JP3807425B2 - 配線パターン形成方法およびｔｆｔ用ゲート電極の形成方法 - Google Patents

Description

本発明は液滴吐出法を用いた配線パターン形成方法に関し、特にＴＦＴ用ゲート電極の形成に好適な配線パターン形成方法に関する。

インクジェット法による金属配線の形成技術が知られている（例えば特許文献１）。

特開２００４−６５７８号公報

ＴＦＴ用ゲート電極の幅は１０μｍ程度である。一方、既存の液滴吐出装置のヘッドが安定して吐出し得る液滴の大きさ（直径）は、ゲート電極の幅よりも大きい。このため、ゲート電極が形成されるべき領域に、ゲート電極を形成するための導電性材料の液滴を吐出すると、液滴はその領域の範囲を超えて付着することがある。そのような領域を超えて付着した液滴は、導電性材料の残渣を生じることになる。そして、残渣が生じることによって、ゲート電極のゲート長・ゲート幅が、設計値から外れることになり、この結果、ＴＦＴの素子特性が設計値から外れてしまう。

もちろん、既存の液滴吐出装置のヘッドは、ゲート電極の幅よりも小さい直径の液滴を、電極形成領域へ直接吐出することもできる。ただし、そのような場合には、突発的な飛行曲がりが発生すると、ゲート電極が形成されるべき領域以外の部分に液滴が付着することがある。したがって、このような場合にも、最終的に得られるゲート電極のゲート長・ゲート幅は、設計値から外れることになる。さらに、液滴の大きさを小さくすれば液滴の体積が小さくなるので、ゲート電極を形成するのに必要となる液滴の数が増加する。そしてこの結果、ゲート電極を形成するのにより時間がかかってしまう。

本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、液滴吐出装置からの液滴の直径より小さい幅を有する領域へ液滴を吐出することなく、その領域に導電性材料層を設けることである。

本発明の配線パターン形成方法は、液滴吐出装置を用いて液状の導電性材料の液滴を吐出して、基板上でバンクパターンによって縁取られ、第１の幅を有する第１領域と、前記第１領域と接するとともに前記第１の幅以下の第２の幅を有する第２領域と、を有するパターン形成領域に導電性材料層を設ける。そして、この配線パターン形成方法は、前記第１の幅以下かつ前記第２の幅以上の直径の前記液滴を前記第１領域へ吐出して、前記第１領域と前記第２領域とを覆う前記導電性材料層を形成するステップ（Ａ）を有している。さらに、前記ステップ（Ａ）は、前記第１領域と前記第２領域とのうち、前記第１領域にのみへ前記液滴を吐出するステップを含んでいるとともに、前記第１領域と前記第２領域との境界線に直面する位置に前記液滴が着弾するように、前記液滴を吐出するステップ（ａ１）を含んでいる。

上記構成によって得られる効果の一つは、液滴吐出装置からの液滴の直径以下の幅を有する領域（第２領域）に液滴吐出装置から液滴を吐出することなく、第２領域に導電性材料層を設けることができることである。
また、上記構成によって得られるもう一つの効果は、第２領域に向けて液滴を吐出しないので、液滴が第２領域の範囲を超えて付着することがないことである。

好ましくは、前記ステップ（ａ１）は、前記境界線に対する法線であって前記境界線のほぼ中央を通る法線上にあるとともに、前記境界線から前記直径のほぼ１／２倍以上１倍以下の距離にある位置に、前記液滴のほぼ中心が当たるように、前記液滴を吐出するステップを含んでいる。

上記構成によって得られる効果の一つは、第２領域に液状の導電性材料をより確実に導入できることである。

本発明のある態様によれば、前記ステップ（ａ１）は、前記境界線に対する法線であって前記境界線のほぼ中央を通る法線と、前記第１領域を二分する線分であって前記第１の幅の方向に直交する方向に延びる線分と、が交わる位置から、前記直径の０倍以上１倍以下の距離にある位置に、前記液滴のほぼ中心があたるように、前記液滴を吐出するステップを含んでいる。

上記構成によって得られる効果の一つは、第２領域に液状の導電性材料をより確実に導入できることである。

本発明の他の態様によれば、前記ステップ（ａ１）は、前記境界線に対する法線上に最初の液滴を吐出するステップを含んでいる。

上記構成によって得られる効果の一つは、第２領域に液状の導電性材料をより確実に導入できることである。

本発明の配線パターン形成方法は、液滴吐出装置を用いて液状の導電性材料の複数の液滴を吐出して、基板上でバンクパターンによって縁取られ、第１の幅を有する第１領域と、前記第１領域に接するとともに前記第１の幅以下の第２の幅を有する第２領域と、を有するパターン形成領域に導電性材料層を設ける。この配線パターン形成方法は、前記第１の幅以下かつ前記第２の幅以上の直径の前記複数の液滴を前記第１領域へ吐出して、前記第１領域と前記第２領域とを覆う前記導電性材料層を形成するステップ（Ａ）を有する。さらに、前記ステップ（Ａ）は、前記第１領域と前記第２領域とのうち、前記第１領域にのみへ前記複数の液滴を吐出するステップを含んでいるとともに、前記複数の液滴のうち、前記第１領域と前記第２領域との境界線に最も近い位置に着弾する１つの液滴が、該１つの液滴がその着弾位置に着弾した時点から、着弾したその液滴が第２領域に濡れ広がる時点までの間、前記第１領域上で他の液滴から孤立するように、前記複数の液滴を吐出するステップ（ａ１）を含んでいる。

上記構成によって得られる効果の一つは、液滴吐出装置からの液滴の直径以下の幅を有する領域（第２領域）に液滴吐出装置から液滴を吐出することなく、第２領域に導電性材料層を設けることができることである。
また、上記構成によって得られるもう一つの効果は、第２領域に向けて液滴を吐出しないので、液滴が第２領域の範囲を超えて付着することがないことである。

本発明のある態様によれば、前記ステップ（Ａ）は、前記１つの液滴の体積が前記他の液滴の体積より大きくなるように、前記１つの液滴と前記他の液滴とを吐出するステップを含んでいる。

上記構成によって得られる効果の一つは、１つの液滴から第２領域に流れ込む液状の導電性材料の体積を多くできることである。

さらに、本発明は種々の形態で実施することが可能である。例えば、上記バンクパターンが撥液パターンで置き換わった形態でも実施することが可能である。

好ましくは、前記パターン形成領域は前記液状の導電性材料に対して親液性を呈している。

上記構成によって得られる効果の一つは、上記パターン形成領域状で液状の導電性材料が濡れ広がり易いことである。

本発明のある態様では、ＴＦＴ用ゲート電極の形成方法が上記の配線パターン形成方法を包含している。ここで、前記第１領域はゲート配線の広幅部が形成される領域であり、前記第２領域は前記ゲート線から分岐したゲート電極が形成される領域である。

上記構成によって得られる効果の一つは、液滴吐出装置を用いて、素子特性が優れたＴＦＴが形成できることである。

（実施形態１）
ＴＦＴ用ゲート電極の製造工程に本発明の配線パターン形成方法を適用した例を説明する。本実施形態の配線パターン形成方法は、液滴吐出法によって導電性材料の液滴を吐出して、物体上に導電層からなる配線パターンを設ける工程を含んでいる。ここで、「配線パターン」は、「薄膜パターン」の一種である。また、本実施形態の導電性材料は「配線パターン形成用インク」とも表記されるし、「機能液」とも表記される。

図１に示す複数のゲート配線３４のそれぞれは、本発明の「配線パターン」に対応する。ここで、複数のゲート配線３４のそれぞれの間隔は、ほぼ３００μｍである。そして、複数のゲート配線３４のそれぞれは、広幅部３４Ａと、狭幅部３４Ｂ、３４Ｃ、３４Ｄと、を有している。

広幅部３４Ａは、それぞれのゲート配線３４においてＸ軸方向に延びるストライプ状の部分である。そして、広幅部３４Ａの幅、すなわち広幅部３４Ａの長手方向に直交する方向の長さ、は、狭幅部３４Ｂ、３４Ｃ、３４Ｄの幅よりも長い。具体的には、広幅部３４Ａの幅はほぼ２０μｍである。狭幅部３４Ｂは、広幅部３４ＡからＹ軸方向に突き出た部分であり、ＴＦＴ素子４４（図１３）におけるゲート電極４４Ｇ（図１３）でもある。狭幅部３４Ｂの幅はほぼ１０μｍである。狭幅部３４Ｃ、３４Ｄは、広幅部３４Ａ同士を連結している部分である。また、狭幅部３４Ｃ、３４Ｄは、ゲート絶縁膜４２（図１３）を介してソース電極線４４ＳＬ（図１３）と重なり合う部分でもある。なお、ソース電極線４４ＳＬは、ゲート配線３４が延びる方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）に延びる配線である。

（Ａ．配線パターン形成用インク）
ゲート配線３４を形成するために用いられる導電性材料を説明する。ここで、導電性材料は「液状の材料」の一種であるとともに、「配線パターン形成用インク」とも呼ばれる。導電性材料は、分散媒と、分散媒によって分散された導電性微粒子と、を含む。本実施形態の導電性微粒子は、平均粒径が約１０ｎｍの銀粒子である。なお、平均粒径が１ｎｍ程度から数１００ｎｍまでの粒子は、「ナノ粒子」とも表記される。この表記によれば、本実施形態の導電性材料は、銀のナノ粒子を含んでいる。

ここで、導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。１．０μｍ以下であれば、ヘッド１１４のノズル１１８（図４）が目詰まりを起こす可能性が小さい。また、１ｎｍ以上であれば導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が適切になるので、得られる膜中の有機物の割合が適切になる。

分散剤（または溶媒）としては、導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、導電性微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。

上述の「液状の材料」とは、液滴吐出装置のノズル１１８（図４）から液滴として吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状の材料が水性であると油性であるとを問わない。ノズルから吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。好ましくは、液状の材料の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であればよい。液滴吐出法を用いて液状の材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓ以上であれば、ノズルの周辺部がインクによって汚染されにくく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下であれば、ノズルでの目詰まり頻度がより低くなり、より円滑な液滴の吐出ができるからである。

さらに、液状の材料の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法により導電性材料を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ以上であると、インクのノズル面に対する濡れ性がより適正になるため飛行曲りが生じにくい。０．０７Ｎ／ｍ以下であれば、ノズル先端でのメニスカスの形状がより安定するため吐出量や吐出タイミングの制御がより容易になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、物体との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、インクの物体への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。

（Ｂ．デバイス製造装置の全体構成）
配線パターンを形成するためのデバイス製造装置を説明する。図２に示すデバイス製造装置１は、液晶表示装置の製造装置の一部である。そして、デバイス製造装置１は、液滴吐出装置１００と、クリーンオーブン１５０と、搬送装置１７０と、を含んでいる。液滴吐出装置１００は、基体１０（図３）に導電性材料の液滴を吐出して、基体１０に導電性材料層を設ける装置である。一方、クリーンオーブン１５０は、液滴吐出装置１００によって設けられた導電性材料層を活性化して、導電層を形成する装置である。

搬送装置１７０は、フォーク部と、フォーク部を上下移動させる駆動部と、自走部と、を備えている。そして、搬送装置１７０は、液滴吐出装置１００、クリーンオーブン１５０、の順番で基体１０がそれぞれの処理を受けるように、基体１０を搬送する。以下では、液滴吐出装置１００について構造と機能とを詳細に説明する。

図３に示すように、液滴吐出装置１００はいわゆるインクジェット装置である。具体的には、液滴吐出装置１００は、導電性材料８Ａを保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御装置１１２と、支持部１０４ａと、ヒータ１４０と、を備えている。

吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図４）を保持している。ヘッド１１４は、制御装置１１２からの駆動信号に応じて、導電性材料８Ａの液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に導電性材料８Ａが供給される。

ステージ１０６は基体１０を固定するための平面を提供している。ステージ１０６のこの平面は、Ｘ軸方向とＹ軸方向とに平行である。さらにステージ１０６は、吸引力を用いて基体１０の位置を固定する機能も有する。

第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御装置１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。

第２位置制御装置１０８は、制御装置１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。

上記のような機能を有する第１位置制御装置１０４の構成と第２位置制御装置１０８の構成とは、リニアモータおよびサーボモータを利用した公知のＸＹロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。なお、本明細書では、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８を、「ロボット」または「走査部」とも表記する。

また、本実施形態におけるＸ軸方向、Ｙ軸方向、およびＺ軸方向は、吐出ヘッド部１０３およびステージ１０６のどちらか一方が他方に対して相対移動する方向に一致している。それらのうち、Ｘ軸方向は「走査方向」とも呼ばれる。また、Ｙ軸方向は「非走査方向」とも呼ばれる。そして、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、およびＺ軸方向を規定するＸＹＺ座標系の仮想的な原点は、液滴吐出装置１００の基準部分に固定されている。さらに、本明細書において、Ｘ座標、Ｙ座標、およびＺ座標とは、このようなＸＹＺ座標系における座標である。なお、上記の仮想的な原点は、基準部分だけでなく、ステージ１０６に固定されていてもよいし、吐出ヘッド部１０３に固定されていてもよい。

さて上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、基体１０はステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、基体１０に対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図４）は、基体１０に対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、導電性材料８Ａの液滴を吐出する側と、そこからの液滴が着弾する側（被吐出部）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。

制御装置１１２は、吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御装置１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置２０２（図５）に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。ここで「吐出データ」とは、導電性材料８Ａの液滴を吐出すべき相対位置を示すデータである。本実施形態では、吐出データはビットマップデータのデータ形式を有している。

上記構成を有することで、液滴吐出装置１００は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図４）を基体１０に対して相対移動させるとともに、設定された着弾位置に向けてノズル１１８から導電性材料８Ａの液滴を吐出する。なお、液滴吐出装置１００によるヘッド１１４の相対移動と、ノズル１１８からの導電性材料８Ａの液滴の吐出と、をまとめて「塗布走査」または「吐出走査」と表記することもある。

なお、本明細書では、導電性材料８Ａの液滴が着弾する部分を「被吐出部」とも表記する。また、着弾した液滴が濡れ広がる部分を「被塗布部」とも表記する。「被吐出部」および「被塗布部」のどちらも、導電性材料８Ａが所望の接触角を呈するように、下地の物体に表面改質処理が施されることによって形成された部分でもある。ただし、表面改質処理を行わなくても下地の物体の表面が、導電性材料８Ａに対して所望の撥液性または親液性を呈する（つまり着弾した導電性材料８Ａが下地の物体の表面上で望ましい接触角を呈する）場合には、下地の物体の表面そのものが「被吐出部」または「被塗布部」であってもよい。後述する「パターン形成領域２４」は、このような「被吐出部」と「被塗布部」とからなる。なお、本明細書では、「被吐出部」を「ターゲット」または「受容部」とも表記する。

さて、図３に戻って、ヒータ１４０は、基体１０をランプアニールするための赤外線ランプである。ヒータ１４０の電源の投入及び遮断も制御装置１１２によって制御される。

（Ｃ．ヘッド）
次に、ヘッド１１４を詳細に説明する。図４（ａ）に示すように、ヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。そして、ヘッド１１４は吐出ヘッド部１０３においてキャリッジ１０３Ａによって固定されている。図４（ｂ）に示すように、ヘッド１１４は、振動板１２６と、ノズル１１８の開口を規定するノズルプレート１２８と、を備えている。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には、液たまり１２９が位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される導電性材料８Ａが常に充填される。

さらに、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には、複数の隔壁が位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁の間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から導電性材料８Ａが供給される。なお、本実施形態では、ノズル１１８の直径は、約２７μｍである。

さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、それぞれの振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子と、ピエゾ素子を挟む一対の電極と、を含む。制御装置１１２が、この一対の電極の間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から導電性材料８Ａの液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。ここで液滴Ｄの体積を変えることは、駆動電圧の波形を変えること（いわゆるバリアブルドットテクノロジー）で実現できる。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に導電性材料８Ａの液滴Ｄが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。

本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４と、を含んだ部分を「吐出部１２７」と表記することもある。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。ただし、ピエゾ素子を用いた吐出は、吐出される液状の材料に熱を加えないため、液状の材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。

（Ｃ．制御装置）
次に、制御装置１１２の構成を説明する。図５に示すように、制御装置１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８と、を備えている。入力バッファメモリ２００と処理部２０４とは相互に通信可能に接続されている。処理部２０４と、記憶装置２０２と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とは、図示しないバスによって相互に通信可能に接続されている。

走査駆動部２０６は、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッド駆動部２０８は、ヘッド１１４と相互に通信可能に接続されている。

入力バッファメモリ２００は、液滴吐出装置１００の外部に位置する外部情報処理装置（不図示）から、導電性材料８Ａの液滴Ｄを吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給し、処理部２０４は吐出データを記憶装置２０２に格納する。図５では、記憶装置２０２はＲＡＭである。

処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に与える。走査駆動部２０６はこのデータと、吐出周期と、に応じたステージ駆動信号を第２位置制御装置１０８に与える。この結果、被吐出部に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、導電性材料８Ａの吐出に必要な吐出信号をヘッド１１４に与える。この結果、ヘッド１１４における対応するノズル１１８から、導電性材料８Ａの液滴Ｄが吐出される。

制御装置１１２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、バスを含んだコンピュータである。このため、制御装置１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフトウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御装置１１２は、専用の回路（ハードウェア）によって実現されてもよい。

（Ｄ．製造方法）
次に、デバイス製造装置１が行う配線パターン形成方法を説明する。本実施形態の配線パターン形成方法は、液晶表示装置の素子側基板１０Ｂ（図１３）に複数のゲート配線３４を設ける工程として実現される。このため、本実施形態の配線パターン形成方法は、液晶表示装置の製造方法の一部でもある。

（Ｄ１．バンク層）
まず、図６（ａ）に示すように、光透過性を有する基板１０Ａの表面の全面に表面改質処理を施す。本実施形態では、基板１０Ａはガラス基板である。そして、上記表面改質処理はＨＭＤＳ処理である。ここで、ＨＭＤＳ処理とは、ヘキサメチルジシラサン（（ＣＨ₃）₃ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ₃）₃）を蒸気状にして物体の表面に塗布する方法である。ＨＭＤＳ処理によって、基板１０Ａ上にＨＭＤＳ層１２が形成される。ＨＭＤＳ層１２の上には、後にバンクパターン１８（図７（ｄ））が形成されることになる。そして、ＨＭＤＳ層１２は、このバンク層１８に密着できるだけでなく、基板１０Ａにも密着できる。このため、ＨＭＤＳ層１２は、バンクパターン１８と基板１０Ａとを密着させる密着層として機能する。

次に、ＨＭＤＳ層１２上に有機感光性材料をスピンコート法で塗布する。この際、後述するバンクパターン１８の厚さ（高さ）が得られるように、有機感光性材料を塗布する。その後、塗布した有機感光性材料を光照射によって硬化させて、図６（ｂ）に示すように、有機感光性材料層１４を形成する。本実施形態では、有機感光性材料層１４の厚さは、約１μｍである。

ここで、本実施形態の有機感光性材料はアクリル樹脂である。ただし、アクリル樹脂に代えて、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等のうちのいずれかの高分子材料で有機感光性材料層１４を形成してもよい。また、上述のスピンコート法に代えて、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等のいずれかで、有機感光性材料をＨＭＤＳ層１２上に塗布してもよい。

次に、図６（ｃ）に示すように、有機感光性材料層１４上にネガ型のフォトレジストを塗布して、フォトレジスト層１６を形成する。そして、図６（ｄ）に示すように、配線パターンの２次元的形状に対応した部分が遮光マスクＭＫで覆われたフォトマスクＭ１を介して、フォトレジスト層１６を露光する。その後、図７（ａ）に示すように、露光されたフォトレジスト層１６を現像する。そして、図７（ｂ）および（ｃ）に示すように、有機感光性材料層１４をエッチングし、その後、エッチング後に残ったフォトレジスト層１６を剥離する。このようにして、有機感光性材料層１４から、バンクパターン１８を得る。

バンクパターン１８は、配線パターンの２次元的形状を縁取っている。そして、バンクパターン１８は、後の吐出工程において、仕切部材として機能する。なお、バンクパターン１８を構成する有機系感光性材料はアクリル樹脂なので、バンクパターン１８は光透過性を有する。ここで、フォトリソグラフィー法によるパターニング法に代えて、印刷法（いわゆる完全なアデティブプロセス）によってバンクパターン１８が形成されてもよい。バンクパターン１８が配線パターンの２次元的形状を縁取るのであれば、どのような方法で形成されてもよい。

ここで、「配線パターンの２次元的形状」とは、配線パターンの底面（つまり基板１０Ａと接する部分）の形状とほぼ同じである。

なお、無機骨格（シロキサン結合）の主鎖と有機基とを持った材料をバンクパターン１８の材料としてもよい。また、下層が無機物で上層が有機物で構成された２層以上でバンクパターン１８（凸部）を形成してもよい。さらに、フォトレジスト層１６を剥離しないで、バンクパターン１８上に残してもよい。

バンクパターン１８は、基板１０Ａ上に設けられたＨＭＤＳ層１２を露出する複数の開口部ＡＰを有している。そして、これら複数の開口部ＡＰのそれぞれの形状が、複数のゲート配線３４のそれぞれの２次元的形状にほぼ一致する。つまり、本実施形態では、バンクパターン１８は、後に形成される複数のゲート配線３４のそれぞれの周囲を完全に囲む形状を有している。

もちろん、バンクパターン１８は、それぞれ互いから分離した複数のバンク部１８Ｂ（図８）からなってもよい。例えば、所定の距離だけ離れるとともに、互いにほぼ平行に位置する一対のバンク部１８Ｂの間で、１つのゲート配線３４の２次元的形状が縁取られてもよい。この場合には、ゲート配線３４の両端部に対応する部分にバンク部１８Ｂがなくてもよい。つまり、バンクパターン１８がゲート配線３４の２次元的形状の周囲を完全に囲む必要はない。

なお、開口部ＡＰの上部側の幅が、開口部ＡＰの底部側（基板１０Ａ側）の幅より広いことが好ましい。そうすれば、導電性材料８Ａの液滴Ｄがより濡れ広がりやすいからである。

ＨＭＤＳ層１２上にバンクパターン１８を形成した後で、基板１０Ａにフッ酸処理を施す。フッ酸処理は、例えば、２．５％フッ酸水溶液でＨＭＤＳ層１２をエッチングする処理である。ここでは、バンクパターン１８がマスクとして機能して、図７（ｄ）に示すように、開口部ＡＰの底部のＨＭＤＳ層１２が除去されて、基板１０Ａが露出する。本実施形態では、開口部ＡＰの底部で露出した基板１０Ａの表面が「パターン形成領域２４」となる。

このように、バンクパターン１８によって、それぞれの２次元的形状が縁取られた複数のパターン形成領域２４が基板１０Ａ上に形成される。これら複数のパターン形成領域２４のそれぞれに、後述する吐出工程によって、導電層８（図１のゲート配線３４）が設けられることになる。なお、本実施形態では、複数のパターン形成領域２４が設けられた後の基板１０Ａが、基体１０（図３）に対応する。

ところで、複数のパターン形成領域２４の形状はいずれも同じである。しかも、それぞれのパターン形成領域２４において、同じ形状の部分（セグメントともいう）が繰り返し現れる。このため、以下では１つのパターン形成領域２４の一部分に着目して、配線パターン形成方法を説明する。

図８に示すパターン形成領域２４は、幅ｗ１を有する第１領域２４Ａと、第１領域２４Ａと接するとともに幅ｗ１以下である幅ｗ２を有する第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄと、を有する。ここで、第１領域２４Ａは、パターン形成領域２４のうち、第１方向に伸びている部分である。そして、パターン形成領域２４における第１領域２４Ａは、後の工程によって広幅部３４Ａが設けられる部分である。一方、パターン形成領域２４における第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄは、後の工程によって狭幅部３４Ｂ、３４Ｃ、３４Ｄがそれぞれ設けられる部分である。第１領域２４Ａの幅ｗ１は、広幅部３４Ａとほぼ同じ（つまり約２０μｍ）である。一方、第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄの幅ｗ２は、狭幅部３４Ｂ、３４Ｃ、３４Ｄの幅とほぼ同じ（つまり約１０μｍ）である。

（Ｄ２．親液化処理工程）
次に、パターン形成領域２４に親液性を付与する親液化処理工程を行う。親液化処理工程としては、紫外線を照射する紫外線（ＵＶ）照射処理や、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ₂プラズマ処理等を選択できる。ここではＯ₂プラズマ処理を実施する。

Ｏ₂プラズマ処理は、基板１０Ａ（基体１０）に対して、図示しないプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する処理である。Ｏ₂プラズマ処理の条件の一例は、プラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体１０の相対移動速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃である。

ここで、パターン形成領域２４上での液状の導電性材料８Ａの接触角が２０度以下となるように、パターン形成領域２４に対して親液化処理工程（ここではＯ₂プラズマ処理）を行うことが好ましい。もちろん、本実施形態のように基板１０Ａがガラス基板の場合には、その表面は液状の導電性材料８Ａに対して既にある程度の親液性を有しているので、親液化処理工程を行わなくてもよい場合もある。そうであっても、Ｏ₂プラズマ処理や紫外線照射処理を施せば、パターン形成領域２４上に残っている可能性があるフォトレジストやＨＭＤＳ層の残渣を完全に除去できるため、これらの親液化処理工程を行うことは好ましい。なお、親液化処理工程は、Ｏ₂プラズマ処理と紫外線照射処理とが組み合わされた工程でもよい。

なお、Ｏ₂プラズマ処理または紫外線照射処理によって、パターン形成領域２４上のＨＭＤＳ層１２を十分に除去できるので、上述のフッ酸処理によるＨＭＤＳ層１２の除去を行わなくてもよい場合もある。そうであっても、上述のフッ酸処理と親液化処理工程とを行えば、パターン形成領域２４上のＨＭＤＳ層１２を確実に除去できるので、フッ酸処理と親液化処理工程とを行うことは好ましい。

（Ｄ３．撥液化処理工程）
次に、バンクパターン１８に対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ₄プラズマ処理法）を採用する。ＣＦ₄プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃である。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタンに代えて、他のフルオロカーボン系のガス、または、ＳＦ₆やＳＦ₅ＣＦ₃などのガスも用いることができる。

このような撥液化処理工程を行うことにより、バンクパターン１８を構成する樹脂中にフッ素基が導入されるので、バンクパターン１８の表面に高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理工程としてのＯ₂プラズマ処理は、バンクパターン１８の形成前に行ってもよい。ただし、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ₂プラズマによる前処理がされると、よりフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるので、バンクパターン１８を形成した後でＯ₂プラズマ処理することが好ましい。

バンクパターン１８に対する撥液化処理工程を受けても、パターン形成領域２４の表面は、先に与えられた親液性を実質的に維持できる。特に、本実施形態の基板１０Ａはガラス基板なので、撥液化処理工程を受けてても、その表面（パターン形成領域２４）にはフッ素基の導入が起こらない。このため、パターン形成領域２４の親液性、すなわち濡れ性、が損なわれることはない。

ただし本実施形態では、バンクパターン１８に対する撥液処理工程を行った後で、開口部ＡＰの底部（パターン形成領域２４）に対して、再度、フッ酸処理を行う。そうすれば、開口部ＡＰの底部で、基板１０Ａの表面（ガラス）が確実に露出するようになり、この結果、開口部ＡＰの底部での親液性がより確実に保たれる。

上述の親液化処理工程および撥液化処理工程により、バンクパターン１８の表面の撥液性が、パターン形成領域２４の撥液性より高くなる。本実施形態では、パターン形成領域２４はむしろ親液性を呈する。なお、上述したように、本実施形態の基板１０Ａはガラスからなるので、ＣＦ₄プラズマ処理を行ってもパターン形成領域２４にフッ素基が導入されない。このため、上述のＯ₂プラズマ処理（親液化処理工程）を行わずにＣＦ₄プラズマ処理（撥液化処理工程）のみを行っても、バンクパターン１８の表面の撥液性はパターン形成領域２４の撥液性より高くなる。ただし、上述したように、パターン形成領域２４上の残渣が完全に取り除かれる利点とバンクパターン１８がフッ素化され易くなる利点とがあるので、本実施形態ではＯ₂プラズマ処理を省略しない。

なお、物体表面の撥液性を示す指標の一つは、液状の材料が物体表面上で示す接触角である。物体表面上で液状の材料が示す接触角が小さいほど、物体表面は液状の材料に対してより大きな親液性を呈する。本実施形態では、パターン形成領域２４上で導電性材料８Ａが示す接触角は２０度以下である。

（Ｄ４．吐出工程）
パターン形成領域２４の表面改質処理（親液化処理工程）を行った後で、パターン形成領域２４を覆う導電性材料層８Ｂを設ける。詳細は以下の通りである。

まず、複数のパターン形成領域２４が設けられた基体１０を、液滴吐出装置１００のステージ１０６上で位置決めする。この結果、複数のパターン形成領域２４のそれぞれの表面は、Ｘ軸方向とＹ軸方向とに平行になる。さらに、本実施形態では、第１方向（つまり第１領域２４Ａが延びる方向）と、Ｘ軸方向とが一致するように、ステージ１０６上で基板１０Ａを位置決めする。

そして、液滴吐出装置１００は、配線パターンに対応した吐出データに応じて、第１領域２４Ａに向けて複数の液滴Ｄを吐出する。そうすると、パターン形成領域２４を覆う導電性材料層８Ｂを得る。具体的には、液滴吐出装置１００は、基板１０Ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、図９（ａ）に示すように、ノズル１１８が第１領域２４Ａに対応する位置に達する毎に、ノズル１１８から導電性材料８Ａの液滴Ｄを吐出する。この結果、図９（ｂ）に示すように、第１領域２４Ａに導電性材料８Ａの複数の液滴Ｄが着弾して濡れ広がる。そして、図９（ｃ）に示すように、第１領域２４Ａに着弾した複数の液滴Ｄが濡れ広がることで、第１領域２４Ａだけでなく第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄをも覆う導電性材料層８Ｂが形成される。

ここで、吐出データには、後述する活性化工程の後で得られる導電層８（図９（ｄ））の厚さが約１μｍになるように、液滴Ｄの体積と数（ドット）とが規定されている。なお、図９（ａ）〜（ｄ）が示す断面は、図８におけるＢ’−Ｂ断面に対応している。

さらに、本実施形態では、ノズル１１８が第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄに対応する位置に達しても、液滴吐出装置１００は導電性材料８Ａの液滴Ｄをなんら吐出しない。このため、第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄには、ノズル１１８からの液滴Ｄはなんら着弾しない。

その代わりに液滴吐出装置１００は、第１領域２４Ａと第２領域２４Ｂ（２４Ｃ、２４Ｄ）との境界線ＢＲに直面する位置に直径φ１の液滴Ｄが着弾するように、液滴Ｄを吐出する。境界線ＢＲに直面する位置とは次の１）、２）、および３）のいずれかに対応する：
１）境界線ＢＲに対する法線Ｖ（図１０）上の位置。ここで、法線Ｖは境界線ＢＲのほぼ中央を通っている。この場合には、法線Ｖ上の位置への液滴Ｄの吐出が、第１領域２４Ａへ吐出される液滴のうちで、最も最初であることが好ましい。
２）法線Ｖ上の位置であって、境界線ＢＲから液滴Ｄの直径φ１の１／２倍以上１倍以下の距離にある位置。実施形態１はこの場合に相当する。
３）上記の法線Ｖと、第１領域２４Ａを二分する線分Ｌ（図１０）と、が交わる位置ＰＸから、直径φ１の０倍以上１倍以下の距離にある位置。ここで、線分Ｌは第１の幅ｗ１の方向に直交する方向に延びている。つまり、線分Ｌは第１領域２４Ａの長手方向と平行である。

上記１）のような位置に液滴Ｄの中心が当たるように、液滴吐出装置１００が液滴Ｄを吐出すれば、第１領域２４Ａに着弾した液滴Ｄが第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄの入り口ＥＮに接しやすい。特に上記２）のような位置に液滴Ｄの中心が当たるように、液滴吐出装置１００が液滴Ｄを吐出すれば、第１領域２４Ａに液滴Ｄが着弾するタイミングとほぼ同時に、液滴Ｄが第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄの入り口ＥＮに接する。そして、上記３）のような位置に液滴Ｄの中心が当たるように、液滴吐出装置１００が液滴Ｄを吐出しても、着弾した液滴Ｄは濡れ広がるので、液滴Ｄは第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄの入り口ＥＮに接することができる。

なお、液滴Ｄの直径φ１は、第１領域２４Ａの幅ｗ１以下であるとともに、第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄの幅ｗ２以上である。

上記のように液滴Ｄを吐出することによって、図９（ｃ）に示すように、第１領域２４Ａに付与された液状の導電性材料８Ａは、第１領域２４Ａと第２領域２４Ｂ（または２４Ｃ、２４Ｄ）との境界線ＢＲを越えて第２領域２４Ｂ（または２４Ｃ、２４Ｄ）に自己流動（毛細管現象）によって流れ込む。この結果、第２領域２４Ｂ（または２４Ｃ、２４Ｄ）上にも導電性材料層８Ｂが形成される。第２領域２４Ｂ（または２４Ｃ、２４Ｄ）の長さが長くて、１つの液滴Ｄの体積だけでは第２領域２４Ｂ（または２４Ｃ、２４Ｄ）の全体を覆う導電性材料層８Ｂを形成し得ない場合には、境界線ＢＲに直面するほぼ同じ位置に複数の液滴Ｄが着弾するように、ノズル１１８からこれら複数の液滴Ｄを吐出してもよい。この際、同じ位置に向けて複数の液滴Ｄを吐出する際に用いられるノズル１１８は、１つの同じノズル１１８であってもよいし、複数の異なるノズル１１８であってもよい。

以下では、１つの第１領域２４Ａと、この１つの第１領域２４Ａに接する３つの第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄと、に着目して本実施形態の吐出方法をより詳細に説明する。

図１０に示すように、第１領域２４Ａの長手方向はＸ軸方向に一致している。そして、第１領域２４Ａは、それぞれの境界線ＢＲを介して３つの第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄと接している。ここで、第２領域２４Ｃ、２４Ｄは、Ｘ軸方向に延びた第１領域２４Ａの両端に位置している。また、第２領域２４Ｂは、第１領域２４Ａの途中からＹ軸方向へ突出している。なお、この第２領域２４Ｂには、後に狭幅部３４Ｂ（図１）、すなわちゲート電極４４Ｇ、が設けられることになる。

図１０および図１２に示すように、吐出データにおいて、１つの第１領域２４Ａに対して１０個の着弾位置ＣＰ（図中ではＣＰ１〜ＣＰ１０）が割当てられている。図１０および図１２には、これら１０個の着弾位置を示す白丸が、第１領域２４Ａに重ねて描かれている。そして、液滴吐出装置１００は、吐出データに基づいて、これら１０個の着弾位置ＣＰに、ＣＰ１〜ＣＰ１０の順番で液滴Ｄを吐出する。ここで、符号「ＣＰ」に続く数字が、１つの第１領域２４Ａにおいて、液滴Ｄが吐出される順番を示している。なお、図１０および図１２において、これら着弾位置ＣＰは、Ｘ軸方向の負から正の方向（紙面の左から右）に、ＣＰ１、ＣＰ６、ＣＰ２、ＣＰ７、ＣＰ３、ＣＰ８、ＣＰ４、ＣＰ９、ＣＰ５、ＣＰ１０の順番で並んでいる。

また、着弾位置ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ１０へ向けて吐出される液滴Ｄの直径はφ１である。φ１は、第１領域２４Ａの幅ｗ１とほぼ同じであるとともに、第２領域の幅ｗ２より大きい。一方、着弾位置ＣＰ３、ＣＰ４、ＣＰ５、ＣＰ６、ＣＰ７、ＣＰ８、ＣＰ９に向けて吐出される液滴Ｄの直径は、φ１よりも小さいφ２である。ただし、直径φ２は第２領域の幅ｗ２より大きい。ここで、特に断らない限り、「液滴Ｄの直径」とは、Ｘ軸方向およびＹ軸方法で規定される仮想平面に投影された液滴Ｄの投影像の直径を意味する。なお、液滴Ｄの直径φ１、φ２は、吐出される導電性材料８Ａの体積に依存する。

さて、第１走査期間を開始する前に、液滴吐出装置１００は、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向に相対移動させて、１つのノズル１１８のＸ座標を着弾位置ＣＰ１のＸ座標に一致させる。その後、第１走査期間が始ると、液滴吐出装置１００は、基板１０Ａに対するノズル１１８の相対位置をＹ軸方向の正の方向に変化させる。そして、第１走査期間の内に、ノズル１１８が着弾位置ＣＰ１に対応する位置に達すると、液滴吐出装置１００は導電性材料８Ａの液滴Ｄをノズル１１８から吐出する。そうすると、導電性材料８Ａの液滴Ｄが着弾位置ＣＰ１上に着弾（衝突）して、着弾位置ＣＰ１からその周囲へ濡れ広がる。この結果、着弾位置ＣＰ１とその周囲に導電性材料８Ａが塗布または付与される。

ところで、本実施形態において「走査期間」とは、図１１に示すように、吐出ヘッド部１０３の一辺がＹ軸方向に沿って走査範囲１３４の一端Ｅ１（または他端Ｅ２）から他端Ｅ２（または一端Ｅ１）まで相対移動を１回行う期間を意味する。ここで、走査範囲１３４とは、基体１０における複数のパターン形成領域２４のすべてに導電性材料８Ａを塗布または付与するまでに、吐出ヘッド部１０３の一辺が相対移動する範囲を意味する。ただし、場合によっては用語「走査範囲」は、１つのノズル１１８が相対移動する範囲を意味することもあるし、１つのヘッド１１４が相対移動する範囲を意味することもある。また、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８が相対移動するとは、パターン形成領域２４に対するこれらの相対位置が変わることである。このため、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８が絶対静止して、基体１０のみがステージ１０６によって移動する場合であっても、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８が相対移動すると表現する。

第１走査期間が終了すると、液滴吐出装置１００は、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向に相対移動させて、１つのノズル１１８のＸ座標を着弾位置ＣＰ２のＸ座標に一致させる。その後、第２走査期間が始ると、液滴吐出装置１００は、基板１０Ａに対するノズル１１８の相対位置をＹ軸方向の負の方向に変化させる。そして、第２走査期間の内に、ノズル１１８が着弾位置ＣＰ２に対応する領域に達すると、液滴吐出装置１００は導電性材料８Ａの液滴Ｄをノズル１１８から吐出する。この結果、導電性材料８Ａの液滴Ｄが着弾位置ＣＰ２上に着弾（衝突）するとともに、着弾位置ＣＰ２からその周囲へ濡れ広がる。この結果、着弾位置ＣＰ２とその周囲に導電性材料８Ａが塗布または付与される。

図１０に示すように、着弾位置ＣＰ１は、第２領域２４Ｃに対応した境界線ＢＲに直面している。このため、着弾位置ＣＰ１に液滴Ｄが着弾するとすぐに、液滴Ｄは、第２領域２４Ｃへの入り口ＥＮと、入り口ＥＮを縁取るバンクパターン１８の２つの側面と、に接する。同様に、着弾位置ＣＰ２は、第２領域２４Ｂに対応した境界線ＢＲに直面している。このため、着弾位置ＣＰ２に液滴Ｄが着弾するとすぐに、液滴Ｄは、第２領域２４Ｂへの入り口ＥＮと、入り口ＥＮを縁取るバンクパターン１８の２つの側面と、に接する。これらの結果、液滴Ｄの体積の大部分は、第１領域２４Ａ上で濡れ広がるよりも、第２領域２４Ｂ、２４Ｃに流れ込む。第２領域２４Ｂ、２４Ｃのそれぞれの幅ｗ２、またはそれぞれの入り口ＥＮの幅、が第１領域２４Ａの幅ｗ１よりも狭いからである。

したがって、第２領域２４Ｂ、２４Ｃに向けて液滴Ｄを吐出しなくても、第１領域２４Ａから第２領域２４Ｂ、２４Ｃに導電性材料８Ａを導入することができ、この結果、第２領域２４Ｂ、２４Ｃを覆う導電性材料層８Ｂを形成できる。特に、第２領域２４Ｂ（ゲート電極４４Ｇが形成される部分）に向けて液滴Ｄを吐出する必要がないので、第２領域２４Ｂの範囲を越えて導電性材料８Ａが付着する可能性がない。つまり導電性材料８Ａの残渣が生じない。このため、第２領域２４Ｂの２次元的形状を正確に反映した形状を有する導電性材料層８Ｂが得られる。この結果、最終的に得られるゲート電極４４Ｇのゲート幅・ゲート長は、吐出工程に起因する誤差を含みにくくなる。

第１走査期間および第２走査期間と同様に、第３走査期間から第５走査期間のそれぞれにおいて、液滴吐出装置１００は、図１０に示す着弾位置ＣＰ３、ＣＰ４、ＣＰ５のそれぞれに向けて、それぞれの液滴Ｄを吐出する。

（Ｄ５．中間乾燥工程）
次に、ヒータ１４０を用いて、着弾位置ＣＰ１〜ＣＰ５に着弾した導電性材料８Ａの複数の液滴Ｄを乾燥して、導電性材料８Ａ中の分散媒を除去する。このような中間乾燥工程によって、最終的に生じる導電層８の厚さを確保できる。本実施形態のヒータ１４０は、赤外線ランプである。ただし、中間乾燥工程は、赤外線ランプを用いたランプアニールに代えて、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として用いたランプアニールでもよい。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。さらに、中間乾燥処理は、ランプアニールに代えて、基体１０を加熱する通常のホットプレートや、電気炉などによる乾燥を含んでもよい。

着弾位置ＣＰ１〜ＣＰ５に着弾した５つの液滴Ｄを乾燥させた後で、第６走査期間から第１０走査期間のそれぞれにおいて、液滴吐出装置１００は、図１２に示す着弾位置ＣＰ６、ＣＰ７、ＣＰ８、ＣＰ９、ＣＰ１０のそれぞれに向けて、１つまたは複数のノズル１１８からそれぞれの液滴Ｄを吐出する。

図１２に示すように、着弾位置ＣＰ１０は、第１領域２４Ａと第２領域２４Ｄとの境界線ＢＲに直面する位置である。このため、着弾位置ＣＰ１０に液滴Ｄを吐出して着弾させることで、第２領域２４Ｂ、２４Ｃと同様に、第２領域２４Ｄにも第１領域２４Ａから液状の導電性材料８Ａを導入できる。そしてこの結果、第２領域２４Ｄに向けて液滴Ｄを吐出することなく、第２領域２４Ｄを覆う導電性材料層８Ｂを形成できる。

このように、導電性材料８Ａの１０個の液滴Ｄを第１領域２４Ａに着弾させることで、第１領域２４Ａを覆うだけでなく、第１領域２４Ａに接する３つの第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄも覆う導電性材料層８Ｂを形成できる。

（Ｄ６．活性化工程）
基体１０に設けられたパターン形成領域２４のすべてに導電性材料層８Ｂが設けられた後で、導電性材料層８Ｂを活性化させて導電層８を得る。具体的には、導電性材料層８Ｂを焼成（加熱）して、導電性材料層８Ｂに含まれる銀粒子を燒結または融着させる。そのために、搬送装置１７０が基板１０Ａを液滴吐出装置１００から取り上げて、クリーンオーブン１５０中に搬入する。そうすると、クリーンオーブン１５０は基板１０Ａを焼成（加熱）する。

本実施形態の活性化工程は、大気中で行なわれる加熱工程である。加熱工程は、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中、または水素などの還元雰囲気中で行ってもよい。加熱工程の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、導電性材料層８Ｂにおける銀粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、銀粒子を覆うコーティング材の有無や量、基板１０Ａの耐熱温度などを考慮して適宜決定される。

本実施形態の活性化工程は、導電性材料層８Ｂを、クリーンオーブン１５０を用いて大気中で２８０〜３００℃で３００分間、焼成（加熱）する。ここで、導電性材料層８Ｂにおける有機成分を除去するためには、導電性材料層８Ｂを約２００℃で焼成（加熱）することが好ましい。ただし、ガラスからなる基板１０Ａの代わりにプラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上２５０℃以下で焼成（加熱）することが好ましい。

活性化工程は、上記のような加熱工程に代えて、導電性材料層８Ｂに紫外光を照射する工程であってもよい。さらに、活性化工程は、上記のような加熱工程と、紫外光を照射する工程とが組み合わせられた工程であってもよい。

以上の工程によって、導電性材料層８Ｂにおける銀粒子間の電気的接触が確保される。そしてこの結果、導電性材料層８Ｂから、第１領域２４Ａと第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄとを覆う導電層８（図９（ｄ））が得られる。つまり、１つの広幅部３４Ａと、１つの狭幅部３４Ｂと、２つの狭幅部３４Ｃ、３４Ｄと、が形成される。上述したように、狭幅部３４Ｂはゲート電極４４Ｇである。なお、導電層８の厚さはほぼ１μｍであり、このため、導電層８の表面とバンクパターン１８の表面とは、ほぼ同じレベルの平面をなす。

本実施形態では、導電層８が形成された後でも、バンクパターン１８を残す。ただし、活性化工程の後、バンクパターン１８を除去してもよい。バンクパターン１８を除去するためには、基体１０にアッシング処理を施したり、バンクパターン１８を溶剤に溶かしたり、バンクパターン１８を物理的に除去したりすればよい。

アッシング処理の一例は、プラズマアッシングである。プラズマアッシングとは、酸素プラズマ（プラズマ化した酸素ガス）等のガスとバンクパターン１８とを反応させ、バンク層を気化させて剥離・除去する処理である。具体的には、バンクパターン１８は炭素、酸素、水素から構成されるので、バンクパターン１８が酸素プラズマと化学反応すると、ＣＯ₂、Ｈ₂Ｏ、およびＯ₂がいずれも気体状態で生成される。つまり、バンクパターン１８を気化して基体から剥離できる。

アッシング処理の他の一例は、オゾンアッシングである。オゾンアッシングの基本原理は、まずＯ₃（オゾン）を分解して反応性ガスのＯ⁺（酸素ラジカル）を得る。そして、このＯ⁺とバンクパターン１８とを化学反応させる。この化学反応によって、ＣＯ₂、Ｈ₂Ｏ、およびＯ₂がいずれも気体状態で生成される。つまり、バンクパターン１８を気化して基体から剥離できる。

（Ｄ７．ＴＦＴ素子の製造）
ゲート配線３４の広幅部３４Ａと、ゲート配線３４の狭幅部３４Ｂ、３４Ｃ、３４Ｄと、を形成した後で、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子を形成する。以下では、図１３を参照しながら、１つの画素領域に着目して、ＴＦＴ素子の製造工程を説明する。

まず、ＣＶＤ法とパターニングとによって、図１３（ａ）に示すように、ゲート配線３４とバンクパターン１８とを覆うゲート絶縁膜４２と、ゲート電極４４Ｇに対応して設けられた半導体層３５と、半導体層３５上で所定の間隔をおいて互いから離れて位置する２つの接合層３７Ｓ、３７Ｄと、を形成する。ゲート絶縁膜４２の厚さは約２００ｎｍである。半導体層３５はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなり、半導体層３５の厚さは２００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲にある。ここで、半導体層３５において、ゲート絶縁膜４２を介してゲート電極４４Ｇと重なり合う部分がチャネル領域となる。一方、２つの接合層３７Ｓ、３７Ｄはｎ＋型アモルファスシリコンからなり、２つの接合層３７Ｓ、３７Ｄのそれぞれの厚さは約５０ｎｍである。これら２つの接合層３７Ｓ、３７Ｄは、後に形成されるソース電極４４Ｓおよびドレイン電極４４Ｄにそれぞれ接続されることになる。

２つの接合層３７Ｓ、３７Ｄを形成した後で、図１３（ｂ）に示すように、２つの接合層３７Ｓ、３７Ｄと、半導体層３５と、ゲート絶縁膜４２とを覆うように、ポリイミド樹脂の前駆体をスピンコート法で塗布して光硬化して、約３μｍ（３０００ｎｍ）の厚さの層間絶縁層４５を形成する。ここで、塗布されるポリイミド樹脂の前駆体の量は、層間絶縁層４５が、下地の半導体層３５と２つの接合層３７Ｓ、３７Ｄとによって生じる段差を吸収するように設定されている。このため、層間絶縁層４５の表面は平坦になる。

そして、図１３（ｃ）に示すように、ソース電極線４４ＳＬが設けられることになる部分と、ソース電極４４Ｓが設けられることになる部分と、ドレイン電極４４Ｄが設けられることになる部分とが露出するように、層間絶縁層４５をパターニングする。この結果、層間絶縁層４５は、ソース電極線４４ＳＬの形状と、ソース電極４４Ｓの形状と、ドレイン電極４４Ｄの形状と、を縁取るようになる。なお、このようにパターニングされた層間絶縁層４５を、「バンクパターン４６」とも表記する。

その後、バンクパターン４６が縁取るそれぞれの部分に、液滴吐出装置１００を用いて導電性材料層を設ける。そして、導電性材料層を活性化することで、図１３（ｄ）に示すように、ソース電極線４４ＳＬと、ソース電極４４Ｓと、ドレイン電極４４Ｄと、を得る。ここで、ソース電極４４Ｓの一端は接合層３７Ｓ上に位置し、他端はソース電極線４４ＳＬに接している。また、ドレイン電極４４Ｄは、接合層３７Ｄ上に位置している。

本実施形態では、ゲート電極４４Ｇと、半導体層３５と、ゲート電極４４Ｇと半導体層３５との間に位置するゲート絶縁膜４２と、接合層３７Ｓと、接合層３７Ｓを介して半導体層３５に接続されたソース電極４４Ｓと、接合層３７Ｄと、接合層３７Ｄを介して半導体層３５に接続されたドレイン電極４４Ｄと、を含んだ部分が、ＴＦＴ素子４４である。

次に、ソース電極線４４ＳＬ・ソース電極４４Ｓを覆う第２絶縁層４５Ａと、ドレイン電極４４Ｄを覆う第２絶縁層４５Ｂと、をフォトリソグラフィー法で形成する。この際、下地の段差が吸収されるように、第２絶縁層４５Ａ、４５Ｂを形成する。そうすれば、第２絶縁層４５Ａ、４５Ｂと、バンクパターン４６とは、同じレベルの平面を提供することになる。ここで、第２絶縁層４５Ｂを形成する際に、第２絶縁層４５Ｂを貫通してドレイン電極４４Ｄに達するコンタクトホール４５Ｃも同時に形成する。なお、コンタクトホール４５Ｃは、ドレイン電極４４Ｄ側の開口の径が他方の開口の径よりも小さい形状を有している。つまり、コンタクトホール４５Ｃはテーパ形状を有している。

第２絶縁層４５Ａ、４５Ｂを形成した後で、スパッタ法および公知のパターニング技術を用いて、第２絶縁層４５Ａ、４５Ｂ上と、バンクパターン４６上とに、ＩＴＯ膜を形成してパターニングする。そうすると、第２絶縁層４５Ａ、４５Ｂと、バンクパターン４６と、を覆う画素電極３６を得る。このとき同時に、画素電極３６と、ドレイン電極４４Ｄとが、コンタクトホール４５Ｃを介して電気的に接続されるようになる。

そして、画素電極３６と、バンクパターン４６と、第２絶縁層４５Ａ、４５Ｂと、を覆うようにポリイミド樹脂を塗布して硬化することで、ポリイミド樹脂層を形成する。そして、得られたポリイミド樹脂層の表面を所定の方向にラビングすることで、配向膜４１Ｐを得る。以上の工程によって、図１３（ｅ）に示すような素子側基板１０Ｂを得る。

そして、素子側基板１０Ｂと、図示しない対向基板とを、図示しないスペーサを介して貼り合わせる。そして、スペーサによって確保された素子側基板１０Ｂと対向基板（不図示）との間に液晶材料を導入して密閉することで、液晶表示装置を得る。

（実施形態２）
本実施形態は、第１領域２４Ａへ導電性材料８Ａの液滴Ｄを吐出する方法が実施形態１の方法と異なる点を除いて、実施形態１と基本的に同じである。このため、実施形態１の構成要素と同様な構成要素には同じ参照符号を付す。また、実施形態１における説明と重複する説明は、記載を簡潔にすることを目的として、省略する。

図１４および図１５に示すように、本実施形態では、吐出データにおいて、１つの第１領域２４Ａに対して９個の着弾位置ＣＰ（図中ではＣＰ１〜ＣＰ９）が割当てられている。図１４および図１５には、これら９個の着弾位置を示す白丸が、第１領域２４Ａに重ねて描かれている。そして、液滴吐出装置１００は、吐出データに基づいて、これら９個の着弾位置ＣＰに、ＣＰ１〜ＣＰ９の順番で液滴Ｄを吐出する。ここで、符号「ＣＰ」に続く数字が、１つの第１領域２４Ａにおいて、液滴Ｄが吐出される順番を示している。なお、図１４および図１５において、これら着弾位置ＣＰは、Ｘ軸方向の負から正の方向（紙面の左から右）に、ＣＰ２、ＣＰ４、ＣＰ１、ＣＰ７、ＣＰ５、ＣＰ８、ＣＰ６、ＣＰ９、ＣＰ３の順番で並んでいる。

図１４に示すように、着弾位置ＣＰ１は第２領域２４Ｂの境界線ＢＲに直面していない。しかしながら、これら９つの着弾位置ＣＰのうち着弾位置ＣＰ１は、第２領域２４Ｂの境界線ＢＲに最も近い。一方、着弾位置ＣＰ２は第２領域２４Ｃの境界線ＢＲに直面している。そして、９つの着弾位置ＣＰのうち着弾位置ＣＰ２は、第２領域２４Ｃの境界線ＢＲに最も近い。また、着弾位置ＣＰ３は第２領域２４Ｄの境界線ＢＲに直面している。そして、９つの着弾位置ＣＰのうち着弾位置ＣＰ３は、第２領域２４Ｄの境界線ＢＲに最も近い。なお、着弾位置ＣＰが境界線ＢＲに「直面」する場合の着弾位置ＣＰと境界線ＢＲとの位置関係の説明は実施形態１に記載されているので、重複を避ける目的でここでは記載しない。

本実施形態の吐出工程によれば、境界線ＢＲに最も近い着弾位置ＣＰに液滴Ｄが着弾する場合に、その着弾位置ＣＰに液滴Ｄが着弾した時点（時点ＴＡとする）から、着弾したその液滴Ｄが自己流動（毛細管現象）によって、第２領域２４Ｂにおいて幅ｗ２に亘って濡れ広がる時点（時点ＴＢとする）まで、この液滴Ｄは、第１領域２４Ａにおける他の液滴Ｄと接しない。つまり、この期間に亘って、境界線ＢＲに最も近くに着弾した液滴Ｄは他の液滴Ｄから孤立する。なお、図１４は、時点ＴＡでの液滴Ｄの範囲を実線で示し、時点ＴＢでの液滴Ｄの範囲を点線で示している。

さらに本実施形態では、時点ＴＡから、着弾位置ＣＰからの液滴Ｄが第２領域２４Ｂの全域を覆う時点（時点ＴＣとする）までの間でも、この液滴Ｄは、第１領域２４Ａにおける他の液滴Ｄと接しない。ここで、時点ＴＣは、時点ＴＢ以降の時点である。

さらに、本実施形態では、なんら境界線ＢＲに直面していない着弾位置ＣＰのうち、ある１つの境界線ＢＲに最も近い着弾位置ＣＰに向けて液滴Ｄを吐出する場合には、その液滴Ｄの吐出を他の着弾位置ＣＰへの吐出よりも最優先にする。具体的には、着弾位置ＣＰ１への液滴Ｄの吐出を、最優先する。

本実施形態の吐出工程は、以下の通りである。まず、第１走査期間を開始する前に、液滴吐出装置１００は、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向に相対移動させて、１つのノズル１１８のＸ座標を着弾位置ＣＰ１のＸ座標に一致させる。その後、第１走査期間が始ると、液滴吐出装置１００は、基板１０Ａに対するノズル１１８の相対位置をＹ軸方向の正の方向に変化させる。そして、第１走査期間の内に、ノズル１１８が着弾位置ＣＰ１に対応する位置に達すると、液滴吐出装置１００は導電性材料８Ａの液滴Ｄをノズル１１８から吐出する。そうすると、導電性材料８Ａの液滴Ｄが着弾位置ＣＰ１上に着弾（衝突）して、着弾位置ＣＰ１からその周囲へ濡れ広がる。この結果、着弾位置ＣＰ１とその周囲に導電性材料８Ａが塗布または付与される。

図１４に示すように、着弾位置ＣＰ１は、９つの着弾位置ＣＰのうち、第２領域２４Ｂに対応する境界線ＢＲに最も近い。このため、着弾位置ＣＰ１に液滴Ｄが着弾すると、時点ＴＡから時点ＴＢまでの間に、その液滴Ｄは、第２領域２４Ｂへの入り口ＥＮと、第２領域２４Ｂへの入り口ＥＮを縁取るバンクパターン１８の２つの側面と、に達する。そうすると、液滴Ｄの大部分の体積は、第１領域２４Ａ上で濡れ広がるよりも、第２領域２４Ｂに流れ込む。第２領域２４Ｂの幅ｗ２、または第２領域の入り口ＥＮの幅、が第１領域２４Ａの幅ｗ１よりも狭いからである。このようにして、第２領域２４Ｂに向けて液滴Ｄを吐出しなくても、第１領域２４Ａから第２領域２４Ｂに導電性材料８Ａを導入することができ、この結果、第２領域２４Ｂを覆う導電性材料層８Ｂを形成できる。

ここで、着弾した液滴Ｄが、第２領域２４Ｂの入り口ＥＮと、第２領域２４Ｂの入り口ＥＮを縁取るバンクパターン１８の２つの側面と、に達する前に、第１領域２４Ａに付与された他の液滴Ｄと接する場合には、表面張力によって２つの液滴Ｄが互いに収縮してしまう。したがって、そのような場合には、第２領域２４Ｂに導電性材料８Ａが流れ込まないこともあり得る。

しかしながら、本実施形態の吐出方法によれば、液滴Ｄが着弾位置ＣＰ１に着弾した時点ＴＡから、その液滴Ｄが第２領域２４Ｂにおいて幅ｗ２に亘って濡れ広がる時点ＴＢに至るまで、その液滴Ｄは他の液滴Ｄと接することがない。このため、着弾位置ＣＰ１が境界線ＢＲに直面していなくても、液滴Ｄは第２領域２４Ｂ内に流れ込むことができる。

上記のように導電性材料８Ａの液滴Ｄを吐出することによって、境界線ＢＲに最も近い着弾位置に着弾した１つの液滴Ｄの体積の大部分は、境界線ＢＲを介して第２領域２４Ｂに流れ込む。そして、第２領域２４Ｂに流れ込んだ液滴Ｄ（導電性材料８Ａ）によって、第２領域２４Ｂを覆う導電性材料層８Ｂが形成される。

したがって、本実施形態によれば、第２領域２４Ｂに液滴Ｄを着弾させなくても、第１領域２４Ａから第２領域２４Ｂに導電性材料８Ａを導入することができ、この結果、第２領域２４Ｂを覆う導電性材料層８Ｂを形成できる。特に、第２領域２４Ｂ（ゲート電極４４Ｇが形成される部分）に向けて液滴Ｄを吐出する必要がないので、第２領域２４Ｂの範囲を越えて導電性材料８Ａが付着する可能性がない。つまり導電性材料８Ａの残渣が生じない。このため、第２領域２４Ｂの２次元的形状を正確に反映した形状を有する導電性材料層８Ｂが得られる。この結果、最終的に得られるゲート電極のゲート幅・ゲート長は、吐出工程に起因する誤差を含みにくくなる。

着弾位置ＣＰ１に液滴Ｄを吐出した後で、第２走査期間から第９走査期間のそれぞれにおいて、液滴吐出装置１００は、図１４および図１５に示す着弾位置ＣＰ２〜ＣＰ９のそれぞれに向けて、ノズル１１８から液滴Ｄを吐出する。

基体１０に設けられた複数のパターン形成領域２４のすべてに導電性材料層８Ｂが設けられた後で、導電性材料層８Ｂを活性化する。この目的で、搬送装置１７０は、基体１０をクリーンオーブン１５０の内部に位置させる。そして、クリーンオーブン１５０が基板１０Ａを加熱すると、導電性材料層８Ｂのおける銀粒子が燒結または融着して、パターン形成領域２４を覆う導電層８が得られる。ここで、パターン形成領域２４のうちの第１領域２４Ａを覆う導電層８が広幅部３４Ａであり、第２領域２４Ｂを覆う導電層８が狭幅部３４Ｂ（つまりゲート電極４４Ｇ）であり、第２領域２４Ｃ、２４Ｄを覆う導電層８が狭幅部３４Ｃ、３４Ｄである。

（実施形態３）
本実施形態は、バンクパターン１８がパターン形成領域２４（第１領域２４Ａ、第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄ）を縁取る代わりに、撥液パターン５８がパターン形成領域６４（第１領域６４Ａ、第２領域６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄ）を縁取る点を除いて、実施形態１または２と基本的に同じである。このため、実施形態１または２の構成要素と同様な構成要素には同じ参照符号を付す。また、実施形態１または２における説明と重複する説明は、記載を簡潔にすることを目的として、省略する。

まず基板１０Ａの表面に撥液化処理を行う。撥液化処理の方法の一つとして、基板１０Ａの表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する方法がある。

有機分子膜を構成する分子は、基板１０Ａに結合可能な官能基と、基板１０Ａの表面の特性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖または一部分岐した炭素鎖と、を備えている。そして、この分子は、基板に結合して分子膜、例えば単分子膜、を形成する。

自己組織化膜は、互いに同じ方向に配向した分子からなる膜である。このような分子は、基板１０Ａの表面などの下地を構成する原子と反応可能な結合性官能基と、それ以外の直鎖分子と、からなる。そして、この分子は、直鎖分子の相互作用のおかげで極めて高い配向性を有している。なお、互いに同じ方向に配向した分子から自己組織化膜がなるので、自己組織化膜の厚さは極めて薄い。しかも、その厚さは分子レベルで均一である。さらに、自己組織化膜の表面に亘って単分子の同じ部位が位置しているので、自己組織化膜の表面特性（例えば撥液性）も表面に亘って均一である。

自己組織化膜となる有機分子膜を構成できる化合物であって、撥液性を呈する化合物の一例は、フルオロアルキルシラン（以下ＦＡＳともいう）である。ＦＡＳが下地の基板１０Ａに結合すると、自由表面にフルオロアルキル基が位置するように分子が配向されて自己組織化膜（以下ＦＡＳ膜ともいう）を形成する。フルオロアルキル基が整列したＦＡＳ膜の表面は表面エネルギーが小さく、このため撥液性を呈する。このように基板１０Ａの表面にＦＡＳ膜が形成されることで、基板１０Ａの表面に撥液性が付与される。なお、ＦＡＳ膜は、基板１０Ａの表面に撥液性を付与するだけでなく、基板１０Ａに対する密着性も高いので、耐久性に優れている。

ＦＡＳには、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン等がある。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合物を組合せて使用しても、本発明の所期の目的を損なわなければ制限されない。

より具体的には、ＦＡＳは、一般的に構造式Ｒ_nＳｉＸ_(4-n)で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基を表す。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ₃）（ＣＦ₃）ｘ（ＣＨ₃）_yの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲまたはＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでも良いし、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板１０Ａ（ガラス、シリコン）等の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板１０Ａと結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ₃）等のフルオロ基を有するため、下地物体（ここでは基体１０Ａ）の表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。

基板１０Ａ上にＦＡＳ膜を気相から形成する方法は次の通りである。上記の原料化合物（つまりＦＡＳ）と基板１０Ａとを同一の密閉容器中に入れておき、室温の場合は２〜３日程度の間放置する。そうすると、基板１０Ａ上に有機分子膜からなる自己組織化膜（つまりＦＡＳ膜）が形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持する場合には、３時間程度で基板１０Ａ上にＦＡＳ膜が形成される。

また、基板１０Ａ上にＦＡＳ膜を液相から形成する方法は次の通りである。まず、基板１０Ａの表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、前処理を施す。そして、原料化合物（つまりＦＡＳ）を含む溶液中に基板１０Ａを浸積し、洗浄、乾燥すると、基板１０Ａ上に自己組織化膜（ＦＡＳ膜）が得られる。なお、基板１０Ａの表面の前処理は、適宜省略してもよい。

以上のようにして、図１６（ａ）に示すように、基板１０Ａ上に撥液膜（ＦＡＳ膜）５６を設ける。そして、図１６（ｂ）に示すように、配線パターンの２次元的形状を縁取る部分が遮光マスクＭＫで覆われたフォトマスクＭ１を介して、ＦＡＳ膜５６を露光する。そうすると、光が照射された部分の撥液膜５６が分解するので、図１６（ｃ）に示す撥液パターン５８が形成される。同時に、撥液パターン５８によって、それぞれの２次元的形状が縁取られた複数の部分（基板１０Ａの表面）が露出する。

本実施形態では、撥液パターン５８は、後に形成される複数のゲート配線３４のそれぞれの周囲を完全に囲む形状を有している。もちろん、撥液パターン５８は、それぞれ互いから分離した複数の撥液部５８Ｂ（図１７）からなってもよい。例えば、所定の距離だけ離れるとともに互いにほぼ平行に位置する一対の撥液部５８Ｂの間で、１つのゲート配線３４の２次元的形状が縁取られてもよい。この場合には、ゲート配線３４の両端部に対応する部分に撥液部５８Ｂがなくてもよい。つまり、撥液パターン５８がゲート配線３４の２次元的形状の周囲を完全に囲む必要はない。

本実施形態では、撥液パターン５８によってそれぞれの２次元的形状が縁取られた複数の部分のそれぞれを、「パターン形成領域６４」とも表記する。

なお、物体表面の撥液性を示す指標の一つは、液状の材料が物体表面上で示す接触角である。物体表面上で液状の材料が示す接触角が大きいほど、物体表面は液状の材料に対してより大きな撥液性を呈する。本実施形態では、撥液パターン５８上で導電性材料８Ａが示す接触角は、パターン形成領域６４上で導電性材料８Ａが示す接触角よりも３０°以上大きい。

図１７に示すように、複数のパターン形成領域６４のそれぞれは、幅ｗ１を有する第１領域６４Ａと、第１領域６４Ａと接するとともに幅ｗ１よりも狭い幅ｗ２を有する第２領域６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄと、を有する。ここで、第１領域６４Ａは、パターン形成領域６４のうち、第１方向に伸びている部分である。そして、パターン形成領域６４における第１領域６４Ａは、後の工程によって広幅部３４Ａ（図１）が設けられる部分である。一方、パターン形成領域６４における第２領域６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄは、後の工程によって狭幅部３４Ｂ、３４Ｃ、３４Ｄ（図１）がそれぞれ形成される部分である。第１領域６４Ａの幅ｗ１は、広幅部３４Ａとほぼ同じ（つまり約２０μｍ）である。一方、第２領域６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄの幅ｗ２は、狭幅部３４Ｂ、３４Ｃ、３４Ｄの幅とほぼ同じ（つまり約１０μｍ）である。

このように、複数のパターン形成領域６４のそれぞれの２次元的形状は、実施形態１または２のパターン形成領域２４の２次元的形状と同じである。なお、パターン形成領域６４が設けられた後の基板１０Ａが、基体１０（図３）に対応する。

パターン形成領域６４には撥液膜５６が形成されていないので、パターン形成領域６４の撥液性は、撥液パターン５８の撥液性よりも低い。むしろ、本実施形態では、パターン形成領域６４は、導電性材料８Ａの液滴Ｄに対して親液性を呈する。パターン形成領域６４は基板１０Ａの表面であり、そして、実施形態１で説明したように、基板１０Ａがガラス基板だからである。

パターン形成領域６４を形成した後で、液滴吐出装置１００は、実施形態１または２で説明した吐出工程にしたがって、パターン形成領域６４上に導電層８（ゲート配線３４）を形成する。

具体的には、液滴吐出装置１００は、基体１０に対するノズル１１８の相対位置を２次元的（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、図１８（ａ）に示すように、ノズル１１８が第１領域６４Ａに対応する位置に達する毎に、ノズル１１８から導電性材料８Ａの液滴Ｄを吐出する。この結果、図１８（ｂ）に示すように、第１領域６４Ａに導電性材料８Ａの複数の液滴Ｄが着弾して濡れ広がる。そして、図１８（ｃ）に示すように、第１領域６４Ａに着弾した複数の液滴Ｄが濡れ広がることで、第１領域６４Ａだけでなく第２領域６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄをも覆う導電性材料層８Ｂが形成される。

その後、クリーンオーブン１５０を用いて導電性材料層８Ｂを活性化（ここでは加熱）することで、図１８（ｄ）に示す導電層８を得る。なお、図１８（ａ）〜（ｄ）が示す断面は、図１７におけるＢ’−Ｂ断面に対応している。

したがって、本実施形態によれば、第２領域６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄに向けて液滴Ｄを吐出しなくても、第１領域６４Ａから第２領域６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄに導電性材料８Ａを導入することができ、この結果、第２領域６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄを覆う導電性材料層８Ｂを形成できる。特に、第２領域６４Ｂ（ゲート電極４４Ｇが形成される部分）に向けて液滴Ｄを吐出する必要がないので、第２領域６４Ｂの範囲を越えて導電性材料８Ａが付着する可能性がない。つまり導電性材料８Ａの残渣が生じない。このため、第２領域６４Ｂの２次元的形状を正確に反映した２次元的形状を有する導電性材料層８Ｂが得られる。この結果、最終的に得られるゲート電極４４Ｇのゲート幅・ゲート長は、吐出工程に起因する誤差を含みにくくなる。

上記実施形態によれば、本発明は液晶表示装置におけるＴＦＴ用ゲート電極の製造に適用された。しかしながら、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置におけるＴＦＴ用ゲート電極の製造など、他の表示装置における各種電極の製造に適用されてもよい。さらに、プラズマ表示装置におけるアドレス電極や、ＳＥＤ(Surface-Conduction Electron-Emitter Display）またはＦＥＤ（Field Emission Display)における金属配線の製造に適用されてもよい。

なお、本明細書では、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置、ＳＥＤ、ＦＥＤなど、を「電気光学装置」と表記することもある。ここで、本明細書でいう「電気光学装置」とは、複屈折性の変化や、旋光性の変化や、光散乱性の変化などの光学的特性の変化（いわゆる電気光学効果）を利用する装置に限定されず、信号電圧の印加に応じて光を射出、透過、または反射する装置全般を意味する。

（電子機器）
本発明の電子機器の具体例を説明する。図１９（ａ）に示す携帯電話６００は、上記実施形態の製造方法によって製造された電気光学装置６０１を備えている。図１９（ｂ）に示す携帯型情報処理装置７００は、キーボード７０１と、情報処理本体７０３と、上記実施形態の製造方法によって製造された電気光学装置７０２と、を備えている。このような携帯型情報処理装置７００のより具体的な例は、ワープロ、パソコンである。図１９（ｃ）に示す腕時計型電子機器８００は、上記実施形態の製造方法によって製造された電気光学装置８０１を備えている。このように、図１９（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の製造方法によって製造された電気光学装置を備えているので、ＴＦＴ特性が良好であり、このため表示が良好な電気光学装置を有する電子機器が得られる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態を説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

（変形例１）
導電性材料８Ａに含まれる導電性微粒子は、銀粒子に代えて、例えば、金、銅、アルミニウム、パラジウム、及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する金属微粒子であってもよいし、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子であってもよい。これらの導電性微粒子は分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングされてもよい。

（変形例２）
実施形態３における基板１０Ａの撥液化処理工程は、上記ＦＡＳ膜の形成に代えて、プラズマ処理であってもよい。プラズマ処理を行う場合には、配線パターンの形状に対応した保護層を基板１０Ａ上に形成した後で、基板１０Ａに対して、常圧または真空下でプラズマ照射する。ここで、プラズマ照射の際に用いるガス種は、基板１０Ａの表面の材質等を考慮して種々選択できる。たとえば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等のフルオロカーボン系ガスを処理ガスとして使用できる。これらの化合物を用いる場合には、基板１０Ａの表面に、撥液性のフッ化重合膜を形成できる。このようなプラズマ処理を行っても、撥液パターン５８を形成できる。

（変形例３）
上記実施形態１〜３では、第１方向（つまり第１領域２４Ａが延びる方向）と、Ｘ軸方向（つまり非走査方向）とが一致するように、基板１０Ａをステージ１０６上に配置させる。しかしながら、本発明はこのような形態に限定されない。具体的には、第１方向と、Ｙ軸方向（つまり走査方向）とが一致するように、基板１０Ａをステージ１０６上に配置してもよい。第１方向とＹ軸方向とが一致するように基板１０Ａが配置されても、上記実施形態で説明した吐出方法を行うことができ、そしてこのため、第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄに向けて液滴Ｄを吐出しなくても、第２領域２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄを覆う導電層８（すなわちゲート電極４４Ｇ）を形成できるからである。

（変形例４）
実施形態１によれば、バンクパターン１８を形成した後で、プラズマ処理による撥液化（フッ素化）を行って、バンクパターン１８の表面を撥液化する。しかしながら、撥液性を有する材料を用いて、バンクパターン１８を形成する場合には、バンクパターン１８への撥液化処理を省略してもよい。撥液性を有する材料として、フッ素ポリマーがブレンドされたアクリル系化学増幅型感光性樹脂がある。

（変形例５）
上記実施形態１〜３におけるゲート配線３４、ドレイン電極４４Ｄ、ソース電極４４Ｓ、およびソース電極線４４ＳＬのそれぞれは、銀の層からなる。このような構造に代えて、ゲート配線３４、ドレイン電極４４Ｄ、ソース電極４４Ｓ、およびソース電極線４４ＳＬの少なくとも一つが、銀からなる下地層と、下地層上に位置するキャップメタル層とからなる多層構造を有していてもよい。キャップメタル層は、例えば、ニッケルからなり、ゲート配線３４と他の配線との電気的な接合を容易にする。

実施形態１〜３の配線パターン形成方法で形成される複数のゲート配線を示す模式図。 実施形態１〜３のデバイス製造装置を示す模式図。 実施形態１〜３の液滴吐出装置を示す模式図。 （ａ）は液滴吐出装置における吐出ヘッド部におけるヘッドを示す模式図であり、（ｂ）は、ヘッドにおける吐出部を示す模式図。 液滴吐出装置における制御装置を示す模式図。 （ａ）〜（ｄ）は実施形態１および２のバンクパターンを形成する方法を説明する図。 （ａ）〜（ｄ）は実施形態１および２のバンクパターンを形成する方法を説明する図。 実施形態１および２のバンクパターンによって縁取られたパターン形成領域を示す模式図。 （ａ）〜（ｄ）は、実施形態１および２の吐出工程を説明する模式図。 （ａ）〜（ｄ）は実施形態１の吐出工程を示す模式図。 走査期間および走査範囲を説明する模式図。 実施形態１の吐出工程を示す模式図。 （ａ）〜（ｅ）は、ＴＦＴ素子の製造方法を説明する図。 実施形態２の吐出工程を示す模式図。 実施形態２の吐出工程を示す模式図。 （ａ）〜（ｃ）は撥液パターンを形成する方法を説明する図。 撥液パターンによって縁取られたパターン形成領域を示す模式図。 （ａ）〜（ｄ）は実施形態３の吐出工程を示す模式図。 （ａ）〜（ｃ）は本実施形態の電子機器を示す模式図。

符号の説明

８…導電層、８Ａ…導電性材料、８Ｂ…導電性材料層、１０…基体、１０Ａ…基板、１０Ｂ…素子側基板、１２…ＨＭＤＳ層、１４…有機感光性材料層、１６・１６Ｐ…フォトレジスト層、１６Ｑ…保護層、１８…バンクパターン、１８Ｂ…バンク部、２４…パターン形成領域、２４Ａ…第１領域、２４Ｂ…第２領域、２４Ｃ…第２領域、２４Ｄ…第２領域、３４…ゲート配線、３４Ａ…広幅部、３４Ｂ・３４Ｃ・３４Ｄ…狭幅部、３５…半導体層、３７Ｄ・３７Ｓ…接合層、４１Ｐ…配向膜、４２…ゲート絶縁膜、４４…ＴＦＴ素子、４４Ｄ…ドレイン電極、４４Ｇ…ゲート電極、４４Ｓ…ソース電極、４４ＳＬ…ソース電極線、４５Ａ…第２絶縁層、４５Ｂ…第２絶縁層、４５Ｃ…コンタクトホール、５６…撥液膜、５８…撥液パターン、５８Ｂ…撥液部、６４…パターン形成領域、６４Ａ…第１領域、６４Ｂ…第２領域、１００…液滴吐出装置、１０３…吐出ヘッド部、１１２…制御装置、１１４…ヘッド、１１８…ノズル、１２７…吐出部、１４０…ヒータ、１５０…クリーンオーブン、１７０…搬送装置。

Claims (14)

1. 液滴吐出装置を用いて液状の導電性材料の液滴を吐出して、基板上でバンクパターンによって縁取られ、第１の幅を有する第１領域と、前記第１領域と接するとともに前記第１の幅以下の第２の幅を有する第２領域と、を有するパターン形成領域に導電性材料層を設ける配線パターン形成方法であって、
   前記第１の幅以下かつ前記第２の幅以上の直径の前記液滴を前記第１領域へ吐出して、前記第１領域と前記第２領域とを覆う前記導電性材料層を形成するステップ（Ａ）を有し、
   前記ステップ（Ａ）は、前記第１領域と前記第２領域とのうち、前記第１領域にのみへ前記液滴を吐出するステップを含んでいるとともに、前記第１領域と前記第２領域との境界線に直面する位置に前記液滴が着弾するように、前記液滴を吐出するステップ（ａ１）を含んでいる、
   配線パターン形成方法。
2. 請求項１記載の配線パターン形成方法であって、
   前記ステップ（ａ１）は、前記境界線に対する法線であって前記境界線のほぼ中央を通る法線上にあるとともに、前記境界線から前記直径のほぼ１／２倍以上１倍以下の距離にある位置に、前記液滴のほぼ中心が当たるように、前記液滴を吐出するステップを含んでいる、
   配線パターン形成方法。
3. 請求項１記載の配線パターン形成方法であって、
   前記ステップ（ａ１）は、前記境界線に対する法線であって前記境界線のほぼ中央を通る法線と、前記第１領域を二分する線分であって前記第１の幅の方向に直交する方向に延びる線分と、が交わる位置から、前記直径の０倍以上１倍以下の距離にある位置に、前記液滴のほぼ中心が当たるように、前記液滴を吐出するステップを含んでいる、
   配線パターン形成方法。
4. 請求項１記載の配線パターン形成方法であって、
   前記ステップ（ａ１）は、前記境界線に対する法線上に最初の液滴を吐出するステップを含んでいる、
   配線パターン形成方法。
5. 液滴吐出装置を用いて液状の導電性材料の複数の液滴を吐出して、基板上でバンクパターンによって縁取られ、第１の幅を有する第１領域と、前記第１領域に接するとともに前記第１の幅以下の第２の幅を有する第２領域と、を有するパターン形成領域に導電性材料層を設ける配線パターン形成方法であって、
   前記第１の幅以下かつ前記第２の幅以上の直径の前記複数の液滴を前記第１領域へ吐出して、前記第１領域と前記第２領域とを覆う前記導電性材料層を形成するステップ（Ａ）を有し、
   前記ステップ（Ａ）は、前記第１領域と前記第２領域とのうち、前記第１領域にのみへ前記複数の液滴を吐出するステップを含んでいるとともに、前記複数の液滴のうち、前記第１領域と前記第２領域との境界線に最も近い位置に着弾する１つの液滴が、該１つの液滴がその着弾位置に着弾した時点から、着弾したその液滴が第２領域に濡れ広がる時点までの間、前記第１領域上で他の液滴から孤立するように、前記複数の液滴を吐出するステップ（ａ１）を含んでいる、
   配線パターン形成方法。
6. 請求項５記載の配線パターン形成方法であって、
   前記ステップ（Ａ）は、前記１つの液滴の体積が前記他の液滴の体積より大きくなるように、前記１つの液滴と前記他の液滴とを吐出するステップを含んでいる、
   配線パターン形成方法。
7. 液滴吐出装置を用いて液状の導電性材料の液滴を吐出して、基板上で撥液パターンによって縁取られ、第１の幅を有する第１領域と、前記第１領域に接するとともに前記第１の幅以下の第２の幅を有する第２領域と、を有するパターン形成領域に導電性材料層を設ける配線パターン形成方法であって、
   前記第１の幅以下かつ前記第２の幅以上の直径の前記液滴を前記第１領域へ吐出して、前記第１領域と前記第２領域とを覆う前記導電性材料層を形成するステップ（Ａ）を有し、
   前記ステップ（Ａ）は、前記第１領域と前記第２領域とのうち、前記第１領域にのみへ前記液滴を吐出するステップを含んでいるとともに、前記第１領域と前記第２領域との境界線に直面する位置に前記液滴が着弾するように、前記液滴を吐出するステップ（ａ１）を含んでいる、
   配線パターン形成方法。
8. 請求項７記載の配線パターン形成方法であって、
   前記ステップ（ａ１）は、前記境界線に対する法線であって前記境界線のほぼ中央を通る法線上にあるとともに、前記境界線から前記直径のほぼ１／２倍以上１倍以下の距離にある位置に、前記液滴のほぼ中心が当たるように、前記液滴を吐出するステップを含んでいる、
   配線パターン形成方法。
9. 請求項７記載の配線パターン形成方法であって、
   前記ステップ（ａ１）は、前記境界線に対する法線であって前記境界線のほぼ中央を通る法線と、前記第１領域を二分する線分であって前記第１の幅の方向に直交する方向に延びる線分と、が交わる位置から、前記直径の０倍以上１倍以下の距離にある位置に、前記液滴のほぼ中心が当たるように、前記液滴を吐出するステップを含んでいる、
   配線パターン形成方法。
10. 請求項７記載の配線パターン形成方法であって、
    前記ステップ（ａ１）は、前記境界線に対する法線上に最初の液滴を吐出するステップを含んでいる、
    配線パターン形成方法。
11. 液滴吐出装置を用いて液状の導電性材料の複数の液滴を吐出して、基板上で撥液パターンによって縁取られ、第１の幅を有する第１領域と、前記第１領域に接するとともに前記第１の幅以下の第２の幅を有する第２領域と、を有するパターン形成領域に導電性材料層を設ける配線パターン形成方法であって、
    前記第１の幅以下かつ前記第２の幅以上の直径の前記複数の液滴を前記第１領域へ吐出して、前記第１領域と前記第２領域とを覆う前記導電性材料層を形成するステップ（Ａ）を有し、
    前記ステップ（Ａ）は、前記第１領域と前記第２領域とのうち、前記第１領域にのみへ前記複数の液滴を吐出するステップを含んでいるとともに、前記複数の液滴のうち、前記第１領域と前記第２領域との境界線に最も近い位置に着弾する１つの液滴が、該１つの液滴がその着弾位置に着弾した時点から、着弾したその液滴が第２領域に濡れ広がる時点までの間、前記第１領域上で他の液滴から孤立するように、前記複数の液滴を吐出するステップ（ａ１）を含んでいる、
    配線パターン形成方法。
12. 請求項１１記載の配線パターン形成方法であって、
    前記ステップ（Ａ）は、前記１つの液滴の体積が前記他の液滴の体積より大きくなるように、前記１つの液滴と前記他の液滴とを吐出するステップを含んでいる、
    配線パターン形成方法。
13. 請求項１から１２のいずれか一つに記載の配線パターン形成方法であって、
    前記パターン形成領域は前記液状の導電性材料に対して親液性を呈している、
    配線パターン形成方法。
14. 請求項１から１３のいずれか１つに記載の配線パターン形成方法を包含したＴＦＴ用ゲート電極の形成方法であって、
    前記第１領域はゲート配線の広幅部が形成される領域であり、
    前記第２領域は前記ゲート線から分岐したゲート電極が形成される領域である、
    ＴＦＴ用ゲート電極の形成方法。

Images