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JP3833530B2 - 差動増幅器 - Google Patents

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JP3833530B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無線端末に用いられる差動増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】
差動増幅器の歪を低減する手法としては、負帰還を用いるものや、能動素子を用いるものがあるが、これらの手法は、位相補償容量や入出力特性の制約のため、高周波を扱う差動増幅器には向かなかった。そのため、高周波を扱う差動増幅器として、図10に図示すような差動増幅器とすることが一般的である。
【0003】
図10において、NPNトランジスタQ1,Q2と、電流源7,9とで、エミッタフォロワ5を構成している。そして差動ペアのNPNトランジスタQ3,Q4と、抵抗R1,R2,R3,R4と、電流源13とで、差動アンプ11を構成している。このエミッタフォロワ5と差動アンプ11とで、差動増幅器を構成している。
【0004】
トランジスタQ1,Q2のベースに入力された信号は、トランジスタQ1,Q2でバッファされた後、トランジスタQ3,Q4のベースに入力され、差動ペアトランジスタQ3,Q4の相互コンダクタンスにより電圧から電流へ変換され増幅される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
入力端子1、3に入力される差動入力信号を、2トーン信号(周波数は違うが、レベルが同一である信号)とすると、差動アンプ11により出力電流には3次相互変調歪(IM3;Inter Modulation3)が生じる。
【0006】
回路技術でこれらの歪を低減する最も容易な方法は、差動アンプ11のトランジスタQ3とQ4に流す電流を大きくすることである。
【0007】
しかし、この手法では、歪の指標である3次出力インタセプト点(Output Intercept Point3;出力端19、21)を、6dB高く(改善)するためには、差動アンプ11に流す電流を、約2倍大きくする必要があり、低消費電力化の観点からこの手法は望ましいものではない。
【0008】
そこで本発明は、少ない消費電流の増加で、歪の発生を大幅に抑制する差動増幅器を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の差動増幅器は、ほぼ逆位相の入力信号が供給される一対のトランジスタからなるエミッタフォロワ回路と、このエミッタフォロワ回路を構成する前記一対のトランジスタの出力端に接続された負荷回路と、この負荷回路が接続された前記一対のトランジスタの出力端に接続された差動アンプと、を具備し、前記負荷回路は、前記一対のトランジスタの出力端にそれぞれ一端が接続された一対のダイオードおよび抵抗の直列接続回路と、この一対の直列接続回路の他端に共通に接続された電流源と、を含むことを特徴とするものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
(第1の実施例)
図1に、本発明の差動増幅器の第1の実施例の基本回路図を示す。
【0011】
図1において、NPNトランジスタQ1,Q2と、電流源7,9とで、第1のエミッタフォロワ5を構成する。
【0012】
ここで接続関係を、説明する。トランジスタQ1のコレクタは、電圧源VCCに接続され、これのベースは、入力端1に接続され、これのエミッタは、電流源7の一端に接続されている。電流源7の他端は、接地されている。トランジスタQ2のコレクタは、電圧源VCCに接続され、これのベースは、入力端3に接続され、これのエミッタは、電流源9の一端に接続されている。電流源9の他端は、接地されている。
【0013】
図1において、NPNトランジスタQ5,Q6と、抵抗R3,R4,R5,R6と、電流源17とで、差動アンプ15を構成する。
【0014】
ここで接続関係を説明する。トランジスタQ5のコレクタは、抵抗R5の一端に接続され、これのベースは、トランジスタQ1のエミッタに接続され、これのエミッタは、抵抗R3の一端に接続されている。抵抗R5の他端は、電圧源VCCに接続されている。抵抗R3の他端は、電流源17の一端に接続されている。電流源17の他端は、接地されている。
【0015】
またトランジスタQ6のコレクタは、抵抗R6の一端に接続され、これのベースは、トランジスタQ2のエミッタに接続され、これのエミッタは、抵抗R4の一端に接続されている。抵抗R6の他端は、電圧源VCCに接続されている。抵抗R4の他端は、電流源17の一端に接続されている。電流源17の他端は、接地されている。
【0016】
図1において、ダイオード構成になっているNPNトランジスタQ3,Q4と、抵抗R1,R2と、電流源13とで、負荷回路11を構成する。
【0017】
ここで接続関係を説明する。トランジスタQ3のコレクタとベースは、共通にトランジスタQ1のエミッタに接続され、これのエミッタは、抵抗R1の一端に接続されている。抵抗R1の他端は、電流源13の一端に接続されている。電流源13の他端は、接地されている。トランジスタQ4のコレクタとベースは、共通にトランジスタQ2のエミッタに接続され、これのエミッタは、抵抗R2の一端に接続されている。抵抗R2の他端は、電流源13の一端に接続されている。
【0018】
今、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5と差動アンプ15の消費電流が同程度であると仮定すると、差動アンプ15の入力インピーダンスは、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の出力インピーダンスと比べ高くなるので、差動アンプ15は、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の負荷とならない。
【0019】
この場合、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の動作と、差動アンプ15の動作を別々に考えることができる。つまり図2、図3に示すように差動増幅器を2つの回路ブロックに分けて考えることができる。図2は、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の回路図である。図3は、差動アンプ15の回路図である。
【0020】
まず図2において、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得Gveを求める。
【0021】
図2の回路は、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の構成が対称的なので、計算過程において、入力端子1と3に入力される差動入力信号による電圧変化分のみ考えればよい。
【0022】
トランジスタQ1,Q2のベースに入力される差動入力信号をVie、トランジスタQ1,Q2のエミッタから出力される差動出力信号をVoe、電流源7,9に流れる電流をI1、電流源13に流れる電流を2*I2とする。
【0023】
トランジスタの電流増幅率βは無限大とする。差動入力信号Vieにより、電流I2がΔI変化したとすると、トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4のベース−エミッタ間に発生する電圧ΔVbe1,ΔVbe2、ΔVbe3、ΔVbe4、抵抗R1(抵抗値R1),R2(抵抗値R2)に発生する電圧ΔVr1,ΔVr2は、それぞれ次式で表せる。
【0024】
ΔVbe1=VT*ln(I1+I2+ΔI)・・(1)
ΔVbe2=VT*ln(I1+I2−ΔI)・・(2)
ΔVbe3=VT*ln(I2+ΔI)・・(3)
ΔVbe4=VT*ln(I2−ΔI)・・(4)
ΔVr1=(I2+ΔI)*R1・・(5)
ΔVr2=(I2−ΔI)*R2・・(6)
ここで、VTは、VT=kT/qと表され、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電子の電荷量である。
【0025】
差動出力信号Voeは、(3)、(4)、(5)、(6)式を用いて、次式で表される。
Voe=ΔVbe3+ΔVr1−(ΔVbe4+ΔVr2)
=VT・ln(I2+ΔI)+(I2+ΔI)*R1−VT・ln(I2−ΔI)−(I2−ΔI)*R2・・(7)
差動入力信号Vieは、上記(1)、(2)、(7)式を用いて、次式で表される。
【0026】
Vie=ΔVbe1−ΔVbe2+Voe
=VT・ln(I1+I2+ΔI)−VT・ln(I1+I2−ΔI)+VT・ln(I2+ΔI)+(I2+ΔI)*R1−VT・ln(I2−ΔI)−(I2−ΔI)*R2・・(8)
従って、上記(7)、(8)式より、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得Gveは、以下のように表せる。
【0027】
Gve=Voe/Vie
=[ VT・ln(I2+ΔI)+(I2+ΔI)*R1−VT・ln(I2−ΔI)−(I2−ΔI)*R2 ] / [ VT・ln(I1+I2+ΔI)−VT・ln(I1+I2−ΔI)+VT・ln(I2+ΔI)+(I2+ΔI)*R1−VT・ln(I2−ΔI)−(I2−ΔI)*R2 ]・・(9)
ここで、R1=R2=(a*VT)/I2とおき、(9)式に代入すると、
Gve=[ VT・ln(I2+ΔI)+((I2+ΔI)*a*VT)/I2−VT・ln(I2−ΔI)−((I2−ΔI)*a*VT)/I2 ] / [ VT・ln(I1+I2+ΔI)−VT・ln(I1+I2−ΔI)+VT・ln(I2+ΔI)+((I2+ΔI)*a*VT)/I2−VT・ln(I2−ΔI)−((I2−ΔI)*a*VT)/I2 ]
=[ ln(I2+ΔI)−ln(I2-ΔI)+(2*a*ΔI)/I2 ] /[ ln(I1+I2+ΔI)-ln(I1+I2−ΔI)+ln(I2+ΔI)−ln(I2−ΔI)+(2*a*ΔI)/I2 ]・・(10)
差動入力信号Vieは、(8)式にR1=R2=a*VT/I2を代入して、Vie=VT・ln(I1+I2+ΔI)−VT・ln(I1+I2−ΔI)+VT・ln(I2+ΔI)+((I2+ΔI)*a*VT)/I2−VT・ln(I2−ΔI)−((I2−ΔI)*a*VT)/I2
=[ ln(I1+I2+ΔI)−ln(I1+I2−ΔI)+ln(I2+ΔI)−ln(I2−ΔI)+(2*a*ΔI)/I2 ] * VT・・(11)
次に、図3において、差動アンプ15の利得Gvaを計算する。
【0028】
差動ペアトランジスタQ5,Q6のベースに入力される差動入力信号をVia、差動ペアトランジスタQ5,Q6のコレクタから出力される差動出力信号をVoa、電流源17に流れる電流を2*I3とする。トランジスタの電流増幅率βは無限大とする。
【0029】
差動入力信号Viaにより、差動ペアトランジスタQ5.Q6に流れる電流I3がΔI変化したとすると、トランジスタQ5,Q6のベース−エミッタ間に発生する電圧ΔVbe5,ΔVbe6、抵抗R3(抵抗値R3),R4(抵抗値R4),R5(抵抗値R5),R6(抵抗値R6)で発生する電圧ΔVr3,ΔVr4,ΔVr5,ΔVr6は、それぞれ次式となる。
【0030】
ΔVbe5=VT*ln(I3+ΔI)・・(12)
ΔVbe6=VT*ln(I3−ΔI)・・(13)
ΔVr3=(I3+ΔI)*R3・・(14)
ΔVr4=(I3−ΔI)*R4・・(15)
ΔVr5=(I3+ΔI)*R5・・(16)
ΔVr6=(I3−ΔI)*R6・・(17)
差動入力信号Viaは、上記(12)、(13)、(14)、(15)式を用いて、次式で表される。
【0031】
Via=ΔVbe5+ΔVr3−(ΔVbe6+ΔVr4)
=VT・ln(I3+ΔI)+(I3+ΔI)*R3−VT・ln(I3−ΔI)−(I3−ΔI)*R4・・(18)
差動出力信号Voaは、上記(16)、(17)式を用いて、次式で表される。
【0032】
Voa=ΔVr5-ΔVr6
=(I3+ΔI)*R5−(I3−ΔI)*R6・・(19)
従って、上記(18)、(19)式より、差動アンプ15の利得Gvaは、次式で表される。
【0033】
Gva=Voa/Via
=[ (I3+ΔI)*R5−(I3−ΔI)*R6 ] / [ VT・ln(I3+ΔI)+(I3+ΔI)*R3−VT・ln(I3−ΔI)−(I3−ΔI)*R4 ]・・(20)
ここで、R3=R4=R5=R6=(b*VT)/I3とおき、上記(20)式に代入すると、
Gva=[ ((I3+ΔI)*b*VT)/I3−((I3−ΔI)*b*VT)/I3 ] / [ VT・ln(I3+ΔI)+((I3+ΔI)*b*VT)/I3−VT・ln(I3−ΔI)−((I3−ΔI)*b*VT)/I3 ]
=[ (2*ΔI*b)/I3 ] / [ ln(I3+ΔI)−ln(I3−ΔI)+(2*ΔI*b)/I3 ]・・(21)
差動入力信号Viaは、上記(18)式より、R3=R4=(b*VT)/I3とすると、次式となる。
【0034】
Via=VT・ln(I3+ΔI)+((I3+ΔI)*b*VT)/I3−VT・ln(I3−ΔI)−((I3−ΔI)*b*VT)/I3
=[ ln(I3+ΔI)−ln(I3−ΔI)+(2*b*ΔI)/I3 ] * VT・・(22)
上記(10)、(11)、(21)、(22)式において、I1=4、I2=1、I3=1、a=1、b=4とおくと、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得Gve、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の差動入力信号Vie、差動アンプ15の利得Gva、差動アンプ15の差動入力信号Viaは、それぞれ次式で表される。
【0035】
Gve=[ ln(1+ΔI)−ln(1−ΔI)+2*ΔI ] / [ ln(5+ΔI)−ln(5−ΔI)+ln(1+ΔI)−ln(1−ΔI)+2*ΔI ]・・(23)
Vie=[ ln(5+ΔI)−ln(5−ΔI)+ln(1+ΔI)−ln(1−ΔI)+2*ΔI ] * VT・・(24)
Gva=[ 8*ΔI ] / [ ln(1+ΔI)−ln(1−ΔI)+8*ΔI ]・・(25)
Via=[ ln(1+ΔI)−ln(1−ΔI)+8*ΔI ] * VT・・(26)
ここで、上記(23)、(25)式を入力信号がゼロの時の利得を1で正規化する。つまり、差動入力信号がゼロの時、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得と、差動アンプ15の利得の出発点を同じくする。
【0036】
差動入力信号がゼロの時、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得Gve0を求めるため、上記(23)式のGveを整理する。
【0037】
Gve=[ ln(1+ΔI)−ln(1−ΔI)+2*ΔI ] / [ ln5+ln(1+ΔI/5)−ln5−ln(1−ΔI/5)+ln(1+ΔI)−ln(1−ΔI)+2*ΔI ]
ΔIを、無限小とする。つまり、差動入力信号がゼロの時、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得Gve0は、以下のようになる。
【0038】
Gve0=[ ΔI+ΔI+2*ΔI ] / [ ΔI/5+ΔI/5+ΔI+ΔI+2*ΔI ]
=[ 4*ΔI ] / [ (2*ΔI)/5+4*ΔI ]
=20/22
同様に、(25)式において、ΔIを無限小とすることにより、差動入力信号がゼロの時、差動アンプ15の利得Gva0は、以下の式となる。
【0039】
Gva0=[ 8*ΔI ] / [ ΔI+ΔI+8*ΔI ]
=4/5
従って、差動入力信号がゼロの時の利得を1で正規化した負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得Gven、差動アンプ15の利得Gvanは、Gven=Gve/Gve0、Gvan=Gva/Gva0より、次式で表される。
【0040】
Gven=[ 22/20 ]*[ ln(1+ΔI)−ln(1−ΔI)+2*ΔI ] / [ ln(5+ΔI)−ln(5−ΔI)+ln(1+ΔI)−ln(1−ΔI)+2*ΔI ]・・(27)
Gvan=[ (5/4)*(8*ΔI) ] / [ ln(1+ΔI)−ln(1−ΔI)+8*ΔI ]・・(28)
上記(24)、(26)、(27)、(28)式において、ΔIを変化させた時のグラフを、図4に示す。横軸は、差動入力信号Vie,Viaであり、(24)、(26)式より計算される。縦軸は利得(真数で表示)である。
【0041】
図4からわかるように、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ1の利得と差動アンプ15の利得は、互いに逆の特性を示す。差動増幅器全体の利得は、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得と差動アンプ15の利得を掛け算した特性となる。このため、差動増幅器全体の利得は、広入力範囲において、一定となる。これは、差動増幅器全体の歪が良くなることを意味している。
【0042】
付言すると、R3*I3=R4*I3の値が小さい時は、R1,R2が必要ない場合もある。
【0043】
図5に、図1に示す差動増幅器の3次相互変調歪特性(IM3)のシミュレーション結果を示す。シミュレーション条件は、I1=80μA、I3=160μA、I2=20μA、R1=R2=1.5kΩ、R3=R4=1kΩ、R5=R6=1kΩである。前述の計算式では、a=1、b=4としたが、実際は、歪が一番低減する値にa、bを合わせ込むため、a、bの値は計算式とは若干異なる。
【0044】
図5において、A曲線は、第1のエミッタフォロワ5に負荷回路11がついてない場合の差動アンプ15の3次相互変調歪(IM3)の曲線であり、B曲線は、第1のエミッタフォロワ5に負荷回路11を付けた場合の差動アンプ15の3次相互変調歪(IM3)の曲線である。第1のエミッタフォロワ5に負荷回路11を付加することにより、差動アンプ15の3次相互変調歪(IM3)が大幅に改善されることがわかる。
【0045】
図5のシミュレーション条件と同様、第1のエミッタフォロワ5の電流と差動アンプ15の電流が同じで、差動増幅器の3次出力インタセプト点(OI3;出力端19、21)を6dB改善する場合、本発明では、負荷回路11に第1のエミッタフォロワ5の1/4の電流を流すだけで良く、差動増幅器全体に流れる電流は、(2*I1+I3+2*I2)/(2*I1+I3)=1.125より、+12.5%増加ですむ。
【0046】
しかし、図10の従来の回路技術では、差動アンプ15に流す電流を2倍にしなくてはならない為、差動増幅器全体に流れる電流は、(2*I1+2*I3)/(2*I1+I3)=1.5より、+50%増加となってしまう。
【0047】
このように、従来技術と比較して消費電流の若干の増加の割に歪改善効果は大きいといえる。
【0048】
なおNPNトランジスタQ1乃至Q6の代わりに、PNPトランジスタを使用しても良い。この場合、電源関係は、逆となる。
【0049】
(第2の実施例)
第1の実施例は、差動アンプ15が第1のエミッタフォロワ5の負荷にならないと仮定した場合の話である。しかしながら、高周波を扱う差動増幅器や送信出力段に用いられる差動増幅器など、差動アンプ15で消費する電流が多い差動増幅器の場合は、差動アンプ15の入力インピーダンスが低下する。そのため、差動アンプ15が第1のエミッタフォロワ5の負荷となり、第1の実施例で示した仮定が成り立たない。
【0050】
トランジスタの電流増幅率をβ、差動ペアの各トランジスタQ5,Q6のエミッタ抵抗をre、差動ペアの各トランジスタQ5,Q6のエミッタに接続される抵抗をREとする。
【0051】
そうすると、差動アンプ15の入力インピーダンスの絶対値|Zin|は、概略|Zin|=2*β*(re+RE)で表される。ここで、βは、
概略β=[ (βo*ft)/f ] / [ βo+ft/f ]
である。βoは低周波での電流増幅率であり、通常βo=100程度である。ftは、トランジション周波数である。fは、差動アンプ15の差動入力信号の周波数である。
【0052】
差動ペアの各トランジスタQ5,Q6のエミッタ電流をI、抵抗REで発生する電圧降下をc*VTとおく。re=VT/I、RE=(c*VT)/Iより、
|Zin|=2*β*[ VT/I+(c*VT)/I ]である。
【0053】
この式より、|Zin|は、βに比例、Iに反比例することがわかる。
【0054】
また、β=[ (βo*ft)/f ] / [ βo+ft/f ]
より、βは、高周波数で低下することがわかる。
【0055】
例えば、周波数fが、ftの1/10の時を考えると、β=10程度になる。
【0056】
以上より、高周波数でのβの低下や、差動アンプ15の電流増加により、差動アンプ15の入力インピーダンスの絶対値|Zin|は小さくなるということがわかる。つまり、第1のエミッタフォロワ5に対して、差動アンプ15が負荷になる。このため、別途対策を講じる必要がある。
【0057】
そこで、図6に、本発明の第2の実施例である、差動アンプ15の入力インピーダンスの絶対値が低い場合の差動増幅器の原理図を示す。
【0058】
差動アンプ15が第1のエミッタフォロワ5の負荷となる場合は、図6に示すように、第1のエミッタフォロワ5の前段にもう1つ第2のエミッタフォロワ31を追加する。
【0059】
第2のエミッタフォロワ31は、NPNトランジスタQ7,Q8と、電流源33,35とからなる。トランジスタQ7のコレクタは、電圧源VCCに接続され、これのベースは、入力端1aに接続され、これのエミッタは、電流源33の一端に接続されている。電流源33の他端は、接地されている。
【0060】
トランジスタQ8のコレクタは、電圧源VCCに接続され、これのベースは、入力端3aに接続され、これのエミッタは、電流源35の一端に接続されている。電流源35の他端は、接地されている。
【0061】
更に、負荷回路11は、第1の実施例と異なり、第2のエミッタフォロワ31に接続される。
【0062】
トランジスタQ3のコレクタとベースは、共通にトランジスタQ7のエミッタに接続され、これのエミッタは、抵抗R1の一端に接続されている。抵抗R1の他端は、電流源13の一端に接続されている。電流源13の他端は、接地されている。トランジスタQ4のコレクタとベースは、共通にトランジスタQ8のエミッタに接続され、これのエミッタは、抵抗R2の一端に接続されている。抵抗R2の他端は、電流源13の一端に接続されている。
【0063】
この時、差動アンプ15の前段の第1のエミッタフォロワ5の入力インピーダンス(図6のA点、B点から見た入力インピーダンス)の絶対値|Zin|は、概略|Zin|=2*β*β*(re+RE)で表されるため、高周波でβが小さくなっても、初段の第2のエミッタフォロワ31の負荷にはならず、第1の実施例で説明した仮定が成り立つ。
【0064】
図6と異なり、負荷回路11を第1のエミッタフォロワ5に接続した場合の欠点を、図7を参照しながら説明する。
【0065】
図7は、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5に抵抗2*RLが接続されている回路図である。抵抗2*RLは、前述した差動アンプ15の入力インピーダンスの絶対値|Zin|を表している。図7において、抵抗RLが変化した場合の負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得Gvelを求める。
【0066】
トランジスタQ1,Q2のベースに入力される差動入力信号をViel、トランジスタQ1,Q2のエミッタから出力される差動出力信号をVoel、電流源7,9に流れる電流をI1、電流源13に流れる電流を2*I2とする。
【0067】
差動入力信号Vielにより、トランジスタQ1,Q2に流れる電流が、ΔI変化し、トランジスタQ3,Q4に流れる電流がΔI2変化したとする。この時、トランジスタQ1,Q2,Q3,Q4のベース−エミッタ間に発生する電圧ΔVbe1、ΔVbe2、ΔVbe3、ΔVbe4、抵抗R1(抵抗値R1),R2(抵抗値R2),RL(抵抗値RL)で発生する電圧ΔVr1,ΔVr2,ΔVrlは、それぞれ次式で表せる。
【0068】
ΔVbe1=VT・ln(I1+I2+ΔI)・・(29)
ΔVbe2=VT・ln(I1+I2−ΔI)・・(30)
Vbe3=VT・ln(I2+ΔI2)・・(31)
ΔVbe4=VT・ln(I2−ΔI2)・・(32)
ΔVr1=(I2+ΔI2)*R1・・(33)
ΔVr2=(I2−ΔI2)*R2・・(34)
ΔVrl=(ΔI−ΔI2)*2*RL・・(35)
差動出力信号Voelは、上記(31)、(32)、(33)、(34)式を用いて、次式で表される。
【0069】
Voe1=ΔVbe3+ΔVr1−(ΔVbe4+ΔVr2)
=VT・ln(I2+ΔI2)+(I2+ΔI2)*R1−VT・ln(I2−ΔI2)−(I2−ΔI2)*R2・・(36)
ΔVrl=Voelのため、ΔIは、(35)、(36)式を用いて、次式で表される。
【0070】
(ΔI−ΔI2)*2*RL=VT・ln(I2+ΔI2)+(I2+ΔI2)*R1−VT・ln(I2−ΔI2)−(I2−ΔI2)*R2
ΔI=ΔI2+[ VT・ln(I2+ΔI2)+(I2+ΔI2)*R1−VT・ln(I2−ΔI2)−(I2−ΔI2)*R2 ] / [ 2*RL]・・(37)
差動入力信号Vielは、上記(29)、(30)、(36)式を用いて、次式で表される。
【0071】
Viel=ΔVbe1−ΔVbe2+Voel
=VT・ln(I1+I2+ΔI)−VT・ln(I1+I2−ΔI)+VT・ln(I2+ΔI2)+(I2+ΔI2)*R1−VT・ln(I2−ΔI2)−(I2−ΔI2)*R2・・(38)
従って、上記(36)、(38)式より、負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得Gvelは、以下のように表される。
【0072】
Gvel=Voel/Viel
=[ VT・ln(I2+ΔI2)+(I2+ΔI2)*R1−VT・ln(I2−ΔI2)−(I2−ΔI2)*R2 ] / [ VT・ln(I1+I2+ΔI)−VT・ln(I1+I2−ΔI)+VT・ln(I2+ΔI2)+(I2+ΔI2)*R1−VT・ln(I2−ΔI2)−(I2−ΔI2)*R2 ]・・(39)
ここで、R1=R2=(a*VT)/I2とおき、(39)式に代入すると、Gvel=[ VT・ln(I2+ΔI2)+((I2+ΔI2)*a*VT)/I2−VT・ln(I2−ΔI2)−((I2−ΔI2)*a*VT)/I2 ]/ [ VT・ln(I1+I2+ΔI)−VT・ln(I1+I2−ΔI)+VT・ln(I2+ΔI2)+((I2+ΔI2)*a*VT)/I2−VT・ln(I2−ΔI2)−((I2−ΔI2)*a*VT)/I2 ]
=[ ln(I2+ΔI2)−ln(I2−ΔI2)+(2*a*ΔI2)/I2 ] / [ ln(I1+I2+ΔI)−ln(I1+I2−ΔI)+ln(I2+ΔI2)−ln(I2−ΔI2)+(2*a*ΔI2)/I2 ]・・(40)
ΔIは、R1=R2=R=(a*VT)/I2、RL=b*R=(b*a*VT)/I2とおき、(37)式に代入すると
ΔI=ΔI2+[ VT・ln(I2+ΔI2)+((I2+ΔI2)*a*VT)/I2−VT・ln(I2−ΔI2)−((I2−ΔI2)*a*VT)/I2 ] / [ (2*b*a*VT)/I2 ]
=ΔI2+I2*[ ln(I2+ΔI2)−ln(I2−ΔI2)+(2*a*ΔI2)/I2 ] / [ 2*a*b ]・・(41)
差動入力信号Vielは、(38)式より、R1=R2=a*VT/I2とすると、次の式で表せる。
【0073】
Viel=VT・ln(I1+I2+ΔI)−VT・ln(I1+I2−ΔI)+VT・ln(I2+ΔI2)+((I2+ΔI2)*a*VT)/I2−VT・ln(I2−ΔI2)−((I2−ΔI2)*a*VT)/I2
=[ ln(I1+I2+ΔI)−ln(I1+I2−ΔI)+ln(I2+ΔI2)−ln(I2−ΔI2)+(2*a*ΔI2)/I2 ] * VT・・(42)
(40)、(41)、(42)式において、I1=4、I3=1、I2=1、a=1とすると、負荷回路11と差動アンプ15の入力インピーダンスの絶対値の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得Gvel、負荷回路11と差動アンプ15の入力インピーダンスの絶対値の付いた第1のエミッタフォロワ5の差動入力信号Viel、ΔIは、次式で表される。
【0074】
Gvel=[ ln(1+ΔI2)−ln(1−ΔI2)+2*ΔI2 ] /[ ln(5+ΔI)−ln(5−ΔI)+ln(1+ΔI2)−ln(1−ΔI2)+2*ΔI2 ]・・(43)
Viel=[ ln(5+ΔI)−ln(5−ΔI)+ln(1+ΔI2)−ln(1−ΔI2)+2*ΔI2 ] * VT・・(44)
ΔI=ΔI2+[ ln(1+ΔI2)−ln(1−ΔI2)+2*ΔI2 ] / [ 2*b ]・・(45)
ここで、(43)式を入力信号がゼロの時の利得を1で正規化する。つまり、差動入力信号がゼロの時、負荷回路11と差動アンプ15の入力インピーダンスの絶対値の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得と、差動アンプ15の利得の出発点を同じくする。
【0075】
(45)式において、ΔI2を無限小とすると、ΔIは、以下の式で表せる。
【0076】
ΔI=ΔI2+[ ΔI2+ΔI2+2*ΔI2 ] / [ 2*b ]=(4/2b+1) * ΔI2
差動入力信号がゼロの時に、負荷回路11と差動アンプ15の入力インピーダンスの絶対値の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得Gvel0を求めるため、上記Gvelを整理する。
【0077】
Gvel=[ ln(1+ΔI2)−ln(1−ΔI2)+2*ΔI2 ]/[ ln5+ln(1+ΔI/5)−ln5−ln(1−ΔI/5)+ln(1+ΔI2)−ln(1−ΔI2)+2*ΔI2 ]
ΔI2を無限小とする。つまり、差動入力信号がゼロの時、負荷回路11と差動アンプ15の入力インピーダンスの付いた第1のエミッタフォロワ5の利得Gvel0を求める。その際、ΔI=(4/2b+1) * ΔI2より、
Gvel0=[ ΔI2+ΔI2+2*ΔI2 ] / [ ΔI/5+ΔI/5+ΔI2+ΔI2+2*ΔI2 ]
=[ ΔI2+ΔI2+2*ΔI2 ] / [ ((4/2b+1)*ΔI2)/5+((4/2b+1)*ΔI2)/5+ΔI2+ΔI2+2*ΔI2 ]
=20/(4/b+22)
従って、差動入力信号がゼロの時の利得を1で正規化した、負荷回路11と差動アンプ15の入力インピーダンスの絶対値の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得Gvelnは、Gveln=Gvel/Gvel0より、次式で表される。
【0078】
Gveln=[ (4/b+22)/20 ] * [ ln(1+ΔI2)−ln(1−ΔI2)+2*ΔI2 ] / [ ln(5+ΔI)−ln(5−ΔI)+ln(1+ΔI2)−ln(1−ΔI2)+2*ΔI2 ]・・(46)
(44)、(45)、(46)式においてb=2,3とし、ΔI2を変化させ、横軸を差動入力信号Viel、縦軸を利得(真数で表示)とする。そして図4に、(44)(45)(46)式の特性を重ねた図を、図8に示す。
【0079】
図8からわかるように、抵抗RLが抵抗Rに比べ十分大きくないと、負荷回路11と差動アンプ15の入力インピーダンスの絶対値の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得が、差動アンプ15の利得の逆特性でなくなることがわかる。
【0080】
これは、差動アンプ15の歪特性を、負荷回路11で補正できないことを意味する。その結果、差動増幅器全体の歪の改善効果は薄れていく。
【0081】
従って、差動アンプ15の入力インピーダンスが低く、第1のエミッタフォロワ5の負荷となる場合は、差動アンプ15の前段の第1のエミッタフォロワ5に負荷回路11を設けることはできない。
【0082】
そこで、図6に示すように負荷の軽い初段の第2のエミッタフォロワ31の出力端に、負荷回路11を接続することにより差動増幅器全体の歪補正をする。
【0083】
また、差動増幅器を多段接続する場合には、差動増幅器の入出力にあらかじめエミッタフォロワが挿入されているため、新たにエミッタフォロワを追加する必要はなくなる。
【0084】
トランジスタQ1〜Q8の代わりに、PNPトランジスタを用いてよい。この場合、電源関係は、逆になる。
【0085】
図9に、多段接続する場合の差動増幅器の回路図を示す。図6との違いは、コンデンサC1,C2、抵抗R7,R8,R9、電流源41が追加された点である。
【0086】
コンデンサC1は、トランジスタQ7のエミッタとトランジスタQ1のベースの間に配置される。コンデンサC2は、トランジスタQ8のエミッタとトランジスタQ2のベースの間に配置される。
【0087】
抵抗R7の一端は、電圧源VCCに接続され、これの他端は、電流源41の一端に接続されている。電流源41の他端は、接地されている。抵抗R8は、抵抗R7の他端とトランジスタQ1のベースの間に配置されている。抵抗R9は、抵抗R7の他端とトランジスタQ2のベースの間に配置されている。
【0088】
そして、抵抗R7,R8,電流源41は、トランジスタQ1にベース電流を流す役目を行っている。抵抗R7,R8,R9,電流源41は、トランジスタQ2にベース電流を流す役目を行っている。
【0089】
図9の差動増幅器の歪改善効果は、抵抗R8,R9の抵抗値が大きく、初段の第2のエミッタフォロワ31の負荷にならない場合、第1の実施例と同等の歪改善効果が得られる。
【0090】
なおトランジスタQ1〜Q8の代わりに、PNPトランジスタを使用してもよい。この場合、電源関係は、逆になる。
【0091】
差動増幅器を多段、縦続接続する場合、図6のように第1と第2のエミッタフォロワ5,31のように2段直結すると、前段の差動増幅器からくる直流オフセットを増幅し、後段の差動増幅器が動作しなくなったり、第1と第2のエミッタフォロワ5,31と差動アンプ15を含めVbe3つ分の電圧が必要となる。このため、電源電圧が低い時、差動増幅器が動作しなかったりする恐れがある。
【0092】
この場合、図9に示すように、1段目、2段目のエミッタフォロワ5,31の間にコンデンサC1,C2を挿入することで、前段の差動増幅器からくる直流オフセットの影響を受けないようにすると同時に、電源電圧が低い場合でも使用できるようにするのが一般的である。
【0093】
【発明の効果】
以上、本発明では、差動アンプの歪特性を打ち消すような特性をもつ歪をエミッタフォロワと負荷回路により発生させ、差動アンプの歪と足し合わせることにより、差動増幅器の歪を低減する。また、負荷回路に必要な消費電流はエミッタフォロワの消費電流の1/4で十分効果的であり、差動増幅器の大幅な消費電流の増加なしに歪特性の良い差動増幅器を実現することができる。
【0094】
また、高周波を扱う差動増幅器や送信段に用いられる大電流を扱う差動増幅器においても、差動アンプの前段にエミッタフォロワを2段設け、初段のエミッタフォロワに負荷回路を設けることにより、歪特性の良い差動増幅器を実現できる。
【0095】
さらに、本発明で使用する負荷回路は、能動素子を用いず、全て受動素子で構成されるため、高周波を扱う差動増幅器においても良好な歪特性をもつ差動増幅器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の差動増幅器の第1の実施例の基本回路である。
【図2】図1のなかの負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の回路図である。
【図3】図1のなかの差動アンプ15の回路図である。
【図4】図2の負荷回路11の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得と、図3の差動アンプ15の利得を示す図である。
【図5】図1において、第1のエミッタフォロワ5に負荷回路11が付いていない場合の差動アンプ15の3次相互変調歪(IM3)特性と、第1のエミッタフォロワ5に負荷回路11が付いた場合の差動アンプ15の3次相互変調歪(IM3)特性を示す図である。
【図6】本発明の第2の実施例である、差動アンプ15の入力インピーダンスの絶対値が低い場合の差動増幅器の原理図を示す。
【図7】差動アンプ15の等価抵抗を加味するとともに、図6の代わりに、負荷回路11が付いた第1のエミッタフォロワ5の回路図である。
【図8】図7の負荷回路11と差動アンプ15の入力インピーダンスの絶対値の付いた第1のエミッタフォロワ5の利得を示す図である。
【図9】多段接続する場合の差動増幅器の回路図である。
【図10】高周波を扱う従来の差動増幅器の回路図である。
【符号の説明】
5・・第1のエミッタフォロワ、11・・負荷回路、15・・差動アンプ、31・・第2のエミッタフォロワ。

Claims (4)

  1. ほぼ逆位相の入力信号が供給される一対のトランジスタからなるエミッタフォロワ回路と、このエミッタフォロワ回路を構成する前記一対のトランジスタの出力端に接続された負荷回路と、この負荷回路が接続された前記一対のトランジスタの出力端に接続された差動アンプと、を具備し、前記負荷回路は、前記一対のトランジスタの出力端にそれぞれ一端が接続された一対のダイオードおよび抵抗の直列接続回路と、この一対の直列接続回路の他端に共通に接続された電流源と、を含むことを特徴とする差動増幅器。
  2. 前記ダイオードを、ベースとコレクタを短絡したトランジスタで構成することを特徴とする請求項1に記載の差動増幅器。
  3. 前記エミッタフォロワ回路と前記差動アンプの間に、第2段目のエミッタフォロワ回路が挿入されたことを特徴とする請求項1または2に記載の差動増幅器。
  4. 前記エミッタフォロワと第2段目の前記エミッタフォロワの間にコンデンサを挿入したことを特徴とする請求項3に記載の差動増幅器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2840466B1 (fr) * 2002-05-31 2004-07-16 Atmel Grenoble Sa Amplificateur haute frequence en circuit integre
JP4472507B2 (ja) * 2004-12-16 2010-06-02 日本電気株式会社 差動増幅器及びそれを用いた表示装置のデータドライバ並びに差動増幅器の制御方法
JP4556824B2 (ja) * 2005-09-27 2010-10-06 日本電気株式会社 差動増幅器とデジタル・アナログ変換器、並びに表示装置
US7728667B2 (en) 2007-08-31 2010-06-01 Yokogawa Electric Corporation Differential amplifier
US8570095B1 (en) 2012-05-11 2013-10-29 Semiconductor Components Industries, Llc Offset-compensated active load and method

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4545076A (en) * 1979-03-13 1985-10-01 Spectronics, Inc. Data transmission link
DE3714643A1 (de) * 1987-05-02 1988-11-17 Philips Patentverwaltung Schaltungsanordnung zum verstaerken eines fernsehsignals
US5250911A (en) * 1992-04-20 1993-10-05 Hughes Aircraft Company Single-ended and differential transistor amplifier circuits with full signal modulation compensation techniques which are technology independent
US5589791A (en) * 1995-06-09 1996-12-31 Analog Devices, Inc. Variable gain mixer having improved linearity and lower switching noise
JP3442541B2 (ja) * 1995-07-31 2003-09-02 株式会社東芝 駆動回路
JPH09162721A (ja) * 1995-12-06 1997-06-20 Fujitsu Ltd 電流切換型論理回路
JPH1070422A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Nec Corp 電流源回路及びそれを用いた差動増幅回路
DE19833072A1 (de) * 1998-07-23 2000-02-03 Philips Corp Intellectual Pty Oszillatorschaltung
US6188280B1 (en) * 1998-08-27 2001-02-13 Maxim Integrated Products Differential amplifier with gain linearization through transconductance compensation
JP3062164B2 (ja) * 1998-11-17 2000-07-10 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 半導体出力回路およびアイドリング電流の制御方法
JP2000307364A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 利得制御増幅器
JP2002009610A (ja) * 2000-06-27 2002-01-11 Sony Corp 論理回路
JP3633889B2 (ja) * 2000-09-29 2005-03-30 岩崎通信機株式会社 レベルシフト回路付き増幅回路

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