JP3511129B2

JP3511129B2 - 樹脂ぺースト組成物及びこれを用いた半導体装置

Info

Publication number: JP3511129B2
Application number: JP27362898A
Authority: JP
Inventors: 陽二片山; 磐雄前川
Original assignee: 日立化成工業株式会社
Priority date: 1998-09-28
Filing date: 1998-09-28
Publication date: 2004-03-29
Anticipated expiration: 2018-09-28
Also published as: JP2000104035A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ配線板等
に接着するのに好適な樹脂ぺースト組成物及びこれを用
いた半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の実装方式は高密度実装の点
から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行し
ているが、基板への実装には基板全体を赤外線等で加熱
するリフローソルダリングが用いられ、パッケージが２
００℃以上の高温に加熱されるため、パッケージ内部、
特に接着剤層中または封止材中に含まれる水分の急激な
気化又は膨張によりパッケージクラックが発生し、半導
体装置の信頼性が低下するという問題があった。この間
題は４２アロイリードフレームよりも銅リードフレーム
において特に深刻である。その理由の１つとしては、銅
リードフレームに対して接着剤の接着力が低いことが挙
げられる。もう１つの理由としては、銅リードフレーム
の方が４２アロイリードフレームよりも線膨張係数が大
きいためにＳｉチップとの線膨張係数の差が大きくなる
ことであり、これによりチップクラックやチップ反りが
発生するという問題がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、リードフレ
ームに対するピール強度、特に銅リードフレームに対す
るピール強度を向上させ、銅リードフレームにおいても
リフロークラックの無いダイボンディング用に適した樹
脂ぺースト組成物及びこれを用いた半導体装置を提供す
るものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）アクリ
ル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、
（Ｂ）エポキシ化ポリブタジエン、（Ｃ）ラジカル開始
剤および（Ｄ）充填材を含有させてなる樹脂ぺースト組
成物に関する。本発明は、また、（Ｂ）成分のエポキシ
化ポリブタジエンのエポキシ当量が１００〜５００（g/
eq）である上記のの樹脂ぺースト組成物に関する。本発
明は、また、上記のいずれかに記載の樹脂ぺースト組成
物を用いて半導体素子を支持部材に接着してなる半導体
装置に関する。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明に用いられる（Ａ）成分の
アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化
合物としては、１分子中に１個以上のアクリル基又はメ
タクリル基を有する化合物であり、下記の一般式（Ｉ）
〜（IX）で表される化合物が使用できる。

【０００６】（１）一般式（Ｉ）

【化１】〔ただし、式中、Ｒ¹は水素又はメチル基を表し、Ｒ²は
炭素数１〜１００、好ましくは炭素数１〜３６の２価の
脂肪族又は環状構造を持つ脂肪族炭化水素基を表す〕で
示される化合物。

【０００７】一般式（Ｉ）で示される化合物としては、
メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルア
クリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルア
クリレート、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアク
リレート、アミルアクリレート、イソアミルアクリレー
ト、ヘキシルアクリレート、ヘプチルアクリレート、オ
クチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレー
ト、ノニルアクリレート、デシルアクリレート、イソデ
シルアクリレート、ラウリルアクリレート、トリデシル
アクリレート、ヘキサデシルアクリレート、ステアリル
アクリレート、イソステアリルアクリレート、シクロヘ
キシルアクリレート、イソボルニルアクリレート等のア
クリレート化合物、メチルメタクリレート、エチルメタ
クリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメ
タクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチル
メタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、アミルメ
タクリレート、イソアミルメタクリレート、ヘキシルメ
タクリレート、ヘプチルメタクリレート、オクチルメタ
クリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ノニ
ルメタクリレート、デシルメタクリレート、イソデシル
メタクリレート、ラウリルメタクリレート、トリデシル
メタクリレート、ヘキサデシルメタクリレート、ステア
リルメタクリレート、イソステアリルメタクリレート、
シクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタクリ
レート等のメタクリレート化合物がある。

【０００８】（２）一般式（II）

【化２】〔ただし、式中、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ一般式（Ｉ）に
おけるのと同じものを表す〕で示される化合物。

【０００９】一般式（II）で示される化合物としては、
２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエ
チルプロピルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、２−ヒドロキシエチルプロピルメタクリレ
ート等がある。

【００１０】（３）一般式（III）

【化３】〔ただし、式中、Ｒ¹は一般式（Ｉ）におけるのと同じ
ものを表し、Ｒ³は水素、メチル基又はフェノキシメチ
ル基を表し、Ｒ⁴は水素、炭素数１〜６のアルキル基、
ジシクロペンテニル基、フェニル基又はベンゾイル基を
表し、ｎは１〜５０の整数を表す〕で示される化合物。

【００１１】一般式（III）で示される化合物として
は、ジエチレングリコールアクリレート、ポリエチレン
グリコールアクリレート、ポリプロピレンアクリレー
ト、２−メトキシエチルアクリレート、２−エトキシエ
チルアクリレート、２−ブトキシエチルアクリレート、
メトキシジエチレングリコールアクリレート、メトキシ
ポリエチレングリコールアクリレート、ジシクロペンテ
ニルオキシエチルアクリレート、２−フェノキシエチル
アクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリ
レート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレー
ト、２−ベンゾイルオキシエチルアクリレート、２−ヒ
ドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート等のア
クリレート化合物、ジエチレングリコールメタクリレー
ト、ポリエチレングリコールメタクリレート、ポリプロ
ピレンメタクリレート、２−メトキシエチルメタクリレ
ート、２−エトキシエチルメタクリレート、２−ブトキ
シエチルメタクリレート、メトキシジエチレングリコー
ルメタクリレート、メトキシポリエチレングリコールメ
タクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタク
リレート、２−フェノキシエチルメタクリレート、フェ
ノキシジエチレングリコールメタクリレート、フェノキ
シポリエチレングリコールメタクリレート、２−ベンゾ
イルオキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシ−３
−フェノキシプロピルメタクリレート等のメタクリレー
ト化合物がある。

【００１２】（４）一般式（IV）

【化４】〔ただし、式中、Ｒ¹は一般式（Ｉ）におけるのと同じ
ものを表し、Ｒ⁵はフェニル基、ニトリル基、−Ｓｉ(Ｏ
Ｒ⁶)（Ｒ⁶は炭素数１〜６のアルキル基を表す）、

【化５】（Ｒ⁷、Ｒ⁸及びＲ⁹はそれぞれ独立に炭素数１〜６のア
ルキル基を表す）を表し、ｍは１、２又は３の数を表
す〕で示される化合物。

【００１３】一般式（IV）示される化合物としては、ベ
ンジルアクリレート、２−シアノエチルアクリレート、
γ−アクリロキシエチルトリメトキシシラン、グリシジ
ルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレー
ト、ジメチルアミノエチルアクリレート、ジエチルアミ
ノエチルアクリレート、アクリロキシエチルホスフェー
ト、アクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェート
等のアクリレート化合物、ベンジルメタクリレート、２
−シアノエチルメタクリレート、γ−メタクリロキシエ
チルトリメトキシシラン、グリシジルメタクリレート、
テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジメチルアミ
ノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタク
リレート、メタクリロキシエチルホスフェート、メタク
リロキシエチルフェニルアシッドホスフェート等のメタ
クリレート化合物がある。

【００１４】（５）一般式（Ｖ）

【化６】〔ただし、式中、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ一般式（Ｉ）に
おけるのと同じものを表す〕で示される化合物。

【００１５】一般式（Ｖ）で示される化合物としては、
エチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジ
オールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジア
クリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、
１，３−ブタンジオールジアクリレート、ネオペンチル
グリコールジアクリレート等のジアクリレート化合物、
エチレングリコールジメタクリレート、１，４−ブタン
ジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオール
ジメタクリレート、１，９−ノナンジオールジメタクリ
レート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、ネ
オペンチルグリコールジメタクリレート等のジメタクリ
レート化合物等がある。

【００１６】（６）一般式（VI）

【化７】〔ただし、式中、Ｒ¹、Ｒ³及びｎは一般式（Ｉ）又は
（III）におけるのと同じものを表す〕で示される化合
物。

【００１７】一般式（VI）で示される化合物としては、
ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレング
リコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジ
アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレー
ト、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプ
ロピレングリコールジアクリレート等のジアクリレート
化合物、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリ
エチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレン
グリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコール
ジメタクリレート、トリプロピレングリコールジメタク
リレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート
等のジメタクリレート化合物等がある。

【００１８】（７）一般式（VII）

【化８】〔式中、Ｒ¹は一般式（Ｉ）におけるのと同じものを表
し、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹はそれぞれ独立に水素又はメチル基を
表す〕で示される化合物。

【００１９】一般式（VII）で示される化合物として
は、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェ
ノールＡＤ１モルとグリシジルアクリレート２モルの反
応物、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフ
ェノールＡＤ１モルとグリシジルメタクリレート２モル
の反応物等がある。

【００２０】（８）一般式（VIII）

【化９】〔ただし、式中、Ｒ¹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹はそれぞれ一般式
（Ｉ）又は（VII）におけるのと同じもの前記のものを
表し、Ｒ¹²及びＲ¹³はそれぞれ水素又はメチル基を示
し、ｐ及びｑはそれぞれ独立に１〜２０の整数を表す〕
で示される化合物。

【００２１】一般式（VIII）で示される化合物として
は、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェ
ノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加物のジアクリ
レート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビス
フェノールＡＤのポリプロピレンオキサイド付加物のジ
アクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又
はビスフェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加物
のジメタクリレート、ビスフェノールＦ又はビスフェノ
ールＡＤのポリプロピレンオキサイド付加物のジメタク
リレート等がある。

【００２２】（９）一般式（IX）

【化１０】〔式中、Ｒ¹は一般式（Ｉ）におけるのと同じものを表
し、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶及びＲ¹⁷はそれぞれ独立に水素又
はメチル基を表し、ｘは１〜２０の整数を表す〕で示さ
れる化合物。

【００２３】一般式（IX）で示される化合物としては、
ビス（アクリロキシプロピル）ポリジメチルシロキサ
ン、ビス（アクリロキシプロピル）メチルシロキサン−
ジメチルシロキサンコポリマー、ビス（メタクリロキシ
プロピル）ポリジメチルシロキサン、ビス（メタクリロ
キシプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサン
コポリマー等がある。

【００２４】（Ａ）成分のアクリル酸エステル化合物又
はメタクリル酸エステル化合物としては、上記の化合物
を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することがで
きる。

【００２５】（Ｂ）成分のエポキシ化ポリブタジエンと
してはエポキシ当量が５０〜５００（g/eq）のものが好
ましい。エポキシ当量が５０未満では粘度が増大し、樹
脂ぺースト組成物の作業性が低下する傾向があり、５０
０を越えると熱時の接着強度が低下する傾向がある。な
お、エポキシ当量は過塩素酸法により求めたものであ
る。エポキシ化ポリブタジエンとしては分子内に水酸基
を持つものを使用してもよい。

【００２６】エポキシ化ポリブタジエンの数平均分子量
が５００〜１００００のものが好ましい。分子量が小さ
すぎるとチップ反りの低減効果に劣る傾向があり、分子
量が大きすぎると樹脂ペーストの粘度が上昇し作業性に
劣る傾向がある。数平均分子量は、蒸気圧浸透圧法で測
定した値又はゲルパーミエーションクロマトグラフィー
により標準ポリスチレンの検量線を利用して測定（以
下、ＧＰＣ法という）した値である

【００２７】エポキシ化ポリブタジエンは、（Ａ）成分
１００重量部に対して１０〜１００重量部使用すること
が好ましく、３０〜８０重量部使用することがより好ま
しい。この配合量が１０重量部未満であるとチップ反り
低減効果に劣る傾向があり、１００重量部を越えると、
粘度が増大し、樹脂ぺースト組成物の作業性が低下する
傾向がある。

【００２８】本発明に用いられる（Ｃ）のラジカル開始
剤としては特に制限はないが、ボイド等の点から過酸化
物が好ましく、また樹脂ぺースト組成物の硬化性および
粘度安定性の点から過酸化物の分解温度としては７０〜
１７０℃が好ましい。ラジカル開始剤の具体例として
は、１，１，３，３，−テトラメチルブチルパーオキシ
２−エチルヘキサノエート、１，１−ビス（ｔ−ブチル
パーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）シクロドデカン、ジ−ｔ−ブチルパーオ
キシイソフタレート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエー
ト、ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオ
キサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチル
パーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ
（ｔ−ブチルパーオキシ）３−ヘキシン、クメンハイド
ロパーオキサイド等がある。ラジカル開始剤の配合量
は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の総量１００重量部に対し
て０．１〜１０重量部が好ましく、０．５〜５重量部が
特に好ましい。

【００２９】本発明に用いられる（Ｄ）成分の充填材と
しては特に制限はなく、各種のものを用いることがで
き、例えば、金、銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウ
ム、ステンレス等の電電性物質、酸化ケイ素、窒化ホウ
素、ホウ酸アルミニウム等の非導電性物質の粉体が挙げ
られる。充填材の配合量は特に限定されないが、樹脂ぺ
一スト組成物総量１００重量部に対して２０〜８５重量
％が好ましい。この配合量が２０重量部未満であると、
熱時の接着強度が低下する傾向があり、８５重量部を越
えると粘度が増大し、樹脂ぺ一スト組成物の作業性が低
下する傾向がある。

【００３０】本発明になる樹脂ぺースト組成物には、さ
らに必要に応じてアクリロニトリル−ブタジエンゴム、
スチレン−ブタジエンゴム、ウレタンアクリレート等の
靭性改良材、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸
湿剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、
酸無水物等の接着力向上剤、ノニオン系界面活性剤、フ
ッ素系界面活性剤等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消
泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ剤等を適宜
添加することができる。

【００３１】本発明になる樹脂ぺースト組成物を製造
は、（Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸
エステル化合物、（Ｂ）エポキシ化ポリブタジエン、
（Ｃ）ラジカル開始剤および（Ｄ）充填材を必要に応じ
て用いられる各種添加剤とともに、一括または分割して
撹拌器、らいかい器、３本ロール、プラネタリーミキサ
ー等の分散・溶解装置を適宜組み合わせ、必要に応じて
加熱して、混合、溶解、解粒混練または分散して行われ
る。各成分が均一になるように分散させることが好まし
い。

【００３２】本発明においては、さらに上記のようにし
て製造した樹脂ぺースト組成物を用いて半導体素子と支
持部材とを接着することにより半導体装置とすることが
できる。本発明の樹脂ぺースト組成物を用いて半導体素
子をリードフレーム等の支持部材に接着させるには、ま
ず支持部材上に樹脂ぺースト組成物をディスペンス法、
スクリーン印刷法、スタンピング法等により塗布した
後、半導体素子を圧着し、その後オーブン、ヒートブロ
ック等の加熱装置を用いて加熱硬化することにより行う
ことができる。さらに、ワイヤボンドエ程を経たのち、
通常の方法により封止することにより完成された半導体
装置とすることができる。

【００３３】

【実施例】次に、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれによって制限されるものではない。

【００３４】比較例で用いたエポキシ樹脂、硬化剤は以
下のようにして作製したものを用いた。（１）エポキシ樹脂の調製ＹＤＦ−１７０（東都化成(株)商品名、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１７０）７．５重量
部及びＹＬ−９８０（油化シェルエポキシ(株）商品
名、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量＝
１８５）７．５重量部を８０℃に加熱し、１時間撹拌を
続け、均一なエポキシ樹脂溶液を得た。（２）硬化剤の調製Ｈ−１（明和化成（株)商品名、フェノールノボラック
樹脂、水酸基当量＝１０６）１．０重量部及び希釈剤と
してＰＰ−１０１（東都化成(株)商品名、アルキルフェ
ニルグリシジルエーテル、エポキシ当量＝２３０）２．
０重量部を１００℃に加熱し、１時間撹拌を続け、均一
なフェノール樹脂溶液を得た。

【００３５】下記の例で使用した化合物を例示する。（１）エポキシ系硬化促進剤２Ｐ４ＭＨＺ（四国化成(株)製のイミダゾール類の商品
名）（２）アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エス
テル化合物Ｒ−５５１（日本化薬社製のジアクリレートの商品名、
ビスフェノールＡポリエチレングリコールジアクリレー
ト）、ＦＡ−５１２Ｍ（日立化成工業(株)製のモノメタクリレ
ートの商品名、２−（トリシクロ）〔５．２．１．０
^2,6〕デカ−３−エン−８又は９−イルオキシエチルメ
タクリレート）、ラウリルメタクリレート

【００３６】（３）エポキシ化ポリブタジエンＰＢ−４７００（ダイセル化学(株)製のエポキシ化ポリ
ブタジエンの商品名、エポキシ当量＝１５２．４〜１７
７．８、数平均分子量＝３５００、ＧＰＣ法）（４）ラジカル開始剤ジクミルパーオキサイド（５）充填剤ＴＣＧ−１（徳力化学研究所製の銀粉の商品名）

【００３７】実施例１〜２及び比較例１表１に示す配合割合で各材料を混合し、３本ロールを用
いて混練した後、５トール（Torr）以下で１０分間脱泡
処理を行い、樹脂ぺースト組成物を得た。この樹脂ぺー
スト組成物の特性（粘度、ピール強度、チップ反り）を
下記に示す方法で調べた。その結果を表２に示す。

【００３８】表２に示す特性の測定は、次のようにし
た。（１）粘度ＥＨＤ型回転粘度計（東京計器(株)製）を用いて２５℃
における粘度（Pa・s）を測定した。（２）ピール強度樹脂ぺースト組成物を銅リードフレーム上に約３．２mg
を塗布し、この上に８mm×８mmのＳｉチップ（厚さ０．
４mm）を圧着し、さらにオーブンで１５０℃まで３０分
で昇温し１５０℃で１時間硬化させた。これを自動接着
力装置（日立化成工業(株)製）を用い、２４０℃におけ
る引き剥がし強さ（kg／チップ）を測定した。

【００３９】（３）チップ反り樹脂ぺースト組成物を銅リードフレーム上に約３．２mg
を塗布し、この上に５mm×１３mmのＳｉチップ（厚さ
０．４mm）を圧着し、さらにオーブンで常温から１５０
℃まで３０分で昇温し１５０℃で１時間硬化させた。こ
れを表面粗さ計（sloan社製、Dektuk３０３０）を用
い、チップ反り（４ｍ）を測定した。反りは、触針計を
用いて、針でサンプル表面を走査し、一番高いところ
と、一番低いところの高低の差を求めた。

【００４０】（４）耐リフロー性実施例及び比較例により得た樹脂ぺースト組成物を用
い、下記リードフレームとＳｉチップを、下記の硬化条
件により硬化し接着した。その後日立化成工業(株)製エ
ポキシ封止材（商品名ＣＥＬ−４６２０）により封止
し、半田リフロー試験用パッケージを得た。そのパッケ
ージを温度及び湿度がそれぞれ８５℃、８５％の条件に
設定された恒温恒湿槽中で７２時間吸湿させた。その後
２４０℃／１０秒のリフロー条件で半田リフローを行
い、パッケージの外部クラックの発生数を顕微鏡（倍
率：１５倍）で観察した。５個のサンプルについてクラ
ックの発生したサンプル数を示す。チップサイズ：８mm×１０mm パッケージ：ＱＦＰ、１４mm×２０mm×２mm フレーム：銅製硬化条件：常温から１５０℃まで３０分かけて昇温
し、１５０℃で１時間硬化させる。

【００４１】

【表１】

【００４２】

【表２】

【００４３】表２の結果から、本発明の樹脂ぺースト組
成物（実施例１及び２）は従来のエポキシ樹脂を用いた
樹脂ぺースト組成物（比較例１）に比較してピール強
度、チップ反りで良好な値を示し、耐リフロー性も優れ
ていた。このことから、本発明の樹脂ぺ一スト組成物に
よればパッケージの外部クラックの発生が抑制され、銅
リードフレームにおいても信頼性の高いパッケージが得
られることが確認された。

【００４４】

【発明の効果】本発明の樹脂ぺースト組成物は、半導体
装置のダイボンディング材として使用した場合に銅リー
ドフレームにおいても、チップクラックやチップ反りお
よび半田リフロー時のぺースト層の剥離を抑えることが
でき、リフロークラックの発生を低減させる。その結
果、半導体装置としての信頼性を向上させることができ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平７−238268（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−28520（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−31818（ＪＰ，Ａ) 特開平10−120873（ＪＰ，Ａ) 特開平10−195408（ＪＰ，Ａ) 特表平５−501783（ＪＰ，Ａ) 橋本邦之編著，プラスチック材料講座［１］エポキシ樹脂，日刊工業新聞社, 1969年５月30日，28−30 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C09J 4/00 - 201/10 H01L 21/52

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメ
タクリル酸エステル化合物、（Ｂ）エポキシ化ポリブタ
ジエン、（Ｃ）ラジカル開始剤および（Ｄ）充填材を含
有させてなるが、エポキシ樹脂硬化剤は含有していない
樹脂ぺースト組成物。
【請求項２】（Ｂ）成分のエポキシ化ポリブタジエン
のエポキシ当量が１００〜５００（g/eq）である請求項
１記載の樹脂ぺースト組成物。
【請求項３】請求項１又は２のいずれかに記載の樹脂
ぺースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着し
てなる半導体装置。