JP3332819B2 - 高耐圧半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に係わり、特に端面に露出している高耐圧のｐｎ接合
表面に樹脂を形成して安定化させる高耐圧半導体装置の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を樹脂で被覆する樹脂モール
ド型半導体装置の高耐圧化，高信頼化に関して、種々の
技術が提案されている。

【０００３】従来のダイオードの製造方法として、例え
ば、特公昭57−16500 号公報に記載された技術がある。
この従来技術によれば、半導体素子に対してまず電極を
形成し、その後半導体素子をポリイミド樹脂によって部
分的に被覆し、しかる後、半導体素子を２５０℃以上の
温度で加熱処理して、電極に直接リード電極を接続する
ことにより、逆耐圧の低下を防止できることを示してい
る。

【０００４】また、複数のｐｎダイオードペレットをろ
う材で積層した積層型高耐圧半導体素子のマイクロプラ
ズマノイズの発生を抑制する技術として、特開昭58−20
9150号公報に記載された技術がある。この従来技術によ
れば、半導体素子表面に設けられた表面保護層の体積抵
抗率を逆電圧印加時に表面保護層を流れる電流が各ダイ
オードチップの逆漏れ電流より大きくなるよう選定する
ことにより、マイクロプラズマノイズの発生を抑制でき
るとされている。

【０００５】さらに、樹脂モールド半導体装置の高耐圧
化に関する従来技術として、特開昭58−48955 号公報に
記載された技術がある。この従来技術によれば、積層さ
れている複数枚の半導体チップの側面より突出する部分
を有するろう材で積層することにより、耐圧低下等の不
良が増大する問題を解決できるとされている。

【０００６】以上の従来技術の他に、樹脂モールド型の
半導体装置の特にパッシベーション膜の剥がれに起因す
る耐圧劣化や信頼性寿命の低下を防止する技術として、
特開平5−160521号公報や特開平7−147393号公報に記載
された技術がある。これらの技術の前者の技術によれ
ば、端面破壊防止層の放射面側に紫外線を照射し、封止
樹脂層との間に高い密着層を形成することにより、熱サ
イクルにより発生する応力による界面剥離が抑制され、
レーザ光特性の安定した寿命の長い半導体レーザー装置
が実現できるとされている。

【０００７】また、後者の技術によれば、半導体基板周
縁部のベベル領域を、酸エッチングして加工歪みを除去
し、高圧水銀ランプにより紫外線照射し、第１パッシベ
ーション膜となるポリイミド樹脂、さらに樹脂枠を形成
することにより、半導体基板とポリイミド樹脂との接着
強度をポリイミド樹脂と樹脂枠との接着強度より大きく
できるので、樹脂枠に亀裂が入っても、ポリイミド樹脂
に亀裂が伝搬せず、剥離が防止されて耐圧の劣化が生じ
ないとされている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
公昭57−16500号公報，特開昭58−209150 号公報、及び
特開昭58−48955 号公報に記載された従来技術では、ダ
イオードに逆バイアス電圧が印加される阻止状態におい
て、パッシベーション膜中のイオンの電荷による耐圧低
下やリーク電流増大に関する問題については考慮されて
いなかった。

【０００９】さらに、特開平5−160521 号公報に記載さ
れた技術では、端面破壊防止層と封止樹脂層との間に高
い密着層を形成すると、半導体表面と端面破壊防止層と
が逆に剥離してしまい耐圧低下を生じる問題があった。
また、特開平7−147393 号公報に記載された技術では、
半導体表面と第１パッシベーション膜となるポリイミド
樹脂との間に剥離が生じたり、半導体表面に直接形成さ
れるポリイミド樹脂中に存在する正イオンの電荷により
耐圧が低下したり、特に高温でのリーク電流が増大する
問題があった。

【００１０】本発明の目的は、従来の半導体装置及びそ
の製造方法の問題点を解決した高耐圧半導体装置の製造
方法を提供することにある。

【００１１】本発明の目的を具体的に言えば、高い逆方
向電圧が印加された阻止状態でのリーク電流を低減で
き、かつ信頼性及び歩留まりを高くできる高耐圧半導体
装置の製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに本発明は、露出したｐｎ接合表面に波長が１９９ｎ
ｍ以下の遠紫外線である第１紫外線を照射することによ
り第１パッシベーション膜となる二酸化珪素膜を形成
し、前記第１パッシベーション膜に接し第２パッシベー
ション膜を形成し、さらにモールド用樹脂で封止する
か、あるいは前記第１パッシベーション膜に接し前記第
２パッシベーション膜を形成した後さらに波長が２００
ｎｍ以上，４００ｎｍ以下の第２紫外線を照射し、さら
にモールド用樹脂で封止するようにしたものである。

【００１３】また、上記第２パッシベーション膜の材料
をポリイミド樹脂，モールド樹脂の材料をエポキシ系樹
脂となるようにしたものである。

【００１４】さらに、前記第１パッシベーション膜形成
前あるいは前記第２パッシベーション膜形成後に、サブ
アセンブリの半導体装置を移動可能な搬送用ベルト上に
搭載し、搬送用ベルトの上下から前記第１紫外線照射あ
るいは前記第２紫外線照射を実施するようにしたもので
ある。

【００１５】あるいは、進行方向に長い凹部を下部に２
箇所有するホルダーと、この凹部に対向する上部に凹部
を有するホルダーより長いレールと、前記ホルダーと前
記レールとの間に球状のボールが配置された搬送装置の
ホルダー上に、前記上記第１パッシベーション膜形成前
あるいは第２パッシベーション膜形成後のサブアセンブ
リの半導体装置を搭載し、前記ホルダー上下から前記第
１紫外線照射あるいは前記第２紫外線照射を実施するよ
うにしたものである。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて説明する。

【００１７】（実施例１）図１は本発明による高耐圧半
導体装置の製造方法によって製造された高耐圧半導体装
置の第１実施例を示す断面図である。図１の実施例では
高耐圧半導体装置としてダイオードの断面図を示してい
る。ｐ⁺ 型半導体領域２，ｎ型半導体領域１，高不純物
濃度のｎ⁺ 型半導体領域３が隣接して形成され、ｐ⁺ 型
半導体領域２及び高不純物濃度のｎ⁺ 型半導体領域３に
はそれぞれ第１半田１２，１３を介してアノード電極２
２及びカソード電極２３が形成されている。ｐ⁺ 型半導
体領域２，ｎ型半導体領域１，高不純物濃度のｎ⁺ 型半
導体領域３の表面には本発明の高耐圧半導体装置の製造
方法による第１パッシベーション膜である二酸化珪素膜
４が形成され、さらに二酸化珪素膜４及び第１半田１
２，１３を覆うように第２パッシベーション膜５が形成
され、さらに、第２パッシベーション膜５，アノード電
極２２及びカソード電極２３を覆うようにパッケージも
かねたモールド用樹脂６が形成されている。

【００１８】図２は本発明による第１パッシベーション
膜となる二酸化珪素膜４の形成方法の説明図である。図
２において、図１と同符号のものは説明を省略する。８
は本発明に用いる第１紫外線照射用の紫外線照射ランプ
であり、この紫外線照射ランプから放射される紫外線は
波長が２００ｎｍ以下、例えば低圧水銀ランプに含まれ
る１８４.９ｎｍ の遠紫外線の波長を有している。この
波長の遠紫外線を照射することにより、大気中あるいは
酸素雰囲気中の酸素分子を酸化性の強いオゾン７に変え
る。本発明はこの遠紫外線により生成されたオゾン７に
より非常に緻密性の良い第１パッシベーション膜となる
二酸化珪素膜４を形成するものである。通常半導体表面
には自然酸化膜が形成されるが、その自然酸化膜にはナ
トリウムイオン等の〜５×１０¹¹／cm² 程度の正の固定
電荷が存在している。ｐ型半導体領域表面には空乏層が
形成される。空乏層となった半導体表面では特定の表面
再結合速度が大きくなり、ｐｎ接合に逆バイアス電圧を
印加すると、リーク電流増大の最大の原因となる表面発
生電流が流れる。ｎ型半導体領域表面では、これとは逆
に、蓄積層が形成されるためｐｎ接合に逆バイアス電圧
を印加しても、表面では内部より空乏層が拡がらなく電
界集中を生じ、耐圧が低下する。

【００１９】本発明による遠紫外線照射を用いて形成さ
れた二酸化珪素膜４中では正の固定電荷を約１×１０¹¹
／cm² 以下に低減でき、極めて清浄な第１パッシベーシ
ョン膜となっていることが判明した。遠紫外線により半
導体表面に二酸化珪素膜４が形成されると同時に二酸化
珪素膜４中に取り込まれるナトリウムイオンを中性化す
る効果も有しているものと考えられる。このため、ｐ⁺
型半導体領域２の表面には空乏層が形成されにくく、上
記表面発生電流を極めて少なくすることができ、ｎ型半
導体領域１の表面には蓄積層が形成されにくく、ｐｎ接
合に逆バイアス電圧を印加した場合、表面でも内部とほ
ぼ同等の空乏層が拡がるため、耐圧低下の不良を激減さ
せることができた。

【００２０】次に本発明による図１に示した高耐圧半導
体装置の製造方法について図３を用いて述べる。図３に
おいて、図１に示した符号と同一のものは説明を省略す
る。図３（ａ）に示したようにダイオードのサブアセン
ブリを例えばＫＯＨのアルカリ溶液を用いて、表面を数
μｍ程度エッチングして表面層を除去する。その後、純
水洗浄及び純水水切りを実施し、アセトン浸漬，イソプ
ロピルアルコール浸漬あるいはイソプロピルアルコール
蒸気洗浄を実施し、窒素ブローあるいは赤外線照射にて
表面を乾燥させる。続いて、図３（ｂ）に示すように本
発明による第１パッシベーション膜となる二酸化珪素膜
４を紫外線照射ランプ８から放射される波長が１８４.
９ｎｍ の遠紫外線を半導体表面に５〜３０分間照射し
て形成する第１紫外線照射を実施する。次に、図３
（ｃ）に示すように、第２パッシベーション膜となるポ
リイミドシリコーン等のポリイミド樹脂５を塗布し、１
５０〜２５０℃の温度で、窒素雰囲気中で硬化させる。
最後に、図３（ｄ）に示すように、エポキシ系の樹脂６
をトランスファーモールド法により形成し、第２パッシ
ベーション膜の硬化温度より低い温度で、アフターキュ
アを窒素雰囲気中にて実施する。

【００２１】このような本発明による高耐圧半導体装置
の製造方法を用いることにより、第１パッシベーション
膜となる緻密であり膜中にナトリウムイオンの正電荷が
少ない二酸化珪素膜４を形成でき、高耐圧半導体装置の
耐圧をほぼ理想的な値にし、リーク電流も極めて少なく
することができた。さらに、本発明による二酸化珪素膜
４をｐ⁺ 型半導体領域２，ｎ型半導体領域１，高不純物
濃度のｎ⁺ 型半導体領域３表面と第２パッシベーション
膜であるポリイミド樹脂５との間に介在させることによ
り、ポリイミド樹脂５の膜剥がれを皆無にでき信頼性を
著しく向上させることができた。

【００２２】さらに、本発明による図１に示した高耐圧
半導体装置の他の製造方法について図４を用いて述べ
る。図４において、図３に示した符号と同一のものは説
明を省略する。また、図４（ａ）及び（ｂ）は図３に示
したものと同様であるので説明を省略する。次に、図３
(ｃ)に示すように、第２パッシベーション膜となるポリ
イミドシリコーン等のポリイミド樹脂５を塗布し、１５
０〜２５０℃の温度で、窒素雰囲気中で硬化させた後、
紫外線照射ランプ９から放射される波長が２００ｎｍ〜
４００ｎｍの紫外線を半導体表面に５〜３０分間照射し
て第２紫外線照射を実施する。最後に、図３（ｄ）と同
様のエポキシ系の樹脂６をトランスファーモールド法に
より形成し、第２パッシベーション膜の硬化温度より低
い温度で、アフターキュアを窒素雰囲気中にて実施す
る。

【００２３】このように本発明の高耐圧半導体装置の他
の製造方法を用いることにより、第１パッシベーション
膜となる二酸化珪素膜４と第２パッシベーション膜とな
るポリイミド樹脂５との密着性を、第２パッシベーショ
ン膜とポリイミド樹脂５とエポキシ系の樹脂６との密着
性より強くすることができ、一層第１パッシベーション
膜となる二酸化珪素膜４と第２パッシベーション膜とな
るポリイミド樹脂５との間の膜剥がれを防止することが
可能となり、信頼性をさらに著しく向上させることがで
きた。

【００２４】（実施例２）図５は本発明による高耐圧半
導体装置の製造方法を用いて製造された高耐圧半導体装
置の第２実施例を示す断面図である。ｐ⁺ 型半導体領域
２，ｎ型半導体領域１，高不純物濃度のｎ⁺ 型半導体領
域３が隣接してなる半導体ペレット１０を第２半田１５
を介して複数積層して形成し、両端のｐ⁺ 型半導体領域
２及び高不純物濃度のｎ⁺ 型半導体領域３にはそれぞれ
第１半田１２，１３を介してアノード電極２２及びカソ
ード電極２３が形成されている。複数のｐ⁺ 型半導体領
域２，ｎ型半導体領域１，高不純物濃度のｎ⁺ 型半導体
領域３の表面には本発明の高耐圧半導体装置の製造方法
による第１パッシベーション膜である二酸化珪素膜４が
形成され、さらに二酸化珪素膜４及び第１半田１２，１
３を覆うように第２パッシベーション膜５が形成され、
さらに、第２パッシベーション膜５，アノード電極２２
及びカソード電極２３を覆うようにパッケージもかねた
モールド用樹脂６が形成されている。このように、複数
の半導体ペレット１０を使用することにより、図１に示
した第１実施例よりさらに耐圧を高くすることができ
る。

【００２５】図６は本発明の図５に示した第２実施例の
高耐圧半導体装置を製造するための工程ごとに示す断面
図である。図６における基本的な製造工程(ａ)，(ｂ)，
(ｃ)，（ｄ）は図４に示した製造工程（ａ)，(ｂ)，
(ｃ)，(ｄ）と対応しており、ここでは説明を省略する
が、図４の製造方法で得られる高耐圧半導体装置の耐圧
より、半導体ペレット１０が複数直列に接続されている
ので、一層高耐圧が可能となる。なお、必要によっては
図６（ｃ）に示した第２パッシベーション膜となるポリ
イミドシリコーン等のポリイミド樹脂５を塗布し、１５
０〜２５０℃の温度で、窒素雰囲気中で硬化させた後の
紫外線照射ランプ９を用いる第２紫外線照射を省略して
もよい。

【００２６】（実施例３）図７は本発明による高耐圧半
導体装置の製造に用いる紫外線照射装置の第１の概略構
成図を示す。８，９はそれぞれ図３，図４，図６で述べ
た第１紫外線照射及び第２紫外線照射に用いる紫外線ラ
ンプである。ここで、紫外線ランプ８を用いる場合は１
００に示した半導体装置のサブアセンブリは第１パッシ
ベーション膜４が形成されていない図３（ａ），図４
（ａ）あるいは図６（ａ）の断面構造を有しており、紫
外線ランプ９を用いる場合は１００に示した半導体装置
のサブアセンブリは第２パッシベーション膜５が形成さ
れた図３（ｃ），図４（ｃ）あるいは図６（ｃ）の断面
構造を有している。３０はこの半導体装置のサブアセン
ブリ１００を搭載する搬送用ベルトであり、複数のサブ
アセンブリ１００が搬送用ベルト上に搭載されている。
図７が示すように、紫外線照射ランプ８あるいは９から
放射される紫外線を照射している状態で、半導体装置の
サブアセンブリ１００が複数搭載された搬送用ベルトを
右から左に移動させることにより、連続的に紫外線照射
を行うことができ、極めて量産性が優れたものとなる。

【００２７】第１紫外線照射において、波長が１８４.
９ｎｍ の遠紫外線を放射する紫外線ランプ８を用いる
と、１００に示した半導体装置のサブアセンブリのｐ⁺
型半導体領域２，ｎ型半導体領域１，高不純物濃度のｎ
⁺ 型半導体領域３の表面には第１パッシベーション膜４
が形成される。なお、この場合の雰囲気としては大気中
でも酸素中でもよい。

【００２８】また、第２紫外線照射において、波長が２
００〜４００ｎｍの紫外線を放射する紫外線ランプ９を
用いると、第１パッシベーション膜となる二酸化珪素膜
４と第２パッシベーション膜となるポリイミド樹脂５と
の密着性を、第２パッシベーション膜とポリイミド樹脂
５とエポキシ系の樹脂６との密着性より強くすることが
でき、一層第１パッシベーション膜となる二酸化珪素膜
４と第２パッシベーション膜となるポリイミド樹脂５と
の間の膜剥がれを防止することが可能となり、信頼性を
著しく向上させることができる。なお、この場合の雰囲
気としては大気中でも窒素中でもよい。

【００２９】図８は本発明による高耐圧半導体装置の製
造に用いる紫外線照射装置の第２の概略構成図を示す。
８，９はそれぞれ図３，図４，図６で述べた第１紫外線
照射及び第２紫外線照射に用いる紫外線ランプである。
基本的な照射方法は図７に示したものと同じであり詳細
は省略するが、図８では１００に示した半導体装置のサ
ブアセンブリの上方から一回目の紫外線照射を実施し、
その後搬送用ベルト３０を左に移動してから、引き続き
下方から二回目の紫外線照射を実施するところが異な
る。このように、紫外線照射を二回に分けることによ
り、半導体装置のサブアセンブリ１００の照射による温
度上昇を軽減することができる利点がある。

【００３０】図９は本発明による高耐圧半導体装置の製
造に用いる紫外線照射装置の第３の概略構成図を示す。
図９において、図７で示した符号の説明は省略する。図
７では、紫外線照射の量産性を高めるために、搬送用ベ
ルトを用いたが、紫外線照射時に搬送用ベルトが重金属
や有機物等で汚染されることがある。この問題を解決す
るため、図９では搬送用ベルトの代わりに、石英のホル
ダーやレールを用いている。４０は石英で作られたホル
ダーであり、この石英ホルダー上に図７で説明したサブ
アセンブリ１００を複数搭載しておく。サブアセンブリ
１００が搭載された進行方向に長く互いに平行な凹部を
下部に２箇所有する石英ホルダーを、この凹部に対向し
上部に凹部を有する前記ホルダーより長い石英レール５
０上に、球状の石英ボール４５を介して設置し、互いに
対向する固定された２つの紫外線照射装置の紫外線放射
面側の間を前記石英ホルダー４０を通過させることによ
り、第１紫外線照射あるいは第２紫外線照射を実施する
ことができる。２００は紫外線照射装置の外枠であり、
この紫外線照射装置内の雰囲気を種々変えることができ
るようガス導入部６０やガス排気部６１を設けている。
この雰囲気ガスとしては、空気、あるいは酸素や窒素な
どを用いる。複数の石英ホルダー４０を連続的に右から
左へ搬送することにより、効率的に大量のサブアセンブ
リ１００に紫外線照射が可能となり、量産性を著しく高
めることができた。なお、図９では上下から同時に紫外
線照射した例を示したが、本発明はなにも、同時に紫外
線照射しなくても、図８に示したものと同様にまずサブ
アセンブリの上部から紫外線照射した後に、下部から照
射しても構わない。

【００３１】図１０は、図９に示したレールの変形例を
示す。図９では進行方向に長く互いに平行な上部に凹部
を有するレール５０を用いて説明したが、図１０ではボ
ール４５が接触しないように、レール上に前記球状のボ
ールより大きな凹部を形成しておき、このレール状にボ
ール４５を配置すると、ボール４５が回転し進行方向に
移動しなく、ボール間の接触を防止することが可能とな
り、一層円滑にホルダー４０を右から左に移動させるこ
とが可能となり、量産性をより一層高めることができ
た。

【００３２】以上詳述した本発明による高耐圧半導体装
置の製造方法によれば、定格電圧が５〜２２ｋＶ高温バ
イアス試験（印加電圧が定格電圧の８０％，接合温度が
125あるいは１５０℃，試験時間が１０００ｈ）を実施
したが、リーク電流は初期値の１０％増にとどまり、耐
圧の変動も±２％程度に維持でき、高信頼性を示すこと
を確認した。

【００３３】

【発明の効果】このように、本発明による高耐圧半導体
装置の製造方法によれば、高耐圧でリーク電流が少な
い、高耐圧半導体装置が得られ、かつ量産性に優れた製
造方法で実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高耐圧半導体装置の製造方法によって
形成された半導体装置の第１実施例を示す断面図であ
る。

【図２】本発明の高耐圧半導体装置の製造方法によるパ
ッシベーション膜の形成方法の説明図である。

【図３】本発明の高耐圧半導体装置の製造方法による半
導体装置の第１実施例の製造工程ごとの断面図である。

【図４】本発明の高耐圧半導体装置の他の製造方法によ
る半導体装置の第１実施例の製造工程ごとの断面図であ
る。

【図５】本発明の高耐圧半導体装置の製造方法によって
形成された半導体装置の第２実施例を示す断面図であ
る。

【図６】本発明の高耐圧半導体装置の製造方法による半
導体装置の第２実施例の製造工程ごとの断面図である。

【図７】本発明の高耐圧半導体装置の製造方法に使用す
る紫外線照射装置の第１の構成図である。

【図８】本発明の高耐圧半導体装置の製造方法に使用す
る紫外線照射装置の第２の構成図である。

【図９】本発明の高耐圧半導体装置の製造方法に使用す
る紫外線照射装置の第３の構成図である。

【図１０】本発明の高耐圧半導体装置の製造方法に使用
するレールの変形例を示す図である。

【符号の説明】

１…ｎ型半導体領域、２…ｐ⁺ 型半導体領域、３…ｎ⁺
型半導体領域、４…第１パッシベーション膜、５…第２
パッシベーション膜、６…樹脂、７…オゾン、８，９…
紫外線照射ランプ、１０…ダイオードペレット、１２，
１３…第１半田、１５…第２半田、２２…アノード電
極、２３…カソード電極、３０…搬送用ベルト、４０…
ホルダー、４５…ボール、５０，５１…搬送用レール、
６０…ガス導入部、６１…ガス排気部、１００…半導体
装置のサブアセンブリ、２００…紫外線照射装置の外
枠。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｃ 23/31 29/91 Ｂ (72)発明者 高橋 菊生 茨城県日立市弁天町三丁目10番２号 日 立原町電子工業株式会社内 (72)発明者 ▲吉▼野 勝信 茨城県日立市弁天町三丁目10番２号 日 立原町電子工業株式会社内 審査官 田中 永一 (56)参考文献 特開 平９−213706（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−103125（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−219755（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−82634（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−318236（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 23/312 H01L 23/314 H01L 21/316 H01L 21/318 H01L 21/31 H01L 21/329 H01L 21/68 H01L 23/29

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】露出したｐｎ接合表面に大気中あるいは酸
   素雰囲気中で第１紫外線を照射して第１パッシベーショ
   ン膜となる二酸化珪素膜を前記ｐｎ接合面に形成する工
   程と、前記第１パッシベーション膜に接していて第２パ
   ッシベーション膜となる樹脂層を形成した後で、該樹脂
   層に前記第１紫外線より長い波長の第２紫外線を照射し
   て前記樹脂層を硬化する工程と、該樹脂層を硬化した後
   でモールド用樹脂で封止する工程とを有することを特徴
   とする高耐圧半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】請求項１に記載の高耐圧半導体装置の製造
   方法において、 露出したｐｎ接合を有し、前記第１パッシベーション膜
   及び前記第２パッシベーション膜が形成されていない半
   導体装置の第１サブアセンブリ、あるいは露出したｐｎ
   接合に前記第１紫外線を照射して形成された前記第１パ
   ッシベーション膜及び前記第２パッシベーション膜が形
   成された半導体装置の第２サブアセンブリを移動可能な
   搬送用ベルト上に搭載し、互いに対向する２つの固定さ
   れた紫外線照射装置の紫外線放射面側の間を前記移動可
   能な搬送用ベルトが通過することにより、前記第１紫外
   線照射あるいは前記第２紫外線照射を行うことを特徴と
   する高耐圧半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】請求項１に記載の高耐圧半導体装置の製造
   方法において、 露出したｐｎ接合を有し、前記第１パッシベーション膜
   及び前記第２パッシベーション膜が形成されていない半
   導体装置の第１サブアセンブリ、あるいは露出したｐｎ
   接合に前記第１紫外線を照射して形成された前記第１パ
   ッシベーション膜及び前記第２パッシベーション膜が形
   成された半導体装置の第２サブアセンブリを移動可能な
   搬送用ベルト上に搭載し、搬送用ベルト上に任意の間隔
   を有して固定された一方の紫外線照射装置の紫外線放射
   面側の下を前記搬送用ベルトを通過させ、さらに搬送用
   ベルト下に任意の間隔を有して固定されたもう一方の紫
   外線照射装置の紫外線放射面側の上を前記搬送用ベルト
   が通過させることにより、前記第１紫外線照射あるいは
   前記第２紫外線照射を行うことを特徴とする高耐圧半導
   体装置の製造方法。
4. 【請求項４】請求項１に記載の高耐圧半導体装置の製造
   方法において、 進行方向に長く互いに平行な凹部を下部に２箇所有する
   ホルダーと、この凹部に対向し上部に凹部を有する前記
   ホルダーより長いレールと、前記ホルダーと前記レール
   とが球状のボールで接している搬送装置のホルダー上
   に、露出したｐｎ接合を有し、前記第１パッシベーショ
   ン膜及び前記第２パッシベーション膜が形成されていな
   い半導体装置の第１サブアセンブリの複数、あるいは露
   出したｐｎ接合に前記第１紫外線を照射して形成された
   前記第１パッシベーション膜及び前記第２パッシベーシ
   ョン膜が形成された半導体装置の第２サブアセンブリの
   複数を搭載し、互いに対向する固定された２つの紫外線
   照射装置の紫外線放射面側の間を前記ホルダーを通過さ
   せて、前記第１紫外線照射あるいは前記第２紫外線照射
   を行うことを特徴とする高耐圧半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】請求項１に記載の高耐圧半導体装置の製造
   方法において、 進行方向に長く互いに平行な凹部を下部に２箇所有する
   ホルダーと、この凹部に対向し上部に凹部を有する前記
   ホルダーより長いレールと、前記ホルダーと前記レール
   とが球状のボールで接する搬送装置のホルダー上に、露
   出したｐｎ接合を有し、前記第１パッシベーション膜及
   び前記第２パッシベーション膜が形成されていない半導
   体装置の第１サブアセンブリの複数、あるいは露出した
   ｐｎ接合に前記第１紫外線を照射して形成された前記第
   １パッシベーション膜及び前記第２パッシベーション膜
   が形成された半導体装置の第２サブアセンブリの複数を
   搭載し、任意の間隔を有して固定された紫外線照射装置
   の紫外線放射面側の下を前記ホルダーを通過させ、さら
   にホルダー下方に任意の間隔を有して固定された紫外線
   照射装置の紫外線放射面側の上方にホルダーを通過させ
   て、前記第１紫外線照射あるいは前記第２紫外線照射を
   行うことを特徴とする高耐圧半導体装置の製造方法。