JP3533366B2 - 半導体基板の洗浄処理及びウェットエッチング処理を同時に行う方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄処理及びウェットエッチング処理を同時に行う方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶パネルを製造
する工程における処理方法に関し、さらに詳しくは、Ｔ
ＦＴ−ＬＣＤ（薄膜トランジスタ−液晶ディスプレイ）
におけるソース／ドレイン電極上の絶縁膜のドライエッ
チング後に、エッチング残渣の洗浄と同時に電極膜のウ
ェットエッチングを行う方法に関する。これにより効率
良く液晶パネルを製造することが出来る。
する工程における処理方法に関し、さらに詳しくは、Ｔ
ＦＴ−ＬＣＤ（薄膜トランジスタ−液晶ディスプレイ）
におけるソース／ドレイン電極上の絶縁膜のドライエッ
チング後に、エッチング残渣の洗浄と同時に電極膜のウ
ェットエッチングを行う方法に関する。これにより効率
良く液晶パネルを製造することが出来る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＴＦＴ−ＬＣＤは、基板自体の表
面積が大きくなると共に、画素数も多くなり、それに伴
い基板面全体の洗浄度が製品の歩留まりに、直接関係す
るようになり、その結果として製造プロセス全体におい
て、洗浄の必要性が増大し、あるいは洗浄力の向上が強
く望まれるようになってきた。
面積が大きくなると共に、画素数も多くなり、それに伴
い基板面全体の洗浄度が製品の歩留まりに、直接関係す
るようになり、その結果として製造プロセス全体におい
て、洗浄の必要性が増大し、あるいは洗浄力の向上が強
く望まれるようになってきた。
【０００３】図１（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明におけるＴ
ＦＴ−ＬＣＤの一般的なプロセスフローの一部を示す断
面図である。図１（Ａ）の工程の前に最初にガラス基板
１上にゲート電極用メタル膜（Ｔａ膜など）を成膜し、
その上にフォトレジストを塗布し、パターン露光後、ゲ
ート電極用メタル膜のエッチングを行った後、フォトレ
ジストを剥離し、ゲート電極２を形成する。ゲート電極
２上に、ＳｉＮｘなどによりゲート絶縁膜３とアモルフ
ァスシリコン膜を成膜し、さらにその上に、電極とのコ
ンタクトを良くするためと、逆電界におけるリーク電流
を防止するために、リンを微量添加したｎ+アモルファ
スシリコン膜５を成膜する。ｎ+アモルファスシリコン
膜５上にフォトレジストを塗布した後、パターン露光
し、アモルファスシリコン膜とｎ+アモルファスシリコ
ン膜をドライエッチングした後、フォトレジストを剥離
して、アモルファスシリコン−アイランド層４を形成す
る。次に、アモルファスシリコン−アイランド層４の上
にフォトレジストを塗布した後、パターン露光し、端子
部のゲート絶縁膜３をエッチングした後、フォトレジス
トを剥離する。次いで上層にソース／ドレイン電極形成
用のＴｉ膜６とＡｌ膜７を成膜し、フォトレジスト塗布
後、パターン露光し、Ａｌ膜のエッチングを行い、さら
に、ソース、ドレイン電極６およびｎ+アモルファスシ
リコン膜５、アモルファスシリコン膜のドライエッチン
グを行った後、フォトレジストを剥離する。さらに、Ｓ
ｉＮｘ絶縁膜８を成膜後、有機絶縁膜９を全面に塗布
し、パタ−ン露光、現像後の状態が図１（Ａ）である。
ＦＴ−ＬＣＤの一般的なプロセスフローの一部を示す断
面図である。図１（Ａ）の工程の前に最初にガラス基板
１上にゲート電極用メタル膜（Ｔａ膜など）を成膜し、
その上にフォトレジストを塗布し、パターン露光後、ゲ
ート電極用メタル膜のエッチングを行った後、フォトレ
ジストを剥離し、ゲート電極２を形成する。ゲート電極
２上に、ＳｉＮｘなどによりゲート絶縁膜３とアモルフ
ァスシリコン膜を成膜し、さらにその上に、電極とのコ
ンタクトを良くするためと、逆電界におけるリーク電流
を防止するために、リンを微量添加したｎ+アモルファ
スシリコン膜５を成膜する。ｎ+アモルファスシリコン
膜５上にフォトレジストを塗布した後、パターン露光
し、アモルファスシリコン膜とｎ+アモルファスシリコ
ン膜をドライエッチングした後、フォトレジストを剥離
して、アモルファスシリコン−アイランド層４を形成す
る。次に、アモルファスシリコン−アイランド層４の上
にフォトレジストを塗布した後、パターン露光し、端子
部のゲート絶縁膜３をエッチングした後、フォトレジス
トを剥離する。次いで上層にソース／ドレイン電極形成
用のＴｉ膜６とＡｌ膜７を成膜し、フォトレジスト塗布
後、パターン露光し、Ａｌ膜のエッチングを行い、さら
に、ソース、ドレイン電極６およびｎ+アモルファスシ
リコン膜５、アモルファスシリコン膜のドライエッチン
グを行った後、フォトレジストを剥離する。さらに、Ｓ
ｉＮｘ絶縁膜８を成膜後、有機絶縁膜９を全面に塗布
し、パタ−ン露光、現像後の状態が図１（Ａ）である。
【０００４】次に、フッ素系ガスを使用し、有機絶縁膜
９をマスクとして下層のＳｉＮｘ絶縁膜８をドライエッ
チングした状態が図１（Ｂ）である。
９をマスクとして下層のＳｉＮｘ絶縁膜８をドライエッ
チングした状態が図１（Ｂ）である。
【０００５】次に、ウェットエッチング液でＡｌ膜７を
エッチングした後の状態が図１（Ｃ）である。
エッチングした後の状態が図１（Ｃ）である。
【０００６】従来、アルミニウム膜のエッチング液とし
ては、リン酸系エッチング液が使用されている。しかし
ながら、図１（Ｂ）に示したように、フッ素系ガスによ
るＳｉＮｘ絶縁膜８のドライエッチング後には、アルミ
ニウム膜７上に、残渣物１０が残存する。従来のリン酸
系エッチング液はこの残渣物１０の洗浄が不十分なた
め、アルミニウム膜７のエッチングができない等の問題
点を有している。
ては、リン酸系エッチング液が使用されている。しかし
ながら、図１（Ｂ）に示したように、フッ素系ガスによ
るＳｉＮｘ絶縁膜８のドライエッチング後には、アルミ
ニウム膜７上に、残渣物１０が残存する。従来のリン酸
系エッチング液はこの残渣物１０の洗浄が不十分なた
め、アルミニウム膜７のエッチングができない等の問題
点を有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、液晶パネル
を製造する工程で、コンタクトホ−ル内の絶縁膜のドラ
イエッチング時に発生した残渣物を容易に除去でき、さ
らに同時に、アルミニウム膜のエッチングもできる処理
方法を提供し、液晶パネルを製造する方法を高効率化す
ることを目的とするものである。
を製造する工程で、コンタクトホ−ル内の絶縁膜のドラ
イエッチング時に発生した残渣物を容易に除去でき、さ
らに同時に、アルミニウム膜のエッチングもできる処理
方法を提供し、液晶パネルを製造する方法を高効率化す
ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記目的
を達成するために鋭意検討を重ねた結果、特定の酸化剤
と特定のキレ−ト剤とを含有するウェットエッチング液
が、ＴＦＴ−ＬＣＤ等の素子におけるコンタクトホ−ル
内の絶縁膜のドライエッチング時に発生した残渣物を効
率よく洗浄することが出来、同時に、電極を形成するア
ルミニウム膜のエッチングを行うことが出来、前記目的
が達成されることを見出した。より具体的には、図１
（Ｂ）のＴＦＴ−ＬＣＤ製造用の半導体基板を前記ウェ
ットエッチング液により処理すると、ＳｉＮｘ絶縁膜８
のドライエッチング時に発生した残渣物１０を洗浄する
ことが出来ると同時にアルミニウム膜７のエッチングも
出来ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づい
て完成したものである。
を達成するために鋭意検討を重ねた結果、特定の酸化剤
と特定のキレ−ト剤とを含有するウェットエッチング液
が、ＴＦＴ−ＬＣＤ等の素子におけるコンタクトホ−ル
内の絶縁膜のドライエッチング時に発生した残渣物を効
率よく洗浄することが出来、同時に、電極を形成するア
ルミニウム膜のエッチングを行うことが出来、前記目的
が達成されることを見出した。より具体的には、図１
（Ｂ）のＴＦＴ−ＬＣＤ製造用の半導体基板を前記ウェ
ットエッチング液により処理すると、ＳｉＮｘ絶縁膜８
のドライエッチング時に発生した残渣物１０を洗浄する
ことが出来ると同時にアルミニウム膜７のエッチングも
出来ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づい
て完成したものである。
【０００９】すなわち、本発明は、少なくとも、アルミ
ニウム／チタニウム積層膜から成るソース／ドレイン電
極と前記ソース／ドレイン電極上に形成された絶縁膜と
を有する半導体基板の前記絶縁膜をドライエッチングし
てコンタクトホールを形成した後、前記半導体基板を酸
化剤とキレート剤とを含有する水溶液から成るウェット
エッチング液に接触させて、前記ドライエッチング時に
発生したコンタクトホ−ル内の残渣物の洗浄を行うと同
時に前記ソース／ドレイン電極のアルミニウム膜のみを
ウェットエッチングすることを特徴とする半導体基板の
洗浄処理とウェットエッチング処理とを同時に行う方法
に関する。
ニウム／チタニウム積層膜から成るソース／ドレイン電
極と前記ソース／ドレイン電極上に形成された絶縁膜と
を有する半導体基板の前記絶縁膜をドライエッチングし
てコンタクトホールを形成した後、前記半導体基板を酸
化剤とキレート剤とを含有する水溶液から成るウェット
エッチング液に接触させて、前記ドライエッチング時に
発生したコンタクトホ−ル内の残渣物の洗浄を行うと同
時に前記ソース／ドレイン電極のアルミニウム膜のみを
ウェットエッチングすることを特徴とする半導体基板の
洗浄処理とウェットエッチング処理とを同時に行う方法
に関する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明で用いるウェットエッチン
グ液は、酸化剤とキレート剤とを含有するものであり、
特に好ましくは酸化剤とキレート剤とを含有する水溶液
から構成されている。
グ液は、酸化剤とキレート剤とを含有するものであり、
特に好ましくは酸化剤とキレート剤とを含有する水溶液
から構成されている。
【００１１】酸化剤としては、例えば、過酸化水素、オ
ゾン、過塩素酸などが挙げられ、通常、水溶液として用
いられる。これらの酸化剤の中では過酸化水素が最も好
ましい。
ゾン、過塩素酸などが挙げられ、通常、水溶液として用
いられる。これらの酸化剤の中では過酸化水素が最も好
ましい。
【００１２】本発明のウェットエッチング液における上
記酸化剤の濃度は特に制限はないが、通常はウェットエ
ッチング液の重量に対して０．１〜６０重量％、好まし
くは０．５〜３０重量％である。その濃度が０．１重量
％未満では所望の洗浄効果が得られず、６０重量％を超
えると導電薄膜材料を腐食する恐れがある。
記酸化剤の濃度は特に制限はないが、通常はウェットエ
ッチング液の重量に対して０．１〜６０重量％、好まし
くは０．５〜３０重量％である。その濃度が０．１重量
％未満では所望の洗浄効果が得られず、６０重量％を超
えると導電薄膜材料を腐食する恐れがある。
【００１３】一方、本発明のウェットエッチング液にお
けるキレート剤としては、各種のものが使用できるが、
好適なキレート剤は、例えば、エチレンジアミンテトラ
酢酸（ＥＤＴＡ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン
三酢酸（ＨＥＤＴＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジ
アミン四酢酸（ＤＨＥＤＴＡ）、１，３−プロパンジア
ミン四酢酸（１，３−ＰＤＴＡ）、ジエチレントリアミ
ン五酢酸（ＤＴＰＡ）、トリエチレンテトラミン六酢酸
（ＴＴＮＡ）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）またはヒドロ
キシエチルイミノ二酢酸（ＨＩＭＤＡ）等のアミノポリ
カルボン酸類、あるいはこれらのアンモニウム塩、金属
塩、有機アルカリ塩等があげられる。
けるキレート剤としては、各種のものが使用できるが、
好適なキレート剤は、例えば、エチレンジアミンテトラ
酢酸（ＥＤＴＡ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン
三酢酸（ＨＥＤＴＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジ
アミン四酢酸（ＤＨＥＤＴＡ）、１，３−プロパンジア
ミン四酢酸（１，３−ＰＤＴＡ）、ジエチレントリアミ
ン五酢酸（ＤＴＰＡ）、トリエチレンテトラミン六酢酸
（ＴＴＮＡ）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）またはヒドロ
キシエチルイミノ二酢酸（ＨＩＭＤＡ）等のアミノポリ
カルボン酸類、あるいはこれらのアンモニウム塩、金属
塩、有機アルカリ塩等があげられる。
【００１４】さらには、メチルジホスホン酸、アミノト
リスメチレンホスホン酸、エチリデンジホスホン酸、１
−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、１−
ヒドロプロピリデン−１，１−ジホスホン酸、エチルア
ミノビスメチレンホスホン酸、ドデシルアミノビスメチ
レンホスホン酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、
エチレンジアミンビスメチレンホスホン酸、エチレンジ
アミンテトラキスメチレンホスホン酸、ヘキセンジアミ
ンテトラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミ
ンペンタメチレンホスホン酸、１，２−プロパンジアミ
ンテトラメチレンホスホン酸等のホスホン酸類、あるい
はこれらのアンモニウム塩、アルカリ金属塩、有機アミ
ン塩等、分子中にホスホン酸基またはその塩を１以上有
するホスホン酸系キレート剤が挙げられる。また、これ
らホスホン酸系キレート剤の内、その分子中に含まれる
窒素原子は酸化されてＮ−オキシド体となっていてもよ
い。また、本発明においては、例えばメタリン酸、テト
ラメタリン酸、ヘキサメタリン酸、トリポリリン酸など
の縮合リン酸類及びそのアンモニウム塩、金属塩、有機
アミン塩等もウェットエッチング液を構成するキレート
剤として用いることが出来る。
リスメチレンホスホン酸、エチリデンジホスホン酸、１
−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、１−
ヒドロプロピリデン−１，１−ジホスホン酸、エチルア
ミノビスメチレンホスホン酸、ドデシルアミノビスメチ
レンホスホン酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、
エチレンジアミンビスメチレンホスホン酸、エチレンジ
アミンテトラキスメチレンホスホン酸、ヘキセンジアミ
ンテトラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミ
ンペンタメチレンホスホン酸、１，２−プロパンジアミ
ンテトラメチレンホスホン酸等のホスホン酸類、あるい
はこれらのアンモニウム塩、アルカリ金属塩、有機アミ
ン塩等、分子中にホスホン酸基またはその塩を１以上有
するホスホン酸系キレート剤が挙げられる。また、これ
らホスホン酸系キレート剤の内、その分子中に含まれる
窒素原子は酸化されてＮ−オキシド体となっていてもよ
い。また、本発明においては、例えばメタリン酸、テト
ラメタリン酸、ヘキサメタリン酸、トリポリリン酸など
の縮合リン酸類及びそのアンモニウム塩、金属塩、有機
アミン塩等もウェットエッチング液を構成するキレート
剤として用いることが出来る。
【００１５】上記キレート剤は何れも使用できるが、ホ
スホン酸系キレート剤が好ましく、特に２つあるいはそ
れ以上のホスホン酸基を有するキレート剤、例えば、
１，２−プロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸、
ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸および
エチレンジアミンビスメチレンホスホン酸等がより好ま
しい。
スホン酸系キレート剤が好ましく、特に２つあるいはそ
れ以上のホスホン酸基を有するキレート剤、例えば、
１，２−プロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸、
ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸および
エチレンジアミンビスメチレンホスホン酸等がより好ま
しい。
【００１６】本発明のウェットエッチング液における上
記キレート剤の濃度は、特に制限はないが、通常はウェ
ットエッチング液全量に対して０．０００１〜５重量％
である。濃度が０．０００１重量％未満では、所望の洗
浄効果が得られず、一方５重量％を超えると導電薄膜材
料を腐食する恐れがある。また、洗浄効果、経済性など
の理由から、キレート剤の好ましい濃度は０．０１〜３
重量％である。
記キレート剤の濃度は、特に制限はないが、通常はウェ
ットエッチング液全量に対して０．０００１〜５重量％
である。濃度が０．０００１重量％未満では、所望の洗
浄効果が得られず、一方５重量％を超えると導電薄膜材
料を腐食する恐れがある。また、洗浄効果、経済性など
の理由から、キレート剤の好ましい濃度は０．０１〜３
重量％である。
【００１７】本発明のウェットエッチング液のpＨは、
特に制限はなく、適宜選定すればよいが、通常はpＨ３
〜１２、好ましくはｐＨ５〜９の範囲に調節される。ウ
ェットエッチング液がｐＨ３未満では洗浄効果の低下の
恐れがあり、ｐＨ１２を超えると酸化剤が分解し、不安
定になる傾向がある。
特に制限はなく、適宜選定すればよいが、通常はpＨ３
〜１２、好ましくはｐＨ５〜９の範囲に調節される。ウ
ェットエッチング液がｐＨ３未満では洗浄効果の低下の
恐れがあり、ｐＨ１２を超えると酸化剤が分解し、不安
定になる傾向がある。
【００１８】ウェットエッチング液をアルカリ性で使用
する場合、そのｐＨはアンモニア、アミン、テトラメチ
ルアンモニウム水酸化物のような第四級アンモニウム水
酸化物で調整され、酸性で使用する場合は有機酸、無機
酸等を添加して調整すればよい。
する場合、そのｐＨはアンモニア、アミン、テトラメチ
ルアンモニウム水酸化物のような第四級アンモニウム水
酸化物で調整され、酸性で使用する場合は有機酸、無機
酸等を添加して調整すればよい。
【００１９】本発明のウェットエッチング液には、濡れ
性を向上させるために、さらに界面活性剤を添加しても
差し支えなく、カチオン系、ノニオン系、アニオン系の
何れの界面活性剤も使用できる。なかでも好ましくは、
スルホン酸系界面活性剤、ポリカルボン酸型界面活性剤
またはエチレンオキサイド付加型の界面活性剤である。
性を向上させるために、さらに界面活性剤を添加しても
差し支えなく、カチオン系、ノニオン系、アニオン系の
何れの界面活性剤も使用できる。なかでも好ましくは、
スルホン酸系界面活性剤、ポリカルボン酸型界面活性剤
またはエチレンオキサイド付加型の界面活性剤である。
【００２０】本発明のウェットエッチング液は前記した
酸化剤とキレート剤を攪拌下水に溶解させることにより
得られる。酸化剤とキレート剤の添加順序は特に制限さ
れないが、酸化剤の水溶液をまず調製し、これにキレー
ト剤を添加、溶解するのが一般的である。
酸化剤とキレート剤を攪拌下水に溶解させることにより
得られる。酸化剤とキレート剤の添加順序は特に制限さ
れないが、酸化剤の水溶液をまず調製し、これにキレー
ト剤を添加、溶解するのが一般的である。
【００２１】本発明の洗浄／ウェットエッチング処理
は、通常、ＳｉＮｘ絶縁膜をドライエッチングした後の
基板を、常温から８０℃のウェットエッチング液に０．
５〜２０分間浸漬して行う。洗浄／ウェットエッチング
処理された基板は、その後、水などによりリンスした後
乾燥され、次工程に移される。
は、通常、ＳｉＮｘ絶縁膜をドライエッチングした後の
基板を、常温から８０℃のウェットエッチング液に０．
５〜２０分間浸漬して行う。洗浄／ウェットエッチング
処理された基板は、その後、水などによりリンスした後
乾燥され、次工程に移される。
【００２２】
【実施例】本発明を、以下の実施例により更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
【００２３】実施例１
図２（Ａ）に、ＳｉＮｘ絶縁層８をフッ素系ガスを使用
して、ドライエッチングした後の状態を拡大図示した。
ＴＯＦ−ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析計）
によってＮＨ4 +、ＴｉＦ+のフラグメントが確認され、
図２（Ａ）に示した如く、Ａｌ層７及びＳｉＮｘ絶縁層
８表面に、これらのフラグメントを含む残渣物１０が残
存していることが分かった。
して、ドライエッチングした後の状態を拡大図示した。
ＴＯＦ−ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析計）
によってＮＨ4 +、ＴｉＦ+のフラグメントが確認され、
図２（Ａ）に示した如く、Ａｌ層７及びＳｉＮｘ絶縁層
８表面に、これらのフラグメントを含む残渣物１０が残
存していることが分かった。
【００２４】図２（Ａ）の基板を、過酸化水素５重量
％、キレ−ト剤として１，２−プロパンジアミンテトラ
メチレンホスホン酸０．２重量％、残部が水であるウェ
ットエッチング液に５０℃で５分間浸漬して洗浄／ウェ
ットエッチング処理し、次いで、超純水でリンスし乾燥
した。
％、キレ−ト剤として１，２−プロパンジアミンテトラ
メチレンホスホン酸０．２重量％、残部が水であるウェ
ットエッチング液に５０℃で５分間浸漬して洗浄／ウェ
ットエッチング処理し、次いで、超純水でリンスし乾燥
した。
【００２５】しかる後に、洗浄／ウェットエッチング処
理した基板をＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析し、残渣物の有無を
観察し、下記の判定基準に従って評価した。その結果、
残渣物は、完全に除去された。 ◎：完全に除去された。 △：一部残存が認められた。 ×：大部分が残存していた。
理した基板をＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析し、残渣物の有無を
観察し、下記の判定基準に従って評価した。その結果、
残渣物は、完全に除去された。 ◎：完全に除去された。 △：一部残存が認められた。 ×：大部分が残存していた。
【００２６】更に、洗浄／ウェットエッチング処理した
基板をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、アルミニ
ウム膜７のエッチング状態を下記の判定基準により評価
した。図２（Ｂ）に示した如く、本発明の洗浄／ウェッ
トエッチング処理によって、アルミニウム膜７が良好に
エッチングされたことを確認した。 ◎：良好にエッチングされた。 △：エッチングむらが認められた。 ×：ほとんどエッチングされなかった。
基板をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、アルミニ
ウム膜７のエッチング状態を下記の判定基準により評価
した。図２（Ｂ）に示した如く、本発明の洗浄／ウェッ
トエッチング処理によって、アルミニウム膜７が良好に
エッチングされたことを確認した。 ◎：良好にエッチングされた。 △：エッチングむらが認められた。 ×：ほとんどエッチングされなかった。
【００２７】実施例２〜７、比較例１〜３
実施例１で使用した基板と同一の基板を使用して、表−
１，２に示すウェットエッチング液で処理を行った。残
渣物の除去性、及び、アルミニウム膜のエッチング状態
を、実施例１と同様の判定基準に従い評価した。その結
果を表１及び２に示す。
１，２に示すウェットエッチング液で処理を行った。残
渣物の除去性、及び、アルミニウム膜のエッチング状態
を、実施例１と同様の判定基準に従い評価した。その結
果を表１及び２に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】比較例４
実施例１で使用した基板と同一の基板を、リン酸７５重
量％、硝酸３重量％、酢酸５重量％、残部が水である処
理液に５０℃で１０分間浸漬し、超純水でリンスし、乾
燥した。残渣物の除去性及びアルミニウム膜のエッチン
グ状態を、実施例１と同様の判定基準に従って評価し
た。その結果、残渣物は、全く除去されておらず、アル
ミニウム膜もエッチングされなかった。
量％、硝酸３重量％、酢酸５重量％、残部が水である処
理液に５０℃で１０分間浸漬し、超純水でリンスし、乾
燥した。残渣物の除去性及びアルミニウム膜のエッチン
グ状態を、実施例１と同様の判定基準に従って評価し
た。その結果、残渣物は、全く除去されておらず、アル
ミニウム膜もエッチングされなかった。
【００３１】
【発明の効果】本発明の方法によれば、ソース／ドレイ
ン電極上の絶縁膜をドライエッチングした後に残存する
残渣物を効率よく除去すると同時に、ソース／ドレイン
電極を形成するアルミニウム膜を良好にウェットエッチ
ングすることが出来る。従って、本発明の方法により、
液晶パネルを製造する工程を効率化すること及び製品歩
留まりを向上することが出来る。
ン電極上の絶縁膜をドライエッチングした後に残存する
残渣物を効率よく除去すると同時に、ソース／ドレイン
電極を形成するアルミニウム膜を良好にウェットエッチ
ングすることが出来る。従って、本発明の方法により、
液晶パネルを製造する工程を効率化すること及び製品歩
留まりを向上することが出来る。
【図１】は、本発明の洗浄／ウェットエッチング同時処
理工程を含む一般的なＴＦＴ−ＬＣＤ製造のためのプロ
セスフローの一部を示す断面図である。
理工程を含む一般的なＴＦＴ−ＬＣＤ製造のためのプロ
セスフローの一部を示す断面図である。
【図２】は、ＴＦＴ−ＬＣＤ製造用半導体基板のＳｉＮ
ｘ絶縁層をドライエッチングした後の状態を示す拡大断
面図（図２（Ａ））及び図２（Ａ）のＴＦＴ−ＬＣＤ製
造用半導体基板を本発明の方法により洗浄／ウェットエ
ッチング同時処理した後の状態を示す拡大段メンス（図
２（Ｂ））である。
ｘ絶縁層をドライエッチングした後の状態を示す拡大断
面図（図２（Ａ））及び図２（Ａ）のＴＦＴ−ＬＣＤ製
造用半導体基板を本発明の方法により洗浄／ウェットエ
ッチング同時処理した後の状態を示す拡大段メンス（図
２（Ｂ））である。
１ ガラス基板
２ ゲート電極
３ ゲート絶縁膜
４ アモルファスシリコン−アイランド層
５ ｎ+アモルファスシリコン膜
６、７ ソース／ドレイン電極
８ ＳｉＮｘ絶縁膜
９ 有機絶縁膜
10 残渣物
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 阿部 久起
新潟県新潟市太夫浜新割182 三菱瓦斯
化学株式会社新潟研究所内
(72)発明者 青山 哲男
新潟県新潟市太夫浜新割182 三菱瓦斯
化学株式会社新潟研究所内
(56)参考文献 特開2000−232063（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−15740（ＪＰ，Ａ)
特開2000−194144（ＪＰ，Ａ)
国際公開00／033371（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304 - 21/308
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも、アルミニウム／チタニウム
積層膜から成るソース／ドレイン電極と前記ソース／ド
レイン電極上に形成された絶縁膜とを有する半導体基板
の前記絶縁膜をドライエッチングしてコンタクトホール
を形成した後、前記半導体基板を酸化剤とキレート剤と
を含有する水溶液から成るウェットエッチング液に接触
させて、前記ドライエッチング時に発生したコンタクト
ホ−ル内の残渣物の洗浄を行うと同時に前記ソース／ド
レイン電極のアルミニウム膜のみをウェットエッチング
することを特徴とする半導体基板の洗浄処理とウェット
エッチング処理とを同時に行う方法。 - 【請求項２】 ウェットエッチング液の酸化剤濃度が
０．１〜６０重量％であり、かつキレート剤濃度が０．
０００１〜５重量％である請求項1記載の半導体基板の
洗浄処理とウェットエッチング処理とを同時に行う方
法。 - 【請求項３】 酸化剤が過酸化水素、オゾン及び過塩素
酸から成る群より選ばれた少なくとも一の化合物である
請求項1または２記載の半導体基板の洗浄処理とウェッ
トエッチング処理とを同時に行う方法。 - 【請求項４】 酸化剤が過酸化水素である請求項1また
は２記載の半導体基板の洗浄処理とウェットエッチング
処理とを同時に行う方法。 - 【請求項５】 キレート剤がアミノポリカルボン酸類、
アミノポリカルボン酸類のアンモニウム塩、金属塩もし
くは有機アルカリ塩、ホスホン酸類、ホスホン酸類のア
ンモニウム塩、アルカリ金属塩、有機アミン塩もしくは
Ｎ−オキシド体、メタリン酸、メタリン酸のアンモニウ
ム塩、金属塩もしくは有機アミン塩、縮合リン酸類、及
び、縮合リン酸類のアンモニウム塩、金属塩もしくは有
機アミン塩から成る群より選ばれた少なくとも一の化合
物である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体基板の
洗浄処理とウェットエッチング処理とを同時に行う方
法。 - 【請求項６】 キレート剤がホスホン酸類及びホスホン
酸類のアンモニウム塩、アルカリ金属塩、有機アミン塩
もしくはＮ−オキシド体から成る群より選ばれた少なく
とも一の化合物である請求項１〜４のいずれかに記載の
半導体基板の洗浄処理とウェットエッチング処理とを同
時に行う方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP4667847B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2011-04-13 | 花王株式会社 | 剥離剤組成物及び該剥離剤組成物を用いる半導体基板または半導体素子の製造方法 |
| CN101636688B (zh) | 2007-06-14 | 2011-12-14 | 夏普株式会社 | 显示面板和显示装置以及显示面板的制造方法 |
| JP5363713B2 (ja) | 2007-07-19 | 2013-12-11 | 三洋半導体製造株式会社 | エッチング液組成物 |
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