JP3294748B2 - アクティブマトリックス型液晶表示パネル - Google Patents
アクティブマトリックス型液晶表示パネルInfo
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Description
クス型液晶表示パネルに係り、特に、横電界方式と称さ
れるアクティブマトリックス型液晶表示パネルに関す
る。
ックス型液晶表示パネルは、液晶を介して互いに対向配
置される透明基板のうち、その一方または両方の液晶側
の単位画素に相当する領域面に、表示用電極と基準電極
とが備えられ、この表示用電極と基準電極との間に透明
基板面と平行に発生させる電界によって前記液晶を透過
する光を変調させるように構成されたものである。
に対して大きな角度視野から観察しても鮮明な映像を認
識でき、いわゆる広角度視野に優れたものとして知られ
るに至った。
ネルとしては、たとえば特許出願公表平5−50524
7号公報、特公昭63−21907号公報および特開平
6−160878号公報等の文献に詳述されている。
おいても、画素領域のそれぞれは、その隣接する映像信
号線側の辺が走査信号線側の辺よりも大きく形成され
た、いわゆる縦ストライプ構造として知られたものであ
る。
成からなる横電界方式のアクティブマトリックス型液晶
表示パネルは、その表示の際において、いわゆる縦スミ
アが発生しやい構造であることが指摘されるに至った。
らの映像信号による電界が隣接して配置される表示用電
極あるいは基準電極側との間に発生し、本来表示のみに
寄与する表示用電極あるいは基準電極との間の電界とは
別な電界が形成されて発生してしまうもので、表示品質
の向上を妨げる要因となっている。
れたものであり、その目的は、いわゆる縦スミアの発生
を抑制できるアクティブマトリックス型液晶表示パネル
を提供することにある。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
明基板が配置され、その液晶層側の単位画素に相当する
領域に表示用電極と基準電極とが備えられ、x方向に配
列された単位画素群に共通な走査信号線からの走査信号
の供給によってオンされるスイッチング素子を介してy
方向に配列された単位画素群に共通な映像信号線からの
映像信号が供給される前記表示用電極と、x方向に配列
された単位画素群に共通な基準信号線を介して一定電圧
が印加される前記基準電極との間に透明基板面と平行に
発生させる電界によって前記液晶層の光透過率を変化さ
せるアクティブマトリックス型液晶表示パネルにおい
て、前記画素領域のそれぞれは、その隣接する映像信号
線側の辺が走査信号線側の辺よりも小さくなっているこ
とを特徴とするものである。
明基板が配置され、その液晶層側の単位画素に相当する
領域に表示用電極と基準電極とが備えられ、x方向に配
列された単位画素群に共通な走査信号線からの走査信号
の供給によってオンされるスイッチング素子を介してy
方向に配列された単位画素群に共通な映像信号線からの
映像信号が供給される前記表示用電極と、x方向に配列
された単位画素群に共通な基準信号線を介して一定電圧
が印加される前記基準電極との間に透明基板面と平行に
発生させる電界によって前記液晶層の光透過率を変化さ
せるアクティブマトリックス型液晶表示パネルにおい
て、表示用電極および基準電極は、それぞれ映像信号線
と直交する方向に延在された帯状の形状をなすことを特
徴とするものである。
ックス型液晶表示パネルは、それぞれの画素領域が、隣
接する映像信号線側の辺において走査信号線側のそれよ
りも小さくなっているものである。すなわち、従来の縦
ストライブ構造に対して横ストライプ構造としたもので
ある。
各画素領域において、映像信号線からの電界が回り込む
領域は、該画素領域の両脇部となるが、画素領域の全体
からみれば極めて小さな領域となり、縦スミアの発生の
抑制を図ることができるようになる。
マトリックス型液晶表示パネルは、表示用電極および基
準電極をそれぞれ映像信号線と直交する方向に延在され
た帯状の形状とすることによって、映像信号線からの電
界が該表示用電極あるいは基準電極へ終端する際のその
電界の回り込みは、実際の表示に関与する表示用電極と
基準電極との間の電界と直角方向となることから、該電
界の回り込みは実際の表示に悪影響を及ぼさなくなり、
縦スミアの発生の抑制を図ることができるようになる。
トリックス型表示装置の各実施例について説明する。
パネルとその周辺の回路とを示した概略図である。
囲器として透明基板1Aと透明基板1Bとを備え、それ
らの間に液晶層を介在させている。そして、いわゆる下
側基板となる透明基板1Aの液晶層の面には、図中x方
向に延在しかつy方向に並設された走査信号線2および
基準信号線4が形成されている。走査信号線2と基準信
号線4は、ある走査信号線2に対し−y方向に近接して
配置された基準信号線4、この基準信号線2に対し−y
方向に大きく離間して配置された走査信号線2、この走
査信号線2に対し−y方向に近接して配置された基準信
号線4というように、順次配置されている。また、これ
ら信号線2および4と絶縁されて、映像信号線3がy方
向に延在しかつx方向に並設されて形成されている。
映像信号線3とで囲まれた矩形状の領域は画素領域とな
り、これら各画素領域がマトリックス状に配置されて表
示部が構成されるようになっている。そして、各画素領
域内にはそれぞれ表示用電極が形成され、該画素領域の
周辺の一部には薄膜トランジスタTFTおよび蓄積容量
Cstgが配置されている(これらはいずれも図示され
ていないが、後に詳述する)。
回路として垂直走査回路5および映像信号駆動回路6が
備えられ、該垂直走査回路5によって前記走査信号線2
のそれぞれに順次走査信号(電圧)が供給され、そのタ
イミングに合わせて映像信号駆動回路6は映像信号線3
に映像信号(電圧)を供給するようになっている。
回路6は、液晶駆動電源回路7から電源が供給されてい
るとともに、CPU8からの画像情報がコントローラ9
によってそれぞれ表示データおよび制御信号に分けられ
て入力されるようになっている。ここで、表示データ
は、この実施例では画像メモリ410を介して入力され
るようになっているが、この画像メモリ410の機能に
ついては後に詳述する。
も液晶駆動電源回路7から供給されるようになってい
る。なお、本実施例では、基準信号線4に印加される電
圧は、映像信号駆動回路6の耐圧を小さくする目的で交
流電圧を用いている。
つの画素領域(図9中、点線で囲まれた部分に対応す
る)における詳細な構成を示した平面図である。
面図を図2に、III−III線における断面図を図3に、IV
−IV線における断面図を図4に、それぞれ示している。
そのx方向に延在して走査信号線2がたとえばAlで形
成されている。また、この走査信号線2と近接してその
y方向側に基準信号線4がx方向に延在して形成されて
いる。この基準信号線4もたとえばAlで形成されてい
る。ここで、これら走査信号線2と基準信号線4と後述
する映像信号線3とで囲まれた領域によって画素領域が
形成されることは上述した通りである。ここで、この実
施例では、該画素領域は、特に、隣接する映像信号線側
の辺が走査信号線側の辺よりも小さくなって形成され、
いわゆる横ストライプ型となっている。
号線4は、それ自体を基準電極14とするとともに、さ
らに、もう一本の基準電極14が走査信号線2に隣接さ
れて形成されている。これら各基準電極14は、後述す
る映像信号線3のうち一方の映像信号線3(図中右側)
に隣接して配置され、該基準電極14と同時に形成され
る導体層14Aによって互いに電気的な接続が図れたも
のとなっている。
線2と平行な方向に延在され、換言すれば、後述の映像
信号線3と直交する方向に延在された帯状の形状をなす
ように構成されることになる。
透明基板1Aの表面には、該走査信号線2、基準信号線
4、および基準電極14をも被ってたとえばシリコン窒
化膜からなる絶縁膜11(図2、3、4参照)が形成さ
れている。この絶縁膜11は、後述する映像信号線3に
対する走査信号線2および基準信号線4の層間絶縁膜と
して、また、薄膜トランジスタTFTの形成領域に対し
てはゲート酸化膜として、蓄積容量Cstgの形成領域
に対しては誘電体膜として機能するようになっている。
ず、その薄膜トランジスタTFTの形成領域において半
導体層12が形成されている。この半導体層12は、た
とえばアモルファスSiからなり、走査信号線2上にお
いて映像信号線3(図中左側の映像信号線)に近接され
た部分に重畳して形成されている。これにより、走査信
号線2の一部は薄膜トランジスタTFTのゲート電極を
兼ねた構成になっている。
向に延在して隣接配置される映像信号線3が、たとえば
CrとAlとの順次積層体によって形成されている。こ
の映像信号線3はその一部が延在されて前記半導体層1
2の表面の一部に形成されたドレイン電極3Aが一体と
なって形成されている。
面には表示用電極15が形成されている。この表示用電
極15は該画素領域をたとえば2分割するように形成さ
れている。すなわち、表示用電極15の一端は薄膜トラ
ンジスタTFTのソース電極15Aと一体に形成され、
図中+y方向に延在された後に、+x方向に延在されて
いる。これにより、表示用電極15は、走査信号線2と
平行な方向に延在され、換言すれば、映像信号線3と直
交する方向に延在された帯状の形状をなすように構成さ
れることになる。
記各基準電極14を互いに接続させる導電層14A上に
沿って延在されたT字状の形状をなす部分を備え、この
部分は誘電体膜としての前記絶縁膜11を備える蓄積容
量Cstgを構成している。この蓄積容量Cstgは、
それによってたとえば薄膜トランジスタTFTがオフし
た際に表示用電極15に映像情報を長く蓄積させるとい
う効果を奏するようになっている。
ドレイン電極3Aおよびソース電極15Aと半導体層1
1の界面にはリン(P)がドープされて高濃度層となっ
ており、これにより前記各電極におけるオーミックコン
タクトを図っている。この場合、半導体層11の表面の
全域に前記高濃度層を形成した後、前記各電極を形成
し、これら電極をマスクとして該電極形成領域以外の高
濃度層をエッチングすることにより上記の構成とするこ
とができる。
T、映像信号線3、および蓄積容量Cstgが形成され
た絶縁膜11の上面には、該薄膜トランジスタTFT等
を被って、たとえばシリコン窒化膜からなる保護膜16
(図2、3、4参照)が形成され、この保護膜16の上
面には配向膜17が形成されて、液晶表示パネル1のい
わゆる下側基板を構成している。なお、この下側基板の
液晶側と反対側の面には、偏光板18が配置されてい
る。
1Bの液晶側の部分には、図1の破線で示すように、遮
光膜300が画素領域の周辺部を除く中央部のほとんど
を開口させて形成されている。この遮光膜300は、薄
膜トランジスタTFTへの外来光の照射を防止すること
によってその特性の劣化を防止するとともに、表示にお
けるコントラストの向上を図る目的で形成されている。
この遮光膜300は、たとえば黒色顔料を分散した有機
樹脂等によって構成されている。
板1Bの断面が示されており、該遮光膜300の前記開
口部にはそれを被ってカラーフィルタ25が形成されて
いる。そして、このカラーフィルタ25および前記遮光
膜300を被って平坦膜27が形成され、この平坦膜2
7の液晶層側の面には配向膜28が形成されている。
に示すように、映像信号線3の延長線に沿って隣接され
る3個の画素領域に、それぞれ図中上からたとえば赤色
(R)フィルタ、緑色(G)フィルタ、青色(B)フィ
ルタが配置されるように形成され、これにより前記3個
の画素領域においてカラー表示用の一画素領域を構成す
るようになっている。
晶層側とは反対側の面には、偏光板29が配置されてい
る。
用電極15との間に電圧が印加されることによって電界
Eは液晶層LC内を、透明基板1A、1Bの各面と平行
に発生していることを示している。上述したように、横
電界方式と称される所以である。
膜17と偏光板18、透明基板1B側に形成された配向
膜28と偏光板29との関係を図6を用いて説明する。
れる電界の方向207に対して、配向膜17および28
のラビング方向208の角度φLCは、いずれも75度
となっている。また、一方の偏光板18の偏光透過軸方
向209の角度φPは、φLCと等しくなっている。ま
た、もう一方の偏光板29の偏光透過軸方向は、方向0
9と直交している。また、液晶層LCとしては、誘電率
異方性Δεが正で、その値が7.3(1kHz)、屈折
率異方性Δnが0.073(589nm、20℃)のネ
マチック液晶の組成物を用いている。
LC内に透明基板1Aと平行な電界を発生せしめること
により、該液晶層LCを透過する光を変調させることが
できる。特に、電界無印加時に黒表示、電界印加時に白
表示となるいわゆるノーマリブラックモードとすること
ができる。
用の一画素を構成する3個の各画素は、従来と異なり、
映像信号線3の延在方向に沿って隣接されたものを担当
させている。一方、図9に示すコントローラ9からの表
示データは、従来は、たとえば60Hzに相当する周波
数で、R、G、Bの各画素信号が隣接する各映像信号線
に並列に送られてくるようになっている。
うに、画像メモリ410を特に設け、この画像メモリ4
10にCPU8からのR、G、Bの画素信号を一旦格納
し、それぞれの信号をコントローラ9によって一つの映
像信号線3に順次供給するように構成している。
図である。同図において、Vdは一つの映像信号線3に
供給される画素信号、Vg1、Vg2、Vg3はそれぞれ
カラー表示用の一画素を構成する3個の各画素に供給す
るゲート信号、Vr、Vg、VbはそれぞれR、G、B
の各画素に供給される画素信号を示している。
ることに限定されることはなく、CPU8とコントロー
ラ9との間にインターフェースを設け、このインターフ
ェースによってCPU8からの画素信号を上述したよう
に変化するようにしてもよいことはいうまでもない。
によれば、それぞれの単位画素領域を、隣接する映像信
号線3側の辺において走査信号線2側のそれよりも小さ
く構成したものとなっている。すなわち、従来の縦スト
ライプ構造に対して横ストライプ構造としたものであ
る。
域において、映像信号線3からの電界が回り込む領域
は、該単位画素領域の両脇部となるが、画素領域の全体
からみれば極めて小さな領域となり、いわゆる縦スミア
を従来よりも大幅に抑制できるようになる。
をそれぞれ映像信号線3と直交する方向に延在された帯
状の形状とすることによって、映像信号線3からの電界
が該表示用電極15あるいは基準電極14へ終端する際
のその電界の回り込みは、実際の表示に関与する表示用
電極15と基準電極14との間の電界と直角方向となる
ことから、該電界の回り込みは実際の表示に悪影響を及
ぼさなくなる。
る映像信号線3の表示用電極15あるいは基準電極14
へ終端する際のその電界の回り込みE1、E2(同図
(a))を、従来による画素領域における映像信号線3
の表示用電極15あるいは基準電極14へ終端する際の
その電界の回り込みE1、E2(同図(b))と比較した
図である。
において、その隣接する映像信号線側の辺が走査信号線
側の辺よりも小さくなっているとともに、表示用電極お
よび基準電極はそれぞれ映像信号線と直交する方向に延
在された帯状の形状をなす構成としたものである。
信号線側の辺よりも小さくするのみで、表示用電極およ
び基準電極をそれぞれ映像信号線と平行する方向に延在
させてもよいことはいうまでもない。
れ映像信号線と直交する方向に延在された帯状の形状と
するのみで、その画素領域をその隣接する映像信号線側
の辺を走査信号線側の辺よりも大きくするようにしても
よいことはいうまでもない。
発生を抑制できる効果を奏するからである。
はなく、白黒表示のものにも適用できることはいうまで
もない。
ィブマトリック型表示パネルの他の実施例を示す平面図
である。
沿って配置される各画素領域は、図中上方からたとえば
R、G、B、R、…の各色を担当していることは実施例
1と同様の構成をとっている。しかし、カラー用表示の
一画素を構成する3画素のうち、隣接する2画素が一つ
の走査信号線を共有するとともに、前記隣接する2画素
は異なる映像信号線3からの映像信号によって表示がな
される構成となっているところが異なっている。
R、G、…の配列において、順番に2個ずつの各画素
(R、G)、(B、R)、(G、B)、(R、G)、…
のそれぞれの間に走査信号線2が配置されるとともに、
前記各画素のうち上段の画素には図中左側に位置する映
像信号線3からの映像信号によって、また下段の画素に
は図中右側に位置する映像信号線3からの映像信号によ
って表示がなされるようになっている。
信号線2の本数を減少させることができるので、その
分、画素領域の面積の増大にともなう開口率を向上させ
ることができるようになる。
素データのうち、2ライン分の画素データを画像メモリ
410に格納した後、縦ストライプ配置の単位選択時間
の2/3の時間毎に、前記の2画素単位で走査信号線2
を選択し、順次映像信号線3に画素データを印加するこ
とで、駆動を行うことができる。
線3の延在方向に配置される画素を、順次、R1、G1、
B1、R2、G2、B2、R3、…とした場合、R1とG1と
の間の走査信号線21、B1とR2との間の走査信号線
22、およびG2とB2との間の走査信号線23には、順
次、それぞれ走査信号Vg1、Vg2、Vg3が印加され
る。この印加による走査信号線2の選択は、縦ストライ
プ配置の1ラインの選択に時間に相当する単位走査時間
の2/3時間毎となる。
32からは、それぞれ映像信号Vd1、Vd2が供給され
るようになっている。これら各映像信号Vd1、Vd2は
前記走査信号Vg1、Vg2、Vg3に同期し単位走査時
間の2/3の時間毎に印加されるようになっている。こ
の結果、R1、G1、B1、R2、G2、B2の各画素の電位
の波形は同図に示すようになる。
あっても、縦ストライプ配置で2ラインを書き込む間
に、それに相当する画素分だけ書き込むことができるこ
とがわかる。
配置の構造と比較した場合、走査信号の周波数を1.5
倍にとどめることができ、薄膜トランジスタTFTの書
き込み特性の向上を図ることができる。
ィブマトリックス型液晶表示パネルの他の実施例を示す
平面図である。また、同図のXIII−XIII線における断面
図を図13に示している。
に沿って配置される各画素領域は、図中上方からたとえ
ばR、G、B、R、…の各色を担当していることは実施
例1と同様の構成をとっている。しかし、カラー用表示
の一画素を構成する3画素のうち、隣接する2画素が一
つの走査信号線を共有し、残りの一画素が一つの走査信
号線を占有するとともに、各画素はそれぞれ異なる映像
信号線3からの映像信号によって表示がなされる構成と
なっているところが異なっている。
よび占有する走査信号線は、たとえば表示領域以外の他
の領域で互いに接続され、同一の走査信号が供給される
ようになっている。
は、図中左側に一本、右側に二本あてがわれているが、
このうち二本の映像信号線3のうち、外側に位置する映
像信号線3は内側に位置する映像信号線3と、層間絶縁
膜11を介して担当する画素の薄膜トランジスタTFT
のドレイン電極3Aと接続されている。
縦ストライプ配置のものと同様の駆動方法で表示がなさ
れるようになる。このため、上述した画像メモリ410
あるいはインターフェース等を全く必要とすることなく
表示できるという効果を奏する。
本発明による液晶表示パネルによれば、縦スミアの発生
を抑制できるようになる。
画素領域の平面図である。
カラーフィルタの配置図である。
膜および偏光板の関係を示す説明図である。
施例を示すタイミング図である。
図である。
一実施例を示した概略図である。
示す画素領域の平面図である。
一実施例を示すタイミング図である。
示す画素領域の平面図である。
る。
線、14……基準電極、15……表示用電極、TFT…
…薄膜トランジスタ、Cstg……蓄積容量。
Claims (8)
- 【請求項1】 液晶層を介して互いに対向して透明基板
が配置され、その液晶層側の単位画素に相当する領域に
表示用電極と基準電極とが備えられ、x方向に配列され
た単位画素群に共通な走査信号線からの走査信号の供給
によってオンされるスイッチング素子を介してy方向に
配列された単位画素群に共通な映像信号線からの映像信
号が供給される前記表示用電極と、x方向に配列された
単位画素群に共通な基準信号線を介して一定電圧が印加
される前記基準電極との間に透明基板面と平行に発生さ
せる電界によって前記液晶層の光透過率を変化させるア
クティブマトリックス型液晶表示パネルにおいて、前記基準信号線は前記走査信号線と平行な方向に延在し
てそれ自体を基準電極とし、前記表示用電極は前記基準
電極と平行に延在して形成されているとともに、 前記画素領域のそれぞれは、その隣接する映像信号線側
の辺が走査信号線側の辺よりも小さくなっていることを
特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示パネル。 - 【請求項2】 R、G、Bの各色を担当する隣接する画
素領域でカラー表示の一画素領域を構成するものであっ
て、この一画素領域を構成する各画素領域は映像信号線
の延在方向に配列されていることを特徴とする請求項1
記載のアクティブマトリックス型液晶表示パネル。 - 【請求項3】 前記表示用電極および前記基準電極は、
それぞれ映像信号線と直交する方向に延在された帯状の
形状をなすことを特徴とする請求項1記載のアクティブ
マトリックス型液晶表示パネル。 - 【請求項4】 R、G、Bの各色を担当する隣接する画
素領域でカラー表示の一画素領域を構成するものであっ
て、この一画素領域を構成する各画素領域は映像信号線
の延在方向に配列されていることを特徴とする請求項3
記載のアクティブマトリックス型液晶表示パネル。 - 【請求項5】 カラー表示の一画素領域を構成する各画
素領域はそれぞれ異なる走査信号線によって表示駆動さ
れるように構成されていることを特徴とする請求項2お
よび4のうちいずれか記載のアクティブマトリックス型
液晶表示パネ ル。 - 【請求項6】 カラー表示の一画素領域を構成する各画
素領域を表示駆動させるそれぞれの走査信号線には、走
査信号が順次供給されるように構成されていることを特
徴とする請求項5記載のアクティブマトリックス型液晶
表示パネル。 - 【請求項7】 カラー表示の一画素領域を構成する各画
素領域のうち、互いに隣接する二つの画素領域は共通の
走査信号線からの走査信号、および異なる映像信号線か
らの映像信号によって表示駆動がなされるように構成さ
れていることを特徴とする請求項2および4のうちいず
れか記載のアクティブマトリックス型液晶表示パネル。 - 【請求項8】 カラー表示の一画素領域を構成する各画
素領域はそれぞれ異なる映像信号線からの映像信号によ
って表示駆動されるように構成されていることを特徴と
する請求項2および4記載のアクティブマトリクス型液
晶表示パネル。
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