[go: up one dir, main page]

JP3668079B2 - プラズマプロセス装置 - Google Patents

プラズマプロセス装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3668079B2
JP3668079B2 JP33978599A JP33978599A JP3668079B2 JP 3668079 B2 JP3668079 B2 JP 3668079B2 JP 33978599 A JP33978599 A JP 33978599A JP 33978599 A JP33978599 A JP 33978599A JP 3668079 B2 JP3668079 B2 JP 3668079B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shower plate
plasma
shower
gas
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP33978599A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001049442A (ja
Inventor
昌樹 平山
忠弘 大見
達志 山本
孝光 田寺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP33978599A priority Critical patent/JP3668079B2/ja
Priority to TW089109678A priority patent/TW476811B/zh
Priority to US09/583,161 priority patent/US6286454B1/en
Priority to KR1020000029271A priority patent/KR100362869B1/ko
Publication of JP2001049442A publication Critical patent/JP2001049442A/ja
Priority to US09/925,572 priority patent/US6446573B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3668079B2 publication Critical patent/JP3668079B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマプロセス装置に関し、より特定的には、大型の角型ガラス基板に対してプラズマを用いて成膜、エッチング、アッシングなどの処理を行なうことが可能なプラズマプロセス装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置を製造するために、プラズマを用いて成膜、エッチング、アッシングなどを行なうプラズマプロセス装置が知られている。このようなプラズマプロセス装置において、上記のような処理に用いるプラズマを発生させる方法の１つとして、マイクロ波および直流磁場を用いてプラズマを励起する電子サイクロトロン共鳴プラズマ励起法が知られている。しかし、この電子サイクロトロン共鳴プラズマ励起法においては、プラズマを発生させる際の雰囲気圧力を数ｍＴｏｒｒ以下という低圧にしなければ安定したプラズマを得ることができない。また、プラズマ中の電子温度が高いために、電子サイクロトロン共鳴プラズマ励起法を用いて形成されたプラズマは上記のような成膜などのプロセスには適さないものであった。また、上記のような電子サイクロトロン共鳴プラズマ励起法では直流磁場を形成する必要があるため、プラズマプロセス装置自体が大型化していた。その結果、プラズマプロセス装置の製造コストが高くなるという問題があった。
【０００３】
一方、上記のように直流磁場を用いずに、誘電体中を伝搬するマイクロ波の表面波を利用してプラズマを励起する方法が知られている。このマイクロ波の表面波を利用するプラズマ励起方法では、プラズマを発生させる際の雰囲気圧力を数１０ｍＴｏｒｒから数Ｔｏｒｒ以上という比較的広い範囲に設定しても、安定したプラズマを得ることができる。また、プラズマ中の電子温度が相対的に低いので、上記のような成膜などのプロセスに適したプラズマを得ることができる。
【０００４】
また、基板表面から反応生成ガスが発生するようなプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）やエッチング処理などのプロセスにおいては、反応が起きている基板全面に対して均一に反応ガスを導入する必要がある。これは、成膜やエッチングなどのプロセス条件を基板全面にわたって均一にするためである。このような目的を達成するための一つの手段として、プラズマプロセス装置において反応ガスを供給するためにシャワープレートを利用する技術が知られている。ここで、シャワープレートとは、処理される基板に対向するように配置され、基板が配置された処理室内に反応ガスを導入するための反応ガス導入孔が複数形成された板状部材をいう。
【０００５】
従来、上記のようなマイクロ波の表面波を利用してプラズマを励起する方法とシャワープレートとを同時に利用するプラズマプロセス装置として、ラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマプロセス装置が知られている。図１４は、従来のラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマプロセス装置を示す断面模式図である。図１４を参照して、プラズマプロセス装置を説明する。
【０００６】
図１４を参照して、プラズマプロセス装置１５０は、処理室としての真空容器１５６とシャワープレート１５３と誘電体板１５２とラジアルラインスロットアンテナ１５１と排気ポンプ１５５とを備える。真空容器１５６の内部には基板ホルダ上に成膜処理などが行われる円形の基板１５４が設置されている。基板１５４に対向する真空容器１５６の上壁面には誘電体からなるシャワープレート１５３が設置されている。シャワープレート１５３上には空隙１６３を隔てて誘電体板１５２が設置されている。誘電体板１５２上にはラジアルラインスロットアンテナ１５１が設置されている。このシャワープレート１５３と誘電体板１５２とラジアルラインスロットアンテナ１５１との平面形状は円形である。シャワープレート１５３と誘電体板１５２との間の空隙１６３に接続するように反応ガス導入路１５７が形成されている。この反応ガス導入路１５７から空隙１６３に導入された反応ガスは、シャワープレート１５３に形成されたガス導入孔を介して真空容器１５６の内部に導入される。
【０００７】
そして、ラジアルラインスロットアンテナ１５１から誘電体板１５２、空隙１６３および誘電体からなるシャワープレート１５３を介して真空容器１５６の内部に導入されたマイクロ波により、基板１５４の全面に対してほぼ均一なプラズマ１５８がこの反応ガスから形成される。このプラズマ１５８により基板１５４表面上において成膜などの処理を行うことができる。そして、処理に寄与しなかった反応ガスおよび反応生成ガスは排気ポンプ１５５によって真空容器１５６の外部へと排出される。
【０００８】
図１５は、図１４に示したラジアルラインスロットアンテナを示す斜視断面模式図である。図１５を参照して、ラジアルラインスロットアンテナを説明する。
【０００９】
図１５を参照して、ラジアルラインスロットアンテナ１５１は、同軸導波管１６０と導電体からなるグラウンドプレート１５９と誘電体板１６１とスロット１６２（人型の微細な孔）が形成された導電体からなるスロット板１６４とを備える。グラウンドプレート１５９下には誘電体板１６１が配置されている。この誘電体板１６１の下面にはスロット板１６４が設置されている。この誘電体板１６１には同軸導波管１６０が接続されている。マイクロ波はこの同軸導波管１６０から誘電体板１６１に伝えられる。この誘電体板１６１は放射状のマイクロ波伝搬経路として作用する。そして、スロット板１６４に形成されたスロット１６２からマイクロ波がラジアルラインスロットアンテナ１５１の下面全面から放射される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような従来のラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマプロセス装置においては、上述のようにマイクロ波によるプラズマ励起とシャワープレートを用いた処理室への均一な反応ガスの供給を両立している。しかし、上記のようなラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマプロセス装置においては、以下に示すような問題があった。
【００１１】
つまり、図１４を参照して、従来のプラズマプロセス装置においては、プラズマ１５８を形成するためのマイクロ波はラジアルラインスロットアンテナ１５１から誘電体板１５２、空隙１６３およびシャワープレート１５３を介して処理室としての真空容器１５６の内部へと供給される。この際、このマイクロ波の伝送経路である空隙１６３は、真空容器１５６への反応ガスの供給路としての役割も有している。このため、この空隙１６３の内部にはプラズマを発生させるための反応ガスが存在している。この場合、ラジアルラインスロットアンテナ１５１から真空容器１５６の内部へと伝送されるマイクロ波によって空隙１６３の内部でプラズマが発生する場合があった。このように空隙１６３の内部においてプラズマが発生した場合には、シャワープレート１５３および誘電体板１５２がこのプラズマによって損傷を受けるというような問題が発生する。このような空隙１６３におけるプラズマの発生（異常プラズマの発生）を防止するために、従来は空隙１６３における反応ガスの圧力を真空容器１５６の内部における反応ガスの圧力より非常に高くしていた。これは、以下のような理由による。つまり、反応ガス中の電子はこのマイクロ波による電界によって加速される。しかし、空隙１６３の内部における反応ガスの圧力を例えば１０Ｔｏｒｒ以上と高くすることにより、電子が上記の電界により十分に加速される前に、この加速された電子を他のガス分子と衝突させることができる。この結果、電子がプラズマを励起するのに十分なエネルギーを有することを防止できるので、プラズマの発生を抑制することができる。
【００１２】
このように空隙１６３における反応ガスの圧力を高くする一方で、真空容器１５６の内部の圧力は数ｍＴｏｒｒ程度に維持する必要がある。そのため、空隙１６３での反応ガスの圧力を高く保つ一方で、真空容器１５６への反応ガスの供給量を十分に少なくする必要がある。このため、シャワープレート１５３に形成された反応ガス導入孔における反応ガスの流れやすさ（コンダクタンス）を小さくする必要がある。このように小さなコンダクタンスを実現するためには、シャワープレート１５３において、微細なガス導入孔を極めて高い加工精度（１０μｍオーダの加工精度）で形成する必要があった。一方、このシャワープレート１５３はマイクロ波を伝搬させるためにセラミックスなどの誘電体で形成する必要がある。そのような誘電体において高い寸法精度を有するガス導入孔を形成することは極めて困難である。この結果、シャワープレートの製造コストが増大するという問題があった。
【００１３】
また、上記のように空隙１６３における反応ガスの圧力を高く保つ必要があるため、反応ガスの成分比や反応ガスの流量といったプロセス条件の制御を精度よく行なうことが困難であった。この結果、ガス成分比などのプロセス条件が所定の数値範囲からずれるような場合に、プロセス条件の調整を行うことが難しく、所定の条件で成膜などのプラズマプロセスを実施すること困難になる場合があった。
【００１４】
また、図１４および１５に示したように、従来のラジアルラインスロットアンテナ１５１は円形であるため、ＴＦＴ型液晶表示装置などに用いられる角型基板に適用するためには、この角型基板の全面を覆うことが可能なように、角型基板よりも大きなシャワープレート１５３を用いる必要があった。また、この角型基板は、液晶表示装置が大型化してきていることに伴って、５００ｍｍ角から１ｍ角というように大型化してきている。しかし、上述のようにラジアルラインスロットアンテナ１５１およびシャワープレート１５３はセラミックスなどの誘電体板を用いて形成されている。そして、そのような大きなサイズのセラミックスなどからなる誘電体板を形成することは困難であることから、従来のプラズマプロセス装置では大型の角型基板に対応することが難しかった。
【００１５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、均一なプラズマを形成することが可能であり、低コストで大面積の基板に対応することが可能なプラズマプロセス装置を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
この発明に従ったプラズマプロセス装置は、処理室とマイクロ波導入手段と台座とシャワープレートと誘電体板とを備える。容器部材により形成された処理室ではプラズマを用いた処理を行なう。マイクロ波導入手段は、処理室にマイクロ波を導入する。台座は、処理室の内側において容器部材に固定され、導電体からなる。シャワープレートは台座に固定され、マイクロ波によりプラズマ状態にされる反応ガスを処理室に供給するためのガス導入孔を有する。誘電体板は、台座に埋め込まれるように配置され、マイクロ波導入手段からシャワープレートへマイクロ波を伝送する。台座とシャワープレートとの間であって、マイクロ波導入手段、誘電体板およびシャワープレートを含むマイクロ波の伝送経路以外の領域において、ガス導入孔に反応ガスを供給するガス導入間隙部を形成するように、シャワープレートは台座に固定されている。
【００１７】
ここで、マイクロ波は導電体を透過しない。このため、シャワープレートの上面上に位置するガス導入間隙部の壁面が導電体からなる台座の壁面を含んでいるので、マイクロ波導入手段から処理室へと伝送されるマイクロ波の電界振幅が大きな成分がガス導入間隙部へ導入されることを防止できる。この結果、ガス導入間隙部においてこのマイクロ波に起因して反応ガスからプラズマが形成されること（異常プラズマの発生）を防止できる。この結果、ガス導入間隙部の壁面、つまりシャワープレートの上面などがプラズマにより損傷を受けることを防止できる。
【００１８】
また、ガス導入間隙部において異常プラズマが発生することを防止できるので、ガス導入間隙部における反応ガスの圧力を従来より低く設定することができる。このため、ガス導入間隙部における反応ガスの圧力と処理室の内部における反応ガスの圧力との差を小さくすることができるので、シャワープレートのガス導入孔における反応ガスのコンダクタンスを従来より大きくすることができる。そのため、シャワープレートにおけるガス導入孔のサイズを従来よりも大きくすることができるので、ガス導入孔の加工工程において従来のような高精度の加工が不要となる。この結果、シャワープレートの製造コストを低減することができる。
【００１９】
また、ガス導入間隙部における反応ガスの圧力と処理室の内部における反応ガスの圧力との差を小さくすることができるので、反応ガスの成分などプロセス条件の調整を従来より容易に行うことができる。この結果、所定の成分のプラズマを容易に得ることができる。
【００２０】
また、シャワープレートを用いて処理室に均一に反応ガスを供給できるので、均一なプラズマを得ることができる。
【００２１】
上記プラズマプロセス装置では、シャワープレートが処理室に面する下面およびその下面と逆側に位置するとともに前記台座と対向する上面とを有していてもよく、ガス導入間隙部の壁面はシャワープレートの上面とその上面に対向する台座の壁面とを含んでいてもよい。
【００２２】
この場合、ガス導入間隙部の壁面がマイクロ波を透過させない導電体からなる台座の壁面を含んでいるため、ガス導入間隙部へとマイクロ波導入手段からマイクロ波の電界振幅の大きな成分が照射されることを確実に防止できる。この結果、ガス導入間隙部において異常プラズマが発生することをより確実に防止できる。
【００２３】
上記プラズマプロセス装置では、シャワープレートのガス導入孔はシャワープレートの上面から下面にまで貫通するように形成されていてもよく、シャワープレートの下面におけるガス導入孔の直径は、シャワープレートの上面におけるガス導入孔の直径よりも大きくてもよい。
【００２４】
この場合、ガス導入孔の断面形状を、シャワープレートの上面から下面へと広がるような形状とすることができる。このため、このガス導入孔から処理室の内部へと放出される反応ガスを、シャワープレートの下面に対して垂直方向のみではなく、このシャワープレートの下面に対して斜め方向にも放出させることができる。この結果、処理室の内部において反応ガスの分布をより均一にすることができる。この結果、より均一な条件でプラズマプロセスを行なうことが可能となる。
【００２５】
上記プラズマプロセス装置では、シャワープレートは複数のシャワープレート部分からなっていてもよい。
【００２６】
この場合、既存の製造設備などを用いて小型のシャワープレート部分を製造し、これらのシャワープレート部分を組合せることで大きな面積を有するシャワープレートを形成することができる。この結果、大面積のシャワープレートを容易に得ることができる。
【００２７】
また、このような小型のシャワープレート部分は、大型のシャワープレートを形成する場合よりも、既存の製造設備を用いて均一な材質のものを容易に得ることができる。この結果、大型のシャワープレートを一体物として形成する場合よりも、均一で優れた材質のシャワープレートを得ることができる。
【００２８】
また、このような複数のシャワープレート部分からなるシャワープレートを用いたプラズマプロセス装置においては、シャワープレートの部分の一部に損傷が発生した場合に、その損傷が発生したシャワープレート部分のみを交換することにより容易かつ迅速に設備の修理を行なうことができる。この結果、プラズマプロセス装置のメンテナンスに要する労力や時間を低減することができる。
【００２９】
上記プラズマプロセス装置は、シャワープレートが誘電体を含んでいてもよい。
【００３０】
この場合、マイクロ波は誘電体を透過するため、マイクロ波導入手段から供給されるマイクロ波をシャワープレートを介して処理室へと容易に伝送することができる。
【００３１】
上記プラズマプロセス装置では、誘電体が窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスであってもよい。
【００３２】
ここで、窒化アルミニウムが優れた熱伝導特性を有していることから、処理室の内部で形成されるプラズマによってシャワープレートが局所的に加熱されるような場合、その局所的に加えられた熱を速やかにシャワープレート全体へと伝えることができる。この結果、シャワープレートがこの局所的な加熱によって損傷を受けることを防止できる。
【００３３】
また、このようにシャワープレートとして熱伝導特性の優れた材質を用いることにより、処理室内に部分的に高温部分が発生した場合、このシャワープレートを介してこの高温部分の熱を他の領域に速やかに伝えることができる。このため、処理室内の雰囲気温度を容易に均一化することができる。
【００３４】
上記プラズマプロセス装置は、シャワープレート固定部材を備えていてもよい。シャワープレート固定部材は台座にシャワープレートを押圧することにより固定してもよい。
【００３５】
ここで、シャワープレートを台座へ固定するためにねじを用いる場合には、誘電体からなるシャワープレートにねじを挿入するためのねじ孔を形成する必要がある。このようなねじ孔加工を施すことによりシャワープレートの製造コストが増大する。しかし、本発明によるプラズマプロセス装置においては、シャワープレートを台座へ押圧することにより固定するので、シャワープレートにねじ孔を形成する必要がない。この結果、シャワープレートの製造コストを低減することができる。
【００３６】
上記プラズマプロセス装置では、シャワープレートのガス導入孔における反応ガスの流量を制御する流量制御手段を備えていてもよい。
【００３７】
この場合、処理室に供給される反応ガスの流量をこの流量制御手段によって調節することができるので、処理室におけるプラズマプロセスの条件を容易に最適化することができる。
【００３８】
上記プラズマプロセス装置では、流量制御手段がシャワープレートのガス導入孔に挿入されるプラグを含んでいてもよい。
【００３９】
この場合、シャワープレートのガス導入孔における反応ガスのコンダクタンスを、ガス導入孔の内径を一定としてプラグの径を変更することにより変更できる。つまり、予めシャワープレートのガス導入孔としては、ある一定の大きさの孔を形成する。そして、そのガス導入孔の内壁とプラグの側壁との間に、反応ガスが流れるようなガス流路となる空隙を形成するようにプラグの径を決定する。このようにすれば、シャワープレートのガス導入孔の加工を容易に行なうことができると同時に、プラグを交換することによりシャワープレートのガス導入孔における反応ガスのコンダクタンスを変更することができる。この結果、シャワープレートの加工コストを低減できると同時に、反応ガスの流量などのプロセス条件を容易に変更することができる。
【００４０】
上記プラズマプロセス装置では、シャワープレートの平面形状はほぼ四角形状であってもよい。
【００４１】
この場合、液晶表示装置などに用いられる角型のガラス基板に対するＣＶＤ法を用いた成膜やエッチングなどの処理に適したプラズマプロセス装置を得ることができる。
【００４２】
上記プラズマプロセス装置では、マイクロ波導入手段は単一モードマイクロ波導波路を含んでいてもよい。
【００４３】
この場合、マイクロ波の制御を容易に行なうことができると同時に、安定でかつ均一なマイクロ波を処理室へ伝送することが可能となる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【００４５】
（実施の形態１）
図１は本発明によるプラズマプロセス装置の実施の形態１を示す平面模式図である。図１を参照して、プラズマプロセス装置を説明する。
【００４６】
図１を参照して、プラズマプロセス装置は、マイクロ波を伝送するマイクロ波導入手段としての４つの導波管１ａ〜１ｄと、シャワープレート３ａ〜３ｄとを備える。導波管１ａ〜１ｄとシャワープレート３ａ〜３ｄとは、図２に示すように、処理室を形成する容器部材である真空容器上蓋に設置されている。ここで、図２は、図１に示した線分１００−１００における断面模式図である。
【００４７】
図２を参照して、導波管１ａ〜１ｄ下には、マイクロ波導入窓として作用する第１誘電体板２ａ〜２ｄが形成されている。この第１誘電体板２ａ〜２ｄは、シャワープレート３ａ〜３ｄを保持するためのシャワープレートホルダ５に埋込まれるように配置されている。このシャワープレートホルダ５は金属などの導電体からなる。このシャワープレートホルダ５の下面には、シャワープレート３ａ〜３ｄが配置されている。このシャワープレート３ａ〜３ｄはその上部表面が第１誘電体板２ａ〜２ｄとそれぞれ接触するように配置されている。シャワープレート３ａ〜３ｄにはガス導入孔１８（図３参照）が形成されている。このガス導入孔１８はガス導入路４ａ〜４ｄ、６ａ〜６ｄと接続されている。このシャワープレート３ａ〜３ｄ下に位置するように、基板８が固定台上に配置されている。この基板８は液晶表示装置用のガラス基板であり、その大きさは５００ｍｍ角から１ｍ角程度の大型の基板である。
【００４８】
図３を参照して、本発明によるプラズマプロセス装置のシャワープレート部分の構造をより詳細に説明する。図３は、図２に示したプラズマプロセス装置の真空容器上蓋の一部を示す拡大断面模式図である。
【００４９】
図３を参照して、導波管１ａ、１ｂが形成された真空容器上蓋に、固定ボルト９ａ、９ｂによってシャワープレートホルダ５が固定されている。このシャワープレートホルダ５に固定ボルト１０ａ、１０ｂを用いてシャワープレート３ａ、３ｂが固定されている。真空容器上蓋にはガス導入路４ａ〜４ｄ（図２参照）が形成されている。この真空容器上蓋に形成されたガス導入路４ａはシャワープレートホルダ５に形成されたガス導入路６ａを介して反応ガス供給路としてのガス導入間隙部７ａに接続されている。ガス導入間隙部７ａは、シャワープレート３ａの上面と導電体壁面としてのシャワープレートホルダ５の下面とをその壁面に含む。このガス導入間隙部７ａは、シャワープレート３ａに形成されたガス導入孔１８と接続されている。そして、ガス導入路４ａから供給された反応ガスは、ガス導入路６ａを介してガス導入間隙部７ａへと到達する。そして、このガス導入間隙部７ａからガス導入孔１８を介してプラズマが形成される処理室の内部へと反応ガスが均一に分布するように供給される。なお、図に示した他のガス導入路４ｅ、４ｆ、６ｅ、６ｆおよびガス導入間隙部７ｂ、７ｃも同様の構造を有している。
【００５０】
導波管１ａ、１ｂの下には、上述のように第１誘電体板２ａ、２ｂが設置されている。第１誘電体板２ａ、２ｂ下にはシャワープレート３ａ、３ｂが配置されている。導波管１ａ、１ｂから第１誘電体板２ａ、２ｂを介してシャワープレート３ａ、３ｂへとマイクロ波が伝送される。ここで、第１誘電体板２ａ、２ｂはマイクロ波の透過率が高く、かつ加工および入手が容易なＡｌ2Ｏ3から構成されていることが好ましい。この第１誘電体板２ａ、２ｂを介してシャワープレート３ａ、３ｂに伝送されたマイクロ波は、第１誘電体板２ａ、２ｂの下に位置する領域から処理室内部へと照射され、シャワープレート３ａ、３ｂ下面にプラズマを生成する。マイクロ波はプラズマ中深くへは伝搬できないので、過剰に投入されたマイクロ波は横方向へとシャワープレート３ａ、３ｂ中を伝搬する。結果として、シャワープレート３ａ、３ｂ下面の全面から処理室の内部へとマイクロ波が照射されることになる。そして、このように照射されたマイクロ波によって、ガス導入孔１８から処理室の内部へと放出された反応ガスが励起されることによって基板８（図２参照）の全面に対してほぼ均一なプラズマが発生する。このプラズマを用いて、基板８上において成膜あるいはエッチング、アッシングなどの処理を行なうことができる。
【００５１】
ここで、シャワープレートホルダ５を形成する金属などの導電体はマイクロ波を透過させない。そして、上述のように、ガス導入間隙部７ａはシャワープレート３ａの上面とシャワープレートホルダ５の下面とをその側壁に含んでいるので、マイクロ波導入手段としての導波管１ａから処理室へと伝送されるマイクロ波の電界振幅の大きな成分がガス導入間隙部７ａへ導入されることを防止できる。この結果、ガス導入間隙部７ａにおいてこのマイクロ波に起因して反応ガスからプラズマが形成されること（異常プラズマの発生）を防止できる。この結果、ガス導入間隙部７ａの壁面、つまりシャワープレート３ａの上面などがプラズマにより損傷を受けることを防止できる。
【００５２】
また、ガス導入間隙部７ａにおいて異常プラズマが発生することを防止できるので、ガス導入間隙部７ａにおける反応ガスの圧力を従来より低く設定することができる。この結果、ガス導入間隙部７ａにおける反応ガスの圧力と処理室の内部における反応ガスの圧力との差を小さくすることができるので、シャワープレート３ａのガス導入孔１８における反応ガスのコンダクタンスを従来より大きくすることができる。その結果、シャワープレート３ａにおけるガス導入孔１８のサイズを従来よりも大きくすることができるので、ガス導入孔１８の加工工程において従来のような高精度の加工が不要となる。このため、シャワープレート３ａの製造コストを低減することができる。
【００５３】
また、ガス導入間隙部７ａにおける反応ガスの圧力と処理室の内部における反応ガスの圧力との差を小さくすることができるので、反応ガスの成分などプロセス条件の調整を従来より容易に行うことができる。また、シャワープレートを用いて処理室内部に均一に反応ガスを供給できるので、均一なプラズマを得ることができる。
【００５４】
また、上述のようにシャワープレート部分としてのシャワープレート３ａ〜３ｄを用いて、容易に大面積のシャワープレートを形成できる。この結果、大型の基板にも容易に対応することが可能となる。
【００５５】
また、マイクロ波導入手段としての導波管１ａ〜１ｄの開口部下に位置する領域はマイクロ波の伝送経路となっているが、このガス導入間隙部７ａ〜７ｃは、シャワープレート３ａ、３ｂの上面上において、この導波管１ａ、１ｂの下部における開口部下に位置する領域以外の領域に形成されている。
【００５６】
この場合、マイクロ波の伝送経路とガス導入間隙部７ａ〜７ｃとが重ならないようにすることができる。この結果、ガス導入間隙部７ａ〜７ｃにマイクロ波の電界振幅の大きな成分が照射されることを確実に防止できるので、ガス導入間隙部７ａ〜７ｃにおいて、反応ガスにマイクロ波が照射されることに起因するプラズマの発生を防止できる。この結果、ガス導入間隙部７ａ〜７ｃの壁面などがこのプラズマによって損傷を受けることを防止できると同時に、上記のようにシャワープレート３ａ〜３ｄの製造コストを削減でき、かつ大型の基板にも容易に対応できる。
【００５７】
また、上述のように、導波管１ａ〜１ｄから第１誘電体板２ａ〜２ｄおよびシャワープレート３ａ〜３ｄという伝送経路により、マイクロ波は導波管１ａ〜１ｄ（図２参照）から処理室の内部へと伝えられる。そして、ガス導入間隙部７ａ〜７ｃはシャワープレート３ａ、３ｂ上において、この伝送経路以外の領域に形成されている。
【００５８】
このため、ガス導入間隙部７ａ〜７ｃにマイクロ波が照射されることを防止できるので、ガス導入間隙部７ａ〜７ｃの壁面などがこのプラズマによって損傷を受けることを防止できると同時に、上記のようにシャワープレート３ａ〜３ｄの製造コストを削減でき、かつ大型の基板にも容易に対応できる。
【００５９】
また、本発明によるプラズマプロセス装置では、ガス導入間隙部７ａ〜７ｃがマイクロ波導入手段としての導波管１ａ、１ｂと導電体としてのシャワープレートホルダ５により隔離されている。
【００６０】
このため、ガス導入間隙部７ａ〜７ｃに導波管１ａ、１ｂから処理室の内部へと導入されるマイクロ波の電界振幅の大きな成分が照射されることを防止できる。この結果、ガス導入間隙部７ａ〜７ｃの壁面などがこのプラズマによって損傷を受けることを防止できると同時に、上記のようにシャワープレート３ａ〜３ｄの製造コストを削減でき、かつ大型の基板にも容易に対応できる。
【００６１】
また、上記のようにシャワープレートを複数の小型のシャワープレート３ａ〜３ｄを組み合わせることにより構成するので、既存の設備を用いて小型のシャワープレート３ａ〜３ｄを形成することができる。この結果、シャワープレートの製造コストをさらに低減することができる。
【００６２】
また、大型の基板に対応した大型のシャワープレートを一体型として形成する場合には、そのシャワープレートのサイズに対応した大型の加熱炉などを用いる必要がある。しかし、このような大型の設備においては、シャワープレートの加熱温度の分布などを均一に保つことが難しい。この結果、形成されるシャワープレートの材質を均一にすることが困難であった。しかし、本発明によるシャワープレートでは、比較的小型のシャワープレート３ａ〜３ｄを用いるので、上記のような問題を回避することができる。
【００６３】
また、シャワープレート３ａ〜３ｄのように分割された小型のシャワープレートを用いるので、シャワープレート３ａ〜３ｄのいずれか一部にのみ損傷が発生したような場合に、その損傷部を有するシャワープレートのみを交換すればよい。この結果、一体型のシャワープレートを用いる場合よりもプラズマプロセス装置の保守・点検作業を容易に行なうことができる。
【００６４】
ここで、シャワープレート３ａ〜３ｄは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いて形成することが好ましい。この窒化アルミニウムは熱伝導率が高いため、シャワープレート３ａ〜３ｄが局所的に加熱されたような場合にもその局所的に加えられた熱を迅速に他の部分へと伝えることができる。そのため、シャワープレート３ａ〜３ｄがこのような局所的な熱に起因して損傷を受けることを防止できる。また、このようにシャワープレート３ａ〜３ｄとして熱伝導率の高い材料を用いることによって、処理室内の雰囲気温度を基板８の全面にわたって均一化にすることができる。この結果、プラズマプロセスの条件を基板８の全面にわたってより均一にすることができる。
【００６５】
また、図１に示すように、シャワープレート３ａ〜３ｄから形成されるシャワープレートの平面外形は四角形状となっているので、液晶表示装置などの基板である角型のガラス基板に対して、本発明によるプラズマプロセス装置を容易に適用できる。
【００６６】
また、導波管１ａ〜１ｄとして、単一モードマイクロ波導波路を用いることにより、マイクロ波の制御を容易に行なうことができ、かつ安定した均一なマイクロ波を処理室の内部へと伝送することができる。
【００６７】
また、ガス導入孔１８は、水平方向における断面形状がほぼ円形であり、シャワープレート３ａ〜３ｄの上面におけるガス導入孔１８の直径よりも、シャワープレート３ａ〜３ｄの下面におけるガス導入孔１８の直径が大きくなるように形成されている。このため、ガス導入孔１８から処理室の内部へと放出される反応ガスは、シャワープレート３ａ〜３ｄの下面にほぼ垂直な方向だけでなく、この下面に対して斜め方向にも放出される。この結果、処理室内における反応ガスの分布をより均一化することができる。これにより、たとえばこのプラズマを用いてプラズマＣＶＤ法を行なうような場合に、基板８の表面に形成されるＣＶＤ膜の膜質や膜厚を基板８の全面にわたってより均一化することができる。
【００６８】
なお、ここでシャワープレートホルダ５は一体型の金属製のものを用いたが、シャワープレートホルダ自体もシャワープレート３ａ〜３ｄに対応して４分割されていてもよい。このようにシャワープレートホルダ５自体も分割方式とすることにより、シャワープレート３ａ〜３ｄとシャワープレートホルダ５との組付け状況やガス導入間隙部７ａ〜７ｃの状態などをプラズマプロセス装置から取外した状態で（オフラインで）点検することができる。この結果、プラズマプロセス装置の保守・点検作業の時間および労力をより削減することができる。
【００６９】
（実施の形態２）
図４は、本発明によるプラズマプロセス装置のシャワープレートの実施の形態２を示す断面模式図である。図４を参照して、シャワープレートを説明する。
【００７０】
図４を参照して、シャワープレート３のガス導入孔には、流量制御手段としてのプラグである芯部材１２ａ、１２ｂが設置されている。また、シャワープレート３の上部表面上には、ガス導入間隙部７の高さを一定に保つためのスペーサ１１が設置されている。このガス導入孔に設置された芯部材１２ａの構造を、図５を参照して説明する。図５は、図４に示した芯部材の側面模式図である
図５を参照して、芯部材１２ａはロッド部１３ａとナット部１４ａとからなる。このロッド部１３ａとナット部１４ａとは分離可能になっており、ロッド部１３ａの上部が雄ねじ、ナット部１４ａが雌ねじとなるように形成されている。そして、シャワープレート３のガス導入孔にロッド部１３ａを挿入した後、シャワープレート３の上部表面からこのロッド部１３ａの上部へとナット部１４ａを嵌め込むことにより、芯部材１２ａをシャワープレート３のガス導入孔へと固定することができる。このとき、芯部材１２ａはロッド当接部１５ａ、１５ｂおよびナット当接部１６ａ、１６ｂとにおいてシャワープレート３と接している。なお、ナット当接部１６ａ、１６ｂもしくはナット当接部１６ａ、１６ｂが接するシャワープレート３の表面には、反応ガスの流路となる溝が形成されている。
【００７１】
このような芯部材１２ａ、１２ｂを用いれば、ロッド当接部１５ａ、１５ｂおよびナット当接部１６ａ、１６ｂの寸法を調整することにより、ガス導入孔における反応ガスのコンダクタンスを容易に制御することができる。
【００７２】
また、このような芯部材１２ａ、１２ｂを用いれば、ガス導入孔において目詰まりなどが発生したような場合に、この芯部材１２ａ、１２ｂを取外した後そのような目詰まりの清掃等のメンテナンスを容易に行なうことができる。この結果、シャワープレート３のメンテナンスに要する時間および労力を削減することができる。
【００７３】
また、図６に示すように、ロッド部１３ａの側面に切欠面１７ａ、１７ｂを形成してもよい。ここで、図６は、図５に示した線分２００−２００における断面模式図である。このような切欠面１７ａ、１７ｂを形成することにより、この切欠面１７ａ、１７ｂの切欠深さを変更することによって容易にガス導入孔における反応ガスのコンダクタンスを変更することができる。
【００７４】
また、シャワープレート３のガス導入孔の径は同一とし、複数の種類の芯部材１２ａ、１２ｂを用意しておけば、この芯部材１２ａ、１２ｂを交換することにより、シャワープレート３のガス導入孔における反応ガスのコンダクタンスを容易に変更することができる。この結果、ガス導入孔の直径を変更したシャワープレート３を複数用意する場合よりも、プラズマプロセス装置の製造コストを低減することができる。
【００７５】
また、必要なコンダクタンスを得るための小さな直径のガス導入孔を形成する場合よりも、このような芯部材１２ａ、１２ｂを挿入できる程度の大きなサイズのガス導入孔を形成すれば、微細な加工が不要となるため、シャワープレートの製造コストをより低減することができる。
【００７６】
（実施の形態３）
図７は、本発明によるプラズマプロセス装置の実施の形態３を示す平面模式図である。なお、図７は、本発明によるプラズマプロセス装置のシャワープレートの下方からシャワープレート３ａ〜３ｄの下面を見た場合の平面模式図を示している。図７を参照して、プラズマプロセス装置を説明する。
【００７７】
図７を参照して、プラズマプロセス装置の容器部材としての真空容器上蓋２３には、４分割されたシャワープレート３ａ〜３ｄが設置されている。シャワープレート３ａ〜３ｄには、それぞれ反応ガスを処理室の内部へと供給するためのガス導入孔１８が形成されている。シャワープレート３ａ〜３ｄの外周部には、このシャワープレート３ａ〜３ｄを台座としてのシャワープレートホルダ５（図８参照）へと固定するシャワープレート固定部材１９が配置されている。このプラズマプロセス装置の断面構造を、図８を参照して説明する。
【００７８】
図８は、図７に示した線分３００−３００における断面模式図である。図８を参照して、処理室としての真空容器２１の内部には基板８が基板ホルダ２０の上に設置されている。また、真空容器２１の底部には排気孔２２が形成されている。この排気孔２２は排気ポンプと接続され、真空容器２１の内部から反応生成ガスやプラズマプロセスに寄与しなかった反応ガスを排気する。
【００７９】
ただし、図７および８に示したプラズマプロセス装置では、シャワープレート３ａ〜３ｄがシャワープレートホルダ５へとシャワープレート固定部材１９を用いて固定されている。このシャワープレート固定部材１９はシャワープレート３ａ〜３ｄの外周部において、シャワープレート３ａ〜３ｄの下面へと延在する支持部分を有する。この支持部分によってシャワープレート３ａ〜３ｄは支えられている。そして、このシャワープレート固定部材１９はシャワープレートホルダ５へとねじなどを用いて固定される。このシャワープレート固定部材１９がシャワープレート３ａ〜３ｄの外周部を支持部分によりシャワープレートホルダ５へと押圧することにより、シャワープレート３ａ〜３ｄがシャワープレートホルダ５へと固定されている。その他の構造は図１〜３に示した本発明の実施の形態１によるプラズマプロセス装置と同様である。
【００８０】
このようにすれば、シャワープレート３ａ〜３ｄにねじ用の溝を形成するというような加工工程を行なう必要がない。この結果、シャワープレート３ａ〜３ｄの製造コストをより低減することができる。
【００８１】
また、図８に示したプラズマプロセス装置では、シャワープレート３ａ〜３ｄのガス導入孔１８が第１誘電体板２ａ、２ｂの下以外の領域に形成されている。この結果、ガス導入間隙部７ａ〜７ｃを確実にプラズマの伝送経路以外の領域に形成することができるので、ガス導入間隙部７ａ〜７ｃにおける異常プラズマの発生を確実に防止できる。
【００８２】
図９は、図７に示した線分４００−４００における断面模式図である。図９を参照して、導波管１ａの延びる方向に延在するように第１誘電体板２ａが形成されていることがわかる。また、シャワープレート３ｃがシャワープレート３ａ、３ｂと同様にシャワープレート固定部材１９を用いてシャワープレートホルダ５へと固定されていることがわかる。
【００８３】
図１０は、図７に示した本発明によるプラズマプロセス装置を真空容器上蓋２３の上方から見た上部平面模式図である。また、図１１は図１０に示した線分５００−５００における断面模式図である。図１０および１１を参照して、導波管１ａ、１ｂへは導波管２４からマイクロ波が供給される。すなわち、図１０の導波管２４へ紙面上方から導入されたマイクロ波は、図１０に示すように導波管１ａ、１ｂに向かって左右に分岐し、さらに導波管１ａ、１ｂのそれぞれの中央部からその端部へ向かって供給される。
【００８４】
（実施の形態４）
図１２は、本発明によるプラズマプロセス装置の実施の形態４を示す平面模式図である。なお、図１２は、図７と同様にプラズマプロセス装置のシャワープレートの下面から真空容器上蓋を見た場合の平面模式図を示している。
【００８５】
図１２を参照して、プラズマプロセス装置は、基本的には図７に示したプラズマプロセス装置と同様の構造を備える。ただし、図１２に示したプラズマプロセス装置では、シャワープレートとして２分割されたシャワープレート３ａ、３ｂを用いている。このような場合にも、本発明によるプラズマプロセス装置の実施の形態３と同様の効果を得ることができる。
【００８６】
（実施の形態５）
図１３は、本発明によるプラズマプロセス装置の実施の形態５を示す平面模式図である。なお、図１３は、図１２と同様にプラズマプロセス装置のシャワープレートの下面から真空容器上蓋を見た場合の平面模式図を示している。
【００８７】
図１３を参照して、プラズマプロセス装置は、基本的には図７に示したプラズマプロセス装置と同様の構造を備える。ただし、図１３に示したプラズマプロセス装置では、シャワープレートとして一体型のシャワープレート３ａを用いている。この場合、分割型のシャワープレートを用いる場合よりも、シャワープレート固定部材１９の数を少なくすることができる。この結果、シャワープレート３ａをシャワープレートホルダ５へと設置する工程を簡略化することができる。
【００８８】
なお、シャワープレート３ａから導波管１ａ、１ｂ側までの真空容器上蓋２３の構造は基本的には図７に示したプラズマプロセス装置と同様である。これにより、実施の形態１と同様にシャワープレート３ａ上に位置するガス導入間隙部において、異常プラズマの発生を防止できる。このため、実施の形態１と同様にガス導入間隙部における反応ガスの圧力と処理室の内部における反応ガスの圧力との差を小さくすることができるので、シャワープレート３ａにおけるガス導入孔１８のサイズを従来よりも大きくすることができる。そのため、ガス導入孔１８の加工工程において従来のような高精度の加工が不要となる。この結果、シャワープレート３ａの製造コストを低減することができる。また、実施の形態１と同様に反応ガスの成分などプロセス条件の調整を従来より容易に行うことができる。
【００８９】
なお、本発明によるプラズマプロセス装置では、上記の実施の形態１〜５に示すような基板８を水平に設置する構成に代えて、基板８を立てて配置する構成としてもよい。
【００９０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００９１】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、ガス導入間隙部における異常プラズマの発生を抑制することができるので、均一なプラズマを形成することが可能であり、低コストで大面積の基板に対応することが可能なプラズマプロセス装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明によるプラズマプロセス装置の実施の形態１を示す平面模式図である。
【図２】 図１に示した線分１００−１００における断面模式図である。
【図３】 図２に示したプラズマプロセス装置の真空容器上蓋の一部を示す拡大断面模式図である。
【図４】 本発明によるプラズマプロセス装置のシャワープレートの実施の形態２を示す断面模式図である。
【図５】 図４に示した芯部材の側面模式図である。
【図６】 図５に示した線分２００−２００における断面模式図である。
【図７】 本発明によるプラズマプロセス装置の実施の形態３を示す平面模式図である。
【図８】 図７に示した線分３００−３００における断面模式図である。
【図９】 図７に示した線分４００−４００における断面模式図である。
【図１０】 図７に示した本発明によるプラズマプロセス装置を真空容器上蓋の上方から見た上部平面模式図である。
【図１１】 図１０に示した線分５００−５００における断面模式図である。
【図１２】 本発明によるプラズマプロセス装置の実施の形態４を示す平面模式図である。
【図１３】 本発明によるプラズマプロセス装置の実施の形態５を示す平面模式図である。
【図１４】 従来のプラズマプロセス装置を示す断面模式図である。
【図１５】 図１４に示したラジアルラインスロットアンテナを示す斜視断面模式図である。
【符号の説明】
１ａ〜１ｄ 導波管、２ａ〜２ｄ 第１誘電体板、３，３ａ〜３ｄ シャワープレート、４ａ〜４ｆ，６ａ〜６ｆ ガス導入路、５ シャワープレートホルダ、７，７ａ〜７ｃ ガス導入間隙部、８ 基板、９ａ，９ｂ，１０ａ，１０ｂ 固定ボルト、１１ スペーサ、１２ａ，１２ｂ 芯部材、１３ａ ロッド部、１４ａ ナット部、１５ａ，１５ｂ ロッド当接部、１６ａ，１６ｂ ナット当接部、１７ａ，１７ｂ 切欠面、１８ ガス導入孔、１９ シャワープレート固定部材、２０ 基板ホルダ、２１ 真空容器、２２ 排気孔、２３ 真空容器上蓋、２４ 導波管。

Claims (10)

  1. 容器部材により形成され、プラズマを用いた処理を行なう処理室と、
    前記処理室にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、
    前記処理室の内側において前記容器部材に固定された導電体からなる台座と、
    前記台座に固定され、前記マイクロ波によりプラズマ状態にされる反応ガスを前記処理室に供給するためのガス導入孔を有するシャワープレートと、
    前記台座に埋め込まれるように配置され、前記マイクロ波導入手段から前記シャワープレートへマイクロ波を伝送する誘電体板とを備え、
    前記台座と前記シャワープレートとの間であって、前記マイクロ波導入手段、前記誘電体板および前記シャワープレートを含むマイクロ波の伝送経路以外の領域において、前記ガス導入孔に前記反応ガスを供給するガス導入間隙部を形成するように、前記シャワープレートは前記台座に固定されている、プラズマプロセス装置。
  2. 前記シャワープレートは、前記処理室に面する下面およびその下面と逆側に位置するとともに前記台座と対向する上面とを有し、
    前記ガス導入間隙部の壁面は前記シャワープレートの上面とその上面に対向するように配置された前記台座の壁面とを含む、請求項１に記載のプラズマプロセス装置。
  3. 前記シャワープレートのガス導入孔は、前記シャワープレートの前記上面から前記下面まで貫通するように形成され、
    前記シャワープレートの前記下面における前記ガス導入孔の直径は、前記シャワープレートの前記上面における前記ガス導入孔の直径よりも大きい、請求項２に記載のプラズマプロセス装置。
  4. 前記シャワープレートは複数のシャワープレート部分からなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマプロセス装置。
  5. 前記シャワープレートは誘電体を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマプロセス装置。
  6. 前記誘電体は窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスである、請求項５に記載のプラズマプロセス装置。
  7. 前記台座に前記シャワープレートを押圧することにより固定するシャワープレート固定部材を備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載のプラズマプロセス装置。
  8. 前記シャワープレートのガス導入孔における反応ガスの流量を制御する流量制御手段を備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載のプラズマプロセス装置。
  9. 前記流量制御手段は前記シャワープレートのガス導入孔に挿入されるプラグを含む、請求項８に記載のプラズマプロセス装置。
  10. 前記マイクロ波導入手段は単一モードマイクロ波導波路を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のプラズマプロセス装置。
JP33978599A 1999-05-31 1999-11-30 プラズマプロセス装置 Expired - Fee Related JP3668079B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33978599A JP3668079B2 (ja) 1999-05-31 1999-11-30 プラズマプロセス装置
TW089109678A TW476811B (en) 1999-05-31 2000-05-19 Plasma process device
US09/583,161 US6286454B1 (en) 1999-05-31 2000-05-30 Plasma process device
KR1020000029271A KR100362869B1 (ko) 1999-05-31 2000-05-30 플라즈마프로세스장치
US09/925,572 US6446573B2 (en) 1999-05-31 2001-08-09 Plasma process device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15179999 1999-05-31
JP11-151799 1999-05-31
JP33978599A JP3668079B2 (ja) 1999-05-31 1999-11-30 プラズマプロセス装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001049442A JP2001049442A (ja) 2001-02-20
JP3668079B2 true JP3668079B2 (ja) 2005-07-06

Family

ID=26480924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33978599A Expired - Fee Related JP3668079B2 (ja) 1999-05-31 1999-11-30 プラズマプロセス装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6286454B1 (ja)
JP (1) JP3668079B2 (ja)
KR (1) KR100362869B1 (ja)
TW (1) TW476811B (ja)

Families Citing this family (447)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3384795B2 (ja) * 1999-05-26 2003-03-10 忠弘 大見 プラズマプロセス装置
JP3668079B2 (ja) * 1999-05-31 2005-07-06 忠弘 大見 プラズマプロセス装置
JP3645768B2 (ja) * 1999-12-07 2005-05-11 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
WO2001075188A2 (en) * 2000-03-30 2001-10-11 Tokyo Electron Limited Method of and apparatus for gas injection
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
JP5138131B2 (ja) * 2001-03-28 2013-02-06 忠弘 大見 マイクロ波プラズマプロセス装置及びプラズマプロセス制御方法
KR100501778B1 (ko) * 2001-03-28 2005-07-20 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치
JP5079949B2 (ja) * 2001-04-06 2012-11-21 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
JP4782316B2 (ja) * 2001-06-29 2011-09-28 東京エレクトロン株式会社 処理方法及びプラズマ装置
WO2003003414A2 (en) * 2001-06-29 2003-01-09 Tokyo Electron Limited Directed gas injection apparatus for semiconductor processing
JP2003045699A (ja) * 2001-08-01 2003-02-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP3689354B2 (ja) 2001-08-06 2005-08-31 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
JP4666912B2 (ja) * 2001-08-06 2011-04-06 エー・エス・エムジニテックコリア株式会社 プラズマで補強した原子層蒸着装置及びこれを利用した薄膜形成方法
US6820570B2 (en) * 2001-08-15 2004-11-23 Nobel Biocare Services Ag Atomic layer deposition reactor
KR100760291B1 (ko) * 2001-11-08 2007-09-19 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 박막 형성 방법
NO20015735D0 (no) * 2001-11-23 2001-11-23 Thin Film Electronics Asa Barrierelag
JP2003197615A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法
JP4020679B2 (ja) * 2002-04-09 2007-12-12 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
US6845734B2 (en) * 2002-04-11 2005-01-25 Micron Technology, Inc. Deposition apparatuses configured for utilizing phased microwave radiation
JP4338355B2 (ja) * 2002-05-10 2009-10-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TW200415726A (en) * 2002-12-05 2004-08-16 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Plasma processing apparatus and plasma processing method
US20040142558A1 (en) * 2002-12-05 2004-07-22 Granneman Ernst H. A. Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
US7601223B2 (en) * 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US20050000446A1 (en) * 2003-07-04 2005-01-06 Yukihiko Nakata Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP4273932B2 (ja) * 2003-11-07 2009-06-03 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマｃｖｄ装置
US8136479B2 (en) 2004-03-19 2012-03-20 Sharp Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
US20050220568A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Method and system for fastening components used in plasma processing
US20050223986A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-13 Choi Soo Y Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US7449220B2 (en) * 2004-04-30 2008-11-11 Oc Oerlikon Blazers Ag Method for manufacturing a plate-shaped workpiece
JP2006128000A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd プラズマ処理装置
KR20060076714A (ko) * 2004-12-28 2006-07-04 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 원자층 증착기
JP5013393B2 (ja) * 2005-03-30 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置と方法
WO2006106764A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 伝送線路
JP4858801B2 (ja) * 2005-04-27 2012-01-18 株式会社エスイー マイクロ波表面波酸素プラズマを利用した薄膜形成装置
TW200640301A (en) * 2005-05-12 2006-11-16 Shimadzu Corp Surface wave plasma processing apparatus
US7396415B2 (en) * 2005-06-02 2008-07-08 Asm America, Inc. Apparatus and methods for isolating chemical vapor reactions at a substrate surface
JP5213150B2 (ja) * 2005-08-12 2013-06-19 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた製品の製造方法
US7432513B2 (en) * 2005-10-21 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Gas shower, lithographic apparatus and use of a gas shower
US20070264427A1 (en) * 2005-12-21 2007-11-15 Asm Japan K.K. Thin film formation by atomic layer growth and chemical vapor deposition
JP2007191792A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Atto Co Ltd ガス分離型シャワーヘッド
US20080254220A1 (en) * 2006-01-20 2008-10-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP4873405B2 (ja) * 2006-03-24 2012-02-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置と方法
JP2007273637A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ処理装置，マイクロ波プラズマ処理装置の製造方法およびプラズマ処理方法
JP5069427B2 (ja) * 2006-06-13 2012-11-07 北陸成型工業株式会社 シャワープレート、並びにそれを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
JP4850592B2 (ja) * 2006-06-14 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5463536B2 (ja) * 2006-07-20 2014-04-09 北陸成型工業株式会社 シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法
KR20090018290A (ko) * 2007-08-17 2009-02-20 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 증착 장치
US20090133631A1 (en) * 2007-11-23 2009-05-28 Applied Materials Inc. Coating device and method of producing an electrode assembly
US8876024B2 (en) * 2008-01-10 2014-11-04 Applied Materials, Inc. Heated showerhead assembly
US8383525B2 (en) 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
FR2930561B1 (fr) * 2008-04-28 2011-01-14 Altatech Semiconductor Dispositif et procede de traitement chimique en phase vapeur.
JP5213530B2 (ja) * 2008-06-11 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5520455B2 (ja) * 2008-06-11 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2010048165A2 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials Inc. Multiple gas feed apparatus and method
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9449859B2 (en) * 2009-10-09 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Multi-gas centrally cooled showerhead design
KR101074810B1 (ko) * 2009-12-23 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 캐리어 가스 공급 구조가 개선된 증착 장치 및 그것을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치 제조방법
US20110256692A1 (en) * 2010-04-14 2011-10-20 Applied Materials, Inc. Multiple precursor concentric delivery showerhead
US8845806B2 (en) * 2010-10-22 2014-09-30 Asm Japan K.K. Shower plate having different aperture dimensions and/or distributions
US9543123B2 (en) 2011-03-31 2017-01-10 Tokyo Electronics Limited Plasma processing apparatus and plasma generation antenna
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6144902B2 (ja) * 2012-12-10 2017-06-07 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9328420B2 (en) * 2013-03-14 2016-05-03 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Gas distribution plate for chemical vapor deposition systems and methods of using same
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
JP6356415B2 (ja) 2013-12-16 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
JP5837962B1 (ja) * 2014-07-08 2015-12-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
DE102015101461A1 (de) * 2015-02-02 2016-08-04 Aixtron Se Vorrichtung zum Beschichten eines großflächigen Substrats
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10756440B2 (en) * 2016-08-26 2020-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Scanning antenna and method of manufacturing scanning antenna
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
JP7008497B2 (ja) * 2017-12-22 2022-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および温度制御方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR102576220B1 (ko) * 2018-06-22 2023-09-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 처리 장치 및 박막 처리 방법
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7301727B2 (ja) * 2019-12-05 2023-07-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
CN113284789A (zh) 2020-02-03 2021-08-20 Asm Ip私人控股有限公司 形成包括钒或铟层的结构的方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
JP2021181612A (ja) 2020-04-29 2021-11-25 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 固体ソースプリカーサ容器
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
CN113667953A (zh) 2020-05-13 2021-11-19 Asm Ip私人控股有限公司 用于反应器系统的激光器对准夹具
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210148914A (ko) 2020-05-29 2021-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
CN113871296A (zh) 2020-06-30 2021-12-31 Asm Ip私人控股有限公司 衬底处理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011093A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 몰리브덴층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202218049A (zh) 2020-09-25 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
JP7572846B2 (ja) 2020-11-25 2024-10-24 株式会社アルバック プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US20220223384A1 (en) * 2021-01-14 2022-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for manufacturing a semiconductor device
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
CN118086875B (zh) * 2024-04-26 2024-08-13 上海谙邦半导体设备有限公司 进气装置及半导体处理设备

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0754759B2 (ja) * 1987-04-27 1995-06-07 日本電信電話株式会社 プラズマ処理方法および装置並びにプラズマ処理装置用モード変換器
US5122431A (en) * 1988-09-14 1992-06-16 Fujitsu Limited Thin film formation apparatus
JP3074852B2 (ja) 1991-09-27 2000-08-07 日新電機株式会社 薄膜形成装置
US5487875A (en) * 1991-11-05 1996-01-30 Canon Kabushiki Kaisha Microwave introducing device provided with an endless circular waveguide and plasma treating apparatus provided with said device
JPH065549A (ja) 1992-06-19 1994-01-14 Kobe Steel Ltd Ｅｃｒプラズマイオン発生装置
JPH0649647A (ja) 1992-07-29 1994-02-22 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0649657A (ja) 1992-07-31 1994-02-22 I N R Kenkyusho:Kk 放電被覆材電極
JP3132599B2 (ja) 1992-08-05 2001-02-05 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ処理装置
JP3085021B2 (ja) 1993-05-21 2000-09-04 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ処理装置
JPH07130494A (ja) 1993-11-01 1995-05-19 Canon Inc マイクロ波プラズマ処理装置
JP2933508B2 (ja) 1995-05-25 1999-08-16 忠弘 大見 プラズマ処理装置
JP3041844B2 (ja) 1995-08-11 2000-05-15 住友電気工業株式会社 成膜又はエッチング装置
JP2996162B2 (ja) 1995-12-25 1999-12-27 松下電器産業株式会社 プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法
JP3310171B2 (ja) 1996-07-17 2002-07-29 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
JP4124383B2 (ja) 1998-04-09 2008-07-23 財団法人国際科学振興財団 マイクロ波励起プラズマ装置用のシャワープレート及びマイクロ波励起プラズマ装置
JP3668079B2 (ja) * 1999-05-31 2005-07-06 忠弘 大見 プラズマプロセス装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6446573B2 (en) 2002-09-10
US20010052322A1 (en) 2001-12-20
KR20000077485A (ko) 2000-12-26
JP2001049442A (ja) 2001-02-20
US6286454B1 (en) 2001-09-11
KR100362869B1 (ko) 2002-12-11
TW476811B (en) 2002-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3668079B2 (ja) プラズマプロセス装置
CN101647101B (zh) 等离子加工设备
JP3645768B2 (ja) プラズマプロセス装置
KR100329815B1 (ko) 방위각및축상으로균등한전계를활용한플라즈마장치및활용방법
JP3501715B2 (ja) プラズマプロセス装置
JP4020679B2 (ja) プラズマプロセス装置
US20040168769A1 (en) Plasma processing equipment and plasma processing method
JP2005235755A (ja) マイクロウェーブ供給装置、それを用いたプラズマ工程装置及びプラズマ工程方法
US7478609B2 (en) Plasma process apparatus and its processor
CN100593361C (zh) 等离子体处理装置和方法
KR100391742B1 (ko) 플라즈마 프로세서
JP2010219003A (ja) マイクロ波ラインプラズマ発生装置
JP5143662B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4632515B2 (ja) プラズマプロセス装置
JPH02141576A (ja) プラズマプロセス装置
JPH08274065A (ja) プラズマ装置
JP2972507B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH05326453A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2718328B2 (ja) マイクロ波プラズマプロセス装置
JPH04141594A (ja) プラズマ処理装置及び該装置を用いたプラズマ処理方法
JPS63214346A (ja) プラズマプロセス装置
EP0771017A1 (en) Plasma processing apparatus
JPH0286129A (ja) プラズマ装置
JPH07230897A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH07142194A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041221

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050218

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050315

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050407

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090415

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090415

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100415

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100415

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110415

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110415

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120415

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130415

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130415

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees