JP3753591B2 - 基板洗浄装置 - Google Patents
基板洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3753591B2 JP3753591B2 JP2000155531A JP2000155531A JP3753591B2 JP 3753591 B2 JP3753591 B2 JP 3753591B2 JP 2000155531 A JP2000155531 A JP 2000155531A JP 2000155531 A JP2000155531 A JP 2000155531A JP 3753591 B2 JP3753591 B2 JP 3753591B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- ultrasonic
- cleaning liquid
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 309
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 175
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 147
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 87
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 58
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- -1 poly tetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229940058401 polytetrafluoroethylene Drugs 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)基板、あるいは、磁気ディスク用のガラス基板やセラミック基板などのような各種の基板に洗浄処理を施すための基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程には、半導体ウエハ(以下、単に「基板」という。)の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。微細加工のためには基板の両面、特に薄膜が形成される基板の一方面(薄膜形成面)を清浄に保つ必要があるから、必要に応じて基板の洗浄処理が行われる。たとえば、基板の薄膜形成面上に形成された薄膜を研磨剤を用いて化学機械研磨処理(以下、CMP処理という)した後には、研磨剤(スラリー)が基板両面に残留しているから、このスラリーを除去する必要がある。
【0003】
上述のような従来の基板の洗浄を行う基板洗浄装置は、たとえば、基板を回転させながらその両面に洗浄液を供給しつつ基板の両面をスクラブ洗浄する両面洗浄装置と、基板を回転させながらその両面に洗浄液を供給しつつ基板の一方面(薄膜形成面)をスクラブ洗浄および超音波洗浄する片面洗浄装置と、基板を回転させながらその両面に純水を供給して水洗し、次いで純水の供給を停止させて基板を高速回転させることで基板表面の水分を振り切り乾燥させる水洗・乾燥装置とからなっている。
【0004】
ここで特に、上述の片面洗浄装置には、主に基板表面に固着したパーティクルを除去するために、基板の表面をスポンジブラシによってスクラブ洗浄するブラシ洗浄機構と、主に基板表面に残留する微細なパーティクルを除去するために、基板の表面に向けて超音波が付与された洗浄液を供給する超音波洗浄機構とが備えられ、これらの機構によって、基板表面に付着しているゴミやスラリーなどの微細なパーティクルを除去できるようになっている。
【0005】
そして、上記超音波洗浄機構は、超音波発振器からのパルスを受けて超音波振動する振動板によって洗浄液に超音波を付与し、この超音波が付与された洗浄液を基板表面に向けて吐出する超音波ノズルを備えており、この洗浄液の持つ超音波振動エネルギーによって、微細なパーティクルが基板表面から離脱されて除去できるようになっている。
【0006】
しかしながら、近年の薄膜形成パターンの高精細化に伴って、より微細なパーティクルの除去が必要となってきており、上述した従来の基板洗浄装置の超音波洗浄機構では、このより微細なパーティクルの除去に対応できないという問題が生じていた。すなわち、従来の超音波洗浄機構においては、超音波ノズルの吐出口先端から、実際に超音波が付与された洗浄液が供給される基板表面までの距離(以下、吐出距離という)が大きくされているため、この距離の間に洗浄液に付与された超音波振動エネルギーが減衰してしまって、基板表面が十分に超音波洗浄されず、より微細なパーティクルを除去できないという問題があった。
【0007】
また、上述の吐出距離の間には、大気中の空気が洗浄液に混入して気泡となり、この気泡によっても、洗浄液の持つ超音波振動エネルギーが減衰してしまって、基板表面が十分に超音波洗浄されず、より微細なパーティクルを除去できないという問題もあった。
【0008】
しかも、常に適切な量の洗浄液を流す必要があり、特に洗浄液量も多くなるという問題もあった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
このような状況に対して、超音波洗浄機構において洗浄液を大幅に低減して省液化が可能な超音波洗浄装置の一例として、特開平11−138116号公報が提供されている。この従来の超音波洗浄装置には、基板と振動プレート(振動板)との間に表面張力の作用により液膜ができ、この液膜を介して振動プレートからの超音波が基板へ伝達される構成が開示されている。従って、この液膜の作用により基板の洗浄を行うことができ、しかも、洗浄液の使用量を抑えることができる。
【0010】
しかしながら、上記の超音波洗浄装置においては、洗浄液の供給開始時点で基板と振動プレートとの間の空気がスムーズに抜けず、洗浄液が行き渡らないという問題がある。これは、基板の移動方向に対して垂直な方向、即ち振動プレートの長手方向から洗浄液を供給することで、長尺な振動プレートの全面に洗浄液が行き渡らないという問題があった。
【0011】
また、図6に説明図を示すように基板洗浄装置100において超音波洗浄機構110は洗浄液が基板Wの移動とともに下流側(図中、矢印Fの方向)へ流れてしまうため、このことによって、上流側で振動プレート120と基板Wとの間に洗浄液が介在しない間隙空間B2が存在することとなる。また、基板洗浄機構110の基板対向面に構造的凹凸があると、その部位に洗浄液が充満しない、例えば間隙空間B1が存在する。その結果、振動プレート120から間隙空間B1、B2の部分に照射される超音波は全て反射して洗浄ムラとなる。さらにその状態が続くと振動プレート120が破損するという問題があった。尚、このことは振動プレート120が長尺な場合や、振動プレート120近傍に多くの構成的凹凸があると一層顕著な問題となる。
【0012】
その結果、基板W表面にゴミやスラリーなどの微細なパーティクルが残ってしまい、半導体装置の製造工程において歩留りの低下につながり、大きな問題となっていた。
【0013】
そこで、本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、基板表面の微細なパーティクルを十分に除去し、基板表面の洗浄力を向上させることが可能な基板洗浄装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上記目的を達成するために、本発明は、超音波洗浄部材を有し、該超音波洗浄部材と基板とを対向させながら相対移動させて基板を超音波洗浄する超音波洗浄機構を備えた基板洗浄装置であって、超音波洗浄部材は、相対移動する基板に対向するように設けられた基板対向面内に配置される振動面と、基板に対する相対移動方向における上流及び下流において振動面を挟んで基板対向面内に先端部が配置され、基板に洗浄液を供給するノズルとを備え、ノズルの先端部と振動面とが配置される基板対向面は略面一に形成され、基板と基板対向面とに挟まれた空間を洗浄液で満たしながら基板を洗浄することを特徴とする基板洗浄装置である。
【0015】
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、超音波洗浄機構は、超音波洗浄部材を駆動して基板と基板対向面との間隔を設定する間隔設定手段をさらに備え、間隔設定手段は、洗浄液の表面張力により基板表面に形成される液膜の厚み以下に基板と基板対向面との対向間隔を設定することを特徴とする。
【0016】
請求項3に係る発明は、請求項1または請求項2に記載の基板洗浄装置において、前記ノズルの先端部は相対移動方向に対して垂直な方向が、超音波振動部材の振動面よりも同等または長尺に形成されたことを特徴とする。
【0017】
本発明の作用は次のとおりである。ここで、請求項1に係る発明の基板洗浄装置によると、相対移動される基板と超音波洗浄部材の振動面との間隔に、ノズルの先端部から洗浄液が供給されて満たされ、この間隔に満たされた洗浄液は振動面によって超音波が付与される。
【0018】
ここで、基板と超音波洗浄機構とは相対移動されているため、間隔に満たされた洗浄液は、常に基板移動方向に沿う方向に力を受けている。このため、ノズルの先端部から供給された洗浄液は、基板の移動力を受けて、基板の移動方向の下流側に向かって流れようとする。そして、間隔内の洗浄液はその内部に滞留することなく間隔の外部に流れ出て行く為、振動面の全域における洗浄液の偏りが生じ、振動面の一部が洗浄液に接しない場合も考えられる。しかしながら、上記請求項1の発明によれば、振動面の上流側と下流側より洗浄液が供給されることにより振動面と基板との間に洗浄液が介在しない間隙を生じることがない。
【0019】
また、ノズルの先端部は振動面の上流側と下流側に配置されているので、ノズルの先端部からどの方向に洗浄液が流れたとしても、確実に洗浄液に超音波振動を付与できる。したがって、確実に、基板表面の洗浄力を向上させることができる。しかも、ノズルの先端部と超音波洗浄部材の振動面が配置される基板対向面は略面一に形成されている。すなわち、基板対向面内において、洗浄液は平板状の基板表面と略面一の基板対向面によって挟まれた状態となっている。よって、洗浄液が表面張力により行き渡りやすく振動面全体を容易に覆うように供給される。
【0020】
即ち、この基板に対向する間隔内に満たされた洗浄液は、大気に曝されることがなく、気泡等の空気の混入されることがない。したがって、このように上記間隔に満たされた状態にある洗浄液は、超音波振動が付与されると効率良く超音波振動エネルギーを伝達されるので、基板表面の微細なパーティクルを十分に除去し、基板表面の洗浄力を向上させることができる。
【0021】
なお、ここでいう「基板表面」とは、基板の薄膜が形成された面であっても、基板の薄膜が形成されていない面であってもよく、また、基板の上面、下面のいずれでもよい。すなわち、基板表面とは、基板の周縁部の端面を除いたどの面であってもよい。
【0022】
またさらに、ここでいう「洗浄液」とは、純水および薬液(たとえば、フッ酸、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、酢酸、アンモニアまたはこれらの過酸化水素水溶液など)のいずれであってもよく、基板表面を洗浄できる液体であればなんでもよい。
【0023】
請求項2に係る発明の基板洗浄装置によると、間隔設定手段により、洗浄液の表面張力により基板表面に形成される液膜の厚み以下に基板と超音波洗浄部材の基板対向面との対向間隔が設定される。このため、基板と基板対向面とに挟まれた空間(間隙空間)は確実に洗浄液に満たされる。したがって、洗浄液に伝達された超音波振動エネルギーを十分に維持することができ、基板表面の洗浄力をさらに向上させることができる。
【0024】
さらに、ここでいう「基板対向面」とは、基板表面に対向するような面であればよく、基板表面に平行な面であっても平行でない面であってもよい。また、基板対向面は、平面に限らず、曲面であってもよく、凸部や凹部を有さない面であればよい。
【0025】
請求項3に係る発明の基板洗浄装置によると、ノズルの先端部は相対移動方向に対して垂直な方向が、超音波振動部材の振動面よりも同等または長尺に形成されることにより、ノズルの先端部から供給された洗浄液は確実に振動面を通過することになる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下に、上述の技術的課題を解決するための本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の主要部の構成を簡略的に示す斜視図である。なお、この基板洗浄装置1は、CMP処理後のウエハ(以下、単に「基板」という)の両面をスクラブ洗浄して、比較的大きなパーティクルを除去した後に、基板Wの上面Wa(薄膜形成面)を再度スクラブ洗浄し超音波洗浄して比較的微細なパーティクルを除去する装置である。また、この基板洗浄装置に対する基板Wの搬出または搬入は、基板Wの下面Wb(薄膜形成面とは反対側の面)を吸着保持するハンド(図1に二点鎖線で示すH)を有する図示しない基板搬送ロボット等によって適宜行われている。
【0027】
この基板洗浄装置1は、基板Wを回転軸Rを中心に回転方向Fの方向に回転させる基板回転機構10、基板上面Waを超音波洗浄するための超音波洗浄機構20、基板上面Waをスクラブ洗浄するためのブラシ洗浄機構30、および基板上面Waと基板Wの回転軸Rとが交差する点O(基板Wの中心O)付近に向けて洗浄液を供給する補助液供給機構40と、各々の機構の動作を制御する制御部50とからなっている。
【0028】
基板回転機構10は、図示しない回転駆動源から回転駆動力を伝達されて回転方向Fの方向に回転するスピン軸11と、このスピン軸11の上端部に設けられ、基板下面Wbを上面にある複数の吸着孔により吸着保持するスピンチャック12とからなっている。これらの構成により、基板回転機構10は、基板下面Wbを吸着保持しつつ、基板Wに垂直な回転軸Rを中心として回転方向Fの方向に基板Wを回転させることができるようになっている。
【0029】
また、超音波洗浄機構20は、基板上面Waと対向するように設けられた基板対向面WF、この基板対向面WF内に先端部が配置されて純水などの洗浄液を供給する後述のノズル、および、基板対向面WF内に設けられてこのノズルから供給された洗浄液に超音波振動を付与する振動面(後述の図2のVF)を有し、基板対向面WFと基板上面Waとの間に供給された洗浄液に超音波振動を付与するための超音波洗浄ヘッド21と、この超音波洗浄ヘッド21を一方端で保持する揺動アーム22と、この揺動アーム22をアーム軸23を中心として所定の角度範囲で回動(揺動)させるモータ等の揺動駆動源24と、超音波洗浄ヘッド21および揺動アーム22を上下方向に昇降させるモータ等の昇降駆動源25とからなっている。ここで、上記超音波洗浄ヘッド21は本願発明の超音波洗浄部材に相当する。
【0030】
なお、揺動アーム22と揺動駆動源24との間には、揺動駆動源24からの回転駆動力を揺動アーム22に伝達する揺動伝達機構24tが設けられている。たとえば、この揺動伝達機構24tは、揺動駆動源24としてのモータの出力軸とアーム軸23のそれぞれに取りつけられた1組のプーリと、この1組のプーリ間に掛け渡されたベルトとからなるベルト&プーリ機構などである。これにより、揺動駆動源24としてのモータの出力軸を回動させれば、アーム軸23が回動し、揺動アーム23が回動する。
【0031】
また、揺動アーム22と昇降駆動源25との間には、昇降駆動源25からの回転駆動力を上下方向の駆動力に変換して揺動アーム22に伝達する昇降伝達機構25tが設けられている。たとえば、この昇降伝達機構25tは、昇降駆動源25としてのモータの出力軸に対して回転可能に接続されたボールネジ軸と、揺動アーム22から揺動駆動源24に至るまでの構造物を直線移動可能に保持し、ボールネジ軸に螺合する移動子とからなるボールネジ機構等が設けられている。これにより、昇降駆動源25としてのモータの出力軸を回動させれば、ボールネジ軸が回転して移動子が上下移動し、揺動アーム23から揺動駆動源24に至るまでの構造物が昇降する。
【0032】
これらの構成により、超音波洗浄機構20は、超音波洗浄ヘッド21を、揺動駆動源24によって経路A2に沿って図1に示す処理位置と基板上面Wa外の待機位置とを往復移動させることができ、また、昇降駆動源25によって経路A1およびA3に沿って上下移動させることができるようになっている。すなわち、超音波洗浄機構20は、経路A1上を上昇させ、次に、基板上面Waと基板対向面WFとの間隔(以下、基板対向間隔Dとする)が大きい第2の間隔D2である状態を保ちつつ経路A2上を基板Wの回転軸Rに近づく方向に水平移動させた後、経路A3上を下降させるようになっている。そして超音波洗浄ヘッド21を、基板対向間隔Dが第1の間隔D1である処理位置の状態を保つ。同様に、経路A3を上昇し経路A2上を基板Wの回転軸Rから離れる方向に水平移動させた後、経路A1を下降して待機位置となる。
【0033】
また、ブラシ洗浄機構30は、基板上面Waをスクラブ洗浄するためのスポンジブラシを有するブラシ部31と、このブラシ部31を一方端で回転可能に保持する揺動アーム32と、この揺動アーム32をアーム軸33を中心として所定の角度範囲で回動(揺動)させるモータ等の揺動駆動源34と、ブラシ部31および揺動アーム32を上下方向に昇降させるモータ等の昇降駆動源35とからなっている。なお、ブラシ部31は、揺動アーム32内に設けられた図示しないモータ等の回転駆動源により自転されるようになっている。なお、揺動アーム32と揺動駆動源34との間、および、揺動アーム32と昇降駆動源35との間には、超音波洗浄機構20と同様な構造の揺動伝達機構34tおよび昇降伝達機構35tが設けられている。
【0034】
これらの構成により、超音波洗浄機構20と同様に、ブラシ洗浄機構30は、ブラシ部31を、揺動駆動源24により基板上面Waに沿って水平移動させることができ、また、昇降駆動源25により上下移動させることができるようになっている。なお、このブラシ部31および超音波洗浄ヘッド21が、ウエハの中心O付近で干渉しないように、それぞれの移動は制御されている。
【0035】
さらに、補助液供給機構40は、基板上面Waの中心O付近に向けて洗浄液を供給する補助液供給ノズル41と、この補助液供給ノズル41に対して洗浄液を送り込む補助液配管42と、この補助液配管42が接続された洗浄液供給源43とからなっている。また、この補助液配管42の途中部には、補助液供給ノズル41からの補助液の供給を開始/停止させるためのバルブ44が介装されている。
【0036】
なお、この補助液供給機構40からの洗浄液は、少なくとも、ノズルを有する超音波洗浄ヘッド21が処理位置に位置していない間は、基板Wの中心Oに供給されるようになっている。このため、常に、基板上面Wa全域は洗浄液が供給される状態となる。ただし、この基板上面Waの乾燥をさらに防止するためには、基板Wがスピンチャック12上に保持されている間は、常に、補助液供給ノズル41から基板上面Waに洗浄液が供給されているのが好ましい。
【0037】
次に、以上の構成を有する基板洗浄装置1による洗浄処理動作について簡単に説明する。まず、超音波洗浄ヘッド21が待機位置に位置している状態で、図示しない基板搬送ロボットのハンドHによって、予め両面が洗浄された基板Wが基板洗浄装置1内に搬入され、スピンチャック12の上面に載置されて吸着保持される。このスピンチャック12による基板Wの吸着保持とほぼ同時に、基板Wの中心O付近に向けて補助液供給機構40の液供給ノズル41より洗浄液が供給される。次に、基板Wを吸着保持したスピンチャック12が図示しない回転駆動源によって高速で回転されて、基板Wが回転軸Rを中心に回転方向Fの方向に回転される(基板回転工程)。
【0038】
そして、揺動駆動源24によって揺動アーム22が回動されて、超音波洗浄機構20の超音波洗浄ヘッド21が経路A1と経路A2に沿って基板Wの中心Oの上方に移動されるとほぼ同時に、超音波洗浄機構20のノズルより洗浄液が供給される(洗浄液供給工程)。
【0039】
次に、昇降駆動源25によって経路A3に沿って揺動アーム22が下降されて、超音波洗浄ヘッド21が基板Wの中心O付近の基板上面Waに近接(第1の間隔D1)され、処理位置で超音波洗浄が行われる(超音波洗浄工程)。なお、この超音波洗浄工程と同時に、あるいは超音波洗浄工程に前後して、ブラシ洗浄機構20によるスクラブ洗浄が行われる。また、スピンチャック12の回転速度は10rpmから1000rpm程度が好ましい。
【0040】
そして、基板回転機構10による基板Wの回転が停止されるとともに、超音波洗浄機構20からの洗浄液の供給が停止される。そして最後に、補助液供給機構40からの洗浄液の供給が停止された直後、超音波洗浄機構20とブラシ洗浄機構30が待機位置へ移動するとともに、図示しない基板搬送ロボットのハンドHによって基板Wが基板洗浄装置1から搬出されて、1枚の基板Wに対するこの基板処理装置1での洗浄処理が終了する。尚、以上の動作は制御部50に予め動作フローが設定され、その設定に従って制御される。この後は、次の水洗・乾燥装置で水洗・乾燥されて最終仕上され、基板Wを複数枚収容可能なカセットに収容される。
【0041】
さて、次に、本願発明の特徴部分となる超音波洗浄機構20の超音波洗浄ヘッド21について図を用いて、詳しく説明する。図2は、超音波洗浄ヘッド21の構成を簡略的に示す装置側方から見た断面図、図3は長手方向の装置側方から見た断面図、図4はその下側から見た平面図である。超音波洗浄ヘッド21は、たとえば、4ふっ化テフロン(登録商標)(poly tetra fluoro ethylene)などのフッ素樹脂からなる本体部211と、この本体部211の底面に相当する基板対向面WF内に振動面VFを有する平面視で長尺平板状の振動板212と、この振動板212の上面に貼りつけられ、超音波発振器214からのパルスを受けて振動板212を超音波振動させる平面視で長尺平板状の振動子213と、基板対向面WF内に先端部NSを有し、本体部211の長手方向両側部に挿通されたノズル220、230とからなっている。そして、基板対向面WFではノズル220、230の先端部NS、NSを含む本体部211と振動板212の振動面VFが略面一に形成される。ここで、振動板212の長手方向の長さは基板Wの中心Oから基板Wの端周部までを含む大きさで、その端が基板Wの端部より基板外に出ない大きさに形成される。
【0042】
なお、本体部211は上述の揺動アーム22の一方端の下面にボルト等によって固定されており、本体部211内を挿通するノズル220、230は、揺動アーム22の内部を通るノズル配管221、231を介して、上述の補助液供給機構40の補助液配管42が接続された洗浄液供給源43に接続されている。また、ノズル配管221、231の途中部には、ノズル220、230からの洗浄液の供給を開始/停止させるためのバルブ222、232が介装されている。
【0043】
ノズル220、230は超音波洗浄ヘッド21に対する基板Wの移動方向である回転方向Fに関して振動板212を挟んで下流側にノズル220が、上流側にノズル230が配置される。ノズル220(尚、ノズル230の構成も同様なので説明を省略する)は、振動板212を周面で支持する本体部211の基板Wの移動方向Fに垂直な方向の側部に立設された側板223(233)を切削して形成される。本体部211の基板対向面WFである先端部NSには、洗浄液の吐出孔224(234)がスリット状に開孔され、図4に示すように振動板212の振動面VFより長尺に、また、吐出孔224(234)の両端が振動面VFの両端より延在して形成される。
【0044】
そして、吐出孔224(234)は液案内部225(235)を介して、液溜部226(236)に連設される。吐出孔224(234)はその断面積が、液溜部226(236)の側断面積よりも小さく形成される。この液溜部226(236)の上部にノズル配管221(231)が分岐した図3に示す連結部221a、221b(231a、231b)が適宜、両端に離れて接続されてる。
【0045】
次に、基板対向間隔Dの第1の間隔D1は、十分に基板Wと基板対向面WFとに挟まれた空間(間隙空間K)が洗浄液で満たされる間隔であればよく、通常3mm以下、好ましくは1〜2mm程度に設定される。なお、この一実施形態においては、この基板対向間隔Dの設定は、昇降駆動源25によって行われており、上述の図1の説明で示したように、昇降駆動源25によって基板対向間隔Dは第1の間隔D1と第2の間隔D2との2つの間隔に設定される。
【0046】
以上の構成により、バルブ222、232が制御部50の信号により開成されてノズル220、230から洗浄液が供給されるとともに、超音波洗浄ヘッド21の基板対向間隔Dが第1の間隔D1となる位置まで近接されると、間隙空間Kに洗浄液が満たされる。そして、この間隙空間Kに満たされた洗浄液に対して、振動板212からの超音波振動が付与され、基板上面Waの超音波洗浄が行われる。
【0047】
その際、まずノズル220、230ではノズル配管221、231から供給された洗浄液が液案内部225、235と液溜部226、236の断面積に違いにより液溜部226、236の長手方向に充満する。そして、洗浄液は液案内部225、235を流下することで、偏りが少なくスリット状に吐出孔224、234から基板上面Waに供給される。
【0048】
次に、洗浄液の基板上面Wa上での挙動について説明する。基板Wと基板対向面WFとが最も近接している部分の間隔は3mm以下に設定される。ここで、基板上面Waの洗浄に用いられている通常の洗浄液は、その表面張力により概ね3mm以上の厚みの液膜を基板表面Waに形成する。このため、間隙空間Kのうち、基板対向間隔Dが3mm以下の部分においては、間隙空間Kは確実に洗浄液に満たされる。したがって、洗浄液に伝達された超音波振動エネルギーを十分に維持することができ、基板表面の洗浄力をさらに向上させることができる。しかしながら、基板上面Wa上の洗浄液には、基板Wの回転によって、回転軸Rから離れる方向に遠心力が、基板Wの回転方向Fの方向に回転力が付与される。このため、基板上面Waに供給された洗浄液は、回転軸Rから離れる方向および回転方向Fの方向に流れようとする傾向となる。
【0049】
ここで、洗浄液の供給が一方である基板Wの回転方向(移動方向)Fの下流側のみから行われると、洗浄液は間隙空間K内に表面張力をもってしても満たさない状態となる。また、他方である上流側からのみ行われたとしても、回転速度が早すぎると振動板212の振動面VFの下流側で洗浄液が間隙空間Kに介在されない。しかしながら、この一実施形態においては、振動板212の振動面VFの基板Wの回転方向Fの上流側と下流側はノズル220、230の先端部NS、NSで取り囲まれており、また、ノズル220、230の吐出孔224、234の開孔長さの領域内に振動面VFが設けられているので、間隙空間K内は振動面VFの全面に渡り常に洗浄液が介在することができる。即ち、振動面VFの略周囲より洗浄液が供給され、表面張力で間隙空間Kに洗浄液は常に介在されることとなり、洗浄液に超音波振動を十分に付与することができる。
【0050】
さらに、洗浄液の供給流量と基板Wの回転速度との関係が適切な場合、たとえば、超音波洗浄ヘッド21の基板対向面WFに構造的凹凸があると洗浄液が充満せず空気が介在する間隙が生じる状態となる、しかしながら、この一実施形態においては、基板対向面WFは略面一に形成されているので、間隙空間K内の洗浄液の供給とともに間隙空間K内の空気が追い出されて洗浄液により満たされる。よって、振動板212の破損を防止することができる。
【0051】
また、この間隙空間Kに満たされた洗浄液は、間隙空間K内の領域は大気と触れることはないので、気泡等の空気が混入することない。したがって、この洗浄液は、超音波振動が付与されると効率良く超音波振動エネルギーを伝達されるので、基板表面Waの微細なパーティクルを十分に除去し、基板表面Waの洗浄力を向上させることができる。
【0052】
<第二の実施例>上記の実施例においては超音波洗浄ヘッド21の基板対向面WFを略面一に形成しているが、次の図5に示すような構造の別の超音波洗浄ヘッド300にしてもよい。図5は、この超音波洗浄ヘッド300の基板対向面WF、振動面VF、およびノズルの先端部NSと、基板Wとの関係を示す平面図である。なお、この図5の構成において、図2乃至図4の構成と同様な部分については、その詳細な説明を省略し、図2乃至図4の各部と同一の参照符号を付して示す。
【0053】
この超音波洗浄ヘッド300においては、振動板212の基板Wの回転方向Fの下流側に配置される、ノズル301の先端部NSが振動面VFよりも基板上面Waから離れる方向に段差303を有して配置される。すなわち、間隙空間Kに供給される洗浄液は基板Wの回転方向Fに移動されるため間隙空間Kないの空気を下流側へ押しやることとなる。言いかえれば、間隙空間Kの空気が振動面VFの表面を下流側へ移動することなるが、この間隙空間Kからの空気の押し出しを促進するためにノズル301の先端部NSから基板上面Waまでの距離は、振動面VFから基板上面Waまでの距離よりも大きくされている。このようにすれば、段差303により間隙空間Kの空気は間隙空間Kの外方への排出が容易となるため、確実に間隙空間Kの洗浄液に気泡が含まれることを防止できる。
【0054】
また、この際、制御部50によるバルブ222、232の開閉のタイミングを以下のように制御してもよい。即ち、洗浄液の供給を超音波洗浄ヘッド300が基板上面Waの処理位置である第1の間隔D1に位置した際に開始するととともに、バルブ232のみを開成して上流側のノズル302のみから供給する。こうすることにより、まず、間隙空間Kの空気の押し出しを行い、次に所定時間後にバルブ222を開成してノズル301より洗浄液を供給することで、確実に間隙空間Kを洗浄液で満たすことができる。
【0055】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、上述した一実施形態においては、間隔設定手段としての昇降駆動源25によって基板対向間隔Dを第1の間隔D1に設定するようにしていたが、この昇降駆動源25とは別の間隔設定手段によって、さらに基板対向間隔D(D1)を微調節するようにしてもよい。すなわち、昇降駆動源25によって基板対向間隔Dを第1の間隔D1近傍に大まかに設定するとともに、別の間隔設定手段によって基板対向間隔Dを第1の間隔D1に精密に設定するようにしてもよい。
【0056】
さらに、超音波洗浄ヘッド21の基板対向面WFが、上記実施例のように基板Wの中心Oから基板Wの外周部までを含む大きさで形成されているような場合には、基板Wの中心Oは常に基板対向面WFで覆われて洗浄液が供給されているので乾燥することがなく、よって、特に補助液供給機構40を特に設けなくてもよい。
【0057】
さらに、上述した一実施形態においては、基板Wの洗浄処理中に、揺動駆動源24および揺動伝達機構24tによって、超音波洗浄ヘッド21は基板上面Waに固定的に配置されるが、超音波洗浄ヘッド21を基板上面Waに沿って直線移動させるものであってもよい。たとえば、揺動伝達機構24tに代えて、昇降伝達機構25tとして説明したようなボールネジ機構などを用い、基板上面Waに沿って基板Wの回転軸Rに対して離れる方向および近づく方向に超音波洗浄ヘッド21を往復直線移動(揺動)させてもよい。その際、超音波洗浄ヘッドの大きさが基板Wの直径を略相当し、振動面VFが基板表面Waを略覆う大きさであれば基板Wを固定とし超音波洗浄ヘッドを移動させる関係においても、本願における基板と超音波洗浄ヘッドの相対移動の関係は、超音波洗浄ヘッドから見た場合、基板の移動方向として同じ関係を有することとなる。
【0058】
さらに、上述した一実施形態において、超音波洗浄ヘッド21に設けられたノズルの先端部NSの形状は所定の方向に長く形成されたスリット状であるが、いかなる形状であってもよく、たとえば、複数の短いスリット状の開口であってもよい。
【0059】
さらに、上述した一実施形態において、基板対向面WFは、基板上面Waとほぼ平行に対向する平面であるが、これに限らず、基板上面Waに対して傾斜して対向する平面であってもよいし、基板上面Waに対して突出したり凹んだりした曲面であってもよい。
【0060】
なお、上述した一実施形態において、洗浄液として純水を用いているが、基板を洗浄可能な液体であればなんでもよく、たとえば、フッ酸、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、酢酸、アンモニアまたはこれらの過酸化水素水溶液などの薬液であってもよい。
【0061】
また、上述した一実施形態において、超音波洗浄ヘッド21の本体部211などの材質はフッ素樹脂としているが、洗浄液に対する耐液性を有し、機械的強度が十分であるものであれば何でもよい。たとえば、洗浄液が純水である場合には、塩化ビニルやアクリルなどの樹脂、またはステンレスやアルミニウムなどの金属等の材質としてもよい。また、洗浄液が薬液である場合には、その薬液の種類によって異なるが、主に、フッ素樹脂や塩化ビニル等の樹脂が適用される。
【0062】
また、上述した一実施形態において、基板回転機構10は、基板下面Wbを吸着保持するスピンチャック12によって、基板Wを保持しつつ回転させるようにしていたが、基板Wの周縁部をその下方および端面でピン保持しつつ基板Wの回転軸Rを中心に回転するピン保持式のスピンチャックであってもよい。
【0063】
あるいは、基板回転機構10は、基板Wの周縁部の端面に当接しつつ基板Wの回転軸Rに平行な軸を中心に回転する少なくとも3つのローラピンのようなものであってもよい。このローラピンを用いた基板回転機構10は、特に、基板Wの両面を超音波洗浄する場合に有効であり、超音波洗浄ヘッド21を基板Wを挟む位置に配置すれば、基板両面(WaおよびWb)の全域を良好に超音波洗浄できる。なお、この場合、基板下面Wbを洗浄する超音波洗浄ヘッド21は、その基板対向面WFが上方に向いてしまうが、このような場合には、上記実施例による超音波洗浄ヘッド21を用いることで、洗浄液が所定量だけ一時的に保持される。このため、間隙空間K内に洗浄液を容易に満たすことができ、洗浄液に対して十分な超音波振動を付与することができる。
【0064】
また、上述した一実施形態においては、CMP処理後の基板Wを洗浄する場合について説明しているが、これに限られるものではなく、本発明は、広く、基板Wを洗浄するものに対しても適用することができる。
【0065】
さらに、上述した一実施形態においては、基板Wとして半導体ウエハを洗浄する場合について説明しているが、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)基板、あるいは、磁気ディスク用のガラス基板やセラミック基板などのような他の各種の基板の洗浄に対して広く適用することができる。また、その基板の形状についても、上述した一実施形態の円形基板の他、正方形や長方形の角型基板に対しても、本発明を適用することができる。
【0066】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で種々の設計変更を施すことが可能である。
【0067】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、洗浄液は基板と超音波洗浄部材の振動面との間隙に満たされた状態となり、超音波振動が付与されると効率良く超音波振動エネルギーを伝達されるので、基板表面の微細なパーティクルを十分に除去し、基板表面の洗浄力を向上させることができるという効果を奏する。その際、洗浄液は振動面の上流側と下流側より供給されることにより振動面と基板との間に洗浄液が介在しない間隙を生じることがない。しかも、ノズルの先端部と超音波洗浄部材の振動面が配置される基板対向面は略面一に形成されているため、洗浄液が表面張力により行き渡りやすく振動面全体を容易に覆うように供給される。その結果、基板と基板対向面とに挟まれた空間(間隙空間)内の洗浄液の供給とともに間隙空間内の空気が追い出されて洗浄液により満たされる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の主要部の構成を簡略的に示す斜視図である。
【図2】本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の超音波洗浄ヘッドの基板対向面、振動面、およびノズルの先端部と、基板との関係を示す断面図である。
【図3】本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の超音波洗浄ヘッドの構成を簡略的に示す装置側方から見た断面図である。
【図4】本発明に係る別の超音波洗浄ヘッドの構成を簡略的に示す下側から見た平面図である。
【図5】本発明に係る別の超音波洗浄ヘッドの基板対向面、振動面、およびノズルの先端部と、基板との関係を示す断面図である。
【図6】従来の洗浄装置の説明図である。
【符号の説明】
1、100 基板洗浄装置
20、110 超音波洗浄機構
21、300 超音波洗浄ヘッド(超音波洗浄部材)
211 本体部
212 振動板
213 振動子
214 超音波発振器
43 洗浄液供給源
A1、A2、A3 基板対向面の経路
D 基板対向間隔
D1 第1の間隔
D2 第2の間隔
F 回転方向(移動方向)
B1、B2、K 間隙空間
220、230、301、302 ノズル
NS ノズルの先端部
O 基板の中心
R 基板の回転軸
VF 振動面
W 基板
Wa 基板上面
Wb 基板下面
WF 基板対向面
Claims (3)
- 超音波洗浄部材を有し、該超音波洗浄部材と基板とを対向させながら相対移動させて基板を超音波洗浄する超音波洗浄機構を備えた基板洗浄装置において、
前記超音波洗浄部材は、
相対移動する基板に対向するように設けられた基板対向面内に配置される振動面と、
基板に対する相対移動方向における上流及び下流において前記振動面を挟んで前記基板対向面内に先端部が配置され、基板に洗浄液を供給するノズルと
を備え、
前記ノズルの先端部と前記振動面とが配置される前記基板対向面は略面一に形成され、
基板と前記基板対向面とに挟まれた空間を洗浄液で満たしながら基板を洗浄することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項1に記載の基板洗浄装置において、
前記超音波洗浄機構は、前記超音波洗浄部材を駆動して基板と前記基板対向面との間隔を設定する間隔設定手段をさらに備え、
前記間隔設定手段は、洗浄液の表面張力により基板表面に形成される液膜の厚み以下に基板と前記基板対向面との対向間隔を設定することを特徴とする基板洗浄装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板洗浄装置において、
前記ノズルの先端部は前記相対移動方向に対して垂直な方向が、前記超音波振動部材の振動面よりも同等または長尺に形成されたことを特徴とする基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000155531A JP3753591B2 (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000155531A JP3753591B2 (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 基板洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001334222A JP2001334222A (ja) | 2001-12-04 |
JP3753591B2 true JP3753591B2 (ja) | 2006-03-08 |
Family
ID=18660463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000155531A Expired - Fee Related JP3753591B2 (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | 基板洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3753591B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW553780B (en) * | 1999-12-17 | 2003-09-21 | Sharp Kk | Ultrasonic processing device and electronic parts fabrication method using the same |
JP6918414B2 (ja) * | 2017-07-25 | 2021-08-11 | 株式会社ディスコ | 洗浄ガン |
TWI821799B (zh) * | 2020-12-28 | 2023-11-11 | 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 | 基板處理裝置 |
-
2000
- 2000-05-26 JP JP2000155531A patent/JP3753591B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001334222A (ja) | 2001-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI724115B (zh) | 基板洗淨裝置、基板洗淨方法、基板處理裝置及基板乾燥裝置 | |
JP3704260B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
US7699939B2 (en) | Substrate cleaning method | |
JP5156488B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
US20080083437A1 (en) | Method and apparatus for wafer cleaning | |
JP2002280343A (ja) | 洗浄処理装置、切削加工装置 | |
JP4255459B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP7348932B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄装置、および、洗浄方法 | |
JP2002043267A (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置 | |
JP2004079755A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP7290695B2 (ja) | 超音波洗浄装置および洗浄具のクリーニング装置 | |
JP3974340B2 (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
JP4271267B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2002124504A (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP3753591B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP5270263B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2001334221A (ja) | 基板洗浄装置 | |
KR20110077705A (ko) | 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법 | |
JP2008306108A (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP2011121009A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2005142309A (ja) | 基板の洗浄方法、洗浄装置および洗浄システム | |
KR100873937B1 (ko) | 웨이퍼 세정 장치 및 웨이퍼 세정 방법 | |
JP2000077293A (ja) | 基板処理方法およびその装置 | |
JP2002075943A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JPH08299928A (ja) | 基板の表面処理用超音波発生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081222 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091222 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |