JP3881195B2 - 半導体部品実装済部品の製造方法、半導体部品実装済部品、半導体部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体部品、及び半導体部品の割れや欠けを防止する補強部材を基材に実装して半導体部品実装済部品を製造する半導体部品実装済部品の製造方法、該製造方法にて製造される半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品の製造方法、及び該半導体部品実装済完成品製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品に関する。
上記半導体部品実装済部品の製造方法は、例えば非接触ＩＣカードを製造する場合のように、アルミニウム、銅、ニッケル、導電性ペースト、等にて形成された回路パターンにＩＣチップを電気的に接続する場合に使用される。
【０００２】
【従来の技術】
非接触ＩＣカードを例に取り、従来の半導体部品実装済完成品の製造方法について、図２８〜図３５を参照しながら以下に説明する。
以前より、アンテナコイルとＩＣチップとを内蔵し、上記アンテナコイルを介して外部とのデータの授与を行なう非接触ＩＣカードにおいて、非接触ＩＣカード作製後に該非接触ＩＣカードに加わる、曲げ応力及びねじれ応力の少なくとも一方に起因する上記ＩＣチップの割れ及び欠け等の不良が問題となっている。
その対策として一般的には、非接触ＩＣカードを製造する際に、上記アンテナコイル等の回路パターンを形成した基板に上記ＩＣチップを実装した後、当該実装したＩＣチップの背面に、ステンレスや銅箔等で形成された補強部材を接着剤にて貼り付け、ＩＣチップの割れ及び欠けを防止する方法が行われている。
【０００３】
図２８〜図３５は従来の非接触ＩＣカード及びその製造方法を示す。図２８は、従来の非接触ＩＣカードにおける半導体部品補強部材が実装された半導体部品実装済部品を示す。図２８に示すように、従来の半導体部品実装済部品１ａは、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル等の基板１上の銅、アルミニウム等で形成されたアンテナ用コイルパターン２を含む回路パターン６上に半導体部品３が異方導電シート５もしくは異方導電性ぺ―スト５を介して電気的に接続されている。尚、４は、半導体部品３の電極上にワイヤボンディング法やメッキ法、具体的には半田、金、銀、銅等を用いたメッキ法により形成されたバンプである。補強部材１５は、接着剤７を介して半導体部品３の背面に貼り付けられた構成となっている。
【０００４】
このような従来の非接触ＩＣカードの製造工程は、図２９に示すように、まずステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１では、図３０に示すように半導体部品３の電極８上に、金線、銅線、アルミニウム線等を用いたワイヤボンディング法やメッキ法、具体的には半田、金、銀、銅等を用いたメッキ法により、バンプ４を形成する。尚、９は半導体部品３のアクティブ面を保護するパッシベーション膜である。
ステップ２では、図３１に示すようにガラスエポキシ、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル等で形成された基板１に形成されている回路パターン６における半導体部品３を実装すべき箇所に、異方導電性シート５を貼り付け仮圧着する。該異方導電性シート５とは、金属粒子を含有する樹脂シートであり、加熱及び加圧されることで上記金属粒子を介して、バンプ４と回路パターン６とを電気的に接続する。仮圧着条件は、一般的に１００℃で５秒加熱程度である。
【０００５】
ステップ３では、仮圧着した異方導電性シート５に半導体部品３を載置する。
ステップ４では、２００℃の温度で３０秒間、上記基板１及び半導体部品３を加熱して、図３２に示すように異方導電性シート５を硬化させて、半導体素子３を基板１上に圧着する。その結果、異方導電性シート５の硬化収縮力により、バンプ３と回路パターン６とが異方導電性シート５の金属粒子１０を介して電気的に接続される。尚、半導体部品３に対して補強部材６を配さない一般的な半導体実装においては、このステップ４までで半導体素子の実装動作は完了する。
【０００６】
ステップ５では、図３３に示すように、上記電極８及びバンプ４の形成面に対向する半導体部品３の背面３ａにエポキシ系、アクリル系等の接着剤７を塗布する。そして、ステップ６にて、半導体部品補強部材１５を上記背面３ａに載置し、ステップ７で上記接着剤７を硬化させることで、図２８に示す半導体部品実装済部品１ａが完成する。尚、半導体部品補強部材１５としては、一般的に厚み５０μｍ〜１００μｍ程度のステンレス、ニッケル、又は銅等の金属板が用いられる。
ステップ７以降、図３４に示すように半導体部品実装済部品１ａを第１基材１１、第２基材１２、第３基材１３に配置し、ラミネート処理することにより、図３５に示す半導体部品実装済完成品としての非接触ＩＣカード１ｂが得られる。尚、図３４において、第２基材１２には予め半導体部品実装済部品１ａにおける半導体部品３及び半導体部品補強部材１５にて基板１上に形成される凸部に起因する段差を吸収するために、くり抜き穴１４が設けてある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の半導体部品実装済完成品製造方法、及び該製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品としての非接触ＩＣカードの構成では、以下の問題があった。
上記半導体部品実装済部品１ａにおいては、半導体部品補強部材１５を装着するための接着剤７が必要であり、その塗布及び硬化の為の工程が必要となり、生産性が悪くなる。又、接着剤７の材料費分コスト高になる。
又、上記半導体部品実装済部品１ａにおいては、半導体部品３及び半導体部品補強部材１５にて基板１上に凸部が形成されるため、図３４に示すラミネート処理後、平坦な外表面にてなる半導体部品実装済完成品１ｂを得ることが難しい。従つて、図３４に示すように第２基材１２の一部には上記くり抜き穴１４を設けているが、該くり抜き穴１４を形成する為の工程が必要であり、生産性が悪く、コスト高となる。
本発明はこのような問題点を解決する為になされたもので、高品質、高生産性で安価な、半導体部品実装済部品を製造する半導体部品実装済部品の製造方法、該製造方法にて製造される半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品の製造方法、及び該半導体部品実装済完成品製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１態様における、半導体部品実装済部品の製造方法は、半導体部品の裏面に該半導体部品の補強を行う第１半導体部品補強部材を接触させて設け、
上記半導体部品を第１基材の裏面に載置し、上記半導体部品及び上記第１半導体部品補強部材が接触した状態にて、当該半導体部品及び第１半導体部品補強部材と第１基材とを相対的に押圧し、上記半導体部品及び上記第１半導体部品補強部材を上記半導体部品の電極部が上記第１基材の裏面に対向する回路形成面に露出するまで上記第１基材内へ埋設する、
ことを特徴とする。
【０００９】
又、上記埋設動作後、上記電極部が露出した上記第１基材の路形成面に、上記電極部に接触して回路パターンを形成することもできる。
【００１１】
又、本発明の第３態様の半導体部品実装済部品は、上記第１態様の半導体部品実装済部品の製造方法にて製造されたことを特徴とする。
【００１２】
さらに本発明の第４態様の半導体部品実装済完成品の製造方法は、上記第１態様の半導体部品実装済部品の製造方法にて半導体部品実装済部品を製造し、
上記第１基材の厚み方向から第３基材及び第４基材にて上記半導体部品実装済部品のラミネート処理を行うことを特徴とする。
【００１４】
さらに本発明の第５態様の半導体部品実装済完成品は、上記第４態様の半導体部品実装済完成品の製造方法にて製造されたことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態である、半導体部品実装済部品の製造方法、半導体部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品について、図を参照しながら以下に説明する。ここで、上記半導体部品実装済完成品の製造方法は、上記半導体部品実装済部品の製造方法にて製造された半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品を製造する方法であり、及び上記半導体部品実装済完成品は上記半導体部品実装済完成品の製造方法にて製造されたものである。
又、各図において同じ構成部分については同じ符号を付している。
上記「半導体部品実装済完成品」の機能を果たす一例として、本実施形態では非接触ＩＣカードを例にとるが、勿論これに限定されるものではない。
【００１６】
第１実施形態；
図１は、本実施形態の半導体部品実装済部品製造方法を用いて製造された半導体部品実装済部品を示している。尚、上記半導体部品実装済部品を半導体部品内蔵コアモジュール部品と記す場合もある。又、図１では、該半導体部品内蔵コアモジュール部品の一例として、非接触ＩＣカードを構成する半導体部品内蔵コアモジュール部品１０１を示している。
上記非接触ＩＣカードにおける半導体部品内蔵コアモジュール部品１０１において、半導体部品１０４及び第１半導体部品補強部材１１６は、予め第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋め込まれ、該第１熱可塑性樹脂基材１２２の、回路形成面に相当する回路パターン形成面１２３には、上記半導体部品１０４のバンプ１１３の電極露出面１１５が露出している。このような回路パターン形成面１２３には、上記電極露出面１１５と電気的に接触する電極部分１１８、及びアンテナとして機能するアンテナ用コイルパターン１０２を含む回路パターン１１９が形成される。
【００１７】
このような構成を有する半導体部品内蔵コアモジュール部品１０１では、回路パターン１１９と電極露出面１１５とは、異方導電性ペースト等を介さずに直接導通を得ている点、半導体部品１０４と第１半導体部品補強部材１１６との間には接着剤が介在していない点、並びに、半導体部品実装済部品１０１における第１熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３及び該回路パターン形成面１２３に対向する第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａが平坦である点で、従来技術とは異なる。
【００１８】
図２は、本実施形態の半導体部品実装済部品の製造方法を用いて作製された半導体部品実装済部品を備えた半導体部品実装済完成品の一例としての非接触ＩＣカード１００を示している。ここで、１２４、１２５は、半導体部品１０４、第１半導体部品補強部材１１６、及び上記回路パターン１１９を有する上記半導体部品内蔵コアモジュール部品１０１を保護する為にラミネート処理を行う為のシート状の部材であり、第３基材及び第４基材の機能を果たす一例である第３熱可塑性樹脂基材及び第４熱可塑性樹脂基材である。
【００１９】
以下に、上記半導体部品実装済部品１０１の製造方法を含めて上記非接触ＩＣカード１００の製造方法について、図を参照して説明する。
図１１に示すステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１０１において、図３に示す半導体部品１０４の電極１１７上に、金、銅、又は半田等にてなる金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法により、バンプ１１３を形成する。尚、バンプ１１３の形成方法は、上記ワイヤボンディング法による形成に限定されるものではなく、メッキ法による形成でも良い。又、図３に示す１１２は、半導体部品１０４のアクティブ面を保護する為のパッシベーション膜である。
【００２０】
次のステップ１０２において、バンプ１１３を形成した半導体部品１０４、及び該半導体部品１０４の上記アクティブ面に対向する裏面１０４ａに接触して設けられた、図４に示す第１半導体部品補強部材１１６を、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、又はアクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂で形成されたシート状の、第１基材の機能を果たす一例である第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａ上に図６に示すように載置する。
上記第１半導体部品補強部材１１６は、本実施形態では、半導体部品１０４の上記裏面１０４ａに接触して設けられ半導体部品１０４と同じ若しくはそれを超える面積を有する。又、第１半導体部品補強部材１１６は、ステンレス、ニッケル、銅、又はアルミニウム等の金属や、プラスチック等で形成されており、その形状は、図４に示す四角形や、図５に示すように円形状であっても良く、特に限定されるものでは無い。又、その厚みは、第１熱可塑性樹脂基材１２２及び半導体部品１０４の厚みによって変化するが、一般的には５０〜２００μｍ程度が好ましい。即ち、第１半導体部品補強部材１１６の材質、形状、及び厚みは、外力による半導体部品１０４の損傷を防止可能な観点から決定される。
【００２１】
上記第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１は、本実施形態の場合、後述するようにバンプ１１３を第１熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３から露出させる必要があることから、基本的に半導体部品１０４と第１半導体部品補強部材１１６の厚みを合わせたの厚み以上で、半導体部品１０４の厚みとバンプ１１３の高さと第１半導体部品補強部材１１６の厚みを合わせた厚み以下にすることが望ましい。例えば、半導体部品１０４の厚みが１８０μｍ、バンプ１１３の高さが４０μｍ、第１半導体部品補強部材１１６の厚みが５０μｍの場合、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みは２５０μｍが好ましい。
【００２２】
次のステップ１０３では、図７に示すように、バンプ１１３付の半導体部品１０４及び第１半導体部品補強部材１１６を載置した第１熱可塑性樹脂基材１２２を熱プレス板１７１、１７２の各平坦面間に挟み、熱プレス板１７１、１７２にて、バンプ１１３付半導体部品１０４及び第１半導体部品補強部材１１６、並びに第１熱可塑性樹脂基材１２２を加熱しながら、これらを相対的に押圧して、図８に示すように半導体部品１０４及び第１半導体部品補強部材１１６を第１熱可塑性樹脂基材１２２内に埋設する。尚、図７において、１７３、１７４は、上記押圧動作の為に熱プレス板１７１、１７２を移動させる各移動装置であり、１７５、１７６は、熱プレス板１７１、１７２をそれぞれ加熱する為の加熱装置である。
該熱プレスの条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材１２２を用いた場合、圧力３０×１０^５Ｐａ、温度１６０℃、プレス時間１分である。尚、上記温度及び圧力は、第１熱可塑性樹脂基材１２２の材質により異ならせる。
【００２３】
本実施形態では、バンプ１１３が熱プレス板１７１に接触するであろうバンプ１１３の電極露出面１１５が、熱プレス板１７１に達するまで押圧されることから、図８に示すように上記プレス動作により、上記電極露出面１１５は、第１熱可塑性樹脂基材１２２における上記熱プレス板１７１との接触面である上記回路パターン形成面１２３に露出することになる。
このとき、本実施形態では、第１半導体部品補強部材１１６の第２面１１６ｂと、上記パターン形成面１２３に対向する第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａとは、図示するように同―面となるようにしているが、これに限定されるものではない。つまり、製造する半導体部品実装済部品によっては、上述した第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１や、熱プレス板１７１、１７２の押圧力等の調整又は形状により、例えば、第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａより第１半導体部品補強部材１１６の第２面１１６ｂを凹ませても、又は、突出させても良い。
【００２４】
次のステップ１０５では、第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に露出しているバンプ１１３の電極露出面１１５に接触するようにして、銀、銅等の導電性ペーストを用いて、回路パターン１１９を回路パターン形成面１２３上に形成する。該導電性ペーストによる回路パターン１１９の形成は、一般的にスクリーン印刷、オフセット印刷、又はグラビア印刷等によって行われる。例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターン１１９を形成する。その後、１００℃、１５分程度の硬化条件で上記導電性ぺ―ストの硬化を行う。尚、勿論、上記回路パターン１１９は、製造物としての半導体部品実装済部品の機能に応じた形態に形成される。
このようにして、回路パターン１１９と半導体部品１０４との電気的接続を図り、図１に示す半導体部品部品内蔵コアモジュール部品１０１が形成される。さらに、以下の工程を実行することで、即ち半導体部品実装済完成品の製造方法を実行することで、半導体部品実装済完成品、本実施形態では非接触ＩＣカード１００が作製される。
【００２５】
次のステップ１０６では、図９に示すように、上記半導体部品内蔵コアモジュール部品１０１をその厚み方向からポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、又はアクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有するシート状の第３熱可塑性樹脂基材１２４及び第４熱可塑性樹脂基材１２５にてサンドイッチして、ラミネート処理し、半導体部品内蔵コアモジュール部品１０１の封止を行なう。該ラミネート処理は、加熱された平面プレス板２０１、２０２により加熱及び加圧して実施する。処理条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材１２２を用いた場合、圧力３０×１０^５Ｐａ、温度１６０℃、プレス昇圧時間１分、圧力保持時間１分である。尚、図９において、２０５、２０６は、上記押圧動作の為に平面プレス板２０１、２０２を移動させる各移動装置であり、２０７、２０８は、平面プレス板２０１、２０２をそれぞれ加熱する為の加熱装置である。
【００２６】
又、上記ラミネート処理は、図１０に示すロールプレス方式により実施しても良い。図１０において２０３、２０４は加熱されたローラーである。半導体部品内蔵コアモジュール部品１０１をその厚み方向からサンドイッチする形でポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、又はアクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有するシート状の第３熱可塑性樹脂基材１２４及び第４熱可塑性樹脂基材１２５をローラー２０３、２０４の間に供給し、ラミネート処理していく。処理条件は、例えば、ポリエチレンテレフタレート製の熱可塑性樹脂基材１２４、１２５を用いた場合、圧力３０×１０^５Ｐａ、温度１６０℃、ラミネート速度０．１ｍ／分である。又、熱可塑性樹脂基材１２４、１２５と、半導体部品内蔵コアモジュール部品１０１との間に、接着剤シートを供給し、ラミネート処理を実施する場合もある。尚、図１０において、２０９、２１０は、上記押圧動作の為にローラ２０３、２０４を回転させる各駆動装置であり、２１１、２１２は、ローラー２０３、２０４をそれぞれ加熱する為の加熱装置である。
以上の工程を経て、図２に示すような、半導体部品１０４及び第１半導体部品補強部材１１６が実装されたモジュールとしての半導体部品実装済部品や、本実施形態の場合のように半導体部品実装済完成品としての機能を果たす一例に相当する非接触ＩＣカード１００が完成する。
【００２７】
このように本実施形態によれば、第１熱可塑性樹脂基材１２２に半導体部品１０４及び第１半導体部品補強部材１１６を予め埋め込んだ後に、回路パターン１１９の形成を行い、モジュール化する。よって、従来のように基板１上に半導体部品３及び半導体部品補強部材１５が突設される形状のものをラミネート処理するのではないことから、完成する半導体部品実装済部品１０１の表面は、平坦な形状である。したがって、カード化の際に、従来例における図３４に示すように凸部を吸収する為、第２基材１２の一部をくり抜いて形成するくり抜き穴１４を設ける必要が無く、くり抜き穴１４を形成する為の工程が不必要となり、高生産性、低コスト化が可能となる。又、上述のように半導体部品１０４及び第１半導体部品補強部材１１６を埋め込み動作にて固定することから、従来例の図２８に示すような半導体部品補強部材１５を装着するための接着剤７は不要である。よって、その塗布及び硬化の為の工程は不要となり、生産性が向上し、接着剤７の材料費分、コストの削減を図ることができる。
【００２８】
第２実施形態；
上述の第１実施形態では、図６及び図７に示すように第１熱可塑性樹脂基材１２２上に半導体部品１０４及び第１半導体部品補強部材１１６を載置した後、熱プレス板１７１、１７２間に挟み、熱プレスし、半導体部品１０４及び第１半導体部品補強部材１１６を第１熱可塑性樹脂基材１２２内に埋設したが、当該第２実施形態では、半導体部品１０４及び第１半導体部品補強部材１１６の埋設プロセスが第１実施形態の場合と異なる。図１２に示すフローチャートを参照にしながらそのプロセスを説明する。
【００２９】
図１２に示すステップ２０１では、上述のステップ１０１と同様に半導体部品１０４にバンプ１１３が形成される。次に、ステップ２０２〜２０４では、図１３に示すように、半導体部品１０４のみを第１熱可塑性樹脂基材１２２に予め埋設しておく点で上述第１実施形態とはプロセスが異なる。
ここで、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１は、本第２実施形態の場合、バンプ１１３を第１熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３から露出させる必要から、基本的に半導体部品１０４の厚み以上で、半導体部品１０４の厚みとバンプ１１３の高さとを合わせた厚み以下にすることが望ましい。例えば、半導体部品１０４の厚みが１８０μｍ、バンプ１１３の高さが４０μｍの場合、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１は２００μｍが好ましい。
熱プレスを用いた上記埋設工程は、図７を参照して説明した第１実施形態の場合と同じである。ステップ２０３にて、バンプ１１３が熱プレス板１７１に接触するであろうバンプ１１３の電極露出面１１５が熱プレス板１７１に達するまで押圧動作が行われることから、該押圧動作により、上記電極露出面１１５は、第１熱可塑性樹脂基材１２２における上記熱プレス板１７１との接触面である上記回路パターン形成面１２３に露出することになる。
【００３０】
次に、ステップ２０５〜２０６において、図１４に示すように第１半導体部品補強部材１１６の第１面１１６ａを半導体部品１０４の裏面１０４ａに接触させかつ半導体部品１０４を覆うようにして半導体部品１０４上に載置し、さらに、第１熱可塑性樹脂基材１２２とほぼ同サイズにてなる第２熱可塑性樹脂基材２２２を上記第１半導体部品補強部材１１６上に載置する。そして、図７に示す工程と同様の熱プレスを実施する。その結果、図１５に示すように上記裏面１０４ａにて半導体部品１０４と第１半導体部品補強部材１１６とが接触した状態にて、第１半導体部品補強部材１１６は第２熱可塑性樹脂基材２２２内に埋設され、かつ第１熱可塑性樹脂基材１２２と第２熱可塑性樹脂基材２２２とは融合し一体的に成形される。
この場合、第１半導体部品補強部材１１６が第２熱可塑性樹脂基材２２２内に埋設されるとき、図１５に示すように、第１半導体部品補強部材１１６の上記第１面１１６ａに対向する第２面１１６ｂは、第２熱可塑性樹脂基材２２２の外表面には露出しない。
又、図１６に示すように、第２熱可塑性樹脂基材２２２の表面２２２ａに第１半導体部品補強部材１１６の上記第１面１１６ａを露出させるように、予め別工程にて第２熱可塑性樹脂基材２２２に第１半導体部品補強部材１１６を埋設しておき、該第１半導体部品補強部材１１６の上記第１面１１６ａを半導体部品１０４の裏面１０４ａに接触させかつ半導体部品１０４を覆うようにして半導体部品１０４上に第１半導体部品補強部材１１６を載置して、第１熱可塑性樹脂基材１２２と第２熱可塑性樹脂基材２２２との融合、一体化を行うようにしても良い。
【００３１】
第１半導体部品補強部材１１６の埋設後、ステップ２０７において、上記回路パターン形成面１２３に回路パターン１１９を形成し、半導体部品実装済部品を完成し、さらに図１７に示すように第３熱可塑性樹脂基材１２４、第４熱可塑性樹脂基材１２５でサンドイッチし、ラミネート処理することで半導体部品実装済完成品を得る。
【００３２】
このように第２実施形態の方法によれば、第１半導体部品補強部材１１６の第２面１１６ｂ上にもさらに第２熱可塑性樹脂基材２２２が存在する点で、図８に示す場合と異なる。該第２実施形態における半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品によれば、上述の第１実施形態の場合に比べて、第１半導体部品補強部材１１６の封止を行うための樹脂基材を省くことができる。
【００３３】
又、変形例として、上述のステップ２０４にて、半導体部品１０４の埋設後、上記回路パターン形成面１２３に回路パターン１１９を形成しておいて、その後、ステップ２０５、２０６、２０８の工程をとっても良い。
尚、図１５に示す場合のように、第１半導体部品補強部材１１６の第２面１１６ｂ側に第２熱可塑性樹脂基材２２２が存在し第１半導体部品補強部材１１６が全て封止されることから、該第２熱可塑性樹脂基材２２２上にさらに上記第３熱可塑性樹脂基材１２４を設けなくても良い。このように第２熱可塑性樹脂基材２２２上にさらに上記第３熱可塑性樹脂基材１２４を設けるか否かは、半導体部品実装済完成品として求められる厚みと、上記第２熱可塑性樹脂基材２２２の厚みとの相関関係で決定される。このように、第３熱可塑性樹脂基材１２４は、半導体部品実装済完成品の厚み調整用に用いることができる。
【００３４】
第３実施形態；
上述の第２実施形態では、図１４に示すように第１熱可塑性樹脂基材１２２に半導体部品１０４を埋設後、半導体部品１０４の裏面１０４ａに第１半導体部品補強部材１１６の第１面１１６ａを接触させて第１半導体部品補強部品１１６を配置し、さらに第２熱可塑性樹脂基材２２２を載置したが、当該第３実施形態は、図１８に示すように、第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋設された半導体部品１０４と、第１半導体部品補強部材１１６と間に、第５熱可塑性樹脂基材２５０を設ける点で異なる。
図１８に示す構成にて、図７に示す工程と同様の熱プレスを実施し、その結果図１９に示すように、半導体部品１０４と第１半導体部品補強部材１１６との間に第５熱可塑性樹脂基材２５０が介在した状態で、半導体部品１０４及び第１半導体部品補強部材１１６が第１熱可塑性樹脂基材１２２、第５熱可塑性樹脂基材２５０、及び第２熱可塑性樹脂基材２２２に埋設された形態の半導体部品実装済部品１０５が得られる。
【００３５】
又、変形例として、上述第２実施形態と同様に、図２０に示すように、第２熱可塑性樹脂基材２２２の表面２２２ａに第１半導体部品補強部材１１６の第１面１１６ａを露出させるようにして、予め別工程で第２熱可塑性樹脂基材２２２に第１半導体部品補強部材１１６を埋設した工程を採ることもできる。
更に、図２１に示すように、表面２２２ａに第１半導体部品補強部材１１６の第１面１１６ａを露出させた第２熱可塑性樹脂基材２２２の裏面２２２ｂを、半導体部品１０４の裏面１０４ａに接触させ、かつ上記表面２２２ａに第５熱可塑性樹脂基材２５０を接触させる構造を採ることもできる。但しこの場合、第１半導体部品補強部材１１６は、第２熱可塑性樹脂基材２２２の裏面２２２ｂには露出しないように埋設される。
その後の、半導体部品実装済部品、及び半導体部品実装済完成品を形成する工程は、上述の第２実施形態における説明と同様である。
尚、第５熱可塑性樹脂基材２５０を省き、ステップ２０８における第３熱可塑性樹脂基材１２４のみにてラミネート処理しても良い。
【００３６】
このように第３実施形態は、上述の第２実施形態における図１５に示す構成と比べて、半導体部品１０４の裏面１０４ａと第１半導体部品補強部材１１６との間に熱可塑性樹脂が介在している点で異なる。このように、半導体部品１０４と第１半導体部品補強部材１１６との間に、これら半導体部品１０４及び第１半導体部品補強部材１１６に比べて弾性率の低い樹脂が介在することで、半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品において曲げに対する半導体部品１０４の割れ防止に対する効果が大きくなる。
【００３７】
第４実施形態；
上述の第１実施形態〜第３実施形態では、半導体部品１０４の裏面１０４ａ側にのみ第１半導体部品補強部材１１６を配置する構成であったが、当該第４実施形態では、半導体部品１０４の厚み方向の両側に半導体部品補強部材を配置する半導体部品実装済完成品の製造方法を示す。即ち、半導体部品１０４を間に挟んで、第１半導体部品補強部材１１６と、下記の第２半導体部品補強部材２１５とが設けられる。
当該第４実施形態において、図１２に示すステップ２０７までのプロセスは、上述の第１実施形態〜第３実施形態におけるプロセスと同様である。よって当該第４実施形態にて特徴的な工程は、ステップ２０８におけるラミネート処理にて、第２半導体部品補強部材２１５を載置しておく点である。
【００３８】
第２半導体部品補強部材２１５の設置方法は、図２２、図２４に示すように、予め別工程にて、第４熱可塑性樹脂基材１２５の表面１２５ａに第２半導体部品補強部材２１５が露出するように、第４熱可塑性樹脂基材１２５に第２半導体部品補強部材２１５を埋設しておく方法、又は、図２３に示すように半導体部品実装済部品１０１の半導体部品１０４に対向させて第２半導体部品補強部材２１５そのものを配置する方法がある。尚、図２４の場合、第２半導体部品補強部材２１５が露出した上記表面１２５ａが半導体部品実装済部品の外表面を構成することになるので、露出している第２半導体部品補強部材２１５を封止すべく、第６熱可塑性樹脂基材２５５を配置する必要がある。
尚、上記第２半導体部品補強部材２１５は、基本的に、上述した第１半導体部品補強部材１１６と同一の形状、材料にてなる物を使用することができるが、図２２及び図２３の構成では、第２半導体部品補強部材２１５と回路パターン１１９とが直接に接触する可能性があることから、この場合、第２半導体部品補強部材２１５は、電気的絶縁性を有しかつ半導体部品１０４の補強を図れる剛性を有する材料にてなる必要がある。
又、図２３に示す構成の応用として、図２５に示すよう第２半導体部品補強部材２１５と半導体部品実装済部品１０１との間に第７熱可塑性樹脂基材２６０を配置する場合もある。
【００３９】
図２２〜図２５に示すそれぞれの構成において、半導体部品実装済部品１０１の厚み方向に沿って押圧処理を行い、さらにラミネート処理を実施することで、図２６に示すように、半導体部品１０４の厚み方向における両側に半導体部品補強部材１１６、２１５を配置した半導体部品実装済完成品１０６が完成する。
該半導体部品実装済完成品１０６によれば、上述の第１実施形態〜第３実施形態における半導体部品実装済完成品に比べて、半導体部品補強部材数が倍であるので、半導体部品１０４の保護をより確実に行うことができる。又、図２５に示すように第７熱可塑性樹脂基材２６０を配置することで、上述の第３実施形態の場合と同様に半導体部品実装済完成品において曲げに対する半導体部品１０４の割れ防止に対する効果が大きくなる。
【００４０】
第５実施形態；
本実施形態の半導体部品実装済完成品は、上述の第４実施形態において、第１半導体部品補強部材１１６を搭載せず第２半導体部品補強部材２１５のみを設けた構成を有するものである。該第５実施形態の半導体部品実装済完成品１０７を図２７に示す。該半導体部品実装済完成品１０７のように、半導体部品１０４のアクティブ面側に第２半導体部品補強部材２１５を配置した、片面補強構造の半導体部品実装済完成品を作製することも可能である。
【００４１】
以上説明したように上述の実施形態によれば、半導体部品は樹脂基材内に埋設され、さらに半導体部品補強部材も樹脂基材内に埋め込まれることから、半導体部品と半導体部品補強部材とを接着する接着剤が不要となる。よって、該接着剤の塗布及び硬化の為の工程は不要となり、従来に比べて生産性が良く、又、接着剤の材料費を削減できる。
又、上述のように半導体部品と半導体部品補強部材とを接着剤を使用せず、半導体部品及び半導体部品補強部材を樹脂基材内へ埋め込んで半導体部品に対して半導体部品補強部材を配置させることから、作製される半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品の外表面を平坦化することができる。
さらに、上述のように半導体部品及び半導体部品補強部材は、樹脂基材内へ埋め込まれることから、従来のくり抜き穴１４を設ける必要はなく、従来に比べて生産性の向上、コスト削減を図ることができる。
このように上述の各実施形態によれば、高品質、高生産性で安価な、半導体部品実装済部品の製造方法、半導体部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品を提供することができる。
【００４２】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明の第１態様における、半導体部品実装済部品の製造方法によれば、半導体部品と第１半導体部品補強部材とを接触させた状態で第１基材内へ埋設することから、半導体部品と第１半導体部品補強部材とを接着する接着剤が不要となり、該接着剤の塗布及び硬化の為の工程を削除でき、かつ材料費削減によるコスト低減が図れる。又、従来のくり抜き穴を設ける必要がなくなる。よって、従来に比べて生産性を向上させ安価な半導体部品実装済部品の製造方法を提供可能である。
又、上述のように接着剤を使用せず半導体部品及び半導体部品補強部材を樹脂基材内へ埋め込んで半導体部品に対して半導体部品補強部材を配置させることから、作製される半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品の外表面を平坦化することができ、従来に比べて高品質な半導体部品実装済部品の製造方法を提供可能である。
【００４４】
又、本発明の第３態様の半導体部品実装済部品、及び本発明の第５態様の半導体部品実装済完成品によれば、当該半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品は、上述第１態様の製造方法にて製造されることから、高品質であり、高い生産性にて生産され、かつ安価な半導体部品実装済部品とすることができる。
【００４５】
又、本発明の第４態様の半導体部品実装済完成品の製造方法によれば、半導体部品実装済完成品に備わる半導体部品実装済部品を上述の第１態様の製造方法にて製造することから、従来に比べて高品質で、生産性の向上が図れ、かつ安価な半導体部品実装済完成品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施形態における半導体部品内蔵コアモジュール部品の断面図である。
【図２】 図１に示す半導体部品内蔵コアモジュール部品を有する非接触ＩＣカードの断面図である。
【図３】 図１に示す半導体部品内蔵コアモジュール部品、及び図２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体部品を示す図である。
【図４】 図１に示す半導体部品内蔵コアモジュール部品、及び図２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体部品補強部材の斜視図である。
【図５】 図４に示す半導体部品補強部材の変形例の斜視図である。
【図６】 図１に示す半導体部品内蔵コアモジュール部品、及び図２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、第１熱可塑性樹脂基材上に半導体部品及び第１半導体部品補強部材を載置した状態を示す図である。
【図７】 図１に示す半導体部品内蔵コアモジュール部品、及び図２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体部品及び第１半導体部品補強部材を第１熱可塑性樹脂基材へ押し込む状態を示す図である。
【図８】 図１に示す半導体部品内蔵コアモジュール部品、及び図２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体部品及び半導体部品補強部材を第１熱可塑性樹脂基材に埋設した状態を示す図である。
【図９】 図２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体部品内蔵コアモジュール部品を平面プレスにてラミネート処理する状態を示す図である。
【図１０】 図２に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体部品内蔵コアモジュール部品をローラーにてラミネート処理する状態を示す図である。
【図１１】 本発明の実施形態における、半導体部品実装済完成品の製造方法を示すフローチャートである。
【図１２】 本発明の実施形態における、半導体部品実装済完成品の他の製造方法を示すフローチャートである。
【図１３】 図１２に示す製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、第１熱可塑性樹脂基材に埋設された半導体部品の状態を示す断面図である。
【図１４】 図１２に示す製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体部品上に第１半導体部品補強部材を載置した状態を示す断面図である。
【図１５】 図１２に示す製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体部品及び第１半導体部品補強部材が封止された状態を示す断面図である。
【図１６】 図１２に示す製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、図１４に示す製造工程の変形例を示す断面図である。
【図１７】 図１２に示す製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、図１５に示す半導体部品実装済部品に対してラミネート処理を行う状態を示す断面図である。
【図１８】 図１２に示す製造方法の変形例であって、半導体部品と第１半導体部品補強部材との間に第５熱可塑性樹脂基材を設けた場合を説明するための図である。
【図１９】 図１８に示す製造方法にて作製された半導体部品実装済部品の断面図である。
【図２０】 図１２に示す製造方法の変形例であって、第１半導体部品補強部材を予め埋設した樹脂基材と、半導体部品との間に第５熱可塑性樹脂基材を設けた場合を説明するための図である。
【図２１】 図２０に示す製造方法の変形例を説明するための図である。
【図２２】 図１５に示す半導体部品実装済部品を備えて半導体部品実装済完成品を製造するとき、さらに第２半導体部品補強部材を設ける場合を示す図である。
【図２３】 図２２に示す、半導体部品実装済完成品の製造方法の変形例を説明するための図である。
【図２４】 図２２に示す、半導体部品実装済完成品の製造方法の変形例を説明するための図である。
【図２５】 図２２に示す、半導体部品実装済完成品の製造方法の変形例を説明するための図である。
【図２６】 図２３〜図２５に示す製造方法にて製造された半導体部品実装済完成品の断面図である。
【図２７】 図２６に示す半導体部品実装済完成品の変形例における断面図である。
【図２８】 従来の半導体部品実装済部品を示す断面図である。
【図２９】 従来の半導体部品実装済部品の製造工程を示すフローチャートである。
【図３０】 従来の半導体部品実装済部品に備わる半導体部品を示す図である。
【図３１】 従来の半導体部品実装済部品の製造工程を説明するための図であり、基板上に異方導電性シートを載置した状態を示す図である。
【図３２】 従来の半導体部品実装済部品の製造工程を説明するための図であり、異方導電性シートを介して回路パターンと半導体部品との電気的接続を図った状態を示す断面図である。
【図３３】 従来の半導体部品実装済部品の製造工程を説明するための図であり、基板に取り付けられた半導体部品上に接着剤を設けた状態を示す図である。
【図３４】 従来の半導体部品実装済完成品の製造工程を説明するための図である。
【図３５】 従来の半導体部品実装済完成品を示す断面図である。
【符号の説明】
１００…非接触ＩＣカード、１０１…半導体部品内蔵コアモジュール部品、
１０４…半導体部品、１０４ａ…裏面、
１１３…バンプ、１１６…第１半導体部品補強部材、
１２２…第１熱可塑性樹脂基材、１２４…第３熱可塑性樹脂基材、
１２５…第４熱可塑性樹脂基材、
２２２…第２熱可塑性樹脂基材。

Claims (5)

1. 半導体部品の裏面に該半導体部品の補強を行う第１半導体部品補強部材を接触させて設け、
   上記半導体部品を第１基材の裏面に載置し、上記半導体部品及び上記第１半導体部品補強部材が接触した状態にて、当該半導体部品及び第１半導体部品補強部材と第１基材とを相対的に押圧し、上記半導体部品及び上記第１半導体部品補強部材を上記半導体部品の電極部が上記第１基材の裏面に対向する回路形成面に露出するまで上記第１基材内へ埋設する、
   ことを特徴とする半導体部品実装済部品の製造方法。
2. 上記埋設動作後、上記電極部が露出した上記第１基材の路形成面に、上記電極部に接触して回路パターンを形成する、請求項１記載の半導体部品実装済部品の製造方法。
3. 請求項２記載の半導体部品実装済部品の製造方法にて製造されたことを特徴とする半導体部品実装済部品。
4. 請求項２記載の半導体部品実装済部品の製造方法にて半導体部品実装済部品を製造し、
   上記第１基材の厚み方向から第３基材及び第４基材にて上記半導体部品実装済部品のラミネート処理を行う、
   ことを特徴とする半導体部品実装済完成品の製造方法。
5. 請求項４記載の半導体部品実装済完成品の製造方法にて製造されたことを特徴とする半導体部品実装済完成品。

Images