JP3312890B2 - パターン画像形成装置及び基板の製造方法並びに基板への画像形成方法 - Google Patents
パターン画像形成装置及び基板の製造方法並びに基板への画像形成方法Info
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- JP3312890B2 JP3312890B2 JP32524599A JP32524599A JP3312890B2 JP 3312890 B2 JP3312890 B2 JP 3312890B2 JP 32524599 A JP32524599 A JP 32524599A JP 32524599 A JP32524599 A JP 32524599A JP 3312890 B2 JP3312890 B2 JP 3312890B2
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィー技
術、エッチング技術を利用して基板上にパターン画像を
形成するパターン画像形成装置及び基板の製造方法並び
に基板への画像形成方法に関する。
術、エッチング技術を利用して基板上にパターン画像を
形成するパターン画像形成装置及び基板の製造方法並び
に基板への画像形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造プロセス、プリント基
板製造、ＴＶブラウン管に使用されるシャドーマスク製
造等においては、いわゆる、フォトリソグラフィーやエ
ッチング等の技術が利用されており、高精度なパターン
製造技術として確立している。これらの技術は、いわゆ
る写真製版の技術を応用したものであり、基板上に感光
性のフォトレジストを塗布し、フォトマスクを介して紫
外線を照射し、その後、現像することによって、フォト
マスクパターンと同等のフォトレジストパターンを形
成、或いは、その後エッチングを行い、基板上にフォト
レジストと同等のパターンを形成することができる。
板製造、ＴＶブラウン管に使用されるシャドーマスク製
造等においては、いわゆる、フォトリソグラフィーやエ
ッチング等の技術が利用されており、高精度なパターン
製造技術として確立している。これらの技術は、いわゆ
る写真製版の技術を応用したものであり、基板上に感光
性のフォトレジストを塗布し、フォトマスクを介して紫
外線を照射し、その後、現像することによって、フォト
マスクパターンと同等のフォトレジストパターンを形
成、或いは、その後エッチングを行い、基板上にフォト
レジストと同等のパターンを形成することができる。
【０００３】そこで、今、半導体製造プロセスにおける
リソグラフィー技術の一例を図８及び図９に基づいて説
明する。図８（ａ）〜（ｉ）は、いわゆるウェハプロセ
ス（レジストプロセスとエッチングプロセス）における
工程フローを示す。図９（ａ）〜（ｅ）は、その工程フ
ローによって形成されるネガ型レジスト（ポジ型レジス
トは露光工程がこれと逆となる）を使用した場合のパタ
ーン断面形状を示す。ここでは、以下、シリコンウェハ
上にＳｉＯ２ の開口部を設ける場合の例について述べ
る。
リソグラフィー技術の一例を図８及び図９に基づいて説
明する。図８（ａ）〜（ｉ）は、いわゆるウェハプロセ
ス（レジストプロセスとエッチングプロセス）における
工程フローを示す。図９（ａ）〜（ｅ）は、その工程フ
ローによって形成されるネガ型レジスト（ポジ型レジス
トは露光工程がこれと逆となる）を使用した場合のパタ
ーン断面形状を示す。ここでは、以下、シリコンウェハ
上にＳｉＯ２ の開口部を設ける場合の例について述べ
る。
【０００４】まず、図８（ａ）の〔ウェハ前処理工程〕
では、表面に熱酸化膜（ＳｉＯ２）２を約１μｍ形成し
た基板１（シリコンウェハ）を洗浄によって清浄化す
る。次に、図８（ｂ）の〔レジスト塗布工程〕では、ス
ピンコーティング（或いは、ロールコーティング）によ
って、基板１上にフォトレジスト３を０．５〜１．０μ
ｍ塗布する。この場合、基板１とフォトレジスト３のと
密着を良くするために、図示しない密着性向上剤（ＯＡ
Ｐ等）を事前に基板１上に塗布しておく。次に、図８
（ｃ）の〔プリベーク工程〕では、塗布されたフォトレ
ジスト中の溶剤成分を蒸発させるために、８０〜９０℃
のベーキング炉中で１０〜２０分加熱する。次に、図８
（ｄ）、図９（ａ）の〔マスク合わせ工程〕では、フォ
トレジスト３を塗布した基板１面にフォトマスク４を整
合する。ここで使用するフォトマスク４は、石英ガラス
或いは低膨張ガラスのような熱膨張の影響を受けにくい
ガラスを高精度に研磨し、その表面にクロムの蒸着膜よ
りなる所望のパターンが形成されてなるものである。こ
れにより、クロムの蒸着膜が形成されている領域は光を
透過せず、クロムの蒸着膜が形成されていない領域は光
を透過する。次に、図８（ｅ）、図９（ｂ）の〔露光工
程〕では、マスク合わせが終了した後、ＵＶ照射により
露光を行う。これにより、クロムの蒸着膜が形成されて
いる領域とクロムが形成されていない領域とで照射或い
は非照射となるため、クロムのマスクパターンに応じた
潜像がフォトレジスト中に形成される。次に、図８
（ｆ）、図９（ｃ）の〔現像工程〕では、ネガ型レジス
トにおいて、潜像を顕像化するため、現像液によってＵ
Ｖ光が照射されなかった部分のフォトレジスト３が溶解
される（ただし、ポジ型レジストでは、その逆でＵＶ光
が照射された部分が溶解される）。これにより、基板１
上にはフォトレジストパターン５が形成される。次に、
図８（ｇ）の〔ポストベーク工程〕では、現像後のフォ
トレジストパターン５を次のエッチング工程でのエッチ
ング液に耐えられるように、１３０〜１５０℃のベーキ
ング炉中で３０〜６０分間だけ加熱し、硬化させる。次
に、図８（ｈ）、図９（ｄ）の〔エッチング工程〕で
は、フッ酸とフッ化アンモンの緩衝エッチング液に基板
１を浸し、フォトレジストパターン５によって露出して
いる領域の熱酸化膜２をエッチング除去する。次に、図
８（ｉ）、図９（ｅ）の〔レジスト除去工程〕では、不
要となったフォトレジスト３を除去し、これにより、基
板１上にはフォトレジストパターン５と同一形状の熱酸
化膜２からなるパターン６が形成される。従って、この
パターン６が所望とするパターンということになる。
では、表面に熱酸化膜（ＳｉＯ２）２を約１μｍ形成し
た基板１（シリコンウェハ）を洗浄によって清浄化す
る。次に、図８（ｂ）の〔レジスト塗布工程〕では、ス
ピンコーティング（或いは、ロールコーティング）によ
って、基板１上にフォトレジスト３を０．５〜１．０μ
ｍ塗布する。この場合、基板１とフォトレジスト３のと
密着を良くするために、図示しない密着性向上剤（ＯＡ
Ｐ等）を事前に基板１上に塗布しておく。次に、図８
（ｃ）の〔プリベーク工程〕では、塗布されたフォトレ
ジスト中の溶剤成分を蒸発させるために、８０〜９０℃
のベーキング炉中で１０〜２０分加熱する。次に、図８
（ｄ）、図９（ａ）の〔マスク合わせ工程〕では、フォ
トレジスト３を塗布した基板１面にフォトマスク４を整
合する。ここで使用するフォトマスク４は、石英ガラス
或いは低膨張ガラスのような熱膨張の影響を受けにくい
ガラスを高精度に研磨し、その表面にクロムの蒸着膜よ
りなる所望のパターンが形成されてなるものである。こ
れにより、クロムの蒸着膜が形成されている領域は光を
透過せず、クロムの蒸着膜が形成されていない領域は光
を透過する。次に、図８（ｅ）、図９（ｂ）の〔露光工
程〕では、マスク合わせが終了した後、ＵＶ照射により
露光を行う。これにより、クロムの蒸着膜が形成されて
いる領域とクロムが形成されていない領域とで照射或い
は非照射となるため、クロムのマスクパターンに応じた
潜像がフォトレジスト中に形成される。次に、図８
（ｆ）、図９（ｃ）の〔現像工程〕では、ネガ型レジス
トにおいて、潜像を顕像化するため、現像液によってＵ
Ｖ光が照射されなかった部分のフォトレジスト３が溶解
される（ただし、ポジ型レジストでは、その逆でＵＶ光
が照射された部分が溶解される）。これにより、基板１
上にはフォトレジストパターン５が形成される。次に、
図８（ｇ）の〔ポストベーク工程〕では、現像後のフォ
トレジストパターン５を次のエッチング工程でのエッチ
ング液に耐えられるように、１３０〜１５０℃のベーキ
ング炉中で３０〜６０分間だけ加熱し、硬化させる。次
に、図８（ｈ）、図９（ｄ）の〔エッチング工程〕で
は、フッ酸とフッ化アンモンの緩衝エッチング液に基板
１を浸し、フォトレジストパターン５によって露出して
いる領域の熱酸化膜２をエッチング除去する。次に、図
８（ｉ）、図９（ｅ）の〔レジスト除去工程〕では、不
要となったフォトレジスト３を除去し、これにより、基
板１上にはフォトレジストパターン５と同一形状の熱酸
化膜２からなるパターン６が形成される。従って、この
パターン６が所望とするパターンということになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
半導体製造プロセスのリソグラフィー技術においては、
図８（ａ）〜（ｇ）のレジストプロセス工程と、図８
（ｈ）、（ｉ）のエッチングプロセス工程とよりなる
が、とりわけ、レジスト塗布、露光、現像といった前者
の工程ではプロセス時間が長いという問題を有してい
る。また、このような技術において用いられるフォトマ
スク４は、ガラス基板や透明フィルム上にパターンが形
成されているものであり非常に高価なものとなる。
半導体製造プロセスのリソグラフィー技術においては、
図８（ａ）〜（ｇ）のレジストプロセス工程と、図８
（ｈ）、（ｉ）のエッチングプロセス工程とよりなる
が、とりわけ、レジスト塗布、露光、現像といった前者
の工程ではプロセス時間が長いという問題を有してい
る。また、このような技術において用いられるフォトマ
スク４は、ガラス基板や透明フィルム上にパターンが形
成されているものであり非常に高価なものとなる。
【０００６】
【０００７】
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
コンピュータ画像情報が形成される基板と、この基板を
保持する基板保持手段と、前記基板と相対する位置に配
置され液状物質をφ１０〜１００μｍのノズルから噴射
する噴射ヘッドと、この噴射ヘッドにコンピュータ画像
情報を入力する情報入力手段と、この入力されたコンピ
ュータ画像情報に基づいて前記噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向
に移動させて前記噴射ヘッドから前記液状物質の滴を噴
射させ、前記基板上に前記液状物質のパターン画像を描
くパターン画像形成制御手段と、前記基板上に形成され
た前記液状物質のパターン画像を熱もしくは光によって
硬化させる手段とよりなる。
コンピュータ画像情報が形成される基板と、この基板を
保持する基板保持手段と、前記基板と相対する位置に配
置され液状物質をφ１０〜１００μｍのノズルから噴射
する噴射ヘッドと、この噴射ヘッドにコンピュータ画像
情報を入力する情報入力手段と、この入力されたコンピ
ュータ画像情報に基づいて前記噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向
に移動させて前記噴射ヘッドから前記液状物質の滴を噴
射させ、前記基板上に前記液状物質のパターン画像を描
くパターン画像形成制御手段と、前記基板上に形成され
た前記液状物質のパターン画像を熱もしくは光によって
硬化させる手段とよりなる。
【０００９】従って、従来のような写真製版を行うこと
なく、基板上に物質のパターン画像をダイレクトに形成
でき、プロセスを短時間化することができるとともに一
連のプロセスを同一の形成装置内で実施できるので、低
コストでパターン画像を形成した基板を製作できる。
なく、基板上に物質のパターン画像をダイレクトに形成
でき、プロセスを短時間化することができるとともに一
連のプロセスを同一の形成装置内で実施できるので、低
コストでパターン画像を形成した基板を製作できる。
【００１０】請求項２記載の発明は、コンピュータ画像
情報が形成される基板と、この基板を保持する基板保持
手段と、前記基板と相対する位置に配置され液状物質を
φ１０〜１００μｍのノズルから噴射する噴射ヘッド
と、この噴射ヘッドにコンピュータ画像情報を入力する
情報入力手段と、この入力されたコンピュータ画像情報
に基づいて前記噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移動させて前
記噴射ヘッドから前記液状物質の滴を噴射させ、前記基
板上に前記液状物質のパターン画像を描くパターン画像
形成制御手段と、前記基板上に形成された前記液状物質
のパターン画像を熱もしくは光によって硬化させる手段
と、前記液状物質の硬化後のパターン画像が形成された
基板をエッチング液に浸し前記液状物質の被覆されてい
ない領域を腐食させる非被覆領域腐食手段と、不要にな
った前記液状物質を除去するクリーニング手段とよりな
る。
情報が形成される基板と、この基板を保持する基板保持
手段と、前記基板と相対する位置に配置され液状物質を
φ１０〜１００μｍのノズルから噴射する噴射ヘッド
と、この噴射ヘッドにコンピュータ画像情報を入力する
情報入力手段と、この入力されたコンピュータ画像情報
に基づいて前記噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移動させて前
記噴射ヘッドから前記液状物質の滴を噴射させ、前記基
板上に前記液状物質のパターン画像を描くパターン画像
形成制御手段と、前記基板上に形成された前記液状物質
のパターン画像を熱もしくは光によって硬化させる手段
と、前記液状物質の硬化後のパターン画像が形成された
基板をエッチング液に浸し前記液状物質の被覆されてい
ない領域を腐食させる非被覆領域腐食手段と、不要にな
った前記液状物質を除去するクリーニング手段とよりな
る。
【００１１】従って、フォトマスクを使用するような従
来の写真製版のプロセスを行うことなく、基板上にダイ
レクトにリソグラフィーパターンを形成でき、プロセス
を短時間化、低コスト化が実現できる。
来の写真製版のプロセスを行うことなく、基板上にダイ
レクトにリソグラフィーパターンを形成でき、プロセス
を短時間化、低コスト化が実現できる。
【００１２】請求項３記載の発明は、コンピュータ画像
情報が形成される基板と、この基板を保持する基板保持
手段と、前記基板と相対する位置に配置され液状物質を
φ１０〜１００μｍのノズルから噴射する噴射ヘッド
と、この噴射ヘッドにコンピュータ画像情報を入力する
情報入力手段と、この入力されたコンピュータ画像情報
に基づいて前記噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移動させて前
記噴射ヘッドから前記液状物質の滴を噴射させ、前記基
板上に前記液状物質のパターン画像を描くパターン画像
形成制御手段と、前記基板上に形成された前記液状物質
のパターン画像を熱もしくは光によって硬化させる手段
と、前記液状物質の硬化後のパターン画像が形成された
基板のパターン形成面にドライエッチングを施すドライ
エッチング手段と、不要になった前記液状物質を除去す
るクリーニング手段とよりなる。請求項４記載の発明
は、請求項１、２又は３記載のパターン画像形成装置に
おいて、液状物質の滴の噴射速度は、１５〜２０ｍ／ｓ
であることを特徴とする。
情報が形成される基板と、この基板を保持する基板保持
手段と、前記基板と相対する位置に配置され液状物質を
φ１０〜１００μｍのノズルから噴射する噴射ヘッド
と、この噴射ヘッドにコンピュータ画像情報を入力する
情報入力手段と、この入力されたコンピュータ画像情報
に基づいて前記噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移動させて前
記噴射ヘッドから前記液状物質の滴を噴射させ、前記基
板上に前記液状物質のパターン画像を描くパターン画像
形成制御手段と、前記基板上に形成された前記液状物質
のパターン画像を熱もしくは光によって硬化させる手段
と、前記液状物質の硬化後のパターン画像が形成された
基板のパターン形成面にドライエッチングを施すドライ
エッチング手段と、不要になった前記液状物質を除去す
るクリーニング手段とよりなる。請求項４記載の発明
は、請求項１、２又は３記載のパターン画像形成装置に
おいて、液状物質の滴の噴射速度は、１５〜２０ｍ／ｓ
であることを特徴とする。
【００１３】従って、フォトマスクを使用するような従
来の写真製版のプロセスを行うことなく、基板上にダイ
レクトにリソグラフィーパターンを形成でき、プロセス
の短時間化、低コスト化が実現できるとともに、高精度
なリソグラフィーパターンを形成することができる。
来の写真製版のプロセスを行うことなく、基板上にダイ
レクトにリソグラフィーパターンを形成でき、プロセス
の短時間化、低コスト化が実現できるとともに、高精度
なリソグラフィーパターンを形成することができる。
【００１４】請求項５記載の発明は、基板上にコンピュ
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質の滴が付着後、熱もし
くは光によって硬化せしめられてなることを特徴とする
画像形成された基板の製造方法である。
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質の滴が付着後、熱もし
くは光によって硬化せしめられてなることを特徴とする
画像形成された基板の製造方法である。
【００１５】従って、高精度な画像形成が行え、印刷版
に好適に使用できるものが得られる。
に好適に使用できるものが得られる。
【００１６】請求項６記載の発明は、基板上にコンピュ
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質による前記コンピュー
タ画像を形成した後、該コンピュータ画像に応じた凹凸
を前記基板の表面に形成したことを特徴とする画像形成
された基板の製造方法である。請求項７記載の発明は、
請求項５又は６記載の基板の製造方法において、液状物
質の滴の噴射速度は、１５〜２０ｍ／ｓであることを特
徴とする。
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質による前記コンピュー
タ画像を形成した後、該コンピュータ画像に応じた凹凸
を前記基板の表面に形成したことを特徴とする画像形成
された基板の製造方法である。請求項７記載の発明は、
請求項５又は６記載の基板の製造方法において、液状物
質の滴の噴射速度は、１５〜２０ｍ／ｓであることを特
徴とする。
【００１７】従って、高精度な画像が形成されると共に
基板表面に直接凹凸を形成したものであるため、印刷版
に使用する場合に耐久性が高い。
基板表面に直接凹凸を形成したものであるため、印刷版
に使用する場合に耐久性が高い。
【００１８】請求項８記載の発明は、基板上にコンピュ
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質の滴を付着させた後、
熱もしくは光によって硬化させることを特徴とする基板
への画像形成方法である。
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質の滴を付着させた後、
熱もしくは光によって硬化させることを特徴とする基板
への画像形成方法である。
【００１９】従って、フォトマスクを使用するような従
来の写真製版のプロセスを行うことなく、基板上にダイ
レクトにリソグラフィーパターンを形成でき、プロセス
の短時間化、低コスト化が実現できるとともに、高精度
な画像形成が行え、印刷版に好適に使用できるものが得
られる。
来の写真製版のプロセスを行うことなく、基板上にダイ
レクトにリソグラフィーパターンを形成でき、プロセス
の短時間化、低コスト化が実現できるとともに、高精度
な画像形成が行え、印刷版に好適に使用できるものが得
られる。
【００２０】請求項９記載の発明は、基板上にコンピュ
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質による前記コンピュー
タ画像を形成し、該コンピュータ画像を熱もしくは光に
よって硬化させた後、該コンピュータ画像に応じた凹凸
を前記基板の表面にエッチングにより形成するととも
に、不要な前記液状物質をクリーニング除去することを
特徴とする基板への画像形成方法である。請求項１０記
載の発明は、請求項８又は９記載の基板への画像形成方
法において、液状物質の滴の噴射速度は、１５〜２０ｍ
／ｓであることを特徴とする。
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質による前記コンピュー
タ画像を形成し、該コンピュータ画像を熱もしくは光に
よって硬化させた後、該コンピュータ画像に応じた凹凸
を前記基板の表面にエッチングにより形成するととも
に、不要な前記液状物質をクリーニング除去することを
特徴とする基板への画像形成方法である。請求項１０記
載の発明は、請求項８又は９記載の基板への画像形成方
法において、液状物質の滴の噴射速度は、１５〜２０ｍ
／ｓであることを特徴とする。
【００２１】従って、フォトマスクを使用するような従
来の写真製版のプロセスを行うことなく、基板表面にダ
イレクトに凹凸パターンを形成でき、プロセスの短時間
化、低コスト化が実現できるとともに、非常に高精度な
画像形成が行え、さらに直接凹凸を形成したものである
ため、印刷版に使用する場合に耐久性が高いものが得ら
れる。
来の写真製版のプロセスを行うことなく、基板表面にダ
イレクトに凹凸パターンを形成でき、プロセスの短時間
化、低コスト化が実現できるとともに、非常に高精度な
画像形成が行え、さらに直接凹凸を形成したものである
ため、印刷版に使用する場合に耐久性が高いものが得ら
れる。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図１〜図
４に基づいて説明する。まず、パターン画像形成装置の
全体構成を図１に基づいて述べる。基板保持手段として
の基板保持台７上には、パターン画像が形成される基板
８が設けられている。また、基板保持台７上のアーム９
にはキャリッジ１０が取付けられ、このキャリッジ１０
には噴射ヘッド１１が固定されている。キャリッジ１０
は、Ｘ方向スキャンモータ１２と、Ｙ方向スキャンモー
タ１３とによりＸ、Ｙ方向に移動できるようになってい
る。また、基板保持台７の下部には、噴射ヘッドシステ
ムコントロールボックス１４が配置されている。この噴
射ヘッドシステムコントロールボックス１４は、入力さ
れたパターン画像情報に基づいて噴射ヘッド１１から液
状物質としての液状樹脂２３を噴射させ基板８上に樹脂
のパターン画像を描くパターン画像形成制御手段を備え
ている。この噴射ヘッドシステムコントロールボックス
１４と噴射ヘッド１１との間には、液状樹脂供給チュー
ブ１５と、信号供給ケーブル１６とが接続されている。
さらに、噴射ヘッドシステムコントロールボックス１４
は、コントロールボックス１７を介して、情報入力手段
としてのコンピュータ１８と接続されている。
４に基づいて説明する。まず、パターン画像形成装置の
全体構成を図１に基づいて述べる。基板保持手段として
の基板保持台７上には、パターン画像が形成される基板
８が設けられている。また、基板保持台７上のアーム９
にはキャリッジ１０が取付けられ、このキャリッジ１０
には噴射ヘッド１１が固定されている。キャリッジ１０
は、Ｘ方向スキャンモータ１２と、Ｙ方向スキャンモー
タ１３とによりＸ、Ｙ方向に移動できるようになってい
る。また、基板保持台７の下部には、噴射ヘッドシステ
ムコントロールボックス１４が配置されている。この噴
射ヘッドシステムコントロールボックス１４は、入力さ
れたパターン画像情報に基づいて噴射ヘッド１１から液
状物質としての液状樹脂２３を噴射させ基板８上に樹脂
のパターン画像を描くパターン画像形成制御手段を備え
ている。この噴射ヘッドシステムコントロールボックス
１４と噴射ヘッド１１との間には、液状樹脂供給チュー
ブ１５と、信号供給ケーブル１６とが接続されている。
さらに、噴射ヘッドシステムコントロールボックス１４
は、コントロールボックス１７を介して、情報入力手段
としてのコンピュータ１８と接続されている。
【００２３】図２は、噴射ヘッド１１の構成を示すもの
である。この噴射ヘッド１１は、噴出口としてのノズル
１９と、このノズル１９に連通する流路としての液室２
０と、この液室２０の一部に形成され内部容積を変化さ
せるエネルギー作用部２１と、前記液室２０に樹脂供給
路２２を介して液状樹脂２３を供給する液状樹脂供給手
段としてのタンク２４とからなっている。前記エネルギ
ー作用部２１は、液室２０の後面に形成された金属ダイ
ヤフラム２１ａと、この金属ダイヤフラム２１ａに貼り
合わされた圧電素子（ピエゾ電気結晶）２１ｂとよりな
っている。また、液状樹脂２３の材料としては、感光性
レジストが用いられる。
である。この噴射ヘッド１１は、噴出口としてのノズル
１９と、このノズル１９に連通する流路としての液室２
０と、この液室２０の一部に形成され内部容積を変化さ
せるエネルギー作用部２１と、前記液室２０に樹脂供給
路２２を介して液状樹脂２３を供給する液状樹脂供給手
段としてのタンク２４とからなっている。前記エネルギ
ー作用部２１は、液室２０の後面に形成された金属ダイ
ヤフラム２１ａと、この金属ダイヤフラム２１ａに貼り
合わされた圧電素子（ピエゾ電気結晶）２１ｂとよりな
っている。また、液状樹脂２３の材料としては、感光性
レジストが用いられる。
【００２４】このような噴射ヘッド１１を用いて、適当
な電圧インパルスを印加すると、圧電素子２１ｂが駆動
し金属ダイヤフラム２１ａに曲げモーメントが作用して
変形し、液室２０内の容積が縮小して室内の圧力が上昇
し、これにより液状樹脂２３はノズル１９より外部に噴
出する。この場合、液室２０内の液状樹脂２３の速度は
１０ｍ／ｓ程度であり、印加する電圧インパルスの零へ
の減少は比較的緩慢の方がよい。ノズル１９の直径とし
ては、形成するパターンの細かさにも依存するが、通
常、φ１０〜１００μｍ程度のものが用いられる。ま
た、液状樹脂２３に用いられる感光性レジストの粘度は
数ｃｐであり、一般のスピンコーティングの場合の粘度
よりも低く設定されている。
な電圧インパルスを印加すると、圧電素子２１ｂが駆動
し金属ダイヤフラム２１ａに曲げモーメントが作用して
変形し、液室２０内の容積が縮小して室内の圧力が上昇
し、これにより液状樹脂２３はノズル１９より外部に噴
出する。この場合、液室２０内の液状樹脂２３の速度は
１０ｍ／ｓ程度であり、印加する電圧インパルスの零へ
の減少は比較的緩慢の方がよい。ノズル１９の直径とし
ては、形成するパターンの細かさにも依存するが、通
常、φ１０〜１００μｍ程度のものが用いられる。ま
た、液状樹脂２３に用いられる感光性レジストの粘度は
数ｃｐであり、一般のスピンコーティングの場合の粘度
よりも低く設定されている。
【００２５】このように構成されたパターン画像形成装
置を用いて、例えば、以下に述べるようなプロセスに従
って基板８上に画像パターンの形成を行う。まず最初
に、コンピュータ１８を用い、コンピュータグラフィッ
クスを駆使して、所望とする画像パターンをデザインす
る。第二番目に、基板８を前処理（洗浄）して乾燥させ
た後、基板保持台７にセットする。第三番目に、噴射ヘ
ッド１１を起動し、コンピュータグラフィックスのパタ
ーンに応じてその噴射ヘッド１１から液状樹脂２３を基
板８上に噴射しながらＸ、Ｙ方向に移動し、レジストパ
ターンを形成する。第四番目に、ポストベーキングを行
う。第五番目に、基板８上のエッチング処理を行う。第
六番目に、レジスト処理を行う（なお、エッチング処
理、レジスト処理については後述する中で詳細に述べ
る）。このような一連のプロセスによって、基板８上に
はコンピュータグラフィックスでデザインしたパターン
のリソグラフが完成することになる。
置を用いて、例えば、以下に述べるようなプロセスに従
って基板８上に画像パターンの形成を行う。まず最初
に、コンピュータ１８を用い、コンピュータグラフィッ
クスを駆使して、所望とする画像パターンをデザインす
る。第二番目に、基板８を前処理（洗浄）して乾燥させ
た後、基板保持台７にセットする。第三番目に、噴射ヘ
ッド１１を起動し、コンピュータグラフィックスのパタ
ーンに応じてその噴射ヘッド１１から液状樹脂２３を基
板８上に噴射しながらＸ、Ｙ方向に移動し、レジストパ
ターンを形成する。第四番目に、ポストベーキングを行
う。第五番目に、基板８上のエッチング処理を行う。第
六番目に、レジスト処理を行う（なお、エッチング処
理、レジスト処理については後述する中で詳細に述べ
る）。このような一連のプロセスによって、基板８上に
はコンピュータグラフィックスでデザインしたパターン
のリソグラフが完成することになる。
【００２６】また、本装置内の噴射ヘッドシステムコン
トロールボックス１４は、前述したパターン画像形成制
御手段の他に、ドット打込み制御手段を備えている。こ
のドット打込み制御手段とは、基板８上に描かれるパタ
ーン画像をドットにより形成し、かつ、これら上下、左
右、斜めの隣接ドット間において被画像領域が生じない
ように互いに重なり合うようにドットを打込む動作処理
のことをいう。そこで、今、そのドット打込み制御手段
の具体的な動作例を図３（ａ）〜（ｃ）に基づいて述べ
る。まず、（ａ）に示すような矩形状の樹脂のパターン
領域２５を形成する際に、（ｂ）に示すようなドットパ
ターン２６の形成の仕方を行うと、斜め方向において非
被覆領域ができ、後のエッチング工程においてその領域
がエッチング除去されるという不具合が生じる。このよ
うなことから、（ｃ）に示したように、上下、左右、斜
め方向のドットが重なり合うようにドットパターン２７
を打ち込む必要がある。このように処理することによ
り、パターン領域２５は完全に樹脂によって被覆され、
耐エッチングマスクとしての機能を十分に果たすことが
できる。
トロールボックス１４は、前述したパターン画像形成制
御手段の他に、ドット打込み制御手段を備えている。こ
のドット打込み制御手段とは、基板８上に描かれるパタ
ーン画像をドットにより形成し、かつ、これら上下、左
右、斜めの隣接ドット間において被画像領域が生じない
ように互いに重なり合うようにドットを打込む動作処理
のことをいう。そこで、今、そのドット打込み制御手段
の具体的な動作例を図３（ａ）〜（ｃ）に基づいて述べ
る。まず、（ａ）に示すような矩形状の樹脂のパターン
領域２５を形成する際に、（ｂ）に示すようなドットパ
ターン２６の形成の仕方を行うと、斜め方向において非
被覆領域ができ、後のエッチング工程においてその領域
がエッチング除去されるという不具合が生じる。このよ
うなことから、（ｃ）に示したように、上下、左右、斜
め方向のドットが重なり合うようにドットパターン２７
を打ち込む必要がある。このように処理することによ
り、パターン領域２５は完全に樹脂によって被覆され、
耐エッチングマスクとしての機能を十分に果たすことが
できる。
【００２７】次に、前述した噴射ヘッド１１の他の構成
例を図４に基づいて説明する。ここでの噴射ヘッド１１
は、荷電制御型或いは連続流型と呼ばれているインクジ
ェット装置として知られているものであり、液状樹脂２
３を噴射し、所望の樹脂パターンを形成するのに利用す
ることができる。すなわち、図４に示すように、電歪振
動子２８の振動により噴射された液状樹脂２３は、荷電
電極２９を通過して偏向電極３０によりその進行方向が
偏向され、基板８の面上に照射される。また、液状樹脂
２３は液状樹脂タンク３１に回収され、加圧ポンプ３２
により再び噴射ヘッド１１に送られ循環されている。液
状樹脂２３は荷電粒子とされているが、具体的にはポリ
アニリンを５〜１０％添加することにより導電性を付与
することができる。この場合、図２に示した噴射ヘッド
１１との違いは、加圧ポンプを使用して噴射を行うた
め、ドロップ形成頻度が高く高速なパターン形成ができ
る点である。また、噴射ドロップの飛翔速度も速い（１
５〜２０ｍ／ｓ）ため、安定したドロップ噴射を行うこ
とができる。
例を図４に基づいて説明する。ここでの噴射ヘッド１１
は、荷電制御型或いは連続流型と呼ばれているインクジ
ェット装置として知られているものであり、液状樹脂２
３を噴射し、所望の樹脂パターンを形成するのに利用す
ることができる。すなわち、図４に示すように、電歪振
動子２８の振動により噴射された液状樹脂２３は、荷電
電極２９を通過して偏向電極３０によりその進行方向が
偏向され、基板８の面上に照射される。また、液状樹脂
２３は液状樹脂タンク３１に回収され、加圧ポンプ３２
により再び噴射ヘッド１１に送られ循環されている。液
状樹脂２３は荷電粒子とされているが、具体的にはポリ
アニリンを５〜１０％添加することにより導電性を付与
することができる。この場合、図２に示した噴射ヘッド
１１との違いは、加圧ポンプを使用して噴射を行うた
め、ドロップ形成頻度が高く高速なパターン形成ができ
る点である。また、噴射ドロップの飛翔速度も速い（１
５〜２０ｍ／ｓ）ため、安定したドロップ噴射を行うこ
とができる。
【００２８】なお、液状樹脂２３は、感光性レジストに
限るものではなく、この他の材料として光や熱により硬
化する材料、例えば、ＵＶ硬化型エポキシ系接着剤、Ｕ
Ｖ硬化反応開始剤を入れたメタアクリル酸樹脂などを数
ｃｐの低粘度にした材料、噴射してパターン形成後に加
熱し硬化させる高分子アクリル溶液からなる材料等を使
用することができる。この場合、液状樹脂２３が光に反
応するものの場合、樹脂供給路２２は外界からの光を遮
断する必要がある。このようなことから、樹脂供給路２
２を不透明な材料にしたり、フォトレレジスト等が感光
しない黄色の透明チューブにしたり、噴射システム全体
を感光しない安全光のイエロールームに設置したりす
る。
限るものではなく、この他の材料として光や熱により硬
化する材料、例えば、ＵＶ硬化型エポキシ系接着剤、Ｕ
Ｖ硬化反応開始剤を入れたメタアクリル酸樹脂などを数
ｃｐの低粘度にした材料、噴射してパターン形成後に加
熱し硬化させる高分子アクリル溶液からなる材料等を使
用することができる。この場合、液状樹脂２３が光に反
応するものの場合、樹脂供給路２２は外界からの光を遮
断する必要がある。このようなことから、樹脂供給路２
２を不透明な材料にしたり、フォトレレジスト等が感光
しない黄色の透明チューブにしたり、噴射システム全体
を感光しない安全光のイエロールームに設置したりす
る。
【００２９】次に、本発明の他の実施の形態を図５〜図
７に基づいて説明する。本実施の形態では、前述した図
１のパターン画像形成装置を用いて、実際に画像パター
ンを形成する工程について述べたものである。すなわ
ち、まず、パターン画像形成工程により基板８上に液状
樹脂２３を噴射し所望のパターン画像を形成し、パター
ン画像硬化工程によりその形成されたパターン画像を硬
化させ、非被覆領域腐食工程によりその硬化されたパタ
ーン画像を有する基板８をエッチング液に浸し液状樹脂
２３の被覆されていない領域を非被覆領域腐食手段によ
り腐食させ、液状樹脂除去工程により不要になった液状
樹脂２３をクリーニング手段により除去するようにし
た。また、このような一連の工程の他に、以下に述べる
ような各種一連の工程を設けた。
７に基づいて説明する。本実施の形態では、前述した図
１のパターン画像形成装置を用いて、実際に画像パター
ンを形成する工程について述べたものである。すなわ
ち、まず、パターン画像形成工程により基板８上に液状
樹脂２３を噴射し所望のパターン画像を形成し、パター
ン画像硬化工程によりその形成されたパターン画像を硬
化させ、非被覆領域腐食工程によりその硬化されたパタ
ーン画像を有する基板８をエッチング液に浸し液状樹脂
２３の被覆されていない領域を非被覆領域腐食手段によ
り腐食させ、液状樹脂除去工程により不要になった液状
樹脂２３をクリーニング手段により除去するようにし
た。また、このような一連の工程の他に、以下に述べる
ような各種一連の工程を設けた。
【００３０】パターン画像形成工程により基板８上に液
状樹脂２３を噴射し所望のパターン画像を形成し、パタ
ーン画像硬化工程によりその形成されたパターン画像を
硬化させ、ドライエッチング工程によりその硬化された
パターン画像を有する基板８のパターン形成面にドライ
エッチング手段によりドライエッチングを施し、液状樹
脂除去工程により不要になった液状樹脂２３を除去する
ようにした。
状樹脂２３を噴射し所望のパターン画像を形成し、パタ
ーン画像硬化工程によりその形成されたパターン画像を
硬化させ、ドライエッチング工程によりその硬化された
パターン画像を有する基板８のパターン形成面にドライ
エッチング手段によりドライエッチングを施し、液状樹
脂除去工程により不要になった液状樹脂２３を除去する
ようにした。
【００３１】パターン画像形成工程により薄い基板８の
片面に液状樹脂２３を噴射し所望のパターンを形成し、
パターン画像硬化工程によりその形成されたパターン画
像を硬化させ、保護膜形成工程により基板８の裏面に保
護膜を形成し、非被覆領域腐食工程によりその保護膜及
びパターン画像を有する基板８をエッチング液に浸し液
状樹脂２３の被覆されていない領域をその基板底面まで
腐食させ、液状樹脂保護膜除去工程により不要になった
液状樹脂２３及び保護膜を除去するようにした。
片面に液状樹脂２３を噴射し所望のパターンを形成し、
パターン画像硬化工程によりその形成されたパターン画
像を硬化させ、保護膜形成工程により基板８の裏面に保
護膜を形成し、非被覆領域腐食工程によりその保護膜及
びパターン画像を有する基板８をエッチング液に浸し液
状樹脂２３の被覆されていない領域をその基板底面まで
腐食させ、液状樹脂保護膜除去工程により不要になった
液状樹脂２３及び保護膜を除去するようにした。
【００３２】鏡像パターン画像形成工程により薄い基板
８の表裏両面に液状樹脂２３を噴射しそれら表裏面で鏡
像関係となるパターン画像を形成し、パターン画像硬化
工程によりその形成されたパターン画像を硬化させ、両
面非被覆領域腐食貫通工程によりその表裏面に硬化され
たパターン画像を有する基板８をエッチング液に浸しそ
の基板８の表裏両面から腐食を行い両面間を貫通させ、
液状樹脂除去工程により不要になった液状樹脂２３を除
去するようにした。
８の表裏両面に液状樹脂２３を噴射しそれら表裏面で鏡
像関係となるパターン画像を形成し、パターン画像硬化
工程によりその形成されたパターン画像を硬化させ、両
面非被覆領域腐食貫通工程によりその表裏面に硬化され
たパターン画像を有する基板８をエッチング液に浸しそ
の基板８の表裏両面から腐食を行い両面間を貫通させ、
液状樹脂除去工程により不要になった液状樹脂２３を除
去するようにした。
【００３３】パターン画像形成工程により基板８上に液
状樹脂２３を噴射し所望のパターン画像を形成し、パタ
ーン画像硬化工程によりその形成されたパターン画像を
硬化させ、薄膜形成工程によりその硬化されたパターン
画像の形成された面に薄膜を形成し、薄膜除去工程によ
り前記パターン画像上の薄膜を除去するようにした。
状樹脂２３を噴射し所望のパターン画像を形成し、パタ
ーン画像硬化工程によりその形成されたパターン画像を
硬化させ、薄膜形成工程によりその硬化されたパターン
画像の形成された面に薄膜を形成し、薄膜除去工程によ
り前記パターン画像上の薄膜を除去するようにした。
【００３４】パターン画像形成工程により基板８上に液
状樹脂２３を噴射し所望のパターン画像を形成し、パタ
ーン画像硬化工程によりその形成されたパターン画像を
硬化させ、金属析出工程により基板８を陰極としメッキ
によってパターン画像の被覆の有無に応じて選択的に金
属を基板８上に析出させ、膜状析出物分離工程によりメ
ッキ析出された膜状析出物を基板８から分離させるよう
にした。
状樹脂２３を噴射し所望のパターン画像を形成し、パタ
ーン画像硬化工程によりその形成されたパターン画像を
硬化させ、金属析出工程により基板８を陰極としメッキ
によってパターン画像の被覆の有無に応じて選択的に金
属を基板８上に析出させ、膜状析出物分離工程によりメ
ッキ析出された膜状析出物を基板８から分離させるよう
にした。
【００３５】そこで、以下、上述したような各種一連の
工程をもとに、画像パターンの形成工程中での特徴ある
工程を例に挙げて説明する。まず、第一の具体例とし
て、樹脂パターンを形成した後のエッチング方法を図５
（ａ）〜（ｃ）に基づいて述べる。（ａ）は、基板８上
に樹脂パターン３３を形成した後、ベーキングを行い、
その樹脂パターン３３を硬化させた工程を示している。
なお、基板８の裏面には後に行うエッチングにより浸食
されないようにするために保護膜３４が設けられてい
る。この保護膜３４としては、パターン形成に使用した
ものと同じ樹脂を使用することができる。次に、（ｂ）
は、樹脂パターン３３を有する基板８をエッチング液３
５に浸し、エッチングを行う工程を示している。エッチ
ング液３５としては、エッチング除去する材料により異
なるが、例えば、ＳｉＯ2を除去するにはフッ酸とフッ
化アンモンの緩衝エッチ液を使用し、Ａｌを除去するに
はリン酸を用いる。また、基板８が銅であるような場
合、或いは、プリント基板の配線パターンを形成するよ
うな場合（銅のパターン）は、塩化第２鉄水溶液などを
用いる。なお、ここでは、エッチングとして、湿式ケミ
カルエッチングの例を示しているが、エッチングを除去
する材料によっては、プラズマドライエッチングも有効
に用いることができる。一例として、Ｓｉウェハ上にス
パッタリング等によって薄膜形成されたＴａ2Ｎ 或いは
Ｔａなどは、プラズマドライエッチングによりアンダー
カットがなく高精度にしかも短時間（数１０秒〜数分）
でエッチング除去でき、これによりパターン形成が行わ
れる。次に、（ｃ）は、エッチングが終了し、不要にな
った樹脂パターン３３及び保護膜３４を除去してリソグ
ラフィーが終了した工程を示している。これにより、基
板８上にコンピュータグラフィックスで作製したパター
ンに応じた凹凸のパターン形成を行うことができる。
工程をもとに、画像パターンの形成工程中での特徴ある
工程を例に挙げて説明する。まず、第一の具体例とし
て、樹脂パターンを形成した後のエッチング方法を図５
（ａ）〜（ｃ）に基づいて述べる。（ａ）は、基板８上
に樹脂パターン３３を形成した後、ベーキングを行い、
その樹脂パターン３３を硬化させた工程を示している。
なお、基板８の裏面には後に行うエッチングにより浸食
されないようにするために保護膜３４が設けられてい
る。この保護膜３４としては、パターン形成に使用した
ものと同じ樹脂を使用することができる。次に、（ｂ）
は、樹脂パターン３３を有する基板８をエッチング液３
５に浸し、エッチングを行う工程を示している。エッチ
ング液３５としては、エッチング除去する材料により異
なるが、例えば、ＳｉＯ2を除去するにはフッ酸とフッ
化アンモンの緩衝エッチ液を使用し、Ａｌを除去するに
はリン酸を用いる。また、基板８が銅であるような場
合、或いは、プリント基板の配線パターンを形成するよ
うな場合（銅のパターン）は、塩化第２鉄水溶液などを
用いる。なお、ここでは、エッチングとして、湿式ケミ
カルエッチングの例を示しているが、エッチングを除去
する材料によっては、プラズマドライエッチングも有効
に用いることができる。一例として、Ｓｉウェハ上にス
パッタリング等によって薄膜形成されたＴａ2Ｎ 或いは
Ｔａなどは、プラズマドライエッチングによりアンダー
カットがなく高精度にしかも短時間（数１０秒〜数分）
でエッチング除去でき、これによりパターン形成が行わ
れる。次に、（ｃ）は、エッチングが終了し、不要にな
った樹脂パターン３３及び保護膜３４を除去してリソグ
ラフィーが終了した工程を示している。これにより、基
板８上にコンピュータグラフィックスで作製したパター
ンに応じた凹凸のパターン形成を行うことができる。
【００３６】この具体例では、エッチング除去する量を
少なくし、基板８の表面に凹凸のパターンを形成する場
合について述べたが、この他に、エッチング時間を長く
し、エッチングを基板８の底まで進行させることによ
り、樹脂パターン３３のなかった領域が下まで貫通する
ことになり、いわゆるケミカルブランキング（化学打ち
抜き）と呼ばれる方法を提供することもできる。本実施
の形態をそのケミカルブランキングに応用した場合、コ
ンピュータグラフィックスで所望の形状のパターンを形
成し、基板８上に樹脂パターン３３を描き、その後、エ
ッチングすることにより容易に複雑な形状の部品をフォ
トマスクを用いることなく容易に製作することができ
る。また、機械的な方法で製作するのではなく、化学的
な腐食法によって製作するので、加工、歪、部品の変形
とかが生じなく、高精度の部品を安価に製作することが
できる。
少なくし、基板８の表面に凹凸のパターンを形成する場
合について述べたが、この他に、エッチング時間を長く
し、エッチングを基板８の底まで進行させることによ
り、樹脂パターン３３のなかった領域が下まで貫通する
ことになり、いわゆるケミカルブランキング（化学打ち
抜き）と呼ばれる方法を提供することもできる。本実施
の形態をそのケミカルブランキングに応用した場合、コ
ンピュータグラフィックスで所望の形状のパターンを形
成し、基板８上に樹脂パターン３３を描き、その後、エ
ッチングすることにより容易に複雑な形状の部品をフォ
トマスクを用いることなく容易に製作することができ
る。また、機械的な方法で製作するのではなく、化学的
な腐食法によって製作するので、加工、歪、部品の変形
とかが生じなく、高精度の部品を安価に製作することが
できる。
【００３７】次に、第二の具体例として、前述したケミ
カルブランキングの例、すなわち、基板８の表裏両面に
互いに鏡像関係となるように樹脂パターン３３を形成
し、その両面から同時にエッチングを行う方法を図６
（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明する。まず、（ａ）は、
基板８の表裏両面に樹脂パターン３３を形成した後、べ
ーキンングを行い、その樹脂パターン３３を硬化させた
工程を示している。次に、（ｂ）は、その樹脂パターン
３３の形成された基板８の両面からスプレーエッチング
装置３６のスプレーノズル３７からエッチング液３８を
吹きかけ、エッチングを行っている工程を示す。次に、
（ｃ）は、エッチングが終了した後に、樹脂除去剤３９
（例えば、フォトレジストを樹脂材として使用した場合
には専用のストリッパーがある）につけて、不要な樹脂
を除去して部品製作が終了した工程を示す。このように
基板８の両面からエッチングをして、ケミカルブランキ
ングを行う方法は、片側からエッチングを行う方法に比
べて、精度の高い部品を製作でき、また、比較的厚い基
板８を使用することができるため、強度的にも強い部品
製作を行うことができる。
カルブランキングの例、すなわち、基板８の表裏両面に
互いに鏡像関係となるように樹脂パターン３３を形成
し、その両面から同時にエッチングを行う方法を図６
（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明する。まず、（ａ）は、
基板８の表裏両面に樹脂パターン３３を形成した後、べ
ーキンングを行い、その樹脂パターン３３を硬化させた
工程を示している。次に、（ｂ）は、その樹脂パターン
３３の形成された基板８の両面からスプレーエッチング
装置３６のスプレーノズル３７からエッチング液３８を
吹きかけ、エッチングを行っている工程を示す。次に、
（ｃ）は、エッチングが終了した後に、樹脂除去剤３９
（例えば、フォトレジストを樹脂材として使用した場合
には専用のストリッパーがある）につけて、不要な樹脂
を除去して部品製作が終了した工程を示す。このように
基板８の両面からエッチングをして、ケミカルブランキ
ングを行う方法は、片側からエッチングを行う方法に比
べて、精度の高い部品を製作でき、また、比較的厚い基
板８を使用することができるため、強度的にも強い部品
製作を行うことができる。
【００３８】次に、第三の具体例として、基板８上に樹
脂パターン３３を形成した後、その基板８上にメッキに
よって金属を析出させてパターンを形成する方法を図７
（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明する。まず、（ａ）は、
基板８上に樹脂パターン３３を形成した後、ベーキング
を行い、その樹脂パターン３３を硬化させた工程を示
す。次に、（ｂ）は、基板８をカソードとし、Ｎｉ板４
１をアノードとしてＮｉメッキ液４０中に浸し、基板８
の樹脂パターン３３の存在しない領域にＮｉメッキ（析
出金属）４２の析出を行っている工程を示す。この場
合、メッキ液としては、スルファミン酸、ニッケル浴な
どを使用することができる。このようにしてＮｉメッキ
４２が析出した後、樹脂パターン３３を除去剤によって
除去することにより、基板８上にＮｉメッキによる所望
のパターンを形成することができる。また、他の方法と
して、（ｃ）に示すように、Ｎｉメッキ４２の析出後、
その析出されたＮｉメッキ４２を基板８から剥離して所
望とする部品の製作を行うことも可能である。
脂パターン３３を形成した後、その基板８上にメッキに
よって金属を析出させてパターンを形成する方法を図７
（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明する。まず、（ａ）は、
基板８上に樹脂パターン３３を形成した後、ベーキング
を行い、その樹脂パターン３３を硬化させた工程を示
す。次に、（ｂ）は、基板８をカソードとし、Ｎｉ板４
１をアノードとしてＮｉメッキ液４０中に浸し、基板８
の樹脂パターン３３の存在しない領域にＮｉメッキ（析
出金属）４２の析出を行っている工程を示す。この場
合、メッキ液としては、スルファミン酸、ニッケル浴な
どを使用することができる。このようにしてＮｉメッキ
４２が析出した後、樹脂パターン３３を除去剤によって
除去することにより、基板８上にＮｉメッキによる所望
のパターンを形成することができる。また、他の方法と
して、（ｃ）に示すように、Ｎｉメッキ４２の析出後、
その析出されたＮｉメッキ４２を基板８から剥離して所
望とする部品の製作を行うことも可能である。
【００３９】なお、この（ａ）〜（ｃ）は、Ｎｉメッキ
４２を用いてパターン形成を行う方法であるが、他の例
として、基板８としてＳｉウェハを用いて樹脂パターン
３３を形成し硬化した後、Ａｌをスパッタリング或いは
蒸着によって堆積させ、その後、樹脂パターン３３のみ
を除去することによって、Ｓｉウェハ上に所望とするＡ
ｌのパターンを形成することができる。このようなパタ
ーンニングの方法は、良好な電極パターンを形成するの
に応用することができる。
４２を用いてパターン形成を行う方法であるが、他の例
として、基板８としてＳｉウェハを用いて樹脂パターン
３３を形成し硬化した後、Ａｌをスパッタリング或いは
蒸着によって堆積させ、その後、樹脂パターン３３のみ
を除去することによって、Ｓｉウェハ上に所望とするＡ
ｌのパターンを形成することができる。このようなパタ
ーンニングの方法は、良好な電極パターンを形成するの
に応用することができる。
【００４０】上述したように、コンピュータグラフィッ
クスの画像情報をもとに、基板８上に直接液状樹脂２３
を吹き付け、パターン形成を行うようにしたことによ
り、従来のように高価なフォトマスクを用いて露光、現
像を行ういわゆるフォトリソグラフィーに比べて、プロ
セスの短縮化を図り、生産コストを削減することができ
る。また、噴射ヘッド１１は基板８に対して非接触な状
態で液状樹脂２３を噴射しパターン形成を行うため、高
精度なパターンを容易に形成することができる。液状樹
脂２３の材料としては、プリント基板等の分野で広く使
用されている感光性レジストを使用しているため、容易
にしかも低コストで手に入れることができる。さらに、
噴射によるパターン形成後の硬化も、ＵＶ光等の照射に
よって容易に硬化させることができる。
クスの画像情報をもとに、基板８上に直接液状樹脂２３
を吹き付け、パターン形成を行うようにしたことによ
り、従来のように高価なフォトマスクを用いて露光、現
像を行ういわゆるフォトリソグラフィーに比べて、プロ
セスの短縮化を図り、生産コストを削減することができ
る。また、噴射ヘッド１１は基板８に対して非接触な状
態で液状樹脂２３を噴射しパターン形成を行うため、高
精度なパターンを容易に形成することができる。液状樹
脂２３の材料としては、プリント基板等の分野で広く使
用されている感光性レジストを使用しているため、容易
にしかも低コストで手に入れることができる。さらに、
噴射によるパターン形成後の硬化も、ＵＶ光等の照射に
よって容易に硬化させることができる。
【００４１】また、本エッチング方法は、フォトマスク
を使用しない、新規なリソグラフィー技術、ケミカルブ
ランキング法であることから、基板８上に所望のリソグ
ラフィーパターンを形成する際のプロセスの短縮化や生
産コストの削減を図ることができると共に、高精度なパ
ターンを形成することができる。
を使用しない、新規なリソグラフィー技術、ケミカルブ
ランキング法であることから、基板８上に所望のリソグ
ラフィーパターンを形成する際のプロセスの短縮化や生
産コストの削減を図ることができると共に、高精度なパ
ターンを形成することができる。
【００４２】
【００４３】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、コンピュータ画
像情報が形成される基板と、この基板を保持する基板保
持手段と、前記基板と相対する位置に配置され液状物質
をφ１０〜１００μｍのノズルから噴射する噴射ヘッド
と、この噴射ヘッドにコンピュータ画像情報を入力する
情報入力手段と、この入力されたコンピュータ画像情報
に基づいて前記噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移動させて前
記噴射ヘッドから前記液状物質の滴を噴射させ、前記基
板上に前記液状物質のパターン画像を描くパターン画像
形成制御手段と、前記基板上に形成された前記液状物質
のパターン画像を熱もしくは光によって硬化させる手段
とよりなるので、従来のような写真製版を行うことな
く、基板上に前記液状物質のパターン画像をダイレクト
に形成でき、プロセスを短時間化することができるとと
もに一連のプロセスを同一の形成装置内で実施できるの
で、低コストでパターン画像を形成した基板を製作でき
るという効果を有する。
像情報が形成される基板と、この基板を保持する基板保
持手段と、前記基板と相対する位置に配置され液状物質
をφ１０〜１００μｍのノズルから噴射する噴射ヘッド
と、この噴射ヘッドにコンピュータ画像情報を入力する
情報入力手段と、この入力されたコンピュータ画像情報
に基づいて前記噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移動させて前
記噴射ヘッドから前記液状物質の滴を噴射させ、前記基
板上に前記液状物質のパターン画像を描くパターン画像
形成制御手段と、前記基板上に形成された前記液状物質
のパターン画像を熱もしくは光によって硬化させる手段
とよりなるので、従来のような写真製版を行うことな
く、基板上に前記液状物質のパターン画像をダイレクト
に形成でき、プロセスを短時間化することができるとと
もに一連のプロセスを同一の形成装置内で実施できるの
で、低コストでパターン画像を形成した基板を製作でき
るという効果を有する。
【００４４】請求項２記載の発明は、コンピュータ画像
情報が形成される基板と、この基板を保持する基板保持
手段と、前記基板と相対する位置に配置され液状物質を
φ１０〜１００μｍのノズルから噴射する噴射ヘッド
と、この噴射ヘッドにコンピュータ画像情報を入力する
情報入力手段と、この入力されたコンピュータ画像情報
に基づいて前記噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移動させて前
記噴射ヘッドから前記液状物質の滴を噴射させ、前記基
板上に前記液状物質のパターン画像を描くパターン画像
形成制御手段と、前記基板上に形成された前記液状物質
のパターン画像を熱もしくは光によって硬化させる手段
と、前記液状物質の硬化後のパターン画像が形成された
基板をエッチング液に浸し前記液状物質の被覆されてい
ない領域を腐食させる非被覆領域腐食手段と、不要にな
った前記液状物質を除去するクリーニング手段とよりな
るので、フォトマスクを使用するような従来の写真製版
のプロセスを行うことなく、基板上にダイレクトにリソ
グラフィーパターンを形成でき、プロセスの短時間化、
低コスト化が実現できるという効果を有する。
情報が形成される基板と、この基板を保持する基板保持
手段と、前記基板と相対する位置に配置され液状物質を
φ１０〜１００μｍのノズルから噴射する噴射ヘッド
と、この噴射ヘッドにコンピュータ画像情報を入力する
情報入力手段と、この入力されたコンピュータ画像情報
に基づいて前記噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移動させて前
記噴射ヘッドから前記液状物質の滴を噴射させ、前記基
板上に前記液状物質のパターン画像を描くパターン画像
形成制御手段と、前記基板上に形成された前記液状物質
のパターン画像を熱もしくは光によって硬化させる手段
と、前記液状物質の硬化後のパターン画像が形成された
基板をエッチング液に浸し前記液状物質の被覆されてい
ない領域を腐食させる非被覆領域腐食手段と、不要にな
った前記液状物質を除去するクリーニング手段とよりな
るので、フォトマスクを使用するような従来の写真製版
のプロセスを行うことなく、基板上にダイレクトにリソ
グラフィーパターンを形成でき、プロセスの短時間化、
低コスト化が実現できるという効果を有する。
【００４５】請求項３記載の発明は、コンピュータ画像
情報が形成される基板と、この基板を保持する基板保持
手段と、前記基板と相対する位置に配置され液状物質を
φ１０〜１００μｍのノズルから噴射する噴射ヘッド
と、この噴射ヘッドにコンピュータ画像情報を入力する
情報入力手段と、この入力されたコンピュータ画像情報
に基づいて前記噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移動させて前
記噴射ヘッドから前記液状物質の滴を噴射させ、前記基
板上に前記液状物質のパターン画像を描くパターン画像
形成制御手段と、前記基板上に形成された前記液状物質
のパターン画像を熱もしくは光によって硬化させる手段
と、前記液状物質の硬化後のパターン画像が形成された
基板のパターン形成面にドライエッチングを施すドライ
エッチング手段と、不要になった前記液状物質を除去す
るクリーニング手段とよりなるので、フォトマスクを使
用するような従来の写真製版のプロセスを行うことな
く、基板上にダイレクトにリソグラフィーパターンを形
成でき、プロセスの短時間化、低コスト化が実現できる
とともに、高精度なリソグラフィーパターンを形成する
ことができるという効果を有する。
情報が形成される基板と、この基板を保持する基板保持
手段と、前記基板と相対する位置に配置され液状物質を
φ１０〜１００μｍのノズルから噴射する噴射ヘッド
と、この噴射ヘッドにコンピュータ画像情報を入力する
情報入力手段と、この入力されたコンピュータ画像情報
に基づいて前記噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移動させて前
記噴射ヘッドから前記液状物質の滴を噴射させ、前記基
板上に前記液状物質のパターン画像を描くパターン画像
形成制御手段と、前記基板上に形成された前記液状物質
のパターン画像を熱もしくは光によって硬化させる手段
と、前記液状物質の硬化後のパターン画像が形成された
基板のパターン形成面にドライエッチングを施すドライ
エッチング手段と、不要になった前記液状物質を除去す
るクリーニング手段とよりなるので、フォトマスクを使
用するような従来の写真製版のプロセスを行うことな
く、基板上にダイレクトにリソグラフィーパターンを形
成でき、プロセスの短時間化、低コスト化が実現できる
とともに、高精度なリソグラフィーパターンを形成する
ことができるという効果を有する。
【００４６】請求項５記載の発明は、基板上にコンピュ
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質の滴が付着後、熱もし
くは光によって硬化せしめられてなることを特徴とする
画像形成された基板であるので、高精度な画像形成が行
え、印刷版に好適に使用できるものが得られるという効
果を有する。
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質の滴が付着後、熱もし
くは光によって硬化せしめられてなることを特徴とする
画像形成された基板であるので、高精度な画像形成が行
え、印刷版に好適に使用できるものが得られるという効
果を有する。
【００４７】請求項６記載の発明は、基板上にコンピュ
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質による前記コンピュー
タ画像を形成した後、該コンピュータ画像に応じた凹凸
を前記基板の表面に形成したことを特徴とする基板であ
るので、高精度な画像が形成されると共に基板表面に直
接凹凸を形成したものであるため、印刷版に使用する場
合に耐久性が高いという効果を有する。
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質による前記コンピュー
タ画像を形成した後、該コンピュータ画像に応じた凹凸
を前記基板の表面に形成したことを特徴とする基板であ
るので、高精度な画像が形成されると共に基板表面に直
接凹凸を形成したものであるため、印刷版に使用する場
合に耐久性が高いという効果を有する。
【００４８】請求項８記載の発明は、基板上にコンピュ
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質の滴を付着させた後、
熱もしくは光によって硬化させることを特徴とする基板
への画像形成方法であるので、フォトマスクを使用する
ような従来の写真製版のプロセスを行うことなく、基板
上にダイレクトにリソグラフィーパターンを形成でき、
プロセスの短時間化、低コスト化が実現できるととも
に、高精度な画像形成が行え、印刷版に好適に使用でき
るものが得られるという効果を有する。
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質の滴を付着させた後、
熱もしくは光によって硬化させることを特徴とする基板
への画像形成方法であるので、フォトマスクを使用する
ような従来の写真製版のプロセスを行うことなく、基板
上にダイレクトにリソグラフィーパターンを形成でき、
プロセスの短時間化、低コスト化が実現できるととも
に、高精度な画像形成が行え、印刷版に好適に使用でき
るものが得られるという効果を有する。
【００４９】請求項９記載の発明は、基板上にコンピュ
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質による前記コンピュー
タ画像を形成し、該コンピュータ画像を熱もしくは光に
よって硬化させた後、該コンピュータ画像に応じた凹凸
を前記基板の表面にエッチングにより形成するととも
に、不要な前記液状物質をクリーニング除去することを
特徴とする基板への画像形成方法であるので、フォトマ
スクを使用するような従来の写真製版のプロセスを行う
ことなく、基板表面にダイレクトに凹凸パターンを形成
でき、プロセスの短時間化、低コスト化が実現できると
ともに、非常に高精度な画像形成が行え、さらに直接凹
凸を形成したものであるため、印刷版に使用する場合に
耐久性が高いものが得られるという効果を有する。
ータ画像情報に応じてインクジェットの原理でφ１０〜
１００μｍのノズルから液状物質の滴を噴射する噴射ヘ
ッドをＸ，Ｙ方向に移動させて該噴射ヘッドから液状物
質の滴を噴射せしめ、該液状物質による前記コンピュー
タ画像を形成し、該コンピュータ画像を熱もしくは光に
よって硬化させた後、該コンピュータ画像に応じた凹凸
を前記基板の表面にエッチングにより形成するととも
に、不要な前記液状物質をクリーニング除去することを
特徴とする基板への画像形成方法であるので、フォトマ
スクを使用するような従来の写真製版のプロセスを行う
ことなく、基板表面にダイレクトに凹凸パターンを形成
でき、プロセスの短時間化、低コスト化が実現できると
ともに、非常に高精度な画像形成が行え、さらに直接凹
凸を形成したものであるため、印刷版に使用する場合に
耐久性が高いものが得られるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施の形態であるパターン画像形成
装置の全体構成を示す斜視図である。
装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】噴射ヘッドの構造を示す断面図である。
【図３】樹脂パターンの形成方法を示す模式図である。
【図４】噴射ヘッドの他の構造例を示す分解斜視図であ
る。
る。
【図５】本発明の他の実施の形態である樹脂パターンを
形成した後のエッチング処理を行う第一の具体例を示す
工程図である。
形成した後のエッチング処理を行う第一の具体例を示す
工程図である。
【図６】樹脂パターンを形成した後のエッチング処理を
行う第二の具体例を示す工程図である。
行う第二の具体例を示す工程図である。
【図７】樹脂パターンを形成した後のエッチング処理を
行う第三の具体例を示す工程図である。
行う第三の具体例を示す工程図である。
【図８】従来のエッチング処理の様子を示す工程図であ
る。
る。
【図９】ネガ型レジストの場合のエッチング処理を示す
工程図である。
工程図である。
７ 基板保持手段 ８ 基板 １１ 噴射ヘッド １８ 情報入力手段 ２３ 液状物質
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−27953（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−58792（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−102936（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−109052（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−204138（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−269958（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/00 G03F 7/38 501 H05K 3/06 B41C 1/10 B41F 7/02 G03F 7/00
Claims (10)
- 【請求項１】 コンピュータ画像情報が形成される基板
と、この基板を保持する基板保持手段と、前記基板と相
対する位置に配置され液状物質をφ１０〜１００μｍの
ノズルから噴射する噴射ヘッドと、この噴射ヘッドにコ
ンピュータ画像情報を入力する情報入力手段と、この入
力されたコンピュータ画像情報に基づいて前記噴射ヘッ
ドをＸ，Ｙ方向に移動させて前記噴射ヘッドから前記液
状物質の滴を噴射させ、前記基板上に前記液状物質のパ
ターン画像を描くパターン画像形成制御手段と、前記基
板上に形成された前記液状物質のパターン画像を熱もし
くは光によって硬化させる手段とよりなることを特徴と
するパターン画像形成装置。 - 【請求項２】 コンピュータ画像情報が形成される基板
と、この基板を保持する基板保持手段と、前記基板と相
対する位置に配置され液状物質をφ１０〜１００μｍの
ノズルから噴射する噴射ヘッドと、この噴射ヘッドにコ
ンピュータ画像情報を入力する情報入力手段と、この入
力されたコンピュータ画像情報に基づいて前記噴射ヘッ
ドをＸ，Ｙ方向に移動させて前記噴射ヘッドから前記液
状物質の滴を噴射させ、前記基板上に前記液状物質のパ
ターン画像を描くパターン画像形成制御手段と、前記基
板上に形成された前記液状物質のパターン画像を熱もし
くは光によって硬化させる手段と、前記液状物質の硬化
後のパターン画像が形成された基板をエッチング液に浸
し前記液状物質の被覆されていない領域を腐食させる非
被覆領域腐食手段と、不要になった前記液状物質を除去
するクリーニング手段とよりなることを特徴とするパタ
ーン画像形成装置。 - 【請求項３】 コンピュータ画像情報が形成される基板
と、この基板を保持する基板保持手段と、前記基板と相
対する位置に配置され液状物質をφ１０〜１００μｍの
ノズルから噴射する噴射ヘッドと、この噴射ヘッドにコ
ンピュータ画像情報を入力する情報入力手段と、この入
力されたコンピュータ画像情報に基づいて前記噴射ヘッ
ドをＸ，Ｙ方向に移動させて前記噴射ヘッドから前記液
状物質の滴を噴射させ、前記基板上に前記液状物質のパ
ターン画像を描くパターン画像形成制御手段と、前記基
板上に形成された前記液状物質のパターン画像を熱もし
くは光によって硬化させる手段と、前記液状物質の硬化
後のパターン画像が形成された基板のパターン形成面に
ドライエッチングを施すドライエッチング手段と、不要
になった前記液状物質を除去するクリーニング手段とよ
りなることを特徴とするパターン画像形成装置。 - 【請求項４】 液状物質の滴の噴射速度は、１５〜２０
ｍ／ｓであることを特徴とする請求項１、２又は３記載
のパターン画像形成装置。 - 【請求項５】 基板上にコンピュータ画像情報に応じて
インクジェットの原理でφ１０〜１００μｍのノズルか
ら液状物質の滴を噴射する噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移
動させて該噴射ヘッドから液状物質の滴を噴射せしめ、
該液状物質の滴が付着後、熱もしくは光によって硬化せ
しめられてなることを特徴とする基板の製造方法。 - 【請求項６】 基板上にコンピュータ画像情報に応じて
インクジェットの原理でφ１０〜１００μｍのノズルか
ら液状物質の滴を噴射する噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移
動させて該噴射ヘッドから液状物質の滴を噴射せしめ、
該液状物質による前記コンピュータ画像を形成した後、
該コンピュータ画像に応じた凹凸を前記基板の表面に形
成したことを特徴とする基板の製造方法。 - 【請求項７】 液状物質の滴の噴射速度は、１５〜２０
ｍ／ｓであることを特徴とする請求項５又は６記載の基
板の製造方法。 - 【請求項８】 基板上にコンピュータ画像情報に応じて
インクジェットの原理でφ１０〜１００μｍのノズルか
ら液状物質の滴を噴射する噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移
動させて該噴射ヘッドから液状物質の滴を噴射せしめ、
該液状物質の滴を付着させた後、熱もしくは光によって
硬化させることを特徴とする基板への画像形成方法。 - 【請求項９】 基板上にコンピュータ画像情報に応じて
インクジェットの原理でφ１０〜１００μｍのノズルか
ら液状物質の滴を噴射する噴射ヘッドをＸ，Ｙ方向に移
動させて該噴射ヘッドから液状物質の滴を噴射せしめ、
該液状物質による前記コンピュータ画像を形成し、該コ
ンピュータ画像を熱もしくは光によって硬化させた後、
該コンピュータ画像に応じた凹凸を前記基板の表面にエ
ッチングにより形成するとともに、不要な前記液状物質
をクリーニング除去することを特徴とする基板への画像
形成方法。 - 【請求項１０】 液状物質の滴の噴射速度は、１５〜２
０ｍ／ｓであることを特徴とする請求項８又は９記載の
基板への画像形成 方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32524599A JP3312890B2 (ja) | 1993-05-17 | 1999-11-16 | パターン画像形成装置及び基板の製造方法並びに基板への画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32524599A JP3312890B2 (ja) | 1993-05-17 | 1999-11-16 | パターン画像形成装置及び基板の製造方法並びに基板への画像形成方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11442593A Division JP3245256B2 (ja) | 1993-05-17 | 1993-05-17 | 液状樹脂ドット形成装置及びパターン画像形成装置並びにこれらにより形成される基板及び基板上のドット状もしくはパターン状構造体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001376334A Division JP3762696B2 (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | パターン形成システム及び基板へのパターン形成方法並びに基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000206666A JP2000206666A (ja) | 2000-07-28 |
| JP3312890B2 true JP3312890B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=18174663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32524599A Expired - Lifetime JP3312890B2 (ja) | 1993-05-17 | 1999-11-16 | パターン画像形成装置及び基板の製造方法並びに基板への画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3312890B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4531475B2 (ja) * | 2003-08-15 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
1999
- 1999-11-16 JP JP32524599A patent/JP3312890B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000206666A (ja) | 2000-07-28 |
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