JP3578759B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体チップおよび半導体チップに接続される信号接続用リードを封止樹脂により封止した樹脂封止型半導体装置に関するものであり、特に樹脂封止型半導体装置の薄型化に対応できる樹脂封止型半導体装置に関するものである。

近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が加速度的に進んでいる。

以下、従来の樹脂封止型半導体装置について図面を参照しながら説明する。

図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、従来の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１６（ａ）は平面図であり、便宜上、封止樹脂は透明体として輪郭のみ示している。また図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。

図１６に示すように、従来の樹脂封止型半導体装置は、裏面側の周辺部に外部端子部が配列された片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置である。

従来の樹脂封止型半導体装置は、まずリードフレームとして、インナーリード部１と、ダイパッド部２と、そのダイパッド部２を支持する吊りリード部３とから構成されるリードフレームを用いている。

そして、リードフレームのダイパッド部２上に半導体チップ４が接着剤により接合されており、半導体チップ４の電極パッド（図示せず）とインナーリード部１とは、接続部材として金属細線５により電気的に接続されている。そして，インナーリード部１の一部、ダイパッド部２、半導体チップ４、吊りリード部３の一部および金属細線５は封止樹脂６により封止されている。この構造では、インナーリード部１の裏面側には封止樹脂６は存在せず、インナーリード部１の裏面側は露出されており、この露出面を含むインナーリード部１の下面部がアウターリード部７となっている。なお、封止樹脂６との密着性を確保するために、インナーリード部１やダイパッド部２の側面を表裏の面に対して直交するのではなく、上方に向かって拡大するようにテーパ状にしているものである。

このような樹脂封止型半導体装置においては、封止樹脂６の裏面とダイパッド部２の裏面とは共通の面上にある。すなわち、リードフレームの裏面側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止型半導体装置が実現する。

次に図１６に示した構造を有する従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程においては、まず、インナーリード部１、ダイパッド部２を有するリードフレームを用意し、機械的加工または化学的加工を行なって、リードフレームの側面をテーパ状にする。次に、吊りリード部３を機械加工により部分的にアップセット部８を加工する。用意したリードフレームのダイパッド部２の上に半導体チップ４を接着剤により接合した後、半導体チップ４とインナーリード部１とを金属細線５により電気的に接続する。金属細線５には、アルミニウム（Ａｌ）細線、金（Ａｕ）線などが適宜用いられる。次に、ダイパッド部２、半導体チップ４、インナーリード部１，吊りリード部３の一部および金属細線５を封止樹脂６により封止する。この場合、半導体チップ４が接合されたリードフレームが封止金型内に収納されて、トランスファーモールドされるが、特にリードフレームの裏面が封止金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂封止が行なわれる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂６から外方に突出しているアウターリード部７を所定の長さに切断して、樹脂封止型半導体装置が完成する。

しかしながら前記従来の樹脂封止型半導体装置では、薄型化を実現するために、実質的にはリードフレームの半導体チップが搭載された面、すなわちリードフレームの上面のみを封止樹脂で封止した構造である。そのため、リードフレームと封止樹脂との接触面積の低下により、密着性が損なわれ、封止樹脂の応力および実装後の応力により半導体チップが悪影響を受けたり、封止樹脂にクラックが発生するという問題があった。特に、ダイパッド部と封止樹脂との間に水分、湿気が侵入した場合には、両者間の密着性の低下やクラックの発生が顕著になる。これによって、さらに信頼性が悪化するという問題があった。

また、ダイパッド部とリードフレームとを接続している吊りリード部の一部が封止樹脂内にあり、吊りリード部が上部にアップセットされており、大きな半導体チップが搭載できず小型化が図れないという問題もあった。また、アップセットした吊りリード部の上部の封止樹脂に内蔵される部分に金属細線が当たるため、搭載する半導体チップ上の電極位置の制限が大きいうえに、吊りリード部の露出部を多くすると、吊りリード部の密着性の低下やクラックの発生により信頼性が悪化するという問題があった。

また、ダイパッド部とリードフレームとを接続している吊りリード部が底面に一部露出しているため、実装基板の設計に制限を与えるという問題もあった。さらにプリント基板への実装後の応力により、金属細線で接続されたインナーリード部に負荷がかかり、接続不良が発生するという問題もあった。

また、吊りリード部の製造工程における変形のために、ダイパッド部の裏面に樹脂バリが発生するという問題もあった。またダイパッド部と封止樹脂との密着性が弱く、耐湿性に問題があり、正しい機能を発揮させる小型の樹脂封止型半導体装置を供給することができないという問題もあった。また、実装基板と樹脂封止型半導体装置の実装において、吊りリード部が一部露出している関係上、吊りリード部が接続不良（ショート）の原因になるという問題もあった。またダイパッド部との接合において、ダイパッド部の裏面上に封止樹脂の一部がはみ出していわゆる樹脂バリが介在すると、放熱パッド等との接触が不十分となり、放熱特性などの所望の特性を十分発揮できない恐れがあるという問題もあった。なお、この樹脂バリはウォータージェットなどの利用によって除去できるが、かかる処理は煩雑な手間を要し、しかも、ウォータージェット工程によってリード上のニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）のメッキ層が剥がれ、また不純物が付着することから、樹脂封止工程後に封止樹脂から露出している部分にメッキを施すことが必要となり、作業能率の低下，信頼性の悪化を招く恐れもあった。

本発明は、前記従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程、実装時の種々の課題に鑑みて、前記従来の課題を解決するものであり、薄型化、小型化で放熱性の良い樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の目的は、吊りリード部が不要な手段を講ずることにより、大きな半導体チップを搭載可能な小型の樹脂封止型半導体装置を提供することである。

本発明の第２の目的は、吊りリード部が不要な手段を講ずることにより、実装基板の設計に影響の少ない小型の樹脂封止型半導体装置を提供することである。

本発明の第３の目的は、信号接続用リード部（インナーリード部）上に半導体チップがオーバーハング可能な手段を講ずることにより、大きな半導体チップを搭載可能にし、小型の樹脂封止型半導体装置を提供することである。

本発明の第４の目的は、ダイパッド部の下面を封止樹脂から露出させた場合におけるダイパッド部に対する封止樹脂の保持力を高める手段を講ずることにより、ダイパッド部の封止樹脂からの剥がれを抑制し得る樹脂封止型半導体装置を提供することである。

本発明の第５の目的は、ダイパッド部と封止樹脂との間から水分や湿気が侵入することによる封止樹脂のクラックを抑制し得る樹脂封止型半導体装置を提供することである。

本発明の第６の目的は、ダイパッド部の下面を封止樹脂から露出させた場合における樹脂バリの発生を防止する手段を講ずることにより、放熱特性のよい樹脂封止型半導体装置を提供することである。

本発明の第７の目的は、半導体チップの大きさの変化に対応可能で、信頼性の向上が可能な小型の樹脂封止型半導体装置を提供することである。

本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッドと、信号接続用リード部と外部端子部とを有するリードと、前記ダイパッドに搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記信号接続用リード部とを電気的に接続する金属細線と、前記金属細線、前記半導体素子、前記信号接続用リード部の上面全体および前記外部端子部の上面を封止し、前記信号接続用リード部の下面全体および前記外部端子部の下面を露出する封止樹脂とを備え、前記信号接続用リード部は、前記封止樹脂で封止された上面が下面よりも大きく、かつ前記封止樹脂で封止された溝を有し、前記金属細線は、前記溝の上でない前記信号接続用リード部に接続されている。

また、実質的に封止樹脂により固着されて支持されているダイパッド部の厚みは信号接続用リード部の厚みより厚い樹脂封止型半導体装置である。また、実質的に封止樹脂により固着されて支持されているダイパッド部の外周部下面には、段差部が設けられている樹脂封止型半導体装置である。また、半導体チップと電気的に接続した信号接続用リード部はその上部に幅広部と、複数の溝が設けられている樹脂封止型半導体装置である。また、半導体チップと電気的に接続した信号接続用リード部と連続して接続した外部端子の露出面および半導体チップを支持しているダイパッド部の底面は、封止樹脂面より突出して配列されている樹脂封止型半導体装置である。また、信号接続用リード部の先端部は、前記信号接続用リード部と連続して設けられ、外部と接続する外部端子部に対して、段差を有している樹脂封止型半導体装置である。

また、用意するリードフレームにおいては、リードフレームの信号接続用リード部の上部には幅広部が設けられ、表面には溝が設けられているリードフレームを用意する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。

本発明の代表的な作用は以下の通りである。

また、樹脂封止型半導体装置においては、従来のように吊りリード部が周辺部に延在しないために実装性が良く、金属細線の接続も容易で生産性が良い樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、外部端子部の厚みより厚いダイパッド部の存在により、信号接続用リード部の上方に半導体チップをダイパッド部に接着して配することができ、信号接続用リード部の先端部より大きな半導体チップを搭載した小型の生産性、実装信頼性の良い樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、外部端子部の厚みより厚いダイパッド部の下方外周部には、段差加工がされ、封止樹脂により信号接続用リード部の中央部に固着されており、外部端子部の厚みより厚いダイパッドの底面を樹脂フィルムに固着させることにより、信号接続用リード部の上方に半導体チップをダイパッド部に接着して配することができ、信号接続用リード部の先端部より大きな半導体チップを搭載でき、その上にダイパッド部の下方周辺部に封止樹脂を配することができるために、特に耐湿性、実装信頼性の良い樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、信号接続用リード部の表面には幅広部と、複数の溝が存在することにより、封止樹脂が溝部に入り、そのアンカー効果と、また幅広部の効果により、外部端子部が封止樹脂の底面に突出していても、樹脂との密着性が向上するため、実装信頼性をはじめとした種々の信頼性を向上した樹脂封止型半導体装置を実現することができる。また、外部端子の露出面およびダイパッド部下面を封止樹脂面より突出し配列することにより実装基板と半導体装置の底面の空間を開けやすく実装後の信頼性に好適な樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、半導体チップの電極と信号接続用リード部とを接続する金属細線の長さは外部端子部の数、半導体チップの大きさにより決まるが、その長さは生産性、品質に影響を与える。特に樹脂封止工程での樹脂の流れによる金属細線のタッチによる不良に与える影響は大きな課題である。したがって、外部端子部より薄く加工した信号接続用リード部を好適に配することにより金属細線の接続長さを短くすることができ、金属細線の接続も容易で、生産性の良い樹脂封止型半導体装置を実現できる。

以上、本発明によると、幅広部と溝が設けられた信号接続用リード部底面側に樹脂フィルムを密着させて、開口部にダイパッド底面を固着させることにより、ダイパッドの下面を封止樹脂から露出させ、大きな半導体チップの搭載を可能にすることができる。また、下方に突出した凸部とその凸部を取り囲むフランジ部とを設けたダイパッド底面を樹脂フィルム上に固着させることにより、ダイパッド部の凸部の下面を封止樹脂から露出させながらダイパッド部のフランジ部の下方に封止樹脂を存在させることが可能となり、樹脂封止型半導体装置におけるダイパッド部に対する封止樹脂の保持力の向上と、水分等の侵入の抑制による信頼性の向上とを図ることができる。また、信号接続用リードより厚さが厚く、下方に突出した凸部とその凸部を取り囲むフランジ部とを設けたダイパッド部を樹脂フィルム上に固着させることにより、信号接続用リード部にオーバーハングする大きな半導体チップを搭載可能にし、また、ダイパッド部の凸部の下面を封止樹脂から露出させながらダイパッド部のフランジ部の下方に封止樹脂を存在させることが可能となり、樹脂封止型半導体装置におけるダイパッド部に対する封止樹脂の保持力の向上と、水分等の侵入の抑制による信頼性の向上とを図ることができる。

また、樹脂封止型半導体装置においては、従来のように吊りリード部が周辺部に延在しないために実装性が良く、金属細線の接続も容易で生産性が良い樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、外部端子部の厚みより厚いダイパッド部の存在により、信号接続用リード部の上方に半導体チップをダイパッド部に接着して配することができ、信号接続用リード部の先端部より大きな半導体チップを搭載した小型の生産性、実装信頼性の良い樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、外部端子部の厚みより厚いダイパッド部の下方外周部には、段差加工がされ、封止樹脂により信号接続用リード部の中央部に固着されており、外部端子部の厚みより厚いダイパッドの底面を樹脂フィルムに固着させることにより、信号接続用リード部の上方に半導体チップをダイパッド部に接着して配することができ、信号接続用リード部の先端部より大きな半導体チップを搭載でき、その上にダイパッド部の下方周辺部に封止樹脂を配することができるために、特に耐湿性、実装信頼性の良い樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、信号接続用リード部の表面には幅広部と、複数の溝が存在することにより、封止樹脂が溝部に入り、そのアンカー効果と、また幅広部の効果により、外部端子部が封止樹脂の底面に突出していても、樹脂との密着性が向上するため、実装信頼性をはじめとした種々の信頼性を向上した樹脂封止型半導体装置を実現することができる。また、外部端子の露出面およびダイパッド下面を封止樹脂面より突出し配列することにより実装基板と半導体装置の底面の空間を開けやすく実装後の信頼性に好適な樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、半導体チップの電極と信号接続用リード部とを接続する金属細線の長さは外部端子部の数、半導体チップの大きさにより決まるが、その長さは生産性、品質に影響を与える。特に樹脂封止工程での樹脂の流れによる金属細線のタッチによる不良に与える影響は大きな課題である。したがって、外部端子部より薄く加工した信号接続用リード部を好適に配することにより金属細線の接続長さを短くすることができ、金属細線の接続も容易で、生産性の良い樹脂封止型半導体装置を実現できる。

本発明のリードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法について、それらの一実施形態について図面を参照しながら説明する。

まず本発明のリードフレームの実施形態について説明する。図１は本実施形態のリードフレームを示す平面図である。

図１に示すように、本実施形態のリードフレームにおいては、信号接続用リード部９がアウターリード部１０と接続して、フレーム枠１１により支持されている。そして少なくとも信号接続用リード部９、アウターリード部１０、フレーム枠１１の底面は、樹脂フィルム１２が密着され、また信号接続用リード部９の各先端部が延在して配置された開口部１３に露出した樹脂フィルム１２上にダイパッド部１４が固着されることにより、従来のように吊りリード部なしで単独でフレーム枠１１内でダイパッド部１４が存在しているものである。なお、本実施形態のリードフレームにおいては、信号接続用リード部９、アウターリード部１０、フレーム枠１１は、導電性材料として、金属板により一体で構成されているものであるが、フレーム枠１１とリード類とを別構成としてもよい。

図１において、破線で示した部分が樹脂フィルム１２の密着された領域である。また半導体チップを搭載した後、封止樹脂で封止した場合の封止ラインは一点鎖線で示し、一点鎖線よりも外側の部分がアウターリード部１０を構成する部分となる。

本実施形態のリードフレームにおけるダイパッド部１４は、その形状、厚さを半導体装置の特性、搭載する半導体チップの大きさ、厚さ、実装条件、要求信頼性等により決定し、加工した後、樹脂フィルム１２上に固着することにより、リードフレームは完成する。また、リードフレームはダイパッド部１４の変更に関係なく、広く共用することができるものである。

本実施形態のリードフレームでは、ダイパッド部１４の厚みは、信号接続用リード９の厚みと同等、またはより厚い断面、もしくはダイパッド部１４の底面周囲にフランジ部が存在する段付形状により構成されているものである。さらに、本実施形態のリードフレームは、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーを設けていないリードフレームである。

なお、本実施形態のリードフレームは図１で示した構成よりなるリードフレームパターンが１つではなく複数個、左右、上下の連続した配列になっているものである。

本実施形態において、樹脂フィルム１２は、吊りリードを不要とし、ダイパッド部１４の固着とともに、特にダイパッド部１４の下面側および信号接続用リード部９の裏面側の外部端子部を構成する部分に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするマスク的な役割を果たさせるためのものであり、この樹脂フィルム１２の存在によって、ダイパッド部１４の下面や、外部端子部に相当する部分に樹脂バリが形成されるのを防止することができる。また、この樹脂フィルム１２は、ポリエチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂をベースとしたフィルムであり、樹脂封止後は容易に剥がすことができ、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるものであればよい。なお、樹脂バリとは樹脂封止の際に発生するリードフレームに対する残余樹脂であり、樹脂成形上、不必要な部分である。

また、樹脂封止時に用いる封止金型において、片方の金型は、この樹脂フィルム１２の働きにより、封止樹脂と接することがないため、樹脂バリの発生の防止の他にも、樹脂封止後の離型のための押し出しピンや、封止樹脂から金型変形を防止するための焼き入れ等を必要としないため、金型構造を単純化することができるものである。

次に本実施形態のリードフレームの製造方法について図面を参照しながら説明する。図２，図３および図４は、本実施形態のリードフレームの製造方法を工程順に示した平面図である。

まず図２に示すように、第１の工程として、リードフレームを構成する銅材等よりなる金属板に対して、エッチング処理、またはプレス加工により、その金属板中に形成したフレーム枠１１、アウターリード部１０と接続する信号接続用リード部９を有したリードフレーム構成体１５を形成する。ここで信号接続用リード部９の各先端部が延在して配置された中央部は開口部１３を構成している。なお、図２においては、一点鎖線で示した領域は、半導体チップを搭載して樹脂封止した際の封止ラインである。

次に、図３に示すように、第２の工程として、予め銅材等よりなる前記した図２で用いた金属板とは別の金属板に対して、エッチング処理、またはプレス加工により、ダイパッド部１４を形成する。ダイパッド部１４は接続部１６により保持されているものであり、接続部１６はハーフエッチ等により切断が容易に構成されているため、ダイパッド部１４を分離させることは容易である。

次に、図４に示すように、第３の工程として、リードフレーム構成体１５に対して樹脂フィルム１２を密着させる。樹脂フィルム１２の密着は、リードフレーム構成体１５の領域内に形成されている信号接続用リード部９、アウターリード部１０、フレーム枠１１に密着するように行うもので、一例としては接着剤付きの樹脂フィルムを用いて、リードフレーム構成体１５に接着して密着させるものである。そして開口部１３に露出した樹脂フィルム１２上に対して、ダイパッド部１４を固着させ、吊りリード部が存在しないリードフレームを得ることができる。なお、図４において、破線で示した部分が樹脂フィルム１２の密着された領域である。また半導体チップを搭載した後、封止樹脂で封止した場合の封止ラインは一点鎖線で示し、一点鎖線よりも外側の部分がアウターリード部１０を構成する部分となる。また、通常、樹脂フィルムを密着させる前に、リードフレーム構成体１５、ダイパッド部１４に対して、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ）などの金属メッキを付すメッキ工程が設けられているものである。

以上のような工程により、吊りリード部を不要としたダイパッド部１４と、そのダイパッド部１４にその各先端部が延在して配置された信号接続用リード部９と、その信号接続用リード部９に連続して設けられ、フレーム枠１１につながるアウターリード部１０よりなるリードフレームを得ることができる。

なお、本実施形態のリードフレームの厚みについては、２００［μｍ］であり、ダイパッド部１４の厚みは３００［μｍ］であり、１００［μｍ］厚く構成した。ダイパッド部１４を他の構成よりも厚く形成することにより、ダイパッド部１４よりもサイズの大きい半導体チップを搭載した場合、信号接続用リード部９に半導体チップが接触することはなく、大きな半導体素チップを搭載可能にし、ダイパッド部露出の小型の樹脂封止型半導体装置を実現できる。

したがって、本実施形態のリードフレームは、基本構造として信号接続用リード部９の開口部１３にダイパッド部１４が配置された構造となり、さらに従来のようなダムバーを設けていない構造である。本実施形態のリードフレームは、吊りリード部を廃することにより、大きな半導体素チップを搭載可能にし、ダイパッド部露出の小型の樹脂封止型半導体装置を実現できるリードフレームである。

次に本発明の樹脂封止型半導体装置について、その一実施形態を図面を参照しながら説明する。

本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部の下面を封止樹脂の裏面から露出させた共通の構成を有しており、その中の各種の実施形態について説明する。

図５は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図５（ａ）は、斜視上面図であり、図５（ｂ）は斜視下面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。

本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図５に示すように、ダイパッド部１４上に接着剤により搭載された半導体チップ１７と、信号接続用リード部９と半導体チップ１７とを電気的に接続した接続部材である金属細線１８と、半導体チップ１７、ダイパッド部１４の側面領域、信号接続リード部９の上面と側面領域、金属細線１８を封止した封止樹脂１９とより構成されており、封止樹脂１９より露出した信号接続用リード部９の側面と下面領域は外部端子部２０を構成しているものである。

本実施形態の樹脂封止型半導体装置においては、信号接続用リード部９の下面側には封止樹脂１９は存在せず、信号接続用リード部９の下面と一部側面が露出されており、この信号接続用リード部９の下面およびダイパッド部１４の下面が実装基板との接続面となる。すなわち、信号接続用リード部９の下部が外部端子部２０となっている。

そして、ダイパッド部１４の露出部および外部端子部２０の下面には、樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、実装基板の電極との接合の信頼性が向上するものである。なお、ダイパッド部１４および外部端子部２０の露出構造は、後述する製造方法によって容易に実現できるものである。

なお、本実施形態では、図６の樹脂封止型半導体装置の平面透視図に示すように、信号接続用リード部９の側方には外部端子部２０となるアウターリード部が存在せず、信号接続用リード部９の下部が外部端子部２０とすることも可能であり、半導体装置の小型化を図ることができる。すなわち、封止樹脂１９の面から信号接続用リード部９の側面を突出させず、信号接続用リード部９の露出面と封止樹脂１９の面とを実質的に同一面に形成することで、樹脂封止型半導体装置の側面からリード部が突出しない小型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものである。図６において、破線で示した構成はダイパッド部１４を示し、半導体チップ１７が大きい構成を示し、他の構成は図５の構成と同一であるので、説明は省略する。

さらに、本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、外部端子部２０およびダイパッド部１４が封止樹脂１９の面、すなわち封止樹脂１９の下面から突出して形成されているため、実装基板に本実施形態の樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部端子部２０およびダイパッド部１４と実装基板の電極との接合において、外部端子部２０およびダイパッド部１４のスタンドオフ高さが予め確保されていることになる。したがって、外部端子部２０をそのまま外部電極として用いることができ、実装基板への実装のために外部端子部２０にはんだボール等を付設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利となる。

ここで、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の特徴は、従来のようにダイパッド部１４を支持する吊りリード部が存在しないため、従来制限の多かったダイパッド部１４より大きな半導体チップの搭載範囲の拡大を可能にするものである。また、製造工程における吊りリード部の変形による生産性、製造上の従来の課題を解決することを可能にするものである。

次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図７（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す断面図である。

まず、図７（ａ）に示すように、第１の工程として、信号接続用リード部９がアウターリード部１０と連続で接続され、フレーム枠により支持され、少なくとも信号接続用リード部９、アウターリード部１０の底面は、樹脂フィルム１２が密着され、また信号接続用リード部９の各先端部が延在して配置された開口部１３に露出した樹脂フィルム１２上にダイパッド部１４が固着されているリードフレーム２１を用意する。

ここでリードフレーム２１は、従来のように吊りリード部なしで単独でダイパッド部１４が存在しているものであり、また、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーを設けていないリードフレームである。また、本実施形態におけるリードフレーム２１は、銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッキとしてニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム（Ｐｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれメッキされた３層の金属メッキ済みのリードフレームである。ただし、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等の素材を使用でき、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されていてもよく、さらに、必ずしも３層メッキでなくてもよい。

次に図７（ｂ）に示すように、第２の工程として、用意したリードフレーム２１のダイパッド部１４上に半導体チップ１７を接着剤により搭載する。この工程は、いわゆるダイボンド工程である。

そして図７（ｃ）に示すように、第３の工程として、ダイパッド部１４上に搭載した半導体チップ１７と信号接続用リード部９とを金属細線１８により電気的に接合する。この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。

次に図７（ｄ）に示すように、第４の工程として、ダイパッド部１４上に半導体チップ１７が搭載され、樹脂フィルム１２が貼り付けられたままのリードフレーム２１を封止金型内に収納し、金型でリードフレーム２１の信号接続用リード部９の先端側（外枠）を樹脂フィルム１２とともに押圧して、金型内に封止樹脂を流し込んで樹脂封止を行い、半導体チップ１７側を封止樹脂１９で封止する。

この樹脂フィルム１２は、特にダイパッド部１４の下面側および信号接続用リード部９の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするマスク的な役割を果たし、この樹脂フィルム１２の存在によって、ダイパッド部１４の下面や、信号接続用リード部９の裏面に樹脂バリが形成されるのを防止することができる。

この樹脂フィルム１２は、本実施形態のリードフレームの説明で示した通り、ポリエチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂をベースとしたフィルムまたはテープ状の部材であり、樹脂封止後は容易にリードフレーム本体から剥がすことができ、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるものであればよい。本実施形態では、ポリイミドを主成分とした接着性を有した樹脂フィルム１２を用い、厚みは５０［μｍ］のフィルムを用いた。

次に図７（ｅ）に示すように、第５の工程として、ダイパッド部１４の下面および信号接続用リード部９の裏面に貼付した樹脂フィルム１２をピールオフにより除去する。これにより、封止樹脂１９の裏面よりも下方に突出したダイパッド構造が得られ、また封止樹脂１９の裏面より突出した外部端子部２０が形成される。ここで、突出量の設定については、樹脂フィルム１２の厚みにより、外部端子部２０、ダイパッド部１４の突出量を調節できる。

最後に図７（ｆ）に示すように、第６の工程として、信号接続用リード部９の先端側を、信号接続用リード部９の先端面と封止樹脂１９の側面とがほぼ同一面になるように切り離すことにより、図６に示したような外部端子部２０、ダイパッド部１４が封止樹脂の下面から突出して露出した樹脂封止型半導体装置が完成される。なお、ダイパッド部１４の下面および信号接続用リード部９の裏面に貼付した樹脂フィルム１２を除去する前に、信号接続用リード部９の先端側をレーザーあるいは、金型で切断してもよい。

本実施形態の製造方法によると、従来のような吊りリード部が存在することによる制約により樹脂の成形性の悪影響がなくなり、樹脂中へのボイドの発生、歩留まり低下、それに大きな半導体チップ搭載の影響による未充填発生を少なくすることができる。

また、吊りリード部のスペースを信号接続用リード部９の配列に利用することができ、リードフレーム設計品質の向上が図れる。

また、吊りリード部を削除することにより、金属細線の接続上の制限や半導体チップの搭載制限が緩和されるため、生産性の良いダイパッド部１４の裏面が封止樹脂１９の裏面から突出した樹脂封止型半導体装置を容易に製造することができる。

しかも、本実施形態の製造方法によると、樹脂封止工程の前に予めダイパッド部１４の下面および信号接続用リード部９の裏面に樹脂フィルム１２を貼付しているので、封止工程時に封止樹脂１９が回り込むことがなく、ダイパッド部１４や、外部端子部となる信号接続用リード部９の裏面には樹脂バリの発生はなくなる。したがって、信号接続用リード部９の下面を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法のごとく、ダイパッド部１４の下面や外部端子部２０上に形成された樹脂バリをウォータージェットなどによって除去する必要はない。すなわち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォータージェットなどによる樹脂バリ除去工程において生じる恐れのあったリードフレームのニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）などの金属メッキ層の剥がれや不純物の付着は解消できる。そのため、樹脂封止工程前における各金属層のプリメッキ品質が向上する。

なお、ウォータージェットによる樹脂バリ除去工程を削除できるかわりに、樹脂フィルム１２を貼付する工程が新たに必要となるが、樹脂フィルム１２を貼付する工程の方が、ウォータージェット工程よりもコスト的に安価であり、また工程管理も容易であるため、確実に工程の簡略化が図れる。なによりも、従来必要であったウォータージェット工程では、リードフレームの金属メッキが剥がれる、不純物が付着するという品質上のトラブルが発生するが、本実施形態の方法では、樹脂フィルム１２の貼付により、ウォータージェットが不要となって、メッキ剥がれをなくすことができる点は大きな工程上の利点となる。また、樹脂フィルム１２の貼付状態などによって樹脂バリが発生することがあるとしても、極めて薄い樹脂バリであるので、低い水圧でウォータージェット処理して樹脂バリを除去でき、メッキ剥がれを防止できることから金属層のプリメッキ工程は可能である。

また、樹脂封止工程においては、封止金型の熱によって樹脂フィルム１２が軟化するとともに熱収縮するので、ダイパッド部１４および信号接続用リード部９が樹脂フィルム１２に食い込み、ダイパッド部１４と封止樹脂１９の裏面との間、信号接続用リード部９の裏面と封止樹脂１９の裏面との間には、それぞれ段差が形成される。したがって、ダイパッド部１４および信号接続用リード部９は封止樹脂１９の裏面から突出した構造となり、ダイパッド部１４のスタンドオフ高さや、信号接続用リード部９の下部である外部端子部２０の突出量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、本実施形態では、樹脂フィルム１２の厚みを５０［μｍ］としているので、それら突出量を例えば２０［μｍ］程度にできる。

このように、樹脂フィルム１２の厚みの調整によって外部端子部２０の封止樹脂からの突出量を適正量に維持できる。このことは、外部端子部２０のスタンドオフ高さを樹脂フィルム１２の厚みの設定のみでコントロールでき、別途スタンドオフ高さ量をコントロールのための手段または工程を設けなくてもよいことを意味し、量産工程における工程管理のコスト上、極めて有利な点である。なお、この樹脂フィルム１２の厚みは、１０〜１５０［μｍ］程度であることが好ましい。また、用いる樹脂フィルム１２については、所望する突出量により、所定の硬度，厚みおよび熱による軟化特性を有する材質を選択することができる。ただし、本実施形態において、樹脂フィルム１２に加える圧力の調整によって、ダイパッド部１４や外部端子部２０のスタンドオフ高さを調整してもよく、もちろん、スタンドオフ高さを実質的に０［μｍ］にすることも可能である。

次に本発明の樹脂封止型半導体装置の別の実施形態について説明する。図８は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。

図８に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、信号接続用リード部２２と、半導体チップ２３を支持するためのダイパッド部２４とからなるリードフレームを備えている。そして、ダイパッド部２４上に半導体チップ２３が接着剤により接合されており、半導体チップ２３の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード部２２とは、金属細線２５により互いに電気的に接続されている。そして、信号接続用リード部２２，ダイパッド部２４，半導体チップ２３および金属細線２５は、封止樹脂２６内に封止されている。

ここで、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の特徴は、ダイパッド部２４の裏面側がハーフエッチ等により中央部で凸部２４ａになり、その周囲にフランジ部２４ｂが存在するように段付形状になっていて、この凸部２４ａのうち下部のみが封止樹脂２６の裏面から突出している点である。そのため、封止樹脂２６により封止された状態では、封止樹脂２６がダイパッド部２４の凸部２４ａの周囲のフランジ部２４ｂの下方に薄く存在している。

また、信号接続用リード部２２の下面側には封止樹脂２６は存在せず、信号接続用リード部２２の下面が露出されており、この信号接続用リード部２２の下面が実装基板との接続面となる。すなわち、信号接続用リード部２２の下部が外部端子部２７を構成している。

そして、ダイパッド部２４の露出している凸部２４ａおよび外部端子部２７には本来的に樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、ダイパッド部２４の凸部２４ａおよび外部端子部２７の構造は、後述する製造方法によって容易に実現できるものである。

本実施形態の樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド部２４の裏面側が中央部で凸部２４ａとなる段付形状となっており、この凸部２４ａの下部のみが封止樹脂から露出しているので、ダイパッド部２４に対する封止樹脂２６の保持力が増大し、樹脂封止型半導体装置としての信頼性が向上する。

また、保持力が増大することで、封止樹脂２６とダイパッド部２４との密着性が向上し、両者の境界からの水分や湿気の侵入を阻むことができ、耐湿性が向上する。したがって、樹脂封止型半導体装置の信頼性がさらに向上する。

しかも、ダイパッド部２４は信号接続用リード部２２とほぼ同一面に露出して位置しており、凸部２４ａの下面には樹脂バリが存在していないので、凸部２４ａと実装基板との接合の信頼性や、放熱特性が向上する。

そして、ダイパッド部２４の裏面が露出されて放熱面となり、外部端子部２７には樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、かつダイパッド部２４および外部端子部２７は封止樹脂２６の裏面よりも下方に少し突出している。このような樹脂バリの存在しないかつ下方に突出したダイパッド部２４および外部端子部２７の構造は、ダイパッド部２４および信号接続用リード部２２の下面に樹脂フィルムを固着させて樹脂封止を行なうことにより、容易に実現できる。

なお、本実施形態では、信号接続用リード部２２の側方には外部端子となるアウターリードが存在せず、信号接続用リード部２２の下部が外部端子部２７となっているので、樹脂封止型半導体装置の小型化を図ることができる。

また、外部端子部２７およびダイパッド部２４が封止樹脂２６の面より突出して形成されているため、実装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部端子部およびダイパッド部２４と実装基板の電極との接合において、外部端子部２７およびダイパッド部２４のスタンドオフ高さが予め確保されていることになる。したがって、外部端子部２７をそのまま外部電極として用いることができ、実装基板への実装のために外部端子部２７にはんだボールを付設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利となる。

次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図９（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す断面図である。

まず図９（ａ）に示すように、第１の工程として、信号接続用リード部２２に連結する外部端子部２７よりなるリードフレーム構成体の下面に樹脂フィルム２８を密着させ、開口部２９に半導体チップを支持するためのダイパッド部２４を固着したリードフレーム３０を用意する。図中、信号接続用リード部２２、ダイパッド部２４の底面は、少なくとも樹脂フィルム２８によって固着されている。また、さらに、用意するリードフレーム３０は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーを設けていないリードフレームである。

次に図９（ｂ）に示すように、第２の工程として、用意したリードフレーム３０のダイパッド部２４上に半導体チップ２３を接着剤を介して搭載する。この工程は、いわゆるダイボンド工程である。

そして図９（ｃ）に示すように、第３の工程として、ダイパッド部２４上に接合した半導体チップ２３と信号接続用リード部２２とを金属細線２５により電気的に接合する。この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。

次に図９（ｄ）に示すように、第４の工程として、ダイパッド部２４上に半導体チップ２３が接合され、樹脂フィルム２８が裏面に貼り付けられたリードフレーム３０を封止金型内に収納し、金型でリードフレーム３０の信号接続用リード２２の先端側（外枠）を樹脂フィルム２８とともに押圧して、金型内に樹脂を流し込んで樹脂封止を行い、封止樹脂２６を形成する。この樹脂フィルム２８は、特にダイパッド部２４の凸部２４ａの下面側および信号接続用リード部２２の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂２６が回り込まないようにするマスク的な役割を果たさせるためのものであり、この樹脂フィルム２８の存在によって、ダイパッド部２４の凸部２４ａの下面や、信号接続用リード部２２の裏面に樹脂バリが形成されるのを防止することができる。

この際、ダイパッド部２４の下面側および信号接続用リード２２の裏面側に封止樹脂２６が回り込むことは接着性を有した樹脂フィルム２８に固着されているためにない。

次に図９（ｅ）に示すように、第５の工程として、ダイパッド部２４の凸部２４ａの下面および信号接続用リード部２２の裏面に貼付した樹脂フィルム２８をピールオフにより除去する。これにより、ダイパッド部２４の裏面側においては凸部２４ａの下部のみが封止樹脂の裏面よりも下方に突出した構造が得られ、封止樹脂２６の裏面より突出した外部端子部２７が形成される。

そして最後に図９（ｆ）に示すように、第６の工程として、信号接続用リード部２２の先端側を、信号接続用リード部２２の先端面と封止樹脂２６の側面とがほぼ同一面になるように切り離すことにより、樹脂封止型半導体装置が完成される。

本実施形態の製造方法によると、図９（ｆ）に示すように、ダイパッド部２４の凸部２４ａの一部のみが封止樹脂２６の裏面から突出し、かつ、凸部２４ａの周辺のフランジ部２４ｂの下方に封止樹脂２６が存在している樹脂封止型半導体装置を容易に製造することができる。

しかも、本実施形態の製造方法によると、樹脂封止工程の前に予めダイパッド部２４の凸部２４ａの下面および信号接続用リード部２２の裏面に樹脂フィルム２８を貼付しているので、封止樹脂２６が回り込むことがなく、ダイパッド部２４の凸部２４ａや、外部端子部２７となる信号接続用リード部２２の裏面には樹脂バリの発生はない。したがって、信号接続用リード部２２の下面を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法のごとく、ダイパッド部２４の凸部２４ａの下面や外部端子部２７上に形成された樹脂バリをウォータージェットなどによって除去する必要はない。すなわち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォータージェットなどによる樹脂バリ除去工程において生じるおそれのあったリードフレームのニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）などの金属メッキ層の剥がれや不純物の付着は解消できる。そのため、樹脂封止工程前における各金属層のプリメッキが可能となることは前述と同様である。

本実施形態において、樹脂封止工程においては、封止金型の熱によって樹脂フィルム２８が軟化するとともに熱収縮するので、ダイパッド部２４の凸部２４ａおよび信号接続用リード部２２が樹脂フィルム２８に食い込み、ダイパッド部２４の凸部２４ａと封止樹脂２６の裏面との間、信号接続用リード部２２の裏面と封止樹脂２６の裏面との間には、それぞれ段差が形成される。したがって、ダイパッド部２４の凸部２４ａおよび信号接続用リード部２２は封止樹脂２６の裏面から突出した構造となり、ダイパッド部２４の凸部２４ａのスタンドオフ高さや、信号接続用リード部２２の下部である外部端子部２７の突出量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、本実施形態では、樹脂フィルム２８の厚みを５０［μｍ］としているので、突出量を例えば２０［μｍ］程度にできる。このように、樹脂フィルム２８の厚みの調整によって外部端子部２８の封止樹脂からの突出量を適正量に維持できる。このことは、外部端子部２７のスタンドオフ高さを樹脂フィルム２８の厚みの設定のみでコントロールでき、別途スタンドオフ高さ量をコントロールのための手段または工程を設けなくてもよいこと意味し、量産工程における工程管理のコスト上、極めて有利な点である。なお、用いる樹脂フィルム２８については、所望する突出量により、所定の硬度，厚みおよび熱による軟化特性を有する材質を選択することができる。

次に本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態について説明する。

本実施形態における樹脂封止型半導体装置の基本的な構造は、前記した各実施形態における構造と同じであるが、ダイパッド部の形状のみが異なる。そこで、本実施形態においては、ダイパッド部の形状のみについて説明し、他の部分についての説明は省略する。

まず図１０は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。図１０に示すように、ダイパッド部３１は、信号接続用リード部３２より厚みが厚く形成されている。

本実施形態の樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド部３１の厚みが厚く形成されているので、ダイパッド外形より大きな半導体チップ３３を搭載することが容易にでき、信号接続用リード部３２の先端部上に半導体チップ３３の一部を配して、より外に出すことも可能である。

前記した構造により、半導体チップ３３の裏面には、封止樹脂３４が密着することになり、接着力が向上し、耐湿性の良い樹脂封止型半導体装置が実現する。また大きな半導体チップを搭載することは小型化を図る上で有効な手段となる。

また、このダイパッド部３１は、半導体チップ３３より小さな搭載領域でも良く、半導体チップの大きさが変わっても共用性に優れ、リードフレームの共用化範囲が他の半導体装置に比べ広く生産上の効率化に貢献できる。

次に図１１に示す樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部３５は信号接続用リード部３６より厚みが厚く、また、ダイパッド部３５の裏面側にはハーフエッチ等により凸部が形成されている点は、前記した実施形態の構造と同じである。

図１１に示す樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド部３５の裏面側が中央部で凸部３５ａとなる段付形状となっており、この凸部３５ａの下部のみが封止樹脂３７から露出しているので、ダイパッド部３５に対する封止樹脂３７の保持力が増大し、樹脂封止型半導体装置としての信頼性が向上する上に、ダイパッド部３５の厚みが厚く形成されているので、ダイパッド部３５の外形より大きな半導体チップ３８を搭載することが容易にでき信号接続用リード部３６の先端部上にその一部を配して、より外に出すことも可能であり搭載する半導体チップ３８の大きさの制限を緩和することができる。言い換えると、同じ大きさの半導体チップに対する樹脂封止型半導体装置としてのサイズを小さくすることができる。

次に図１２に示す樹脂封止型半導体装置は、基本的な構造は前記した各実施形態で示した樹脂封止型半導体装置の構造と同じであるが、信号接続用リード部３９の形状のみが異なる。したがって、ここでは、信号接続用リード部３９の形状のみについて説明し、他の部分についての説明は省略する。なお、図１３は図１２に示す樹脂封止型半導体装置の信号接続用リード部３９の構造を示す図であり、図１３（ａ）は信号接続用リード部の部分的な側面図、図１３（ｂ）は平面図、図１３（ｃ）は正面図である。

図１２、図１３に示すように本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、信号接続用リード部３９と、半導体チップ４０を支持するためのダイパッド部４１とよりなり、ダイパッド部４１上に半導体チップ４０が接着剤により接合されており、半導体チップ４０の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード部３９とは、金属細線４２により互いに電気的に接続されている。そして、信号接続用リード部３９、ダイパッド部４１、半導体チップ４０および金属細線４２は、封止樹脂４３内に封止されている。そして信号接続用リード部３９の形状は表面に溝部４４が設けられ、その上側部には幅広部４５を有している。特徴点としては、信号接続用リード部３９の上面の溝部４４と溝部４４との間に金属細線４２を接続していることである。

前記構成の通り、信号接続用リード部３９には溝部４４または幅広部４５、さらにはその両方を有することにより、リード部と封止樹脂４３との密着性（アンカー効果）を向上させることができ、外部端子部４６に加わるストレスや金属細線４２へのストレスを緩和させることができ、製品の信頼性を保つことができる。すなわち、封止樹脂４３からの外部端子部４６のヌケはがれを防止できる。さらに外部端子部４６に対しては、実装による応力が印加されることになるが、外部端子部４６の上側部には溝部４４を形成しており、その溝部４４によって外部端子部４６に加わる応力を吸収し、緩和することができる。また、本発明の要旨を越えない限り種々の変形実施が可能であることはいうまでもない。たとえば、金線接続部分を外部端子部４６の上部の溝部４４より離して配置しても良く、この場合、金属細線４２の接続長さを短くでき、生産性が向上する。

次に図１４に示した樹脂封止型半導体装置は、信号接続用リード部４７と、半導体チップ４８を支持するためのダイパッド部４９と、半導体チップ４８の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード部４７とを接続する金属細線５０より構成され、信号接続用リード部４７，ダイパッド部４９，半導体チップ４８および金属細線５０は、封止樹脂５１内に封止されている。

図１４に示した樹脂封止型半導体装置の信号接続用リード部４７は、図１５に示すように、信号接続用リード部４７の裏面側における内方側領域は表面に溝部５２が設けられ、その上側部には幅広部５３を有し、先端部は下面が薄く加工されて薄厚部５４を構成しており、ダイパッド部４９の近傍に延在している。

前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導体装置は、幅広部５３、溝部５２等により封止樹脂５１と各リード部との密着性を向上させることができ、信号接続用リード部４７に加わる封止構造によるストレスを緩和でき信頼性を向上させることができる。そして特徴的なのが金属細線５０の接続部分を信号接続用リード部４７の先端部の下面を薄く加工した薄厚部５４に接続しているので、接続部分が応力によりダメージを受け、破壊するようなこともなくなる。サイズの小さな半導体チップの接続により適しており、金属細線５０の長さを短くすることができる。さらに、信号接続用リード部４７には溝部５２または幅広部５３、さらにはその両方を有することにより、実装後の外部端子部に加わるストレスや金属細線５０へのストレスを緩和させることができ、製品の信頼性を保つことができるとともに、封止樹脂５１との密着性（アンカー効果）も向上させることできる。すなわち、封止樹脂５１から外部端子部のヌケはがれを防止できる。また、外部端子部に対しては、封止樹脂５１による応力が印加されることになるが、外部端子部の上側部には溝部５２を形成しており、その溝部５２によって外部端子部に加わる応力を吸収し、緩和することができる。

以上、各実施形態に示したように、金属細線の接続位置を半導体チップの大きさにより適宜、適切な位置に設定することによりリードフレームを共用化することが可能になる。

本発明の一実施形態のリードフレームを示す平面図 本発明の一実施形態のリードフレームの製造方法を示す平面図 本発明の一実施形態のリードフレームの製造方法を示す平面図 本発明の一実施形態のリードフレームの製造方法を示す平面図 本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図 本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す平面図 本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図 本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す断面図 本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図 本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す断面図 本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す断面図 本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の要部を示す断面図 本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置のリード部を示す図 本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す断面図 本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置のリード部を示す図 従来の樹脂封止型半導体装置を示す図

符号の説明

１ 信号接続用リード部
２ ダイパッド部
３ 吊りリード部
４ 半導体チップ
５ 金属細線
６ 封止樹脂
７ 外部端子
８ アップセット部
９ 信号接続用リード部
１０ アウターリード部
１１ フレーム枠
１２ 樹脂フィルム
１３ 開口部
１４ ダイパッド部
１５ リードフレーム構成体
１６ 接続部
１７ 半導体チップ
１８ 金属細線
１９ 封止樹脂
２０ 外部端子部
２１ リードフレーム
２２ 信号接続用リード部
２３ 半導体チップ
２４ ダイパッド部
２５ 金属細線
２６ 封止樹脂
２７ 外部端子部
２８ 樹脂フィルム
２９ 開口部
３０ リードフレーム
３１ ダイパッド部
３２ 信号接続用リード部
３３ 半導体チップ
３４ 封止樹脂
３５ ダイパッド部
３６ 信号接続用リード部
３７ 封止樹脂
３８ 半導体チップ
３９ 信号接続用リード部
４０ 半導体チップ
４１ ダイパッド部
４２ 金属細線
４３ 封止樹脂
４４ 溝部
４５ 幅広部
４６ 外部端子部
４７ 信号接続用リード部
４８ 半導体チップ
４９ ダイパッド部
５０ 金属細線
５１ 封止樹脂
５２ 溝部
５３ 幅広部
５４ 薄厚部

Claims (14)

1. ダイパッドと、
   信号接続用リード部と外部端子部とを有するリードと、
   前記ダイパッドに搭載された半導体素子と、
   前記半導体素子と前記信号接続用リード部とを電気的に接続する金属細線と、
   前記金属細線、前記半導体素子、前記信号接続用リード部の上面全体および前記外部端子部の上面を封止し、前記信号接続用リード部の下面全体および前記外部端子部の下面を露出する封止樹脂とを備え、
   前記信号接続用リード部は、前記封止樹脂で封止された上面が下面よりも大きく、かつ前記封止樹脂で封止された溝を有し、
   前記金属細線は、前記溝の上でない前記信号接続用リード部に接続された樹脂封止型半導体装置。
2. 前記溝は、前記信号接続用リード部の上面に形成されている請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
3. 前記半導体素子は前記ダイパッドからはみ出して搭載されている請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置。
4. 前記信号接続用リード部は、幅広部を有する請求項１から３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
5. 前記溝は、前記金属細線と前記信号接続用リード部との接続部のストレスを吸収する請求項１から４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
6. 前記封止樹脂は、前記ダイパッドの下面を露出している請求項１から５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
7. 前記ダイパッドは、外周部下方に段差部が設けられて中央部が凸部となり、
   前記封止樹脂は、前記凸部の周辺のフランジ部を封止する請求項１から６のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
8. ダイパッドと、
   リードと、
   前記ダイパッドに搭載された半導体素子と、
   前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続する金属細線と、
   前記金属細線、前記半導体素子、前記リードの上面を封止し、前記リードの下面全体を露出する封止樹脂とを備え、
   前記リードは、前記樹脂封止で封止された上面が下面よりも大きく、かつ前記封止樹脂で封止された溝を有し、
   前記金属細線は、前記溝の上でない前記リードに接続される樹脂封止型半導体装置。
9. 前記溝は、前記リードの上面に形成されている請求項８に記載の樹脂封止型半導体装置。
10. 前記半導体素子は前記ダイパッドからはみ出して搭載されている請求項８または９に記載の樹脂封止型半導体装置。
11. 前記リードは、幅広部を有する請求項８から１０のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
12. 前記溝は、前記金属細線と前記リードとの接続部のストレスを吸収する請求項８から１１のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
13. 前記封止樹脂は、前記ダイパッドの下面を露出している請求項８から１２のいずれかに載の樹脂封止型半導体装置。
14. 前記ダイパッドは、外周部下方に段差部が設けられて中央部が凸部となり、
    前記封止樹脂は、前記凸部の周辺のフランジ部を封止する請求項８から１４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。

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