[go: up one dir, main page]

JP3461720B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number
JP3461720B2
JP3461720B2 JP10919798A JP10919798A JP3461720B2 JP 3461720 B2 JP3461720 B2 JP 3461720B2 JP 10919798 A JP10919798 A JP 10919798A JP 10919798 A JP10919798 A JP 10919798A JP 3461720 B2 JP3461720 B2 JP 3461720B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead
semiconductor device
signal connecting
sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP10919798A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11307675A (ja
Inventor
幸雄 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP10919798A priority Critical patent/JP3461720B2/ja
Publication of JPH11307675A publication Critical patent/JPH11307675A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3461720B2 publication Critical patent/JP3461720B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び
信号接続用リードを封止樹脂により封止した樹脂封止型
半導体装置に係り、特に薄型化したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。
【０００４】図２０は、従来の樹脂封止型半導体装置の
断面図である。図２０に示すように、従来の樹脂封止型
半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂
封止型半導体装置である。
【０００５】従来の樹脂封止型半導体装置は、インナー
リード１０１と、ダイパッド１０２と、そのダイパッド
１０２を支持する吊りリード（図示せず）とからなるリ
ードフレームとを備えている。そして、ダイパッド１０
２上に半導体チップ１０４が接着剤により接合されてお
り、半導体チップ１０４の電極パッド（図示せず）とイ
ンナーリード１０１とは、金属細線１０５により電気的
に接続されている。そして、ダイパッド１０２，半導体
チップ１０４，インナーリード１０１の一部，吊りリー
ド及び金属細線１０５は封止樹脂１０６により封止され
ている。この構造では、インナーリード１０１の裏面側
には封止樹脂１０６は存在せず、インナーリード１０１
の裏面側は露出されており、この露出面を含むインナー
リード１０１の下部が外部電極１０７となっている。な
お、封止樹脂１０６との密着性を確保するために、イン
ナーリード１０１やダイパッド１０２の側面を表裏の面
に対して直交するのではなく、上方に向かって拡大する
テーパ状にしている。
【０００６】このような樹脂封止型半導体装置において
は、封止樹脂１０６の裏面とダイパッド１０２の裏面と
は共通の面上にある。すなわち、リードフレームの裏面
側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止型
半導体装置が実現する。
【０００７】図２０に示す構造を有する樹脂封止型半導
体装置の製造工程においては、まず、インナーリード１
０１、ダイパッド１０２を有するリードフレームを用意
し、機械的又は化学的加工を行なって、リードフレーム
の側面をテーパ状にする。次に、用意したリードフレー
ムのダイパッド１０２の上に半導体チップ１０４を接着
剤により接合した後、半導体チップ１０４とインナーリ
ード１０１とを金属細線１０５により電気的に接続す
る。金属細線１０５には、アルミニウム細線、金（Ａ
ｕ）線などが適宜用いられる。次に、ダイパッド１０
２，半導体チップ１０４，インナーリード１０１，吊り
リード及び金属細線１０５を封止樹脂１０６により封止
する。この場合、半導体チップ１０４が接合されたリー
ドフレームが封止金型内に収納されて、トランスファー
モールドされるが、特にリードフレームの裏面が封止金
型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂封止が行
なわれる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂１０６から外
方に突出しているアウターリードを切断して、樹脂封止
型半導体装置が完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の樹脂封止型半導体装置においては、ある程度の薄型
化は実現するものの、その薄型化には限界があった。加
えて、以下のような問題があった。
【０００９】ダイパッドの上面及び側面には封止樹脂が
存在するものの、ダイパッドの裏面側には、封止樹脂が
存在しない。そのために、ダイパッド及び半導体チップ
に対する封止樹脂の保持力が低下して、信頼性が悪化す
るという問題があった。また、実質的にリードフレーム
の上面のみを樹脂封止している構造上、熱膨張率の差な
どによって封止樹脂の応力および実装後の応力により半
導体チップが悪影響を受けたり、封止樹脂にパッケージ
クラックが発生するという問題もあった。一方、ダイパ
ッドをアップセットした構造もあるが、樹脂が両側に入
り込むのでその分厚みがさらに増すという問題があっ
た。
【００１０】さらに、インナーリードと半導体チップと
を金属細線により接続し、樹脂封止を行なう際に、封止
樹脂からの応力により、金属細線で接続されたインナー
リードに応力による負荷が加わり、接続部分が破壊され
て接続不良が発生したり、プリント基板等のマザーボー
ドへの実装後も種々の応力が加わると接続不良などの不
良が発生するという問題があった。
【００１１】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、極めて薄型化されながら高い信頼性
を発揮しうる樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を
提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記各目的を達成するた
めに、本発明の第１の樹脂封止型半導体装置は、電極パ
ッドを有する半導体チップと、信号接続用リードと、上
記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードと
を電気的に接続する接続部材と、ダイパッド，上記半導
体チップ，上記信号接続用リード及び上記接続部材を封
止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの上面
及び下面は、上記封止樹脂から露出し、上記信号接続用
リードの上面及び下面には溝が設けられている。
【００１３】これにより、樹脂封止型半導体装置の厚み
が信号接続用リードの厚みに等しくなる。したがって、
従来の樹脂封止型半導体装置のように信号接続用リード
の厚みとその上又は上下の封止樹脂の厚みとを加算した
厚みを有する構造に比べると、極めて薄い樹脂封止型半
導体装置を得ることができ、小型化，薄型化による実装
密度の向上を図ることができる。また、信号接続用リー
ドの上面及び下面に溝が設けられていることにより、信
号接続用リードに対する封止樹脂の保持力を高めること
ができ、樹脂封止型半導体装置の信頼性の向上を図るこ
とができる。
【００１４】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置は、
電極パッドを有する半導体チップと、側面に溝が設けら
れた信号接続用リードと、上記半導体チップの電極パッ
ドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部
材と、ダイパッド，上記半導体チップ，上記信号接続用
リード及び上記接続部材を封止する封止樹脂とを備え、
上記信号接続用リードの上面及び下面は、上記封止樹脂
から露出している。
【００１５】これにより、樹脂封止型半導体装置の厚み
が信号接続用リードの厚みに等しくなる。したがって、
従来の樹脂封止型半導体装置のように信号接続用リード
の厚みとその上又は上下の封止樹脂の厚みとを加算した
厚みを有する構造に比べると、極めて薄い樹脂封止型半
導体装置を得ることができ、小型化，薄型化による実装
密度の向上を図ることができる。
【００１６】上記信号接続用リードの溝が複数個設けら
れている場合には、両側面で互いに千鳥状に配置されて
いることが好ましい。これにより、信号接続用リードの
幅が極端に狭くなる部分がなくなるので、強度の低下を
抑制することができ、信頼性の低下を防止することがで
きる。
【００１７】本発明の第３の樹脂封止型半導体装置は、
電極パッドを有する半導体チップと、上面側の少なくと
も一部には側方に突出したフランジ部が設けられている
信号接続用リードと、上記半導体チップの電極パッドと
上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材
と、ダイパッド，上記半導体チップ，上記信号接続用リ
ード及び上記接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上
記信号接続用リードの上面及び下面は、上記封止樹脂か
ら露出している。
【００１８】これにより、樹脂封止型半導体装置の厚み
が信号接続用リードの厚みに等しく なる。したがって、
従来の樹脂封止型半導体装置のように信号接続用リード
の厚みとその上又は上下の封止樹脂の厚みとを加算した
厚みを有する構造に比べると、極めて薄い樹脂封止型半
導体装置を得ることができ、小型化，薄型化による実装
密度の向上を図ることができる。また、フリンジ部が設
けられていることにより、信号接続用リードに対する封
止樹脂の保持力を高めることができるとともに、半導体
チップとの電気的接続を行なう面を広く確保することも
可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂封止型半導体装置
は、ダイパッドの上面及び下面を封止樹脂から露出させ
た共通の構成を有しており、以下、その中の各種の実施
形態について説明する。
【００２０】（第１の実施形態） 図１及び図２は、それぞれ第１の実施形態に係る樹脂封
止型半導体装置の断面図及び斜視図である。ただし、図
１においては封止樹脂１７を透明体として扱い、吊りリ
ードの図示は省略している。
【００２１】図１及び図２に示すように、本実施形態の
樹脂封止型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半
導体チップを支持するためのダイパッド１３と、そのダ
イパッド１３を支持するための吊りリード（図示せず）
とからなるリードフレームを備えている。ここで、信号
接続用リード１２の上面側には、信号接続用リード１２
の内方部１２ａが薄くなるように段差が設けられてい
る。また、ダイパッド１３及び吊りリードは、信号接続
用リード１２の内方部１２ａと同じ厚みを有するように
設けられている。そして、ダイパッド１３上に半導体チ
ップ１５が接着剤により接合されており、半導体チップ
１５の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード１２
の内方部１２ａの上面とは、金属細線１６により互いに
電気的に接続されている。そして、信号接続用リード１
２，ダイパッド１３，吊りリード，半導体チップ１５及
び金属細線１６は、封止樹脂１７内に封止されている。
【００２２】ここで、本実施形態の特徴は、信号接続用
リード１２の上面，端面及び下面が封止樹脂１７から露
出しており、この信号接続用リード１２の上面又は下面
が実装基板との接続面となる点である。すなわち、信号
接続用リード１２の中央部を除く上部又は下部、あるい
はその双方を外部電極として機能させることが可能に構
成されている。
【００２３】このように、信号接続用リード１２の上面
及び下面の双方を封止樹脂１７から露出させることによ
り、樹脂封止型半導体装置全体の厚みがリードフレーム
の厚みに等しくなり、極めて薄型の樹脂封止型半導体装
置を実現することができ、実装密度の向上を図ることが
できる。また、図１８に示すように、図１に示す構造を
有するパッケージ体を積層し、各パッケージ体の信号接
続用リード１２同士を互いに接触させることにより、立
体的構造を有する半導体装置を構成することもできる。
【００２４】また、本実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置においては、信号接続用リード１２の内方部１２ａ
が薄くなるように信号接続用リード１２の上面側に段差
が設けられていることで、半導体チップ１５の電極パッ
ドとの間で金属細線１６による電気的な接続を図ること
が容易となる。
【００２５】また、図１に示す状態で、半導体チップ１
５が信号接続用リード１２にバンプなどを介してフリッ
プチップ接続されていてもよい。その場合、ダイパッド
１３や吊りリードがなくてもよい。
【００２６】さらに、露出している部分の長さが上部よ
りも長い信号接続用リード１２の下部を封止樹脂１７の
下面から突出させて、この部分を外部電極とするように
構成してもよい。このような構造は、第２の実施形態で
説明する封止テープを使用する樹脂封止工程によって容
易かつ低コストで実現することができる。その場合、実
装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部電極
と実装基板の電極との接合において、外部電極のスタン
ドオフ高さが予め確保されていることになる。したがっ
て、外部電極をそのまま外部端子として用いることがで
き、実装基板への実装のために外部電極にはんだボール
を付設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利
となる。
【００２７】ここで、図１及び図２においては、信号接
続用リード１２の細部の構造の図示は省略されている。
この信号接続用リード１２の構造の例としては、以下の
各具体例に係る構造がある。
【００２８】−第１の具体例− 図３（ａ）〜（ｃ）は、本具体例に係る信号接続用リー
ド１２の平面図，正面図及び側面図である。図３（ａ）
〜（ｃ）に示すように、本具体例に係る信号接続用リー
ド１２の上面には、２つの溝３０ａ，３０ｂが形成され
ている。このように、信号接続用リード１２の一部に溝
３０ａ，３０ｂを設けることにより、その表面積が広く
なるだけでなく樹脂封止後にはこの溝３０ａ，３０ｂ内
に封止樹脂が入り込むので、信号接続用リード１２に対
する封止樹脂１７の保持力が向上する。したがって、マ
ザーボードへの実装時や実装後の応力による信号接続用
リード１２の抜け落ちなどを防止することができ、樹脂
封止型半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００２９】なお、信号接続用リード１２の溝は複数個
設けられている必要はなく、１つのみでも保持力の向上
効果は発揮しうる。また、本具体例では、信号接続用リ
ード１２の上面側に溝３０ａ，３０ｂが設けられている
が、下面側に設けられていてもよい。
【００３０】図４は、本具体例の変形例に係る信号接続
用リード１２の斜視図である。この例では、信号接続用
リード１２の上面及び下面にそれぞれ異なる位置に１つ
ずつの溝３０ｃ，３０ｄが設けられている。このよう
に、上面及び下面に溝を設けることにより、信号接続用
リード１２の上方，下方のいずれの方向の引っ張り力に
対しても封止樹脂１７の保持力の向上効果を発揮するこ
とができる。また、溝３０ａ，３０ｂが互いに異なる位
置に設けられているので、信号接続用リード１２の厚み
が極端に薄くなるのを確実に防止することができる。
【００３１】−第２の具体例− 図５（ａ）〜（ｃ）は、本具体例に係る信号接続用リー
ド１２の平面図，正面図及び側面図である。図５（ａ）
〜（ｃ）に示すように、本具体例に係る信号接続用リー
ド１２の各側面には、それぞれ２つ合計４つの溝３１ａ
〜３１ｄが形成されている。このように、信号接続用リ
ード１２の一部に溝３１ａ〜３１ｄを設けることによ
り、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持
力が向上する。したがって、マザーボードへの実装時や
実装後の応力による信号接続用リード１２の抜け落ちな
どを防止することができ、樹脂封止型半導体装置の信頼
性の向上を図ることができる。
【００３２】なお、本具体例においても、信号接続用リ
ード１２の溝が１つのみでも保持力の向上効果は発揮し
うる。
【００３３】図６は、本具体例の変形例に係る信号接続
用リード１２の斜視図である。この例では、信号接続用
リード１２の両側の側面にそれぞれ１つずつの溝３１
ｅ，３１ｆが設けられている。この変形例の構造によっ
ても、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保
持力の向上効果を発揮することができる。
【００３４】−第３の具体例− 図７は、本具体例に係る信号接続用リード１２の斜視図
である。図７に示すように、本具体例に係る信号接続用
リード１２の一方の側面には２つの溝３２ａ，３２ｂが
設けられ、信号接続用リード１２の他方の側面には、上
記２つの溝３２ａ，３２ｂの長さ方向における中間位置
に１つの溝３２ｃが設けられている。つまり、各溝３２
ａ〜３２ｃは、互いに千鳥状に設けられている。このよ
うに、信号接続用リード１２の両側面に溝３２ａ〜３２
ｃを千鳥状に設けることにより、強度の低下を抑制しな
がら信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持
力の向上を図ることができる。したがって、マザーボー
ドへの実装時や実装後の応力による信号接続用リード１
２の抜け落ちなどを防止することができるとともに、信
号接続用リード１２の強度を高く維持することができ、
樹脂封止型半導体装置の信頼性の向上を図ることができ
る。
【００３５】−第４の具体例− 図８（ａ）〜（ｃ）は、本具体例に係る信号接続用リー
ド１２の平面図，正面図及び側面図である。図８（ａ）
〜（ｃ）に示すように、本具体例に係る信号接続用リー
ド１２のうち上面側の一部にはフランジ部３３が設けら
れている。また、本具体例に係る信号接続用リード１２
の下面には、それぞれ２つの溝３４ａ，３４ｂが形成さ
れている。このように、信号接続用リード１２の上面側
にフランジ部３３を設け、それに対向する下面側に溝３
４ａ，３４ｂを設けることにより、信号接続用リード１
２に対する封止樹脂１７の保持力がさらに向上する。し
たがって、マザーボードへの実装時や実装後の応力によ
る信号接続用リード１２の抜け落ちなどをより確実に防
止することができ、樹脂封止型半導体装置の信頼性の向
上を図ることができる。
【００３６】なお、信号接続用リード１２において、フ
ランジ部３３が下面側に設けられ、溝３４ａ，３４ｂが
上面側に設けられていてもよい。また、溝は複数個設け
られている必要はない。
【００３７】−第５の具体例− 図９は、本具体例に係る信号接続用リード１２の斜視図
である。図９に示すように、本具体例に係る信号接続用
リード１２のうち上面側の封止樹脂から露出する部分全
体にはフランジ部３５が設けられている。また、本具体
例に係る信号接続用リード１２の各側面には、それぞれ
２つの溝３６ａ，３６ｂが形成されている（一方の側面
における溝は図示せず）。本具体例においても、信号接
続用リード１２の上面側にフランジ部３５を設け、側面
に溝３６ａ，３６ｂを設けることにより、信号接続用リ
ード１２に対する封止樹脂１７の保持力がさらに向上す
る。したがって、マザーボードへの実装時や実装後の応
力による信号接続用リード１２の抜け落ちなどをより確
実に防止することができ、樹脂封止型半導体装置の信頼
性の向上を図ることができる。
【００３８】なお、信号接続用リード１２において、フ
ランジ部３５が下面側に設けられていてもよい。また、
溝は各側面に複数個ずつ設けられている必要はない。あ
るいは、両側面において複数の溝が千鳥状に設けられて
いてもよい。
【００３９】（第２の実施形態） 図１０は、第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の断面図である。ただし、図１０においては封止樹脂１
７を透明体として扱い、吊りリードの図示は省略してい
る。
【００４０】図１０に示すように、本実施形態の樹脂封
止型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半導体チ
ップを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッ
ド１３を支持するための吊りリードとからなるリードフ
レームを備えている。ここで、信号接続用リード１２の
上面側及び下面側には、信号接続用リード１２の内方部
１２ａが薄くなるように段差が設けられている。また、
ダイパッド１３及び吊りリード（図示せず）は、信号接
続用リード１２の内方部１２ａと同じ厚みを有するよう
に設けられている。そして、ダイパッド１３上に半導体
チップ１５が接着剤により接合されており、半導体チッ
プ１５の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード１
２の内方部１２ａの上面とは、金属細線１６により互い
に電気的に接続されている。そして、信号接続用リード
１２，ダイパッド１３，吊りリード，半導体チップ１５
及び金属細線１６は、封止樹脂１７内に封止されてい
る。ただし、信号接続用リード１２の内方部１２ａを除
く部分の下部は、封止樹脂１７の下面よりも下方に突出
しており、この部分が外部電極１８として機能するよう
に構成されている。
【００４１】このように、信号接続用リード１２の上面
及び下面の双方を封止樹脂１７から露出させることによ
り、極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができ、実装密度の向上を図ることができる。また、図
１８に示すように、図１０に示す構造を有するパッケー
ジ体を積層し、各パッケージ体の信号接続用リード１２
同士を互いに接触させることにより、立体的構造を有す
る半導体装置を構成することもできる。
【００４２】また、本実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置においては、信号接続用リード１２の内方部１２ａ
が薄くなるように信号接続用リード１２の上面側及び下
面側に段差が設けられていることで、半導体チップ１５
の電極パッドとの間で金属細線１６による電気的な接続
を図ることが容易となるとともに、薄くなった内方部１
２ａの下方側にも封止樹脂１７が存在することになり、
第１の実施形態の構造よりも信号接続用リード１２に対
する封止樹脂１７の保持力が高くなるという利点があ
る。そして、保持力が増大することで、封止樹脂１７と
ダイパッド１３との密着性が向上するので、両者の境界
からの水分や湿気の侵入を阻むことができ、耐湿性が向
上する。したがって、樹脂封止型半導体装置の信頼性が
さらに向上する。
【００４３】さらに、信号接続用リード１２の側方には
外部電極端子となるアウターリードが存在せず、インナ
ーリードに相当する信号接続用リード１２の下部が外部
電極１８となっているので、半導体装置の小型化を図る
ことができる。また、外部電極１８が封止樹脂１７の面
より突出して形成されているため、実装基板に樹脂封止
型半導体装置を実装する際の外部電極と実装基板の電極
との接合において、外部電極１８のスタンドオフ高さが
予め確保されていることになる。したがって、外部電極
１８をそのまま外部端子として用いることができ、実装
基板への実装のために外部電極１８にはんだボールを付
設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利とな
る。しかも、後述する製造方法により、信号接続用リー
ド１２の下面つまり外部電極１８の下面には樹脂バリが
存在していないので、実装基板の電極との接合の信頼性
が向上する。
【００４４】また、本実施形態において、信号接続用リ
ード１２の下部は必ずしも封止樹脂１７の下面よりも下
方に突出させる必要はない。さらに、信号接続用リード
１２の上部を封止樹脂１７の上面よりも上方に突出させ
て、外部電極として機能させることも可能である。ある
いは、信号接続用リード１２の下部及び上部を封止樹脂
１７の下面，上面から突出させて、上部又は下部のいず
れか一方を外部電極として任意に選択可能にしておいて
もよい。
【００４５】また、図１０に示す状態で、半導体チップ
１５が信号接続用リード１２にバンプなどを介してフリ
ップチップ接続されていてもよい。その場合、ダイパッ
ド１３や吊りリードがなくてもよい。
【００４６】ここで、図１０においては、信号接続用リ
ード１２の細部の構造の図示は省略されているが、この
信号接続用リード１２の構造の例として、上記第１の実
施形態の各具体例に係る構造をそのまま採用することが
できる。
【００４７】次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図
１１〜図１５は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造工程を示す断面図である。
【００４８】まず、図１１に示す工程で、信号接続用リ
ード１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド
１３とが設けられているリードフレーム２０を用意す
る。図中、ダイパッド１３は吊りリードによって支持さ
れているが、吊りリードはこの断面には現れないために
図示されていない。また、信号接続用リード１２の外方
はリードフレーム２０の外枠に接続されている。ここ
で、信号接続用リード１２の内方部１２ａ，吊りリード
及びダイパッド１３の上面側及び下面側は、両側からハ
ーフエッチされている。その結果、信号接続用リード１
２の上面側及び下面側には段差が形成され、ダイパッド
１３に近接する厚みの薄い内方部１２ａが設けられてい
る。また、ダイパッド１３及び吊りリードの厚みは、信
号接続用リード１２の内方部１２ａと同じ厚みとなって
いる。なお、用意するリードフレーム２０は、樹脂封止
の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーを設けていない
リードフレームである。
【００４９】また、本実施形態におけるリードフレーム
２０は、銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッ
キとしてニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム
（Ｐｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれ
メッキされた３層の金属メッキ済みのリードフレームで
ある。ただし、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等
の素材を使用でき、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウ
ム（Ｐｄ），金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されて
いてもよく、さらに、かならずしも３層メッキでなくて
もよい。
【００５０】次に、図１２に示す工程で、用意したリー
ドフレーム２０のダイパッド１３上に半導体チップ１５
を載置して、接着剤により両者を互いに接合する。この
工程は、いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体
チップ１５を支持する部材としてはリードフレームに限
定されるものではなく、半導体チップを支持できる他の
部材、例えばＴＡＢテープ、基板を用いてもよい。
【００５１】そして、図１３に示す工程で、ダイパッド
１３上に接合した半導体チップ１５の電極パッド（図示
せず）と信号接続用リード１２の内方部１２ａとを金属
細線１６により電気的に接合する。この工程は、いわゆ
るワイヤーボンド工程である。金属細線としては、アル
ミニウム細線、金（Ａｕ）線などを適宜選択して用いる
ことができる。また、半導体チップ１５と信号接続用リ
ード１２との電気的な接続は、金属細線１６を介してで
なくバンプなどを介して行なってもよい。
【００５２】次に、図１４に示す工程で、リードフレー
ムのダイパッド１３上に半導体チップ１５が接合された
状態で、信号接続用リード１２の裏面に封止テープ２１
を貼り付ける。
【００５３】この封止テープ２１は、特に信号接続用リ
ード１２の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まな
いようにするマスク的な役割を果たさせるためのもので
あり、この封止テープ２１の存在によって、信号接続用
リード１２の裏面に樹脂バリが形成されるのを防止する
ことができる。この封止テープ２１は、ポリエチレンテ
レフタレート，ポリイミド，ポリカーボネートなどを主
成分とする樹脂をベースとしたテープであり、樹脂封止
後は容易に剥がすことができ、また樹脂封止時における
高温環境に耐性があるものであればよい。本実施形態で
は、ポリエチレンテレフタレートを主成分としたテープ
を用い、厚みは５０［μｍ］とした。
【００５４】次に、図１５に示す工程で、半導体チップ
１５が接合され、封止テープ２１が貼り付けられたリー
ドフレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂１７を
流し込んで樹脂封止を行う。あるいは、金型内に封止テ
ープ２１を貼り付けることも可能である。この際、信号
接続用リード１２の裏面側に封止樹脂１７が回り込まな
いように、金型でリードフレームの信号接続用リード１
２の先端側（外枠）を下方に押圧して、樹脂封止する。
【００５５】最後に、信号接続用リード１２の裏面に貼
付した封止テープ２１をピールオフにより除去する。こ
れにより、信号接続用リード１２の下部のみが封止樹脂
の裏面よりも下方に突出した構造が得られ、封止樹脂１
７の裏面より突出した外部電極１８が形成される。そし
て、信号接続用リード１２の先端側を、信号接続用リー
ド１２の先端面と封止樹脂１７の側面とがほぼ同一面に
なるように切り離すことにより、図１０に示すような樹
脂封止型半導体装置が完成される。
【００５６】本実施形態の製造方法によると、信号接続
用リード１２の一部のみが封止樹脂１７の裏面から突出
し、外部電極１８として機能するとともに、ダイパッド
１３の下方に封止樹脂１７が存在している樹脂封止型半
導体装置を容易に製造することができる。
【００５７】しかも、本実施形態の製造方法によると、
樹脂封止工程の前に予め信号接続用リード１２の裏面に
封止テープ２１を貼付しているので、封止樹脂１７が信
号接続用リード１２の裏面側に回り込むことがなく、外
部電極１８となる信号接続用リード１２の裏面には樹脂
バリの発生はない。したがって、信号接続用リードの下
面を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
のごとく、外部電極１８上に形成された樹脂バリをウォ
ータージェットなどによって除去する必要はない。すな
わち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除
によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工
程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォータージェ
ットなどによる樹脂バリ除去工程において生じるおそれ
のあったリードフレームのニッケル（Ｎｉ），パラジウ
ム（Ｐｄ），金（Ａｕ）などの金属メッキ層の剥がれや
不純物の付着は解消できる。そのため、樹脂封止工程前
における各金属層のプリメッキが可能となる。
【００５８】なお、ウォータージェットによる樹脂バリ
除去工程を削除できるかわりに、封止テープを貼付する
工程が新たに必要となるが、封止テープ２１を貼付する
工程の方が、ウォータージェット工程よりもコスト的に
安価であり、また工程管理も容易であるため、確実に工
程の簡略化が図れる。なによりも、従来必要であったウ
ォータージェット工程では、リードフレームの金属メッ
キが剥がれる、不純物が付着するという品質上のトラブ
ルが発生するが、本実施形態の方法では、封止テープの
貼付により、ウォータージェットが不要となって、メッ
キ剥がれをなくすことができる点は大きな工程上の利点
となる。また、封止テープの貼付状態などによって樹脂
バリが発生することがあるとしても、極めて薄い樹脂バ
リであるので、低い水圧でウォータージェット処理して
樹脂バリを除去でき、メッキ剥がれを防止できることか
ら金属層のプリメッキ工程は可能である。
【００５９】なお、図１５に示すように、樹脂封止工程
においては、封止金型の熱によって封止テープ２１が軟
化するとともに熱収縮するので、信号接続用リード１２
が封止テープ２１に大きく食い込み、信号接続用リード
１２の裏面と封止樹脂１７の裏面との間には段差が形成
される。したがって、信号接続用リード１２は封止樹脂
１７の裏面から突出した構造となり、信号接続用リード
１２の下部である外部電極１８の突出量（スタンドオフ
高さ）を確保できる。例えば、本実施形態では、封止テ
ープ２１の厚みを５０μｍとしているので、突出量を例
えば２０μｍ程度にできる。このように、封止テープ２
１の厚みの調整によって外部電極１８の封止樹脂からの
突出量を適正量に維持できる。このことは、外部電極１
８のスタンドオフ高さを封止テープ２１の厚みの設定の
みでコントロールでき、別途スタンドオフ高さ量をコン
トロールのための手段または工程を設けなくてもよいこ
と意味し、量産工程における工程管理のコスト上、極め
て有利な点である。この封止テープ２１の厚みは、１０
〜１５０μｍ程度であることが好ましい。
【００６０】なお、用いる封止テープ２１については、
所望する突出量により、所定の硬度，厚みおよび熱によ
る軟化特性を有する材質を選択することができる。
【００６１】ただし、上記第１の実施形態において、封
止テープ２１に加える圧力の調整によって、外部電極１
８のスタンドオフ高さを調整してもよく、例えば、スタ
ンドオフ高さをほぼ「０」にすることも可能である。
【００６２】（第３の実施形態） 次に、第３の実施形態について、図１６を参照しながら
説明する。本実施形態における樹脂封止型半導体装置の
基本的な構造は、上記第２の実施形態における図１０に
示す構造と同じであるが、ダイパッド１３の厚みのみが
異なる。
【００６３】図１６に示すように、本実施形態の樹脂封
止型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半導体チ
ップを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッ
ド１３を支持するための吊りリードとからなるリードフ
レームを備えている。ここで、信号接続用リード１２の
上面側及び下面側には、信号接続用リード１２の内方部
１２ａが薄くなるように段差が設けられている。そし
て、ダイパッド１３上に半導体チップ１５が接着剤によ
り接合されており、半導体チップ１５の電極パッド（図
示せず）と信号接続用リード１２の内方部１２ａの上面
とは、金属細線１６により互いに電気的に接続されてい
る。そして、信号接続用リード１２，ダイパッド１３，
吊りリード，半導体チップ１５及び金属細線１６は、封
止樹脂１７内に封止されている。ただし、信号接続用リ
ード１２の内方部１２ａを除く部分の下部は、封止樹脂
１７の下面よりも下方に突出しており、この部分が外部
電極１８として機能するように構成されている。また、
ダイパッド１３の下部も封止樹脂１７の下面よりも下方
に突出しており、このダイパッド１３の下面をマザーボ
ードの放熱用電極に接合させることで、放熱特性のよい
樹脂封止型半導体装置が得られる構造となっている。
【００６４】本実施形態では、ダイパッド１３の厚みは
信号接続用リード１２の内方部１２ａの厚みにその下部
の厚みを加算した厚みに等しくなっている。つまり、信
号接続用リード１２を両面からハーフエッチする際に、
表面からのハーフエッチの際にはダイパッド１３も同時
にハーフエッチされるようにしておき、裏面からのハー
フエッチの際にはダイパッド１３をマスクで覆っておく
ことにより、このような構造が実現する。なお、吊りリ
ードは図示されていないが、吊りリードがダイパッド１
３と同じ厚みを有するようにしてもよいし、吊りリード
が信号接続用リード１２の内方部１２ａと同じ厚みを有
するようにしてもよい。
【００６５】このように、信号接続用リード１２の上面
及び下面の双方を封止樹脂１７から露出させることによ
り、極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができ、実装密度の向上を図ることができる。また、信
号接続用リード１２の下面を封止樹脂１７よりも下方に
突出させておくことで、上記第２の実施形態で説明した
ような効果を発揮することができる。
【００６６】加えて、本実施形態によると、ダイパッド
１３の下面を封止樹脂１７の下面よりも下方に突出させ
ておくことにより、放熱特性の優れた樹脂封止型半導体
装置を得ることができる。
【００６７】また、図１８に示すように、図１６に示す
構造を有するパッケージ体を立体的に積層し、各パッケ
ージ体の信号接続用リード１２同士を互いに接触させる
ことにより、スタック構造を有する半導体装置を構成す
ることもできる。
【００６８】なお、本実施形態において、信号接続用リ
ード１２の下部は必ずしも封止樹脂１７の下面よりも下
方に突出させる必要はない。また、信号接続用リード１
２の上部を封止樹脂１７の上面よりも上方に突出させ
て、外部電極として機能させることも可能である。さら
に、信号接続用リード１２の下部及び上部を封止樹脂１
７の下面，上面から突出させて、上部又は下部のいずれ
か一方を外部電極として任意に選択可能にしておいても
よい。
【００６９】また、図１６に示す状態で、半導体チップ
１５が信号接続用リード１２にバンプなどを介してフリ
ップチップ接続されていてもよい。その場合、ダイパッ
ド１３や吊りリードがなくてもよい。
【００７０】ここで、図１６においては、信号接続用リ
ード１２の細部の構造の図示は省略されているが、この
信号接続用リード１２の構造の例として、上記第１の実
施形態の各具体例に係る構造をそのまま採用することが
できる。
【００７１】本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法については説明を省略するが、上記第２の実施形態
における製造方法とほぼ同様である。すなわち、図１１
におけるリードフレーム２０中のダイパッド１３の厚み
を厚くし、図１４に示す工程で、信号接続用リード１２
の下面だけでなくダイパッド１３の下面にも封止テープ
２１を密着させておけばよい。
【００７２】（第４の実施形態） 次に、第４の実施形態について、図１７を参照しながら
説明する。図１７に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半導体チッ
プを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッド
１３を支持するための吊りリードとからなるリードフレ
ームを備えている。ここで、信号接続用リード１２の下
面側には、信号接続用リード１２の内方部１２ａが薄く
なるように段差が設けられている。そして、ダイパッド
１３上に半導体チップ１５が接着剤により接合されてお
り、半導体チップ１５の電極パッド（図示せず）と信号
接続用リード１２の内方部１２ａの上面とは、金属細線
１６により互いに電気的に接続されている。そして、信
号接続用リード１２，ダイパッド１３，吊りリード，半
導体チップ１５及び金属細線１６は、封止樹脂１７内に
封止されている。ただし、信号接続用リード１２の内方
部１２ａを除く部分の上面及び下面は、封止樹脂１７か
ら露出している。また、本実施形態では、ダイパッド１
３の厚みは信号接続用リード１２の内方部１２ａの厚み
にその上部の厚みを加算した厚みに等しくなっている。
つまり、信号接続用リード１２を両面からハーフエッチ
する際に、裏面からのハーフエッチの際にはダイパッド
１３も同時にハーフエッチされるようにしておき、表面
からのハーフエッチの際にはダイパッド１３をマスクで
覆っておくことにより、このような構造が実現する。な
お、吊りリードは図示されていないが、吊りリードがダ
イパッド１３と同じ厚みを有するようにしてもよいし、
吊りリードが信号接続用リード１２の内方部１２ａと同
じ厚みを有するようにしてもよい。
【００７３】ここで、本実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の特徴は、封止樹脂１７の中央部の上面には信号
接続用リード１２の上面よりも上方に突出した凸部１７
ａが設けられている一方、封止樹脂１７の中央部の下面
には、その凸部１７ａと係合可能な形状の凹部１７ｂが
設けられている点である。
【００７４】このような構造を採ることにより、図１９
に示すように、各信号接続用リード１２同士を接触させ
ながら複数のパッケージ体を積層して、立体的な構造，
すなわちスタック構造を有する半導体装置を得ることが
できる。
【００７５】なお、本実施形態において、信号接続用リ
ード１２の下部を封止樹脂１７の下面よりも下方に突出
させて、外部電極として機能させてもよい。
【００７６】また、図１７に示す状態で、半導体チップ
１５が信号接続用リード１２にバンプなどを介してフリ
ップチップ接続されていてもよい。その場合、ダイパッ
ド１３や吊りリードがなくてもよい。
【００７７】ここで、図１７においては、信号接続用リ
ード１２の細部の構造の図示は省略されているが、この
信号接続用リード１２の構造の例として、上記第１の実
施形態の各具体例に係る構造をそのまま採用することが
できる。
【００７８】本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法については詳しい説明は省略するが、樹脂封止工程
で使用する封止金型のダイキャビティにおける金型面の
形状を、封止樹脂１７の凸部１７ａ，凹部１７ｂの形状
に沿うようにしておくことにより、図１７に示す構造を
容易に実現することができる。
【００７９】
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置による
と、ダイパッド，半導体チップ，信号接続用リード及び
接続部材を封止樹脂により封止する構造において、信号
接続用リードの上面及び下面を封止樹脂から露出させる
ようにしたので、脂封止型半導体装置の厚みが信号接続
用リードの厚みに等しくなることにより、極めて薄い樹
脂封止型半導体装置を得ることができ、小型化，薄型化
による実装密度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の斜視図である。
【図３】第１の実施形態の第１の具体例に係る信号接続
用リードの平面図，正面図及び側面図である。
【図４】第１の実施形態の第１の具体例の変形例に係る
信号接続用リードの斜視図である。
【図５】第１の実施形態の第２の具体例に係る信号接続
用リードの平面図，正面図及び側面図である。
【図６】第１の実施形態の第２の具体例の変形例に係る
信号接続用リードの斜視図である。
【図７】第１の実施形態の第３の具体例に係る信号接続
用リードの斜視図である。
【図８】第１の実施形態の第４の具体例に係る信号接続
用リードの平面図，正面図及び側面図である。
【図９】第１の実施形態の第５の具体例に係る信号接続
用リードの斜視図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。
【図１１】第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造工程におけるリードフレームを用意する工程を示す断
面図である。
【図１２】第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造工程におけるダイパッド上に半導体チップを接合する
工程を示す断面図である。
【図１３】第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造工程における金属細線を形成する工程を示す断面図で
ある。
【図１４】第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造工程における封止テープをリードフレームの下に敷く
工程を示す断面図である。
【図１５】第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。
【図１７】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。
【図１８】本発明の第１〜第３の実施形態に係る樹脂封
止型半導体装置を複数個積層した場合の構造を示す斜視
図である。
【図１９】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置を複数個積層した場合の構造を示す斜視図であ
る。
【図２０】従来の裏面側に外部電極を有するタイプの樹
脂封止型半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１２ 信号接続用リード １２ａ 内方部 １３ ダイパッド １５ 半導体チップ １６ 金属細線 １７ 封止樹脂 １８ 外部電極 ２０ リードフレーム ２１ 封止テープ ３０〜３３ 溝 ３３，３５ フランジ部 ３４，３６ 溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/12 H01L 25/08 H01L 21/60

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電極パッドを有する半導体チップと、 信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
    とを電気的に接続する接続部材と、ダ イパッド，上記半導体チップ，上記信号接続用リード
    及び上記接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの上面及び下面は、上記封止樹脂
    から露出し、上記信号接続用リードの上面及び下面には
    溝が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体
    装置。
  2. 【請求項２】 電極パッドを有する半導体チップと、 側面に溝が設けられた信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
    とを電気的に接続する接続部材と、 ダイパッド，上記半導体チップ，上記信号接続用リード
    及び上記接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの上面及び下面は、上記封止樹脂
    から露出していることを特徴とする樹脂封止型半導体装
    置。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の樹脂封止型半導体装置に
    おいて、 上記溝は、両側面において互いに千鳥状に配置されてい
    ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 電極パッドを有する半導体チップと、 上面側の少なくとも一部には側方に突出したフランジ部
    が設けられている信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
    とを電気的に接続する接続部材と、 ダイパッド，上記半導体チップ，上記信号接続用リード
    及び上記接続部材を封 止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの上面及び下面は、上記封止樹脂
    から露出していることを特徴とする樹脂封止型半導体装
    置。
JP10919798A 1998-04-20 1998-04-20 樹脂封止型半導体装置 Expired - Fee Related JP3461720B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10919798A JP3461720B2 (ja) 1998-04-20 1998-04-20 樹脂封止型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10919798A JP3461720B2 (ja) 1998-04-20 1998-04-20 樹脂封止型半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11307675A JPH11307675A (ja) 1999-11-05
JP3461720B2 true JP3461720B2 (ja) 2003-10-27

Family

ID=14504088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10919798A Expired - Fee Related JP3461720B2 (ja) 1998-04-20 1998-04-20 樹脂封止型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3461720B2 (ja)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7112474B1 (en) 1998-06-24 2006-09-26 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7332375B1 (en) 1998-06-24 2008-02-19 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6448633B1 (en) 1998-11-20 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method of making using leadframe having lead locks to secure leads to encapsulant
KR100403142B1 (ko) * 1999-10-15 2003-10-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
KR20010037247A (ko) 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
KR100414479B1 (ko) * 2000-08-09 2004-01-07 주식회사 코스타트반도체 반도체 패키징 공정의 이식성 도전패턴을 갖는 테이프 및그 제조방법
KR20020065729A (ko) * 2001-02-07 2002-08-14 주식회사 칩팩코리아 반도체 패키지
KR20020065735A (ko) * 2001-02-07 2002-08-14 주식회사 칩팩코리아 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR100369393B1 (ko) 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
US7045883B1 (en) 2001-04-04 2006-05-16 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
KR20020095539A (ko) * 2001-06-14 2002-12-27 페어차일드코리아반도체 주식회사 반도체 패키지 및 그 방법
JP4598316B2 (ja) * 2001-07-06 2010-12-15 パナソニック株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US6900527B1 (en) 2001-09-19 2005-05-31 Amkor Technology, Inc. Lead-frame method and assembly for interconnecting circuits within a circuit module
JP2003100988A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
TW533566B (en) * 2002-01-31 2003-05-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Short-prevented lead frame and method for fabricating semiconductor package with the same
US6818973B1 (en) 2002-09-09 2004-11-16 Amkor Technology, Inc. Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process
WO2005022591A2 (en) 2003-08-26 2005-03-10 Advanced Interconnect Technologies Limited Reversible leadless package and methods of making and using same
JP4655300B2 (ja) * 2003-11-07 2011-03-23 Ｔｄｋラムダ株式会社 リードフレーム
JP4895493B2 (ja) * 2004-10-14 2012-03-14 日亜化学工業株式会社 樹脂封止型発光装置
US7217991B1 (en) 2004-10-22 2007-05-15 Amkor Technology, Inc. Fan-in leadframe semiconductor package
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3941877B2 (ja) * 2005-11-16 2007-07-04 国立大学法人九州工業大学 両面電極パッケージ及びその製造方法
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
KR101058986B1 (ko) 2006-06-22 2011-08-23 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 수지 밀봉형 반도체 장치와 그 제조 방법, 반도체 장치용 기재 및 적층형 수지 밀봉형 반도체 장치
US7635913B2 (en) 2006-12-09 2009-12-22 Stats Chippac Ltd. Stacked integrated circuit package-in-package system
JP5167963B2 (ja) * 2007-11-02 2013-03-21 大日本印刷株式会社 樹脂封止型半導体装置とそれに用いられるエッチング加工部材、および積層型樹脂封止型半導体装置
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
JP5217753B2 (ja) * 2008-08-05 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 光半導体装置
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
JP2010268017A (ja) * 2010-09-03 2010-11-25 Rohm Co Ltd 半導体装置
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
US8866278B1 (en) 2011-10-10 2014-10-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O configuration
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
JP2015035554A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置
JP2015056462A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 株式会社東芝 半導体装置
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
JP5766310B2 (ja) * 2014-01-09 2015-08-19 ローム株式会社 半導体装置
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
JP6791794B2 (ja) * 2017-03-29 2020-11-25 旭化成エレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP7365871B2 (ja) * 2019-11-26 2023-10-20 エイブリック株式会社 半導体装置とその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11307675A (ja) 1999-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3461720B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
US6861734B2 (en) Resin-molded semiconductor device
JP4917112B2 (ja) 半導体装置
KR100500919B1 (ko) 수지봉입형 반도체장치 및 그 제조방법
JP3562311B2 (ja) リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法
US5874784A (en) Semiconductor device having external connection terminals provided on an interconnection plate and fabrication process therefor
JP3470111B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3405202B2 (ja) リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3478139B2 (ja) リードフレームの製造方法
JP3458057B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
US6650005B2 (en) Micro BGA package
JP3445930B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3443406B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3507819B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP3454192B2 (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP4066050B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP4764608B2 (ja) 半導体装置
JP2001077275A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3541751B2 (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3468447B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
KR20010008664A (ko) 빔 리드를 이용한 와이어 본딩 방식의 칩 스케일 패키지 및 그제조방법
KR20000028361A (ko) 반도체 장치의 봉지 방법
JP2001077284A (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH0992767A (ja) 複合リードフレームおよび半導体装置
JP2003100955A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030729

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070815

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees