JP3472687B2 - 磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents
磁気ディスク基板の製造方法Info
- Publication number
- JP3472687B2 JP3472687B2 JP17656397A JP17656397A JP3472687B2 JP 3472687 B2 JP3472687 B2 JP 3472687B2 JP 17656397 A JP17656397 A JP 17656397A JP 17656397 A JP17656397 A JP 17656397A JP 3472687 B2 JP3472687 B2 JP 3472687B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- magnetic disk
- disk substrate
- polishing process
- average particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 57
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 38
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 12
- 238000007518 final polishing process Methods 0.000 claims description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明はＭＲヘッド等を使用するような高
容量タイプのハードディスク用のＮｉ−Ｐめっきされた
アルミ合金製の磁気ディスク基板の製造方法に関する。
容量タイプのハードディスク用のＮｉ−Ｐめっきされた
アルミ合金製の磁気ディスク基板の製造方法に関する。
【０００２】一般に、近時の磁気ディスク基板はその記
録密度が年々向上してきており、記録密度を向上させる
ための要求がますます厳しくなり、その上、さらなる高
容量化のため、ヘッド浮上量が下がり、従来許容されて
いた研磨加工の際に発生する研磨痕さえも不良となり、
単に表面粗さが小さいだけの研磨基板では使用に耐えら
れないとされるようになっている。これに対し、従来、
Ｎｉ−Ｐめっき後のディスク基板の研磨加工は両面研磨
機、ポリウレタン系の研磨布を使用し；ａ）有機酸系の
エッチャントに平均粒径０．３〜５μｍのアルミナ、チ
タニア、ジルコニア等の金属酸化物砥粒等を分散させた
研磨液にて１段から２段（砥粒の大きな粒子径の１段研
磨の後、小さな粒子径の２段研磨）の研磨を実施する；
あるいはｂ）酸系およびアルカリ系のエッチャントに平
均粒径０．０１〜０．３μｍのシリカ、ジルコニア、チ
タニア等のコロイド粒子を分散させた研磨液にて研磨を
実施している。
録密度が年々向上してきており、記録密度を向上させる
ための要求がますます厳しくなり、その上、さらなる高
容量化のため、ヘッド浮上量が下がり、従来許容されて
いた研磨加工の際に発生する研磨痕さえも不良となり、
単に表面粗さが小さいだけの研磨基板では使用に耐えら
れないとされるようになっている。これに対し、従来、
Ｎｉ−Ｐめっき後のディスク基板の研磨加工は両面研磨
機、ポリウレタン系の研磨布を使用し；ａ）有機酸系の
エッチャントに平均粒径０．３〜５μｍのアルミナ、チ
タニア、ジルコニア等の金属酸化物砥粒等を分散させた
研磨液にて１段から２段（砥粒の大きな粒子径の１段研
磨の後、小さな粒子径の２段研磨）の研磨を実施する；
あるいはｂ）酸系およびアルカリ系のエッチャントに平
均粒径０．０１〜０．３μｍのシリカ、ジルコニア、チ
タニア等のコロイド粒子を分散させた研磨液にて研磨を
実施している。
【０００３】しかしながら、ａ）の方法は基板のうねり
は小さくなるものの、Ｒａは約１．０ｎｍ程度しか得ら
れず、約１００μｍ以上の深い研磨痕が残ってしまうも
のであり、また、ｂ）の方法はＲａは約０．３ｎｍが得
られ、研磨痕深さも５ｎｍ以下になるが、基板のうねり
がとれず、さらには研磨速度が遅いため、狙いのＲａを
得るためには約１５分の長時間の研磨が必要になるとい
う問題点を有するものであった。
は小さくなるものの、Ｒａは約１．０ｎｍ程度しか得ら
れず、約１００μｍ以上の深い研磨痕が残ってしまうも
のであり、また、ｂ）の方法はＲａは約０．３ｎｍが得
られ、研磨痕深さも５ｎｍ以下になるが、基板のうねり
がとれず、さらには研磨速度が遅いため、狙いのＲａを
得るためには約１５分の長時間の研磨が必要になるとい
う問題点を有するものであった。
【０００４】本発明は、上記した従来方法の有する問題
点を解消し、基板の表面粗さＲａ≦０．５ｎｍ、深さ５
ｎｍ以上の研磨痕がなく、微小うねりがない磁気ディス
ク基板の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
点を解消し、基板の表面粗さＲａ≦０．５ｎｍ、深さ５
ｎｍ以上の研磨痕がなく、微小うねりがない磁気ディス
ク基板の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００５】本発明に係る磁気ディスク基板の製造方法
は、Ｎｉ−Ｐめっき後のアルミニウム磁気ディスク基板
の製造において、研磨加工を複数段に分け、最終研磨加
工前の研磨加工として平均粒径０．３〜５μｍの金属酸
化物砥粒を含んだ研磨液を用いて研磨し、次いで最終研
磨加工として平均粒径０．０１μｍ〜０．３μｍのコロ
イド粒子を含んだｐＨ２〜６の研磨液を用いた加工を施
すことにより、表面粗さＲａ≦０．５ｎｍ、深さ５ｎｍ
以上の研磨痕がなく、微小うねりがない磁気ディスク基
板を製造することを特徴とするものである。なお、最終
研磨加工前の金属酸化物砥粒による研磨加工を複数回砥
粒の粒径を変えて施すこともでき、これにより前記課題
の解決を図ったものである。また、本発明で表面粗さＲ
ａ≦０．５ｎｍ、深さ５ｎｍ以上の研磨痕がなく、微小
うねりがない磁気ディスク基板が得られる。
は、Ｎｉ−Ｐめっき後のアルミニウム磁気ディスク基板
の製造において、研磨加工を複数段に分け、最終研磨加
工前の研磨加工として平均粒径０．３〜５μｍの金属酸
化物砥粒を含んだ研磨液を用いて研磨し、次いで最終研
磨加工として平均粒径０．０１μｍ〜０．３μｍのコロ
イド粒子を含んだｐＨ２〜６の研磨液を用いた加工を施
すことにより、表面粗さＲａ≦０．５ｎｍ、深さ５ｎｍ
以上の研磨痕がなく、微小うねりがない磁気ディスク基
板を製造することを特徴とするものである。なお、最終
研磨加工前の金属酸化物砥粒による研磨加工を複数回砥
粒の粒径を変えて施すこともでき、これにより前記課題
の解決を図ったものである。また、本発明で表面粗さＲ
ａ≦０．５ｎｍ、深さ５ｎｍ以上の研磨痕がなく、微小
うねりがない磁気ディスク基板が得られる。
【０００６】以下、本発明方法を各工程を追って説明す
る。まず、最終研磨加工前に実施する金属酸化物砥粒を
用いた研磨加工は、平均粒径０．３〜５μｍのアルミ
ナ、チタニア、ジルコニア等の金属酸化物砥粒を含んだ
研磨液を用いて研磨する。金属酸化物砥粒の平均粒径が
０．３μｍより小さいと表面粗さは良好となるが研磨速
度が遅く、所定の研磨量を得るのに長時間を要する。ま
た平均粒径が５μｍを越えると研磨速度は速くなるもの
の表面粗さが粗くなり研磨痕も増加する。この研磨工程
は複数段に分けて行っても良い。例えば２段階に分ける
場合について説明すると、まず第１段研磨として平均粒
径０．５〜５μｍの金属酸化物砥粒を用いて研磨し、次
いで第２段研磨として平均粒径０．３〜１．５μｍの金
属酸化物砥粒を用いて研磨する。この場合の第２段研磨
工程が最終研磨工程の前工程処理となる。
る。まず、最終研磨加工前に実施する金属酸化物砥粒を
用いた研磨加工は、平均粒径０．３〜５μｍのアルミ
ナ、チタニア、ジルコニア等の金属酸化物砥粒を含んだ
研磨液を用いて研磨する。金属酸化物砥粒の平均粒径が
０．３μｍより小さいと表面粗さは良好となるが研磨速
度が遅く、所定の研磨量を得るのに長時間を要する。ま
た平均粒径が５μｍを越えると研磨速度は速くなるもの
の表面粗さが粗くなり研磨痕も増加する。この研磨工程
は複数段に分けて行っても良い。例えば２段階に分ける
場合について説明すると、まず第１段研磨として平均粒
径０．５〜５μｍの金属酸化物砥粒を用いて研磨し、次
いで第２段研磨として平均粒径０．３〜１．５μｍの金
属酸化物砥粒を用いて研磨する。この場合の第２段研磨
工程が最終研磨工程の前工程処理となる。
【０００７】上記研磨工程により所定の粗さまで粗仕上
げされるとともにうねり、めっき欠陥等を除去された基
板は、次いで最終研磨工程に供される。最終研磨では研
磨痕の発生を極力抑えるために研磨材として平均粒径
０．０１〜０．３μｍのシリカ、チタニア、ジルコニア
等のコロイド粒子を含んだ研磨液を用いて行う。この最
終研磨加工に使用されるシリカ、チタニア、ジルコニア
等のコロイド粒子の平均粒子径が０．０１μｍより小さ
いと研磨加工に長時間を要して実用的でなくなり、逆に
コロイド粒子の平均粒子径が０．３μｍより大きいと得
られる磁気ディスク基板の表面粗さＲａが０．５ｎｍよ
り粗くなってしまう。
げされるとともにうねり、めっき欠陥等を除去された基
板は、次いで最終研磨工程に供される。最終研磨では研
磨痕の発生を極力抑えるために研磨材として平均粒径
０．０１〜０．３μｍのシリカ、チタニア、ジルコニア
等のコロイド粒子を含んだ研磨液を用いて行う。この最
終研磨加工に使用されるシリカ、チタニア、ジルコニア
等のコロイド粒子の平均粒子径が０．０１μｍより小さ
いと研磨加工に長時間を要して実用的でなくなり、逆に
コロイド粒子の平均粒子径が０．３μｍより大きいと得
られる磁気ディスク基板の表面粗さＲａが０．５ｎｍよ
り粗くなってしまう。
【０００８】最終研磨加工前の金属酸化物砥粒による研
磨加工における該金属酸化物砥粒は、水溶液中に１〜４
０％分散される。なお、水溶液は、硝酸、リン酸、スル
ファミン酸等でｐＨ２〜６の酸性領域に調整するのが好
ましい。また、最終研磨加工時のコロイド粒子は同じく
水溶液中に１〜４０％分散される。水溶液は硝酸、リン
酸、スルファミン酸等によりｐＨ２〜６の酸性領域に調
整し、あるいはカセイソーダによりアルカリ性領域に調
整してもよい。
磨加工における該金属酸化物砥粒は、水溶液中に１〜４
０％分散される。なお、水溶液は、硝酸、リン酸、スル
ファミン酸等でｐＨ２〜６の酸性領域に調整するのが好
ましい。また、最終研磨加工時のコロイド粒子は同じく
水溶液中に１〜４０％分散される。水溶液は硝酸、リン
酸、スルファミン酸等によりｐＨ２〜６の酸性領域に調
整し、あるいはカセイソーダによりアルカリ性領域に調
整してもよい。
【０００９】各段階の研磨における砥粒は、段階的に粒
径が小さいものを使用する。なお、各段階の研磨は単一
の研磨機で砥粒のみを変えながら連続的に行ってもよい
が、前段階の砥粒の混入を防止するために、それぞれ別
の研磨機を使用し、各段階の研磨が終了する毎に基板を
洗浄するのが好ましい。得られた磁気ディスク基板の表
面粗さＲａは≦５ｎｍであり、深さ５ｎｍ以上の研磨痕
はなく、微小うねりもないものであった。
径が小さいものを使用する。なお、各段階の研磨は単一
の研磨機で砥粒のみを変えながら連続的に行ってもよい
が、前段階の砥粒の混入を防止するために、それぞれ別
の研磨機を使用し、各段階の研磨が終了する毎に基板を
洗浄するのが好ましい。得られた磁気ディスク基板の表
面粗さＲａは≦５ｎｍであり、深さ５ｎｍ以上の研磨痕
はなく、微小うねりもないものであった。
【実施例１】
【００１０】外径３．５インチのドーナツ状アルミニウ
ム合金製ブランク材（５０８６相当品）であって旋削加
工後、厚さ約２０μｍの無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理した
試料を本発明に係る研磨加工に供した。実施例１とし
て、最大粒径１μｍ、平均粒径０．８μｍのアルミナ
を、スルファミン酸でｐＨ４の酸性領域に調整した水溶
液中に１０ｗｔ％分散させた研磨液で３分間研磨し、次
いで最大粒径０．５μｍ、平均粒径０．４μｍのアルミ
ナを上記と同じくスルファミン酸でｐＨ４の酸性領域に
調整した水溶液中に１０ｗｔ％分散させた研磨液で１分
間研磨した後、最大粒径０．１μｍ、平均粒径０．０５
μｍのシリカを２％カセイソーダ溶液に１０ｗｔ％分散
させた研磨液で３分間最終研磨加工を施した。これら研
磨は１回あたり２５枚の基板を研磨機にセットして実施
し、このうち任意に５枚を抜き出し試験用のサンプルと
した。
ム合金製ブランク材（５０８６相当品）であって旋削加
工後、厚さ約２０μｍの無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理した
試料を本発明に係る研磨加工に供した。実施例１とし
て、最大粒径１μｍ、平均粒径０．８μｍのアルミナ
を、スルファミン酸でｐＨ４の酸性領域に調整した水溶
液中に１０ｗｔ％分散させた研磨液で３分間研磨し、次
いで最大粒径０．５μｍ、平均粒径０．４μｍのアルミ
ナを上記と同じくスルファミン酸でｐＨ４の酸性領域に
調整した水溶液中に１０ｗｔ％分散させた研磨液で１分
間研磨した後、最大粒径０．１μｍ、平均粒径０．０５
μｍのシリカを２％カセイソーダ溶液に１０ｗｔ％分散
させた研磨液で３分間最終研磨加工を施した。これら研
磨は１回あたり２５枚の基板を研磨機にセットして実施
し、このうち任意に５枚を抜き出し試験用のサンプルと
した。
【実施例２】
【００１１】実施例１と同様のＮｉ−Ｐめっき後のアル
ミニウム合金製ブランクを、最大粒径１μｍ、平均粒径
０．８μｍのアルミナを、スルファミン酸でｐＨ４の酸
性領域に調整した水溶液中に１０ｗｔ％分散させた研磨
液で３分間研磨した後、最大粒径０．１μｍ、平均粒径
０．０５μｍのシリカを２％カセイソーダ溶液に１０ｗ
ｔ％分散させた研磨液で６分間最終研磨加工を施した。
これら研磨は実施例１と同様に任意の５枚を選び、試験
用サンプルとした。
ミニウム合金製ブランクを、最大粒径１μｍ、平均粒径
０．８μｍのアルミナを、スルファミン酸でｐＨ４の酸
性領域に調整した水溶液中に１０ｗｔ％分散させた研磨
液で３分間研磨した後、最大粒径０．１μｍ、平均粒径
０．０５μｍのシリカを２％カセイソーダ溶液に１０ｗ
ｔ％分散させた研磨液で６分間最終研磨加工を施した。
これら研磨は実施例１と同様に任意の５枚を選び、試験
用サンプルとした。
【００１２】比較例として、実施例１と同様のＮｉ−Ｐ
めっき後のアルミニウム合金製ブランクを、最大粒径１
μｍ、平均粒径０．８μｍのアルミナをスルファミン酸
でｐＨ４の酸性領域に調整した水溶液中に１０ｗｔ％分
散させた研磨液で３分間研磨したもの（比較例１）、最
大粒径０．５μｍ、平均粒径０．４μｍのアルミナを上
記と同じ水溶液に１０ｗｔ％分散させた研磨液で６分間
研磨したもの（比較例２）、および最大粒径０．１μ
ｍ、平均粒径０．０５μｍのシリカを２％カセイソーダ
溶液に１０ｗｔ％分散させた研磨液で１２分間研磨した
もの（比較例３）につき、実施例１と同様に任意の５枚
を選び、試験用サンプルとした。
めっき後のアルミニウム合金製ブランクを、最大粒径１
μｍ、平均粒径０．８μｍのアルミナをスルファミン酸
でｐＨ４の酸性領域に調整した水溶液中に１０ｗｔ％分
散させた研磨液で３分間研磨したもの（比較例１）、最
大粒径０．５μｍ、平均粒径０．４μｍのアルミナを上
記と同じ水溶液に１０ｗｔ％分散させた研磨液で６分間
研磨したもの（比較例２）、および最大粒径０．１μ
ｍ、平均粒径０．０５μｍのシリカを２％カセイソーダ
溶液に１０ｗｔ％分散させた研磨液で１２分間研磨した
もの（比較例３）につき、実施例１と同様に任意の５枚
を選び、試験用サンプルとした。
【００１３】実施例１、２および比較例１、２、３によ
り得られた磁気ディスク基板につき、表面粗さ（Ｒ
ａ）、うねり（Ｗｃａ）、研磨痕深さを測定した。それ
らの試験条件を下記に示す。なお、各試験は各５枚のサ
ンプルにつき実施し、その平均値をもってした。 ＊表面粗さ： 試験機；Ｔｅｎｃｏｒ社製のＴｅｎｃｏｒＰ１２ 触針径；０．２μｍ ＳｃａｎＬｅｎｇｔｈ；２５０μｍ ＳｃａｎＳｐｅｅｄ；５μｍ／ｓ Ｃｕｔｏｆｆ；２５μｍ ＊うねり：ろ波中心線うねり（Ｗｃａ）基準で計測 試験機；Ｔｅｎｃｏｒ社製のＴｅｎｃｏｒＰ１２ 触針径；０．２μｍ ＳｃａｎＬｅｎｇｔｈ；５ｍｍ ＳｃａｎＳｐｅｅｄ；４００μｍ／ｓ Ｃｕｔｏｆｆ；８００μｍ Ｗｃａ基準で、２ｎｍ以下を◎、２〜５ｎｍを○、５〜
１０ｎｍを△、１０ｎｍ以上を×で示した。ここで、○
以上が合格である。 ＊研磨痕深さ： 試験機；ＷＹＫＯ社製、ＭＨＴ―３Ｓｙｓｔｅｍ 測定倍率；×４００ＰＳＩモード（微細領域測定用モー
ド） 深さ３ｎｍ以下を◎、３〜５ｎｍを○、５〜１０ｎｍを
△、１０ｎｍ以上を×で示した。ここで、○以上が合格
である。これらの結果を研磨量とともに表１に示す。
り得られた磁気ディスク基板につき、表面粗さ（Ｒ
ａ）、うねり（Ｗｃａ）、研磨痕深さを測定した。それ
らの試験条件を下記に示す。なお、各試験は各５枚のサ
ンプルにつき実施し、その平均値をもってした。 ＊表面粗さ： 試験機；Ｔｅｎｃｏｒ社製のＴｅｎｃｏｒＰ１２ 触針径；０．２μｍ ＳｃａｎＬｅｎｇｔｈ；２５０μｍ ＳｃａｎＳｐｅｅｄ；５μｍ／ｓ Ｃｕｔｏｆｆ；２５μｍ ＊うねり：ろ波中心線うねり（Ｗｃａ）基準で計測 試験機；Ｔｅｎｃｏｒ社製のＴｅｎｃｏｒＰ１２ 触針径；０．２μｍ ＳｃａｎＬｅｎｇｔｈ；５ｍｍ ＳｃａｎＳｐｅｅｄ；４００μｍ／ｓ Ｃｕｔｏｆｆ；８００μｍ Ｗｃａ基準で、２ｎｍ以下を◎、２〜５ｎｍを○、５〜
１０ｎｍを△、１０ｎｍ以上を×で示した。ここで、○
以上が合格である。 ＊研磨痕深さ： 試験機；ＷＹＫＯ社製、ＭＨＴ―３Ｓｙｓｔｅｍ 測定倍率；×４００ＰＳＩモード（微細領域測定用モー
ド） 深さ３ｎｍ以下を◎、３〜５ｎｍを○、５〜１０ｎｍを
△、１０ｎｍ以上を×で示した。ここで、○以上が合格
である。これらの結果を研磨量とともに表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】以上のように本発明によれば、表面粗さＲ
ａ≦０．５ｎｍ、微小うねりなし、深さ５ｎｍ以上の研
磨痕がないＮｉ−Ｐめっきされたアルミ合金製磁気ディ
スク基板が得られ、近時の記録密度の向上に伴って要求
される性能を十分に満足する磁気ディスク基板が効率良
く形成できる。
ａ≦０．５ｎｍ、微小うねりなし、深さ５ｎｍ以上の研
磨痕がないＮｉ−Ｐめっきされたアルミ合金製磁気ディ
スク基板が得られ、近時の記録密度の向上に伴って要求
される性能を十分に満足する磁気ディスク基板が効率良
く形成できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 歌代 智也
大阪府堺市海山町６丁224番地 昭和ア
ルミニウム株式会社内
(56)参考文献 特開 平７−52030（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−240025（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−196966（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−63049（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B24B 1/00
G11B 5/82
G11B 5/84
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｎｉ−Ｐめっき後のアルミニウム磁気デ
ィスク基板の製造において、研磨加工を複数段に分け、
最終研磨加工前の研磨加工として平均粒径０．３〜５μ
ｍの金属酸化物砥粒を含んだ研磨液を用いて研磨し、次
いで最終研磨加工として平均粒径０．０１μｍ〜０．３
μｍのコロイド粒子を含んだｐＨ２〜６の研磨液を用い
た加工を施すことにより、表面粗さＲａ≦０．５ｎｍ、
深さ５ｎｍ以上の研磨痕がなく、微小うねりがない磁気
ディスク基板を製造することを特徴とする磁気ディスク
基板の製造方法。 - 【請求項２】 最終研磨加工前の金属酸化物砥粒による
研磨加工を複数回砥粒の粒径を変えて施す請求項１記載
の磁気ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17656397A JP3472687B2 (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| MYPI98002606A MY124578A (en) | 1997-06-17 | 1998-06-11 | Magnetic hard disc substrate and process for manufacturing the same |
| US09/094,915 US6123603A (en) | 1997-06-17 | 1998-06-12 | Magnetic hard disc substrate and process for manufacturing the same |
| US09/631,575 US6426155B1 (en) | 1997-06-17 | 2000-08-04 | Magnetic hard disc substrate and process for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17656397A JP3472687B2 (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1110492A JPH1110492A (ja) | 1999-01-19 |
| JP3472687B2 true JP3472687B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=16015766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17656397A Expired - Lifetime JP3472687B2 (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3472687B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003041377A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Showa Denko Kk | Ｎｉ−Ｐめっき基材の洗浄方法、ならびに磁気ディスク基板のの製造方法および磁気ディスク基板 |
| JP4707311B2 (ja) | 2003-08-08 | 2011-06-22 | 花王株式会社 | 磁気ディスク用基板 |
| JP4352398B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2009-10-28 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 磁気記録媒体用基板およびその製造方法 |
| JP5925454B2 (ja) | 2010-12-16 | 2016-05-25 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP5979872B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2016-08-31 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| JP5979871B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2016-08-31 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| US9994748B2 (en) | 2013-08-09 | 2018-06-12 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| JP6096969B1 (ja) | 2016-04-26 | 2017-03-15 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨材、研磨用組成物、及び研磨方法 |
-
1997
- 1997-06-17 JP JP17656397A patent/JP3472687B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1110492A (ja) | 1999-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6551175B2 (en) | Polishing composition | |
| US6426155B1 (en) | Magnetic hard disc substrate and process for manufacturing the same | |
| US6454820B2 (en) | Polishing composition | |
| JP3867328B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP2001089749A (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP4251516B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| CN105163906B (zh) | 玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法以及玻璃基板用研磨液组合物 | |
| JPH10204416A (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP2002294225A (ja) | 研磨用組成物およびそれを用いたメモリーハードディスクの製造方法 | |
| JP2000001665A (ja) | 研磨用組成物 | |
| JPH07240025A (ja) | 超研摩方法およびそのためのスラリ | |
| JP3472687B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
| JP2001288455A (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP2001167430A (ja) | 磁気ディスク用基板およびその製造方法 | |
| JP2005262413A (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP2018174005A (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、情報記録媒体の製造方法、情報記録媒体用ガラス基板、並びに磁気記録媒体 | |
| JP4156174B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP2003211351A (ja) | 微小突起の低減方法 | |
| JP2001148116A (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法 | |
| JP3825844B2 (ja) | 精密研磨用組成物、Ａｌ合金基板上に成膜された無電解ＮｉＰメッキ膜の研磨方法、無電解ＮｉＰメッキ膜を有するＡｌ合金基板の製造方法 | |
| JP5759171B2 (ja) | ハードディスク用ガラス基板の製造方法 | |
| JP2000273445A (ja) | 研磨用組成物 | |
| JPH11198028A (ja) | 磁気ディスク基板用研磨剤および研磨方法 | |
| JPH0752030A (ja) | 陽極酸化処理基盤及び研磨方法 | |
| JPH11268932A (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090912 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |