JP2002124504A

JP2002124504A - 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Info

Publication number: JP2002124504A
Application number: JP2000316262A
Authority: JP
Inventors: Tadao Okamoto; 伊雄岡本
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-10-17
Filing date: 2000-10-17
Publication date: 2002-04-26

Abstract

(57)【要約】【課題】基板表面の微細な異物を十分に除去し、基板表
面の洗浄力を向上させることが可能な基板洗浄装置およ
び基板洗浄方法を提供する。【解決手段】スピンチャック１２によって回転軸Ｒを中
心に回転されているウエハＷに対して、ノズル２１ａ，
２１ｂから洗浄液としてのハイドロフルオロエーテルが
供給されている。そして、この洗浄液には超音波ヘッド
部２２ａ，２２ｂによって超音波振動が付与されてお
り、ウエハＷ表面は、超音波が付与されたハイドロフル
オロエーテルによって洗浄される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプ
レイ・パネル）基板、あるいは、磁気ディスク用のガラ
ス基板やセラミック基板などのような各種の基板に洗浄
処理を施すための基板洗浄装置および基板洗浄方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程には、半導体ウエ
ハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に成膜やエ
ッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形
成していく工程が含まれる。微細加工のためにはウエハ
の両面、特に薄膜が形成されるウエハの一方面（薄膜形
成面）を清浄に保つ必要があるから、必要に応じてウエ
ハの洗浄処理が行われる。たとえば、ウエハの薄膜形成
面上に形成された薄膜を研磨剤を用いて研磨処理（以
下、ＣＭＰ処理という）した後には、研磨剤（スラリ
ー）がウエハ両面に残留しているから、このスラリーを
除去する必要がある。

【０００３】上述のような従来のウエハの洗浄を行うウ
エハ洗浄装置は、たとえば、ウエハを回転させながらそ
の両面に洗浄液を供給しつつウエハの両面をスクラブ洗
浄する両面洗浄装置と、ウエハを回転させながらその両
面に洗浄液を供給しつつウエハの一方面（薄膜形成面）
をスクラブ洗浄する表面洗浄装置と、ウエハを回転させ
ながらその両面に純水を供給して水洗し、次いで純水の
供給を停止させてウエハを高速回転させることでウエハ
表面の水分を振り切り乾燥させる水洗・乾燥装置とから
なっている。

【０００４】ここで特に、上述の表面洗浄装置では、両
面洗浄装置で除去できなかったゴミやスラリーなどの微
細な異物を除去するために、ウエハ表面に薬液や純水な
どの洗浄液を供給しつつウエハの表面を小径のブラシな
どで精密にスクラブ洗浄するようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
薄膜形成パターンの高精細化に伴って、より微細な異物
の除去が必要となってきている。この微細な異物は、ウ
エハ表面に形成されたパターンの段差部（リセス部）や
ＣＭＰ処理の際にウエハ表面につけられた傷部分（スク
ラッチ部）などの微細凹部内にも存在しているが、上述
した従来のウエハ洗浄装置では、このような微細凹部内
に存在する微細な異物の除去に対応できないという問題
が生じていた。すなわち、従来のウエハ洗浄装置におい
ては、ブラシの毛先が微細凹部内に侵入できないうえ
に、その表面張力のために洗浄液でさえも微細凹部内に
侵入できず、このため、微細凹部内の異物を除去できな
いという問題があった。

【０００６】したがって、ウエハ表面の微細凹部内にゴ
ミやスラリーなどの微細な異物が残ってしまい、半導体
装置の製造工程において歩留りの低下につながり、大き
な問題となっていた。

【０００７】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、基板表面の微細な異物を十分に除去し、基
板表面の洗浄力を向上させることが可能な基板洗浄装置
および基板洗浄方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の技術的課題を解決
するための、請求項１に係る発明は、回転する基板に洗
浄液を供給して基板を洗浄する基板洗浄装置において、
基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と、この基板
回転手段によって回転されている基板に、ハイドロフル
オロエーテルを含む洗浄液を供給する洗浄液供給手段
と、この洗浄液供給手段によって基板に供給される上記
ハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液に超音波振動を
付与する超音波付与手段と、を備えることを特徴とする
基板洗浄装置である。

【０００９】この請求項１に係る発明の基板洗浄装置に
よると、基板回転手段によって回転される基板に供給さ
れる洗浄液は、ハイドロフルオロエーテル（以下、ＨＦ
Ｅという）を含むとともに超音波振動が付与されてい
る。このため、表面張力および粘度が従来の洗浄液に比
べて著しく低いこのＨＦＥを含む洗浄液は、基板表面の
リセス部やスクラッチ部などの微細凹部内に容易に侵入
するとともに超音波振動エネルギーを有しているので、
これらの協働作用により、基板表面の微細凹部内の異物
を良好に除去することができる。またさらには、微細凹
部内に関わらず、単に基板表面に付着している異物と基
板表面との間の隙間にも超音波振動エネルギーを有する
ＨＦＥを含む洗浄液が侵入するので、基板表面に付着し
た異物をさらに良好に除去することができる。また、基
板の回転に伴う遠心力により、基板表面にある洗浄液が
速やかに基板外へ排出されるので、超音波振動の付与さ
れたＨＦＥを含む洗浄液との協働作用により、基板表面
の異物をさらに良好に除去することができる。

【００１０】また、このＨＦＥを含む洗浄液自体の蒸発
速度が速いため、洗浄後における基板の乾燥も迅速に行
えるという利点がある。さらには、ＨＦＥは無毒であり
オゾン破壊係数が０であることから、地球環境にやさし
く、その回収・廃棄に対する処理コストも軽減できると
いう利点も持ちあわせている。

【００１１】なお、少なくとも基板表面に供給された上
記洗浄液に超音波振動が付与されていればよく、洗浄液
が基板に供給される前に洗浄液に超音波振動を付与して
おいてもよいし、上記洗浄液が基板に供給されるとほぼ
同時、あるいは供給された直後に、洗浄液に超音波振動
を付与してもよい。

【００１２】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
記載の基板洗浄装置において、洗浄液供給手段は、基板
の両面に上記洗浄液を供給することを特徴とする基板洗
浄装置である。

【００１３】この請求項２に係る発明の基板洗浄装置に
よると、超音波振動が付与された上記ＨＦＥを含む洗浄
液を用いて基板の両面を洗浄できる。このため、基板の
両面から挟み込むように基板に超音波振動が加わり、そ
の相乗効果から基板の洗浄効果を更に高めることができ
る。

【００１４】また、請求項３に係る発明は、請求項１ま
たは２に記載の基板洗浄装置において、洗浄液が供給さ
れている基板の表面をスクラブ洗浄する洗浄ブラシをさ
らに備えることを特徴とする基板洗浄装置である。

【００１５】この請求項３に係る発明の基板洗浄装置に
よると、さらに、洗浄ブラシによって基板の表面をスク
ラブ洗浄できる。このため、超音波振動が付与された上
記ＨＦＥを含む洗浄液との協働作用により、基板表面の
微細凹部内から除去された異物を確実に基板外に掃き出
すことができ、また、基板表面に強力に付着している異
物を剥離させて除去することができるので、基板の洗浄
効果を更に高めることができる。

【００１６】また、請求項４に係る発明は、請求項１か
ら３までのうちのいずれかに記載の基板洗浄装置におい
て、基板はＣＭＰ処理された後の基板であることを特徴
とする基板洗浄装置である。

【００１７】この請求項４に係る発明の基板洗浄装置に
よると、ＣＭＰ処理後の基板を洗浄する。このため、Ｃ
ＭＰ処理後の基板に特に多いスクラッチ部内の異物を良
好に除去することができる。

【００１８】次に、請求項５に係る発明は、回転する基
板に洗浄液を供給して基板を洗浄する基板洗浄方法にお
いて、回転している基板に、ハイドロフルオロエーテル
を含む洗浄液を供給する洗浄液供給工程と、この洗浄液
供給工程において基板に供給される上記ハイドロフルオ
ロエーテルを含む洗浄液に超音波振動を付与する超音波
付与工程と、を備えることを特徴とする基板洗浄方法

【００１９】請求項５に係る発明の基板洗浄方法による
と、請求項１に記載した発明と同様な効果を奏する基板
処理方法を提供できる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に、上述の技術的課題を解決
するための本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置を、
添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の
一実施形態に係る基板洗浄装置の主要部の構成を簡略的
に示す斜視図である。なお、この基板洗浄装置は、別の
両面洗浄装置において、ＣＭＰ処理後のウエハＷの両面
をスクラブ洗浄して、比較的大きな異物を除去した後
に、主にウエハＷの上面Ｗａ（薄膜形成面）を再度洗浄
して比較的微細な異物を除去する装置である。また、こ
の基板洗浄装置に対するウエハＷの搬出または搬入は、
図示しない吸着保持するハンドを有するウエハ搬送ロボ
ット等によって適宜行われている。

【００２１】この基板洗浄装置は、ウエハＷを保持しつ
つ、ウエハＷの中心を通りウエハＷに垂直な回転軸Ｒを
中心に回転させるウエハ回転機構１０、ウエハ上面Ｗａ
および下面Ｗｂを超音波洗浄するための超音波洗浄機構
２０、ウエハ上面Ｗａをスクラブ洗浄するためのブラシ
洗浄機構３０とからなっている。

【００２２】ウエハ回転機構１０は、図示しない回転駆
動源から回転駆動力を伝達されて回転するスピン軸１１
と、このスピン軸１１の上端部に設けられ、上面に設け
られた複数の保持ピン１２ａによりウエハＷを下面Ｗｂ
側から保持するスピンチャック１２とからなっている。
これらの構成により、ウエハ回転機構１０は、ウエハＷ
を保持しつつ、ウエハＷに垂直なウエハの回転軸Ｒを中
心としてウエハＷを回転させることができるようになっ
ている。

【００２３】また。超音波洗浄機構２０は、洗浄液とし
てのハイドロフルオロエーテル（以下、ＨＦＥという）
をウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂそれぞれに供給するノズル
２１ａ，２１ｂ、および、このノズル２１ａ，２１ｂか
ら供給される上記洗浄液に超音波振動を付与するための
振動板を内部に有する超音波ヘッド部２２ａ，２２ｂ
と、この超音波ヘッド部２２ａ，２２ｂを一方端で保持
する揺動アーム２３ａ，２３ｂと、この揺動アーム２３
ａ，２３ｂをアーム軸２４ａ，２４ｂを中心として所定
の角度範囲で回動（揺動）させるモータ等の揺動駆動源
２５と、からなっている。なお、上述のスピンチャック
１２には、図示はしていないが、下側のノズル２１ａか
らウエハＷの下面Ｗｂに供給される洗浄液が通過するた
めの開口部または切欠き部が形成されている。

【００２４】これらの構成により、揺動駆動源２５は、
ノズル２１ａ，２１ｂおよび超音波ヘッド部２２ａ，２
２ｂを、ウエハＷ表面Ｗａ，Ｗｂに沿って往復移動させ
ることができるようになっている。なお、このノズル２
１ａ，２１ｂおよび超音波ヘッド部２２ａ，２２ｂが往
復移動する範囲は、たとえば、洗浄液がウエハＷのほぼ
中心に供給される位置から、ウエハＷの外周の少し外側
に供給される位置までの範囲である。これにより、ウエ
ハＷの全面およびウエハＷの端面をくまなく洗浄するこ
とができる。

【００２５】また、ブラシ洗浄機構３０は、ウエハ上面
Ｗａをスクラブ洗浄するためのＰＶＡ（ポリビニルアル
コール）からなるスポンジブラシ３１ａを有するブラシ
部３１と、このブラシ部３１を一方端で回転可能に保持
する揺動アーム３２と、この揺動アーム３２をアーム軸
３３を中心として所定の角度範囲で回動（揺動）させる
モータ等の揺動駆動源３４と、ブラシ部３１および揺動
アーム３２を上下方向に昇降させるシリンダ等の昇降駆
動源３５とからなっている。なお、ブラシ部３１は、揺
動アーム３２内に設けられた図示しないモータ等の回転
駆動源により自転されるようになっている。

【００２６】これらの構成により、ブラシ洗浄機構３０
は、ブラシ部３１を、揺動駆動源２４によりウエハ上面
Ｗａに沿って水平移動させることができ、また、昇降駆
動源２５により上下移動させることができるようになっ
ている。なお、このブラシ部３１が往復移動する範囲
は、たとえば、ウエハＷのほぼ中心の位置から、ウエハ
Ｗの外周の少し外側の位置までの範囲である。これによ
り、超音波洗浄機構２０の場合と同様に、ウエハＷの全
面およびウエハＷの端面をくまなく洗浄することができ
る。

【００２７】次に、以上の構成を有する基板洗浄装置に
よる洗浄処理動作について簡単に説明する。まず、超音
波洗浄機構２０のノズル２１ａ，２１ｂおよびブラシ洗
浄機構３０のブラシ部３１がスピンチャック１２の上方
から退避している状態で、図示しないウエハ搬送ロボッ
トによって、予め両面が洗浄されたウエハＷが基板洗浄
装置内に搬入され、スピンチャック１２の上に載置され
て複数の保持ピン１２ａに保持される。次に、ウエハＷ
を保持したスピンチャック１２が図示しない回転駆動源
によって高速で回転されて、ウエハＷが回転軸Ｒを中心
に回転される。

【００２８】そして、揺動駆動源２５によって揺動アー
ム２３ａ，２３ｂが回動されて、超音波洗浄機構２０の
ノズル２１ａ，２１ｂがウエハの中心の上方付近に移動
されるとほぼ同時に、ノズル２１ａ，２１ｂより洗浄液
としてのＨＦＥが供給される（洗浄液供給工程）。

【００２９】この際、洗浄液が超音波ヘッド部２２ａ，
２２ｂを通過するときに、上述の振動板から洗浄液に超
音波振動が付与され（超音波付与工程）、この超音波振
動が付与された洗浄液がノズル２１ａ，２１ｂから吐出
される。

【００３０】その後、上述のような範囲でノズル２１
ａ，２１ｂが往復移動（揺動）する動作が複数回繰り返
されて、超音波洗浄が行われる。なお、この洗浄液供給
工程と同時に、あるいは洗浄液供給工程に前後して、ブ
ラシ洗浄機構２０によるスクラブ洗浄が行われる。

【００３１】そして、ウエハ回転機構１０によるウエハ
Ｗの回転が停止されるとともに、超音波洗浄機構２０の
ノズル２１ａ，２１ｂからの洗浄液の供給が停止され
る。そして最後に、図示しないウエハ搬送ロボットによ
ってウエハＷが基板洗浄装置から搬出されて、１枚のウ
エハＷに対するこの基板処理装置での洗浄処理が終了す
る。この後は、次の水洗・乾燥装置で水洗・乾燥されて
最終仕上され、ウエハＷは複数枚収容可能なカセットに
収容される。

【００３２】以上のようなこの一実施形態の基板洗浄装
置および基板洗浄方法によれば、スピンチャック１２に
よって回転されるウエハＷに供給される洗浄液は、ＨＦ
Ｅであるとともにさらに超音波振動が付与される。この
ため、表面張力および粘度が従来の洗浄液に比べて著し
く低いＨＦＥが、ウエハＷの表面のリセス部やスクラッ
チ部などの微細凹部内に容易に侵入するとともに、超音
波振動エネルギーを有しているので、これらの協働作用
によりウエハＷの表面の微細凹部内の異物を良好に除去
することができる。またさらには、単にウエハＷの表面
に付着している異物とウエハＷの表面との間の隙間にも
超音波振動が付与されるＨＦＥが侵入するので、ウエハ
Ｗの表面に付着した異物をさらに良好に除去することが
できる。また、このＨＦＥ自体の蒸発速度が速いため、
洗浄後における基板の乾燥も迅速に行えるという利点が
ある。さらには、ＨＦＥは無毒でありオゾン破壊係数が
０であることから、地球環境にやさしく、その回収・廃
棄に対する処理コストも軽減できるという利点も持ちあ
わせている。

【００３３】また、この一実施形態の基板洗浄装置によ
れば、超音波振動が付与されたＨＦＥを用いてウエハＷ
の両面Ｗａ，Ｗｂを洗浄するため、ウエハＷの両面Ｗ
ａ，Ｗｂから挟み込むようにウエハＷに超音波振動が加
わり、その相乗効果からウエハＷの洗浄効果を更に高め
ることができる。

【００３４】また、この一実施形態の基板洗浄装置によ
れば、さらに、ブラシ部３１によってウエハＷの表面を
スクラブ洗浄できるので、超音波振動が付与されたＨＦ
Ｅとの協働作用によって、ウエハＷの表面の微細凹部内
から除去された異物を確実に掃き出すことができ、ま
た、ウエハＷの表面に強力に付着している異物をも剥離
除去できるので、ウエハＷの洗浄効果を更に高めること
ができる。

【００３５】また、この一実施形態の基板洗浄装置によ
れば、ＣＭＰ処理後のウエハＷを洗浄しているため、Ｃ
ＭＰ処理後のウエハＷに特に多いスクラッチ部内の異物
を良好に除去することができる。

【００３６】以上、この発明の一実施形態について説明
したが、この発明は、さらに他の形態で実施することも
できる。たとえば、上述した一実施形態においては、洗
浄液としてＨＦＥが用いられているが、ＨＦＥを含む洗
浄液なら何でもよく、たとえば、フッ酸、硫酸、塩酸、
硝酸、燐酸、酢酸、アンモニア、または過酸化水素水な
どの薬液をＨＦＥに混ぜた混合液であってもよい。ま
た、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＭＩＢＫ（メ
チルイソブチルケトン）、アセトン、およびエタノール
などの有機溶剤、または純水などをＨＦＥに混ぜた混合
液であってもよい。

【００３７】また、ＨＦＥを含む洗浄液を用いてウエハ
Ｗが洗浄される前また後において、上記薬液、有機溶
剤、および純水のうちの少なくとも１つをウエハＷに対
して供給するようにしてもよい。たとえば、ウエハＷに
対して、フッ酸、純水、およびＨＦＥを含む洗浄液を、
この順に供給してウエハＷを洗浄してもよいし、フッ
酸、ＨＦＥを含む洗浄液、およびＩＰＡを、この順に供
給してウエハＷを洗浄してもよい。

【００３８】ここで、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテ
ル）とは、エーテル類の水素原子の一部が弗素原子で置
換され、塩素原子を含まない弗素化エーテルであり、た
とえば、構造式が、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＨ_３
のものや、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ _２ＣＦ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_３の
ものなどがある。

【００３９】また、上述した一実施形態においては、超
音波洗浄機構２０の超音波ヘッド部２２ａ，２２ｂによ
って、ウエハＷに供給される前の洗浄液に超音波振動を
付与しているが、少なくともウエハＷ表面に供給された
上記洗浄液に超音波振動が付与されていればよく、上記
洗浄液がウエハＷに供給されるとほぼ同時、あるいは供
給された直後に、洗浄液に超音波振動を付与してもよ
い。たとえば、振動板や振動棒をウエハＷの表面に平行
に近接配置して、ウエハＷ表面に供給されて液膜となっ
ている洗浄液に直接、超音波振動を付与するようにして
もよい。言い換えれば、振動板や振動棒とウエハＷの表
面との間に満たされた洗浄液に超音波振動を付与するよ
うにしてもよい。

【００４０】また、上述した一実施形態においては、ウ
エハＷの洗浄処理中に、揺動駆動源２５によって、超音
波洗浄機構２０のノズル２１ａ，２１ｂを揺動させるよ
うにしているが、必ずしも揺動させる必要はなく、たと
えば、超音波洗浄機構２０のノズル２１ａ，２１ｂが、
ウエハＷの中心付近を向くような位置で固定されていて
もよい。また、上述した一実施形態において、揺動駆動
源２５によって、超音波洗浄機構２０のノズル２１ａ，
２１ｂは、アーム軸２４ａ，２４ｂを中心として所定の
角度範囲で回動（揺動）させられているが、ウエハ上面
Ｗａに沿って直線移動させられるものであってもよい。
たとえば、ボールネジ機構などを用い、ウエハ上面Ｗａ
に沿ってウエハの回転軸Ｒに対して離れる方向および近
づく方向に超音波洗浄機構２０のノズル２１ａ，２１ｂ
を往復直線移動（揺動）させてもよい。

【００４１】また、上述した一実施形態において、超音
波洗浄機構２０のノズル２１ａ，２１ｂは、ウエハＷの
両面Ｗａ，Ｗｂに対応してそれぞれ設けられているが、
ウエハＷのいずれか一方の面に対応するノズルが１つ設
けられるだけでもよい。

【００４２】また、上述した一実施形態においては、ウ
エハ上面Ｗａをスクラブ洗浄するためのブラシ洗浄機構
３０のブラシ部３１はＰＶＡからなるスポンジブラシ３
１ａを有しているが、その材質は何でもよく、たとえ
ば、ポリウレタン、ポリエチレン、またはポリプロピレ
ンからなるスポンジブラシであってもよい。あるいは、
スポンジブラシに限らず、多数のナイロン等からなる繊
維が植毛された繊維状ブラシであってもよい。

【００４３】また、上述した一実施形態において、ウエ
ハ上面Ｗａをスクラブ洗浄するためのブラシ洗浄機構３
０が設けられているが、特に設けられていなくともよ
い。

【００４４】また、上述した一実施形態において、ウエ
ハ回転機構１０は、上面に設けられた複数の保持ピン１
２ａによりウエハＷを下面Ｗｂ側から保持するスピンチ
ャック１２によって、ウエハＷを保持しつつ回転させる
ようにしていたが、ウエハＷの下面Ｗｂを吸着保持しつ
つウエハＷを回転させるスピンチャックであってもよ
い。

【００４５】あるいは、ウエハ回転機構１０は、ウエハ
Ｗの周縁部の端面に当接しつつウエハの回転軸Ｒに平行
な軸を中心に回転する少なくとも３つのローラピンのよ
うなものであってもよい。このローラピンを用いたウエ
ハ回転機構１０は、特に、ウエハＷの両面を超音波洗浄
する場合に有効であり、ウエハ両面（ＷａおよびＷｂ）
の全域を良好に超音波洗浄できる。

【００４６】また、上述した一実施形態においては、Ｃ
ＭＰ処理後のウエハＷを洗浄する場合について説明して
いるが、これに限られるものではなく、本発明は、広
く、ウエハＷを洗浄するものに対しても適用することが
できる。

【００４７】さらに、上述した一実施形態においては、
半導体ウエハＷを洗浄する場合について説明している
が、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プ
ラズマ・ディスプレイ・パネル）基板、あるいは、磁気
ディスク用のガラス基板やセラミック基板などのような
他の各種の基板の洗浄に対して広く適用することができ
る。また、その基板の形状についても、上述した一実施
形態の円形基板の他、正方形や長方形の角型基板に対し
ても、本発明を適用することができる。

【００４８】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲内で種々の設計変更を施すことが可能である。

【００４９】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項１に
係る発明の基板洗浄装置によると、ＨＦＥを含む洗浄液
が、基板表面のリセス部やスクラッチ部などの微細凹部
内に容易に侵入するとともに超音波振動エネルギーを有
しているので、これらの協働作用により、基板表面の微
細凹部内の異物を良好に除去することができ、またさら
に、基板表面に付着している異物と基板表面との間の隙
間にも超音波振動が付与されるＨＦＥを含む洗浄液が侵
入するので、基板表面に付着した異物をさらに良好に除
去することができるという効果を奏する。また、基板の
回転に伴う遠心力と、超音波振動エネルギーを有するＨ
ＦＥを含む洗浄液との協働作用により、基板表面の異物
をさらに良好に除去することができる。

【００５０】請求項２に係る発明の基板洗浄装置による
と、基板の両面から挟み込むように基板に超音波振動が
加わり、その相乗効果から基板の洗浄効果を更に高める
ことができるという効果を奏する。

【００５１】請求項３に係る発明の基板洗浄装置による
と超音波振動が付与された上記ＨＦＥを含む洗浄液との
協働作用により、基板表面の微細凹部内から除去された
異物を確実に基板外に掃き出すことができ、また、基板
表面に強力に付着している異物を剥離させて除去するこ
とができるので、基板の洗浄効果を更に高めることがで
きるという効果を奏する。

【００５２】請求項４に係る発明の基板洗浄装置による
と、ＣＭＰ処理後の基板に特に多いスクラッチ部内の異
物を良好に除去することができるという効果を奏する。

【００５３】請求項５に係る発明の基板洗浄方法による
と、請求項１に記載した発明と同様な効果を奏する基板
処理方法を提供できるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の主要
部の構成を簡略的に示す側面図である。

【符号の説明】

１０ウエハ回転機構（基板回転手段）１１スピン軸１２スピンチャック１２ａ保持ピン２０超音波洗浄機構２１ａ，２１ｂノズル（洗浄液供給手段）２２ａ，２２ｂ超音波ヘッド部（超音波付与手段）２３ａ，２３ｂ揺動アーム２４ａ，２４ｂアーム軸２５揺動駆動源３０ブラシ洗浄機構３１ブラシ部３１ａスポンジブラシ（洗浄ブラシ）３２揺動アーム３３アーム軸３４揺動駆動源３５昇降駆動源Ｋ間隙空間Ｒウエハの回転軸Ｗウエハ（基板）Ｗａウエハ上面Ｗｂウエハ下面

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ０８Ｂ 3/02 Ｂ０８Ｂ 3/02 Ｃ 3/08 3/08 Ｚ 3/12 3/12 ＤＣ１１Ｄ 7/28 Ｃ１１Ｄ 7/28

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】回転する基板に洗浄液を供給して基板を洗
浄する基板洗浄装置において、基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と、この基板回転手段によって回転されている基板に、ハイ
ドロフルオロエーテルを含む洗浄液を供給する洗浄液供
給手段と、この洗浄液供給手段によって基板に供給される上記ハイ
ドロフルオロエーテルを含む洗浄液に超音波振動を付与
する超音波付与手段と、を備えることを特徴とする基板
洗浄装置。
【請求項２】上記洗浄液供給手段は、基板の両面に上
記洗浄液を供給することを特徴とする請求項１に記載の
基板洗浄装置。
【請求項３】上記洗浄液が供給されている基板の表面
をスクラブ洗浄する洗浄ブラシをさらに備えることを特
徴とする請求項１または２に記載の基板洗浄装置。
【請求項４】上記基板はＣＭＰ処理された後の基板で
あることを特徴とする請求項１から３までのうちのいず
れかに記載の基板洗浄装置。
【請求項５】回転する基板に洗浄液を供給して基板を洗
浄する基板洗浄方法において、回転している基板に、ハイドロフルオロエーテルを含む
洗浄液を供給する洗浄液供給工程と、この洗浄液供給工程において基板に供給される上記ハイ
ドロフルオロエーテルを含む洗浄液に超音波振動を付与
する超音波付与工程と、を備えることを特徴とする基板
洗浄方法。