JP3620926B2 - ｐ伝導形３族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子 - Google Patents
ｐ伝導形３族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3620926B2 JP3620926B2 JP16088696A JP16088696A JP3620926B2 JP 3620926 B2 JP3620926 B2 JP 3620926B2 JP 16088696 A JP16088696 A JP 16088696A JP 16088696 A JP16088696 A JP 16088696A JP 3620926 B2 JP3620926 B2 JP 3620926B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- iii nitride
- group iii
- electrode
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 56
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 92
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 92
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 48
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 36
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 17
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 116
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
- H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ｐ伝導形３族窒化物半導体に対する電極、その電極を有した３族窒化物半導体素子、及びその電極形成方法に関する。特に、ｐ伝導形３族窒化物半導体に対する電極の接合強度とオーミック性と接触抵抗を改善したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ｐ伝導形GaN（p-GaN)の電極として、金(Au)をGaN層表面に蒸着したものが知られている。しかし、この金(Au)をGaN層表面に直接蒸着する場合には、接合性が悪く、GaN層に対して合金化処理すると、金電極が剥離するという問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、金(Au)とGaN層表面との間にニッケル(Ni)を介在させて、金(Au)のGaN層に対する密着性を向上させることが行われている。しかし、この場合においても、オーミック性が良くなく又電極の接触抵抗も大きいという問題がある。
従って本発明の目的は、ｐ伝導形３族窒化物半導体に対する電極において、よりオーミック性を改善し、接触抵抗を小さくすることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため本発明は、ｐ伝導形３族窒化物から成る半導体の表面上に接して順次積層して形成された第１金属層と第２金属層とを少なくとも有し、第１金属層の構成元素は第２金属層の構成元素よりもイオン化ポテンシャルが低い元素とし、第２金属層の構成元素は半導体に対するオーミック性が第１金属層の構成元素よりも良好な元素とした。そして、積層後の熱処理により、半導体の表面から深さ方向の元素分布が、第２金属層の構成元素の方が第１金属層の構成元素よりもより深く浸透した分布となるように構成されている。
【０００５】
本発明は、上記のように、電極の元素分布が金属層の形成時の分布に対して反転していることを特徴としている。即ち、電極の形成後には、上側に形成した第２金属層の構成元素の方が下側になり、下側に形成した第１金属層の構成元素の方が上側に存在することが特徴である。
【０００６】
望ましくは、第１金属層の構成元素は、Ni，Fe，Cu，Cr，Ta，V，Mn，Al，Agのうち少なくとも一種の元素、第２金属層の構成元素は、Pd，Au，Ir，Ptのうち少なくとも一種の元素で構成できる。さらに、望ましくは、第１金属層の構成元素は、Niであり、第２金属層の構成元素はAuである。この場合には、熱処理により、本発明の電極は、半導体の表面から深さ方向の元素分布は、NiよりもAuが深く浸透した分布となっている。上記の熱処理の望ましい温度は、400℃〜700℃である。
【０００７】
又、本発明の他の特徴は、Niと共に酸素(O)が分布することを特徴とする。
【０００８】
本発明の他の特徴は、ｐ伝導形３族窒化物から成る半導体の電極形成方法である。即ち、第１金属層の構成元素は第２金属層の構成元素よりもイオン化ポテンシャルが低い元素とし、第２金属層の構成元素は前記半導体に対するオーミック性が第１金属層の構成元素よりも良好な元素とする。そして、先ず、半導体の表面上に接して、順次、第１金属層と第２金属層とを積層させる。次に、第１金属層の元素が表面近くに移動し、その反作用として第２金属層の元素が３族窒化物半導体と合金化され半導体内に浸透することで、半導体の表面から深さ方向の元素分布において、第２金属層の構成元素の方を第１金属層の構成元素よりもより深く浸透した分布とする熱処理を施す。本発明は、このような方法によりｐ伝導形３族窒化物半導体に対する電極を形成することを特徴とする。
【０００９】
【作用及び発明の効果】
第１金属層の構成元素が第２金属層の構成元素よりもイオン化ポテンシャルが低い元素であるため、ｐ伝導形３族窒化物半導体に対する接合度が高い。さらに、ｐ伝導形３族窒化物半導体に対してオーミック性の良い金属は仕事関数が大きい元素である。この仕事関数が大きい元素はイオン化ポテンシャルが高い。このような元素で構成される第２金属層が第１金属層の上に形成される。次に、熱処理により、下層にある第１金属層の元素が表面に出てくる。即ち、第２金属層の構成元素がｐ伝導形３族窒化物半導体により深く浸透し、第２金属層の元素と３族窒化物半導体とが合金化し、下層の第１金属層の構成元素の方が第２金属層の構成元素よりもより多く表面近くに分布する。このような構成元素の反転分布により、金属電極の接合性とオーミック性とを著しく向上させることができた。
【００１０】
本発明者らは、金属層の積層時と熱処理後とで、構成元素の分布が反転する理由を検討した。その結果、下層によりイオン化ポテンシャルの低い元素の金属層を形成し、その上にオーミック性が良好な元素を積層し、低真空度で所定温度範囲で熱処理をすれば良いという結論に至った。オーミック性の良好な第２金属層の構成元素が第１金属層の構成元素よりもｐ伝導形３族窒化物半導体により深く浸透する結果、オーミック性が極めて改善された。さらに、第１金属層はイオン化ポテンシャルが低い金属で構成しているので、ｐ伝導形３族窒化物半導体との接合性が強く、オーミック性の良い金属電極を強固に形成することができた。
【００１１】
例えば、第１金属層にニッケル(Ni)、第２金属層に金(Au)を用いた場合には、ｐ伝導形３族窒化物半導体の表面から深さ方向における元素分布が、ニッケル(Ni)よりも金(Au)が深く浸透した分布であるため、オーミック性が良好になり、ニッケル(Ni)による３族窒化物半導体に対する接合強度により、電極層が強固に形成される。
【００１２】
このような電極を有する３族窒化物半導体素子は、印加電圧の低下、信頼性の向上、接触抵抗の低下等、素子特性が優れたものとなる。発光ダイオード、レーザダイオードでは、発光効率が向上する。
【００１３】
【実施例】
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
図１はサファイア基板１の上に形成された３族窒化物半導体で形成された発光素子100の模式的な構成断面図である。サファイア基板１の上にAlNバッファ層２が設けられ、その上にSiドープｎ形GaN層３（ｎ+層）が形成されている。このｎ+層３の上に0.5μｍのアンドープのｎ伝導形のAl0.1Ga0.9N層４（ｎ層）が形成され、ｎ層４の上にマグネシウムドープの厚さ0.4μｍのGaN層５（活性層）が形成され、その活性層５の上にマグネシウムドープのｐ伝導形のAl0.1Ga0.9N層６（ｐ層）が形成されている。そのｐ層６の上に、高濃度マグネシウムドープのｐ伝導形のGaN層７（ｐ+層）が形成されている。ｐ+層７の上には金属蒸着による電極８Ａが、ｎ+層３の上に電極８Ｂが形成されている。電極８Ａは、ｐ+層７に接合するニッケルと、ニッケルに接合する金とで構成されている。電極８Ｂはアルミニウムで構成されている。
【００１４】
次に、この発光素子100の電極８Ａの製造方法について説明する。
ＭＯＣＶＤ法により、バッファ層２からｐ+層７までを形成する。そして、ｐ+層７の上にTiを2000Åの厚さに形成し、そのTi層の上にNiを9000Åの厚さに形成した。そして、そのNi層の上にフォトレジストを一様に塗布して、フォトリソグラフィにより電極８Ｂを形成する部分のフォトレジストを除去した。その後、残ったフォトレジストをマスクとして、フォトレジストで覆われていないTi層とNi層とを酸性エッチング液にてエッチングした。その後、残ったTi層とNi層とをマスクとして、Ti層とNi層とにより覆われていない部分のｐ+層７、ｐ層６、活性層５、ｎ層４を塩素を含むガスによる反応性イオンエッチングによりエッチングして、ｎ+層３の表面を露出させた。その後、Ti層とNi層とを酸性エッチング液にて除去した。次に、以下の手順で電極８Ａを形成した。
【００１５】
(1)表面上にフォトレジスト９を一様に塗布して、フォトリソグラフィにより、ｐ+層７の上の電極形成部分のフォトレジスト９を除去して、窓部９Ａを形成する。
(2)蒸着装置にて、露出させたｐ+層７の上に、10-7Torr程度の高真空にてニッケル(Ni)を10〜200Å成膜させて、図２(a)に示すように、第１金属層８１を形成する。
(3)続いて、第１金属層８１の上に金(Au)を20〜500Å成膜させて、図２(a)に示すように、第２金属層８２を形成する。
(4)次に、試料を蒸着装置から取り出し、リフトオフ法により、フォトレジスト９上に堆積したNiとAuとを除去して、ｐ+層７に対する電極８Ａを整形する。
(5)電極８Ａ上の一部に電極パッドを形成する場合には、フォトレジストを一様に塗布して、その電極パッドの形成部分のフォトレジストに窓を開ける。次に、金(Au)またはアルミ(Al)を含む合金を1.2μｍ程度、蒸着により成膜させる。(4)の工程と同様に、リフトオフ法により、フォトレジスト上に堆積したAu又はAlとを除去して、電極パッドを整形する。
(6)その後、試料雰囲気を１mTorr以下にまで排気し、その後大気圧までN2で封入して、その状態で雰囲気温度を400℃以上700℃以下にして、数秒〜10分程度、加熱させる。
但し、この加熱処理は以下の条件で行うことが可能である。雰囲気ガスはN2，H2，He，O2，Ne，Ar，Krのうちの１種以上を含むガスが利用可能であり、圧力は１mTorrから大気圧を越える圧力の範囲で任意である。さらに、雰囲気ガスにおけるN2，H2，He，O2，Ne，Ar，又はkrガスの分圧は0.01〜100％であり、この雰囲気ガスで封入した状態又はこの雰囲気ガスを還流させた状態で加熱しても良い。
【００１６】
ニッケル(Ni)、金(Au)の積層後に上記の加熱処理をした結果、ニッケル(Ni)の第１金属層８１の上の第２金属層８２の金(Au)が、第１金属層８１を通してｐ+層７の中に拡散され、ｐ+層７のGaNと合金状態を形成する。図２(b)に熱処理後の様子を模式的に示す（パッド電極は図示されていない。)。即ち、熱処理前後において、AuとNiの深さ方向の分布が反転する。
【００１７】
熱処理が実施された後のｐ+層７の表面付近の元素分布をオージェ電子分光分析(AES)で調べた。その結果を図３に示す。ｐ+層７の表面付近（表面から約3nmまで）はニッケルの濃度が金濃度よりも高い。表面から約3nm以上に深いところのｐ+層７では金がニッケルよりも高濃度に分布しているのが分かる。よって、金はニッケルの第１金属層８１を通過して、ｐ+層７の深層部にまで達して、そこで、合金が形成されているのが分かる。
【００１８】
上記のような反転分布が生じる理由として、第１金属層の金属を第２金属層の金属に比べてイオン化ポテンシャルが低い元素とすることで、熱処理中に、第１金属層の元素が表面近くに移動し、その反作用として第２金属層の元素が３族窒化物半導体と合金化され半導体内に浸透すると考えられる。この結果、オーミック性の良い第２金属層の元素と３族窒化物半導体とが合金化される結果、この電極のオーミック性は良好となる。又、第１金属層の元素は第２金属層の元素よりも反応性が高く３族窒化物半導体と強固に接合する結果、この電極の接着強度が向上する。
【００１９】
上記の考察から、ｐ伝導形３族窒化物半導体に対してオーミック性が良好な金属元素は仕事関数が大きな元素であるので、第２金属層の構成元素として、例えば、パラジウム(Pd)，金(Au)，イリジウム(Ir)，白金(Pt)の少なくとも１種の元素が用いられる。又、イオン化ポテンシャルが低い第１金属層の構成元素は、ニッケル(Ni)，鉄(Fe)，銅(Cu)，クロム(Cr)，タンタル(Ta)，バナジウム(V)，マンガン(Mn)，アルミニウム(Al)，銀(Ag)のうち少なくとも一種の元素を用いることができる。又、第１金属層に水素吸蔵機能のある金属を用いることで、下層の３族窒化物半導体から水素を吸収し、その結晶性を良好にすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の具体的な実施例にかかる発光素子の構造を示した断面図。
【図２】ｐ+層の表面層における電極の熱処理前と熱処理後の構造を模式的に示した断面図。
【図３】ｐ+層の表面層のオージェ電子分光分析の結果を示した測定図。
【符号の説明】
１００…GaN系半導体発光素子
８Ａ，８Ｂ…電極
４…ｎ層
５…活性層
６…ｐ層
７…ｐ+層
９Ａ…窓部
【産業上の利用分野】
本発明は、ｐ伝導形３族窒化物半導体に対する電極、その電極を有した３族窒化物半導体素子、及びその電極形成方法に関する。特に、ｐ伝導形３族窒化物半導体に対する電極の接合強度とオーミック性と接触抵抗を改善したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ｐ伝導形GaN（p-GaN)の電極として、金(Au)をGaN層表面に蒸着したものが知られている。しかし、この金(Au)をGaN層表面に直接蒸着する場合には、接合性が悪く、GaN層に対して合金化処理すると、金電極が剥離するという問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、金(Au)とGaN層表面との間にニッケル(Ni)を介在させて、金(Au)のGaN層に対する密着性を向上させることが行われている。しかし、この場合においても、オーミック性が良くなく又電極の接触抵抗も大きいという問題がある。
従って本発明の目的は、ｐ伝導形３族窒化物半導体に対する電極において、よりオーミック性を改善し、接触抵抗を小さくすることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため本発明は、ｐ伝導形３族窒化物から成る半導体の表面上に接して順次積層して形成された第１金属層と第２金属層とを少なくとも有し、第１金属層の構成元素は第２金属層の構成元素よりもイオン化ポテンシャルが低い元素とし、第２金属層の構成元素は半導体に対するオーミック性が第１金属層の構成元素よりも良好な元素とした。そして、積層後の熱処理により、半導体の表面から深さ方向の元素分布が、第２金属層の構成元素の方が第１金属層の構成元素よりもより深く浸透した分布となるように構成されている。
【０００５】
本発明は、上記のように、電極の元素分布が金属層の形成時の分布に対して反転していることを特徴としている。即ち、電極の形成後には、上側に形成した第２金属層の構成元素の方が下側になり、下側に形成した第１金属層の構成元素の方が上側に存在することが特徴である。
【０００６】
望ましくは、第１金属層の構成元素は、Ni，Fe，Cu，Cr，Ta，V，Mn，Al，Agのうち少なくとも一種の元素、第２金属層の構成元素は、Pd，Au，Ir，Ptのうち少なくとも一種の元素で構成できる。さらに、望ましくは、第１金属層の構成元素は、Niであり、第２金属層の構成元素はAuである。この場合には、熱処理により、本発明の電極は、半導体の表面から深さ方向の元素分布は、NiよりもAuが深く浸透した分布となっている。上記の熱処理の望ましい温度は、400℃〜700℃である。
【０００７】
又、本発明の他の特徴は、Niと共に酸素(O)が分布することを特徴とする。
【０００８】
本発明の他の特徴は、ｐ伝導形３族窒化物から成る半導体の電極形成方法である。即ち、第１金属層の構成元素は第２金属層の構成元素よりもイオン化ポテンシャルが低い元素とし、第２金属層の構成元素は前記半導体に対するオーミック性が第１金属層の構成元素よりも良好な元素とする。そして、先ず、半導体の表面上に接して、順次、第１金属層と第２金属層とを積層させる。次に、第１金属層の元素が表面近くに移動し、その反作用として第２金属層の元素が３族窒化物半導体と合金化され半導体内に浸透することで、半導体の表面から深さ方向の元素分布において、第２金属層の構成元素の方を第１金属層の構成元素よりもより深く浸透した分布とする熱処理を施す。本発明は、このような方法によりｐ伝導形３族窒化物半導体に対する電極を形成することを特徴とする。
【０００９】
【作用及び発明の効果】
第１金属層の構成元素が第２金属層の構成元素よりもイオン化ポテンシャルが低い元素であるため、ｐ伝導形３族窒化物半導体に対する接合度が高い。さらに、ｐ伝導形３族窒化物半導体に対してオーミック性の良い金属は仕事関数が大きい元素である。この仕事関数が大きい元素はイオン化ポテンシャルが高い。このような元素で構成される第２金属層が第１金属層の上に形成される。次に、熱処理により、下層にある第１金属層の元素が表面に出てくる。即ち、第２金属層の構成元素がｐ伝導形３族窒化物半導体により深く浸透し、第２金属層の元素と３族窒化物半導体とが合金化し、下層の第１金属層の構成元素の方が第２金属層の構成元素よりもより多く表面近くに分布する。このような構成元素の反転分布により、金属電極の接合性とオーミック性とを著しく向上させることができた。
【００１０】
本発明者らは、金属層の積層時と熱処理後とで、構成元素の分布が反転する理由を検討した。その結果、下層によりイオン化ポテンシャルの低い元素の金属層を形成し、その上にオーミック性が良好な元素を積層し、低真空度で所定温度範囲で熱処理をすれば良いという結論に至った。オーミック性の良好な第２金属層の構成元素が第１金属層の構成元素よりもｐ伝導形３族窒化物半導体により深く浸透する結果、オーミック性が極めて改善された。さらに、第１金属層はイオン化ポテンシャルが低い金属で構成しているので、ｐ伝導形３族窒化物半導体との接合性が強く、オーミック性の良い金属電極を強固に形成することができた。
【００１１】
例えば、第１金属層にニッケル(Ni)、第２金属層に金(Au)を用いた場合には、ｐ伝導形３族窒化物半導体の表面から深さ方向における元素分布が、ニッケル(Ni)よりも金(Au)が深く浸透した分布であるため、オーミック性が良好になり、ニッケル(Ni)による３族窒化物半導体に対する接合強度により、電極層が強固に形成される。
【００１２】
このような電極を有する３族窒化物半導体素子は、印加電圧の低下、信頼性の向上、接触抵抗の低下等、素子特性が優れたものとなる。発光ダイオード、レーザダイオードでは、発光効率が向上する。
【００１３】
【実施例】
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
図１はサファイア基板１の上に形成された３族窒化物半導体で形成された発光素子100の模式的な構成断面図である。サファイア基板１の上にAlNバッファ層２が設けられ、その上にSiドープｎ形GaN層３（ｎ+層）が形成されている。このｎ+層３の上に0.5μｍのアンドープのｎ伝導形のAl0.1Ga0.9N層４（ｎ層）が形成され、ｎ層４の上にマグネシウムドープの厚さ0.4μｍのGaN層５（活性層）が形成され、その活性層５の上にマグネシウムドープのｐ伝導形のAl0.1Ga0.9N層６（ｐ層）が形成されている。そのｐ層６の上に、高濃度マグネシウムドープのｐ伝導形のGaN層７（ｐ+層）が形成されている。ｐ+層７の上には金属蒸着による電極８Ａが、ｎ+層３の上に電極８Ｂが形成されている。電極８Ａは、ｐ+層７に接合するニッケルと、ニッケルに接合する金とで構成されている。電極８Ｂはアルミニウムで構成されている。
【００１４】
次に、この発光素子100の電極８Ａの製造方法について説明する。
ＭＯＣＶＤ法により、バッファ層２からｐ+層７までを形成する。そして、ｐ+層７の上にTiを2000Åの厚さに形成し、そのTi層の上にNiを9000Åの厚さに形成した。そして、そのNi層の上にフォトレジストを一様に塗布して、フォトリソグラフィにより電極８Ｂを形成する部分のフォトレジストを除去した。その後、残ったフォトレジストをマスクとして、フォトレジストで覆われていないTi層とNi層とを酸性エッチング液にてエッチングした。その後、残ったTi層とNi層とをマスクとして、Ti層とNi層とにより覆われていない部分のｐ+層７、ｐ層６、活性層５、ｎ層４を塩素を含むガスによる反応性イオンエッチングによりエッチングして、ｎ+層３の表面を露出させた。その後、Ti層とNi層とを酸性エッチング液にて除去した。次に、以下の手順で電極８Ａを形成した。
【００１５】
(1)表面上にフォトレジスト９を一様に塗布して、フォトリソグラフィにより、ｐ+層７の上の電極形成部分のフォトレジスト９を除去して、窓部９Ａを形成する。
(2)蒸着装置にて、露出させたｐ+層７の上に、10-7Torr程度の高真空にてニッケル(Ni)を10〜200Å成膜させて、図２(a)に示すように、第１金属層８１を形成する。
(3)続いて、第１金属層８１の上に金(Au)を20〜500Å成膜させて、図２(a)に示すように、第２金属層８２を形成する。
(4)次に、試料を蒸着装置から取り出し、リフトオフ法により、フォトレジスト９上に堆積したNiとAuとを除去して、ｐ+層７に対する電極８Ａを整形する。
(5)電極８Ａ上の一部に電極パッドを形成する場合には、フォトレジストを一様に塗布して、その電極パッドの形成部分のフォトレジストに窓を開ける。次に、金(Au)またはアルミ(Al)を含む合金を1.2μｍ程度、蒸着により成膜させる。(4)の工程と同様に、リフトオフ法により、フォトレジスト上に堆積したAu又はAlとを除去して、電極パッドを整形する。
(6)その後、試料雰囲気を１mTorr以下にまで排気し、その後大気圧までN2で封入して、その状態で雰囲気温度を400℃以上700℃以下にして、数秒〜10分程度、加熱させる。
但し、この加熱処理は以下の条件で行うことが可能である。雰囲気ガスはN2，H2，He，O2，Ne，Ar，Krのうちの１種以上を含むガスが利用可能であり、圧力は１mTorrから大気圧を越える圧力の範囲で任意である。さらに、雰囲気ガスにおけるN2，H2，He，O2，Ne，Ar，又はkrガスの分圧は0.01〜100％であり、この雰囲気ガスで封入した状態又はこの雰囲気ガスを還流させた状態で加熱しても良い。
【００１６】
ニッケル(Ni)、金(Au)の積層後に上記の加熱処理をした結果、ニッケル(Ni)の第１金属層８１の上の第２金属層８２の金(Au)が、第１金属層８１を通してｐ+層７の中に拡散され、ｐ+層７のGaNと合金状態を形成する。図２(b)に熱処理後の様子を模式的に示す（パッド電極は図示されていない。)。即ち、熱処理前後において、AuとNiの深さ方向の分布が反転する。
【００１７】
熱処理が実施された後のｐ+層７の表面付近の元素分布をオージェ電子分光分析(AES)で調べた。その結果を図３に示す。ｐ+層７の表面付近（表面から約3nmまで）はニッケルの濃度が金濃度よりも高い。表面から約3nm以上に深いところのｐ+層７では金がニッケルよりも高濃度に分布しているのが分かる。よって、金はニッケルの第１金属層８１を通過して、ｐ+層７の深層部にまで達して、そこで、合金が形成されているのが分かる。
【００１８】
上記のような反転分布が生じる理由として、第１金属層の金属を第２金属層の金属に比べてイオン化ポテンシャルが低い元素とすることで、熱処理中に、第１金属層の元素が表面近くに移動し、その反作用として第２金属層の元素が３族窒化物半導体と合金化され半導体内に浸透すると考えられる。この結果、オーミック性の良い第２金属層の元素と３族窒化物半導体とが合金化される結果、この電極のオーミック性は良好となる。又、第１金属層の元素は第２金属層の元素よりも反応性が高く３族窒化物半導体と強固に接合する結果、この電極の接着強度が向上する。
【００１９】
上記の考察から、ｐ伝導形３族窒化物半導体に対してオーミック性が良好な金属元素は仕事関数が大きな元素であるので、第２金属層の構成元素として、例えば、パラジウム(Pd)，金(Au)，イリジウム(Ir)，白金(Pt)の少なくとも１種の元素が用いられる。又、イオン化ポテンシャルが低い第１金属層の構成元素は、ニッケル(Ni)，鉄(Fe)，銅(Cu)，クロム(Cr)，タンタル(Ta)，バナジウム(V)，マンガン(Mn)，アルミニウム(Al)，銀(Ag)のうち少なくとも一種の元素を用いることができる。又、第１金属層に水素吸蔵機能のある金属を用いることで、下層の３族窒化物半導体から水素を吸収し、その結晶性を良好にすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の具体的な実施例にかかる発光素子の構造を示した断面図。
【図２】ｐ+層の表面層における電極の熱処理前と熱処理後の構造を模式的に示した断面図。
【図３】ｐ+層の表面層のオージェ電子分光分析の結果を示した測定図。
【符号の説明】
１００…GaN系半導体発光素子
８Ａ，８Ｂ…電極
４…ｎ層
５…活性層
６…ｐ層
７…ｐ+層
９Ａ…窓部
Claims (10)
- ｐ伝導形３族窒化物から成る半導体の電極において、
前記半導体の表面上に接して順次積層して形成された第１金属層と第２金属層とを少なくとも有し、
前記第１金属層の構成元素は前記第２金属層の構成元素よりもイオン化ポテンシャルが低い元素であり、
前記第２金属層の構成元素は前記半導体に対するオーミック性が前記第１金属層の構成元素よりも良好な元素であり、
熱処理により、前記半導体の表面から深さ方向の元素分布は、前記第２金属層の構成元素の方が前記第１金属層の構成元素よりもより深く浸透した分布であることを特徴とするｐ伝導形３族窒化物半導体の電極。 - 前記第１金属層の構成元素は、ニッケル(Ni)，鉄(Fe)，銅(Cu)，クロム(Cr)，タンタル(Ta)，バナジウム(V)，マンガン(Mn)，アルミニウム(Al)，銀(Ag)のうち少なくとも一種の元素であり、前記第２金属層の構成元素は、パラジウム(Pd)，金(Au)，イリジウム(Ir)，白金(Pt)のうち少なくとも１種の元素であることを特徴とする請求項１に記載のｐ伝導形３族窒化物半導体の電極。
- 前記第１金属層の構成元素は、Niであり、前記第２金属層の構成元素はAuであり、熱処理により、前記半導体の表面から深さ方向の元素分布は、NiよりもAuが深く浸透した分布であることを特徴とする請求項１に記載のｐ伝導形３族窒化物半導体の電極。
- 前記熱処理は、400℃〜700℃で行われることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のｐ伝導形３族窒化物半導体の電極。
- ３族窒化物半導体から成る素子層を有し、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電極を有する３族窒化物半導体素子。
- 前記Niと共に酸素(O)が分布することを特徴とする請求項３に記載の電極を有する３族窒化物半導体素子。
- ｐ伝導形３族窒化物から成る半導体の電極形成方法において、
第１金属層の構成元素は第２金属層の構成元素よりもイオン化ポテンシャルが低い元素とし、第２金属層の構成元素は前記半導体に対するオーミック性が第１金属層の構成元素よりも良好な元素として、
前記半導体の表面上に接して、順次、第１金属層と第２金属層とを積層させ、
前記第１金属層の元素が表面近くに移動し、その反作用として前記第２金属層の元素が前記３族窒化物半導体と合金化され半導体内に浸透することで前記半導体の表面から深さ方向の元素分布において、前記第２金属層の構成元素の方を前記第１金属層の構成元素よりもより深く浸透した分布とする熱処理を施すことを特徴とするｐ伝導形３族窒化物半導体の電極形成方法。 - 前記第１金属層の構成元素は、Ni，Fe，Cu，Cr，Ta，V，Mn，Al，Agのうちの一種の元素であり、前記第２金属層の構成元素は、Pd，Au，Ir，Ptのうちの一種の元素であることを特徴とする請求項７に記載のｐ伝導形３族窒化物半導体の電極形成方法。
- 前記第１金属層の構成元素は、Niであり、前記第２金属層の構成元素はAuであり、熱処理により、前記半導体の表面から深さ方向の元素分布を、NiよりもAuが深く浸透した分布とすることを特徴とする請求項７に記載のｐ伝導形３族窒化物半導体の電極形成方法。
- 前記熱処理は、400℃〜700℃で行われることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかに記載のｐ伝導形３族窒化物半導体の電極形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16088696A JP3620926B2 (ja) | 1995-06-16 | 1996-05-31 | ｐ伝導形３族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子 |
| US08/663,696 US6008539A (en) | 1995-06-16 | 1996-06-14 | Electrodes for p-type group III nitride compound semiconductors |
| TW085111505A TW419838B (en) | 1995-06-16 | 1996-09-20 | Electrodes for p-type group III nitride compound semiconductors |
| KR1019960043816A KR970077764A (ko) | 1996-05-31 | 1996-09-30 | p- 전도형 3족질화물 반도체의 전극과 전극 형성 방법 및 소자 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17407695 | 1995-06-16 | ||
| JP7-174076 | 1995-06-16 | ||
| JP16088696A JP3620926B2 (ja) | 1995-06-16 | 1996-05-31 | ｐ伝導形３族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964337A JPH0964337A (ja) | 1997-03-07 |
| JP3620926B2 true JP3620926B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=26487225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16088696A Expired - Fee Related JP3620926B2 (ja) | 1995-06-16 | 1996-05-31 | ｐ伝導形３族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6008539A (ja) |
| JP (1) | JP3620926B2 (ja) |
| TW (1) | TW419838B (ja) |
Families Citing this family (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3587224B2 (ja) * | 1996-07-24 | 2004-11-10 | ソニー株式会社 | オーミック電極 |
| JP3548654B2 (ja) * | 1996-09-08 | 2004-07-28 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
| US6291840B1 (en) | 1996-11-29 | 2001-09-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | GaN related compound semiconductor light-emitting device |
| US20040232429A1 (en) * | 1997-05-08 | 2004-11-25 | Showa Denko K.K. | Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode |
| US6268618B1 (en) | 1997-05-08 | 2001-07-31 | Showa Denko K.K. | Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode |
| US6194743B1 (en) * | 1997-12-15 | 2001-02-27 | Agilent Technologies, Inc. | Nitride semiconductor light emitting device having a silver p-contact |
| JP3555419B2 (ja) * | 1997-12-18 | 2004-08-18 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法及び素子の製造方法 |
| KR19990052640A (ko) * | 1997-12-23 | 1999-07-15 | 김효근 | 오믹접촉 형성을 이용한 다이오드용 금속박막및 그의 제조방법 |
| US6936859B1 (en) * | 1998-05-13 | 2005-08-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
| JP3512659B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2004-03-31 | シャープ株式会社 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置 |
| US6894391B1 (en) * | 1999-04-26 | 2005-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrode structure on P-type III group nitride semiconductor layer and formation method thereof |
| JP4026294B2 (ja) * | 2000-03-07 | 2007-12-26 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
| JP4652530B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2011-03-16 | 昭和電工株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法 |
| JP2002075965A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 |
| WO2002031865A1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-04-18 | Emcore Corporation | Method of making an electrode |
| KR20020065948A (ko) * | 2001-02-08 | 2002-08-14 | (주)나리지* 온 | 질화물 반도체소자의 피형 오믹 콘택 |
| KR100413435B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2003-12-31 | 엘지전자 주식회사 | 발광다이오드 및 그 제조방법 |
| JP3812366B2 (ja) * | 2001-06-04 | 2006-08-23 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
| JP3765246B2 (ja) * | 2001-06-06 | 2006-04-12 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
| DE10147791A1 (de) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf der Basis eines Nitrid-Verbindungshalbleiters |
| TWI295483B (en) * | 2002-01-31 | 2008-04-01 | Sumitomo Chemical Co | 3-5 group compound semiconductor, process for producing the same, and compound semiconductor element using the same |
| JP2004006498A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| KR100612832B1 (ko) * | 2003-05-07 | 2006-08-18 | 삼성전자주식회사 | 고성능의 질화갈륨계 광소자 구현을 위한 니켈계 고용체를 이용한 오믹 접촉 형성을 위한 금속박막 및 그 제조방법 |
| US7412170B1 (en) | 2003-05-29 | 2008-08-12 | Opticomp Corporation | Broad temperature WDM transmitters and receivers for coarse wavelength division multiplexed (CWDM) fiber communication systems |
| KR100707167B1 (ko) * | 2003-07-11 | 2007-04-13 | 삼성전자주식회사 | 고성능의 질화갈륨계 광소자 구현을 위한 ｐ형 열전산화물을 형성하는 2원계 및 3원계 합금 또는 고용체박막을 이용한 오믹접촉 형성을 위한 박막전극 및 그제조방법 |
| KR100647278B1 (ko) * | 2003-10-27 | 2006-11-17 | 삼성전자주식회사 | ＩＩＩ - Ｖ 족 ＧａＮ 계 화합물 반도체 및 이에적용되는 ｐ-형 전극 |
| KR20050095721A (ko) * | 2004-03-27 | 2005-09-30 | 삼성전자주식회사 | ＩＩＩ - Ｖ 족 ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자 및 그제조방법 |
| KR100773538B1 (ko) * | 2004-10-07 | 2007-11-07 | 삼성전자주식회사 | 반사 전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자 |
| JP4301136B2 (ja) * | 2004-10-18 | 2009-07-22 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR100657909B1 (ko) | 2004-11-08 | 2006-12-14 | 삼성전기주식회사 | 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| CN100356594C (zh) * | 2004-12-08 | 2007-12-19 | 深圳市方大国科光电技术有限公司 | 改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法 |
| JP2007158133A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
| KR20080106402A (ko) | 2006-01-05 | 2008-12-05 | 일루미텍스, 인크. | Ｌｅｄ로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스 |
| KR100778820B1 (ko) | 2006-04-25 | 2007-11-22 | 포항공과대학교 산학협력단 | 금속 전극 형성 방법 및 반도체 발광 소자의 제조 방법 및질화물계 화합물 반도체 발광 소자 |
| JP4856473B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2012-01-18 | 豊田合成株式会社 | 電極形成方法、発光素子およびその製造方法 |
| EP2070123A2 (en) | 2006-10-02 | 2009-06-17 | Illumitex, Inc. | Led system and method |
| JP2009152356A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | 窒化物半導体装置とその製造方法 |
| JP2011512037A (ja) | 2008-02-08 | 2011-04-14 | イルミテックス， インコーポレイテッド | エミッタ層成形のためのシステムおよび方法 |
| JP5197186B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
| TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
| US20100327300A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Contact for a semiconductor light emitting device |
| US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
| US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
| JP5749888B2 (ja) | 2010-01-18 | 2015-07-15 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子及び半導体素子を作製する方法 |
| JP2011146639A (ja) | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系半導体素子 |
| JP5132739B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 半導体素子 |
| JPWO2013161247A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2015-12-21 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| JP6007769B2 (ja) | 2012-12-14 | 2016-10-12 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置 |
| JP6007770B2 (ja) | 2012-12-14 | 2016-10-12 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置 |
| JP5949516B2 (ja) | 2012-12-14 | 2016-07-06 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6007771B2 (ja) | 2012-12-14 | 2016-10-12 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置 |
| JP6515842B2 (ja) | 2016-03-10 | 2019-05-22 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置 |
| WO2019204748A1 (en) * | 2018-04-20 | 2019-10-24 | Glo Ab | Subpixel light emitting diodes for direct view display and methods of making the same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2666228B2 (ja) * | 1991-10-30 | 1997-10-22 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP2778349B2 (ja) * | 1992-04-10 | 1998-07-23 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の電極 |
| DE69333250T2 (de) * | 1992-07-23 | 2004-09-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung aus einer Verbindung der Galliumnitridgruppe |
| DE69425186T3 (de) * | 1993-04-28 | 2005-04-14 | Nichia Corp., Anan | Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
1996
- 1996-05-31 JP JP16088696A patent/JP3620926B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-14 US US08/663,696 patent/US6008539A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-20 TW TW085111505A patent/TW419838B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6008539A (en) | 1999-12-28 |
| TW419838B (en) | 2001-01-21 |
| JPH0964337A (ja) | 1997-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3620926B2 (ja) | ｐ伝導形３族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子 | |
| JP3292044B2 (ja) | ｐ伝導形３族窒化物半導体の電極パッド及びそれを有した素子及び素子の製造方法 | |
| JP3739951B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| US6121127A (en) | Methods and devices related to electrodes for p-type group III nitride compound semiconductors | |
| JP3344257B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 | |
| US6531383B1 (en) | Method for manufacturing a compound semiconductor device | |
| JP3499385B2 (ja) | ３族窒化物半導体の電極形成方法 | |
| JP3896044B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子の製造方法およびその製品 | |
| JP4023121B2 (ja) | ｎ型電極、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子、ｎ型電極の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPH11177134A (ja) | 半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに発光素子の製造方法及び発光素子 | |
| JP3557791B2 (ja) | ３族窒化物半導体の電極及びその電極を有した素子 | |
| JP3255224B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 | |
| JP5287837B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその負極 | |
| JP2005340860A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH1187772A (ja) | 半導体発光素子用の電極 | |
| JP3587224B2 (ja) | オーミック電極 | |
| JP3344296B2 (ja) | 半導体発光素子用の電極 | |
| US7452740B2 (en) | Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and negative electrode thereof | |
| US20230215985A1 (en) | Light-emitting device and method for producing the same | |
| KR100550735B1 (ko) | Ｐ형 질화갈륨계 화합물 반도체의 전극 구조 및 전극구조의 형성 방법 | |
| JP3462717B2 (ja) | 化合物半導体の電極構造及びその形成方法 | |
| JP3309745B2 (ja) | ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2000101134A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法および窒化物半導体素子 | |
| JPH10256184A (ja) | ｐ型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法 | |
| JPH10173226A (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040824 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041019 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041116 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041116 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071126 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081126 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091126 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |