JP3476264B2 - プリント回路内層用銅箔およびその製造方法 - Google Patents
プリント回路内層用銅箔およびその製造方法Info
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- JP3476264B2 JP3476264B2 JP33283394A JP33283394A JP3476264B2 JP 3476264 B2 JP3476264 B2 JP 3476264B2 JP 33283394 A JP33283394 A JP 33283394A JP 33283394 A JP33283394 A JP 33283394A JP 3476264 B2 JP3476264 B2 JP 3476264B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は極薄、微細回路多層板の
内層板に使用される銅箔およびその製造方法に関し、特
には表面粗さの低い銅箔の両面に微細なこぶを設けるこ
とによって、微細回路がエッチング可能で、かつ基材と
の密着力の高いプリント回路内層用銅箔およびその製造
方法に関するものである。
内層板に使用される銅箔およびその製造方法に関し、特
には表面粗さの低い銅箔の両面に微細なこぶを設けるこ
とによって、微細回路がエッチング可能で、かつ基材と
の密着力の高いプリント回路内層用銅箔およびその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層板の作製方法は、内層用銅箔
の粗面にこぶ付けした通常の銅箔（粗面粗さＲｚ＝７．
０μｍ、平滑面粗さＲｚ＝０．７μｍ程度）を基材と張
り合わせた後に、回路をエッチングにより作成し、さら
に回路（平滑）面に黒化処理を施した後に、再度外層が
張り合わされていた。または両面処理銅箔として通常銅
箔の両面にこぶ付けを行った銅箔（粗面粗さＲｚ＝８．
５μｍ、平滑面粗さＲｚ＝１．６μｍ程度）が市販され
ている。
の粗面にこぶ付けした通常の銅箔（粗面粗さＲｚ＝７．
０μｍ、平滑面粗さＲｚ＝０．７μｍ程度）を基材と張
り合わせた後に、回路をエッチングにより作成し、さら
に回路（平滑）面に黒化処理を施した後に、再度外層が
張り合わされていた。または両面処理銅箔として通常銅
箔の両面にこぶ付けを行った銅箔（粗面粗さＲｚ＝８．
５μｍ、平滑面粗さＲｚ＝１．６μｍ程度）が市販され
ている。
【０００３】しかし、上記した黒化処理においては、酸
化皮膜が塩酸溶液に溶解し、ハローイング現象が起き易
く、絶縁特性や層間接続信頼性を低下させ易い。これを
改善するために最近ではわざわざ黒化処理後に化学還元
工程を設けている。黒化処理は濃アルカリ性溶液で処理
すること、さらに還元処理を行なうことによりコストが
かさんできている。
化皮膜が塩酸溶液に溶解し、ハローイング現象が起き易
く、絶縁特性や層間接続信頼性を低下させ易い。これを
改善するために最近ではわざわざ黒化処理後に化学還元
工程を設けている。黒化処理は濃アルカリ性溶液で処理
すること、さらに還元処理を行なうことによりコストが
かさんできている。
【０００４】また、従来の両面処理電解銅箔では最初か
ら両面に金属銅のこぶ付けを行なっているので、上記の
ような問題は発生しないが、通常の電解銅箔を使用して
いるため粗面の粗度が大きく、現在急激に進行している
回路の微細化への対応が困難である。その理由は基材と
の接合面（粗面）の粗度が高いと回路エッチング後の端
面の直線精度が低くなり、回路間隔が狭い場合にはマイ
グレーション等の問題を生ずるためである。
ら両面に金属銅のこぶ付けを行なっているので、上記の
ような問題は発生しないが、通常の電解銅箔を使用して
いるため粗面の粗度が大きく、現在急激に進行している
回路の微細化への対応が困難である。その理由は基材と
の接合面（粗面）の粗度が高いと回路エッチング後の端
面の直線精度が低くなり、回路間隔が狭い場合にはマイ
グレーション等の問題を生ずるためである。
【０００５】また、現在は多層化と薄板化が進行してお
り、１層あたりの厚みを減らすために基材も薄くなって
いるが、電解銅箔に対しても粗面側の粗さによる層間絶
縁の低下を極力減らしたいとの要望が強くなっている。
り、１層あたりの厚みを減らすために基材も薄くなって
いるが、電解銅箔に対しても粗面側の粗さによる層間絶
縁の低下を極力減らしたいとの要望が強くなっている。
【０００６】さらに平滑面の粗さは通常の電解銅箔では
Ｒｚ＝０．５〜１μｍと低いため、そのままこぶ付け処
理を行なっても基材との密着力を上げることができな
い。基材との密着力を向上させるためにこぶを大きくし
た場合には、こぶ自体の銅箔への付着力に問題が出た
り、エッチング時にこぶが残存したり、プレス時にこぶ
がつぶれる等の２次的な問題が生じ易い。
Ｒｚ＝０．５〜１μｍと低いため、そのままこぶ付け処
理を行なっても基材との密着力を上げることができな
い。基材との密着力を向上させるためにこぶを大きくし
た場合には、こぶ自体の銅箔への付着力に問題が出た
り、エッチング時にこぶが残存したり、プレス時にこぶ
がつぶれる等の２次的な問題が生じ易い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、これら従来
技術の課題を解決し、層間の信頼性を向上させ、また処
理工程を削減し、しかも微細回路のエッチング性の向上
と多層板で要望されている基材厚みの減少化による層間
絶縁の低下を防止し、さらには銅箔両面の密着性の向上
を同時に図れるプリント回路内層用銅箔およびその製造
方法を提供することにある。
技術の課題を解決し、層間の信頼性を向上させ、また処
理工程を削減し、しかも微細回路のエッチング性の向上
と多層板で要望されている基材厚みの減少化による層間
絶縁の低下を防止し、さらには銅箔両面の密着性の向上
を同時に図れるプリント回路内層用銅箔およびその製造
方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、次
に示す銅箔によって達成される。すなわち、本発明は、
両面の表面粗さＲｚ＝１〜３μｍの銅箔の両面に、長さ
０．６〜１．０μｍで最大径０．２〜０．８μｍの逆涙
滴状の微細なこぶが設けられ、該銅箔の最終の両面の表
面粗さがＲｚ＝２〜４μｍであることを特徴とするプリ
ント回路内層用銅箔にある。
に示す銅箔によって達成される。すなわち、本発明は、
両面の表面粗さＲｚ＝１〜３μｍの銅箔の両面に、長さ
０．６〜１．０μｍで最大径０．２〜０．８μｍの逆涙
滴状の微細なこぶが設けられ、該銅箔の最終の両面の表
面粗さがＲｚ＝２〜４μｍであることを特徴とするプリ
ント回路内層用銅箔にある。
【０００９】 以下、本発明の内容を詳細に説明する。
本発明に用いる銅箔としては、特殊な電解により作成し
た表面粗さの著しく小さな電解銅箔、あるいは通常の電
解銅箔の粗面の電析の山（凸部）を化学研磨によりエッ
チング除去し、粗さを低減させると共に、平滑面も若干
エッチングして粗さを逆に大きくしたもの、または通常
の電解銅箔を圧延することにより粗さを小さくしたも
の、あるいは圧延銅箔の両面を化学研磨により粗化した
ものが好ましく用いられる。
本発明に用いる銅箔としては、特殊な電解により作成し
た表面粗さの著しく小さな電解銅箔、あるいは通常の電
解銅箔の粗面の電析の山（凸部）を化学研磨によりエッ
チング除去し、粗さを低減させると共に、平滑面も若干
エッチングして粗さを逆に大きくしたもの、または通常
の電解銅箔を圧延することにより粗さを小さくしたも
の、あるいは圧延銅箔の両面を化学研磨により粗化した
ものが好ましく用いられる。
【００１０】この銅箔の表面粗さがＪＩＳ Ｂ ０６０
１に規定されたＲｚ値において、Ｒｚ≦３μｍであり、
ＩＥＣ規格の通常銅箔のＲｚ≧１０μｍ、ＬＰ箔のＲｚ
≧５μｍに比較して著しく小さい。
１に規定されたＲｚ値において、Ｒｚ≦３μｍであり、
ＩＥＣ規格の通常銅箔のＲｚ≧１０μｍ、ＬＰ箔のＲｚ
≧５μｍに比較して著しく小さい。
【００１１】 以下、粗面と平滑面を有する電解銅箔に
ついて説明する。電解銅箔の粗面の粗さＲｚが３μｍ超
になれば、後工程のこぶ付け電解によるこぶ付けにおい
て銅箔の凸部に電流が集中することによりこぶが大きく
なり、かつこぶが銅箔の凸部に集中することとなり、最
終的には銅箔粗面の粗さが大きくなり、薄いプリプレグ
を使用して多層板を作成する際の層間絶縁の低下を招
く。粗面の粗さＲｚが１μｍ未満である場合はこぶだけ
で基材との密着性を維持するため、積層後の基材と銅箔
との密着性が通常の電解銅箔に比較して著しく低くなる
ため問題となる。
ついて説明する。電解銅箔の粗面の粗さＲｚが３μｍ超
になれば、後工程のこぶ付け電解によるこぶ付けにおい
て銅箔の凸部に電流が集中することによりこぶが大きく
なり、かつこぶが銅箔の凸部に集中することとなり、最
終的には銅箔粗面の粗さが大きくなり、薄いプリプレグ
を使用して多層板を作成する際の層間絶縁の低下を招
く。粗面の粗さＲｚが１μｍ未満である場合はこぶだけ
で基材との密着性を維持するため、積層後の基材と銅箔
との密着性が通常の電解銅箔に比較して著しく低くなる
ため問題となる。
【００１２】上記した表面粗さの小さい銅箔の平滑面粗
さは、電解する電極の表面粗さを転写するので通常の電
解銅箔作成用ドラム表面の粗さを調整することにより変
化させることが可能となる。通常の電解銅箔の平滑面粗
さＲｚ＝０．５〜１．０μｍでは、後工程でこぶ付け電
解によりこぶを付着させ基材との密着力を向上させる際
に不利なため、Ｒｚ＝１〜３μｍ程度まである程度の粗
度を持たせておくことが必要である。Ｒｚが３μｍ超に
なると銅箔自体の粗面と平滑面との合計粗さが大きくな
るため粗面と同様な問題が発生する。
さは、電解する電極の表面粗さを転写するので通常の電
解銅箔作成用ドラム表面の粗さを調整することにより変
化させることが可能となる。通常の電解銅箔の平滑面粗
さＲｚ＝０．５〜１．０μｍでは、後工程でこぶ付け電
解によりこぶを付着させ基材との密着力を向上させる際
に不利なため、Ｒｚ＝１〜３μｍ程度まである程度の粗
度を持たせておくことが必要である。Ｒｚが３μｍ超に
なると銅箔自体の粗面と平滑面との合計粗さが大きくな
るため粗面と同様な問題が発生する。
【００１３】こぶ付けのための電解は、粗面は通常の電
解銅箔製造の表面処理に用いられている方法が適用でき
る。しかし、銅箔の平滑面は素地が平滑で単位面積あた
りの突起数が粗面に比して非常に少ないため、粗面に比
して大電流を流さないとこぶが生成しない。大電流を流
すと平滑面にもこぶは生成するが、局所的なデンドライ
ト状となり易く、均一で微細なこぶは生成せず、そのこ
ぶの基材に対するアンカー効果により基材との物理的密
着性を上げることはできない。そのため銅箔の平滑面の
凸部以外の平滑な面に一様に粒子径の均一な多数のこぶ
付けを行なう必要がある。従来はひ素を添加して要求を
満足する微細で均一なこぶを得ていたが、公害問題や作
業者の健康上の理由で使用できなくなってきている。こ
のため特公昭５６−４１１９６号公報に示されるベンゾ
キノリン系の有機添加剤を使用して下記のような条件で
電解することにより均一で微細なこぶ付け電解が可能で
ある。
解銅箔製造の表面処理に用いられている方法が適用でき
る。しかし、銅箔の平滑面は素地が平滑で単位面積あた
りの突起数が粗面に比して非常に少ないため、粗面に比
して大電流を流さないとこぶが生成しない。大電流を流
すと平滑面にもこぶは生成するが、局所的なデンドライ
ト状となり易く、均一で微細なこぶは生成せず、そのこ
ぶの基材に対するアンカー効果により基材との物理的密
着性を上げることはできない。そのため銅箔の平滑面の
凸部以外の平滑な面に一様に粒子径の均一な多数のこぶ
付けを行なう必要がある。従来はひ素を添加して要求を
満足する微細で均一なこぶを得ていたが、公害問題や作
業者の健康上の理由で使用できなくなってきている。こ
のため特公昭５６−４１１９６号公報に示されるベンゾ
キノリン系の有機添加剤を使用して下記のような条件で
電解することにより均一で微細なこぶ付け電解が可能で
ある。
【００１４】銅濃度：８〜１５ｇ／Ｌ、硫酸濃度：１５
〜４５ｇ／Ｌ、添加剤：１０〜２００ｍｇ／Ｌ、温度：
室温、電流密度２〜１５Ａ／ｄｍ2。
〜４５ｇ／Ｌ、添加剤：１０〜２００ｍｇ／Ｌ、温度：
室温、電流密度２〜１５Ａ／ｄｍ2。
【００１５】この電解により得られるこぶの長さは０．
６〜１．０μｍが適している。０．６μｍ未満では銅箔
の平滑な表面にこぶ付けするためこぶの基材に対するア
ンカー効果が小さく基材との密着力が確保できない。ま
た、こぶの長さが１．０μｍ超では粗度が高くなりすぎ
ることによりプリント基板とした時の各種特性値が低下
する。こぶの最大径は０．２〜０．８μｍが適してい
る。０．２μｍ未満であればこぶ自体の強度が弱くな
り、基板の加工途中で破損することにより粉落ち現象を
生じたり、こぶのつぶれ現象が発生する。０．８μｍ超
ではこぶが占める体積が大きくなりすぎるため、基材
（樹脂）の回り込みを阻害して密着強度の低下を引き起
こす。
６〜１．０μｍが適している。０．６μｍ未満では銅箔
の平滑な表面にこぶ付けするためこぶの基材に対するア
ンカー効果が小さく基材との密着力が確保できない。ま
た、こぶの長さが１．０μｍ超では粗度が高くなりすぎ
ることによりプリント基板とした時の各種特性値が低下
する。こぶの最大径は０．２〜０．８μｍが適してい
る。０．２μｍ未満であればこぶ自体の強度が弱くな
り、基板の加工途中で破損することにより粉落ち現象を
生じたり、こぶのつぶれ現象が発生する。０．８μｍ超
ではこぶが占める体積が大きくなりすぎるため、基材
（樹脂）の回り込みを阻害して密着強度の低下を引き起
こす。
【００１６】本発明においては、表面粗さがＲｚ１〜３
μｍと小さい銅箔の両面に長さ０．６〜１．０μｍ、最
大径０．２〜０．８μｍの逆涙滴状の微細なこぶ付けを
同時に電解によって施すことにより、極薄微細回路内層
用銅箔としての使用を可能にする。
μｍと小さい銅箔の両面に長さ０．６〜１．０μｍ、最
大径０．２〜０．８μｍの逆涙滴状の微細なこぶ付けを
同時に電解によって施すことにより、極薄微細回路内層
用銅箔としての使用を可能にする。
【００１７】このこぶは両面とも金属銅よりなっている
ため、孔開け、スルーホールメッキ工程におけるハロー
イングの現象を全く生じさせない。またひ素入りこぶに
比較しても微細で均一なこぶとなっており、こぶの粗さ
の増加も少なく基材との密着も高くなる。さらに回路エ
ッチング時の銅箔へのサイドからのアンダーエッチング
に対してもこぶが高密度に存在するため抵抗力が大き
い。
ため、孔開け、スルーホールメッキ工程におけるハロー
イングの現象を全く生じさせない。またひ素入りこぶに
比較しても微細で均一なこぶとなっており、こぶの粗さ
の増加も少なく基材との密着も高くなる。さらに回路エ
ッチング時の銅箔へのサイドからのアンダーエッチング
に対してもこぶが高密度に存在するため抵抗力が大き
い。
【００１８】この電解によりこぶ付けされた銅箔は防錆
処理される。銅箔に使用される防錆は、一般的に用いら
れている方法が使用可能である。亜鉛、亜鉛−錫または
亜鉛−ニッケル合金による防錆は、回路用銅箔として使
用される場合に樹脂基材とのプレス接着、回路エッチン
グ、メッキ等の工程を経る際の加熱酸化防止、基材との
密着性向上、銅箔へのサイドからのアンダーエッチング
の防止に対して非常に有効であることが知られており、
特公昭５８−５６７５８号公報、特公平４−４７０３８
号公報等に記載されている。
処理される。銅箔に使用される防錆は、一般的に用いら
れている方法が使用可能である。亜鉛、亜鉛−錫または
亜鉛−ニッケル合金による防錆は、回路用銅箔として使
用される場合に樹脂基材とのプレス接着、回路エッチン
グ、メッキ等の工程を経る際の加熱酸化防止、基材との
密着性向上、銅箔へのサイドからのアンダーエッチング
の防止に対して非常に有効であることが知られており、
特公昭５８−５６７５８号公報、特公平４−４７０３８
号公報等に記載されている。
【００１９】さらに、上記のようにして得られた防錆層
を加熱することにより亜鉛、亜鉛−錫または亜鉛−ニッ
ケル合金を拡散させて２元あるいは３元合金とすること
で、上記の効果をさらに高められることについても特公
昭５８−５３０７９号公報等に記載されている。
を加熱することにより亜鉛、亜鉛−錫または亜鉛−ニッ
ケル合金を拡散させて２元あるいは３元合金とすること
で、上記の効果をさらに高められることについても特公
昭５８−５３０７９号公報等に記載されている。
【００２０】上述の表面粗さの小さな銅箔に対して、電
解によるこぶ付け、亜鉛、亜鉛−錫または亜鉛−ニッケ
ル合金による防錆処理、加熱拡散処理を行なった銅箔の
表面粗さを測定したところ、両面ともＲｚ＝２〜４μｍ
となり、通常の電解銅箔を使用した両面処理銅箔の粗面
粗さのＲｚ＝７μｍ、平滑面粗さＲｚ＝１．５μｍに比
較して両面とも均一で、適度な粗度のあるこぶ付けがな
されており、内層用銅箔としての密着性の向上が図れる
と共に、回路作成のためのエッチングの際に基材部分へ
の銅の足残りが少ないため非常に微細な回路を作成する
ことが可能となる。
解によるこぶ付け、亜鉛、亜鉛−錫または亜鉛−ニッケ
ル合金による防錆処理、加熱拡散処理を行なった銅箔の
表面粗さを測定したところ、両面ともＲｚ＝２〜４μｍ
となり、通常の電解銅箔を使用した両面処理銅箔の粗面
粗さのＲｚ＝７μｍ、平滑面粗さＲｚ＝１．５μｍに比
較して両面とも均一で、適度な粗度のあるこぶ付けがな
されており、内層用銅箔としての密着性の向上が図れる
と共に、回路作成のためのエッチングの際に基材部分へ
の銅の足残りが少ないため非常に微細な回路を作成する
ことが可能となる。
【００２１】さらに、上記防錆処理の後、加熱拡散処理
前にクロメート処理やシランカップリング剤処理を施す
ことができる。クロメート処理液としては酸性、アルカ
リ性いずれも可能であり、浸漬法、電解法いずれでも良
い。シランカップリング剤としてはγ−（メタクリロキ
シプロピル）トリメトキシシラン、β−（３，４−エポ
キシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β−（ア
ミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、
Ｎ−β−（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン等があり、代表的な処理条件は以下に示す通りであ
る。
前にクロメート処理やシランカップリング剤処理を施す
ことができる。クロメート処理液としては酸性、アルカ
リ性いずれも可能であり、浸漬法、電解法いずれでも良
い。シランカップリング剤としてはγ−（メタクリロキ
シプロピル）トリメトキシシラン、β−（３，４−エポ
キシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β−（ア
ミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、
Ｎ−β−（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン等があり、代表的な処理条件は以下に示す通りであ
る。
【００２２】カップリング剤濃度：１〜１０ｇ／Ｌ、ｐ
Ｈ：カップリング剤ｐＨに依存、温度：室温、処理時
間：５〜１０秒。また、通常はカップリング剤処理され
た後は水洗処理を行なわない。
Ｈ：カップリング剤ｐＨに依存、温度：室温、処理時
間：５〜１０秒。また、通常はカップリング剤処理され
た後は水洗処理を行なわない。
【００２３】
【実施例】以下、実施例等に基づき本発明を具体的に説
明する。
明する。
【００２４】実施例１
厚さ３５μｍの電解銅箔（粗面粗さＲｚ＝２．８μｍ、
平滑面粗さＲｚ＝１．４μｍ）を用い、銅濃度１０ｇ／
Ｌ、硫酸濃度４５ｇ／Ｌ、添加剤としてα−ナフトキノ
リンを５０ｍｇ／Ｌを添加た電解溶液によって、１０Ａ
／ｄｍ2の電流密度で銅箔の両側に不溶性電極を配置し
て１０秒間電解によりこぶ付けを行なった。
平滑面粗さＲｚ＝１．４μｍ）を用い、銅濃度１０ｇ／
Ｌ、硫酸濃度４５ｇ／Ｌ、添加剤としてα−ナフトキノ
リンを５０ｍｇ／Ｌを添加た電解溶液によって、１０Ａ
／ｄｍ2の電流密度で銅箔の両側に不溶性電極を配置し
て１０秒間電解によりこぶ付けを行なった。
【００２５】次いで、銅濃度５０ｇ／Ｌ、硫酸濃度１０
０ｇ／Ｌの溶液を用い、電流密度１５Ａ／ｄｍ2で１０
秒間かぶせメッキを行なった。この状態で生成した平滑
面のこぶの状態を図１に示す。このこぶの大きさを写真
上で測定したところ、粗面側のこぶの長さは０．６〜
０．９μｍ、最大径０．３〜０．５μｍ、平滑面側のこ
ぶの長さは０．６〜０．８μｍ、最大径０．４〜０．６
μｍであった。また、この銅箔の表面粗さを測定すると
粗面側Ｒｚ＝３．６μｍ、平滑面側Ｒｚ＝２．２μｍで
あった。
０ｇ／Ｌの溶液を用い、電流密度１５Ａ／ｄｍ2で１０
秒間かぶせメッキを行なった。この状態で生成した平滑
面のこぶの状態を図１に示す。このこぶの大きさを写真
上で測定したところ、粗面側のこぶの長さは０．６〜
０．９μｍ、最大径０．３〜０．５μｍ、平滑面側のこ
ぶの長さは０．６〜０．８μｍ、最大径０．４〜０．６
μｍであった。また、この銅箔の表面粗さを測定すると
粗面側Ｒｚ＝３．６μｍ、平滑面側Ｒｚ＝２．２μｍで
あった。
【００２６】続けて亜鉛−錫合金防錆処理を表１に示す
条件にて行なった。防錆処理後の付着量の化学分析値も
併せて表１に示す。
条件にて行なった。防錆処理後の付着量の化学分析値も
併せて表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】防錆処理を行なった銅箔を、続いて２００
℃のオーブンの中で１０秒間加熱し、表面に付着した水
分を蒸発させると共に防錆層を拡散させることにより、
極薄、微細プリント回路内層用銅箔を作成した。得られ
た銅箔を用いて、次に示す方法でプリント基板を作成
し、評価試験を行なった。
℃のオーブンの中で１０秒間加熱し、表面に付着した水
分を蒸発させると共に防錆層を拡散させることにより、
極薄、微細プリント回路内層用銅箔を作成した。得られ
た銅箔を用いて、次に示す方法でプリント基板を作成
し、評価試験を行なった。
【００２９】 すなわち、０．１８ｍｍのガラスエポキ
シプリプレグ３枚を芯材とし、その両面に粗面を内側と
して上記銅箔を加熱プレスして内層ボードを作成した。
塩化第２鉄溶液を用いて線幅８０μｍ、線間１６０μｍ
の内層回路をエッチングにより作成した後、表面に０．
１８ｍｍのエポキシ含浸プリプレグを重ね最外層に通常
処理を施した厚さ３５μｍ電解銅箔を重ねて再度加熱プ
レスして４層板を作成した。
シプリプレグ３枚を芯材とし、その両面に粗面を内側と
して上記銅箔を加熱プレスして内層ボードを作成した。
塩化第２鉄溶液を用いて線幅８０μｍ、線間１６０μｍ
の内層回路をエッチングにより作成した後、表面に０．
１８ｍｍのエポキシ含浸プリプレグを重ね最外層に通常
処理を施した厚さ３５μｍ電解銅箔を重ねて再度加熱プ
レスして４層板を作成した。
【００３０】この評価試験の結果を表２に示す。評価試
験における評価方法は、下記に示す通りである。 内層銅箔引き剥し試験 ＪＩＳ Ｃ ６４８６に準拠 体積抵抗率 ＪＩＳ Ｃ ６４８６に準拠 ハローイング性試験 ４層板に直径０．４ｍｍφのドリル孔をあけこれを１２
％の塩酸水溶液中に３０分間浸漬した後のハローイング
長さを測定した。 耐塩酸性試験 粗面、平滑面それぞれで通常の片面張り基板を作成し、
０．２ｍｍ幅に回路をエッチングした後、１：１塩酸水
溶液中に３０分浸漬し、その前後でＪＩＳ Ｃ６４８１
に準拠した引き剥し試験を行なって劣化率を測定した。
なお、表２中の粗面、平滑面の表示は、基材との接着面
を示す。
験における評価方法は、下記に示す通りである。 内層銅箔引き剥し試験 ＪＩＳ Ｃ ６４８６に準拠 体積抵抗率 ＪＩＳ Ｃ ６４８６に準拠 ハローイング性試験 ４層板に直径０．４ｍｍφのドリル孔をあけこれを１２
％の塩酸水溶液中に３０分間浸漬した後のハローイング
長さを測定した。 耐塩酸性試験 粗面、平滑面それぞれで通常の片面張り基板を作成し、
０．２ｍｍ幅に回路をエッチングした後、１：１塩酸水
溶液中に３０分浸漬し、その前後でＪＩＳ Ｃ６４８１
に準拠した引き剥し試験を行なって劣化率を測定した。
なお、表２中の粗面、平滑面の表示は、基材との接着面
を示す。
【００３１】実施例２
実施例１において、防錆処理の後に無水クロム酸２ｇ／
Ｌ、ｐＨ＝４、３０℃の溶液中で、銅箔を陰極とし、ス
テンレス板を陽極とし、１Ａ／ｄｍ2で５秒間電解の
後、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン５ｇ
／Ｌの水溶液をシャワーした槽を５秒間通過させた後、
ゴムロールにより余剰の水分を除去し、実施例１と同様
に２００℃、１０秒間加熱拡散処理を行なった。
Ｌ、ｐＨ＝４、３０℃の溶液中で、銅箔を陰極とし、ス
テンレス板を陽極とし、１Ａ／ｄｍ2で５秒間電解の
後、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン５ｇ
／Ｌの水溶液をシャワーした槽を５秒間通過させた後、
ゴムロールにより余剰の水分を除去し、実施例１と同様
に２００℃、１０秒間加熱拡散処理を行なった。
【００３２】以降の基板作成方法および評価方法は実施
例１と同様に行なった。その結果を表２に示す。
例１と同様に行なった。その結果を表２に示す。
【００３３】実施例３
厚さ３５μｍの電解銅箔（粗面粗さＲｚ＝７．０μｍ、
平滑面粗さＲｚ＝０．７μｍ）を三菱ガス化学社製化学
研磨液ＣＰＢ−３０（商品名）を用いて粗面を化学研磨
し、Ｒｚ＝２．８μｍまで平滑化した。続いて平滑面を
同じく三菱ガス化学社製ＣＰＢ−６０（商品名）を用い
てエッチング処理し、Ｒｚ＝１．５μｍまで粗化した銅
箔を使用した。
平滑面粗さＲｚ＝０．７μｍ）を三菱ガス化学社製化学
研磨液ＣＰＢ−３０（商品名）を用いて粗面を化学研磨
し、Ｒｚ＝２．８μｍまで平滑化した。続いて平滑面を
同じく三菱ガス化学社製ＣＰＢ−６０（商品名）を用い
てエッチング処理し、Ｒｚ＝１．５μｍまで粗化した銅
箔を使用した。
【００３４】この銅箔を用いて実施例１と同様の条件で
こぶ付け、かぶせメッキを行なった。その結果、得られ
たこぶの大きさを写真上で測定したところ、粗面側のこ
ぶの長さは０．６〜０．９μｍ、最大径０．３〜０．５
μｍ、平滑面側のこぶの長さは０．６〜０．８μｍ、最
大径０．４〜０．６μｍであった。
こぶ付け、かぶせメッキを行なった。その結果、得られ
たこぶの大きさを写真上で測定したところ、粗面側のこ
ぶの長さは０．６〜０．９μｍ、最大径０．３〜０．５
μｍ、平滑面側のこぶの長さは０．６〜０．８μｍ、最
大径０．４〜０．６μｍであった。
【００３５】表１における亜鉛防錆条件にて、このこぶ
付き銅箔を処理し、以降は実施例１と同一の処理、評価
を行なった。結果を表２に示す。
付き銅箔を処理し、以降は実施例１と同一の処理、評価
を行なった。結果を表２に示す。
【００３６】実施例４
実施例３で用いたのと同様の電解銅箔（粗面粗さＲｚ＝
７．０μｍ、平滑面粗さＲｚ＝０．７μｍ）を加工率１
０％において圧延処理することにより、粗面粗さＲｚ＝
２．０μｍ、平滑面粗さＲｚ＝１．０μｍとした銅箔を
使用した。この銅箔を用いて実施例１と同様の条件でこ
ぶ付け、かぶせメッキを行なった。その結果、得られた
こぶの大きさを写真上で測定したところ、粗面側のこぶ
の長さは０．６〜０．８μｍ、最大径０．３〜０．５μ
ｍ、平滑面側のこぶの長さは０．６〜０．８μｍ、最大
径０．３〜０．６μｍであった。
７．０μｍ、平滑面粗さＲｚ＝０．７μｍ）を加工率１
０％において圧延処理することにより、粗面粗さＲｚ＝
２．０μｍ、平滑面粗さＲｚ＝１．０μｍとした銅箔を
使用した。この銅箔を用いて実施例１と同様の条件でこ
ぶ付け、かぶせメッキを行なった。その結果、得られた
こぶの大きさを写真上で測定したところ、粗面側のこぶ
の長さは０．６〜０．８μｍ、最大径０．３〜０．５μ
ｍ、平滑面側のこぶの長さは０．６〜０．８μｍ、最大
径０．３〜０．６μｍであった。
【００３７】表１の亜鉛−ニッケル合金防錆処理にて、
このこぶ付き銅箔を処理し、以降は実施例１と同一の処
理、評価を行なった。結果を表２に示す。
このこぶ付き銅箔を処理し、以降は実施例１と同一の処
理、評価を行なった。結果を表２に示す。
【００３８】実施例５
厚さ３５μｍの圧延銅箔（両面の粗さは共にＲｚ＝０．
４μｍ）を電解脱脂の後、硫酸酸性溶液中で両面の電流
密度を変えて陽極電解処理を行ない、片面（粗面）粗さ
Ｒｚ＝２．３μｍ、他面（平滑面）粗さ１．２μｍとし
た銅箔を使用した。
４μｍ）を電解脱脂の後、硫酸酸性溶液中で両面の電流
密度を変えて陽極電解処理を行ない、片面（粗面）粗さ
Ｒｚ＝２．３μｍ、他面（平滑面）粗さ１．２μｍとし
た銅箔を使用した。
【００３９】この銅箔を用いて実施例１と同様にこぶ付
け、かぶせメッキを行なった。その結果、得られたこぶ
の大きさを写真上で測定したところ、片面側のこぶの長
さは０．６〜０．９μｍ、最大径０．３〜０．６μｍ、
他面側のこぶの長さは０．６〜０．８μｍ、最大径０．
３〜０．６μｍであった。以降は実施例１と同一の処
理、評価を行なった。結果を表２に示す。
け、かぶせメッキを行なった。その結果、得られたこぶ
の大きさを写真上で測定したところ、片面側のこぶの長
さは０．６〜０．９μｍ、最大径０．３〜０．６μｍ、
他面側のこぶの長さは０．６〜０．８μｍ、最大径０．
３〜０．６μｍであった。以降は実施例１と同一の処
理、評価を行なった。結果を表２に示す。
【００４０】比較例１
実施例３で用いたのと同様の電解銅箔（粗面粗さＲｚ＝
７．０μｍ、平滑面粗さＲｚ＝０．７μｍ）を用いて実
施例１と同様にこぶ付け、かぶせメッキを行なった。そ
の結果、得られたこぶの大きさを写真上で測定したとこ
ろ、粗面側は電流の集中によりこぶが大きくなり、こぶ
の長さは１．５〜１．８μｍ、最大径０．７〜１．２μ
ｍとなった。平滑面側は粗度が低いため、こぶが不均一
に生成しており、こぶの長さは０．９〜１．４μｍ、最
大径０．６〜１．０μｍであった。この状態で粗さを測
定したところ粗面粗さＲｚ＝８．５μｍ、平滑面粗さＲ
ｚ＝１．６μｍであった。
７．０μｍ、平滑面粗さＲｚ＝０．７μｍ）を用いて実
施例１と同様にこぶ付け、かぶせメッキを行なった。そ
の結果、得られたこぶの大きさを写真上で測定したとこ
ろ、粗面側は電流の集中によりこぶが大きくなり、こぶ
の長さは１．５〜１．８μｍ、最大径０．７〜１．２μ
ｍとなった。平滑面側は粗度が低いため、こぶが不均一
に生成しており、こぶの長さは０．９〜１．４μｍ、最
大径０．６〜１．０μｍであった。この状態で粗さを測
定したところ粗面粗さＲｚ＝８．５μｍ、平滑面粗さＲ
ｚ＝１．６μｍであった。
【００４１】続けて実施例１と同様の防錆処理、加熱拡
散処理を行なった。実施例１と同様に基板を作成し評価
を行なった。結果を表２に示す。
散処理を行なった。実施例１と同様に基板を作成し評価
を行なった。結果を表２に示す。
【００４２】比較例２
実施例５で用いたのと同様の圧延銅箔（両面の粗さは共
にＲｚ＝０．４μｍ）を用いて実施例１と同様にこぶ付
け、かぶせメッキを行なった。その結果、得られたこぶ
の大きさを写真上で測定したところ、両面共にこぶの長
さは０．４〜０．７μｍ、最大径０．１〜０．４μｍで
あった。この状態で粗さを測定したところ両面の粗さは
共にＲｚ＝１．２μｍであった。
にＲｚ＝０．４μｍ）を用いて実施例１と同様にこぶ付
け、かぶせメッキを行なった。その結果、得られたこぶ
の大きさを写真上で測定したところ、両面共にこぶの長
さは０．４〜０．７μｍ、最大径０．１〜０．４μｍで
あった。この状態で粗さを測定したところ両面の粗さは
共にＲｚ＝１．２μｍであった。
【００４３】続けて実施例１と同様な防錆処理、加熱拡
散処理を行なった。実施例１と同様に基板を作成し評価
を行なった。結果を表２に示す。
散処理を行なった。実施例１と同様に基板を作成し評価
を行なった。結果を表２に示す。
【００４４】比較例３
実施例１で使用したのと同様の電解銅箔（粗面粗さＲｚ
＝２．８μｍ、平滑面粗さＲｚ＝１．４μｍ）を使用
し、通常条件において電解によりこぶ付けを行なった。
電解条件は実施例１で用いた浴から添加剤を除いた条件
であり、かぶせ電解は同一条件で行なった。
＝２．８μｍ、平滑面粗さＲｚ＝１．４μｍ）を使用
し、通常条件において電解によりこぶ付けを行なった。
電解条件は実施例１で用いた浴から添加剤を除いた条件
であり、かぶせ電解は同一条件で行なった。
【００４５】その結果、得られたこぶの大きさを写真上
で測定したところ、こぶの生成密度は著しく低く、粗面
側のこぶの長さは０．２〜０．６μｍ、最大径０．１〜
０．３μｍ、平滑面側のこぶの長さは０．２〜０．６μ
ｍ、最大径０．１〜０．３μｍであった。また、この銅
箔の粗度を測定すると粗面でＲｚ＝３．３μｍ、平滑面
でＲｚ＝１．９μｍであった。
で測定したところ、こぶの生成密度は著しく低く、粗面
側のこぶの長さは０．２〜０．６μｍ、最大径０．１〜
０．３μｍ、平滑面側のこぶの長さは０．２〜０．６μ
ｍ、最大径０．１〜０．３μｍであった。また、この銅
箔の粗度を測定すると粗面でＲｚ＝３．３μｍ、平滑面
でＲｚ＝１．９μｍであった。
【００４６】その後の防錆処理、加熱乾燥処理、基板作
成および評価試験は実施例１と全く同一で条件で行なっ
た。結果を表２に示す。
成および評価試験は実施例１と全く同一で条件で行なっ
た。結果を表２に示す。
【００４７】比較例４
実施例１で用いたのと同様の電解銅箔（粗面粗さＲｚ＝
２．８μｍ、平滑面粗さＲｚ＝１．４μｍ）を使用して
内層用ボードを作成し、実施例１と同様に回路を形成
後、市販の黒化処理剤（シップレイ社製、商品名：プロ
ボンド８０）を用いて黒化処理を行った。その後、実施
例１と同様に外層をプレス成形の後、評価試験も同様に
行なった。結果を表２に示す。
２．８μｍ、平滑面粗さＲｚ＝１．４μｍ）を使用して
内層用ボードを作成し、実施例１と同様に回路を形成
後、市販の黒化処理剤（シップレイ社製、商品名：プロ
ボンド８０）を用いて黒化処理を行った。その後、実施
例１と同様に外層をプレス成形の後、評価試験も同様に
行なった。結果を表２に示す。
【００４８】
【表２】
【００４９】
【発明の効果】本発明の極薄、微細プリント回路内層用
銅箔においては、銅箔の両面の適度な粗度の確保と微細
で均一なこぶ付けを電解により行なうことによって内層
回路と各プリプレグの密着性の向上が図れると共に耐塩
酸性の向上も図れる。
銅箔においては、銅箔の両面の適度な粗度の確保と微細
で均一なこぶ付けを電解により行なうことによって内層
回路と各プリプレグの密着性の向上が図れると共に耐塩
酸性の向上も図れる。
【００５０】これらの特性値はクロメート処理あるいは
シランカップリング剤処理をそれぞれ単独または組み合
わせて行なうことにより、より効果が大きくなる。
シランカップリング剤処理をそれぞれ単独または組み合
わせて行なうことにより、より効果が大きくなる。
【００５１】 さらにプリプレグとの接着面の粗さが低
いために中間の樹脂厚みが小さくなった際における耐絶
縁性の確保も容易である。また形成されるこぶが金属銅
であるため黒化処理の酸化銅に比較して、著しく良好な
耐ハローイング性も期待できる。
いために中間の樹脂厚みが小さくなった際における耐絶
縁性の確保も容易である。また形成されるこぶが金属銅
であるため黒化処理の酸化銅に比較して、著しく良好な
耐ハローイング性も期待できる。
【００５２】そのため、今後プリント基板として主流と
なる極薄、多層基板の製造に当たり黒化処理の省略によ
る工程の簡略化と、基板の品質の向上が同時に達成可能
となる。
なる極薄、多層基板の製造に当たり黒化処理の省略によ
る工程の簡略化と、基板の品質の向上が同時に達成可能
となる。
【図１】 銅箔の金属組織を示す顕微鏡写真（×５０
００）
００）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
// Ｂ３２Ｂ 15/08 Ｂ３２Ｂ 15/08 Ｊ
Ｃ２５Ｄ 1/04 ３１１ Ｃ２５Ｄ 1/04 ３１１
(56)参考文献 特開 昭63−24088（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−241087（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−82590（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−288493（ＪＰ，Ａ)
特許3155920（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 1/09
H05K 3/38
C25D 7/06
H05K 3/46
Claims (3)
- 【請求項１】 両面の表面粗さＲｚ＝１〜３μｍの銅箔
の両面に、長さ０．６〜１．０μｍで最大径０．２〜
０．８μｍの逆涙滴状の微細なこぶが設けられ、該銅箔
の両面の最終表面粗さがＲｚ＝２〜４μｍであることを
特徴とするプリント回路内層用銅箔。 - 【請求項２】 銅濃度を８〜１５ｇ／Ｌ、硫酸濃度を１
５〜４５ｇ／Ｌ、室温で、電流密度２〜１５Ａ／ｄｍ２
の条件下で電解により、両面の表面粗さＲｚ＝１〜３μ
ｍの銅箔の両面に、長さ０．６〜１．０μｍで最大径
０．２〜０．８μｍの逆涙滴状の微細なこぶを同時に設
け、該銅箔の両面の最終表面粗さをＲｚ＝２〜４μｍと
することを特徴とするプリント回路内層用銅箔の製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の銅箔をプリント回路内
層に設けたプリント回路多層板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33283394A JP3476264B2 (ja) | 1993-12-24 | 1994-12-15 | プリント回路内層用銅箔およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34589393 | 1993-12-24 | ||
| JP5-345893 | 1993-12-24 | ||
| JP33283394A JP3476264B2 (ja) | 1993-12-24 | 1994-12-15 | プリント回路内層用銅箔およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07231152A JPH07231152A (ja) | 1995-08-29 |
| JP3476264B2 true JP3476264B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=26574311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33283394A Expired - Fee Related JP3476264B2 (ja) | 1993-12-24 | 1994-12-15 | プリント回路内層用銅箔およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3476264B2 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117300A (en) * | 1996-05-01 | 2000-09-12 | Honeywell International Inc. | Method for forming conductive traces and printed circuits made thereby |
| JP3742144B2 (ja) * | 1996-05-08 | 2006-02-01 | ソニー株式会社 | 非水電解液二次電池及び非水電解液二次電池用の平面状集電体 |
| JPH11135952A (ja) * | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 印刷回路基板用樹脂付き銅箔、およびそれを用いた印刷回路基板 |
| JP2001284797A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-12 | Kyocera Corp | 多層配線基板及びその製造方法 |
| JP2003051673A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プリント配線板用銅箔及びそのプリント配線板用銅箔を用いた銅張積層板 |
| JP4029759B2 (ja) * | 2003-04-04 | 2008-01-09 | 株式会社デンソー | 多層回路基板およびその製造方法 |
| JP4497952B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2010-07-07 | クローバー電子工業株式会社 | 積層配線基板 |
| JP4567360B2 (ja) * | 2004-04-02 | 2010-10-20 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅箔の製造方法及びその製造方法で得られる銅箔 |
| JP2006147867A (ja) | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Sharp Corp | プリント配線板の製造方法 |
| JP4532322B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-08-25 | 古河電気工業株式会社 | ビルトアップ基板内層用銅箔 |
| JP4492806B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2010-06-30 | 日本製箔株式会社 | 耐屈曲性フレキシブルプリント配線板 |
| JP4609850B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2011-01-12 | 古河電気工業株式会社 | 積層回路基板 |
| JP2007235015A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板及びその製造方法 |
| JP2007281361A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Asahi Kasei Corp | ポリイミド系プリント基板及びポリイミド系プリント配線板 |
| JP4367457B2 (ja) | 2006-07-06 | 2009-11-18 | パナソニック電工株式会社 | 銀膜、銀膜の製造方法、ｌｅｄ実装用基板、及びｌｅｄ実装用基板の製造方法 |
| JP5215631B2 (ja) * | 2007-10-24 | 2013-06-19 | 三井金属鉱業株式会社 | 表面処理銅箔 |
| JP5406278B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-02-05 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | プリント配線板用銅箔及びその製造方法 |
| JP5400447B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-01-29 | 三井金属鉱業株式会社 | 粗化処理銅箔、粗化処理銅箔の製造方法及び銅張積層板 |
| CN106028638B (zh) * | 2010-09-27 | 2019-09-03 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 印刷电路板用铜箔、其制造方法以及印刷电路板 |
| PH12014500716A1 (en) * | 2011-09-30 | 2014-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Copper foil excellent in adherence with resin, method for manufacturing the copper foil, and printed wiring board or battery negative electrode material using the electrolytic copper foil |
| WO2013150640A1 (ja) * | 2012-04-06 | 2013-10-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電解銅箔及びその製造方法 |
| KR102128954B1 (ko) | 2012-06-06 | 2020-07-01 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 프린트 배선판용 동박, 그 제조방법, 및 그 동박을 사용한 프린트 배선판 |
| JP6357336B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-07-11 | 三井金属鉱業株式会社 | 電解銅箔、キャリア箔付電解銅箔及びプリント配線板 |
| WO2016035876A1 (ja) | 2014-09-05 | 2016-03-10 | 古河電気工業株式会社 | 銅箔、銅張積層板、および基板 |
| JP6089160B1 (ja) | 2015-08-12 | 2017-03-01 | 古河電気工業株式会社 | 高周波回路用銅箔、銅張積層板、プリント配線基板 |
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1994
- 1994-12-15 JP JP33283394A patent/JP3476264B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH07231152A (ja) | 1995-08-29 |
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