JP3496816B2 - 金属−セラミックス複合体とそれを用いた放熱部品 - Google Patents
金属−セラミックス複合体とそれを用いた放熱部品Info
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 63
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 62
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000012784 inorganic fiber Substances 0.000 claims description 22
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical group N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011398 Portland cement Substances 0.000 claims description 3
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 3
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
- C04B38/0003—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof containing continuous channels, e.g. of the "dead-end" type or obtained by pushing bars in the green ceramic product
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/515—Other specific metals
- C04B41/5155—Aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/10—Alloys containing non-metals
- C22C1/1005—Pretreatment of the non-metallic additives
- C22C1/1015—Pretreatment of the non-metallic additives by preparing or treating a non-metallic additive preform
- C22C1/1021—Pretreatment of the non-metallic additives by preparing or treating a non-metallic additive preform the preform being ceramic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/10—Alloys containing non-metals
- C22C1/1036—Alloys containing non-metals starting from a melt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
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- Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
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- Y10T428/24331—Composite web or sheet including nonapertured component
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- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249955—Void-containing component partially impregnated with adjacent component
- Y10T428/249956—Void-containing component is inorganic
- Y10T428/249957—Inorganic impregnant
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- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249986—Void-containing component contains also a solid fiber or solid particle
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- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249987—With nonvoid component of specified composition
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Description
合させた金属−セラミックス複合体に関し、特に加工性
に優れた金属−セラミックス複合体に関する。更に、本
発明は熱伝導特性に優れ、かつ軽量であり、セラミック
ス基板やICパッケージなどの半導体部品のヒートシン
クなどの放熱部品として好適な高熱伝導性複合体に関す
る。
基板を用いた、半導体素子を搭載するための回路基板が
公知であるが、近年、回路基板の小型化、半導体素子の
高集積化が進むに従い、回路基板の放熱特性の一層の向
上が望まれ、ベリリア(BeO)を添加した炭化珪素
(SiC)、窒化アルミニウム(AlN)、或いは窒化
珪素(Si3N4)等のセラミックス基板が注目されてい
る。
用基体等として用いる場合には、半導体素子からの発熱
を前記基板裏面等に設けられるヒートシンクと呼ばれる
放熱部品を介して外部に発散させ、半導体素子の動作特
性等を確保する必要がある。
等を用いると、セラミックス基板とヒートシンクの熱膨
張差に起因して、加熱接合時や熱サイクルの付加等によ
りセラミックス基板にクラックや割れ等が生じることが
ある。そこで、セラミックス基板を高信頼性が要求され
る分野に用いる場合には、セラミックス基板と熱膨張差
の小さいMoやW等をヒートシンクとして用いていた。
は、MoやWが重金属であるので、重量が重く、放熱部
品の軽量化が望まれる用途には好ましくない。更に、こ
のようなヒートシンクは高価であることから、近年、銅
やアルミニウム或いはこれらの合金を無機質繊維または
粒子で強化したMMC(Metal MatrixCo
mposite)と略称される金属−セラミックス複合
体(単に、複合体ともいう)が注目されている。
機質繊維あるいは粒子を、あらかじめ成形することでプ
リフォームを形成し、そのプリフォームの繊維間あるい
は粒子間に基材(マトリックス)である金属或いは合金
を含浸(溶浸ともいう)させた複合体である。強化材と
しては、アルミナ、炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化
珪素、シリカ、炭素等のセラミックスが用いられてい
る。
セラミックス複合材は、前記のような放熱部品などを作
製する場合には、高精度な面やネジ穴加工などが要求さ
れ、その加工をするためにはセラミックスが複合されて
いる故に、被加工性に劣り、コストが高くなるという問
題がある。
記課題に鑑みなされたものであって、その目的は、通常
の金属加工方法が容易に適用でき、従って安価に加工す
ることができる金属−セラミックス複合体を提供するこ
とにある。また、本発明の他の目的は、金属−セラミッ
クス複合体を実用に供する際に、加工した穴を用いてネ
ジ止めすることがあるが、この場合に穴部付近の複合体
の強度が不足し、十分な固定、密着が達成できないこと
があるので、穴部付近の機械的特性の向上した金属−セ
ラミックス複合体を提供することにある。更に、本発明
の他の目的は、含浸操作時に発生し易い引け鬆を防止
し、また前記穴部表面に凹部が発生して、穴加工時に穴
の開口部が平坦とならない等の形状不良が発生すること
が防止できる金属−セラミックス複合体を提供すること
にある。
を達成するため鋭意研究した結果、複合材中の加工が必
要な個所に特定な材料を適用させる時に、被加工性に優
れ、しかもその部分の周囲が引け鬆の発生、或いは凹み
等を発生することなく、穴の形状の正確度が向上し、ネ
ジ止め等に用いても機械的特性を劣化させることがない
複合体が得られるという知見を得て、本発明を完成する
に至ったものである。
ミニウムを主成分とする金属を含浸してなる金属−セラ
ミックス複合体であって、多孔質無機構造体の一部に無
機質ファイバーと水硬性無機物質の硬化体とが含まれる
ことを特徴とする金属−セラミックス複合体であり、好
ましくは、多孔質無機構造体が炭化珪素を主成分として
なることを特徴とする前記の金属−セラミックス複合体
であり、無機質ファイバーが窒化硼素、炭化珪素、アル
ミナ、シリカ、窒化珪素、炭素の一種以上からなること
を特徴とする前記の金属−セラミックス複合体である。
ア、アルミナ、マグネシア、アルミナセメント、ポルト
ランドセメントの一種以上であることを特徴とする前記
の金属−セラミックス複合体であり、好ましくは、金属
−セラミックス複合体の一部に貫通穴が含まれているこ
とを特徴とする前記の金属−セラミックス複合体であ
り、更に好ましくは、貫通穴が、多孔質無機構造体の無
機質ファイバーと水硬性無機物質の硬化体とを含有し、
アルミニウムを主成分とする金属が含浸された部分を貫
通していることを特徴とする前記の金属−セラミックス
複合体である。
クス複合体からなることを特徴とする放熱部品である。
ルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる金属−セ
ラミックス複合体である。
通常、強化材であるセラミックスと、含浸されて基材と
なる金属の熱膨張率と、それらの配合比で決まる。一般
に、セラミックスの熱膨張率は、金属の熱膨張率に比べ
かなり小さく、複合体の熱膨張率を下げるためには、セ
ラミックスの比率を増やすことが効果的である。
率も、基本的には、強化材であるセラミックスと、基材
である金属の熱伝導率と、それらの配合比で決まるが、
熱伝導率の場合には、更に、強化材と基材との界面の結
合状態が大きく寄与する。セラミックスと金属では、一
般に金属の方が熱伝導率が高いが、炭化珪素(Si
C)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化硼素(BN)
等は、金属と同等以上の理論熱伝導率(300W/mK
以上)を有しており、熱伝導率向上の点からは、強化材
として非常に有望視されている。
lNやBNは高価であり、得られる複合体も高価になっ
てしまうし、また、AlNやBNは、大気雰囲気中で酸
化され易く、複合体とした場合、強化材であるセラミッ
クスと基材である金属との間に熱伝導率が極めて低いガ
ラス相を形成し易く、その結果、得られる複合体の熱伝
導率が低下してしまうという問題がある。
た結果、炭化珪素を主成分とする特定のセラミックス構
造体を用いるときに、高熱伝導率と低熱膨張率を兼ね備
えた金属−セラミックス複合体を製造するのに適してい
ることを見いだし、本発明に至ったものである。
濡れ性が緻密な複合体を得るためには重要である。一般
に、金属−セラミックス複合体は、強化材であるセラミ
ックスを所定形状に成形したプリフォームに、基材とな
る金属を高温高圧下で含浸させる高圧鋳造法で緻密体を
製造するが、含浸する金属の融点が高いと、含浸時の温
度が高くなり、セラミックスが酸化されたり、セラミッ
クスと金属が反応して特性的に好ましくない化合物を形
成することがある。また、金属の融点が高いと、含浸温
度が高くなることにより、型材等の材質が限定され高価
になってしまうと共に、鋳造コスト自体も増加し、得ら
れる複合体が高価になってしまう。
々検討した結果、炭化珪素質構造体にアルミニウムを主
成分とする合金を適用することにより、上述の問題を生
じることなく、良好な複合体を製造できることを見いだ
した。すなわち、本発明の複合体は、炭化珪素質多孔体
にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなるもの
が好ましい。
ックス複合体を、例えば、セラミックス回路基板の裏面
に接合して、ヒートシンク等の放熱部品として用いる場
合には、回路基板とヒートシンク更にはヒートシンクと
放熱フィンとをそれぞれ強固に面接触させるために、ネ
ジ止め固定して用いられるので、ネジ止め用の穴(貫通
穴)を設ける必要がある。
ックスは非常に硬く、その加工のためには、ダイヤモン
ドドリル等の特殊な加工法を適用しなければならない。
また、予め所望の位置に穴を開けた多孔質無機構造体を
用いて、これに金属を含浸して穴部の金属を加工する方
法がある。この方法では、金属の加工法が適用できるも
のの、含浸時に引け鬆が発生したり、或いは穴部の金属
表面が通常50μm近くも凹む現象を呈するので、金属
加工法で穴を設けた場合に、穴部周辺の表面が他の部分
より低く(即ち、穴部の形状正確性が悪い)、先のヒー
トシンクに適用する場合に熱放散性が悪くなるという問
題がある。このため、穴部に予め無機質ファイバーを充
填した多孔質無機構造体に金属を含浸する方法も試みら
れているが、上記問題の解決には至っていない。
質ファイバーと水硬性無機物質の硬化体とが含まれるこ
とを特徴としていて、無機質ファイバーと水硬性無機物
質の硬化体とを含有し、アルミニウムを主成分とする金
属を含浸した部分を設けることで、上記問題解決を図っ
たものである。
る理由は、多孔質無機構造体の一部に加工性に優れる部
分を設ける場合、例えば、多孔質無機構造体に貫通穴を
設ける場合を想定すると、予め前記多孔質無機構造体に
最終の大きさより大きな穴部を設け、該穴部に前記無機
質ファイバーと水硬性無機物質とを水に分散したスラリ
ー状で充填し、必要ならば乾燥等の操作をすることで、
硬化させることで、多孔質無機構造体の一部に無機質フ
ァイバーと水硬性無機物質の硬化物とが含まれる部分
を、容易に、生産性高く、形成せしめることができると
いう利点がある。そして、前記操作で得られた一部に無
機質ファイバーと水硬性無機物質の硬化物とが含まれる
部分を多孔質無機構造体にアルミニウムを主成分とする
金属を含浸し、前記無機質ファイバーと水硬性無機物質
の硬化物を含む部分を加工し、貫通穴を容易に得ること
ができる。
無機質ファイバーのみからなる場合には、得られる複合
体の前記部分で引け鬆が発生し易く、この部分を加工し
て得られる穴も形状の正確性に欠けることが多い。ま
た、前記多孔質無機構造体の一部が水硬性無機物質の硬
化体のみでは、この部分を加工する際の加工性が良好で
なく、本発明の目的を達成し難くなる。両者を組み合わ
せるときに限り、含浸時の引け鬆の発生を防止でき、形
状の正確性に優れた穴等の加工ができ、しかも一般の金
属加工方法をもって容易に加工することができるという
効果が得られる。
硬化物との比率については、本発明者らの実験的検討に
よれば、無機質ファイバーと水硬性無機物質の硬化物の
部分に関して、その全空間に対して無機質ファイバーが
1〜4容量%、水硬性無機物質の硬化物が5〜15容量
%であれば、スラリー状態で充填した後の乾燥したとき
の収縮が少なく、従って加工時の形状の正確度に優れ、
含浸時の引け鬆の発生や穴部表面での凹みの発生も防止
され、さらに金属加工性に富みながらも、実使用時のね
じ込みによって変形し難い金属−セラミックス複合体が
得られるので、好ましい。
バーとしては、炭素、窒化珪素、シリカ、アルミナ、炭
化珪素、窒化硼素等を用いることが出来るが、このうち
アルミナは、溶融状態のアルミニウムを主成分とする金
属と接触しても反応することなく、しかも安価で入手し
やすいことから好ましい。
無機物質としては、カルシア、アルミナ、マグネシア、
アルミナセメント、ポルトランドセメント等が用いるこ
とができるが、このうちアルミナは、溶融状態のアルミ
ニウムを主成分とする金属と接触しても反応することな
く、入手しやすいことから好ましい。
に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるもので
はない。
素粉末A(太平洋ランダム社製:NG−220、平均粒
径:60μm)、炭化珪素粉末B(屋久島電工社製:G
C−1000F、平均粒径:10μm)及びシリカゾル
(日産化学社製:スノーテックス)を表1の組成で配合
し、撹拌混合機で30分間混合した後、100mm×1
00mm×5mmの形状に7MPaの示す圧力で成形し
た。
100℃で2時間加熱して、多孔質の炭化珪素構造体
(以下、炭化珪素質多孔体という)を作製した。得られ
た炭化珪素質多孔体は、四隅に直径10mmφの穴を開
け、その中に、水硬性無機物質と無機質ファイバーとを
含むいろいろなスラリーを充填した後、105℃で乾燥
して前記水硬性無機物質を硬化させて、表1に示す体積
充填率となるように前記穴を満たした。
多孔体について、いずれも電気炉中で温度800℃に予
備加熱し、予め加熱しておいた350mmφのプレス型
内に載置した後、温度850℃のAl−12Siの溶湯
を前記プレス型内に流し込み、70MPaの圧力で15分
間プレスして、炭化珪素質多孔体に前記合金を含浸させ
炭化珪素質複合体を形成した。
した後に取り出した。このときの複合体は板状であり、
前記10mmφの穴部は、無機質ファイバーと水硬性無
機物質の硬化物からなる部分にAl−12Si合金が浸
透して、あたかも第二の金属−セラミックス複合体を呈
していた。尚、このときの前記第二の複合体部分には引
け鬆等の異常もなく、穴部最大凹み量も10μm以下で
あり、良好であった。
クス複合体について、穴部分を7mmφの超硬ドリルで
穴開け加工を行い加工性の評価をし、更に、25mm厚
みのAl板上に、6mmφのボルトを用いて、6MPa
の締め付け圧力にて締め付け試験を行い、穴部周辺の第
二の金属−セラミックス複合体の変形の有無を黙視にて
観察したが、本発明のものには何らの異常も認められな
かった。
までは実施例と同じ条件としたが、穴開け後にスラリー
を充填しないもの(比較例1)及び炭化珪素ファイバーの
みのスラリーを用意し、乾燥後の穴部の炭化珪素ファイ
バーの充填率が0.5体積%となるようにし、以降は実
施例と同じ条件で操作した。その結果を前記実施例と共
に表1に示すが、引け鬆の発生と共に、穴部最大凹み量
は30μm以上と大きく穴加工時に形状の正確度が高く
なく、更にボルトによる締め付け試験後には穴部周辺に
変形が認められた。
ラミックス複合体の表面に無電解メッキ法により厚さ1
0μmのNi層を設けた。次ぎに、前記金属−セラミッ
クス複合体を、放熱フィンにネジ固定した後、半導体部
品を搭載した窒化珪素回路基板の裏面に設けられた銅板
に、半田により固定して、モジュールを形成した。この
モジュールは実使用において、何ら問題なく使用するこ
とができた。
該複合材の一部に被加工性に富む部分が設けられている
ことから、その部分を加工することにより、貫通穴等の
加工を高い形状正確性をもって施すことができるという
特徴を有するので、複合材の一部を安価な金属加工を適
用することのみで、従って高い熱伝導性や小さな熱膨張
率という性能を損なうことなく、実用用途に適用できる
形状に加工することができるので、工業的利用範囲が大
幅に拡大される。
Claims (7)
- 【請求項1】多孔質無機構造体にアルミニウムを主成分
とする金属を含浸してなる金属−セラミックス複合体で
あって、多孔質無機構造体の一部に無機質ファイバーと
水硬性無機物質の硬化体とが含まれることを特徴とする
金属−セラミックス複合体。 - 【請求項2】多孔質無機構造体が炭化珪素を主成分とし
てなることを特徴とする請求項1記載の金属−セラミッ
クス複合体。 - 【請求項3】無機質ファイバーが窒化硼素、炭化珪素、
アルミナ、シリカ、窒化珪素、炭素の一種以上からなる
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の金属−
セラミックス複合体。 - 【請求項4】水硬性無機物質がカルシア、アルミナ、マ
グネシア、アルミナセメント、ポルトランドセメントの
一種以上であることを特徴とする請求項1、請求項2ま
たは請求項3記載の金属−セラミックス複合体。 - 【請求項5】金属−セラミックス複合体の一部に貫通穴
が含まれていることを特徴とする請求項1、請求項2、
請求項3または請求項4記載の金属−セラミックス複合
体。 - 【請求項6】貫通穴が、多孔質無機構造体の無機質ファ
イバーと水硬性無機物質の硬化体とを含有し、アルミニ
ウムを主成分とする金属が含浸された部分を貫通してい
ることを特徴とする請求項5記載の金属−セラミックス
複合体。 - 【請求項7】請求項1、請求項2、請求項3、請求項
4、請求項5または請求項6記載の金属−セラミックス
複合体からなることを特徴とする放熱部品。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17969599A JP3496816B2 (ja) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | 金属−セラミックス複合体とそれを用いた放熱部品 |
US09/598,366 US6399187B1 (en) | 1999-06-25 | 2000-06-21 | Metal-ceramics composite, heat dissipation device employing it, and processes for producing them |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17969599A JP3496816B2 (ja) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | 金属−セラミックス複合体とそれを用いた放熱部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001007264A JP2001007264A (ja) | 2001-01-12 |
JP3496816B2 true JP3496816B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=16070269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17969599A Expired - Lifetime JP3496816B2 (ja) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | 金属−セラミックス複合体とそれを用いた放熱部品 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6399187B1 (ja) |
JP (1) | JP3496816B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR876M (ja) | 1960-10-12 | 1961-10-16 | ||
JP3980262B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2007-09-26 | 日本碍子株式会社 | SiC質熱処理用治具 |
KR101021450B1 (ko) * | 2004-09-14 | 2011-03-15 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 알루미늄-탄화 규소질 복합체 |
KR20110134878A (ko) * | 2009-02-13 | 2011-12-15 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | Led 발광소자용 복합재료 기판, 그 제조 방법 및 led 발광소자 |
JP2012254891A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Denki Kagaku Kogyo Kk | アルミニウム−炭化珪素質複合体とその製造方法 |
KR101901385B1 (ko) * | 2011-12-15 | 2018-10-01 | 한국생산기술연구원 | 다공성 탄소나노입자 네트워크 구조체를 이용한 방열재 주조방법 |
JP2014005486A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Aisin Seiki Co Ltd | アルミニウム複合材の製造方法 |
WO2015141729A1 (ja) * | 2014-03-18 | 2015-09-24 | 電気化学工業株式会社 | アルミニウム-炭化珪素質複合体及びパワーモジュール用ベース板 |
WO2016002943A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | 電気化学工業株式会社 | 放熱部品及びその製造方法 |
WO2016013648A1 (ja) * | 2014-07-24 | 2016-01-28 | 電気化学工業株式会社 | 複合体及びその製造方法 |
TWI796503B (zh) * | 2018-07-13 | 2023-03-21 | 日商電化股份有限公司 | 金屬-碳化矽質複合體、及金屬-碳化矽質複合體之製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4390220A (en) * | 1981-04-02 | 1983-06-28 | Burroughs Corporation | Electrical connector assembly for an integrated circuit package |
US4998578A (en) * | 1988-01-11 | 1991-03-12 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of making metal matrix composites |
US5303763A (en) * | 1988-11-10 | 1994-04-19 | Lanxide Technology Company, Lp | Directional solidification of metal matrix composites |
US5526867A (en) * | 1988-11-10 | 1996-06-18 | Lanxide Technology Company, Lp | Methods of forming electronic packages |
US6003221A (en) * | 1991-04-08 | 1999-12-21 | Aluminum Company Of America | Metal matrix composites containing electrical insulators |
US5465481A (en) * | 1993-10-04 | 1995-11-14 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor package |
US5858513A (en) * | 1996-12-20 | 1999-01-12 | Tht United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Channeled ceramic structure and process for making same |
-
1999
- 1999-06-25 JP JP17969599A patent/JP3496816B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-21 US US09/598,366 patent/US6399187B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6399187B1 (en) | 2002-06-04 |
JP2001007264A (ja) | 2001-01-12 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071128 Year of fee payment: 4 |
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|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101128 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131128 Year of fee payment: 10 |
|
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