JP3461023B2 - 接着剤および半導体装置 - Google Patents
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Description
関し、さらに詳しくはリフローソルダリング時にリフロ
ークラックの無い高信頼性の半導体装置を得ることがで
きる接着剤及びこれを用いた半導体装置に関する。
素子のリードフレーム(支持部材)の接合方法として、
(1)金−シリコン共晶体等の無機材料を接着剤として
用いる方法、(2)エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系
等の有機材料等に銀粉等を分散させてペースト状態と
し、これを接着剤として用いる方法などがある。しかし
ながら、前者の方法ではコストが高く、350℃〜40
0℃程度の高い熱処理が必要であり、また接着剤が硬
く、熱応力によってチップの破壊が起こるため、最近で
は銀粉を含んだ銀ペーストを用いる後者の方法が主流と
なっている。この方法は、一般に銀ペーストをディスペ
ンサーやスタンピングマシンを用いてリードフレームの
ダイパッドに塗布した後、半導体素子をダイボンディン
グし、加熱硬化させて接着するものである。加熱硬化の
方法としては、オーブン中で硬化させるバッチ方式と、
加熱されたプレート上で硬化させるインライン方式とが
ある。さらにこの半導体装置は、外部を封止材により封
止後、基板上に半田付けされ実装される。現在、高密
度、高効率の実装のため、半田実装は半導体装置のリー
ドを基板に直接半田付けする面付け実装法が主流となっ
ている。半田実装には、基板全体を赤外線などで加熱す
るリフローソルダリングが用いられ、パッケージは20
0℃以上の高温に加熱される。このため、パッケージ内
部、特に接着層中または封止材中に含まれる水分が気化
してダイパッドと封止材の間に回り込み、パッケージに
クラック(リフロークラック)が生じ、半導体装置の信
頼性が低下する欠点があった。
技術の欠点を除去し、リフロークラックの無い接着剤及
びこれを用いた半導体装置を提供するものである。
カルボキシル基を有するアクリロニトリルブタジエン共
重合体とエポキシ基を2個以上有するエポキシ樹脂との
反応生成物、(2)硬化剤、(3)アクリル基又はメタ
クリル基を有する有機化合物及び(4)遊離ラシカル重
合開始剤を含有してなるダイボンディング用の接着剤な
らびにこの接着剤を用いて半導体素子を支持部材に接合
してなる半導体装置に関する。
を有するアクリロニトリルブタジエン共重合体は、既に
公知の化合物であり、例えば液状ポリブタジエンCTB
N−1300×31、CTBNX−1300×9(いず
れも宇部興産社製)、NISSO−PB−C−2000
(日本曹達社製)などが挙げられる。
有するエポキシ樹脂としては、例えばビスフェノール
A、ビスフェノールF、ビスフェノールADなどとエピ
クロロヒドリンとから誘導されるエポキシ樹脂、例えば
AER−X8501(旭化成工業社製)、YDF−17
0(東部化成工業社製)、R−710(三井石油化学社
製)、ノボラツク型エポキシ樹脂N−730S(大日本
インキ社製)、フェノールノボラツク型エポキシ樹脂Q
uatrex−2010(ダウ・ケミカル社製)、クレ
ゾールノボラツク型エポキシ樹脂YDCN−702S
(東都化成工業社製)、EOCN−100(日本化薬社
製)、ビスフェノールA型エポキシ樹脂R−301、Y
L−980(油化シェルエポキシ社製)、多官能エポキ
シ樹脂EPPN−501(日本化薬社製)、TACTI
X−742(ダウ・ケミカル社製)、VG−3101
(三井石油化学社製)、1032S(油化シェルエポキ
シ社製)、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂HP−
4032(大日本インキ社製)、脂環式エポキシ樹脂E
HPE−3150(ダイセル化学社製)などが挙げられ
る。これらのエポキシ樹脂を適宜組み合わせて用いても
よい。さらに必要に応じて、フェニルグリシジルエーテ
ル、クレジルグリシジルエーテル、パラターシャリブチ
ルフェニルグリシジルエーテル、パラセカンダリフェニ
ルグリシジルエーテル、アミン型エポキシ樹脂ELM−
100(住友化学社製)などの反応性希釈剤を用いても
よい。反応性希釈剤は、接着剤に対して、通常15重量
%以下の量で用いられる。
キシ樹脂と、前記の末端にカルボキシル基を有するアク
リロニトリルブタジエン共重合体とを10/90〜90
/10(重量部)の比率で、80℃〜120℃で30分
〜6時間程度反応させて得られる。反応時に必要に応じ
て下記の溶媒を使用してもよい。溶媒の存在下に前記の
エポキシ樹脂、アクリロニトリルブタジエン共重合体及
び硬化剤を同時に混合して反応させてもよい。これらの
溶媒としては、ブチルセロソルブ、カルビトール、酢酸
ブチルセロソルブ、酢酸カルビトール、エチレングリコ
ールジエチルエーテル、α−テルピネオールなどの比較
的沸点の高い有機溶剤を用いることができる。
はないが、例えばフェノール樹脂H−1(明和化成工業
社製)、フェノールアラルキル樹脂XL−225(三井
東圧化学社製)、ジシアンジアミドSP−10(日本カ
ーバイド社製)、二塩酸ジヒドラジドADH、PDH、
SDH(四国化成工業社製)、マイクロカプセル型硬化
剤ノバキュア(旭化成工業社製)などが挙げられる。
リル基を有する有機化合物も既に公知の化合物であり、
例えば脂環式アクリレートFA−513A、脂環式メタ
クリレートFA−513M(日立化成工業社製)、脂環
式ジアクリレートR−684(日本化薬社製)、脂肪族
ジアクリレートHDDA(日本化薬社製)、脂肪族ジメ
タクリレートNPG、1.3BG、4G、10G(新中
村化学社製)、芳香族ジメタクリレートBPE−10
0、BPE−200、BPE−500、BPE−130
0(新中村化学社製)などが挙げられる。これらのアク
リル基又はメタクリル基を有する有機化合物は組み合わ
せて用いてもよい。
に制限はないが、例えばパークミルD、ナイパーD(い
ずれも日本油脂社製)などが挙げられる。
の点から上記の反応生成物のエポキシ基1当量に対し
て、硬化剤を0.5〜1.5当量とすることが好まし
く、また、この反応生成物100重量部に対してアクリ
ル基又はメタクリル基を有する有機化合物を50〜20
0重量部および遊離ラジカル重合開始剤を0.1〜10
重量部の範囲で用いることが好ましい。
しては、シリカ粉、アルミナ粉、銀粉等が用いられ、粒
径、形状等に制限はないが、銀粉が好ましく、フレーク
状、樹枝状、球形、不定形等の銀粉が使用可能である。
例えば、シルベストTCG−1(徳力化学研究所製)、
シルフレークAgc−A(福田金属箔粉工業社製)など
が挙げられる。充填剤は通常接着剤に対して50〜85
重量%の範囲で用いられる。
向上させるために硬化促進剤を含有することができ、そ
の例としては有機ボロン塩EMZ・K、TPP・K(北
興化学社製)、三級アミン類およびその塩DBU、U−
CAT102、106、830、340、5002(サ
ンアプロ社製)、キュアゾールC11Z−CNS、C
11Z、2P4MHZ、2PHZなどのイミダゾール類
(四国化成工業社製)などが挙げられる。これらの硬化
促進剤は単独で用いてもよく、数種類の硬化促進剤を適
宜組み合わせてもよく、使用量は適宜用いられる量とさ
れる。
作業性により良好にするため、必要に応じて希釈剤を添
加することができる。これらの希釈剤としては、PGE
(日本化薬社製)、PP−101(東都化成工業社
製)、ED−502、503(旭電化社製)、YED−
122(油化シェルエポキシ社製)、KBM−403、
LS−7970(信越化学社製)、TSL−8350、
8355、9905(東芝シリコーン社製)などの1分
子中に1〜2個のエポキシ基を有する希釈剤などが挙げ
られる。希釈剤の使用量は、通常、接着剤の20重量%
以内の量とされる。
KBM−573(信越化学社製)などのシランカップリ
ング剤、チタンカップリング剤などの接着力向上剤、ア
ニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤などの濡れ性
向上剤、シリコーン油などの消泡剤等を適宜添加するこ
とができる。
キシ樹脂と前記の末端にカルボキシル基を有するアクリ
ロニトリルブタジエン共重合体及び必要に応じて前記の
溶媒とをフラスコ内で80〜120℃の温度で溶解反応
させてワニスとし、このワニスに硬化剤及びアクリル基
又はメタクリル基を有する有機化合物及び遊離ラジカル
重合開始剤及び必要により充填剤、硬化促進剤を混合し
て得られる。混合装置としては、例えば三本ロール、プ
ラネタリミキサ、らいかい機、ボールミルなどが挙げら
れる。本発明になる接着剤は、半導体素子をリードフレ
ームなどの支持部材に接着させる際に用いられる半導体
素子用接着剤として用いることが好ましい。
は、以下の製造工程を経て製造される。すなわち、リー
ドフレームなどの支持部材に本発明の接着剤を注射筒を
用いたディスペンス法、スタンピング法、スクリーン印
刷などにより塗布した後、半導体素子を圧着し、その後
熱風循環式乾燥器、ヒートブロックなどの加熱装置を用
いて加熱硬化して半導体素子を支持部材に接合し、その
後通常のワイヤボンディング工程、封止工程を経て半導
体装置とされる。
化成工業製商品名)30重量部にCTBNX−1300
×9(液状ポリブタジエン、宇部興産社製商品名)10
重量部及び酢酸ブチルセロソルブ13重量部を加え、8
0℃に加熱して1時間撹拌してワニスを得た。この温度
でこのワニスにフェノール樹脂H−1(フェノールノボ
ラック樹脂、明和化成工業社製商品名)10重量部を加
え、1時間撹拌溶解した。その後23℃〜25℃まで冷
却し、R−684(脂環式ジアクリレート、日本化薬社
製商品名)、パークミルD(ラジカル重合開始剤、日本
油脂社製商品名)、キュアゾール2P4MHZ(イミダ
ゾール、四国化成工業社製商品名)、銀粉TCG−1
(徳力化学研究所製商品名)を表1に示す配合比(重量
部、以下同じ)でらいかい機により混合し接着剤を得
た。この接着剤を用い、下記の半田リフロークラック試
験を行った。試験結果を表1に示す。
ルエポキシ社製商品名)35重量部にCTBNX−13
00×9(液状ポリブタジエン、宇部興産社製商品名)
5重量部及び酢酸ブチルセロソルブ13重量部を加え、
80℃に加熱して1時間撹拌してワニスを得た。この温
度でこのワニスにフェノール樹脂H−1(フェノールノ
ボラツク樹脂、明和化成工業社製商品名)12重量部を
加え1時間撹拌して溶解した。その後23℃〜25℃ま
で冷却し、FA−513A(脂環式アクリレート、日立
化成工業社製商品名)、パークミルD(ラジカル重合開
始剤、日本油脂社製商品名)、キュアゾール2P4MH
Z(イミダゾール、四国化成工業社製商品名)、銀粉T
CG−1(徳力化学研究所製商品名)を表1に示す配合
比でらいかい機により混合し接着剤を得た。この接着剤
を用い、下記の半田リフロークラック試験を行った。試
験結果を表1に示す。
ルエポキシ社製商品名)20重量部にCTBNX−13
00×9(液状ポリブタジエン、宇部興産社製商品名)
20重量部及びフェノール樹脂H−1(フェノールノボ
ラツク樹脂、明和化成工業社製商品名)4重量部及び酢
酸ブチルセロソルブ13重量部を加え、80℃に加熱し
て1時間撹拌してワニスを得た。その後23℃〜25℃
まで冷却した後、FA−513A(脂環式アクリレー
ト、日立化成工業社製商品名)、パークミルD(ラジカ
ル重合開始剤、日本油脂社製商品名)、キュアゾール2
P4MHZ(イミダゾール、四国化成工業社製商品
名)、銀粉TCG−1(徳力化学研究所製商品名)を表
1に示す配合比でらいかい機により混合し接着剤を得
た。この接着剤を用い、下記の半田リフロークラック試
験を行った。試験結果を表1に示す。
化成工業製商品名)30重量部にCTBNX−1300
×9(液状ポリブタジエン、宇部興産製商品名)10重
量部及び酢酸ブチルセロソルブ13重量部を加え、80
℃に加熱して1時間撹拌してワニスを得た。この温度で
このワニスにフェノール樹脂H−1(フェノールノボラ
ツク樹脂、明和化成工業社製商品名)10重量部を加え
1時間撹拌溶解した。その後23℃〜25℃まで冷却
し、キュアゾール2P4MHZ(イミダゾール、四国化
成工業社製商品名)、銀粉TCG−1(徳力化学研究所
製商品名)を表1に示す配合比でらいかい機により混合
し接着剤を得た。この接着剤を用い、下記の半田リフロ
ークラック試験を行った。試験結果を表1に示す。
ルエポキシ社製商品名)35重量部にCTBNX−13
00×9(液状ポリブタジエン、宇部興産製商品名)5
重量部及び酢酸ブチルセロソルブ13重量部を加え、8
0℃に加熱して1時間撹拌してワニスを得た。この温度
でこのワニスにフェノール樹脂H−1(フェノールノボ
ラツク樹脂、明和化成工業社製商品名)12重量部を加
え1時間撹拌溶解した。その後23℃〜25℃まで冷却
し、キュアゾール2P4MHZ(イミダゾール、四国化
成工業社製商品名)、銀粉TCG−1(徳力化学研究所
製商品名)を表1に示す配合比でらいかい機により混合
し接着剤を得た。この接着剤を用い、下記の半田リフロ
ークラック試験を行った。試験結果を表1に示す。
フレームとシリコンチップを、下記の硬化条件により硬
化し接着した。その後日立化成工業製エポキシ封止材
(商品名CEL−4620)により封止し、半田リフロ
ー試験用パッケージを得た。そのパッケージを温度及び
湿度がそれぞれ85℃、85%の条件に設定された恒温
恒湿槽中で48時間吸湿させた。その後215℃/90
秒のリフロー条件で半田リフローを行い、パッケージの
外部クラックの発生数を顕微鏡(倍率:15倍)で観察
した。5個のサンプルについてクラックの発生したサン
プル数を示す。 チップサイズ:8mm×10mm パッケージ:QFP、14mm×20mm×2mm フレーム:42アロイ 硬化条件:180℃まで30分で昇温、180℃で1時
間硬化
に外部クラックが発生し、半導体装置の信頼性低下につ
ながるが、本発明の接着剤によれば、パッケージの外部
クラックの発生が抑制され、信頼性の高いパッケージが
得られることが示される。
イボンディング剤として使用した場合に、半田リフロー
時のペースト層の剥離を抑えることができ、リフローク
ラックの発生を低減し、半導体装置としての信頼性を向
上させこるとができる。
Claims (4)
- 【請求項1】 (1)末端にカルボキシル基を有するア
クリロニトリルブタジエン共重合体とエポキシ基を2個
以上有するエポキシ樹脂との反応生成物、(2)硬化
剤、(3)アクリル基又はメタクリル基を有する有機化
合物及び(4)遊離ラジカル重合開始剤を含有してなる
ダイボンディング用の接着剤。 - 【請求項2】 さらに充填剤を含有してなる請求項1記
載の接着剤。 - 【請求項3】 充填剤が銀粉である請求項2記載の接着
剤。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の接着剤
を用いて半導体素子を支持部材に接着してなる半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02866894A JP3461023B2 (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 接着剤および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02866894A JP3461023B2 (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 接着剤および半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07238269A JPH07238269A (ja) | 1995-09-12 |
JP3461023B2 true JP3461023B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=12254899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02866894A Expired - Fee Related JP3461023B2 (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 接着剤および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3461023B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5807910A (en) * | 1997-06-23 | 1998-09-15 | Industrial Technology Research Institute | Preolymerizing epoxy resin, functionalized rubber with filler to form adhesive |
TWI282811B (en) * | 2000-04-10 | 2007-06-21 | Sumitomo Bakelite Co | Die-attaching paste and semiconductor device |
JP3765731B2 (ja) * | 2000-04-10 | 2006-04-12 | 住友ベークライト株式会社 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
JP4660880B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2011-03-30 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物及びそれを用いた接着フィルム、接着方法 |
JP4752109B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2011-08-17 | 日立化成工業株式会社 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
KR100707732B1 (ko) * | 2001-10-29 | 2007-04-16 | 주식회사 코오롱 | 전자부품용 접착액 및 접착테이프 |
CN101323769B (zh) * | 2004-06-18 | 2011-04-13 | 日立化成工业株式会社 | 晶片接合用树脂胶 |
JP4946115B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2012-06-06 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP5625248B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-11-19 | 日立化成株式会社 | 樹脂ペースト組成物及び半導体装置 |
JP5662104B2 (ja) * | 2010-10-26 | 2015-01-28 | 京セラケミカル株式会社 | 導電性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP7281179B2 (ja) * | 2019-05-30 | 2023-05-25 | 化研テック株式会社 | 導電性接着剤及び導電性接着剤の使用方法 |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP02866894A patent/JP3461023B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH07238269A (ja) | 1995-09-12 |
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