JP3328055B2 - 積層薄膜コンデンサの製造方法 - Google Patents
積層薄膜コンデンサの製造方法Info
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- JP3328055B2 JP3328055B2 JP05424794A JP5424794A JP3328055B2 JP 3328055 B2 JP3328055 B2 JP 3328055B2 JP 05424794 A JP05424794 A JP 05424794A JP 5424794 A JP5424794 A JP 5424794A JP 3328055 B2 JP3328055 B2 JP 3328055B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層薄膜コンデンサの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にペロブスカイト型結晶構造のチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）は誘電特性に優れ、比抵
抗も高いことからコンデンサ材料として広く利用されて
いる。このＢａＴｉＯ3 は、分極軸であるｃ軸方向の比
誘電率よりもａ軸方向の比誘電率の方が大きいという特
徴を持っているため、電極表面に対して垂直方向にａ軸
方向、すなわち（１００）面に優先配向すれば、誘電特
性の良好なコンデンサを作ることができる。また、ペロ
ブスカイト型結晶構造のチタン酸ストロンチウム（Ｓｒ
ＴｉＯ3 ）は、約１１０Ｋ以上の温度のにおいては立方
晶であり、かつ常誘電体である。ＳｒＴｉＯ3 を主成分
としたセラミックスは、同じ結晶構造のＢａＴｉＯ3 系
に比べて比誘電率は低いが、温度特性がよく誘電損失も
少ないといった特徴を有する。また、このＳｒＴｉＯ3
にバリウムなどのシフタを加えてキュリー点をシフトさ
せることにより、常温において常誘電性で高比誘電率の
セラミックスが得られる。このセラミックスは、高周
波、高電圧用コンデンサとして幅広く利用されている。
また、代表的な緩和型強誘電体の一つであるＰｂ（Ｍｇ
1/3 ，Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 と、ＢａＴｉＯ3 やＳｒＴｉＯ3
と同様のペロブスカイト型結晶構造のチタン酸鉛（Ｐｂ
ＴｉＯ3 ）の複合材料であるＰｂ｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ
2/3 ）1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の複合ペロブスカイト構造化合
物は、ＢａＴｉＯ3系強誘電体に比べて、大きな比誘電
率と良好な直流バイアス特性を有する。そのため、この
複合ペロブスカイト構造化合物は、小型大容量積層コン
デンサ等に応用されている。
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）は誘電特性に優れ、比抵
抗も高いことからコンデンサ材料として広く利用されて
いる。このＢａＴｉＯ3 は、分極軸であるｃ軸方向の比
誘電率よりもａ軸方向の比誘電率の方が大きいという特
徴を持っているため、電極表面に対して垂直方向にａ軸
方向、すなわち（１００）面に優先配向すれば、誘電特
性の良好なコンデンサを作ることができる。また、ペロ
ブスカイト型結晶構造のチタン酸ストロンチウム（Ｓｒ
ＴｉＯ3 ）は、約１１０Ｋ以上の温度のにおいては立方
晶であり、かつ常誘電体である。ＳｒＴｉＯ3 を主成分
としたセラミックスは、同じ結晶構造のＢａＴｉＯ3 系
に比べて比誘電率は低いが、温度特性がよく誘電損失も
少ないといった特徴を有する。また、このＳｒＴｉＯ3
にバリウムなどのシフタを加えてキュリー点をシフトさ
せることにより、常温において常誘電性で高比誘電率の
セラミックスが得られる。このセラミックスは、高周
波、高電圧用コンデンサとして幅広く利用されている。
また、代表的な緩和型強誘電体の一つであるＰｂ（Ｍｇ
1/3 ，Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 と、ＢａＴｉＯ3 やＳｒＴｉＯ3
と同様のペロブスカイト型結晶構造のチタン酸鉛（Ｐｂ
ＴｉＯ3 ）の複合材料であるＰｂ｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ
2/3 ）1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の複合ペロブスカイト構造化合
物は、ＢａＴｉＯ3系強誘電体に比べて、大きな比誘電
率と良好な直流バイアス特性を有する。そのため、この
複合ペロブスカイト構造化合物は、小型大容量積層コン
デンサ等に応用されている。
【０００３】一方、電子機器の小型化、高密度実装化に
対応するため、チップコンデンサの小型化、大容量化が
進んでいる。大容量化を達成するには、比誘電率の大き
い誘電体材料を用いることや、誘電体層を薄くして積層
数を増加する方法がある。たとえば、エレクトロニク・
セラミック誌１０３号（１９９０年）第５７頁から第６
１頁に積層セラミックコンデンサの製造方法が発表され
ている。この文献での積層セラミックコンデンサの製造
における誘電体層と金属電極層の積層方法は以下の通り
である。ＢａＴｉＯ3 等の誘電体材料の粉末を配合、混
合し、乾燥させる。これをスラリ調合して、薄膜状のシ
ートに成形する。このシートにパラジウム等の内部電極
ペーストを印刷し、シートを積み重ねる。この操作を所
定の回数繰り返して、内部電極とシートを順次積み重
ね、積層する。その後、これを目的の大きさに切断し、
セラミックと金属の同時焼成を行うといったものであ
る。
対応するため、チップコンデンサの小型化、大容量化が
進んでいる。大容量化を達成するには、比誘電率の大き
い誘電体材料を用いることや、誘電体層を薄くして積層
数を増加する方法がある。たとえば、エレクトロニク・
セラミック誌１０３号（１９９０年）第５７頁から第６
１頁に積層セラミックコンデンサの製造方法が発表され
ている。この文献での積層セラミックコンデンサの製造
における誘電体層と金属電極層の積層方法は以下の通り
である。ＢａＴｉＯ3 等の誘電体材料の粉末を配合、混
合し、乾燥させる。これをスラリ調合して、薄膜状のシ
ートに成形する。このシートにパラジウム等の内部電極
ペーストを印刷し、シートを積み重ねる。この操作を所
定の回数繰り返して、内部電極とシートを順次積み重
ね、積層する。その後、これを目的の大きさに切断し、
セラミックと金属の同時焼成を行うといったものであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記積
層方法では、誘電体層の薄膜化に限界があった。すなわ
ち、誘電体層の出発原料である誘電体材料の粉末は、粒
径が１μｍ程度であるため、これをスラリ調合し、シー
ト状に成形して焼成し、誘電体層を３μｍ以下に薄くし
ようとすると、膜厚の均一性や電極間の絶縁性に問題が
発生した。したがって、大容量のチップコンデンサを作
ろうとすると、積層数を増加する必要があった。しかし
ながら、積層数を増加しようとすると、チップのサイズ
が大きくなり、また工程数が増加するため、信頼性等に
問題があった。さらに、積層後に焼成過程が必要で、そ
の焼成温度が誘電体材料によっては約１２００℃と高い
ため、電極が白金などの材料に限定される。そのため、
特性の良い積層コンデンサを低温で得る製造方法を見出
すことが求められていた。
層方法では、誘電体層の薄膜化に限界があった。すなわ
ち、誘電体層の出発原料である誘電体材料の粉末は、粒
径が１μｍ程度であるため、これをスラリ調合し、シー
ト状に成形して焼成し、誘電体層を３μｍ以下に薄くし
ようとすると、膜厚の均一性や電極間の絶縁性に問題が
発生した。したがって、大容量のチップコンデンサを作
ろうとすると、積層数を増加する必要があった。しかし
ながら、積層数を増加しようとすると、チップのサイズ
が大きくなり、また工程数が増加するため、信頼性等に
問題があった。さらに、積層後に焼成過程が必要で、そ
の焼成温度が誘電体材料によっては約１２００℃と高い
ため、電極が白金などの材料に限定される。そのため、
特性の良い積層コンデンサを低温で得る製造方法を見出
すことが求められていた。
【０００５】本発明は上記の問題点を解決するもので、
特性の良い積層薄膜コンデンサの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
特性の良い積層薄膜コンデンサの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、まず基板上に金属電極薄膜層を真空蒸着法
またはスパッタリング法によってパターン形成する。そ
の上に誘電体薄膜層として、（１００）面に優先配向し
たＢａＴｉＯ3 やＳｒＴｉＯ3 または（Ｂａ1- X ，Ｓｒ
X ）ＴｉＯ3 のペロブスカイト型酸化物薄膜や、Ｐｂ
｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ2/3 ）1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の複合ペロ
ブスカイト型化合物薄膜を、プラズマの活性さとＣＶＤ
反応を利用したプラズマＣＶＤ法によって０．０５〜３
μｍの膜厚で成膜する。この操作を繰り返して、基板上
に金属電極薄膜層と誘電体薄膜層を積層する。これを所
定の大きさに切断し、その切断面に外部電極を真空蒸着
法またはスパッタリング法またはめっき法または塗布焼
付け法によって形成する。このようにして、積層薄膜コ
ンデンサを製造するものである。
に本発明は、まず基板上に金属電極薄膜層を真空蒸着法
またはスパッタリング法によってパターン形成する。そ
の上に誘電体薄膜層として、（１００）面に優先配向し
たＢａＴｉＯ3 やＳｒＴｉＯ3 または（Ｂａ1- X ，Ｓｒ
X ）ＴｉＯ3 のペロブスカイト型酸化物薄膜や、Ｐｂ
｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ2/3 ）1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の複合ペロ
ブスカイト型化合物薄膜を、プラズマの活性さとＣＶＤ
反応を利用したプラズマＣＶＤ法によって０．０５〜３
μｍの膜厚で成膜する。この操作を繰り返して、基板上
に金属電極薄膜層と誘電体薄膜層を積層する。これを所
定の大きさに切断し、その切断面に外部電極を真空蒸着
法またはスパッタリング法またはめっき法または塗布焼
付け法によって形成する。このようにして、積層薄膜コ
ンデンサを製造するものである。
【０００７】
【作用】上記のように、誘電体薄膜層の成膜にプラズマ
ＣＶＤ法を用いることにより、金属電極薄膜層上に、膜
厚０．０５〜３μｍの、緻密で、誘電特性の良好な、ａ
軸に優先配向した（Ｂａ1-X ，ＳｒX ）ＴｉＯ3 や、Ｐ
ｂ｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ2/ 3 ）1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の薄膜
が、バルクの焼成温度や、他の薄膜形成方法（真空蒸着
法、スパッタリング法、熱ＣＶＤ法）よりも低い温度で
得られる。また、金属電極薄膜層の成膜に真空蒸着法ま
たはスパッタリング法などの薄膜製造法を用いることに
より、膜厚０．０１〜０．２μｍの緻密な金属電極薄膜
層が得られる。したがって、従来の積層セラミックコン
デンサでのスラリ状のものを積み重ねて焼成する方法よ
りも薄くできるため、誘電体薄膜層１層あたりの容量を
大きくすることができる。また、同じチップ厚みでも積
層数を増やすことができる。よって、単位体積あたりの
静電容量が大きくなり、小型化、大容量化に対応した積
層薄膜コンデンサが製造できる。
ＣＶＤ法を用いることにより、金属電極薄膜層上に、膜
厚０．０５〜３μｍの、緻密で、誘電特性の良好な、ａ
軸に優先配向した（Ｂａ1-X ，ＳｒX ）ＴｉＯ3 や、Ｐ
ｂ｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ2/ 3 ）1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の薄膜
が、バルクの焼成温度や、他の薄膜形成方法（真空蒸着
法、スパッタリング法、熱ＣＶＤ法）よりも低い温度で
得られる。また、金属電極薄膜層の成膜に真空蒸着法ま
たはスパッタリング法などの薄膜製造法を用いることに
より、膜厚０．０１〜０．２μｍの緻密な金属電極薄膜
層が得られる。したがって、従来の積層セラミックコン
デンサでのスラリ状のものを積み重ねて焼成する方法よ
りも薄くできるため、誘電体薄膜層１層あたりの容量を
大きくすることができる。また、同じチップ厚みでも積
層数を増やすことができる。よって、単位体積あたりの
静電容量が大きくなり、小型化、大容量化に対応した積
層薄膜コンデンサが製造できる。
【０００８】
（実施例１）図１は、本発明の一実施例における積層薄
膜コンデンサの誘電体薄膜層を成膜するために使用する
プラズマＣＶＤ装置と、金属電極薄膜層を成膜するため
に使用するスパッタリング装置からなる製造装置を示す
概略図である。
膜コンデンサの誘電体薄膜層を成膜するために使用する
プラズマＣＶＤ装置と、金属電極薄膜層を成膜するため
に使用するスパッタリング装置からなる製造装置を示す
概略図である。
【０００９】図１において構成要素として、１は下地基
板、２は基板固定板、３は予備真空室、４は予備加熱
室、５は搬送アーム、６は基板ホルダー、７はランプヒ
ーター、８はゲート、９はスパッタ室、１０は基板ホル
ダー、１１、１２はメタルマスク、１３はランプヒータ
ー、１４はマスフローコントローラー、１５はターゲッ
ト、１６は高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、１７は基
板ホルダー６を回転させるモーター、１８はゲート、１
９はプラズマＣＶＤ室、２０は基板ホルダー、２１は搬
送アーム、２２はランプヒーター、２３は基板ホルダー
２０を回転させるモーター、２４、２６、２８、３０は
気化容器、２５、２７、２９、３１は原料、３２、３
３、３４、３５、３６はマスフローコントローラー、３
７は原料ガスおよび反応ガスを供給するノズル、３８は
高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、３９は電極、４０は
基板ホルダー１０を回転させるモーター、４１は予備真
空室である。
板、２は基板固定板、３は予備真空室、４は予備加熱
室、５は搬送アーム、６は基板ホルダー、７はランプヒ
ーター、８はゲート、９はスパッタ室、１０は基板ホル
ダー、１１、１２はメタルマスク、１３はランプヒータ
ー、１４はマスフローコントローラー、１５はターゲッ
ト、１６は高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、１７は基
板ホルダー６を回転させるモーター、１８はゲート、１
９はプラズマＣＶＤ室、２０は基板ホルダー、２１は搬
送アーム、２２はランプヒーター、２３は基板ホルダー
２０を回転させるモーター、２４、２６、２８、３０は
気化容器、２５、２７、２９、３１は原料、３２、３
３、３４、３５、３６はマスフローコントローラー、３
７は原料ガスおよび反応ガスを供給するノズル、３８は
高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、３９は電極、４０は
基板ホルダー１０を回転させるモーター、４１は予備真
空室である。
【００１０】図２は、本発明の一実施例の積層薄膜コン
デンサを示す断面概略図である。図２において４２は下
地基板、４３、４５、４７は金属電極薄膜層、４４、４
６、４８は誘電体薄膜層、４９、５０は外部電極であ
る。
デンサを示す断面概略図である。図２において４２は下
地基板、４３、４５、４７は金属電極薄膜層、４４、４
６、４８は誘電体薄膜層、４９、５０は外部電極であ
る。
【００１１】図３は、本発明の一実施例の薄膜コンデン
サを示す断面概略図である。図３において、５１は下地
基板、５２、５４は金属電極薄膜層、５３は誘電体薄膜
層である。
サを示す断面概略図である。図３において、５１は下地
基板、５２、５４は金属電極薄膜層、５３は誘電体薄膜
層である。
【００１２】この積層薄膜コンデンサの製造方法を以下
に説明する。図１に示すようにアルミナからなる下地基
板１（サイズ５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．３ｍｍ）を取り
付けた基板固定板２を、予備真空室３より、真空に排気
された予備加熱室４内に搬入する。つぎに基板固定板２
を、搬送アーム５によって、基板ホルダー６上に搬送
し、基板ホルダー６を、ランプヒーター７により６５０
℃まで加熱する。前記加熱後、ゲート８を開き、スパッ
タ室９内の基板ホルダー１０上に、基板固定板２を搬送
アーム５によって搬送する。この基板ホルダー１０に
は、２種類のメタルマスク１１および１２が取り付けら
れており、交互に用いることによって、図２のように金
属電極薄膜４３，４５，４７が交互に成膜できる。な
お、このメタルマスク１１，１２の金属電極パターンの
大きさは６．０ｍｍ×１．２ｍｍである。まず始めに、
メタルマスク１１上に基板固定板２をおき、下地基板１
とメタルマスク１１を完全に密着させる。なお、基板ホ
ルダー１０は、あらかじめランプヒーター１３により６
５０℃まで加熱されている。
に説明する。図１に示すようにアルミナからなる下地基
板１（サイズ５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．３ｍｍ）を取り
付けた基板固定板２を、予備真空室３より、真空に排気
された予備加熱室４内に搬入する。つぎに基板固定板２
を、搬送アーム５によって、基板ホルダー６上に搬送
し、基板ホルダー６を、ランプヒーター７により６５０
℃まで加熱する。前記加熱後、ゲート８を開き、スパッ
タ室９内の基板ホルダー１０上に、基板固定板２を搬送
アーム５によって搬送する。この基板ホルダー１０に
は、２種類のメタルマスク１１および１２が取り付けら
れており、交互に用いることによって、図２のように金
属電極薄膜４３，４５，４７が交互に成膜できる。な
お、このメタルマスク１１，１２の金属電極パターンの
大きさは６．０ｍｍ×１．２ｍｍである。まず始めに、
メタルマスク１１上に基板固定板２をおき、下地基板１
とメタルマスク１１を完全に密着させる。なお、基板ホ
ルダー１０は、あらかじめランプヒーター１３により６
５０℃まで加熱されている。
【００１３】ゲート８を閉じ、スパッタ室９内を１×１
０-4Ｐａまで排気した後、マスフローコントローラー１
４によって流量を制御したＡｒをスパッタ室９内に供給
する。スパッタ室９内の真空度を１Ｐａに保ち、Ｎｉの
ターゲット１５上に、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）
１６によりプラズマ（電力０．８Ｗ／ｃｍ2 ）を発生さ
せ、下地基板１上にパターニングされたＮｉの金属電極
薄膜層４３を成膜する。このスパッタリングによるＮｉ
の成膜速度は約０．０１μｍ／ｍｉｎ．であるので、５
分間成膜を行うことによって、約０．０５μｍの金属電
極薄膜層４３を得る。
０-4Ｐａまで排気した後、マスフローコントローラー１
４によって流量を制御したＡｒをスパッタ室９内に供給
する。スパッタ室９内の真空度を１Ｐａに保ち、Ｎｉの
ターゲット１５上に、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）
１６によりプラズマ（電力０．８Ｗ／ｃｍ2 ）を発生さ
せ、下地基板１上にパターニングされたＮｉの金属電極
薄膜層４３を成膜する。このスパッタリングによるＮｉ
の成膜速度は約０．０１μｍ／ｍｉｎ．であるので、５
分間成膜を行うことによって、約０．０５μｍの金属電
極薄膜層４３を得る。
【００１４】成膜終了後、Ａｒの供給を止め、ゲート８
を開き、基板固定板２を搬送アーム５により再度基板ホ
ルダー６上に搬送する。基板ホルダー６を、モーター１
７によって半回転させ、基板固定板２をゲート１８側に
移動する。
を開き、基板固定板２を搬送アーム５により再度基板ホ
ルダー６上に搬送する。基板ホルダー６を、モーター１
７によって半回転させ、基板固定板２をゲート１８側に
移動する。
【００１５】移動後、ゲート１８を開き、プラズマＣＶ
Ｄ室１９内の基板ホルダー２０上に、基板固定板２を搬
送アーム２１によって搬送する。なお、基板ホルダー２
０は、あらかじめランプヒーター２２により６５０℃ま
で加熱されている。搬送後、ゲート１８を閉じ、プラズ
マＣＶＤ室１９内を１Ｐａまで排気し、基板ホルダー２
０をモーター２３によって毎分１２０回転の速度で回転
させる。あらかじめ、気化容器２４に原料２５であるバ
リウムジピバロイルメタン〔Ｂａ（Ｃ11Ｈ19Ｏ 2 ）2 〕
を、気化容器２６に原料２７であるイソプロポキシチタ
ン〔Ｔｉ（Ｃ3Ｈ7 Ｏ）4 〕を、気化容器２８に原料３
０であるストロンチウムジピバロイルメタン〔Ｓｒ（Ｃ
11Ｈ19Ｏ2 ）2 〕を入れ、それぞれ２３０℃、５０℃、
２４０℃に加熱し保持しておく。気化したＢａ（Ｃ11Ｈ
19Ｏ2 ）2 の蒸気を、マスフローコントローラー３２で
流量を毎分５０cm3 に制御したキャリアガスＡｒを気化
容器２４内に流し、さらに気化したＴｉ（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）
4 の蒸気を、マスフローコントローラー３３で流量を毎
分３０cm3 に制御したキャリアガスＡｒを気化容器２６
内に流し、さらに気化したＳｒ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 の蒸
気を、マスフローコントローラー３４で流量を毎分４０
cm3 に制御したキャリアガスＡｒを気化容器２８内に流
すことによって、ともにプラズマＣＶＤ室１９内に供給
する。さらに、マスフローコントローラー３６で流量を
毎分５０cm3 に制御した反応ガスＯ2をプラズマＣＶＤ
室１９内に供給する。なお、これらの原料ガスおよび反
応ガスは、ノズル３７によって下地基板２上に供給され
る。プラズマＣＶＤ室１９内の真空度が一定になった
後、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）３８により電極３
９と基板ホルダー２０の間にプラズマ（電力１．４Ｗ／
ｃｍ2 ）を発生させ、金属電極薄膜層４３のついた下地
基板１上の全面に、誘電体薄膜層４４を成膜する。この
プラズマＣＶＤによる（Ｂａ1-X ，ＳｒX ）ＴｉＯ3 薄
膜の成膜速度は約０．１８μｍ／ｍｉｎ．であるので、
５分間成膜を行うことによって、約０．９μｍの誘電体
薄膜層４４を得る。
Ｄ室１９内の基板ホルダー２０上に、基板固定板２を搬
送アーム２１によって搬送する。なお、基板ホルダー２
０は、あらかじめランプヒーター２２により６５０℃ま
で加熱されている。搬送後、ゲート１８を閉じ、プラズ
マＣＶＤ室１９内を１Ｐａまで排気し、基板ホルダー２
０をモーター２３によって毎分１２０回転の速度で回転
させる。あらかじめ、気化容器２４に原料２５であるバ
リウムジピバロイルメタン〔Ｂａ（Ｃ11Ｈ19Ｏ 2 ）2 〕
を、気化容器２６に原料２７であるイソプロポキシチタ
ン〔Ｔｉ（Ｃ3Ｈ7 Ｏ）4 〕を、気化容器２８に原料３
０であるストロンチウムジピバロイルメタン〔Ｓｒ（Ｃ
11Ｈ19Ｏ2 ）2 〕を入れ、それぞれ２３０℃、５０℃、
２４０℃に加熱し保持しておく。気化したＢａ（Ｃ11Ｈ
19Ｏ2 ）2 の蒸気を、マスフローコントローラー３２で
流量を毎分５０cm3 に制御したキャリアガスＡｒを気化
容器２４内に流し、さらに気化したＴｉ（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）
4 の蒸気を、マスフローコントローラー３３で流量を毎
分３０cm3 に制御したキャリアガスＡｒを気化容器２６
内に流し、さらに気化したＳｒ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 の蒸
気を、マスフローコントローラー３４で流量を毎分４０
cm3 に制御したキャリアガスＡｒを気化容器２８内に流
すことによって、ともにプラズマＣＶＤ室１９内に供給
する。さらに、マスフローコントローラー３６で流量を
毎分５０cm3 に制御した反応ガスＯ2をプラズマＣＶＤ
室１９内に供給する。なお、これらの原料ガスおよび反
応ガスは、ノズル３７によって下地基板２上に供給され
る。プラズマＣＶＤ室１９内の真空度が一定になった
後、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）３８により電極３
９と基板ホルダー２０の間にプラズマ（電力１．４Ｗ／
ｃｍ2 ）を発生させ、金属電極薄膜層４３のついた下地
基板１上の全面に、誘電体薄膜層４４を成膜する。この
プラズマＣＶＤによる（Ｂａ1-X ，ＳｒX ）ＴｉＯ3 薄
膜の成膜速度は約０．１８μｍ／ｍｉｎ．であるので、
５分間成膜を行うことによって、約０．９μｍの誘電体
薄膜層４４を得る。
【００１６】成膜終了後、原料ガスおよび反応ガスの供
給を止め、ゲート１８を開き、基板固定板２を搬送アー
ム２１により基板ホルダー６上に搬送する。基板ホルダ
ー６は、モーター１７によって半回転し、基板固定板２
をゲート８側に移動させる。移動後、ゲート８を開き、
スパッタ室９内の基板ホルダー１０上に、基板固定板２
を搬送アーム５によって搬送する。この際、あらかじめ
モーター４０により基板ホルダー１０を半回転させてお
き、今度はメタルマスク１２上に、基板固定板２をお
き、下地基板１とメタルマスク１２を完全に密着させ
る。
給を止め、ゲート１８を開き、基板固定板２を搬送アー
ム２１により基板ホルダー６上に搬送する。基板ホルダ
ー６は、モーター１７によって半回転し、基板固定板２
をゲート８側に移動させる。移動後、ゲート８を開き、
スパッタ室９内の基板ホルダー１０上に、基板固定板２
を搬送アーム５によって搬送する。この際、あらかじめ
モーター４０により基板ホルダー１０を半回転させてお
き、今度はメタルマスク１２上に、基板固定板２をお
き、下地基板１とメタルマスク１２を完全に密着させ
る。
【００１７】ゲート８を閉じ、スパッタ室９内を１×１
０-4Ｐａまで排気した後、マスフローコントローラー１
４によって流量を制御したＡｒをスパッタ室９内に供給
する。スパッタ室９内の真空度を１Ｐａに保ち、Ｎｉの
ターゲット１５上に、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）
１６によりプラズマ（電力０．８Ｗ／ｃｍ2 ）を発生さ
せ、誘電体薄膜層４４上に始めにパターニングした金属
電極薄膜層４３とはずらしてパターニングされたＮｉの
金属電極薄膜層４５を成膜する。これらの操作を１４回
繰り返して、金属電極薄膜層と誘電体薄膜層を交互に成
膜し、誘電体薄膜層を１３層積層する。
０-4Ｐａまで排気した後、マスフローコントローラー１
４によって流量を制御したＡｒをスパッタ室９内に供給
する。スパッタ室９内の真空度を１Ｐａに保ち、Ｎｉの
ターゲット１５上に、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）
１６によりプラズマ（電力０．８Ｗ／ｃｍ2 ）を発生さ
せ、誘電体薄膜層４４上に始めにパターニングした金属
電極薄膜層４３とはずらしてパターニングされたＮｉの
金属電極薄膜層４５を成膜する。これらの操作を１４回
繰り返して、金属電極薄膜層と誘電体薄膜層を交互に成
膜し、誘電体薄膜層を１３層積層する。
【００１８】積層終了後、下地基板１のついた基板固定
板２を、基板ホルダー６上から搬送アーム２１により、
予備真空室４１に搬送する。予備真空室４１内で室温ま
で冷却し、装置外に搬出する。この基板を図２に示すよ
うに、金属電極薄膜層が一層おきに互い違いの側壁に面
するように、３．２ｍｍ×１．６ｍｍに切断する。な
お、このときの金属電極薄膜の面積は３．０ｍｍ×１．
４ｍｍである。この金属電極薄膜が露出した切断面に、
銀の外部電極４９、５０を塗布し、焼き付けて内部の金
属電極薄膜層と外部電極の導通をとる。以上のようにし
て作製した積層薄膜コンデンサの容量を測定すると、２
μＦであった。
板２を、基板ホルダー６上から搬送アーム２１により、
予備真空室４１に搬送する。予備真空室４１内で室温ま
で冷却し、装置外に搬出する。この基板を図２に示すよ
うに、金属電極薄膜層が一層おきに互い違いの側壁に面
するように、３．２ｍｍ×１．６ｍｍに切断する。な
お、このときの金属電極薄膜の面積は３．０ｍｍ×１．
４ｍｍである。この金属電極薄膜が露出した切断面に、
銀の外部電極４９、５０を塗布し、焼き付けて内部の金
属電極薄膜層と外部電極の導通をとる。以上のようにし
て作製した積層薄膜コンデンサの容量を測定すると、２
μＦであった。
【００１９】また図３に示すように、アルミナ基板上に
Ｎｉを成膜し、その上に（Ｂａ1-X，ＳｒX ）ＴｉＯ3
の薄膜を一層だけ成膜し、さらにその上に上部電極とし
てＮｉを成膜した試料を作製した。この薄膜コンデンサ
の電極５２、５４間で電気特性を測定した。誘電特性
は、ＬＣＲメーターにより１ｋＨｚ、室温で測定する
と、比誘電率が４５００、誘電損失が０．７％、絶縁抵
抗は１０9 Ω・ｃｍ以上であった。また、この試料でＸ
線回折および反射高速電子線回折（ＲＨＥＥＤ）による
分析を行ったところ、（１００）面に優先配向したペロ
ブスカイト型結晶構造であることがわかった。ＢａＴｉ
Ｏ3 では、ａ軸の比誘電率の方がｃ軸のそれよりも大き
いので、このために（Ｂａ1-X ，ＳｒX ）ＴｉＯ3 の比
誘電率が大きくなったものと考えられる。また、Ｘ線マ
イクロアナライザーにより膜組成を分析した結果、膜組
成は（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 であった。
Ｎｉを成膜し、その上に（Ｂａ1-X，ＳｒX ）ＴｉＯ3
の薄膜を一層だけ成膜し、さらにその上に上部電極とし
てＮｉを成膜した試料を作製した。この薄膜コンデンサ
の電極５２、５４間で電気特性を測定した。誘電特性
は、ＬＣＲメーターにより１ｋＨｚ、室温で測定する
と、比誘電率が４５００、誘電損失が０．７％、絶縁抵
抗は１０9 Ω・ｃｍ以上であった。また、この試料でＸ
線回折および反射高速電子線回折（ＲＨＥＥＤ）による
分析を行ったところ、（１００）面に優先配向したペロ
ブスカイト型結晶構造であることがわかった。ＢａＴｉ
Ｏ3 では、ａ軸の比誘電率の方がｃ軸のそれよりも大き
いので、このために（Ｂａ1-X ，ＳｒX ）ＴｉＯ3 の比
誘電率が大きくなったものと考えられる。また、Ｘ線マ
イクロアナライザーにより膜組成を分析した結果、膜組
成は（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 であった。
【００２０】以上のような工程で、各原料の気化温度、
基板温度を変えて、様々な組成の積層薄膜コンデンサを
作製した。これら積層薄膜コンデンサの組成および電気
特性を表１に示す。
基板温度を変えて、様々な組成の積層薄膜コンデンサを
作製した。これら積層薄膜コンデンサの組成および電気
特性を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】この結果より、各原料の気化温度を変える
ことによって、ＢａとＳｒの組成比を変えることができ
ることがわかる。したがって、求める誘電特性の積層薄
膜コンデンサが、薄膜の組成制御を行うことによって製
造することができる。また、基板温度を変えた場合、５
５０℃〜７５０℃の範囲では、良好な誘電特性を持つ積
層薄膜コンデンサが得られたが、５５０℃以下または７
５０℃以上になると、誘電特性が劣化した。したがっ
て、この（Ｂａ1-X ，ＳｒX ）ＴｉＯ3 を誘電体薄膜層
に用いた積層薄膜コンデンサの好ましい成膜温度範囲は
５５０℃〜７５０℃である。また、積層薄膜コンデンサ
と、従来の方法で作製した積層焼結コンデンサとを比較
すると、より少ない積層数で、同じ容量のコンデンサを
得ることができる。また、同じ積層数では、より大容量
のコンデンサを得ることができる。これは、プラズマＣ
ＶＤ法で誘電体薄膜層の作製を行うことによって、従来
の焼結法で誘電体薄膜層の作製を行うよりも、薄くて緻
密な膜が得られるためである。
ことによって、ＢａとＳｒの組成比を変えることができ
ることがわかる。したがって、求める誘電特性の積層薄
膜コンデンサが、薄膜の組成制御を行うことによって製
造することができる。また、基板温度を変えた場合、５
５０℃〜７５０℃の範囲では、良好な誘電特性を持つ積
層薄膜コンデンサが得られたが、５５０℃以下または７
５０℃以上になると、誘電特性が劣化した。したがっ
て、この（Ｂａ1-X ，ＳｒX ）ＴｉＯ3 を誘電体薄膜層
に用いた積層薄膜コンデンサの好ましい成膜温度範囲は
５５０℃〜７５０℃である。また、積層薄膜コンデンサ
と、従来の方法で作製した積層焼結コンデンサとを比較
すると、より少ない積層数で、同じ容量のコンデンサを
得ることができる。また、同じ積層数では、より大容量
のコンデンサを得ることができる。これは、プラズマＣ
ＶＤ法で誘電体薄膜層の作製を行うことによって、従来
の焼結法で誘電体薄膜層の作製を行うよりも、薄くて緻
密な膜が得られるためである。
【００２３】次に、上記実施例の原料を用いて、誘電体
薄膜層や金属電極薄膜層の成膜時間を変えて、それぞれ
の薄膜層の厚みを変えたり、また積層数を変えた積層薄
膜コンデンサを作製し、その電気特性を測定した。これ
ら積層薄膜コンデンサの薄膜層厚さ、積層数および電気
特性を表２に示す。
薄膜層や金属電極薄膜層の成膜時間を変えて、それぞれ
の薄膜層の厚みを変えたり、また積層数を変えた積層薄
膜コンデンサを作製し、その電気特性を測定した。これ
ら積層薄膜コンデンサの薄膜層厚さ、積層数および電気
特性を表２に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】この結果より、誘電体薄膜層が０．０５μ
ｍより薄くなると、十分な容量が得られないことがわか
る。また、３μｍよりも厚い場合は、特性は得られるも
のの、薄膜コンデンサとしての優位性が失われる。した
がって、誘電体薄膜層の膜厚の好ましい範囲は０．０５
μｍ〜３μｍである。また、金属電極薄膜層が０．０１
μｍよりも薄くなると、導電性に問題があり、所定の容
量が得られなかった。また、０．２μｍよりも厚くなる
と、積層数が増加するにつれて中央部と端部の段差が激
しくなり、クラックが発生し、やはり導電性が損なわれ
た。したがって、金属電極薄膜層の膜厚の好ましい範囲
は０．０１μｍ〜０．２μｍである。
ｍより薄くなると、十分な容量が得られないことがわか
る。また、３μｍよりも厚い場合は、特性は得られるも
のの、薄膜コンデンサとしての優位性が失われる。した
がって、誘電体薄膜層の膜厚の好ましい範囲は０．０５
μｍ〜３μｍである。また、金属電極薄膜層が０．０１
μｍよりも薄くなると、導電性に問題があり、所定の容
量が得られなかった。また、０．２μｍよりも厚くなる
と、積層数が増加するにつれて中央部と端部の段差が激
しくなり、クラックが発生し、やはり導電性が損なわれ
た。したがって、金属電極薄膜層の膜厚の好ましい範囲
は０．０１μｍ〜０．２μｍである。
【００２６】なお、上記実施例では、Ｂａ、Ｔｉ、Ｓｒ
の原料としてＢａ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ） 2 、Ｔｉ（Ｃ3 Ｈ7
Ｏ）4 、Ｓｒ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 を用いたが、本発明の
製造方法ではこの原料に限定されることなく、原料とし
てβ−ジケトン金属錯体または金属アルコキシドを用い
れば、（１００）面に優先配向した、ペロブスカイト型
結晶構造の（Ｂａ1-X ，ＳｒX ）ＴｉＯ3 の薄膜を得る
ことができる。さらに、上記実施例では、反応ガスとし
てＯ2 を用いたが、本発明の製造方法ではこの反応ガス
に限定されることなく、反応ガスとしてＮ2 ＯやＨ2 Ｏ
を用いた場合でも、同様に（１００）面に優先配向した
ペロブスカイト型結晶構造の（Ｂａ1-X，ＳｒX ）Ｔｉ
Ｏ3 の薄膜を得ることができる。そこで、原料にＢａ
（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 、Ｓｒ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 、Ｔｉ
（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）4 、Ｔｉ（Ｃ11Ｈ19Ｏ 2 ）2 （Ｃ3 Ｈ7
Ｏ）2 、Ｔｉ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）4 を、反応ガスにＯ2 、
Ｎ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏを用いて、同じプラズマＣＶＤ装置で同
様の工程で製造した積層薄膜コンデンサの成膜条件およ
び電気特性を表３に示す。
の原料としてＢａ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ） 2 、Ｔｉ（Ｃ3 Ｈ7
Ｏ）4 、Ｓｒ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 を用いたが、本発明の
製造方法ではこの原料に限定されることなく、原料とし
てβ−ジケトン金属錯体または金属アルコキシドを用い
れば、（１００）面に優先配向した、ペロブスカイト型
結晶構造の（Ｂａ1-X ，ＳｒX ）ＴｉＯ3 の薄膜を得る
ことができる。さらに、上記実施例では、反応ガスとし
てＯ2 を用いたが、本発明の製造方法ではこの反応ガス
に限定されることなく、反応ガスとしてＮ2 ＯやＨ2 Ｏ
を用いた場合でも、同様に（１００）面に優先配向した
ペロブスカイト型結晶構造の（Ｂａ1-X，ＳｒX ）Ｔｉ
Ｏ3 の薄膜を得ることができる。そこで、原料にＢａ
（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 、Ｓｒ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 、Ｔｉ
（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）4 、Ｔｉ（Ｃ11Ｈ19Ｏ 2 ）2 （Ｃ3 Ｈ7
Ｏ）2 、Ｔｉ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）4 を、反応ガスにＯ2 、
Ｎ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏを用いて、同じプラズマＣＶＤ装置で同
様の工程で製造した積層薄膜コンデンサの成膜条件およ
び電気特性を表３に示す。
【００２７】
【表３】
【００２８】この結果より、原料にβ−ジケトン金属錯
体または金属アルコキシドを用いて、反応ガスにＯ2 、
Ｎ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏを用いれば、（１００）面に優先配向し
た、同等の誘電特性をもつ誘電体薄膜層が得られること
を確認した。
体または金属アルコキシドを用いて、反応ガスにＯ2 、
Ｎ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏを用いれば、（１００）面に優先配向し
た、同等の誘電特性をもつ誘電体薄膜層が得られること
を確認した。
【００２９】また、上記実施例では、金属電極薄膜層に
スパッタリング法で成膜したＮｉを用いたが、本発明の
製造方法ではこの成膜方法や金属電極薄膜層に限定され
ることなく、成膜方法に真空蒸着法を用いた場合や、金
属電極薄膜層にＮｉ以外の金属、たとえばパラジウム、
パラジウム／銀合金、白金、銅等を用いた場合でも、同
等の特性を持つ積層薄膜コンデンサの製造が可能である
ことを確認した。
スパッタリング法で成膜したＮｉを用いたが、本発明の
製造方法ではこの成膜方法や金属電極薄膜層に限定され
ることなく、成膜方法に真空蒸着法を用いた場合や、金
属電極薄膜層にＮｉ以外の金属、たとえばパラジウム、
パラジウム／銀合金、白金、銅等を用いた場合でも、同
等の特性を持つ積層薄膜コンデンサの製造が可能である
ことを確認した。
【００３０】また、上記実施例では、外部電極に銀を用
いてその形成方法に塗布焼き付け法を用いたが、本発明
の製造方法ではこの外部電極やその形成方法に限定され
ることなく、外部電極の形成に銀以外の金属を用いた場
合や、塗布焼付け法以外に真空蒸着法またはスパッタリ
ング法またはめっき法を用いた場合でも、同等の特性を
持つ積層薄膜コンデンサの製造が可能であることを確認
した。 （実施例２）本実施例の製造装置の構成、積層薄膜コン
デンサの構成は実施例１と全く同じであるので、その図
面は共用し、構成の説明は省略する。この積層薄膜コン
デンサの製造方法を以下に示す。
いてその形成方法に塗布焼き付け法を用いたが、本発明
の製造方法ではこの外部電極やその形成方法に限定され
ることなく、外部電極の形成に銀以外の金属を用いた場
合や、塗布焼付け法以外に真空蒸着法またはスパッタリ
ング法またはめっき法を用いた場合でも、同等の特性を
持つ積層薄膜コンデンサの製造が可能であることを確認
した。 （実施例２）本実施例の製造装置の構成、積層薄膜コン
デンサの構成は実施例１と全く同じであるので、その図
面は共用し、構成の説明は省略する。この積層薄膜コン
デンサの製造方法を以下に示す。
【００３１】基板の種類、搬送方法、金属電極薄膜層の
成膜方法および積層方法、積層後の外部電極製造方法な
どは、実施例１と全く同じ方法であるので省略する。金
属電極薄膜層４３を成膜後の誘電体薄膜層４４の成膜方
法を以下に説明する。
成膜方法および積層方法、積層後の外部電極製造方法な
どは、実施例１と全く同じ方法であるので省略する。金
属電極薄膜層４３を成膜後の誘電体薄膜層４４の成膜方
法を以下に説明する。
【００３２】プラズマＣＶＤ室１９内の基板ホルダー２
０上に、基板固定板２を搬送アーム２１によって搬送す
る。なお、基板ホルダー２０は、あらかじめランプヒー
ター２２により６８０℃まで加熱されている。搬送後、
ゲート１８を閉じ、プラズマＣＶＤ室１９内を１Ｐａま
で排気し、基板ホルダー２０をモーター２３によって毎
分１２０回転の速度で回転させる。あらかじめ、気化容
器２４に原料２５である鉛ジピバロイルメタン〔Ｐｂ
（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 〕を、気化容器２６に原料２７であ
るイソプロポキシチタン〔Ｔｉ（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）4 〕を、
気化容器２８に原料２９であるマグネシウムアセチルア
セトナート〔Ｍｇ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ 2 Ｏ〕を、気
化容器３０に原料３１であるペンタエトキシニオブ〔Ｎ
ｂ（ＯＣ2Ｈ5 ）5 〕を入れ、それぞれ１４５℃、５０
℃、２２０℃、６０℃に加熱し保持しておく。気化した
Ｐｂ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 の蒸気を、マスフローコントロ
ーラー３２で流量を毎分３５cm3 に制御したキャリアガ
スＡｒを気化容器２４内に流すことによって、さらに気
化したＴｉ（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）4 の蒸気を、マスフローコン
トローラー３３で流量を毎分２０cm3 に制御したキャリ
アガスＡｒを気化容器２６内に流すことによって、さら
に気化したＭｇ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏの蒸気を、
マスフローコントローラー３４で流量を毎分３０cm3 に
制御したキャリアガスＡｒを気化容器２８内に流すこと
によって、さらに気化したＮｂ（ＯＣ2Ｈ5 ）5 の蒸気
を、マスフローコントローラー３５で流量を毎分１５cm
3 に制御したキャリアガスＡｒを気化容器３０内に流す
ことによって、ともにプラズマＣＶＤ室１９内に供給す
る。さらに、マスフローコントローラー３６で流量を毎
分１００cm3 に制御した反応ガスＯ2 をプラズマＣＶＤ
室１９内に供給する。なお、これらの原料ガスおよび反
応ガスは、ノズル３７によって下地基板２上に供給され
る。プラズマＣＶＤ室１９内の真空度が一定になった
後、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）３８により電極３
９と基板ホルダー２０の間にプラズマ（電力１．４Ｗ／
ｃｍ2 ）を発生させ、金属電極薄膜層４３のついた下地
基板１上の全面に、誘電体薄膜層４４を成膜する。この
プラズマＣＶＤによるＰｂ｛（Ｍｇ1/3，Ｎｂ2/3 ）1-X
ＴｉX ｝Ｏ3 の成膜速度は約０．１５μｍ／ｍｉｎ．
であるので、４分間成膜を行うことによって、約０．６
μｍの誘電体薄膜層４４を得ることができた。以下、実
施例１と同様にして、誘電体薄膜層を１４層積層し、積
層薄膜コンデンサの製造を行った。以上のようにして作
製した積層薄膜コンデンサの容量を測定すると、７μＦ
であった。
０上に、基板固定板２を搬送アーム２１によって搬送す
る。なお、基板ホルダー２０は、あらかじめランプヒー
ター２２により６８０℃まで加熱されている。搬送後、
ゲート１８を閉じ、プラズマＣＶＤ室１９内を１Ｐａま
で排気し、基板ホルダー２０をモーター２３によって毎
分１２０回転の速度で回転させる。あらかじめ、気化容
器２４に原料２５である鉛ジピバロイルメタン〔Ｐｂ
（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 〕を、気化容器２６に原料２７であ
るイソプロポキシチタン〔Ｔｉ（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）4 〕を、
気化容器２８に原料２９であるマグネシウムアセチルア
セトナート〔Ｍｇ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ 2 Ｏ〕を、気
化容器３０に原料３１であるペンタエトキシニオブ〔Ｎ
ｂ（ＯＣ2Ｈ5 ）5 〕を入れ、それぞれ１４５℃、５０
℃、２２０℃、６０℃に加熱し保持しておく。気化した
Ｐｂ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 の蒸気を、マスフローコントロ
ーラー３２で流量を毎分３５cm3 に制御したキャリアガ
スＡｒを気化容器２４内に流すことによって、さらに気
化したＴｉ（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）4 の蒸気を、マスフローコン
トローラー３３で流量を毎分２０cm3 に制御したキャリ
アガスＡｒを気化容器２６内に流すことによって、さら
に気化したＭｇ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏの蒸気を、
マスフローコントローラー３４で流量を毎分３０cm3 に
制御したキャリアガスＡｒを気化容器２８内に流すこと
によって、さらに気化したＮｂ（ＯＣ2Ｈ5 ）5 の蒸気
を、マスフローコントローラー３５で流量を毎分１５cm
3 に制御したキャリアガスＡｒを気化容器３０内に流す
ことによって、ともにプラズマＣＶＤ室１９内に供給す
る。さらに、マスフローコントローラー３６で流量を毎
分１００cm3 に制御した反応ガスＯ2 をプラズマＣＶＤ
室１９内に供給する。なお、これらの原料ガスおよび反
応ガスは、ノズル３７によって下地基板２上に供給され
る。プラズマＣＶＤ室１９内の真空度が一定になった
後、高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）３８により電極３
９と基板ホルダー２０の間にプラズマ（電力１．４Ｗ／
ｃｍ2 ）を発生させ、金属電極薄膜層４３のついた下地
基板１上の全面に、誘電体薄膜層４４を成膜する。この
プラズマＣＶＤによるＰｂ｛（Ｍｇ1/3，Ｎｂ2/3 ）1-X
ＴｉX ｝Ｏ3 の成膜速度は約０．１５μｍ／ｍｉｎ．
であるので、４分間成膜を行うことによって、約０．６
μｍの誘電体薄膜層４４を得ることができた。以下、実
施例１と同様にして、誘電体薄膜層を１４層積層し、積
層薄膜コンデンサの製造を行った。以上のようにして作
製した積層薄膜コンデンサの容量を測定すると、７μＦ
であった。
【００３３】また誘電体薄膜層の分析用に、図３に示す
ように、アルミナ基板上にＮｉを成膜し、その上にＰｂ
｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ2/3 ）1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の薄膜を一
層だけ成膜し、さらにその上に上部電極としてＮｉを成
膜した試料を作製した。この薄膜コンデンサの電極５
２、５４間で電気特性を測定した。誘電特性は、ＬＣＲ
メーターにより１ｋＨｚ、室温で測定すると、比誘電率
が９８００、誘電損失が０．８％であった。絶縁抵抗は
１０9 Ω・ｃｍ以上であった。また、この試料でＸ線回
折による分析を行ったところ、ペロブスカイト型結晶構
造であることがわかった。また、Ｘ線マイクロアナライ
ザーにより膜組成を分析した結果、膜組成はＰｂ｛（Ｍ
ｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）0.7 Ｔｉ0.3 ｝Ｏ3 であった。
ように、アルミナ基板上にＮｉを成膜し、その上にＰｂ
｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ2/3 ）1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の薄膜を一
層だけ成膜し、さらにその上に上部電極としてＮｉを成
膜した試料を作製した。この薄膜コンデンサの電極５
２、５４間で電気特性を測定した。誘電特性は、ＬＣＲ
メーターにより１ｋＨｚ、室温で測定すると、比誘電率
が９８００、誘電損失が０．８％であった。絶縁抵抗は
１０9 Ω・ｃｍ以上であった。また、この試料でＸ線回
折による分析を行ったところ、ペロブスカイト型結晶構
造であることがわかった。また、Ｘ線マイクロアナライ
ザーにより膜組成を分析した結果、膜組成はＰｂ｛（Ｍ
ｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）0.7 Ｔｉ0.3 ｝Ｏ3 であった。
【００３４】以上のような工程で、各原料の気化温度、
基板温度を変えて、様々な組成の積層薄膜コンデンサを
作製した。これら積層薄膜コンデンサの組成および電気
特性を表４に示す。
基板温度を変えて、様々な組成の積層薄膜コンデンサを
作製した。これら積層薄膜コンデンサの組成および電気
特性を表４に示す。
【００３５】
【表４】
【００３６】この結果より、各原料の気化温度を変える
ことによって、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｔｉの組成比を変え
ることができることがわかる。したがって、求める誘電
特性の積層薄膜コンデンサが、薄膜の組成制御を行うこ
とによって製造することができる。また、基板温度を変
えた場合、４５０℃〜７５０℃の範囲では、良好な誘電
特性を持つ積層薄膜コンデンサが得られたが、４５０℃
以下または７５０℃以上になると、誘電特性が劣化し
た。したがって、このＰｂ｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ2/ 3 ）
1-X ＴｉX ｝Ｏ3 を誘電体薄膜層に用いた積層薄膜コン
デンサの好ましい成膜温度範囲は４５０℃〜７５０℃で
ある。また、積層薄膜コンデンサと、従来の方法で作製
した積層焼結コンデンサとを比較すると、より少ない積
層数で、同じ容量のコンデンサを得ることができる。ま
た、同じ積層数では、より大容量のコンデンサを得るこ
とができる。これは、プラズマＣＶＤ法で誘電体薄膜層
の作製を行うことによって、従来の焼結法で誘電体薄膜
層の作製を行うよりも、薄くて緻密な膜が得られるため
である。
ことによって、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｔｉの組成比を変え
ることができることがわかる。したがって、求める誘電
特性の積層薄膜コンデンサが、薄膜の組成制御を行うこ
とによって製造することができる。また、基板温度を変
えた場合、４５０℃〜７５０℃の範囲では、良好な誘電
特性を持つ積層薄膜コンデンサが得られたが、４５０℃
以下または７５０℃以上になると、誘電特性が劣化し
た。したがって、このＰｂ｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ2/ 3 ）
1-X ＴｉX ｝Ｏ3 を誘電体薄膜層に用いた積層薄膜コン
デンサの好ましい成膜温度範囲は４５０℃〜７５０℃で
ある。また、積層薄膜コンデンサと、従来の方法で作製
した積層焼結コンデンサとを比較すると、より少ない積
層数で、同じ容量のコンデンサを得ることができる。ま
た、同じ積層数では、より大容量のコンデンサを得るこ
とができる。これは、プラズマＣＶＤ法で誘電体薄膜層
の作製を行うことによって、従来の焼結法で誘電体薄膜
層の作製を行うよりも、薄くて緻密な膜が得られるため
である。
【００３７】次に、上記実施例の原料を用いて、誘電体
薄膜層や金属電極薄膜層の成膜時間を変えて、それぞれ
の薄膜層の厚みを変えたり、また積層数を変えた積層薄
膜コンデンサを作製し、その電気特性を測定した。これ
ら積層薄膜コンデンサの薄膜層厚さ、積層数および電気
特性を表５に示す。
薄膜層や金属電極薄膜層の成膜時間を変えて、それぞれ
の薄膜層の厚みを変えたり、また積層数を変えた積層薄
膜コンデンサを作製し、その電気特性を測定した。これ
ら積層薄膜コンデンサの薄膜層厚さ、積層数および電気
特性を表５に示す。
【００３８】
【表５】
【００３９】この結果より、誘電体薄膜層が０．０５μ
ｍより薄くなると、十分な容量が得られないことがわか
る。また、３μｍよりも厚い場合は、特性は得られるも
のの、薄膜コンデンサとしての優位性が失われる。した
がって、誘電体薄膜層の膜厚の好ましい範囲は０．０５
μｍ〜３μｍである。また、金属電極薄膜層が０．０１
μｍよりも薄くなると導電性に問題があり、所定の容量
が得られなかった。また、０．２μｍよりも厚くなる
と、積層数が増加するにつれて中央部と端部の段差が激
しくなり、クラックが発生し、やはり導電性が損なわれ
た。したがって、金属電極薄膜層の膜厚の好ましい範囲
は０．０１μｍ〜０．２μｍである。
ｍより薄くなると、十分な容量が得られないことがわか
る。また、３μｍよりも厚い場合は、特性は得られるも
のの、薄膜コンデンサとしての優位性が失われる。した
がって、誘電体薄膜層の膜厚の好ましい範囲は０．０５
μｍ〜３μｍである。また、金属電極薄膜層が０．０１
μｍよりも薄くなると導電性に問題があり、所定の容量
が得られなかった。また、０．２μｍよりも厚くなる
と、積層数が増加するにつれて中央部と端部の段差が激
しくなり、クラックが発生し、やはり導電性が損なわれ
た。したがって、金属電極薄膜層の膜厚の好ましい範囲
は０．０１μｍ〜０．２μｍである。
【００４０】なお、上記実施例では、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｍ
ｇ、Ｎｂの原料としてＰｂ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 、Ｔｉ
（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）4 、Ｍｇ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ、
Ｎｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 を用いたが、本発明の製造方法で
はこの原料に限定されることなく、原料としてβ−ジケ
トン金属錯体または金属アルコキシドを用いれば、ペロ
ブスカイト型結晶構造のＰｂ｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ2/3 ）
1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の薄膜を得ることができる。さらに、
上記実施例では、反応ガスとしてＯ2 を用いたが、本発
明の製造方法ではこの反応ガスに限定されることなく、
反応ガスとしてＮ2ＯやＨ2 Ｏを用いた場合でも、ペロ
ブスカイト型結晶構造のＰｂ｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ2/3 ）
1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の薄膜を得ることができる。そこで、
原料にＰｂ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 、Ｐｂ（Ｃ2 Ｏ5 ）4 、
Ｔｉ（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）4 、Ｔｉ（Ｃ11Ｈ 19Ｏ2 ）2 （Ｃ3
Ｈ7 Ｏ）2 、Ｍｇ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ、Ｍｇ
（Ｃ7 Ｈ 15ＣＯＯ）2 、Ｎｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 、Ｎｂ
（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 ・Ｃｌ3 を、反応ガスにＯ2 、Ｎ2
Ｏ、Ｈ2 Ｏを用いて、同じプラズマＣＶＤ装置で同様の
工程で製造した積層薄膜コンデンサの、成膜条件および
電気特性を表６に示す。
ｇ、Ｎｂの原料としてＰｂ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 、Ｔｉ
（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）4 、Ｍｇ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ、
Ｎｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 を用いたが、本発明の製造方法で
はこの原料に限定されることなく、原料としてβ−ジケ
トン金属錯体または金属アルコキシドを用いれば、ペロ
ブスカイト型結晶構造のＰｂ｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ2/3 ）
1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の薄膜を得ることができる。さらに、
上記実施例では、反応ガスとしてＯ2 を用いたが、本発
明の製造方法ではこの反応ガスに限定されることなく、
反応ガスとしてＮ2ＯやＨ2 Ｏを用いた場合でも、ペロ
ブスカイト型結晶構造のＰｂ｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ2/3 ）
1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の薄膜を得ることができる。そこで、
原料にＰｂ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 、Ｐｂ（Ｃ2 Ｏ5 ）4 、
Ｔｉ（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）4 、Ｔｉ（Ｃ11Ｈ 19Ｏ2 ）2 （Ｃ3
Ｈ7 Ｏ）2 、Ｍｇ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ、Ｍｇ
（Ｃ7 Ｈ 15ＣＯＯ）2 、Ｎｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 、Ｎｂ
（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 ・Ｃｌ3 を、反応ガスにＯ2 、Ｎ2
Ｏ、Ｈ2 Ｏを用いて、同じプラズマＣＶＤ装置で同様の
工程で製造した積層薄膜コンデンサの、成膜条件および
電気特性を表６に示す。
【００４１】
【表６】
【００４２】この結果より、原料にβ−ジケトン金属錯
体または金属アルコキシドを用いて、反応ガスにＯ2 、
Ｎ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏを用いれば、同等の誘電特性が得られる
ことを確認した。
体または金属アルコキシドを用いて、反応ガスにＯ2 、
Ｎ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏを用いれば、同等の誘電特性が得られる
ことを確認した。
【００４３】また、上記実施例では、金属電極薄膜層に
スパッタリング法で成膜したＮｉを用いたが、本発明の
製造方法ではこの成膜方法や金属電極薄膜層に限定され
ることなく、成膜方法に真空蒸着法を用いた場合や、金
属電極薄膜層にＮｉ以外の金属、例えばパラジウム、パ
ラジウム／銀合金、白金、銅等を用いた場合でも、同等
の特性を持つ積層薄膜コンデンサの製造が可能であるこ
とを確認した。
スパッタリング法で成膜したＮｉを用いたが、本発明の
製造方法ではこの成膜方法や金属電極薄膜層に限定され
ることなく、成膜方法に真空蒸着法を用いた場合や、金
属電極薄膜層にＮｉ以外の金属、例えばパラジウム、パ
ラジウム／銀合金、白金、銅等を用いた場合でも、同等
の特性を持つ積層薄膜コンデンサの製造が可能であるこ
とを確認した。
【００４４】また、上記実施例では、外部電極に銀を用
いて、その形成方法に塗布焼き付け法を用いたが、本発
明の製造方法ではこの外部電極やその形成方法に限定さ
れることなく、外部電極の形成に銀以外の金属を用いた
場合や、塗布焼付け法以外に真空蒸着法またはスパッタ
リング法またはめっき法を用いた場合でも、同等の特性
を持つ積層薄膜コンデンサの製造が可能ることを確認し
た。
いて、その形成方法に塗布焼き付け法を用いたが、本発
明の製造方法ではこの外部電極やその形成方法に限定さ
れることなく、外部電極の形成に銀以外の金属を用いた
場合や、塗布焼付け法以外に真空蒸着法またはスパッタ
リング法またはめっき法を用いた場合でも、同等の特性
を持つ積層薄膜コンデンサの製造が可能ることを確認し
た。
【００４５】
【発明の効果】以上述べてきたように本発明によれば、
誘電体薄膜層の成膜にプラズマＣＶＤ法を用いることに
より、金属電極薄膜層上に、膜厚０．０５〜３μｍの緻
密で誘電特性の良好な、ａ軸に優先配向した（Ｂａ
1-X ，ＳｒX ）ＴｉＯ3 や、Ｐｂ｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ
2/3 ）1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の薄膜が、バルクの焼成温度
や、他の薄膜形成方法（真空蒸着法、スパッタリング
法、熱ＣＶＤ法）よりも低い温度で得られる。また、金
属電極薄膜層の成膜に真空蒸着法またはスパッタリング
法などの薄膜製造法を用いることにより、膜厚０．０１
〜０．２μｍの緻密な金属電極薄膜層が得られる。した
がって、従来の積層セラミックコンデンサでのスラリ状
のものを積み重ねて焼成する方法よりも薄くできるた
め、誘電体薄膜層１層あたりの容量を大きくすることが
できる。また、同じチップ厚みでも積層数を増やすこと
ができる。よって、単位体積あたりの静電容量が大きく
なり、小型化、大容量化に対応した積層薄膜コンデンサ
が製造できる。
誘電体薄膜層の成膜にプラズマＣＶＤ法を用いることに
より、金属電極薄膜層上に、膜厚０．０５〜３μｍの緻
密で誘電特性の良好な、ａ軸に優先配向した（Ｂａ
1-X ，ＳｒX ）ＴｉＯ3 や、Ｐｂ｛（Ｍｇ1/3 ，Ｎｂ
2/3 ）1-X ＴｉX ｝Ｏ3 の薄膜が、バルクの焼成温度
や、他の薄膜形成方法（真空蒸着法、スパッタリング
法、熱ＣＶＤ法）よりも低い温度で得られる。また、金
属電極薄膜層の成膜に真空蒸着法またはスパッタリング
法などの薄膜製造法を用いることにより、膜厚０．０１
〜０．２μｍの緻密な金属電極薄膜層が得られる。した
がって、従来の積層セラミックコンデンサでのスラリ状
のものを積み重ねて焼成する方法よりも薄くできるた
め、誘電体薄膜層１層あたりの容量を大きくすることが
できる。また、同じチップ厚みでも積層数を増やすこと
ができる。よって、単位体積あたりの静電容量が大きく
なり、小型化、大容量化に対応した積層薄膜コンデンサ
が製造できる。
【図１】本発明の一実施例の積層薄膜コンデンサの誘電
体薄膜層を成膜するために使用するプラズマＣＶＤ装置
と、金属電極薄膜層を成膜するために使用するスパッタ
リング装置からなる製造装置の概略図
体薄膜層を成膜するために使用するプラズマＣＶＤ装置
と、金属電極薄膜層を成膜するために使用するスパッタ
リング装置からなる製造装置の概略図
【図２】本発明の一実施例の積層薄膜コンデンサの断面
概略図
概略図
【図３】本発明の一実施例の薄膜コンデンサを示す断面
概略図
概略図
４２ 下地基板 ４３ 金属電極薄膜層 ４４ 誘電体薄膜層 ４５ 金属電極薄膜層 ４６ 誘電体薄膜層 ４７ 金属電極薄膜層 ４８ 誘電体薄膜層 ４９ 外部電極 ５０ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 映志 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 高山 良一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 鳥井 秀雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 服部 益三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−121313（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−51407（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−80562（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−197108（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−157123（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−136995（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−282810（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−258988（ＪＰ，Ａ)
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に真空蒸着法またはスパッタリン
グ法によりパターン形成した金属電極薄膜層を作製し、
前記金属電極薄膜層表面に対して垂直方向に（１００）
面に優先配向した正方晶ペロブスカイト構造の（Ｂａ
1-X，ＳｒX）ＴｉＯ3（Ｘ＝０〜１．０）の誘電体薄膜
層を、β−ジケトン金属錯体または金属アルコキシドの
金属化合物原料の蒸気と反応ガスとの混合ガスを用いた
プラズマＣＶＤ法により作製し、前記金属電極薄膜層の
作製と誘電体薄膜層の作製を交互に繰り返すことにより
金属電極薄膜層と誘電体薄膜層を積層し、前記パターン
形成した金属電極薄膜層が１層おきに互い違いの側壁に
面するように切断した後、その切断面に外部電極を真空
蒸着法またはスパッタリング法またはめっき法または塗
布焼付け法により形成することを特徴とする積層薄膜コ
ンデンサの製造方法。 - 【請求項２】 （Ｂａ1-X，ＳｒX）ＴｉＯ3（Ｘ＝０〜
１．０）をプラズマＣＶＤ法によって製造するのに用い
る基板の温度範囲が５５０℃〜７５０℃であることを特
徴とする請求項１記載の積層薄膜コンデンサの製造方
法。 - 【請求項３】 （Ｂａ1-X，ＳｒX）ＴｉＯ3（Ｘ＝０〜
１．０）の膜厚が、０．０５μｍ〜３μｍであることを
特徴とする請求項１記載の積層薄膜コンデンサの製造方
法。 - 【請求項４】 基板上に真空蒸着法またはスパッタリン
グ法によりパターン形成した金属電極薄膜層を作製し、
前記金属電極薄膜層上に複合ペロブスカイト型化合物の
Ｐｂ｛（Ｍｇ1/3，Ｎｂ2/3）1-XＴｉX｝Ｏ3（Ｘ＝０〜
１．０）の誘電体薄膜層を、β−ジケトン金属錯体また
は金属アルコキシドの金属化合物原料の蒸気と反応ガス
との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により作製し、
前記金属電極薄膜層の作製と誘電体薄膜層の作製を交互
に繰り返すことにより金属電極薄膜層と誘電体薄膜層を
積層し、前記パターン形成した金属電極薄膜層が１層お
きに互い違いの側壁に面するように切断した後、その切
断面に外部電極を真空蒸着法またはスパッタリング法ま
たはめっき法または塗布焼付け法により形成することを
特徴とする積層薄膜コンデンサの製造方法。 - 【請求項５】 Ｐｂ｛（Ｍｇ1/3，Ｎｂ2/3）1-XＴｉX｝
Ｏ3（Ｘ＝０〜１．０）の複合ペロブスカイト型化合物
をプラズマＣＶＤ法によって製造するのに用いる基板の
温度範囲が４５０℃〜７５０℃であることを特徴とする
請求項４記載の積層薄膜コンデンサの製造方法。 - 【請求項６】 Ｐｂ｛（Ｍｇ1/3，Ｎｂ2/3）1-XＴｉX｝
Ｏ3（Ｘ＝０〜１．０）の複合ペロブスカイト型化合物
の膜厚が、０．０５μｍ〜３μｍであることを特徴とす
る請求項４記載の積層薄膜コンデンサの製造方法。 - 【請求項７】 誘電体薄膜層の成膜に用いる反応ガスと
して、酸素またはＮ2ＯまたはＨ2Ｏを用いることを特徴
とする請求項１または請求項４記載の積層薄膜コンデン
サの製造方法。 - 【請求項８】 金属電極薄膜層のパターン形成にメタル
マスクを用い、一層毎にメタルマスクをずらすことによ
って金属電極薄膜層が一層おきに互い違いの位置になる
ように成膜することを特徴とする請求項１または請求項
４記載の積層薄膜コンデンサの製造方法。 - 【請求項９】 金属電極薄膜層の膜厚が０．０１μｍ〜
０．２μｍであることを特徴とする請求項１または請求
項４記載の積層薄膜コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05424794A JP3328055B2 (ja) | 1993-03-25 | 1994-03-25 | 積層薄膜コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6631693 | 1993-03-25 | ||
| JP5-252684 | 1993-10-08 | ||
| JP25268493 | 1993-10-08 | ||
| JP5-66316 | 1993-10-08 | ||
| JP05424794A JP3328055B2 (ja) | 1993-03-25 | 1994-03-25 | 積層薄膜コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169648A JPH07169648A (ja) | 1995-07-04 |
| JP3328055B2 true JP3328055B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=27295218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05424794A Expired - Fee Related JP3328055B2 (ja) | 1993-03-25 | 1994-03-25 | 積層薄膜コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3328055B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JP4539844B2 (ja) * | 2004-04-15 | 2010-09-08 | セイコーエプソン株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
| JP2010157748A (ja) * | 2004-04-15 | 2010-07-15 | Seiko Epson Corp | 金属膜およびその製造方法、誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
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| CN105070505A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-11-18 | 六和电子（江西）有限公司 | 一种薄膜电容器的高效生产工艺 |
| CN106067377A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-11-02 | 宁国市裕华电器有限公司 | 一种新能源汽车用薄膜电容器 |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP05424794A patent/JP3328055B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07169648A (ja) | 1995-07-04 |
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