JP3331756B2 - 配線形成法 - Google Patents
配線形成法Info
- Publication number
- JP3331756B2 JP3331756B2 JP16740994A JP16740994A JP3331756B2 JP 3331756 B2 JP3331756 B2 JP 3331756B2 JP 16740994 A JP16740994 A JP 16740994A JP 16740994 A JP16740994 A JP 16740994A JP 3331756 B2 JP3331756 B2 JP 3331756B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- connection hole
- wiring
- layer
- forming
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910017758 Cu-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017931 Cu—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、微細な接続孔に配線
材を埋め込む工程を含む配線形成法に関し、特に接続孔
を開口部で外方にいくにつれて直径が増大するように形
成することにより配線材のカバレッジ性（被覆性）を改
善すると共にリフロー温度の低下を可能にしたものであ
る。
材を埋め込む工程を含む配線形成法に関し、特に接続孔
を開口部で外方にいくにつれて直径が増大するように形
成することにより配線材のカバレッジ性（被覆性）を改
善すると共にリフロー温度の低下を可能にしたものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ等の配線形成法としては、
図９〜１１に示すものが知られている。
図９〜１１に示すものが知られている。
【０００３】図９の方法では、半導体基板１０の表面を
覆う絶縁膜２に接続孔２ａを形成した後、基板上面に接
続孔２ａを覆ってスパッタ法でＡｌ合金からなる配線材
層３を形成し、この後配線材層３をパターニングして配
線層を得る。
覆う絶縁膜２に接続孔２ａを形成した後、基板上面に接
続孔２ａを覆ってスパッタ法でＡｌ合金からなる配線材
層３を形成し、この後配線材層３をパターニングして配
線層を得る。
【０００４】図１０の方法では、絶縁膜２にテーパ部Ｔ
Ｐを有する接続孔２ａを形成した後、スパッタ法でＡｌ
合金からなる配線材層３を形成し、この後配線材層３を
パターニングして配線層を得る。テーパ部ＴＰは、接続
孔２ａの開口部で外方にいくにつれて接続孔２ａの直径
を増大させるように形成する。
Ｐを有する接続孔２ａを形成した後、スパッタ法でＡｌ
合金からなる配線材層３を形成し、この後配線材層３を
パターニングして配線層を得る。テーパ部ＴＰは、接続
孔２ａの開口部で外方にいくにつれて接続孔２ａの直径
を増大させるように形成する。
【０００５】図１１の方法では、絶縁膜２に接続孔２ａ
を形成した後、スパッタ法でＡｌ合金からなる配線材層
３を形成する。配線材層３の形成中又は形成後に基板１
を加熱して配線材層３を流動化させ、接続孔２ａに流し
込む。この後、配線材層３をパターニングして配線層を
得る。図１１の方法は、いわゆるＡｌリフロー法として
知られたものである。
を形成した後、スパッタ法でＡｌ合金からなる配線材層
３を形成する。配線材層３の形成中又は形成後に基板１
を加熱して配線材層３を流動化させ、接続孔２ａに流し
込む。この後、配線材層３をパターニングして配線層を
得る。図１１の方法は、いわゆるＡｌリフロー法として
知られたものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図９の方法によると、
カバレッジ不良が発生し、特に矢印Ｐ1 で示す部分で断
線が生じやすかった。
カバレッジ不良が発生し、特に矢印Ｐ1 で示す部分で断
線が生じやすかった。
【０００７】また、図１０の方法によると、矢印Ｐ2 で
示す部分でカバレッジ性が不十分であった。
示す部分でカバレッジ性が不十分であった。
【０００８】さらに、図１１の方法によると、５５０℃
程度の高温加熱のため膜質が良好でなかった。また、矢
印Ｐ3 で示す部分でカバレッジ性が不十分であった。
程度の高温加熱のため膜質が良好でなかった。また、矢
印Ｐ3 で示す部分でカバレッジ性が不十分であった。
【０００９】この発明の目的は、図１１に示したような
リフロー形式の配線形成法において、カバレッジ性を改
善すると共にリフロー温度の低下を可能にすることにあ
る。
リフロー形式の配線形成法において、カバレッジ性を改
善すると共にリフロー温度の低下を可能にすることにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る配線形成
法は、基板の表面を覆う絶縁膜に被接続部に対応する接
続孔を形成する工程であって、該接続孔を開口部で外方
にいくにつれて直径が増大するように且つ開口端の直径
が底の直径の１．５倍以上になるように形成するもの
と、 前記絶縁膜の上に前記接続孔を覆ってＡｌ又はＡｌ
合金層を形成する工程であって、該Ａｌ又はＡｌ合金層
の厚さを前記絶縁膜の平坦部で前記接続孔の深さの０．
４倍以上になるように形成すると共に前記Ａｌ又はＡｌ
合金層を４５０℃以下の温度の熱処理で流動化させて前
記接続孔に埋め込むものと、 前記Ａｌ又はＡｌ合金層を
パターニングして前記被接続部につながる配線層を形成
する工程とを含むものである。
法は、基板の表面を覆う絶縁膜に被接続部に対応する接
続孔を形成する工程であって、該接続孔を開口部で外方
にいくにつれて直径が増大するように且つ開口端の直径
が底の直径の１．５倍以上になるように形成するもの
と、 前記絶縁膜の上に前記接続孔を覆ってＡｌ又はＡｌ
合金層を形成する工程であって、該Ａｌ又はＡｌ合金層
の厚さを前記絶縁膜の平坦部で前記接続孔の深さの０．
４倍以上になるように形成すると共に前記Ａｌ又はＡｌ
合金層を４５０℃以下の温度の熱処理で流動化させて前
記接続孔に埋め込むものと、 前記Ａｌ又はＡｌ合金層を
パターニングして前記被接続部につながる配線層を形成
する工程とを含むものである。
【００１１】
【作用】この発明の配線形成法によると、接続孔をテー
パ化したので、比較的低温であっても配線材層の流動が
スムーズに行なわれるようになり、カバレッジ性が改善
される。また、リフロー温度が低いため、膜質も良好で
ある。その上、接続孔の開口端の直径及びＡｌ又はＡｌ
合金層の厚さを上記したように定めたので、５００℃よ
り低いリフロー温度で実用上十分なカバレッジ性が得ら
れると共に、上記したようにリフロー温度を４５０℃以
下にしたので、エレクトロマイグレーション耐性や表面
モフォロジーが良好となる。
パ化したので、比較的低温であっても配線材層の流動が
スムーズに行なわれるようになり、カバレッジ性が改善
される。また、リフロー温度が低いため、膜質も良好で
ある。その上、接続孔の開口端の直径及びＡｌ又はＡｌ
合金層の厚さを上記したように定めたので、５００℃よ
り低いリフロー温度で実用上十分なカバレッジ性が得ら
れると共に、上記したようにリフロー温度を４５０℃以
下にしたので、エレクトロマイグレーション耐性や表面
モフォロジーが良好となる。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【実施例】図１〜４は、この発明の一実施例に係る配線
形成法を示すもので、各々の図に対応する工程（１）〜
（４）を順次に説明する。
形成法を示すもので、各々の図に対応する工程（１）〜
（４）を順次に説明する。
【００１５】（１）例えばシリコンからなる半導体基板
１０の表面を覆うシリコンオキサイド等の絶縁膜１２に
レジスト層１４をマスクとする選択的ドライエッチング
処理を施すことによりテーパ部ＴＰを有する接続孔１２
ａを形成する。
１０の表面を覆うシリコンオキサイド等の絶縁膜１２に
レジスト層１４をマスクとする選択的ドライエッチング
処理を施すことによりテーパ部ＴＰを有する接続孔１２
ａを形成する。
【００１６】接続孔１２ａは、基板表面の不純物ドープ
領域等の被接続部に対応したもので、開口端の直径が底
の直径の１．５倍以上（好ましくは２倍以上）になるよ
うに形成する。テーパ部ＴＰは、接続孔１２ａの開口部
で外方にいくにつれて接続孔１２ａの直径が増大するよ
うに形成し、例えばレジスト層１４の下にアンダーカッ
トが生ずるような条件でドライエッチングを行なった後
アンダーカットが生じないような条件でドライエッチン
グを行なうことにより形成する。別の方法としては、レ
ジスト層１４の端縁の後退を利用してテーパ部ＴＰを形
成してもよい。
領域等の被接続部に対応したもので、開口端の直径が底
の直径の１．５倍以上（好ましくは２倍以上）になるよ
うに形成する。テーパ部ＴＰは、接続孔１２ａの開口部
で外方にいくにつれて接続孔１２ａの直径が増大するよ
うに形成し、例えばレジスト層１４の下にアンダーカッ
トが生ずるような条件でドライエッチングを行なった後
アンダーカットが生じないような条件でドライエッチン
グを行なうことにより形成する。別の方法としては、レ
ジスト層１４の端縁の後退を利用してテーパ部ＴＰを形
成してもよい。
【００１７】テーパ部ＴＰの形成方法としては、図５又
は図６の方法を用いてもよい。図５の方法は、選択的な
ウェットエッチング処理で比較的浅く大きい凹部を形成
した後、該凹部の中に比較的深く小さい接続孔１２ａを
形成するものである。また、図６の方法は、ＢＰＳＧ
（ボロン・リンケイ酸ガラス）からなる絶縁膜１２に接
続孔１２ａを形成した後、熱処理（リフロー処理）によ
り絶縁膜１２を流動化させ、接続孔１２ａの直径を外方
にいくにつれて徐々に増大させるようにするものであ
る。
は図６の方法を用いてもよい。図５の方法は、選択的な
ウェットエッチング処理で比較的浅く大きい凹部を形成
した後、該凹部の中に比較的深く小さい接続孔１２ａを
形成するものである。また、図６の方法は、ＢＰＳＧ
（ボロン・リンケイ酸ガラス）からなる絶縁膜１２に接
続孔１２ａを形成した後、熱処理（リフロー処理）によ
り絶縁膜１２を流動化させ、接続孔１２ａの直径を外方
にいくにつれて徐々に増大させるようにするものであ
る。
【００１８】（２）絶縁膜１２の上に接続孔１２ａを覆
ってバリア層１６を形成する。バリア層１６としては、
ＴｉＮ層、ＴｉＮ／Ｔｉ積層（Ｔｉ上にＴｉＮを積層し
たもの）、ＷＳｉ層等のうち任意のものを用いることが
できる。
ってバリア層１６を形成する。バリア層１６としては、
ＴｉＮ層、ＴｉＮ／Ｔｉ積層（Ｔｉ上にＴｉＮを積層し
たもの）、ＷＳｉ層等のうち任意のものを用いることが
できる。
【００１９】（３）次に、スパッタ法により基板上面に
Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金等のＡｌ合金からなる配線材層１
８を形成する。配線材層１８の厚さは、接続孔１２ａの
深さの０．４倍以上（好ましくは０．５倍以上）にす
る。スパッタ処理中又はスパッタ処理後に基板１０を加
熱することにより配線材層１８を流動化させ、接続孔１
２ａに流し込む。
Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金等のＡｌ合金からなる配線材層１
８を形成する。配線材層１８の厚さは、接続孔１２ａの
深さの０．４倍以上（好ましくは０．５倍以上）にす
る。スパッタ処理中又はスパッタ処理後に基板１０を加
熱することにより配線材層１８を流動化させ、接続孔１
２ａに流し込む。
【００２０】このときの熱処理の温度（リフロー温度）
は、接続孔１２ａの埋込量やテーパ量に依存する。接続
孔１２ａの埋込量は、図７に示すように絶縁膜１２の平
坦部における配線材層１８の厚さＴ1 に対して接続孔１
２ａの底上での配線材層１８の厚さＴ2 が占める割合
［（Ｔ2 ／Ｔ1 ）×１００］で表わされる。図８に示す
リフロー温度は、接続孔１２ａの埋込量が７５％以上に
なる温度である。また、接続孔１２ａのテーパ量は、図
７に示すように接続孔１２ａの開口端の直径（テーパ部
ＴＰの最大直径）ａに対する接続孔１２ａの底の直径ｂ
の比（ａ／ｂ）で表わされ、図７には、テーパ量ａ／ｂ
が１，２，３の場合が示されている。
は、接続孔１２ａの埋込量やテーパ量に依存する。接続
孔１２ａの埋込量は、図７に示すように絶縁膜１２の平
坦部における配線材層１８の厚さＴ1 に対して接続孔１
２ａの底上での配線材層１８の厚さＴ2 が占める割合
［（Ｔ2 ／Ｔ1 ）×１００］で表わされる。図８に示す
リフロー温度は、接続孔１２ａの埋込量が７５％以上に
なる温度である。また、接続孔１２ａのテーパ量は、図
７に示すように接続孔１２ａの開口端の直径（テーパ部
ＴＰの最大直径）ａに対する接続孔１２ａの底の直径ｂ
の比（ａ／ｂ）で表わされ、図７には、テーパ量ａ／ｂ
が１，２，３の場合が示されている。
【００２１】図８は、リフロー温度のテーパ量依存性を
示すもので、これによると、テーパ量が１から２又は３
と大きくなるにつれてリフロー温度が５００℃以下又は
４００℃以下に低下しているのがわかる。
示すもので、これによると、テーパ量が１から２又は３
と大きくなるにつれてリフロー温度が５００℃以下又は
４００℃以下に低下しているのがわかる。
【００２２】一方、配線材層１８についてエレクトロマ
イグレーション耐性や表面モフォロジーを良好にするに
は、リフロー温度（基板１０の加熱温度）を４５０℃以
下（好ましくは４２５℃以下）にする必要がある。
イグレーション耐性や表面モフォロジーを良好にするに
は、リフロー温度（基板１０の加熱温度）を４５０℃以
下（好ましくは４２５℃以下）にする必要がある。
【００２３】従って、接続孔１２ａの埋込量が７５％程
度の実用上十分なカバレッジを得ると共にエレクトロマ
イグレーション耐性や表面モフォロジーを良好にするた
めには、テーパ量を１．５以上（好ましくは２以上）と
し、Ａｌ合金からなる配線材層１８の厚さを接続孔１２
ａの深さの０．４倍以上（好ましくは０．５倍以上）と
し、リフロー温度を４５０℃以下（好ましくは４２５℃
以下）とすればよい。
度の実用上十分なカバレッジを得ると共にエレクトロマ
イグレーション耐性や表面モフォロジーを良好にするた
めには、テーパ量を１．５以上（好ましくは２以上）と
し、Ａｌ合金からなる配線材層１８の厚さを接続孔１２
ａの深さの０．４倍以上（好ましくは０．５倍以上）と
し、リフロー温度を４５０℃以下（好ましくは４２５℃
以下）とすればよい。
【００２４】なお、上記実施例において、配線材層１８
は、Ａｌ層としてもよい。また、この発明は、多層配線
形成において層間接続孔を配線材で埋める場合にも適用
することができる。
は、Ａｌ層としてもよい。また、この発明は、多層配線
形成において層間接続孔を配線材で埋める場合にも適用
することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、接続
孔をテーパ化した上で配線材のリフロー処理を行なうよ
うにしたので、次のような優れた効果が得られる。
孔をテーパ化した上で配線材のリフロー処理を行なうよ
うにしたので、次のような優れた効果が得られる。
【００２６】（１）微細な接続孔であっても十分なカバ
レッジ性が得られる。
レッジ性が得られる。
【００２７】（２）リフロー温度が低いため、配線材層
にガスが混入したり、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金からなる配
線材層にＣｕ，Ｓｉの偏析が生じたりすることがない。
従って、配線パターニングの際にエッチング特性が良好
で、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイ
グレーション耐性も優れている。
にガスが混入したり、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金からなる配
線材層にＣｕ，Ｓｉの偏析が生じたりすることがない。
従って、配線パターニングの際にエッチング特性が良好
で、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイ
グレーション耐性も優れている。
【００２８】（３）リフロー温度が低いため、配線材層
の表面モフォロジーが良好で、配線パターニングの際の
ホトリソグラフィ工程において高精度の処理ができる。
の表面モフォロジーが良好で、配線パターニングの際の
ホトリソグラフィ工程において高精度の処理ができる。
【００２９】（４）リフロー温度が低いため、多層配線
形成において層間接続孔への適用が容易となる。
形成において層間接続孔への適用が容易となる。
【図１】 この発明の一実施例に係る配線形成法におけ
る接続孔形成工程を示す基板断面図である。
る接続孔形成工程を示す基板断面図である。
【図２】 図１の工程に続くバリア層形成工程を示す基
板断面図である。
板断面図である。
【図３】 図２の工程に続く配線材層形成工程を示す基
板断面図である。
板断面図である。
【図４】 図３の工程に続く配線パターニング工程を示
す基板断面図である。
す基板断面図である。
【図５】 接続孔形成工程の他の例を示す基板断面図で
ある。
ある。
【図６】 接続孔形成工程の更に他の例を示す基板断面
図である。
図である。
【図７】 テーパ量の異なる接続孔を示す断面図であ
る。
る。
【図８】 テーパ量とリフロー温度との関係を示すグラ
フである。
フである。
【図９】 従来の配線構造の一例を示す基板断面図であ
る。
る。
【図１０】 従来の配線構造の他の例を示す基板断面図
である。
である。
【図１１】 従来の配線構造の更に他の例を示す基板断
面図である。
面図である。
１０：半導体基板、１２：絶縁膜、１４：レジスト層、
１６：バリア層、１８：配線材層、２０：配線層、Ｔ
Ｐ：テーパ部。
１６：バリア層、１８：配線材層、２０：配線層、Ｔ
Ｐ：テーパ部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/43 H01L 29/47 H01L 29/872 H01L 21/3205 H01L 21/321 H01L 21/768 H01L 21/3213
Claims (1)
- 【請求項１】基板の表面を覆う絶縁膜に被接続部に対応
する接続孔を形成する工程であって、該接続孔を開口部
で外方にいくにつれて直径が増大するように且つ開口端
の直径が底の直径の１．５倍以上になるように形成する
ものと、 前記絶縁膜の上に前記接続孔を覆ってＡｌ又はＡｌ合金
層を形成する工程であって、該Ａｌ又はＡｌ合金層の厚
さを前記絶縁膜の平坦部で前記接続孔の深さの０．４倍
以上になるように形成すると共に前記Ａｌ又はＡｌ合金
層を４５０℃以下の温度の熱処理で流動化させて前記接
続孔に埋め込むものと、 前記Ａｌ又はＡｌ合金層 をパターニングして前記被接続
部につながる配線層を形成する工程とを含む配線形成
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16740994A JP3331756B2 (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 配線形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16740994A JP3331756B2 (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 配線形成法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002161176A Division JP2003017566A (ja) | 2002-06-03 | 2002-06-03 | 配線形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817829A JPH0817829A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3331756B2 true JP3331756B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=15849165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16740994A Expired - Fee Related JP3331756B2 (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 配線形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3331756B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016012740A (ja) * | 2015-10-13 | 2016-01-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP6264586B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2018-01-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
1994
- 1994-06-27 JP JP16740994A patent/JP3331756B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0817829A (ja) | 1996-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08191104A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JP3382357B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH04346224A (ja) | バリヤメタル構造の形成方法 | |
| EP0406025B1 (en) | Method for fabricating a semiconductor device in which an insulating layer thereof has a uniform thickness | |
| JPS5893255A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3713869B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2770945B2 (ja) | タングステン被覆法 | |
| JP3331756B2 (ja) | 配線形成法 | |
| US7294570B2 (en) | Contact integration method | |
| JP2808616B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2560626B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100242434B1 (ko) | 반도체 장치의 콘택 형성방법 | |
| JPH0823028A (ja) | 多層配線を有する半導体素子及びその製造方法 | |
| JPS6360539B2 (ja) | ||
| JPH04355951A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3340578B2 (ja) | 半導体装置の多層配線及びその製造方法 | |
| JP3301466B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2805840B2 (ja) | 半導体装置及びその多層配線形成方法 | |
| JP3413697B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JP2003017566A (ja) | 配線形成法 | |
| JP2925094B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07283318A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3246035B2 (ja) | 金属膜の形成方法 | |
| JPH0613339A (ja) | 配線の構造およびその製造方法 | |
| JPH07245346A (ja) | 配線形成法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090726 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090726 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100726 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100726 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110726 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110726 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120726 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130726 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |