JPH11157964A - 板状複合体とそれを用いた放熱部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高熱伝導性を有すると共に，比重が小さく，且
つ熱膨張率がセラミックス基板に近く、加えて加熱され
た際に反りがない寸法安定性に優れた半導体回路基板用
途に好適な放熱部品用材料を提供する。 【解決手段】炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分
とする金属を含浸してなる複合体であって、相対する主
面の炭化珪素量の差が３重量％以下であることを特徴と
し、好ましくは、２５〜３００℃に加熱した際の反り量
が１ｍｍ当たり５μｍ以下であることを特徴とする板状
複合体とそれを用いた放熱部品。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱伝導特性に優
れ、かつ軽量であり、セラミックス基板やＩＣパッケー
ジなどの半導体部品のヒートシンクなどの放熱部品とし
て好適な高熱伝導性複合材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、セラミックス基板や樹脂基板
等の種々の基板を用いた、半導体素子を搭載するための
回路基板が知られている。近年、回路基板の小型化、高
密度化、また半導体素子の高集積化が進むに従い、回路
基板の放熱特性の一層の向上が望まれ、ベレリア（Ｂｅ
Ｏ）を添加した炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）等のセラミックス基
板が注目されている。

【０００３】セラミックス基板を回路基板やパッケージ
用基体等として用いる場合には、半導体素子からの発熱
を回路基板裏面等に設けられるヒートシンクと呼ばれる
放熱部品を介して外部に発散させ、半導体素子の動作特
性等を確保している。

【０００４】この場合、ヒートシンクとして銅（Ｃｕ）
等を用いると、セラミックス基板とヒートシンクの熱膨
張率差に起因して、ヒートシンクとセラミックス基板と
の加熱接合時や、セラミックス回路基板製造時或いはそ
の実使用時の熱サイクルの付加等によりセラミックス基
板にクラックや割れ等が生じることがある。そこで、信
頼性が要求される分野にセラミックス基板を用いる場合
には、セラミックス基板と熱膨張率差の小さいＭｏ、Ｗ
等をヒートシンクとして用いていた。

【０００５】ＭｏやＷを用いた放熱部品は、重金属であ
るＭｏやＷに原因して重量が重く、放熱部品の軽量化が
望まれる用途には好ましくない。更に、ＭｏやＷを用い
たヒートシンクは高価であることから、近年、銅やアル
ミニウム（Ａｌ）或いはこれらの合金を無機質繊維また
は粒子で強化したＭＭＣ（Ｍｅｔａｌ ＭａｔｒｉｘＣ
ｏｍｐｏｓｉｔｅ）と略称される金属ーセラミックス複
合体（以下、複合体という）が注目されている。

【０００６】前記複合体は、一般には、強化材である無
機質繊維あるいは粒子を、あらかじめ成形することでプ
リフォームを形成し、そのプリフォームの繊維間あるい
は粒子間に基材（マトリックス）である金属或いは合金
を含浸（溶浸ともいう）させた複合体である。強化材と
しては、アルミナ、炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化
珪素、シリカ、炭素等のセラミックスが用いられてい
る。

【０００７】しかし、複合体において熱伝導率を上げよ
うとする場合、強化材並びに金属或いは合金として熱伝
導率の高い物質を選択する必要があること、強化材であ
るセラミックスとマトリックスである金属或いは合金の
濡れ性や界面の反応層等も熱伝導率に大きく寄与するこ
と、マトリックスと強化材の結合が不十分であると熱伝
導率以外に複合体の強度低下をもたらすという制限があ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】即ち、ＭｏやＷ等の重
金属材料をヒートシンクに用いた場合、放熱部品の重量
が重くなると共に、放熱性に関しても必ずしも十分でな
いという問題があるし、比較的軽量で放熱性に優れるＣ
ｕやＡｌ等をヒートシンクとして用いる場合にも、セラ
ミックス基板との熱膨張差が大きく、信頼性の高い構造
を得るためには、接合構造自体が非常に複雑になってし
まい、製造コストの増加や放熱部品としての熱抵抗の増
加等を招くといった問題があった。

【０００９】更に、上記の課題を解決するため、金属−
セラミックス複合体が検討されているが、セラミックス
基板に近い熱膨張率を得ようとすると、熱膨張率の低い
強化材であるセラミックスの比率を上げる必要がある。
しかし、セラミックス成分の比率を上げるには、高い成
形圧でプリフォームを成形する必要があり、コストアッ
プに繋がると共に、その後の金属或いは合金の十分な含
浸が難しくなるという問題がある。このため、熱膨張率
がセラミックス基板に近く、高い熱伝導率を有する金属
−セラミックス複合体を安価に提供できる技術の開発が
課題となっている。

【００１０】一方、上述した複合体をヒートシンク等の
放熱部品として用いる場合、回路基板や放熱フィン等と
接合して用いるため、その接合部分の平滑度、言い換え
ると複合体の反りが非常に重要である。例えば、ヒート
シンクに適用させる場合、セラミックス基板等の回路基
板と半田等により接合するため、ヒートシンクに反りが
あると接合界面の厚さが不均一になり、使用時に接合部
（半田部分）より剥離等が起こるといった問題や、回路
基板に不均一な応力が発生し、回路基板におけるセラミ
ックス等の絶縁層の破壊といった問題が発生する。ま
た、室温で反りが小さく、回路基板との接合が可能な材
料であっても、使用下で加熱されて反りを発生する材料
の場合には、やはり、接合部からの剥離や回路基板の破
壊等の問題がある。

【００１１】更に、セラミックス回路基板等は、ヒート
シンク等の放熱部品を介して、通常放熱フィン等に接合
して用いるが、その場合、ヒートシンクに反りがあると
放熱フィン等との接合が不十分となり、半導体素子等か
ら発生した熱を十分に放熱することができず、部品の故
障原因となる。

【００１２】本発明は、上記の事情に鑑みなされたもの
であって、高熱伝導性を有すると共に、比重が小さく、
且つ熱膨張率がセラミックス基板と同程度に小さく、加
えて加熱された際にも反りがない、寸法安定性に優れた
高熱伝導性複合体とそれを用いて放熱部品を安価に提供
することを目的とするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するため鋭意研究した結果、複合体中の炭化珪素
量を厳密に制御することにより、複合体の反りを防止で
きることを見出し、本発明を完成するに至ったのであ
る。

【００１４】即ち、本発明は、炭化珪素質多孔体にアル
ミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体
であって、相対する主面の炭化珪素量の差が３重量％以
下であることを特徴とする板状複合体である。

【００１５】また、本発明は、室温（２５℃）から３０
０℃に加熱した際の反り量が、当該反りが最大となる方
向の長さ１ｍｍに対して、５μｍ以下であることを特徴
とする前記の板状複合体である。

【００１６】更に、本発明は、直径３ｍｍ長さ１０ｍｍ
の試験片（Ａ）と直径１．５ｍｍ長さ１０ｍｍの試験片
（Ｂ）を長さ方向が板状複合体の主面と平行となるよう
にそれぞれ採取し、それぞれの熱膨張率を押棒式熱膨張
計にて測定したときに、試験片（Ａ）と試験片（Ｂ）の
それぞれの見掛の熱膨張率の差が１×１０^-6Ｋ^-1以下で
あることを特徴とする前記の板状複合体である。

【００１７】加えて、本発明は、前記の板状複合体を用
いてなることを特徴とする放熱部品である。

【００１８】

【発明の実施の形態】金属−セラミックス複合体の熱膨
張率は、通常、強化材であるセラミックスと基材である
金属の熱膨張率とそれらの配合比で決まる。セラミック
スの熱膨張率は金属の熱膨張率に比べかなり小さく、複
合体の熱膨張率を下げるには、セラミックスの比率を増
やすことが効果的である。一方、金属−セラミックス複
合体の熱伝導率も、基本的には、強化材であるセラミッ
クスと基材である金属の熱伝導率とそれらの配合比で決
まるが、熱伝導率に関しては、更に強化材と基材との界
面の結合状態も大きな寄与要因である。セラミックスと
金属では、一般に金属の方が熱伝導率が高いが、炭化珪
素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化硼素
（ＢＮ）等は、金属と同等以上（３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）
以上）の理論熱伝導率を有し、熱伝導率向上の点から
は、強化材として非常に有望である。

【００１９】本発明者らは、強化材について種々検討し
た結果、炭化珪素粉の成形体或いは炭化珪素を主成分と
するセラミックス構造体等の炭化珪素質多孔体を用いる
ときに、高熱伝導率と低熱膨張率を兼ね備えた金属−セ
ラミックス複合体を製造するのに適していることを見い
だし、本発明に至ったものである。

【００２０】複合体を製造する場合、緻密な複合体を得
るためには、強化材と金属との濡れ性の良いことが重要
であり、それらの組み合わせが重要である。また、金属
−セラミックス複合体は、一般に、強化材であるセラミ
ックスを所定形状に成形したプリフォームに、基材であ
る金属を高温高圧下で含浸させる高圧鋳造法で緻密体を
製造している。含浸する金属の融点が高いと、含浸時の
温度が高くなり、セラミックスが酸化されたり、セラミ
ックスと金属が反応して特性的に好ましくない化合物を
形成することがある。更に、基材である金属の融点が高
いと、含浸温度が高くなることにより、型材等の材質が
限定され高価になってしまうと共に、鋳造コスト自体も
増加し、得られる複合体が高価になってしまう。

【００２１】本発明者らは、基材である金属について種
々検討した結果、アルミニウムを主成分とする合金を用
いることにより、良好な複合体を製造できることを見い
だした。すなわち、本発明の複合体は、炭化珪素質多孔
体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなるも
のである。

【００２２】また、本発明の複合体中の炭化珪素質多孔
体の含有量は、５０〜８０体積％であることが好まし
く、更に好ましくは６０〜７０体積％である。炭化珪素
質多孔体の含有量が５０体積％未満では、複合体の熱膨
張率が高くなり、本発明が目的とする信頼性の高い放熱
部品が得られないことがある。また、炭化珪素質多孔体
の含有量を高くすることは、複合体の高熱伝導率、低熱
膨張率といった点では有効であるが、嵩密度が８０％を
越える多孔体を製造するには、プリフォーム製作過程に
おいて非常に高い成形圧力を必要とする等の問題があ
り、得られる複合体のコストが極端に高くなってしま
う。また、複合体中の炭化珪素質多孔体の含有量が８０
体積％を越え極端に高くなりすぎると、強度、破壊靱性
等の機械的特性が低下するとともに高温での熱伝導率が
低下するという問題もある。

【００２３】一方、本発明の炭化珪素質複合体中の金属
は、アルミニウムを主成分とする合金であり、好ましく
はシリコンを２０重量％以下、又はマグネシウムを５重
量％以下含有する。合金中のアルミニウム以外の成分を
調整することにより、合金自体の熱伝導率や熱膨張率を
変えることができ、その結果得られる複合体の熱膨張率
や熱伝導率も調整できる。アルミニウムにシリコンやマ
グネシウムを添加し合金化することにより、合金の融点
低下や高温での溶融金属の粘性低下があり、高温鋳造法
等で緻密な複合体が得やすくなる。更に、アルミニウム
金属を合金化することにより、金属自体の硬度増加があ
り、その結果、得られる複合体の強度等の機械的特性が
向上する。合金中のアルミニウム、シリコン、マグネシ
ウム以外の金属成分に関しては、極端に合金の特性が変
化しない範囲であれば銅等も含有することができる。

【００２４】本発明の複合体は、板状であり、しかも相
対する主面の炭化珪素量の差が３重量％以下、好ましく
は、１重量％以下である。複合体の熱膨張率は、炭化珪
素と金属或いは合金の熱膨張率とその含有量により強く
支配されているが、このため、前記炭化珪素量の差が３
重量％を越えると、複合体の相対する主面の熱膨張率の
差が大きくなり、複合体に反りが発生し、ヒートシンク
等の放熱部品として用いる場合に、回路基板や放熱フィ
ン等と十分に接合することができなくなってしまうとい
う問題がある。また、板の厚さとしては、例えばヒート
シンクに用いる場合に２〜１０ｍｍである。

【００２５】本発明の炭化珪素質複合体は、室温（２５
℃）から３００℃に加熱した際の反り量が、当該反りが
最大となる方向の長さ１ｍｍに対して、５μｍ以下、好
ましくは２μｍ以下である。一般に、ヒートシンク等の
放熱部品は、回路基板や放熱フィン等と接合して用いら
れるため、室温においては、顕著な反りがないものを用
いる。しかし、加熱時に反りが発生すると前述したよう
な回路基板の剥離や絶縁層の破壊といった問題が発生す
る。

【００２６】室温（２５℃）から３００℃に加熱した際
の反り量が、当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに
対して、５μｍを越えると、回路基板や放熱フィン等と
接合する際には、室温では接合状態が均一であっても、
実使用下においては、熱サイクル等が付加された場合、
回路基板の破壊や放熱特性の低下による半導体素子の故
障を引き起こす。

【００２７】また、本発明の複合体は、直径３ｍｍ長さ
１０ｍｍの試験片（Ａ）と直径１．５ｍｍ長さ１０ｍｍ
の試験片（Ｂ）を、それぞれ長さ方向が板状複合体の主
面と平行となるように採取し、それぞれの熱膨張率を押
棒式熱膨張計にて測定したときに、試験片（Ａ）と試験
片（Ｂ）のそれぞれの見掛の熱膨張率の差が１×１０ ^-6
Ｋ^-1以下、好ましくは０．５×１０^-6Ｋ^-1以下である。
前記見掛の熱膨張率の差が１×１０^-6Ｋ^-1を越える場
合、複合体の反りが大きく、放熱部品等として用いる場
合に問題を生じることがある。

【００２８】本発明の複合体は、熱伝導率が１５０Ｗ／
（ｍ・Ｋ）以上であり、室温の熱膨張率が１×１０^-5Ｋ
^-1以下であることが好ましい。

【００２９】また、本発明の複合体は、密度が３ｇ／ｃ
ｍ³程度と銅等の金属に比べ軽く、放熱部品等として用
いる場合、部品の軽量化に有効である。加えて、本発明
の炭化珪素質複合体は、曲げ強度が３００ＭＰａ以上と
高く、放熱部品等として用いるに十分な機械的特性を有
している。

【００３０】本発明の複合体は、熱伝導特性に優れ、十
分な機械的特性を有し、しかもセラミックス基板と同程
度に小さな熱膨張率を有しており、セラミックス回路基
板用などのヒートシンクを初めとする放熱部品に用いて
好適である。また、本発明の複合体は、密度が３ｇ／ｃ
ｍ³程度と軽量であり、移動用機器に用いる放熱部品と
して好適である。

【００３１】本発明の複合体は、熱伝導特性に優れ、熱
膨張率が１×１０^-5Ｋ^-1以下と低いので、ヒートシンク
等の放熱部品として用いるとき、従来の銅等を用いた場
合に比べてセラミックス基板との熱膨張率差が小さくな
り、セラミックス基板がその上に搭載される半導体素子
の作動時に発生する熱サイクル等によりクラックや割れ
等を発生する現象を防止できるので、高い信頼性が要求
される電気、自動車等の移動用機器に用いる放熱部品と
して好適である。そして、本発明の複合体を用いてなる
放熱部品は、温度変化があっても反りが非常に少ないの
で、回路基板や放熱フィンと十分に接合することがで
き、高い放熱特性を安定して有することができるという
効果を有する。

【００３２】本発明の複合体を得る方法としては、以下
の方法があげられる。炭化珪素粉末に結合剤としてシリ
カゾルやアルミナゾル等を所定量添加混合し、所望の形
状に成形する。成形方法は、プレス成形、押し出し成
形、鋳込み成形等を用いることができ、必要に応じて保
形用バインダーを添加してもよい。また、炭化珪素粉末
に関しては、１種類の粉末を用いても、また、複数の粉
末を粒度配合して用いてもよい。次に、得られた成形体
を、大気中又は窒素等の雰囲気中、温度７００〜１６０
０℃で仮焼して炭化珪素質多孔体を製造する。また、炭
化珪素粉末に結合材としてシリコン粉末を添加混合し
て、同様の方法で製造することもできる。更に、炭化珪
素質多孔体の他の製造方法に関しては、炭化珪素粉末や
シリコン粉末と炭素粉末の混合粉末を、不活性ガス雰囲
気中、温度１６００〜２２００℃で焼成して製造するこ
ともできる。

【００３３】得られた炭化珪素質多孔体は、熱衝撃によ
る割れ等を防止するために加熱し、融点以上の温度に加
熱したアルミニウムを主成分とする金属溶湯を高圧で含
浸させて炭化珪素質複合体とする。金属成分の含浸方法
に関しては、特に限定はなく、高圧鋳造法、ダイキャス
ト法等が利用できる。

【００３４】尚、本発明の複合体中の相対する主面の炭
化珪素量の分析方法に関しては、複合体を研削加工し
て、上面及び下面より板厚の１／３以下、しかも表面か
ら０．１〜０．５ｍｍの部分を採取し、乳鉢等で粉砕し
て粉末状試料を得て、炭素分析計（ＬＥＣＯ社製；ＩＲ
−４１２）で炭素量を測定し、この炭素量から炭化珪素
量を算出した。

【００３５】

【実施例】以下、実施例をあげて、本発明を更に詳細に
説明する。

【００３６】［実施例１〜６］炭化珪素粉末ａ（太平洋
ランダム社製：ＮＧ−２２０、平均粒径：６０μｍ）、
炭化珪素粉末ｂ（屋久島電工社製：ＧＣ−５００Ｆ、平
均粒径：３０μｍ）及びシリカゾル（日産化学社製：ス
ノーテックス）を表１の組成で配合し、攪拌混合機で３
０分間混合した後、１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×５ｍｍの
形状に１０ＭＰａの圧力でプレスし成形体とした。得ら
れた成形体は、大気雰囲気中、温度１０００℃で２時間
加熱して、炭化珪素質多孔体を作製した。得られた炭化
珪素質多孔体は、その寸法と質量より相対密度を算出し
た。得られた結果を表１に示す。

【００３７】

【表１】

【００３８】次に、炭化珪素質多孔体を電気炉で、温度
８００℃に予備加熱し、予め加熱しておいた内径２００
ｍｍのプレス型内に載置した後、温度８５０℃に加熱し
た表１に示す金属の溶湯を鋳込み、１００ＭＰａの圧力
で２分間プレスして、炭化珪素質多孔体に合金を含浸さ
せた。得られた複合体を含む合金塊は、室温まで冷却し
たのち、ダイヤモンド加工治具で複合体を削り出した。
得られた複合体は、ダイヤモンド加工治具を用いて、熱
膨張率測定用試験体Ａ（３ｍｍφ×１０ｍｍ）、試験体
Ｂ（１．５ｍｍφ×１０ｍｍ）、室温の熱伝導率測定用
試験体（１０ｍｍφ×３ｍｍ）、３点曲げ強さ評価用試
験体（３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍ）、反り測定用試験体
（１００ｍｍ×５０ｍｍ×３ｍｍ）に研削加工した。ま
た、得られた複合体の相対する主面の上面より試験体Ｃ
（２０ｍｍφ×０．４ｍｍ）、下面より試験体Ｄ（２０
ｍｍφ×０．４ｍｍ）をそれぞれ研削加工して作製し
た。

【００３９】次に、それぞれの試験体を用いて、押し棒
式熱膨張計（セイコー電子社製；ＴＭＡ３００）により
室温（２５℃）から２５０℃の熱膨張率、レーザーフラ
ッシュ法による室温の熱伝導率（真空理工社製；ＴＣ−
７０００）及び曲げ試験機（島津製作所社製；オートグ
ラフ）による三点曲げ強さを測定した。得られた結果を
表２に示す。更に、試験体Ｃ、Ｄを乳鉢で粉砕し、炭素
分析計で炭素量を測定し、この炭素量から炭化珪素量を
算出した。尚、反り量に関しては、試験体を電気炉中に
設置し、温度２５℃から３００℃に加熱し、マクロメー
ターでその際の寸法変化を測定し、反り量を算出した。
得られた結果を表２に示す。

【００４０】

【表２】

【００４１】〔比較例１〕実施例１において、炭化珪素
粉末ｂを含有量が４５体積％なるように鉄製の金型に充
填して、プリフォーム作製しないことを除いて実施例１
と同じ手法で複合体を作製し、実施例１と同じ評価を行
った。この結果を表１に示した。

【００４２】［実施例７、比較例２］炭化珪素粉末ａ７
５ｇ、炭化珪素粉末ｂ７５ｇ、シリカゾルを固形分量で
６ｇ及び純水５０ｇを配合し、攪拌混合機で３０分間混
合した後、１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×５ｍｍの形状の石
膏型に流し込み、温度４０℃で２４時間乾燥して成形体
を作製した。尚、比較例２では混合時間を３０秒とし
た。得られた成形体は、大気雰囲気中、温度１０００℃
で２時間加熱して、炭化珪素質多孔体とした。得られた
炭化珪素質多孔体は、２０ｍｍφ×５ｍｍの形状に加工
して、その寸法と質量より相対密度を算出した。実施例
７の相対密度は６８％であり、比較例２の相対密度は６
３％であった。

【００４３】次に、この炭化珪素質多孔体を、実施例１
と同じ方法によりアルミニウム合金を含浸させて炭化珪
素質複合体を作製した。得られた複合体は、実施例１と
同じ評価を行った。得られた結果を表３に示す。

【００４４】

【表３】

【００４５】［実施例８、９］実施例８は、実施例７の
成形体を、１ＭＰａの窒素加圧雰囲気中、温度１５００
℃で３時間加熱して、炭化珪素質多孔体を作製した。ま
た、実施例９は、炭化珪素粉末ｂ、シリコン粉末及び炭
素粉末を等モル配合し、実施例１と同じ方法で成形体を
作製し、アルゴン雰囲気中、温度２０００℃で３時間加
熱処理して炭化珪素質多孔体を作製した。得られた炭化
珪素質多孔体は、実施例１と同じ方法によりアルミニウ
ム合金を含浸させて炭化珪素質複合体を作製した。得ら
れた複合体は、実施例１と同じ評価を行った。得られた
結果を表４に示す。尚、実施例８、９の炭化珪素質複合
体の一部を乳鉢で粉砕し、酸素／窒素同時分析計（ＬＥ
ＣＯ社製；ＴＣ−４３６）で酸素量を測定した結果、共
に０．３重量％以下であった。

【００４６】

【表４】

【００４７】［実施例１０、１１、比較例３］実施例７
で作製した複合体を研削加工して、９０ｍｍ×９０ｍｍ
×３ｍｍの形状とし、無電解ニッケル（Ｎｉ）メッキ処
理を行い、複合体表面に１０μｍ厚のメッキ層を形成し
た。メッキ処理した複合体表面に５０μｍ厚のハンダペ
ーストをスクリーン印刷し、実施例１０ではその上に市
販の窒化アルミニウム基板を、実施例１１では市販の窒
化珪素基板をそれぞれ搭載し、温度３００℃のリフロー
炉で５分間加熱処理して、複合体とセラミックス基板と
を接合させた。尚、比較例３では、銅板を用いて実施例
１０と同じ手法で、窒化アルミニウム基板を接合した。

【００４８】次に、これらのセラミックス基板を接合し
た複合体を用いて、−４０℃〜１５０℃の温度幅で３０
００回のヒートサイクル試験を行った。比較例３では、
ヒートサイクル３０回で、セラミックス基板の回路間に
クラックが発生した。これに対して、実施例１０及び実
施例１１では、３０００回のヒートサイクル試験後も、
セラミックス基板の回路間のクラック発生や回路の剥離
は認められなかった。

【００４９】

【発明の効果】本発明の複合体は、強化材である炭化珪
素質多孔体の含有量及びその分布状態を調整され、その
結果、熱伝導率が高く、熱膨張率がセラミックス基板と
同程度に小さく、しかも、温度変化を受けても反りが非
常に小さいという特徴を有するので、半導体搭載用セラ
ミックス基板と接合して用いるヒートシンクを初めとす
る放熱部品に好適である。更に、本発明の放熱部品は、
前記特徴に加え、高強度で、しかも軽量であることか
ら、電気、自動車等の移動機器等に好適な放熱部品とし
て好適である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/373 Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｍ // Ｃ０４Ｂ 35/565 Ｃ０４Ｂ 35/56 １０１Ａ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成
   分とする金属を含浸してなる板状複合体であって、相対
   する主面の炭化珪素量の差が３重量％以下であることを
   特徴とする板状複合体。
2. 【請求項２】室温（２５℃）から３００℃に加熱した際
   の反り量が、当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに
   対して、５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記
   載の板状複合体。
3. 【請求項３】 直径３ｍｍ長さ１０ｍｍの試験片（Ａ）
   と直径１．５ｍｍ長さ１０ｍｍの試験片（Ｂ）を長さ方
   向が板状複合体の主面と平行となるようにそれぞれ採取
   し、それぞれの熱膨張率を押棒式熱膨張計にて測定した
   ときに、試験片（Ａ）と試験片（Ｂ）のそれぞれの見掛
   の熱膨張率の差が１×１０^-6Ｋ^-1以下であることを特徴
   とする請求項１記載の板状複合体。
4. 【請求項４】 請求項１、請求項２又は請求項３記載の
   板状複合体を用いてなることを特徴とする放熱部品。