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JP3849606B2 - 情報記録媒体、情報記録方法、情報再生方法 - Google Patents

情報記録媒体、情報記録方法、情報再生方法 Download PDF

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JP3849606B2
JP3849606B2 JP2002228094A JP2002228094A JP3849606B2 JP 3849606 B2 JP3849606 B2 JP 3849606B2 JP 2002228094 A JP2002228094 A JP 2002228094A JP 2002228094 A JP2002228094 A JP 2002228094A JP 3849606 B2 JP3849606 B2 JP 3849606B2
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光を用いて情報を記録する情報記録媒体、情報記録方法、及び情報記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
記録膜に光を照射して情報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材料の相変化（相転移、相変態とも呼ばれる）など、熱による原子配列変化を利用するものは多数回書換え可能な情報記録媒体が得られるという長所を持つ。例えば、特開２００１―３４４８０７号に記載されている通り、これら相変化光ディスクの場合の基本構成は基板上に保護層、ＧｅＳｂＴｅ系等の記録膜、保護層、反射層という構成からなる。
【０００３】
一方、有機材料を記録層とした光ディスクで実用化しているものには、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒが有る。これらは、記録光源の波長に吸収を有する色素を含む記録層と、それに接する基板表面をレーザー照射で変質させて記録を行う。
【０００４】
また、波長可変レーザーを用いた超高密度記録の方法として、大きさが僅かにバラついた多数のラテックス球の周囲に色素をコーティングし、直径に応じた特定の波長で共鳴吸収が起きることを利用して高密度記録する方法が報告されている。
【０００５】
さらに、光アシスト磁気記録、または磁気・光融合記録と呼ばれる技術では、パルス、または連続のレーザー光を照射しながらコイルからの変調磁界を印加して磁化容易軸が膜面に垂直な記録媒体に高密度記録し、磁気ディスクと同様な磁気ヘッドによって読出しを行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
光ディスクや磁気・光融合ディスクの記録を超高密度にするために、記録マークの長さを微細に調整する変調方式の２値記録、あるいは多値記録する方法が有るが、原理的には高密度化可能であっても、実際には色々な要因で記録マークの始端や終端の位置が揺らぎやすく、密度が上がりにくい。また、実効的な記録密度を上げるには多層化するのが好ましいが、２層ＤＶＤのような方法では焦点位置を変えて記録するので、３層以上では球面収差が出やすく、光入射側の層の光吸収の悪影響が問題となる。また、記録光に対して透明な材料の２光子吸収を利用した多層（３次元）記録では、２光子吸収の遷移確率が低いために非常に大きく、また短パルスのレーザーが必要であるという問題点がある。また、ラッテックス球を用いた波長多重記録では球の大きさの分布を制御できず、波長によって再生信号強度が大きく異なるという問題点が有る。本発明の目的はこれらの問題点を解決し、超高密度記録を実現することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決するための本発明の構成を以下に述べる。
【０００８】
記録媒体の記録膜または記録膜に近接した層に、基板表面の凹凸に同期した自己組織化により光吸収率や反射率の微細な周期構造をあらかじめ作り込んでおくことにより、記録マークの始端、終端の位置を正確にし、高密度化を可能にする。自己組織化膜には、例えばチオール系有機分子や、オレイルアミンとオレイン酸分子を金属の超微粒子の周囲に付けたものなどを用いる。これにより、製膜時に、溶液から析出させる方法や、紫外線硬化樹脂と一緒に塗布し、昇温して再配列させる方法などで自己組織化させる。自己組織化膜の超微粒子の配列は、トラッキング用の溝を利用して溝の方向に揃えるのが好ましい。これにより、トラック方向に超微粒子の無機物と、その周囲の有機物が交互に並ぶことになる。多層化するには、自己組織化させた後、断熱スペーサー層を設けて、再び同様にして自己組織化層を設ける。
【０００９】
記録原理には、熱による、微粒子自身の相変化や磁化反転や色の変化、さらには混在する、あるいは上に製膜した相変化記録材料や色素の色の変化などを利用する。
本発明では、基板の凹部で溝となっている部分をグルーブと呼ぶ。グルーブとグルーブの間をランドと呼ぶ。光が基板を通して膜に入射する場合は、入射側から見てグルーブは凸に見える。このため、光を基板と反対の側から入射させる方式でも、同様に入射側から見て凸となっている側がグルーブと呼ばれる場合も有る。この部分は、基板だけに注目したときは凸部であってグルーブとグルーブの間のランド部分であるから、この呼び方は本発明の定義とは逆ということになる。ランドとグルーブの一方だけに記録する、いわゆるイングルーブ記録の場合、光入射が基板側からの場合も基板と反対側からの場合も光入射側から見て凸部に記録した方が記録特性が良い場合が多いが、大きな差ではないので光入射側から見て凹部に記録しても良い。
【００１０】
本願発明は、更に記録密度の向上を図るため、多層記録も好適である。実効的記録密度（実効的面密度）を高めるには多層化が望ましいが、従来の媒体では３層以上では球面収差が出やすいほかに、各層の透過率と記録感度とがトレードオフの関係にあり、再生信号品質か記録感度か、どちらかが犠牲にならざるを得なかった。透明有機材料に厚さ方向も含めて３次元記録するものも知られているが、２光子吸収を利用するものでは記録感度が非常に悪く、光重合を利用するものでは保存安定性と記録感度が悪い。
【００１１】
しかしながら本発明では、層ごとに少しずつ大きさの異なる誘電体超微粒子の周囲に色素分子を付けるなどの方法で、波長が微妙に変えられる半導体レーザー光の共鳴吸収を起こさせ、光入射側の光吸収の悪影響無しに目標の層だけに光吸収させることができる。
【００１２】
本発明は２．６ＧＢ ＤＶＤ−ＲＡＭの規格以上の記録密度（トラックピッチ、ビットピッチ）の場合に効果を発揮し，４．７ＧＢ ＤＶＤ−ＲＡＭの規格以上の記録密度の場合に特に効果を発揮する。光源の波長が６６０ｎｍ付近でない場合（例えば４００ｎｍ付近の場合や、集光レンズの開口数（ＮＡ）が０．６５でない場合は、これらから半径方向，円周方向ともに波長比、ＮＡ比で換算した記録密度以上で効果を発揮する。
【００１３】
なお、本明細書では、結晶一非晶質間の相変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、結晶状態一結晶状態間の相変化も含むものとして「相変化」という用語を使用する。
【００１４】
本発明の実施例となる実験は基板側から光を入射させる通常の光ヘッドを用いて行ったが、ＮＡ０.８５程度の絞込みレンズを用い、基板とは反対の側から光を入射させるヘッドや近接場ヘッドを用いれば、さらに本発明の記録媒体に適した高密度記録が行える。
【００１５】
【発明の実施の形態】
＜実施例１＞
（構成、製法）
本発明の記録媒体は、図1 に示したような構成を持つ。
【００１６】
この媒体は次のようにして製作された。まず、直径８ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．４ミクロンで深さ２５ｎｍのイングルーブ記録（ここでは光スポットから見てランド記録）用のトラッキング用の溝（幅０．１５ミクロン）を有し、溝のウォブルによってアドレスが表現されたポリカーボネイト基板 １上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０より成る下部保護層 ２を膜厚５０ｎｍに形成した。さらにその上にＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５の組成の相変化記録膜３を膜厚１０ｎｍに形成した。基板表面への溝パターンの転写は、原盤のフォトレジストにメッキしたニッケルマスターを用いて行った。上記の記録膜上に、磁気ディスクの作製方法の論文Shouheng Sun他によるJ. Am.Chem.Soc. vol.124, No.12, p2884 (2002) に書かれているように、クロロホルムに溶かしたポリエチレンイミン ４を塗布し、乾燥させた。次に、ランド部に薄く付いたポリエチレンイミンをプラズマアッシャーにより除去した。この時、グルーブ部にはポリエチレンイミンが残留する。次に、オレイルアミンとオレイン酸分子を周囲に付けたＰｔ５０Ｆｅ５０合金の直径１５ｎｍの多数の粒子をヘキサンに分散させて塗布し、その後ポリエチレンイミンにくっつかなかった粒子をヘキサンで洗い流し、乾燥させた。上記のトラッキング用の溝は図２に示したように、３３０ｎｍ毎に断続されており、約５０ｎｍの溝になっていない部分が間に存在する。この溝の各部分にＰｔ−Ｆｅ粒子が３０ｎｍ周期で規則正しく詰まって、図２に示すような配列となった。上記の、オレイン酸分子を周囲に付けたＰｔ−Ｆｅ微粒子は、特開2000-54012 の実施例１に記載の磁気ディスク用のものと同じ方法で作製した。
この上に（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０保護層 ７を膜厚２０ｎｍ，Ａｌ９０Ｔｉ１０反射層 ８を６０ｎｍ形成した。記録層としては、既知の、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５などのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料や、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料を用いた。積層膜の形成は、マグネトロン・スパッタリング装置を用いて行った。
【００１７】
上記のように規則正しく配列した、大きさの揃ったＰｔ−Ｆｅ粒子が存在することにより、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層を透過した光がこれらの粒子で吸収されて熱を発生し、その熱を記録膜に与える。このため、記録層に生じる熱のパターンも周期的になり、Ｐｔ−Ｆｅ粒子の間では温度が急に下がるため、記録時に形成される相変化記録マークの端（エッジ）の位置がＰｔ−Ｆｅ粒子の端とほぼ一致するように規制される。
【００１８】
Ｐｔ−Ｆｅのような金属は、K.M.Leung, Phys. Rev. vol.A33 p2461 (1986), D.S. Chemla and D.A.B. Miller, Opt. Lett. Vol.11, p522 (1986), Schmitt-Rink, D.A.B.Miller and D.S.Chemla, Phys. Rev. vol. B35, p8113 (1987), J. W. Haus, N. Kalyaniwalla, R. Inguva and C.M.Bowden, J. Appl. Phys. Vol. 65, p1420 (1989) P. Royer, J.P. Goudonnet, R.J. Warmack and T.L. Ferrell, Phys Rev. vol. B35, p3753 (1987) に報告されているように光照射によってプラズモン励起が起こり、光照射強度と光吸収や反射が比例しない非線形な効果が生じる。この効果は金属微粒子でプラズモンによる共鳴吸収が起きる光波長から少しズレた波長の光を照射した時顕著で、ある強度以上の光吸収により共鳴波長がシフトし、照射している波長で共鳴吸収が起きるようになり、急激に光吸収が増大する。このような非線形効果は、金属微粒子の周囲が非線形効果を持つ有機、または無機の誘電体材料である場合には特に顕著であるが、周囲の材料に非線形効果が無くても起きる。本実施例のオレイルアミンやオレイン酸やポリエチレンイミンは、僅かに非線形効果を持つ。
【００１９】
Ｐｔ−Ｆｅに代わる材料としては、Ｐｔ−Ｃｏや、ＡｕやＡｇなどの単体金属も好ましい。Ａｕの場合、オレイルアミンやオレイン酸ではなく、チオール基を末端に付けた直鎖の炭化水素分子を周囲に付けるのが好ましい。
【００２０】
ポリエチレンイミンの代わりにＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）を用いても同様にプロセスが行える。
【００２１】
本実施例ではランド部のポリエチレンイミンを除去したが、残しておいてランド部にもＰｔ−Ｆｅの粒子が自己組織化して付いてもよい。ただしこの場合はグルーブ部に記録する時、ランド部にはみ出して記録されたり、ランド・グルーブ記録の場合はランド部の記録マークの一部が消去される可能性が生じるので、狭トラックピッチ化には制約が有る。
【００２２】
自己組織化膜は本発明のように塗布や基板を液に浸ける方法のほか、ＬＢ（ラングミュアブロジェット法で、液の表面からすくう方法で形成しても良い。ただし、記録領域の面積が大きくなるほど、全体を完全に自己組織化するのが難しくなる。
【００２３】
相変化記録層を設けた場合は、加熱により、記録膜は結晶化、あるいは非晶質化の相変化を起こす。
熱による化学変化（例えば色素の脱色反応）によって屈折率、消衰係数のうちの少なくとも一方が変化する有機、あるいは無機材料の層を別の層として積層し、この層の変化によって記録を行ってもよい。
【００２４】
なお、上記ディスク部材の膜表面には紫外線硬化樹脂 ９を塗布して、同じ形状のもう一枚の基板と貼り合わせ、ディスク状情報記録媒体を得た。
【００２５】
また、記録・再生レーザー光は、基板側から入射させた。張り合せ基板側からレーザー光を入射させても良い。ただし、この場合、反射率が約１０％となり、読出しのコントラスト比が得られるように記録膜膜厚を決めた。
【００２６】
（初期結晶化）
前記のようにして製作したディスクの相変化記録層には次のようにして初期結晶化を行った。ディスクを回転させ、スポット形状が媒体の半径方向に長い長円形の半導体レーザ（波長約８１０ｎｍ）のレーザ光パワーを８００ｍＷにして基板を通して記録層に照射した。スポットの移動は、媒体の半径方向のスポット長の１／４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが２回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。
【００２７】
（記録・消去・再生）
上記記録媒体に対して、情報の記録再生を行った。以下に、図３を用いて、本情報記録再生の動作を説明する。まず、記録再生を行う際のモーター制御方法としては、記録再生を行うゾーン毎にディスクの回転数を変化させるＺＣＡＶ（Ｚｏｎｅｄ Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅ１ｏｃｉｔｙ）方式を採用したものについて述べる。
【００２８】
記録装置外部からの情報は８ビットを１単位として、８−１６変調器に伝送される。情報記録媒体（以下、光ディスクと呼ぶ）上に情報を記録する際には、情報８ビットを１６ビットに変換する変調方式、いわゆる８−１６変調方式を用い記録が行われた。この変調方式では媒体上に、８ビットの情報に対応させた３Ｔ〜１４Ｔのマーク長の情報の記録を行っている。図中の８−１６変調器はこの変調を行っている。なお、ここでＴとは情報記録時のクロックの周期を表している。ディスクは光スポットとの相対速度が１５ｍ／ｓの線速度となるよう回転させた。
【００２９】
８−１６変調器により変換された３Ｔ〜１４Ｔのデジタル信号は記録波形発生回路に転送され、マルチパルス記録波形が生成される。
【００３０】
この際、記録マークを形成するためのパワーレベルを５ｍＷ、記録マークの消去が可能な中間パワーレベルを２ｍＷ、パワーを下げたパワーレベルを０．１ｍＷとした。線速度を１５ｍ／ｓから変えても、この範囲に大きな変化は無かった。読出しは０．２ｍＷ以上２ｍＷ以下の範囲で実用的な読出しが行えた。２ｍＷを越えるパワーで長時間読むと、記録されているデータの劣化が生じた。また、上記記録波形発生回路内において、３Ｔ〜１４Ｔの信号を時系列的に交互に「０」と「１」に対応させるようにしている。この際、高パワーレベルのパルスが照射された領域は非晶質（マーク部）に変化する。また、上記記録波形発生回路８−６内は、マーク部を形成するための一連の高パワーパルス列を形成する際に、マーク部の前後のスペース部の長さに応じてマルチパルス波形の先頭パルス幅と最後尾のパルス幅を変化させる方式（適応型記録波形制御）に対応したマルチパルス波形テーブルを有しており、これによりマーク間に発生するマーク間熱干渉の影響を極力排除できるマルチパルス記録波形を発生している。
【００３１】
記録波形発生回路により生成された記録波形は、レーザー駆動回路に転送され、レーザー駆動回路はこの記録波形をもとに、光ヘッド内の半導体レーザーを発光させる。
【００３２】
本記録装置に搭載された光ヘッドには、情報記録用のレーザービームとして光波長４００ｎｍの半導体レーザーが使用されている。また、このレーザー光をレンズＮＡ０．６３の対物レンズにより上記光ディスクの記録層上に絞り込み、レーザービームを照射することにより情報の記録を行った。
【００３３】
また、相変化記録層の場合、媒体の反射率は結晶状態の方が高く、記録され非晶質状態になった領域の反射率が低くなっている。情報信号に従ってパルスレーザー光照射を繰り返してゆけば、非晶質記録マーク列が形成される。
【００３４】
記録された情報の再生も上記光ヘッドを用いて行った。レーザービームを記録されたマーク上に照射し、マークとマーク以外の部分からの反射光を検出することにより、再生信号を得る。この再生信号の振幅をプリアンプ回路により増大させ、８−１６復調器では１６ビット毎に８ビットの情報に変換する。以上の動作により、記録されたマークの再生が完了する。
以上の条件でマークエッジ記録を行った場合、最短マークである３Ｔマークのマーク長は約０．２０μｍ、最長マークである１４Ｔマークのマーク長は約１．９６μｍとなる。記録信号には、情報信号の始端部、終端部に４Ｔマークと４Ｔスペースの繰り返しのダミーデータが含まれている。始端部にはＶＦＯも含まれている。
【００３５】
（マークエッジ記録）
ＤＶＤ−ＲＡＭおよびＤＶＤ−ＲＷには高密度記録が実現できるマークエッジ記録方式が採用されている。マークエッジ記録とは、記録膜に形成する記録マークの両端の位置をディジタルデータの１に対応させるもので、これにより、最短記録マークの長さを基準クロック１個でなく２〜３個分に対応させて高密度化することもできる。ＤＶＤ−ＲＡＭでは８−１６変調方式を採用しており、基準クロック３個分に対応させている。マークエッジ記録方式は、円形記録マークの中心位置をディジタルデータの１に対応させるマークポジション記録に比べると、記録マークを極端に小さくしなくても高密度記録できるという長所がある。さらに記録マークの長さの刻みが小さい変調方式とすれば、記録密度が向上した。記録マークの形状歪みが小さいことが記録媒体に要求されるので、本実施例の記録媒体で初めて実現可能である。ここでは刻みが８−１６変調の2／3となる場合も、良好な再生信号が得られる。
【００３６】
相変化記録媒体では、記録波形を変えない場合、良好な記録再生特性を得るのに結晶化速度に対応した最適線速度で記録するのが望ましい。しかし、ディスク上の半径の異なる記録トラック間をアクセスする時、線速度を同じにするために回転数を変えるのには時間がかかる。そこでＤＶＤ−ＲＡＭでは、アクセス速度が小さくならないようにディスクの半径方向を２４のゾーンに分け、ゾーン内では一定回転数とし、別のゾーンにアクセスしなければならない時だけ回転数を変えるＺＣＬＶ（Ｚｏｎｅｄ Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式を採用している。この方式では、ゾーン内の１番内周のトラックと一番外周のトラックで線速度が少し異なるので記録密度も少し異なるが、ディスク全域にわたってほぼ最大の密度で記録することができる。
【００３７】
一方、半径方向に大きくアクセスしても回転数を変えなくても良い点では回転数一定のＣＡＶ記録方式が好ましく、回転数を変える際の電力消費を抑制できるのでモバイル機器にも適している。
【００３８】
再結晶化の防止も重要である。記録時の記録膜融解後の周辺部からの再結晶化で非晶質記録マークとして残る部分が狭まる場合は所定の大きさの記録マークを形成するのにより広い領域を融解させる必要が有り、隣接トラックの温度が上昇しやすくなるからである。本発明では熱の発生が離散的であり、また、微粒子の存在による凹凸が結晶成長を止める働きを持つので、不必要な再結晶化も防止できる。
【００３９】
（記録層）
記録層材料としては、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５，Ｇｅ４Ｓｂ２Ｔｅ７、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５などの組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料や、Ａｇ４Ｉｎ６Ｓｂ６５Ｔｅ２５などの組成のＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料など、光ディスクで知られている各種材料が、要求される記録速度や他の特性に応じて使用可能である。記録メカニズムは、相変化のほか、多数回書換え可能ではなくなるが、記録層（相変化材料層など）自身の穴形成や、発色能の破壊、色の変化、隣接する光導電体層や基板の変化・変形でも良い。
【００４０】
多数回書換えが要求されない用途には有機材料も使用可能であって、各種有機導電性材料や、ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤ−Ｒで用いられる必ずしも導電性の高くない色素や、フォトクロミック色素やその他の既知の色素が使用可能である。これらの場合、記録メカニズムとしては、光および／または電流の作用による有機材料自身および／または光導電体層および／または基板表面の構造変化による光学的変化、または穴形成を利用する。
【００４１】
（界面層）
結晶核形成速度と結晶成長速度を増大させ、結晶化速度を速くさせるために、好ましくは、上記以外に記録膜との間に、界面層を設ける。界面層の材料としては，下記より成るグループ、すなわち、Ｔａ２Ｏ５などのＴａ酸化物、Ｃｒ２Ｏ３などのＣｒ酸化物、Ａｌ２Ｏ３などのＡｌ酸化物，ＳｉＯ２などのＳｉ酸化物，ＧｅＯ２などのＧｅ酸化物，ＳｎＯ２などのＳｎ酸化物，ＺｒＯ２などのＺｒ酸化物，Ｃｏ，Ｎｉの酸化物、Ｃｒ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｂ，Ｈｆの窒化物うちの、単独、または２者以上の混合物，が好ましい。これらにＺｎＳを５０原子％未満添加しても良い。この中で、Ｃｒ２Ｏ３は多数回書き換え時の反射率レベルの変動を５％以下に押さえられ、ジッターを減少でき、より好ましい。ＣｏＯ，Ｃｒ２Ｏ，ＮｉＯは初期結晶化時の結晶粒径が均一になり、書き換え初期のジッター上昇が小さくより好ましい。また，Ａ１Ｎ，ＴａＮ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｃｒ２Ｎ，ＧｅＮ，ＨｆＮ，あるいはＳｉ３Ｎ４、Ａ１−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡ１ＳｉＮ２）、Ａｌ−Ｔｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｔｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料や、これら窒化物の混合物も接着カが大きくなり、外部衝撃による情報記録媒体の劣化が小さく、より好ましい。また、Ｃｒ８０Ｇｅ２０などのＣｒ−Ｇｅ系材料や、ＣｒとＧｅの酸化物あるいは窒化物が６０ｍｏ１％以上含まれていると保存寿命が向上し、高温高湿の環境におかれても高性能の記録媒体を維持できる。
【００４２】
（誘電体（絶縁物）保護層）
記録層の周辺の絶縁物層の融点は６００℃以上であることが好ましい。６００℃より融点が低い材料を絶縁物層として用いた場合、記録時に記録層で発生した熱及び絶縁物層自体による発熱により劣化し、光学特性が変化してＳ／Ｎが低下する場合がある。前記各層の膜厚，材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより，さらに効果が上がる。絶縁物層の材料としては、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｃｒ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＧｅＯ２、ＧｅＮ，Ｓｉ３Ｎ４、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、これらの組成比が異なるものなど、多くの酸化物、窒化物が使用可能である。絶縁性の有機材料を用いても良い。
【００４３】
（基板）
本実施例では、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板７７を用いているが、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全面または一部に、記録・再生波長をλとしたとき、λ／１５ｎ（ｎは基板材料の屈折率）以上の深さの溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。溝深さが約λ／１２ｎの時、トラッキングとノイズのバランスの面で好ましいことがわかった。また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。グルーブのみに記録するタイプでは、トラックピッチが波長／絞込みレンズのＮＡの０.７倍付近、グルーブ幅がその１／２付近のものが好ましい。
【００４４】
特に低価格であることが要求されない用途では、ガラス基板にフォトレジストを用いたエッチングによって溝などの凹凸パターンを直接形成したものや、ガラス基板上の紫外線硬化樹脂層にスタンパーから凹凸パターンを転写したものを用いても良い。
レーザー光源に、例えば４素子のアレーレーザーを用いた場合、データ転送速度を４倍近く高速化することができた。
【００４５】
本実施例の記録媒体の相変化記録層の下部（光入射側）と金属超微粒子層の上に透明電極を設け、電極間に約５Ｖの電圧を全体に印加しながら記録マークを形成すべき場所に光を照射すると、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層に生成されるフォトキャリアによって、照射部分だけで記録層と金属超微粒子を通って電流が流れ、低いレーザーパワーで記録ができると同時に、記録の閾値性が増して正確な記録マークを形成できる。上部保護層を１０ｎｍ以下に薄くすれば、Ａｌ合金反射層側の透明電極は設けず、反射層に兼ねさせることができる。このような電圧印加を必要とするディスクへの電力の供給は、ドライブの固定側に高出力（150ｍＷ）の半導体レーザーと、ディスク回転軸の、例えばディスク受けの下部を取り巻く太陽電池との組で非接触で供給を行えた。太陽電池からはディスク受けに配線し、ディスクの記録領域から最内周部に伸びた2つ以上の透明電極に接触させた。
【００４６】
本実施例の記録媒体は磁化しているので、光磁気記録媒体としても、光アシスト磁気記録媒体（磁気・光融合記録媒体）としても、微粒子の磁化の向きが１方向に向いた記録領域が記録すべき信号に忠実になり、優れた特性を持つ。これらの場合、相変化材料の層は必要無いが、Ｐｔ−Ｆｅなどの微粒子の磁化容易軸の向きを揃える必要が有る。これには、強い磁場をかけながら加熱するなどの方法をとる。光照射によるプラズモン励起共鳴吸収は、弱い外部磁場でも磁化が反転しやすくなる効果を持つ。光磁気記録の場合は、既によく知られている光磁気用光ヘッドと、磁場印加用電磁石を用いる。光アシスト磁気記録の場合は記録にはコイルと集光光学系を持つ記録ヘッドを用い、読出し時にはＧＭＲ磁気ヘッドを用いる。これらの場合、超微粒子の組成をＰｔ５０Ｃｏ５０などのＰｔ−Ｃｏ系合金にした方が、加熱しながら磁場をかけて磁化容易軸を揃えやすく、好ましい。また、図１の反射層８から上の層は設けない。また、基板にはガラス基板を用いる。
【００４７】
＜実施例２＞
記録媒体や装置構成は実施例1と同様であるが、記録方式として多値記録を採用した。記録トラック上の単位長さのうち記録マークの占める割合を変えて多値記録した。通常の相変化記録媒体に多値記録した場合は、Ｍ．Ｈｏｒｉｅ氏らによるＰＣＯＳ２００１のＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓの２０ページ（2001）の論文の図（Ｆｉｇ．８）である図４ に示したように記録マーク形状に歪みが生じるのを避けられず、読出し信号にエラーが生じやすいが、本発明の自己組織化を利用した記録媒体では同様な記録でも記録マーク形状が正確で、図５ に再生信号処理後の波形のトレースの例を示したように、正確に４値のレベルをとる再生信号が得られた。タイミングをとって図の４つの横線で示されたレベルでスライスすると、従来媒体より１桁低いエラーレートでレベルを判定することができる。上記文献のような８値記録でもエラーレートは２倍にしかならなかった。
【００４８】
＜実施例３＞
本実施例は多層構造記録媒体およびそれを用いる記録装置に関するものである。
【００４９】
図６に示したように、記録媒体の第１層は、実施例１と同様に形成する。ただし実験に用いた光源の波長が長いため、トラックピッチは１ミクロン、溝幅は０.３ミクロンと広いものを用いた。微粒子は金属でなく、ＳｉＯ２とし、その周囲に厚さ５ｎｍのシアニン色素層を設けた後、オレイン酸を周囲に付けたものとした。Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層は設けない。基板の表面にまずオートフォーカス・トラッキングのために厚さ１０ｎｍで半透明なＡｇ９５Ｐｄ３Ｃｕ２の組成の半透明反射層１１を設けた。図６では、図１の記録層から上部保護層までの間を、詳細を書かずに間隔が広く太い斜線の層１３および１７等として示してある。シアニン色素を周囲に付けたＳｉＯ２微粒子は次のようにして作製した。市販のコロイダルシリカをアルコールに拡散させ、金錯体から、表面に約１ｎｍの薄いＡｕ層を析出させた。次にこれに、末端にチオール基を付けたシアニン色素を加えて微粒子の周囲に付着させた。このようにして形成した第１層のすぐ上に（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０のスパッタリングにより、厚さ約１００ｎｍの断熱のための透明スペーサー層を形成し、もう一度第１層と同様にしてＳｉＯ２とその周りの色素からなる微粒子が周期的に配列した層を設ける。ただし、第２層ではＳｉＯ２微粒子の粒径を第１層とは僅かに異なったものとした。このような微粒子の粒径の選択は、真空蒸発法などである粒径分布の微粒子を形成した後、上記の液体中に分散させた状態で遠心分離機にかけ、採取する層を選択することによって粒径を選択することにより行った。
【００５０】
図６には明確に示していないが、繰り返し塗布層を設けるので、グルーブの凹凸は上の層ほど埋まって平坦になってゆく。
【００５１】
上記のようにして形成した記録媒体には、波長可変半導体レーザーを光源として用いた光ヘッドから、波長を選択したレーザー光を照射した。
【００５２】
波長可変レーザーとしては、色素レーザーやチタンサファイアレーザーを用いていも良いが、既知の半導体波長可変レーザーを用いるのが装置の小型化の面で好ましい。ここではＤＦＢレーザーを用いたが、ＤＢＲレーザーを用いれば波長選択が高速になる長所がある。
【００５３】
既に知られているように、粒子の径によって粒状光吸収体で共鳴吸収が起きる波長が異なるので、波長によって吸収が起きる層は異なり、手前の層の吸収の悪影響が少なく奥の層に照射光を吸収させ、任意の層に記録・読出しを行うことができる。また、光を吸収する部分が明確に層に分かれているので、膜厚方向の誤り無く記録・再生することができる。
【００５４】
上記積層膜の上に紫外線硬化樹脂によるオーバーコート層を形成し、同様なもう１枚のディスクと張り合わせた。
【００５５】
記録・再生装置構成などは実施例１と同様である。記録は強い光で色素層を脱色させることによって行った。読出しは脱色による反射率の変化を利用して行った。
【００５６】
色素の変化が特に反射率差として見えやすいように光学設計しておくことにより、多層の記録膜のそれぞれをほぼ独立に読み出すことができる。記録層から記録層までの光学的膜厚が読み出し光の波長に対してほぼ１波長分になるようにすると、どの記録層も光学的に等価となるので好ましい。
【００５７】
各層の厚さを絞込みレンズの焦点深度程度の厚さにし、光吸収係数が奥の層ほど大きくなるように透明有機材料で希釈して色素濃度を変えると、焦点位置を深さ方向に振って高密度記録するのに好都合である。また、各層の膜厚をもう少し薄くすると、ボリュームホログラム記録などに有利である。各層の光吸収係数をほぼ同じにして膜厚は薄くし、高パワー照射では奥の層まで、低パワー照射では入射側に近い層だけが記録されるようにして多値記録してもよい。
【００５８】
全積層をいくつかにグループ化し、例えば本実施例の場合では４層を２層ずつのグループにしても良い。
【００５９】
さらに、断熱層は透明無機誘電体でも良いが、有機材料とすれば上記と同じ理由で光学的に好ましい。断熱層は導電性が有っても良いが、無い方がより好ましく、アクリル系オリゴマー、ポリマー、金属フタロシアニンの真空蒸着膜など、多くの材料が使用可能である。
【００６０】
多層膜はすべて絞り込みレンズの焦点深度内に有っても良いが、厚さ２０〜４０ミクロンのスペーサー層を数層毎（例えば３層おき）に挟んで焦点位置を変えて各層に記録・再生してもよい。この場合、スペーサー層を２層以上用いる場合は、光学系に球面収差を補償する素子を設けた方が良い。
【００６１】
多層膜のそれぞれの、記録する自己組織化超微小粒体層を実施例１と同様に透明電極で挟み、電圧をかけながら記録しても良く、この場合は無機、または有機の既知のエレクトロクロミック材料層をそれぞれの透明電極間に設けると、電圧をかけた層のエレクトロ黒ミック層だけが色が変わって、奥の層の選択時の手前の層の光吸収の悪影響を減らすことができる。
【００６２】
微小粒に用いるＳｉＯ２に代えて、実施例１で「誘電体（絶縁物）保護層」に使用可能と書いた各種材料を使用することができる。
【００６３】
＜実施例４＞
本実施例では、実施例１と同様な記録媒体とするが、微小粒状無機物として、周囲に有機分子を付けた相変化記録材料の微小粒を用いる。相変化記録材料の微小粒は、低真空中で記録材料を蒸発させながら、アクリル誘導体モノマーを吹き付けることで作製し、これを有機溶媒に拡散させて遠心分離し、その一部を取り出すことによって粒径をプラスマイナス１０％の範囲で揃えたものである。
【００６４】
記録媒体は次のようにして製作された。まず、図７に示すとおり、直径８ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．４ミクロンで深さ２３ｎｍのイングルーブ記録（ここでは光スポットから見てランド記録）用のトラッキング用の溝（幅０．１５ミクロン）を有し、溝のウォブルによってアドレスが表現されたポリカーボネイト基板２１上に、ＳｉＯ２を膜厚３０ｎｍに形成した。基板表面への溝パターンの転写は、原盤のフォトレジストにメッキしたニッケルマスターを用いて行った。上記のＳｉＯ２層上に、クロロホルムに溶かしたポリエチレンイミンを塗布し、乾燥させた。次に、オレイルアミンとオレイン酸分子を周囲に付けた相変化材料Ｇｅ４Ｓｂ２Ｔｅ７の直径１５ｎｍの多数の粒子をヘキサンに溶かして塗布し、その後ポリエチレンイミンにくっつかなかった粒子をヘキサンで洗い流した。上記のトラッキング用の溝は６５ｎｍ毎に断続されており、約１０ｎｍの溝になっていない部分が間に存在する。この溝の各部分に記録膜材料粒子が１５ｎｍ周期で規則正しく詰まって、図２ に示したのと同様な配列となった。この上に（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０保護層を膜厚２０ｎｍ，Ａｌ９０Ｔｉ１０反射層を６０ｎｍ形成した。相変化材料としては、既知の、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５などのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料や、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料を用いた。積層膜の形成は、マグネトロン・スパッタリング装置を用いて行った。
【００６５】
上記のように規則正しく配列した、大きさの揃った相変化材料粒子が存在することにより、照射した光がこれらの相変化材料粒子で吸収されて熱を発生する。このため、熱のパターンも周期的になり、相変化材料粒子の間では温度が急に下がるため、記録時に相変化する相変化材料微粒子の範囲が正確になる。
【００６６】
なお、上記ディスク部材の膜表面には紫外線硬化樹脂を塗布して、同じ形状のもう一枚の基板と貼り合わせ、ディスク状情報記録媒体を得た。
【００６７】
また、記録・再生方法は実施例１と同様であり、記録・再生レーザー光は、基板側から入射させた。
【００６８】
＜実施例５＞
本実施例でも実施例４と同様な記録媒体を用いるが、相変化記録材料の微粒子の代わりにＣ６０（フラーレン）などの粒状（楕円球状）の原子集合体を用いる。この原子集合体をポリエチレンイミンなどのポリマーに設けた側鎖に結合させ、規則正しく配列させる。強い光でＣ６０を励起し、ポリマー層の変形などによって記録する。記録された情報の読出しは変形による光の屈折や散乱を利用して行う。このように、本発明のバリエーションとして、球状炭素や、微小粒状に成り得る有機分子を用いた自己組織化記録媒体でも、高密度記録できる。この場合、粒状有機分子の周囲の有機分子に光吸収させるのが良いが、
粒状有機分子のほうに光吸収が有るものを用いて、周囲の有機分子は透明としてもよい。
【００６９】
【発明の効果】
本発明の情報記録媒体では、記録マークの形状を記録すべき信号に忠実にできるので高密度記録が可能となる。
また、従来より大幅に多層化可能であり、実効的記録密度を上げ、記録媒体１枚あたりの記録容量を大幅に大容量化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の情報記録媒体の断面図である。
【図２】本発明の一実施例の情報記録媒体の１部分の平面図である。
【図３】本発明の他の一実施例の装置のブロック図である。
【図４】従来の相変化記録媒体の多値記録マークの例である。
【図５】本発明の他の一実施例の情報記録媒体の多値記録の再生信号波形のトレースの例である。
【図６】本発明の他の一実施例の多層情報記録媒体の断面図である。
【図７】本発明の他の一実施例の情報記録媒体の断面図である。
【符号の説明】
１： 基板
２： 下部保護層
３： 記録層
４： ポリエチレンイミン層
５： 金属超微小粒
６： 超微小粒の周囲の有機材料
７： 上部保護層
８： 反射層
９： 樹脂層
１０：基板
１１：半透明反射層
１２：下部保護層
１３：相変化材料微小粒を含む有機材料層
１４：上部保護層
１５：断熱層
１６：２層目の下部保護層
１７：２層目の超微小粒を含む層
１８：２層目の上部保護層
１９：ＵＶ樹脂層
２１： 基板
２２： 下部保護層
２４： ポリエチレンイミン層
２５： 金属超微小粒
２６： 超微小粒の周囲の有機材料
２７： 上部保護層
２８： 反射層
２９： 樹脂層。

Claims (9)

  1. エネルギー照射により情報が記録される情報記録媒体において、前記情報記録媒体は、エネルギー吸収度が異なる無機物と有機物がトラック方向に交互に配列している層を有することを特徴とする情報記録媒体。
  2. 前記記録媒体は、前記層に隣接又は近接して、相変化記録層を有することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
  3. 前記無機物が、相変化記録材料の微粒子からなることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
  4. 前記層は、トラック方向に周期的な凹凸を有する基板上にあり、前記配列は、前記基板表面の凹凸に同期していることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
  5. 前記記録媒体は、磁化していることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
  6. 無機物と有機物がトラック方向に交互に配列している層を有する記録媒体に対してエネルギーを与え、前記無機物又は前記有機物に選択的にエネルギーを吸収させ、前記媒体に情報を記録することを特徴とする情報記録方法。
  7. 前記エネルギーを、光照射により与え、前記光照射のスポットは、前記無機物から前記有機物にかけて照射されることを特徴とする請求項６記載の情報記録方法。
  8. 前記エネルギーを、前記無機物から前記有機物にかけて電極より電気的エネルギーとして与えることを特徴とする請求項６記載の情報記録方法。
  9. 情報が記録され、光吸収度が異なる無機物と有機物がトラック方向に交互に配列している層を有する媒体に対し、光スポットを照射してその反射光を検出し、多値レベルのレベルが前記無機物と前記有機物の境界部となるように再生信号を生成し、前記媒体に記録された情報を再生することを特徴とする情報再生方法。
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