにもNOX及びSOXが放出されるときにも活性酸素が生成される。この活性酸素は酸素O2よりも活性が高く、従ってパティキュレートフィルタ23上に堆積している微粒子を速やかに酸化する。即ち、パティキュレートフィルタ23上にNOX触媒60を担持させると、パティキュレートフィルタ23内に流入する排気ガスの空燃比がリーンであろうとリッチであろうとパティキュレートフィルタ23上に堆積している微粒子が酸化される。このようにして微粒子が連続的に酸化される。
【0044】
このように図1に示される実施例では、バイパス制御弁32が開弁されるのはNOX触媒60内に蓄えられたSOXの量を減少させるべきときのみである。ところが、冒頭で述べたように、排気ガス中に含まれるSOXの量はかなり少なく、このためバイパス制御弁32が長時間にわたって閉弁状態に保持されることになる。
【0045】
そこで本発明による実施例では、排気絞り弁27の開閉弁動作が行われる毎にバイパス制御弁32を一時的に開弁するようにしている。
【0046】
即ち、図5に示されるように、アクセルペダルの踏み込み量Lがゼロになりこのとき機関回転数Nが予め定められた許容下限値N1よりも高ければ、排気絞り弁27が閉弁される。次いで、アクセルペダルが踏み込まれるか又は機関回転数Nが許容下限値N1以下になると、排気絞り弁27を閉弁状態に保持しつつバイパス制御弁32が開弁される。次いで、バイパス制御弁32が閉弁されると共に排気絞り弁27が開弁される。
【0047】
このようにするとバイパス制御弁32が固着しなくなる。その結果、NOX触媒60内の蓄積SOX量を減少させるべきときにNOX触媒60内に流入する排気ガスの量を確実に低減することができ、従ってNOX触媒60内の蓄積SOX量を減少させるために必要な還元剤の量を確実に低減することができる。また、このとき排気ガスの大部分がバイパス管30内を流通し、従って機関背圧が上昇しない。この場合、排気ガスの大部分がパティキュレートフィルタ23及びNOX触媒60を迂回することになるけれども、この排気ガスの量はさほど多くない。
【0048】
更に、このようにバイパス制御弁32が開弁されるとNOX触媒60内に流入する排気ガスの量が減少する。そこで本発明による実施例では、図5において矢印で示されるようにバイパス制御弁32が一時的に開弁されているときにNOX触媒60に還元剤を一時的に供給するようにしている。即ち、NOX触媒60内の蓄積NOX量を減少させるためにNOX触媒60内に流入する排気ガスの空燃比がリッチになるように還元剤が供給される。この場合、NOX触媒60内に流入する排気ガスの空燃比をリッチに切り替えるために多量の還元剤を必要としない。
【0049】
図6は上述した本発明による弁制御を実行するためのルーチンを示している。このルーチンは予め定められた設定時間毎の割り込みによって実行される。
【0050】
図6を参照すると、まず初めにステップ120では排気絞り弁27が閉弁されているか否かが判別される。排気絞り弁27が開弁されているときにはステップ121に進み、排気絞り弁27を閉弁すべきか否か、即ちアクセルペダルの踏み込み量Lがゼロでありかつ機関回転数Nが許容下限値N1よりも高いか否かが判別される。L>0又はN≦N1のときには処理サイクルを終了し、L=0かつN>N1のときには次いでステップ122に進んで排気絞り弁27が閉弁される。
【0051】
排気絞り弁27が閉弁されたときにはステップ120からステップ123に進み、排気絞り弁27を開弁すべきか否か、即ちL>0又はN≦N1になったか否かが判別される。L=0かつN>N1のときには処理サイクルを終了し、L>0又はN≦N1になったときにはステップ124に進み、バイパス制御弁32が開弁される。続くステップ125では、NOX触媒60内に流入する排気ガスの空燃比がリッチになるように還元剤供給弁28から還元剤が一定時間だけ供給される。続くステップ126では排気絞り弁27が開弁されると共に、バイパス制御弁32が閉弁される。
【0052】
【発明の効果】
排気絞り弁の開閉弁動作が行われる毎にバイパス制御弁の開閉弁動作が行われるのでバイパス制御弁が閉弁位置に固着するのが阻止され、従ってNOX触媒内に蓄えられているイオウ分の量を減少させるために必要な還元剤の量を確実に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】内燃機関の全体図である。
【図2】パティキュレートフィルタを示す図である。
【図3】パティキュレートフィルタの隔壁の部分拡大断面図である。
【図4】NOX触媒内の蓄積NOX量及び蓄積SOX量の減少制御を実行するためのフローチャートである。
【図5】本発明による弁制御を説明するための図である。
【図6】弁制御を実行するためのフローチャートである。
【符号の説明】
1…機関本体
22…上流側排気ダクト
23…パティキュレートフィルタ
25…下流側排気ダクト
27…排気絞り弁
28…還元剤供給弁
30…バイパス管
32…バイパス制御弁
60…NOX触媒
Claims (4)
- リーン空燃比のもとで燃焼が継続される内燃機関の排気通路内に、流入する排気ガスの空燃比がリーンのときに流入する排気ガス中のNOXを蓄え、流入する排気ガスの空燃比が低下したときに排気ガス中に還元剤が含まれていると蓄えているNOXを還元して蓄えているNOXの量が減少するNOX触媒を配置し、NOX触媒を迂回してNOX触媒上流の排気通路とNOX触媒下流の排気通路とを互いに接続するバイパス通路を設け、開弁されると排気ガスがバイパス通路内に流入してNOX触媒内に流入する排気ガスの量が減少するバイパス制御弁をバイパス通路内に配置した内燃機関の排気浄化装置において、バイパス制御弁が閉弁状態に保持されており、バイパス通路の流入端が接続されている部分とバイパス通路の流出端が接続されている部分との間の排気通路内に、機関減速運転が行われると一時的に閉弁される排気絞り弁を配置し、一時的に閉弁されている排気絞り弁を開弁すべきときには排気絞り弁を閉弁状態に保持しつつバイパス制御弁を一時的に開弁し、次いで排気絞り弁を開弁するようにした内燃機関の排気浄化装置。
- バイパス通路の流入端が接続されている部分とNOX触媒との間の排気通路内に、NOX触媒に還元剤を供給するための還元剤供給弁を配置し、一時的に閉弁されている排気絞り弁を開弁すべきときにバイパス制御弁が一時的に開弁されているときに還元剤供給弁からNOX触媒に還元剤を供給するようにした請求項1に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 前記NOX触媒内に蓄えられているイオウ分を還元して蓄えられているイオウ分の量を減少させるべきときに、バイパス制御弁が一時的に開弁される請求項1に記載の内燃機関の排気浄化装置。
- 前記NOX触媒が排気ガス中に含まれる微粒子を捕集するためのパティキュレートフィルタ上に担持されている請求項1に記載の内燃機関の排気浄化装置。
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