JP3282314B2 - アルミニウム系金属パターンの形成方法 - Google Patents
アルミニウム系金属パターンの形成方法Info
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- H01L21/321—After treatment
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- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム系金属パ
ターンの形成方法に関し、特には、半導体装置の製造工
程におけるアルミニウム系金属パターンの形成方法に関
する。
ターンの形成方法に関し、特には、半導体装置の製造工
程におけるアルミニウム系金属パターンの形成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路では、基板上に形成する
配線や電極の材料としてアルミニウム系金属を多用して
いる。このアルミニウム系金属を用いた配線や電極の形
成は、通常、フォトレジストをエッチングマスクに用
い、塩素系ガスを含む混合ガスによるドライエッチング
によって行われている。このドライエッチングでは、当
該ドライエッチングによるフォトレジストの分解成分が
エッチング側壁に付着して側壁保護膜を形成するため、
形成されるアルミニウム系金属パターンの異方性形状が
達成される。
配線や電極の材料としてアルミニウム系金属を多用して
いる。このアルミニウム系金属を用いた配線や電極の形
成は、通常、フォトレジストをエッチングマスクに用
い、塩素系ガスを含む混合ガスによるドライエッチング
によって行われている。このドライエッチングでは、当
該ドライエッチングによるフォトレジストの分解成分が
エッチング側壁に付着して側壁保護膜を形成するため、
形成されるアルミニウム系金属パターンの異方性形状が
達成される。
【０００３】近年、半導体集積回路の高集積化及び高機
能化に伴い、上記アルミニウム系金属パターンの微細化
が求められている。そして、細い線幅のアルミニウム系
金属パターンを精度良く形成するためには、上記エッチ
ングマスクに用いるフォトレジストの感光性の問題か
ら、薄い膜厚のフォトレジストを用いる必要がある。
能化に伴い、上記アルミニウム系金属パターンの微細化
が求められている。そして、細い線幅のアルミニウム系
金属パターンを精度良く形成するためには、上記エッチ
ングマスクに用いるフォトレジストの感光性の問題か
ら、薄い膜厚のフォトレジストを用いる必要がある。
【０００４】一方、線幅が細いアルミニウム系金属パタ
ーンでは、エレクトロマイグレーションに対する信頼性
を確保するためにある程度の膜厚を確保する必要があ
る。したがって、微細化が進展した半導体集積回路にお
いて、上記アルミニウム系金属パターンを形成するため
には、フォトレジストとアルミニウム系金属とのエッチ
ング選択比を向上させることによって、薄膜化したフォ
トレジストの消費を抑えながらアルミニウム系金属膜を
エッチングする必要がある。
ーンでは、エレクトロマイグレーションに対する信頼性
を確保するためにある程度の膜厚を確保する必要があ
る。したがって、微細化が進展した半導体集積回路にお
いて、上記アルミニウム系金属パターンを形成するため
には、フォトレジストとアルミニウム系金属とのエッチ
ング選択比を向上させることによって、薄膜化したフォ
トレジストの消費を抑えながらアルミニウム系金属膜を
エッチングする必要がある。
【０００５】そこで、エッチングイオンの入射エネルギ
ーを抑えることによって、エッチングイオンに対するフ
ォトレジストの耐性を向上させて上記のエッチングを行
うプロセスや、フォトレジストの周壁に保護膜を形成し
ながら上記のエッチングを行うプロセスが提案されてい
る。
ーを抑えることによって、エッチングイオンに対するフ
ォトレジストの耐性を向上させて上記のエッチングを行
うプロセスや、フォトレジストの周壁に保護膜を形成し
ながら上記のエッチングを行うプロセスが提案されてい
る。
【０００６】そして、上記プロセスの他にも、エッチン
グマスクとして酸化シリコンのような無機材料を用いる
プロセスが提案されている。このプロセスでは、エッチ
ングマスクの耐性は向上するが、通常の常温プロセスに
よるエッチングではエッチング側壁に側壁保護膜が形成
されない。このため、形成されるアルミニウム系金属パ
ターンに異方性形状が得られない。しかし、基板温度を
零度以下の低温に冷却してドライエッチングを行うこと
によって、異方性形状が達成されることが報告されてい
る。さらに、例えば窒素ガスのように、アルミニウム系
金属膜のエッチング側壁に側壁保護膜を形成するガスを
エッチングガスに添加することによっても、アルミニウ
ム系金属パターンの異方性形状が達成される。
グマスクとして酸化シリコンのような無機材料を用いる
プロセスが提案されている。このプロセスでは、エッチ
ングマスクの耐性は向上するが、通常の常温プロセスに
よるエッチングではエッチング側壁に側壁保護膜が形成
されない。このため、形成されるアルミニウム系金属パ
ターンに異方性形状が得られない。しかし、基板温度を
零度以下の低温に冷却してドライエッチングを行うこと
によって、異方性形状が達成されることが報告されてい
る。さらに、例えば窒素ガスのように、アルミニウム系
金属膜のエッチング側壁に側壁保護膜を形成するガスを
エッチングガスに添加することによっても、アルミニウ
ム系金属パターンの異方性形状が達成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記で提案さ
れているプロセスには、以下のよう課題があった。すな
わち、基板上にアルミニウム系金属パターンを形成する
場合には、基板とアルミニウム系金属膜との間に、例え
ば、窒化酸化チタンからなるバリアメタル層を形成し、
このバリアメタル層も上記アルミニウム系金属膜と同様
にドライエッチングを行う。そして、このドライエッチ
ングでは、窒化酸化チタンのエッチングレートは、エッ
チングガス中の含まれるエッチングイオンの入射エネル
ギーに依存する。このため、従来例で示したようなエッ
チングイオンの入射エネルギーを抑えてエッチングを行
うプロセスでは、アルミニウム系金属膜とバリアメタル
層とのエッチングにおいてトータルのフォトレジストの
消費量を抑えることはできず、十分なエッチングが行わ
れる前にエッチングマスクが消費されてしまう。
れているプロセスには、以下のよう課題があった。すな
わち、基板上にアルミニウム系金属パターンを形成する
場合には、基板とアルミニウム系金属膜との間に、例え
ば、窒化酸化チタンからなるバリアメタル層を形成し、
このバリアメタル層も上記アルミニウム系金属膜と同様
にドライエッチングを行う。そして、このドライエッチ
ングでは、窒化酸化チタンのエッチングレートは、エッ
チングガス中の含まれるエッチングイオンの入射エネル
ギーに依存する。このため、従来例で示したようなエッ
チングイオンの入射エネルギーを抑えてエッチングを行
うプロセスでは、アルミニウム系金属膜とバリアメタル
層とのエッチングにおいてトータルのフォトレジストの
消費量を抑えることはできず、十分なエッチングが行わ
れる前にエッチングマスクが消費されてしまう。
【０００８】さらに、従来例で示したフォトレジストの
周壁に保護膜を形成するプロセスでは、その後の工程で
保護膜が剥離し難く、保護膜中に含有されるエッチング
ガスの成分である塩素によるアフターコロージョンが懸
念される。
周壁に保護膜を形成するプロセスでは、その後の工程で
保護膜が剥離し難く、保護膜中に含有されるエッチング
ガスの成分である塩素によるアフターコロージョンが懸
念される。
【０００９】そして、エッチングマスクに無機材を用い
るプロセスにおいて、基板温度を零度以下に冷却してエ
ッチングを行う場合には、装置コストが増大すると共に
低温でのエッチングであるためエッチング雰囲気内の種
々のガス分子が試料に付着してアフターコロージョンの
発生原因になる。また、エッチングガスに窒素ガスを添
加する場合には、チャンバ内に側壁保護膜を形成する物
質が飛び散り、チャンバ内を汚染する原因になる。
るプロセスにおいて、基板温度を零度以下に冷却してエ
ッチングを行う場合には、装置コストが増大すると共に
低温でのエッチングであるためエッチング雰囲気内の種
々のガス分子が試料に付着してアフターコロージョンの
発生原因になる。また、エッチングガスに窒素ガスを添
加する場合には、チャンバ内に側壁保護膜を形成する物
質が飛び散り、チャンバ内を汚染する原因になる。
【００１０】そこで、本発明では、常温プロセスでアフ
ターコロージョンの発生が無く、さらに異方性加工に優
れたアルミニウム系金属パターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。
ターコロージョンの発生が無く、さらに異方性加工に優
れたアルミニウム系金属パターンの形成方法を提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するためのアルミニウム系金属パターンの形成方法
であり、次の様に行う。先ず、第１の工程で基板上に成
膜したアルミニウム系金属膜上に、当該アルミニウム系
金属膜をドライエッチングする際のエッチングガスに対
して耐性を有する下層マスクと前記アルミニウム系金属
膜のドライエッチングの際にエッチング側壁に側壁保護
膜を形成する成分を供給する上層マスクとを積層してな
るエッチングマスクを形成する。次いで、第２の工程
で、上述したように積層してなるエッチングマスクを用
いて前記アルミニウム系金属膜を常温でドライエッチン
グすることによって、当該アルミニウム系金属膜でパタ
ーンを形成する。
達成するためのアルミニウム系金属パターンの形成方法
であり、次の様に行う。先ず、第１の工程で基板上に成
膜したアルミニウム系金属膜上に、当該アルミニウム系
金属膜をドライエッチングする際のエッチングガスに対
して耐性を有する下層マスクと前記アルミニウム系金属
膜のドライエッチングの際にエッチング側壁に側壁保護
膜を形成する成分を供給する上層マスクとを積層してな
るエッチングマスクを形成する。次いで、第２の工程
で、上述したように積層してなるエッチングマスクを用
いて前記アルミニウム系金属膜を常温でドライエッチン
グすることによって、当該アルミニウム系金属膜でパタ
ーンを形成する。
【００１２】また、上述したアルミニウム系金属パター
ンの形成方法においては、下層マスクが窒化系シリコン
からなる場合、上層マスクはレジストからなる。一方、
下層マスクが酸化系シリコンからなる場合、上層マスク
はレジストまたは窒化系シリコンからなる。
ンの形成方法においては、下層マスクが窒化系シリコン
からなる場合、上層マスクはレジストからなる。一方、
下層マスクが酸化系シリコンからなる場合、上層マスク
はレジストまたは窒化系シリコンからなる。
【００１３】
【作用】以上のようなアルミニウム系金属パターンの形
成方法では、先ず、エッチング側壁に側壁保護膜を形成
する上層マスクをエッチングマスクにしたドライエッチ
ングが行われるため、このエッチングによって形成され
るアルミニウム系金属パターンを異方性形状とすること
ができる。その後、アルミニウム系金属膜をドライエッ
チングする際のエッチングに耐性を有する下層マスクを
エッチングマスクにしたアルミニウム系金属膜のドライ
エッチングが行われるため、このエッチングにおいては
アルミニウム系金属膜を高選択比でエッチングすること
ができる。つまり、エッチングの最終段階で、アルミニ
ウム系金属膜の十分なエッチングを行うことが可能にな
るのである。さらに、上記ドライエッチングは常温で行
われるため、エッチング雰囲気中のガス分子は被エッチ
ング物に吸着しない。
成方法では、先ず、エッチング側壁に側壁保護膜を形成
する上層マスクをエッチングマスクにしたドライエッチ
ングが行われるため、このエッチングによって形成され
るアルミニウム系金属パターンを異方性形状とすること
ができる。その後、アルミニウム系金属膜をドライエッ
チングする際のエッチングに耐性を有する下層マスクを
エッチングマスクにしたアルミニウム系金属膜のドライ
エッチングが行われるため、このエッチングにおいては
アルミニウム系金属膜を高選択比でエッチングすること
ができる。つまり、エッチングの最終段階で、アルミニ
ウム系金属膜の十分なエッチングを行うことが可能にな
るのである。さらに、上記ドライエッチングは常温で行
われるため、エッチング雰囲気中のガス分子は被エッチ
ング物に吸着しない。
【００１４】 そして、上記上層マスクにレジストを用い
た場合には、上記側壁保護膜としてレジスト分解物が形
成され、上記上層マスクに窒化系シリコンを用いた場合
には側壁保護膜として窒化アルミニウムが形成される。
た場合には、上記側壁保護膜としてレジスト分解物が形
成され、上記上層マスクに窒化系シリコンを用いた場合
には側壁保護膜として窒化アルミニウムが形成される。
【００１５】 さらに、上記下層マスクに窒化系シリコン
または酸化系シリコンを用いることによって、エッチン
グマスクにアルミニウム系金属のドライエッチングに用
いるエッチングガスに対する耐性が得られる。
または酸化系シリコンを用いることによって、エッチン
グマスクにアルミニウム系金属のドライエッチングに用
いるエッチングガスに対する耐性が得られる。
【００１６】
【実施例】本発明の第１の実施例を図１に基づいて説明
する。先ず、図１（１）に示すように、表面が酸化膜で
ある基板１１の上面に、例えばスパッタ法によってチタ
ン膜１２と窒化酸化チタン膜１３とさらにチタン膜１４
とを積層した構造のバリアメタル層１５が形成されてい
る。このバリアメタル層１５の上面には、例えば１％の
シリコンを含有するアルミニウム系金属膜１６が成膜さ
れている。
する。先ず、図１（１）に示すように、表面が酸化膜で
ある基板１１の上面に、例えばスパッタ法によってチタ
ン膜１２と窒化酸化チタン膜１３とさらにチタン膜１４
とを積層した構造のバリアメタル層１５が形成されてい
る。このバリアメタル層１５の上面には、例えば１％の
シリコンを含有するアルミニウム系金属膜１６が成膜さ
れている。
【００１７】先ず、第１の工程として、アルミニウム系
金属膜１６の上面に、例えばＴｉＯＮ膜を反射防止膜１
７として成膜する。そして、例えば、プラズマＣＶＤ法
によってこの反射防止膜１７の上面に３００ｎｍの膜厚
のプラズマ窒化シリコン（Ｐ−ＳｉＮ）膜１８を成膜す
る。
金属膜１６の上面に、例えばＴｉＯＮ膜を反射防止膜１
７として成膜する。そして、例えば、プラズマＣＶＤ法
によってこの反射防止膜１７の上面に３００ｎｍの膜厚
のプラズマ窒化シリコン（Ｐ−ＳｉＮ）膜１８を成膜す
る。
【００１８】その後、通常のホトリソグラフィーのレジ
スト塗布工程を行って、Ｐ−ＳｉＮ膜１８の上面にレジ
スト膜（図示せず）を成膜し、このレジスト膜に感光・
現像処理を行う。これによって、配線パターンに合わせ
てレジスト膜をパターニングしたレジストマスク（図示
せず）を形成する。
スト塗布工程を行って、Ｐ−ＳｉＮ膜１８の上面にレジ
スト膜（図示せず）を成膜し、このレジスト膜に感光・
現像処理を行う。これによって、配線パターンに合わせ
てレジスト膜をパターニングしたレジストマスク（図示
せず）を形成する。
【００１９】続いて、上記のレジストマスクをエッチン
グマスクにして、例えば反応性イオンエッチングによっ
て、Ｐ−ＳｉＮ膜１８の二点鎖線で示す部分を除去し、
配線パターンに合わせてパターニングされたエッチング
マスク１９を形成する。この場合のエッチング条件の一
例としては、エッチングガスにＣＨＦ3 とＯ2との混合
ガスを用い、それぞれのガスの流量をＣＨＦ3 ／Ｏ2 ＝
７５／２５ｓｃｃｍに設定する。またエッチング雰囲気
の圧力を４Ｐａ，ＲＦパワーを１０００Ｗに設定し、１
０分間のエッチングを行う。
グマスクにして、例えば反応性イオンエッチングによっ
て、Ｐ−ＳｉＮ膜１８の二点鎖線で示す部分を除去し、
配線パターンに合わせてパターニングされたエッチング
マスク１９を形成する。この場合のエッチング条件の一
例としては、エッチングガスにＣＨＦ3 とＯ2との混合
ガスを用い、それぞれのガスの流量をＣＨＦ3 ／Ｏ2 ＝
７５／２５ｓｃｃｍに設定する。またエッチング雰囲気
の圧力を４Ｐａ，ＲＦパワーを１０００Ｗに設定し、１
０分間のエッチングを行う。
【００２０】その後、例えば、酸素プラズマによるアッ
シャー処理によって、上記のレジストマスクをアッシン
グ除去し、さらにアッシング残りを発煙硝酸によって除
去する。
シャー処理によって、上記のレジストマスクをアッシン
グ除去し、さらにアッシング残りを発煙硝酸によって除
去する。
【００２１】次に、図１（２）に示すように、第２の工
程として、例えば有磁場マイクロ波プラズマエッチング
装置を用いてアルミニウム系金属膜１６を２０℃〜４０
℃の常温でドライエッチングし、アルミニウム系金属パ
ターン２０を形成する。この場合のエッチング条件の一
例としては、エッチングガスにＢＣｌ3 とＣｌ2 とアル
ゴンＡｒとの混合ガスを用い、それぞれのガスの流量を
ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／Ａｒ＝４０／６０／５０ｓｃｃｍに
設定する。またエッチング雰囲気の圧力を１Ｐａ，マイ
クロ波パワーを９５０Ｗ，ＲＦパワー（２ＭＨｚ）を３
０Ｗに設定する。
程として、例えば有磁場マイクロ波プラズマエッチング
装置を用いてアルミニウム系金属膜１６を２０℃〜４０
℃の常温でドライエッチングし、アルミニウム系金属パ
ターン２０を形成する。この場合のエッチング条件の一
例としては、エッチングガスにＢＣｌ3 とＣｌ2 とアル
ゴンＡｒとの混合ガスを用い、それぞれのガスの流量を
ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／Ａｒ＝４０／６０／５０ｓｃｃｍに
設定する。またエッチング雰囲気の圧力を１Ｐａ，マイ
クロ波パワーを９５０Ｗ，ＲＦパワー（２ＭＨｚ）を３
０Ｗに設定する。
【００２２】上記のエッチングでは、まず、エッチング
イオンによって反射防止膜１７がエッチングされ、さら
に、アルミニウム系金属膜１６がエッチングされる。こ
の時、エッチングマスク１９の表面がエッチングされる
ことによって、エッチングマスク１９を構成するＰ−Ｓ
ｉＮが分解して窒素（Ｎ）が生じ、このＮが図中矢印で
示したようにアルミニウム系金属膜１６のエッチング側
壁を窒化させて窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）からなる
側壁保護膜２１を形成する。この側壁保護膜２１によっ
て、アルミニウム系金属膜１６は基板１１に対してほぼ
垂直にエッチングされるため、形成されるアルミニウム
系金属パターン１は異方性形状が得られる。さらに、エ
ッチングマスク１９はエッチングイオンに対する耐性を
有しているため、上記の条件によるドライエッチングで
は、３００ｎｍの膜厚のエッチングマスク１９が全て消
費されてることはない。
イオンによって反射防止膜１７がエッチングされ、さら
に、アルミニウム系金属膜１６がエッチングされる。こ
の時、エッチングマスク１９の表面がエッチングされる
ことによって、エッチングマスク１９を構成するＰ−Ｓ
ｉＮが分解して窒素（Ｎ）が生じ、このＮが図中矢印で
示したようにアルミニウム系金属膜１６のエッチング側
壁を窒化させて窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）からなる
側壁保護膜２１を形成する。この側壁保護膜２１によっ
て、アルミニウム系金属膜１６は基板１１に対してほぼ
垂直にエッチングされるため、形成されるアルミニウム
系金属パターン１は異方性形状が得られる。さらに、エ
ッチングマスク１９はエッチングイオンに対する耐性を
有しているため、上記の条件によるドライエッチングで
は、３００ｎｍの膜厚のエッチングマスク１９が全て消
費されてることはない。
【００２３】上記のようにしてアルミニウム系金属パタ
ーン１を形成した後、図１（３）に示すように、引き続
き上記のドライエッチングによってバリアメタル１５の
エッチングを行う。
ーン１を形成した後、図１（３）に示すように、引き続
き上記のドライエッチングによってバリアメタル１５の
エッチングを行う。
【００２４】その後、図２（１）に示すように、例えば
上記のエッチングと同一のチャンバ内で酸素プラズマ処
理を行うことによって、アルミニウム系金属パターン２
０の側壁に酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）２２を形成す
る。この酸素プラズマ処理の条件の一例は、酸素ガスの
流量を２００ｓｃｃｍ，処理雰囲気を２Ｐａ，マイクロ
波パワーを９５０Ｗに設定して１０秒間の処理を行う。
次いで、基板１１上のメタル残りを完全に除去するため
のオーバーエッチングを、例えば以下の条件で行う。先
ず、エッチングガスにＢＣｌ3 とＣｌ2 とＡｒとの混合
ガスを用い、それぞれのガスの流量をＢＣｌ3 ／Ｃｌ2
／Ａｒ＝４０／６０／５０ｓｃｃｍに設定する。またエ
ッチング雰囲気の圧力を１Ｐａ，マイクロ波パワーを９
５０Ｗに設定し、１０秒間のオーバーエッチングを行
う。
上記のエッチングと同一のチャンバ内で酸素プラズマ処
理を行うことによって、アルミニウム系金属パターン２
０の側壁に酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）２２を形成す
る。この酸素プラズマ処理の条件の一例は、酸素ガスの
流量を２００ｓｃｃｍ，処理雰囲気を２Ｐａ，マイクロ
波パワーを９５０Ｗに設定して１０秒間の処理を行う。
次いで、基板１１上のメタル残りを完全に除去するため
のオーバーエッチングを、例えば以下の条件で行う。先
ず、エッチングガスにＢＣｌ3 とＣｌ2 とＡｒとの混合
ガスを用い、それぞれのガスの流量をＢＣｌ3 ／Ｃｌ2
／Ａｒ＝４０／６０／５０ｓｃｃｍに設定する。またエ
ッチング雰囲気の圧力を１Ｐａ，マイクロ波パワーを９
５０Ｗに設定し、１０秒間のオーバーエッチングを行
う。
【００２５】このオーバーエッチングでは、アルミニウ
ム系金属パターン１の側壁に形成された酸化アルミニウ
ム（ＡｌＯｘ）２２によって、アルミニウム系金属パタ
ーン２０の側壁が保護される。
ム系金属パターン１の側壁に形成された酸化アルミニウ
ム（ＡｌＯｘ）２２によって、アルミニウム系金属パタ
ーン２０の側壁が保護される。
【００２６】その後、図２（２）に示すように、上記で
形成したアルミニウム系金属パターン２０上にそのまま
残したエッチングマスク１９と、プラズマ（Ｐ）−ＴＥ
ＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）酸化膜２３と、表
面を平坦化したオゾン（Ｏ3）−ＴＥＯＳ酸化膜２４
と、Ｐ−ＴＥＯＳ酸化膜２５との積層構造からなる層間
絶縁膜２６を基板１１上に形成する。
形成したアルミニウム系金属パターン２０上にそのまま
残したエッチングマスク１９と、プラズマ（Ｐ）−ＴＥ
ＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）酸化膜２３と、表
面を平坦化したオゾン（Ｏ3）−ＴＥＯＳ酸化膜２４
と、Ｐ−ＴＥＯＳ酸化膜２５との積層構造からなる層間
絶縁膜２６を基板１１上に形成する。
【００２７】次に、第２の実施例を図３に基づいて説明
する。先ず、図３（１）に示すように、例えば、第１の
実施例と同様に基板３１の上面には第１の実施例と同様
にチタン膜３２と窒化酸化チタン膜３３とチタン膜３４
との積層構造からなるバリアメタル層３５が形成され、
このバリアメタル層３５の上面には、例えば１％のシリ
コンを含有するアルミニウム系金属膜３６が成膜されて
いる。
する。先ず、図３（１）に示すように、例えば、第１の
実施例と同様に基板３１の上面には第１の実施例と同様
にチタン膜３２と窒化酸化チタン膜３３とチタン膜３４
との積層構造からなるバリアメタル層３５が形成され、
このバリアメタル層３５の上面には、例えば１％のシリ
コンを含有するアルミニウム系金属膜３６が成膜されて
いる。
【００２８】先ず、第１の工程として、アルミニウム系
金属膜３６の上面に、例えば、第１の実施例と同様にＴ
ｉＯＮ膜を反射防止膜３７として成膜する。そして、例
えば、この反射防止膜３７の上面にプラズマＣＶＤ法に
よって２００ｎｍの膜厚のＰ−ＴＥＯＳ酸化膜３８を成
膜し、この上面にフォトレジストを塗布してレジスト膜
３９を成膜する。
金属膜３６の上面に、例えば、第１の実施例と同様にＴ
ｉＯＮ膜を反射防止膜３７として成膜する。そして、例
えば、この反射防止膜３７の上面にプラズマＣＶＤ法に
よって２００ｎｍの膜厚のＰ−ＴＥＯＳ酸化膜３８を成
膜し、この上面にフォトレジストを塗布してレジスト膜
３９を成膜する。
【００２９】その後、このレジスト膜３９に感光・現像
処理を行い、レジスト膜３９の二点鎖線で示す部分を除
去して配線パターンに合わせてパターニングされた上層
マスク４０を形成する。続いて、上記の上層マスク４０
をエッチングマスクにして、例えば有磁場マイクロ波プ
ラズマエッチング装置を用いてＰ−ＴＥＯＳ酸化膜３８
をエッチングして下層マスク４１を形成する。この場合
のエッチング条件の一例としては、エッチングガスにＣ
4 Ｆ8 とＣＨ2 Ｆ2 との混合ガスを用い、それぞれのガ
スの流量をＣ4 Ｆ8 ／ＣＨ2 Ｆ2 ＝１５／１０ｓｃｃｍ
に設定する。またエッチング雰囲気の圧力を０．１Ｐ
ａ，マイクロ波パワーを１２００Ｗ，ＲＦパワー（２Ｍ
Ｈｚ）を３０Ｗに設定し、オーバーエッチングを７０秒
間行う。これによって、下層マスク４１の上面に上層マ
スク４０を積層してなるエッチングマスク４２を形成す
る。
処理を行い、レジスト膜３９の二点鎖線で示す部分を除
去して配線パターンに合わせてパターニングされた上層
マスク４０を形成する。続いて、上記の上層マスク４０
をエッチングマスクにして、例えば有磁場マイクロ波プ
ラズマエッチング装置を用いてＰ−ＴＥＯＳ酸化膜３８
をエッチングして下層マスク４１を形成する。この場合
のエッチング条件の一例としては、エッチングガスにＣ
4 Ｆ8 とＣＨ2 Ｆ2 との混合ガスを用い、それぞれのガ
スの流量をＣ4 Ｆ8 ／ＣＨ2 Ｆ2 ＝１５／１０ｓｃｃｍ
に設定する。またエッチング雰囲気の圧力を０．１Ｐ
ａ，マイクロ波パワーを１２００Ｗ，ＲＦパワー（２Ｍ
Ｈｚ）を３０Ｗに設定し、オーバーエッチングを７０秒
間行う。これによって、下層マスク４１の上面に上層マ
スク４０を積層してなるエッチングマスク４２を形成す
る。
【００３０】次に、図３（２）に示すように、第２の工
程として、例えば有磁場マイクロ波プラズマエッチング
装置を用いてアルミニウム系金属膜３６をエッチング
し、アルミニウム系金属パターン４３を形成する。この
場合のエッチング条件の一例としては、エッチングガス
にＢＣｌ3 とＣｌ2 とアルゴンＡｒとの混合ガスを用
い、それぞれのガスの流量をＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／Ａｒ＝
２０／３０／５０ｓｃｃｍに設定する。またエッチング
雰囲気の圧力を２Ｐａ，マイクロ波パワーを９５０Ｗ，
ＲＦパワー（２ＭＨｚ）を３０Ｗに設定してジャストエ
ッチングを行う。
程として、例えば有磁場マイクロ波プラズマエッチング
装置を用いてアルミニウム系金属膜３６をエッチング
し、アルミニウム系金属パターン４３を形成する。この
場合のエッチング条件の一例としては、エッチングガス
にＢＣｌ3 とＣｌ2 とアルゴンＡｒとの混合ガスを用
い、それぞれのガスの流量をＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／Ａｒ＝
２０／３０／５０ｓｃｃｍに設定する。またエッチング
雰囲気の圧力を２Ｐａ，マイクロ波パワーを９５０Ｗ，
ＲＦパワー（２ＭＨｚ）を３０Ｗに設定してジャストエ
ッチングを行う。
【００３１】上記のエッチングでは、まず、エッチング
イオンによって反射防止膜３７がドライエッチングさ
れ、さらに、アルミニウム系金属膜３６がドライエッチ
ングされる。この時、上層マスク４０の表面がエッチン
グされることによって、上層マスク４０を構成するフォ
トレジストの分解物が生じ、この分解物が図中矢印で示
したようにアルミニウム系金属膜３６のエッチング側壁
に付着して側壁保護膜４４を形成する。この側壁保護膜
４４によって、アルミニウム系金属膜３６は基板１１に
対してほぼ垂直にエッチングされる。
イオンによって反射防止膜３７がドライエッチングさ
れ、さらに、アルミニウム系金属膜３６がドライエッチ
ングされる。この時、上層マスク４０の表面がエッチン
グされることによって、上層マスク４０を構成するフォ
トレジストの分解物が生じ、この分解物が図中矢印で示
したようにアルミニウム系金属膜３６のエッチング側壁
に付着して側壁保護膜４４を形成する。この側壁保護膜
４４によって、アルミニウム系金属膜３６は基板１１に
対してほぼ垂直にエッチングされる。
【００３２】上記アルミニウム系金属３６のエッチング
が終了した後、図４（１）に示すように、例えば上記の
エッチング装置に内蔵されたアッシャーによって、フォ
トレジストからなる上層マスク４０の残りと、レジスト
分解物からなる側壁保護膜４４をアッシング除去すると
共に、アルミニウム系金属パターン４３側壁に酸化アル
ミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）４５を生成させる。このアッシ
ング処理の条件の一例は、酸素ガスの流量を２００ｓｃ
ｃｍ，処理雰囲気を２ＭＰａ，マイクロ波パワーを１２
００Ｗ，処理温度を２５０℃に設定して１２０秒間の処
理を行う。
が終了した後、図４（１）に示すように、例えば上記の
エッチング装置に内蔵されたアッシャーによって、フォ
トレジストからなる上層マスク４０の残りと、レジスト
分解物からなる側壁保護膜４４をアッシング除去すると
共に、アルミニウム系金属パターン４３側壁に酸化アル
ミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）４５を生成させる。このアッシ
ング処理の条件の一例は、酸素ガスの流量を２００ｓｃ
ｃｍ，処理雰囲気を２ＭＰａ，マイクロ波パワーを１２
００Ｗ，処理温度を２５０℃に設定して１２０秒間の処
理を行う。
【００３３】次いで、図４（２）に示すように、上記エ
ッチング装置のエッチングチャンバ内で、バリアメタル
３５のエッチングを行う。このエッチングの条件は、例
えば、先ず、エッチングガスにＢＣｌ3 とＣｌ2とＡｒ
との混合ガスを用い、それぞれのガスの流量をＢＣｌ3
／Ｃｌ2 ／Ａｒ＝２０／３０／５０ｓｃｃｍに設定す
る。またエッチング雰囲気の圧力を２Ｐａ，マイクロ波
パワーを９５０Ｗ，ＲＦパワー（２ＭＨｚ）を３０Ｗに
設定してエッチングを行う。
ッチング装置のエッチングチャンバ内で、バリアメタル
３５のエッチングを行う。このエッチングの条件は、例
えば、先ず、エッチングガスにＢＣｌ3 とＣｌ2とＡｒ
との混合ガスを用い、それぞれのガスの流量をＢＣｌ3
／Ｃｌ2 ／Ａｒ＝２０／３０／５０ｓｃｃｍに設定す
る。またエッチング雰囲気の圧力を２Ｐａ，マイクロ波
パワーを９５０Ｗ，ＲＦパワー（２ＭＨｚ）を３０Ｗに
設定してエッチングを行う。
【００３４】このエッチングでは、アルミニウム系金属
パターン４３の側壁に形成された酸化アルミニウム（Ａ
ｌＯｘ）４５によって、アルミニウム系金属パターン４
３の側壁が保護される。また、アルミニウム系金属パタ
ーン４３上は、上記エッチングで入射するエッチングイ
オンに対する耐性を有するＳｉＯ2 からなる下層マスク
４１で覆われているため、アルミニウム系金属パターン
４３の異方性形状が確保される。
パターン４３の側壁に形成された酸化アルミニウム（Ａ
ｌＯｘ）４５によって、アルミニウム系金属パターン４
３の側壁が保護される。また、アルミニウム系金属パタ
ーン４３上は、上記エッチングで入射するエッチングイ
オンに対する耐性を有するＳｉＯ2 からなる下層マスク
４１で覆われているため、アルミニウム系金属パターン
４３の異方性形状が確保される。
【００３５】その後、図４（３）に示すように、上記第
１の実施例と同様に、アルミニウム系金属パターン４３
上にそのまま残した下層マスク４１と、Ｐ−ＴＥＯＳ酸
化膜４６と、平坦化したＯ3 −ＴＥＯＳ酸化膜４７と、
Ｐ−ＴＥＯＳ酸化膜４８との積層構造からなる層間絶縁
膜４９を基板３１上に形成する。
１の実施例と同様に、アルミニウム系金属パターン４３
上にそのまま残した下層マスク４１と、Ｐ−ＴＥＯＳ酸
化膜４６と、平坦化したＯ3 −ＴＥＯＳ酸化膜４７と、
Ｐ−ＴＥＯＳ酸化膜４８との積層構造からなる層間絶縁
膜４９を基板３１上に形成する。
【００３６】第２の実施例では、フォトレジストからな
る上層マスクと酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる下層
マスクとを積層してなるエッチングマスクをアルミニウ
ム系金属膜上に形成した。しかし、エッチングマスク
は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）や窒化酸化シリコ
ン（ＳｉＯＮ）等の窒化系シリコンからなる上層マスク
と、ＳｉＯ2 からなる下層マスクとを積層したものでも
良い。さらに、フォトレジストからなる上層マスクとＳ
ｉＮからなる下層マスクとを積層したものでも良い。
る上層マスクと酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる下層
マスクとを積層してなるエッチングマスクをアルミニウ
ム系金属膜上に形成した。しかし、エッチングマスク
は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）や窒化酸化シリコ
ン（ＳｉＯＮ）等の窒化系シリコンからなる上層マスク
と、ＳｉＯ2 からなる下層マスクとを積層したものでも
良い。さらに、フォトレジストからなる上層マスクとＳ
ｉＮからなる下層マスクとを積層したものでも良い。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、積
層マスクを用いてアルミニウム系金属膜のドライエッチ
ングを行うようにしたことで、エッチングの初期の段階
ではエッチング側壁に側壁保護膜を形成する上層マスク
をエッチングマスクにしたドライエッチングを行い、ア
ルミニウム系金属パターンを異方性形状とした後、エッ
チングに耐性を有する下層マスクをエッチングマスクに
したアルミニウム系金属膜のドライエッチングを行い、
アルミニウム系金属膜の十分なエッチングを行うことが
可能になる。この結果、アルミニウム系金属パターン
を、良好な異方性形状を保って、しかもエッチング残り
無く確実に形成することが可能になる。さらに、側壁保
護膜を形成する成分がエッチングチャンバ内に飛び散ら
ないので、エッチングチャンバ内の汚染を防止できる。
そして、常温でドライエッチングを行うので、ガス分子
の付着によるアフターコロージョンを防止できると共に
装置コストを低く抑えることができる。
層マスクを用いてアルミニウム系金属膜のドライエッチ
ングを行うようにしたことで、エッチングの初期の段階
ではエッチング側壁に側壁保護膜を形成する上層マスク
をエッチングマスクにしたドライエッチングを行い、ア
ルミニウム系金属パターンを異方性形状とした後、エッ
チングに耐性を有する下層マスクをエッチングマスクに
したアルミニウム系金属膜のドライエッチングを行い、
アルミニウム系金属膜の十分なエッチングを行うことが
可能になる。この結果、アルミニウム系金属パターン
を、良好な異方性形状を保って、しかもエッチング残り
無く確実に形成することが可能になる。さらに、側壁保
護膜を形成する成分がエッチングチャンバ内に飛び散ら
ないので、エッチングチャンバ内の汚染を防止できる。
そして、常温でドライエッチングを行うので、ガス分子
の付着によるアフターコロージョンを防止できると共に
装置コストを低く抑えることができる。
【図１】第１の実施例を説明する断面模式図である。
【図２】第１の実施例を説明する断面模式図である。
【図３】第２の実施例を説明する断面模式図である。
【図４】第２の実施例を説明する断面模式図である。
１１，３１ 基板 １６，３６ アルミニウム系金属膜 １９，４２ エッチングマスク ２０，４３ アルミニウム系金属パターン ２１，４４ 側壁保護膜 ４０ 上層マスク ４１ 下層マスク
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に成膜したアルミニウム系金属膜
上に、当該アルミニウム系金属膜をドライエッチングす
る際のエッチングガスに対して耐性を有する下層マスク
と前記アルミニウム系金属膜のドライエッチングの際に
エッチング側壁に側壁保護膜を形成する成分を供給する
上層マスクとを積層してなるエッチングマスクを形成す
る第１の工程と、前記積層してなるエッチングマスクを用いて 前記アルミ
ニウム系金属膜を常温でドライエッチングして、当該ア
ルミニウム系金属膜でパターンを形成する第２の工程と
からなることを特徴とするアルミニウム系金属パターン
の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のアルミニウム系金属パタ
ーンの形成方法において、前記下層マスクは窒化系シリコンからなり、 前記上層マスクはレジストからなる ことを特徴とするア
ルミニウム系金属パターンの形成方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のアルミニウム系金属パタ
ーンの形成方法において、前記下層マスクは酸化系シリコンからなり、 前記上層マスクはレジストまたは窒化系シリコンからな
ることを特徴とするアルミニウム系金属パターンの形成
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24980993A JP3282314B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | アルミニウム系金属パターンの形成方法 |
| KR1019940022690A KR100298815B1 (ko) | 1993-09-10 | 1994-09-09 | 알루미늄계금속패턴의형성방법 |
| US08/695,526 US5741742A (en) | 1993-09-10 | 1996-08-12 | Formation of aluminum-alloy pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24980993A JP3282314B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | アルミニウム系金属パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786255A JPH0786255A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3282314B2 true JP3282314B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=17198533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24980993A Expired - Fee Related JP3282314B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | アルミニウム系金属パターンの形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5741742A (ja) |
| JP (1) | JP3282314B2 (ja) |
| KR (1) | KR100298815B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR100311487B1 (ko) * | 1997-12-16 | 2001-11-15 | 김영환 | 산화막식각방법 |
| JP3125745B2 (ja) * | 1998-04-30 | 2001-01-22 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6228758B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-05-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making dual damascene conductive interconnections and integrated circuit device comprising same |
| US6306313B1 (en) * | 2000-02-04 | 2001-10-23 | Agere Systems Guardian Corp. | Selective etching of thin films |
| JP5407101B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2014-02-05 | ダイキン工業株式会社 | ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法 |
| KR100399443B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 금속 배선 형성 방법 |
| JP5877658B2 (ja) * | 2011-06-14 | 2016-03-08 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP6821291B2 (ja) | 2015-05-29 | 2021-01-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システムおよび光電変換装置の製造方法 |
| CN109461743A (zh) * | 2018-10-16 | 2019-03-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、等离子体蚀刻方法以及系统 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62238649A (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 配線構造体及びその製法 |
| US4828649A (en) * | 1987-07-16 | 1989-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching an aluminum film doped with silicon |
| JPS6480044A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-24 | Sharp Kk | Semiconductor device |
| US4915779A (en) * | 1988-08-23 | 1990-04-10 | Motorola Inc. | Residue-free plasma etch of high temperature AlCu |
| JPH03156927A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-07-04 | Hewlett Packard Co <Hp> | アルミ・メタライゼーションのパターン形成方法 |
| US5024722A (en) * | 1990-06-12 | 1991-06-18 | Micron Technology, Inc. | Process for fabricating conductors used for integrated circuit connections and the like |
| JPH04330724A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-11-18 | Sony Corp | 配線形成方法 |
| US5217570A (en) * | 1991-01-31 | 1993-06-08 | Sony Corporation | Dry etching method |
| JPH05109673A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-04-30 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-09-10 JP JP24980993A patent/JP3282314B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-09-09 KR KR1019940022690A patent/KR100298815B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-08-12 US US08/695,526 patent/US5741742A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0786255A (ja) | 1995-03-31 |
| KR950009952A (ko) | 1995-04-26 |
| US5741742A (en) | 1998-04-21 |
| KR100298815B1 (ko) | 2001-12-01 |
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