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JP3487497B2 - 被処理体収容治具及びこれを用いた熱処理装置 - Google Patents

被処理体収容治具及びこれを用いた熱処理装置

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JP3487497B2
JP3487497B2 JP19370298A JP19370298A JP3487497B2 JP 3487497 B2 JP3487497 B2 JP 3487497B2 JP 19370298 A JP19370298 A JP 19370298A JP 19370298 A JP19370298 A JP 19370298A JP 3487497 B2 JP3487497 B2 JP 3487497B2
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恒 北宮
博文 北山
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Tokyo Electron Ltd
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Toshiba Corp
Tokyo Electron Ltd
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    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12Substrate holders or susceptors
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
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    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
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    • C30B31/14Substrate holders or susceptors
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理のために半
導体ウエハ等を所定のピッチで保持する被処理体収容治
具及びこれを用いた熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、IC等の集積回路を製造するた
めには、半導体ウエハ等の表面に成膜や酸化拡散等の熱
処理を施す工程やこの薄膜をエッチングしたりする工程
が複数回繰り返し行なわれている。半導体ウエハに所定
の熱処理を施すためには、一度に多数枚のウエハの熱処
理を行なうことができることから、一般的には縦型のバ
ッチ式の熱処理装置が多用される傾向にある。この縦型
の熱処理装置にあっては、外周に加熱ヒータを配置した
有天井の石英製処理容器内に、ウエハボートに所定のピ
ッチで配置した多数枚の半導体ウエハを下方より挿入し
て処理容器内に設置し、半導体ウエハを所定のプロセス
温度に加熱維持しつつ処理ガスを供給して所定のプロセ
ス圧力に維持し、熱処理を行なうようになっている。
【0003】ところで、多数枚の半導体ウエハを保持す
るウエハボートは図14に示されており、4本の支柱6
A〜6Dの両端を2枚の端板2、4で固定している。各
支柱6A〜6Dには、所定のピッチで多数の支持溝部8
A〜8Dが同一水平レベルで形成されており、これに半
導体ウエハWの周縁部下面を当接させて載置し、これを
保持するようになっている。このウエハボート1は、石
英製の保温筒10上に載置され、この保温筒10は、例
えばボールネジ等を設けてなるボートエレベータのよう
な治具昇降機構12により昇降されることになる。ま
た、このボートエレベータ12の側部には、ウエハWを
ウエハボート1へ搬入或いは搬出するために昇降及び進
退自在になされた搬送機構14が設けられており、この
先端に設けた板状の保持フォーク16上にウエハWを水
平に保持するようになっている。
【0004】半導体ウエハWをウエハボート1に載置す
る場合には、図14に示したように保持フォーク16上
にウエハWを載置した状態でこれをウエハボート1側へ
前進させて図15に示すようにウエハ周縁部を支持溝部
8A〜8D間に位置させ、この状態で保持フォーク16
を僅かに降下させることによって、ウエハは支持溝部8
A〜8D上に当接してここに保持され、受け渡しが行な
われることになる。その後は、保持フォーク16を後退
させてウエハボート1から引き抜く。このような操作を
多数回繰り返すことにより多数枚のウエハWがウエハボ
ート1に所定のピッチで保持される。
【0005】このように多数枚のウエハが保持されたウ
エハボート1は、治具昇降機構12を駆動することによ
り次第に上昇して加熱状態の図示しない処理容器内へそ
の下方より次第にロード乃至挿入されて、容器密閉後に
所定の熱処理が行なわれることになる。また、ウエハW
を処理容器内から取り出すには、前述とは逆の操作をし
てウエハボート1を降下させてアンロードする。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
にウエハボート1をロード及びアンロードする場合に
は、治具昇降機構12を駆動することからこのボールネ
ジ等から振動が発生することが避けられず、この振動が
ウエハボート1を介して支持するウエハWにも伝わるこ
とになる。この場合、各ウエハWは4つの支持溝部8A
〜8Dに支持されているようにも見えるが、微視的には
各支持溝部8A〜8D間には同一水平レベルに対して僅
かに上下差が発生することは、ボート加工上或いは熱変
形上避けられない。従って、一つの平面は3点で規定さ
れることから基本的にウエハWは3つの支持溝部で支持
されて、残りの一箇所の支持溝部とウエハ裏面とは僅か
な間隙を隔てて非接触の状態となっている。この時、ウ
エハボート1及びウエハWが振動すると、上記非接触部
分にてチャタリングするように低周波で軽微な機械的衝
突が発生し、この時の衝撃力によって表面同士がこすれ
合い、ウエハボート1やウエハWに付着していた成膜が
剥がれ落ちてパーティクル発生の原因となっていた。
【0007】また、この縦型炉におけるウエハWのウエ
ハボート1への移載方法は、ウエハWを搬送機構14の
保持フォーク16上に略水平に保持し、このウエハWの
上下方向の位置を、ボート1の支持溝部の位置と合わ
せ、水平方向に保持フォーク16を移動させて、ウエハ
ボート1の支持溝部にウエハを非接触で挿入した後、下
方向に保持フォーク16を移動させて元の位置に復元さ
せる方法によりウエハボート1にウエハを移載する。こ
の時、ウエハの搬送機構14や保持フォーク16はそれ
ぞれ停止位置を図示しないコンピュータの記憶部に予め
記憶して、コンピュータコントロールにより自動的に移
載を繰り返すように作られている。
【0008】通常これらの設定は、ティーチング作業と
呼ばれ、ウエハボート1を炉にセットした時に作業者
が、目視確認により搬送機構14側のコンピュータにそ
の停止位置をそれぞれの溝部毎に記憶させることにより
行なわれる。しかしながら、この作業が人間による目視
確認作業であることと、複数回の高温熱処理により石英
製ウエハボート1自体が次第に変形して、この結果、ウ
エハボート1とウエハWのエッジがウエハのボート挿入
時に僅かに衝突する現象が発生する場合もある。この時
も、この接触部分での機械的衝突によりパーティクルが
発生して製品ウエハの歩留りの低下の一因となってい
る。
【0009】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、被処理体を3点で支持させるようにして発生
するパーティクル数を抑制するようにした被処理体収容
治具及びこれを用いた熱処理装置を提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者は、パーティク
ルの発生に関する問題点を鋭意研究した結果、ウエハ表
面上におけるパーティクルは、ウエハ搬入搬出側に対し
て奥側に位置する支柱の周囲に多く見られる、という知
見を得ることにより本発明に至ったものである。請求項
1に規定する発明は、複数の被処理体の周縁部を支持す
るために所定のピッチで形成された複数の支持溝部を有
する3本の支柱をその両端にて2つの端板で固定してな
り、前記被処理体を3点で水平に支持するようにした被
処理体収容治具において、前記各支柱の同一水平レベル
における3つの支柱溝部の内、前記被処理体の搬入搬出
側に位置する2つの支持溝部は、前記被処理体の搬入及
び搬出方向に平行であって前記被処理体の中心を通過す
る軸線に対して線対称に位置し、他の支持溝部は、前記
軸線から離間したところに位置すると共に、前記軸線と
前記軸線から離間して位置された前記支持溝部との間の
距離は、前記被処理体を搬入搬出するための移載機構に
設けた被処理体の保持部である保持フォークの先端と干
渉しないような距離に設定されているように構成され
る。
【0011】これにより、被処理体は、その裏面周縁部
にて3つの支持溝部、すなわち3点で支持されることに
なり、各3点において被処理体の裏面は支持溝部に完全
に接触していることになる。従って、この被処理体収容
治具を昇降する際に、機械的振動が発生しても、従来の
4点支持構造と異なって被処理体の裏面と収容治具との
間で機械的振動による衝突が発生することを軽減するこ
とができ、その分、パーティクルの発生を抑制して製品
歩留りを向上させることができる。更に、被処理体を保
持する支柱の数が3本に減少したことから、被処理体の
収容治具への搬入搬出時に、両者が機械的に衝突乃至接
触する機会が減少し、その分、更にパーティクルの発生
を抑制することができる。
【0012】また、収容治具の搬入搬出側に対して奥に
位置する支柱は、被処理体の中心を通過する軸線から水
平方向に僅かに離間してオフセットさせた所に位置され
ている。この距離は、例えば前記被処理体を搬入搬出す
るための移載機構に設けた保持フォークの先端と干渉し
ないような距離に設定することができる。
【0013】これにより、被処理体の搬入搬出時にこれ
を保持する保持フォークと支柱が衝突することを防止し
ている。また、この距離は、この支持溝部が前記被処理
体に形成された位置合わせ用切欠部から外れた被処理体
周縁部を支持するような距離に設定することができる。
【0014】これにより、位置合わせ用切欠部が円弧状
に切断されたオリエンテーションフラット形状の場合で
も、或いは直径の小さな略半円状の切り欠きとなるノッ
チ形状の場合でも、共に対応することが可能となる。ま
た、被処理体を保持する3本の支柱の外に、被処理体の
支持に寄与しない強度補助支柱を設けることにより、収
容治具全体の機械的強度を向上させることが可能とな
る。
【0015】そして、熱処理装置において、上述したよ
うな被処理体収容治具と、この収容治具を収容する縦型
の処理容器と、この処理容器の外周に所定の間隔を隔て
て設けられた加熱手段と、前記処理容器内へ処理ガスを
供給する処理ガス供給手段と、前記被処理体収容治具を
前記処理容器内へその下方よりロード及びアンロードさ
せる治具昇降手段とを備えるように構成する。これによ
り、パーティクルの悪影響を大幅に抑制することがで
き、製品の歩留りを向上させることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る被処理体収
容治具及びこれを用いた熱処理装置を添付図面に基づい
て詳述する。図1は本発明に係る熱処理装置を示す構成
図、図2は図1中の要部を示す斜視図、図3は保持フォ
ークを示す側面図、図4は本発明の被処理体収容治具を
示す正面図、図5は図4に示す収容治具の一部の拡大
図、図6は被処理体と収容治具の支柱との位置関係を示
す図、図8は被処理体と保持フォークとの位置関係を示
す図である。尚、従来装置と同一部分については同一符
号を付して説明する。
【0017】ここでは縦型のバッチ式の熱処理装置を例
にとって説明する。図示するようにこの熱処理装置20
は、筒体状の石英製の内筒22とその外側に同心円状に
配置した有天井の石英製の外筒24とよりなる2重管構
造の処理容器26を有しており、その外側には、所定の
間隔を隔てて加熱ヒータ等の加熱手段28が配置されて
おり、この外周を断熱材30により覆っている。上記加
熱手段28は断熱材30の内面に全面に亘って設けられ
ている。処理容器26の下端は、例えばステンレススチ
ール製の筒体状のマニホールド32によって支持されて
おり、このマニホールド32の下方より多数枚の被処理
体としての半導体ウエハWを載置した本発明の被処理体
収容治具として例えば石英製のウエハボート34が昇降
可能に挿脱自在になされている。
【0018】このウエハボート34は、石英製の保温筒
10を介して回転テーブル38上に載置されており、こ
の回転テーブル38は、マニホールド32の下端開口部
を開閉する蓋部40を貫通する回転軸42上に支持され
る。そして、この回転軸42の貫通部には、例えば磁性
流体シール44が介設され、この回転軸42を気密にシ
ールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部40の
周辺部とマニホールド32の下端部には、例えばOリン
グ等よりなるシール部材46が介設されており、容器内
のシール性を保持している。
【0019】上記した回転軸42は、例えばボートエレ
ベータ等の治具昇降機構12に支持されたアーム48の
先端に取り付けられており、ウエハボート34及び蓋部
40等を一体的に昇降できるようになされている。この
アーム48の基端部には回転することによってこれを上
下動させるボールネジ50が貫通させて設けられてお
り、2本のガイドレール52に沿って上下方向に案内さ
れる(図2参照)。また、図2にも示すように、上記治
具昇降機構12に並設させて、ウエハボート34にウエ
ハを搬入搬出させるための移載機構54が配置されてい
る。この移載機構54は、その基端部にボールネジ56
を貫通させて上下動可能になされた移載ベース58を有
しており、この移載ベース58は2本の案内レール60
により上下方向に案内される。この移載ベース58の先
端には、旋回モータ62により旋回可能になされた旋回
アーム64が設けられると共に、この旋回アーム64に
は、図示しない駆動モータによって前進及び後退可能に
なされた例えば板状の保持フォーク66がスライド可能
に設けられる。
【0020】そして、この保持フォーク66の中央に
は、図3にも示すようにウエハWの下面の径方向中央部
に沿ってこれを収容するための浅い凹部68が形成され
ており、この凹部68にウエハWの裏面の一部を収容し
てこれを保持するようになっている。そして、この保持
フォーク66を進退及び昇降させることで、ウエハボー
ト34との間でウエハWの受け渡しを行なうようになっ
ている。図3及び図8にも示すように、浅い凹部68は
ウエハWの直径よりも僅かに大きく形成されている。そ
して、この浅い凹部68はウエハの移し替え時、ウエハ
Wが保持フォーク66の所定の位置にくるようにウエハ
Wの呼び込み案内部となっている。すなわち、浅い凹部
68はウエハボート34と図示しないウエハ収容器との
間でウエハWの受け渡しを行なう際に、ウエハWが保持
フォーク66の移動に際してずれたり、落下するのを防
止する為のウエハWの保持フォーク66上での位置決め
の凹部として機能するものである。
【0021】また、この浅い凹部68はウエハボート3
4からウエハWを取り除く際にも、ボートが処理炉の中
から取り出された際に、ボート昇降機の機械的振動でウ
エハが溝からずれていたときにも対応できるように、浅
い凹部68により、保持フォーク66の所定の位置にウ
エハが来るようにウエハを呼び込む機能を有する。この
ため保持フォーク66はその先端においてウエハWに対
して、寸法的に突出した部分を有することになる。ま
た、保持フォーク66の幅寸法は、保持フォーク66上
でウエハWのオリエンテーションフラット部がどの方向
にあっても良いように、少なくともオリエンテーション
フラットの切りかき寸法の最大値よりも大きく形成され
ている。このように、保持フォーク66の先端は、少な
くともウエハWのオリエンテーションフラット90より
も前方に突出せざるを得ない構造となっている。図1に
戻って、上記マニホールド32の側部には、内筒22内
に処理ガスを導入する処理ガス供給手段として処理ガス
導入ノズル70が設けられる。また、このマニホールド
32には内筒22と外筒24との間から容器内の雰囲気
を排出する排気ノズル72が設けられており、この排気
ノズル72には、図示しない真空ポンプ等を介設して全
体で排気系74を構成している。
【0022】次に、本発明の被処理体収容治具であるウ
エハボート34について説明する。ウエハボート34の
全体は、例えば耐熱性及び耐久性のある石英により構成
されており、図2及び図4にも示すように、このウエハ
ボート34は3本の支柱76A、76B、76Cと、こ
れらの支柱の上下端に接続固定される上端板78と下端
板80とにより構成される。ウエハボート34の材料と
しては、石英の他にAl23 等の高純度セラミック
ス、SiC、ポリシリコン等を用いることができる。そ
して、各支柱76A〜76Cの内側面には、所定のピッ
チで例えば半円状に切り込みを形成することにより支持
溝部82A〜82Cを設けており、この支持溝部82A
〜82Cの上面に、ウエハWの裏面周縁部を当接させ
て、ウエハWを3点で支持するようになっている。尚、
各支持溝部82A〜82Cは、それぞれ100〜160
個程度設けられる。
【0023】図6にも示すようにウエハボート34に対
するウエハWの搬入搬出側に位置する2つの支柱76
A、76Bは、ウエハWの中心Oよりも僅かな距離L1
だけ搬入搬出側に位置させており、ウエハ重心を、両支
柱76A、76B間を結ぶ線分86よりも他の支柱76
C側に位置させている。この距離L1は、ウエハサイズ
により異なり、例えば8インチサイズのウエハの場合に
は20mm程度であるが、これには限定されない。ま
た、両支柱76A、76Bは、ウエハの搬入及び搬出方
向に平行であってウエハの中心Oを通る軸線84に対し
て線対称となるように配置されている。この際、両支柱
76A、76Bの支持溝部82A、82Bの底部間の距
離Daは、ウエハWの直径よりも僅かに大きく設定され
ており、ウエハWを非接触で支持溝部82A、82B間
を挿通できるようになっている。
【0024】図6にも示すようにウエハWには、位置合
わせ用切欠部88が設けられており、この場合には、ウ
エハWの一部の周縁部を直線状に切り落として、オリエ
ンテーションフラット90を形成している。そして、図
6ではこのオリエンテーションフラット90を前方に位
置させた状態でウエハWの搬入搬出を行なうようになっ
ている。また、他の支柱76C、すなわち搬入搬出側に
対して奥に位置する支柱76Cは、軸線84上ではな
く、これより同一水平レベル上で所定の距離L2だれ離
間させた位置に設置している。この距離L2は、図8に
示すように保持フォーク66がウエハボート34の反対
側へ突き出る程長い場合には、板状保持フォーク66の
幅の半分の長さL3よりも大きく設定し、支柱76Cと
保持フォーク66が干渉乃至衝突しないようにする。
【0025】また、好ましくは、図6に示すように、長
さL2はウエハWに形成されたオリエンテーションフラ
ット90の半分の長さL4の長さよりも僅かに大きく設
定し、ウエハWの円弧状の周縁部にて支持できるように
設定する。これによれば、後述するノッチ状の位置合わ
せ用切欠部(図9参照)に設けたウエハWに対しても支
持溝部76Cのかぶり量mを図7に示す場合と同等にす
ることができる。換言すれば、支柱76Cの設置位置を
オリエンテーションフラット90の部分に対応させて設
けると、例えばこの支持溝部76Cを軸線84上に位置
させて形成すると、ウエハWに対する載置安定性の上か
らは最も好ましいが、この場合には、保持フォーク66
が支柱76Cと干渉してしまう。更には、この場合に
は、ノッチとオリエンテーションフラットのウエハに対
して兼用できる支持溝部82Cの構造を採用すると、支
持溝部82の溝深さが大きくなって両種類のウエハに対
するかぶり量が変化するので膜厚均一性の上から好まし
くない。オリエンテーションフラット90の半分の長さ
L4は、ウエハサイズにもよるが、長さL4はウエハサ
イズが例えば6インチの場合には22〜25mm程度、
8インチの場合には22〜30mm程度であるが、勿論
これらの数値には限定されない。
【0026】また、各支柱76A〜76Cの各支持溝部
82A〜82Cのサイズは全て略同じ形状になされてお
り、例えば図5に示すように支持溝部部82C(82
A、82B)のピッチL6は6インチウエハの場合は5
mm前後、8インチウエハの場合は6mm前後であり、
幅L7は6インチウエハの場合は2.5〜3mm程度、
8インチウエハの場合は3.5〜4mm程度、深さD1
はウエハサイズに関係なく5mm程度、隙間L8は1〜
1.5mm程度になるようにそれぞれ設定されている。
尚、ウエハWの厚みD2は、6インチ、及び8インチウ
エハでは0.7〜0.8mm程度である。
【0027】次に、以上のように構成された装置の動作
について説明する。まず、図2に示すように治具昇降機
構12を駆動してアーム48を最下端部に位置させた状
態で、ウエハボート34に未処理のウエハWを順次移載
して保持させる。移載に際しては、移載機構54の保持
フォーク66にウエハWを保持し、これをウエハボート
34に向けて水平にスライド移動させてウエハボート3
4側の支持溝部に受け渡す。移載ベース58を間欠的に
上昇或いは降下させつつこの受け渡しを行なうことによ
り、多数枚のウエハWをウエハボート34に所定のピッ
チで保持させる。
【0028】次に、治具昇降機構12を駆動することに
よって、ウエハWの保持されたウエハボート34を徐々
に上昇させて、これを所定の温度に予備加熱されている
処理容器26内に、その下方より挿入乃至ロードし、マ
ニホールド32の下端開口部を蓋部40によりシール
し、容器内を密封する。このように処理容器26内を密
閉状態にしたならば、加熱手段28によりウエハWを所
定のプロセス温度に昇温維持しつつ熱処理のための処理
ガス、例えば成膜ガス等を処理ガス導入ノズル70から
供給し、これと同時に排気ノズル72から処理容器26
内を真空引きして容器内を所定のプロセス温度に維持
し、ウエハWに対して熱処理、例えば成膜処理等を施
す。
【0029】所定の熱処理が完了したならば、炉内の温
度を下げると共に処理容器26内の処理ガスを真空引き
して、例えば窒素ガス等の不活性ガスで置換した後、再
度、治具昇降機構12を駆動させて蓋体40を降下させ
ることにより、ウエハボート34を徐々に処理容器26
内からアンロードさせる。そして、ウエハボート34を
処理容器26内から完全に取り出したならば、再度、移
載機構54を駆動して、保持フォーク66を用いること
により、前述とは逆にウエハボート34から処理済みの
ウエハを一枚ずつ取り出すことになる。これにより、ウ
エハの一連の熱処理を終了することになる。
【0030】ここでウエハボート34と保持フォーク6
6との間のウエハWの受け渡し、及びウエハWのウエハ
ボート34における載置状態を詳しく説明すると、図3
に示すようにウエハWの直径方向の一部は保持フォーク
66の上面に形成された凹部68に収容されており、フ
ォーク進退時及び停止時に凹部68の段部がストッパー
となってウエハのずり落ちを防止するため、及び前述し
た理由によって、保持フォーク66の先端は、少なくと
もウエハWのオリエンテーションフラット90よりも前
方に突出せざるを得ない構造となっている。
【0031】従って、図8に示すように搬入搬出側に対
して、奥に位置する支柱76Cは、保持フォーク66と
の干渉乃至衝突を避けるために軸線84上から同一水平
レベル内で横方向へ外れた場所に位置させている。これ
により、保持フォーク66と干渉することなく設けた3
本の支柱76A〜76Cにより、ウエハWを3点で接触
支持することができる。このため、ウエハボート34の
昇降時にこれが振動しても、ウエハWの下面周縁部は常
時支持溝部76A〜76Cの上面と接触状態が保持さ
れ、従来装置において発生していたような微細な間隙に
起因する両者間の衝突がなくなり、その分、パーティク
ルの発生を抑制して歩留りを向上させることが可能とな
る。
【0032】また、熱処理の繰り返しにより、ウエハボ
ート34自体が僅かに変形することは避けられないが、
この場合、ウエハWの搬入搬出時に僅かではあるが、ウ
エハWの周縁部と支持溝部82A〜82C等とが接触し
てチッピングを起こし、パーティクルを発生すると考え
られるが、この場合には、特に変形量が大きくなる傾向
にある奥側の従来2本あった支柱を1本だけ、すなわち
支柱76Cだけとしているので、支柱を1本減らした分
だけパーティクルの発生量を抑制することができる。実
際に、従来の4本支柱のウエハボートと本発明の3本支
柱のウエハボートとを同一条件で治具昇降機構(ボート
エレベータ)12により昇降させた時の振動音を観察し
た。表1はその時の結果を示す。
【0033】
【表1】
【0034】尚、表1中の空白部分は振動音を確認でき
なかった部分である。表1から明らかなように、エレベ
ータの速度を種々変更したところ、全速度範囲に亘って
従来ボートよりも本発明ボートの方が振動音が少ないこ
とが判明した。これは3点支持による本発明ボートの場
合には、微細な間隙部分がなくなっているので、その
分、衝突音が少なくなっている。これにより、パーティ
クルの減少を、間接的に裏付けることが可能である。
尚、エレベータ速度が691.67mm/分のところ
で、両ボートと共に振動音が大きくなっている理由は、
この速度の近傍にウエハボート34或いはエレベータ等
に振動共振点が存在するからであると思われる。また、
実際にウエハ表面上のパーティクルの分布を調べたとこ
ろ、図13に示すような結果を得た。図13(A)は従
来のウエハボートを用いた時のウエハ表面のパーティク
ルの状態を示し、図13(B)は本発明のウエハボート
を用いた時のウエハ表面のパーティクルの状態を示す。
図から明らかなように本発明の場合には、大幅にパーテ
ィクルの量を削減することができた。特に、従来のウエ
ハボートでは、ウエハ支持溝部にパーティクルが集中す
るモードが多かったが、本発明によれば支持溝部へのパ
ーティクルの集中がなくなり、パーティクル自体が少な
くなって、しかもランダムにパーティクルが分布するダ
ストマップとなった。そして、レーザ散乱方式のパーテ
ィクルカウンタでパーティクル数を測定したところ、パ
ーティクル数を54%も減少できたことを確認できた。
【0035】また、図6に示すように、支柱76Cの設
置位置を、オリエンテーションフラット90の半分の長
さL4よりも、軸線84から離間させた位置に設置する
ことにより、図9に示すように位置合わせ用切欠部88
が、直径L9が数mm程度の略半円状の切り欠きよりな
るノッチ92により形成されているウエハの場合にも対
応することができる。換言すれば、支柱76Cを距離L
4よりも軸線84側に位置させて設けると、ノッチ92
を有するウエハは保持できるが、オリエンテーションフ
ラット90を有するウエハは保持できなくなるか、或い
はこれを保持するには支持溝部82Cの直径を大きくし
て溝深さを大きく設定しなければならず、この場合に
は、上述した2種類のウエハに対する支持溝部82Cの
かぶり量が異なってしまい好ましくない。
【0036】また、支柱の直径が異なることによって膜
厚などの成膜の不均一性も劣化する恐れがある。従っ
て、支柱76Cは、オリエンテーションフラット90の
部分を外れた位置に設定するのがよい。尚、この場合、
支柱76Cの位置を過度に外して距離L2を大きく設定
し過ぎると、3点で支持されるウエハWの安定性が低下
するので、その安定性を損なわない範囲とする。尚、上
記実施例では上下の端板78、80の間を3本の支柱7
6A〜76Cで接続する構成としたが、より熱変形や機
械的強度を向上させるためには、支持溝部を形成してい
ない、すなわちウエハの支持に寄与しない強度補助支柱
を設けるようにしてもよい。図10はこのような強度補
助支柱96を設けた被処理体収容治具の斜視図を示して
おり、図11はその拡大断面図を示している。この強度
補助支柱96は例えば断面円弧状、或いは断面半円状の
一本の支柱よりなり、支柱76Cと軸線84に対して線
対称となる位置に設けるのが強度上好ましい。これによ
れば、パーティクルの発生量を低く抑制したままウエハ
ボートの強度を高く維持することができる。
【0037】また、以上説明した実施例にあっては、移
載機構54によるウエハの移載時に保持フォーク66か
らウエハが滑落しないように保持フォーク66としてこ
れに凹部68(図3参照)を設けた構造のものを採用し
ているために、保持フォーク66自体の長さが大きくな
って移載時にその先端がウエハボート34の側面からは
み出すので支柱76cを軸線84から大きくずらして設
ける必要があったが、例えば保持フォーク66の進退速
度がそれ程速くなくて長さが短い保持フォーク66を用
いる場合には、その先端がウエハボート34の側面から
はみ出すこともない。
【0038】従って、このような場合であって、しかも
位置合わせ用切欠部88としてノッチ形状のものを採用
しているウエハのみを載置する場合には、図12に示す
ように支柱76Cの位置をノッチ92の近傍まで寄せて
設け、軸線84と支柱76Cとの間の距離L2を、図6
に示す場合よりも遥かに小さく設定するようにしてもよ
い。この場合には、ウエハの略半円部にてウエハを略均
等に3点で支持することができるので、前述したような
作用効果に加えてウエハの安定性を増すことができる。
【0039】尚、上記実施例にあっては、成膜装置を例
にとって説明したが、他の熱処理装置、例えば酸化・拡
散装置、アニール装置等にも本発明を適用することがで
きる。また、ウエハサイズに関しても、6インチ、8イ
ンチに限定されず、それ以上のサイズのウエハ、例えば
12インチサイズのウエハに関しても本発明を適用でき
るのは勿論である。
【0040】
【発明の効果】以上要するに、本発明の被処理体収容治
具及びこれを用いた熱処理装置によれば、次のように優
れた作用効果を発揮することができる。3本の支柱を設
けて被処理体を3点で確実に支持するようにして被処理
体と被処理体収容治具とが不完全に接触する部分がなく
なったので、振動が発生しても機械的な衝突箇所が減少
してパーティクルの発生を軽減することができる。従っ
て、その分、製品の歩留りも向上させることができる。
また、被処理体を支持する支柱が3本であることから繰
り返しの熱処理によって被処理体収容治具が熱変形して
も、移載時に被処理体と支柱とが接触してチッピングが
生ずる機会も少なくなり、その分、パーティクルの発生
を抑制することができる。特に、搬入搬出側に対して奥
側に位置するパーティクル発生量の比較的多い支柱を一
本に減らしたので、その分、パーティクルの発生量を抑
制することができる。また、収容治具の搬入搬出側に対
して奥に位置する支柱は、被処理体の中心を通過する軸
線から水平方向に僅かに離間してオフセットさせた所に
位置されているので、この距離は例えば前記被処理体を
搬入搬出するための移載機構に設けた保持フォークの先
端と干渉しないような距離に設定することができ、これ
により、被処理体の搬入搬出時にこれを保持する保持フ
ォークと支柱が衝突することを防止できる。特に、支柱
を、被処理体のオリエンテーションフラットよりなる位
置合わせ用切欠部から外れた位置に設けるようにしたの
、ノッチを設けた被処理体に対しても兼用させること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る熱処理装置を示す構成図である。
【図2】図1中の要部を示す斜視図である。
【図3】保持フォークを示す側面図である。
【図4】本発明の被処理体収容治具を示す正面図であ
る。
【図5】図4に示す収容治具の一部の拡大図である。
【図6】被処理体と収容治具の支柱との位置関係を示す
図である。
【図7】図6に示す支柱の一部を示す拡大図である。
【図8】被処理体と保持フォークとの位置関係を示す図
である。
【図9】ノッチよりなる位置合わせ用切欠部を有する被
処理体と被処理体収容治具との位置関係を示す図であ
る。
【図10】強度補助支柱を有する被処理体収容治具を示
す斜視図である。
【図11】図10に示す収容治具の拡大断面図である。
【図12】本発明の被処理体収容治具の他の実施例を示
す拡大断面図である。
【図13】従来のウエハボートと本発明のウエハボート
のパーティクルの状態を示す図である。
【図14】従来の縦型のウエハボートとボートエレベー
タを示す斜視図である。
【図15】図14に示すウエハボートの拡大断面図であ
る。
【符号の説明】
12 ボートエレベータ(治具昇降機構) 20 熱処理装置 26 処理容器 28 加熱手段 34 ウエハボート(被処理体収容治具) 40 蓋部 54 移載機構 66 保持フォーク 70 処理ガス導入ノズル 74 排気系 76A〜76C 支柱 78,80 端板 82A〜82C 支持溝部 84 軸線 88 位置合わせ用切欠部 90 オリエンテーションフラット 92 ノッチ 96 強度補助支柱 W 半導体ウエハ(被処理体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北宮 恒 岩手県北上市北工業団地六番六号 岩手 東芝エレクトロ ニクス株式会社内 (72)発明者 北山 博文 神奈川県津久井郡城山町町屋1丁目2番 41号 東京エレクトロン東北株式会社 相模事業所内 (56)参考文献 特開 平11−3866(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/22 H01L 21/68 H01L 21/205

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の被処理体の周縁部を支持するため
    に所定のピッチで形成された複数の支持溝部を有する3
    本の支柱をその両端にて2つの端板で固定してなり、前
    記被処理体を3点で水平に支持するようにした被処理体
    収容治具において、前記各支柱の同一水平レベルにおけ
    る3つの支柱溝部の内、前記被処理体の搬入搬出側に位
    置する2つの支持溝部は、前記被処理体の搬入及び搬出
    方向に平行であって前記被処理体の中心を通過する軸線
    に対して線対称に位置し、他の支持溝部は、前記軸線か
    ら離間したところに位置すると共に、前記軸線と前記軸
    線から離間して位置された前記支持溝部との間の距離
    は、前記被処理体を搬入搬出するための移載機構に設け
    た被処理体の保持部である保持フォークの先端と干渉し
    ないような距離に設定されているように構成したことを
    特徴とする被処理体収容治具。
  2. 【請求項2】 複数の被処理体の周縁部を支持するため
    に所定のピッチで形成された複数の支持溝部を有する3
    本の支柱をその両端にて2つの端板で固定してなり、前
    記被処理体を3点で水平に支持するようにした被処理体
    収容治具において、前記各支柱の同一水平レベルにおけ
    る3つの支柱溝部の内、前記被処理体の搬入搬出側に位
    置する2つの支持溝部は、前記被処理体の搬入及び搬出
    方向に平行であって前記被処理体の中心を通過する軸線
    に対して線対称に位置し、他の支持溝部は、前記軸線か
    ら離間したところに位置すると共に、前記軸線と前記軸
    線から離間して位置された前記支持溝部との間の距離
    は、この支持溝部が前記被処理体に形成された位置合わ
    せ用切欠部から外れた被処理体周縁部を支持するような
    距離に設定されているように構成したことを特徴とする
    被処理体収容治具。
  3. 【請求項3】 前記2つの端板間には、前記被処理体の
    支持には寄与しない強度補助支柱が接続されていること
    を特徴とする請求項1または2記載の被処理体収容治
    具。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至のいずれかに規定する被
    処理体収容治具と、この収容治具を収容する縦型の処理
    容器と、この処理容器の外周に所定の間隔を隔てて設け
    られた加熱手段と、前記処理容器内へ処理ガスを供給す
    る処理ガス供給手段と、前記被処理体収容治具を前記処
    理容器内へその下方よりロード及びアンロードさせる治
    具昇降手段とを備えたことを特徴とする熱処理装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015070046A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 株式会社日立国際電気 基板保持具

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3664897B2 (ja) * 1998-11-18 2005-06-29 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP4426024B2 (ja) * 1999-09-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の温度校正方法
US7011484B2 (en) * 2002-01-11 2006-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. End effector with tapered fingertips
WO2004008008A2 (en) * 2002-07-15 2004-01-22 Aviza Technology, Inc. Control of a gaseous environment in a wafer loading chamber
US6814808B1 (en) 2002-10-08 2004-11-09 Sci-Tech Glassblowing, Inc. Carrier for semiconductor wafers
DE202004005378U1 (de) * 2004-04-03 2004-07-01 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Trägerhorde aus Quarzglas für die Aufnahme von scheibenförmigen Substraten aus Halbleiterwerkstoff
US7033168B1 (en) 2005-01-24 2006-04-25 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer boat for a vertical furnace
US7661544B2 (en) * 2007-02-01 2010-02-16 Tokyo Electron Limited Semiconductor wafer boat for batch processing
US20090214999A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Ceramic Paddle
US20100240224A1 (en) * 2009-03-20 2010-09-23 Taiwan Semiconductor Manufactruing Co., Ltd. Multi-zone semiconductor furnace
US8536491B2 (en) 2009-03-24 2013-09-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Rotatable and tunable heaters for semiconductor furnace
JP2011129679A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
CN102543806A (zh) * 2010-12-27 2012-07-04 北京中科信电子装备有限公司 一种硅片顶架装置
USD763807S1 (en) * 2014-05-22 2016-08-16 Hzo, Inc. Boat for a deposition apparatus
US8932945B2 (en) * 2012-07-09 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer alignment system and method
KR101990533B1 (ko) * 2012-11-06 2019-09-30 주식회사 원익아이피에스 배치식 기판처리장치
TWD161688S (zh) * 2012-12-27 2014-07-11 日立國際電氣股份有限公司 半導體製造裝置用晶舟
TWD166332S (zh) * 2013-03-22 2015-03-01 日立國際電氣股份有限公司 基板處理裝置用晶舟之部分
TWD163542S (zh) * 2013-03-22 2014-10-11 日立國際電氣股份有限公司 基板處理裝置用晶舟
TWD167988S (zh) * 2013-07-29 2015-05-21 日立國際電氣股份有限公司 半導體製造裝置用晶舟
TWD168827S (zh) * 2013-07-29 2015-07-01 日立國際電氣股份有限公司 半導體製造裝置用晶舟
TWD165429S (zh) * 2013-07-29 2015-01-11 日立國際電氣股份有限公司 半導體製造裝置用晶舟
JP6505001B2 (ja) * 2015-11-18 2019-04-24 東京エレクトロン株式会社 ウエハボート支持台及びこれを用いた熱処理装置
US11521876B2 (en) * 2018-03-07 2022-12-06 Tokyo Electron Limited Horizontal substrate boat
JP1706322S (ja) * 2021-08-27 2022-01-31

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6216516A (ja) * 1985-07-15 1987-01-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
US4872554A (en) * 1987-07-02 1989-10-10 Fluoroware, Inc. Reinforced carrier with embedded rigid insert
US5054418A (en) * 1989-05-23 1991-10-08 Union Oil Company Of California Cage boat having removable slats
US5310339A (en) * 1990-09-26 1994-05-10 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus having a wafer boat
US5055036A (en) * 1991-02-26 1991-10-08 Tokyo Electron Sagami Limited Method of loading and unloading wafer boat
JP3234617B2 (ja) * 1991-12-16 2001-12-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置用基板支持具
US5445486A (en) * 1992-03-29 1995-08-29 Tokyo Electron Sagami Limited Substrate transferring apparatus
JP3245246B2 (ja) * 1993-01-27 2002-01-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5458688A (en) * 1993-03-09 1995-10-17 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment boat
JPH10284577A (ja) * 1997-04-09 1998-10-23 Tokyo Electron Ltd 被処理基板の移載方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015070046A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 株式会社日立国際電気 基板保持具

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