JP3279435B2 - 薄膜パターン形成用ペースト - Google Patents
薄膜パターン形成用ペーストInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リフトオフ法に用いら
れる水溶性のペーストに関する。
れる水溶性のペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜にパターンを形成する方法として
は、基体に無機微粒子を主成分とするパターン状の遮蔽
物を形成（マスキング）した後、適当な手段により薄膜
を形成し、その後に遮蔽物上の薄膜を遮蔽物とともに物
理的または化学的手段により取り除くリフトオフ法が工
業上有用な方法として知られている。
は、基体に無機微粒子を主成分とするパターン状の遮蔽
物を形成（マスキング）した後、適当な手段により薄膜
を形成し、その後に遮蔽物上の薄膜を遮蔽物とともに物
理的または化学的手段により取り除くリフトオフ法が工
業上有用な方法として知られている。
【０００３】特開昭４９−１１３５７３号公報では、酸
化マグネシウム、酸化アルミニウム等の粉末を、また、
特公昭６１−４３８０６号公報では、炭酸カルシウム単
独またはこれと黒鉛との混合物を遮蔽物として用いるこ
とが提案されている。
化マグネシウム、酸化アルミニウム等の粉末を、また、
特公昭６１−４３８０６号公報では、炭酸カルシウム単
独またはこれと黒鉛との混合物を遮蔽物として用いるこ
とが提案されている。
【０００４】これらの酸化物や炭酸塩は、特に熱ＣＶＤ
法により薄膜を形成する際、強い酸化雰囲気にさらされ
ることにより、薄膜が形成される基体のガラスとわずか
に反応し、薄膜形成後遮蔽物を除去して得られる基体の
表面には曇りが生じ、きれいな外観を要求される用途に
は使用できない。さらに遮蔽物を除去して残った透明導
電膜等の薄膜の端が持ち上がるいわゆるスパイク現象が
起りやすい。
法により薄膜を形成する際、強い酸化雰囲気にさらされ
ることにより、薄膜が形成される基体のガラスとわずか
に反応し、薄膜形成後遮蔽物を除去して得られる基体の
表面には曇りが生じ、きれいな外観を要求される用途に
は使用できない。さらに遮蔽物を除去して残った透明導
電膜等の薄膜の端が持ち上がるいわゆるスパイク現象が
起りやすい。
【０００５】特開平２−７５５３６号公報では、メソフ
ェーズカーボン小球体を遮蔽物として用いるものが提案
されている。この方法は、スパイクは小さくなるという
利点があるが、特に熱ＣＶＤ法により薄膜を形成する
際、強い酸化雰囲気にさらされることによりカーボンが
蒸発し、わずかながら基体ガラス表面に曇りが生じるこ
とが明らかになっている。
ェーズカーボン小球体を遮蔽物として用いるものが提案
されている。この方法は、スパイクは小さくなるという
利点があるが、特に熱ＣＶＤ法により薄膜を形成する
際、強い酸化雰囲気にさらされることによりカーボンが
蒸発し、わずかながら基体ガラス表面に曇りが生じるこ
とが明らかになっている。
【０００６】また、これら従来の遮蔽物は主に無機化合
物と充填物とからなるため、緻密な膜構造をしていな
い。したがって、これらの遮蔽物の上に、たとえば熱Ｃ
ＶＤ法により薄膜を形成した場合、完全に原料ガスを遮
断できない場合があり、わずかながら遮蔽物の下にも原
料ガスの回り込みが観察される。また、この回り込み量
が増えると、遮蔽物そのものが基体に焼き付くため、リ
フトオフ可能な薄膜の厚さは５００ｎｍまでであった。
物と充填物とからなるため、緻密な膜構造をしていな
い。したがって、これらの遮蔽物の上に、たとえば熱Ｃ
ＶＤ法により薄膜を形成した場合、完全に原料ガスを遮
断できない場合があり、わずかながら遮蔽物の下にも原
料ガスの回り込みが観察される。また、この回り込み量
が増えると、遮蔽物そのものが基体に焼き付くため、リ
フトオフ可能な薄膜の厚さは５００ｎｍまでであった。
【０００７】これに対して、本出願人が特願平５−１６
６５１２号で提案している水溶性無機塩被膜を用いる薄
膜除去方法は、スパイクが観察されないという優れた特
徴がある。またアルギン酸ナトリウム等と組み合わせ
て、スクリーン印刷により薄膜のパターニングを行うこ
とも提案している。しかし、このインクをスクリーン印
刷法に用いた場合、精細なパターニングがしにくいこと
がわかった。
６５１２号で提案している水溶性無機塩被膜を用いる薄
膜除去方法は、スパイクが観察されないという優れた特
徴がある。またアルギン酸ナトリウム等と組み合わせ
て、スクリーン印刷により薄膜のパターニングを行うこ
とも提案している。しかし、このインクをスクリーン印
刷法に用いた場合、精細なパターニングがしにくいこと
がわかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、スクリーン
印刷法に適用可能であり、かつ、スパイクが観察されな
い薄膜パターン形成用ペーストの提供を目的とする。
印刷法に適用可能であり、かつ、スパイクが観察されな
い薄膜パターン形成用ペーストの提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、水溶性無機塩
を３〜１５重量％、水溶性高分子からなる増粘剤を０.
５〜６重量％、平均粒径が０. １〜２μｍのフィラーを
０. １〜１０重量％、アルコール系有機溶剤を１〜２０
重量％、および水を５０〜９５重量％含むことを特徴と
する薄膜パターン形成用ペーストである。
を３〜１５重量％、水溶性高分子からなる増粘剤を０.
５〜６重量％、平均粒径が０. １〜２μｍのフィラーを
０. １〜１０重量％、アルコール系有機溶剤を１〜２０
重量％、および水を５０〜９５重量％含むことを特徴と
する薄膜パターン形成用ペーストである。
【００１０】本発明のペーストは、薄膜を形成する場所
ではない部分の基体表面に、スクリーン印刷法により高
精度に印刷される。その後、乾燥・焼成により水溶性無
機塩とフィラーとからなる緻密な水溶性無機塩被膜が形
成され、次いで基体表面に薄膜が適当な方法により形成
される。その後、この薄膜付き基体が水洗されて、水溶
性無機塩被膜とその被膜上面の薄膜だけが除去されるこ
とにより、高精細な薄膜パターンが形成される。
ではない部分の基体表面に、スクリーン印刷法により高
精度に印刷される。その後、乾燥・焼成により水溶性無
機塩とフィラーとからなる緻密な水溶性無機塩被膜が形
成され、次いで基体表面に薄膜が適当な方法により形成
される。その後、この薄膜付き基体が水洗されて、水溶
性無機塩被膜とその被膜上面の薄膜だけが除去されるこ
とにより、高精細な薄膜パターンが形成される。
【００１１】本発明における水溶性無機塩としては、水
への溶解度が高く易水溶性で、安価である等の一般的に
望ましい性質の他に、所望のパターンをもって基体上に
薄く、均一に、点在することなく、緻密に覆うことがで
きるものが望ましい。
への溶解度が高く易水溶性で、安価である等の一般的に
望ましい性質の他に、所望のパターンをもって基体上に
薄く、均一に、点在することなく、緻密に覆うことがで
きるものが望ましい。
【００１２】このような物質としては、共有結合性が強
く、網目構造を形成するものが好ましく、たとえば、リ
ン酸塩、ホウ酸塩、ケイ酸塩、硫酸塩、硫黄を含む無機
塩、およびこれらの塩の複塩などが挙げられる。特にリ
ン酸塩、ホウ酸塩は、良好な結果が得られるので、好ま
しい。より具体的には、トリポリリン酸ナトリウム、ヘ
キサメタリン酸ナトリウム、四ホウ酸ナトリウム、四ホ
ウ酸カリウムなどが挙げられる。
く、網目構造を形成するものが好ましく、たとえば、リ
ン酸塩、ホウ酸塩、ケイ酸塩、硫酸塩、硫黄を含む無機
塩、およびこれらの塩の複塩などが挙げられる。特にリ
ン酸塩、ホウ酸塩は、良好な結果が得られるので、好ま
しい。より具体的には、トリポリリン酸ナトリウム、ヘ
キサメタリン酸ナトリウム、四ホウ酸ナトリウム、四ホ
ウ酸カリウムなどが挙げられる。
【００１３】水溶性無機塩の含有量はペースト中に３〜
１５重量％とされる。１５重量％超過では、乾燥、焼成
後均一で緻密な被膜にすることができない。
１５重量％とされる。１５重量％超過では、乾燥、焼成
後均一で緻密な被膜にすることができない。
【００１４】水溶性高分子からなる増粘剤としては、水
溶性で粘性を適正化できる水溶性高分子、たとえばヒド
ロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロー
ス、カルボキシメチルセルロースなどの多糖類、アルギ
ン酸ナトリウム、アルギン酸アンモニウムなどの有機酸
塩、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、
ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸ナトリウム等が使
用できる。特にアルギン酸ナトリウム、アルギン酸アン
モニウムで良好な結果が得られる。
溶性で粘性を適正化できる水溶性高分子、たとえばヒド
ロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロー
ス、カルボキシメチルセルロースなどの多糖類、アルギ
ン酸ナトリウム、アルギン酸アンモニウムなどの有機酸
塩、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、
ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸ナトリウム等が使
用できる。特にアルギン酸ナトリウム、アルギン酸アン
モニウムで良好な結果が得られる。
【００１５】水溶性高分子からなる増粘剤の含有量はペ
ースト中に０. ５〜６重量％とされ、好ましくは１. ５
〜４重量％とされる。
ースト中に０. ５〜６重量％とされ、好ましくは１. ５
〜４重量％とされる。
【００１６】水溶性高分子からなる増粘剤の他に、パタ
ーニングを高精細にするには、ぺーストに適度なチクソ
トロピー性を持たせる必要があり、このためにペースト
中にフィラーを含有させる。このフィラーとしては無機
フィラー、有機フィラーが使用できる。
ーニングを高精細にするには、ぺーストに適度なチクソ
トロピー性を持たせる必要があり、このためにペースト
中にフィラーを含有させる。このフィラーとしては無機
フィラー、有機フィラーが使用できる。
【００１７】たとえば熱ＣＶＤ法により約５００℃で薄
膜を形成する場合には、ＣｅＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ
2 、Ｎｂ2 Ｏ 5 、カーボンなどの無機フィラーが基体と
焼き付きにくく、好ましい。薄膜を低い温度で形成する
場合には、ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリスチレン等の有機フィラーを使用できる。
膜を形成する場合には、ＣｅＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ
2 、Ｎｂ2 Ｏ 5 、カーボンなどの無機フィラーが基体と
焼き付きにくく、好ましい。薄膜を低い温度で形成する
場合には、ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリスチレン等の有機フィラーを使用できる。
【００１８】フィラーの平均粒径は０. １〜２μｍであ
ることが必要であり、好ましくは０. １〜１. ５μｍで
ある。２μｍ超では、熱処理後緻密な被膜にすることが
できない。
ることが必要であり、好ましくは０. １〜１. ５μｍで
ある。２μｍ超では、熱処理後緻密な被膜にすることが
できない。
【００１９】フィラーの含有量はペースト中に０. １〜
１０重量％とされ、好ましくは０.４〜７重量％とされ
る。１０重量％超では、熱処理後被膜が緻密な構造とな
らず遮蔽性が低下したり、薄膜をリフトオフした後、エ
ッジにスパイクとして残ったりする。
１０重量％とされ、好ましくは０.４〜７重量％とされ
る。１０重量％超では、熱処理後被膜が緻密な構造とな
らず遮蔽性が低下したり、薄膜をリフトオフした後、エ
ッジにスパイクとして残ったりする。
【００２０】本発明において用いられる水の含有量はペ
ースト中に５０〜９５重量％とされ、好ましくは７５〜
９５重量％とされる。
ースト中に５０〜９５重量％とされ、好ましくは７５〜
９５重量％とされる。
【００２１】溶媒が水だけの場合には、スクリーン印刷
すると固形分がスクリーン印刷版に付着するため連続印
刷枚数が限られる。その点を改良するために、ペースト
中にアルコール系有機溶剤を添加する必要がある。
すると固形分がスクリーン印刷版に付着するため連続印
刷枚数が限られる。その点を改良するために、ペースト
中にアルコール系有機溶剤を添加する必要がある。
【００２２】このアルコール系有機溶剤としては、エタ
ノール、２−プロパノール、エチレングリコール、プロ
ピレングリコール、グリセリンなどが挙げられる。アル
コール系有機溶剤の含有量はペースト中に１〜２０重量
％とされ、好ましくは５〜１０重量％とされる。
ノール、２−プロパノール、エチレングリコール、プロ
ピレングリコール、グリセリンなどが挙げられる。アル
コール系有機溶剤の含有量はペースト中に１〜２０重量
％とされ、好ましくは５〜１０重量％とされる。
【００２３】本発明のペーストには、その他にフィラー
の分散剤やペースト印刷時の消泡剤を添加できる。縮合
ナフタレンスルホン酸ナトリウム、ポリカルボン酸アン
モニウムなどの界面活性剤が好適な例として挙げられ
る。
の分散剤やペースト印刷時の消泡剤を添加できる。縮合
ナフタレンスルホン酸ナトリウム、ポリカルボン酸アン
モニウムなどの界面活性剤が好適な例として挙げられ
る。
【００２４】水溶性無機塩が塗布される基体は、特に限
定されず、ガラス、プラスチック、セラミックス、単結
晶体、金属、またはこれらの表面に各種コーティングが
されたもの等が挙げられる。
定されず、ガラス、プラスチック、セラミックス、単結
晶体、金属、またはこれらの表面に各種コーティングが
されたもの等が挙げられる。
【００２５】パターニングすべき薄膜の形成方法は、特
に限定されず、蒸着法、スパッタリング法、スプレー
法、ディップ法、ＣＶＤ法、またはキャスティング法等
が挙げられる。
に限定されず、蒸着法、スパッタリング法、スプレー
法、ディップ法、ＣＶＤ法、またはキャスティング法等
が挙げられる。
【００２６】
【作用】本発明において基体上に塗布されたペースト
は、従来のペーストと異なり、乾燥、焼成後はフィラー
を含んだ厚さ約１〜２μｍの緻密な膜となる。したがっ
て、薄膜を形成する際のガスの回り込みがない。また、
被膜は水溶性無機塩であるため、基体を水洗することで
容易に剥離し、従来困難であった１μｍ以上の薄膜のリ
フトオフも可能となる。また、スパイク現象も起こらな
い。
は、従来のペーストと異なり、乾燥、焼成後はフィラー
を含んだ厚さ約１〜２μｍの緻密な膜となる。したがっ
て、薄膜を形成する際のガスの回り込みがない。また、
被膜は水溶性無機塩であるため、基体を水洗することで
容易に剥離し、従来困難であった１μｍ以上の薄膜のリ
フトオフも可能となる。また、スパイク現象も起こらな
い。
【００２７】
【実施例】［実施例１］ トリポリリン酸ナトリウム６. ４重量％、アルギン酸ア
ンモニウム３. ０重量％、平均粒径０. ６μｍの酸化セ
リウム０．８５重量％、エタノール４．２５重量％、水
８５．１重量％、ポリカルボン酸アンモニウム０. ４重
量％からなるペーストをスクリーン印刷で所望のパター
ンをもってガラス基体に印刷した後、１２０℃で１０分
乾燥し、さらに４５０℃で２０分焼成したところ、クラ
ックのない緻密な水溶性被膜が形成された。
ンモニウム３. ０重量％、平均粒径０. ６μｍの酸化セ
リウム０．８５重量％、エタノール４．２５重量％、水
８５．１重量％、ポリカルボン酸アンモニウム０. ４重
量％からなるペーストをスクリーン印刷で所望のパター
ンをもってガラス基体に印刷した後、１２０℃で１０分
乾燥し、さらに４５０℃で２０分焼成したところ、クラ
ックのない緻密な水溶性被膜が形成された。
【００２８】このガラス基体を５００℃に加熱し、この
基体面にＳｉＨ4 とＯ2 ガスを吹き付け、ＳｉＯ2 膜
（膜厚約１００ｎｍ）を形成し、引き続きガラス基体を
５３０℃に加熱し、その表面のＳｉＯ2 膜上にガス状の
ＳｎＣｌ4 とＨ2 Ｏとを吹き付けて、ＳｎＯ2 膜（膜厚
約１５０ｎｍ）を形成した。この基体を流水下でブラシ
洗浄すると、水溶性被膜上に形成されたＳｉＯ2 膜、Ｓ
ｎＯ2 膜は水溶性被膜とともに流れ落ち、パターニング
されたＳｉＯ2 下地膜付きＳｎＯ2 導電性薄膜がガラス
基体上に形成できた。水溶性被膜があった部分のガラス
上にはＳｉＯ2 膜およびＳｎＯ2 膜はなく、無色透明で
あった。また、スパイクは観察されなかった。
基体面にＳｉＨ4 とＯ2 ガスを吹き付け、ＳｉＯ2 膜
（膜厚約１００ｎｍ）を形成し、引き続きガラス基体を
５３０℃に加熱し、その表面のＳｉＯ2 膜上にガス状の
ＳｎＣｌ4 とＨ2 Ｏとを吹き付けて、ＳｎＯ2 膜（膜厚
約１５０ｎｍ）を形成した。この基体を流水下でブラシ
洗浄すると、水溶性被膜上に形成されたＳｉＯ2 膜、Ｓ
ｎＯ2 膜は水溶性被膜とともに流れ落ち、パターニング
されたＳｉＯ2 下地膜付きＳｎＯ2 導電性薄膜がガラス
基体上に形成できた。水溶性被膜があった部分のガラス
上にはＳｉＯ2 膜およびＳｎＯ2 膜はなく、無色透明で
あった。また、スパイクは観察されなかった。
【００２９】［実施例２］ トリポリリン酸ナトリウム４．３重量％、アルギン酸ナ
トリウム２. １重量％、平均粒径１. ２μｍの酸化チタ
ン３．４重量％、２−プロパノール４．３重量％、水８
５．５重量％、ポリカルボン酸アンモニウム０. ４３重
量％からなるペーストをスクリーン印刷でガラス基体に
印刷した後、１２０℃で１０分乾燥し、さらに５００℃
で１０分焼成したところ、クラックのない緻密な水溶性
被膜が形成された。
トリウム２. １重量％、平均粒径１. ２μｍの酸化チタ
ン３．４重量％、２−プロパノール４．３重量％、水８
５．５重量％、ポリカルボン酸アンモニウム０. ４３重
量％からなるペーストをスクリーン印刷でガラス基体に
印刷した後、１２０℃で１０分乾燥し、さらに５００℃
で１０分焼成したところ、クラックのない緻密な水溶性
被膜が形成された。
【００３０】このガラス基体を５００℃に加熱し、この
基体面にＳｉＨ4 とＯ2 ガスを吹き付け、ＳｉＯ2 膜
（膜厚約１００ｎｍ）を形成し、引き続きガラス基体を
５３０℃に加熱し、その表面のＳｉＯ2 膜上にガス状の
ＳｎＣｌ4 とＨ2 Ｏとを吹き付けて、ＳｎＯ2 膜（膜厚
約１μｍ）を形成した。この基体を流水下でブラシ洗浄
すると、水溶性被膜上に形成されたＳｉＯ2 膜、ＳｎＯ
2 膜は水溶性被膜とともに流れ落ち、パターニングされ
たＳｉＯ2 下地膜付きＳｎＯ2 導電性薄膜がガラス基体
状に形成できた。水溶性被膜があった部分のガラス上に
はＳｉＯ2 膜およびＳｎＯ2 膜はなく、無色透明であっ
た。また、スパイクは観察されなかった。
基体面にＳｉＨ4 とＯ2 ガスを吹き付け、ＳｉＯ2 膜
（膜厚約１００ｎｍ）を形成し、引き続きガラス基体を
５３０℃に加熱し、その表面のＳｉＯ2 膜上にガス状の
ＳｎＣｌ4 とＨ2 Ｏとを吹き付けて、ＳｎＯ2 膜（膜厚
約１μｍ）を形成した。この基体を流水下でブラシ洗浄
すると、水溶性被膜上に形成されたＳｉＯ2 膜、ＳｎＯ
2 膜は水溶性被膜とともに流れ落ち、パターニングされ
たＳｉＯ2 下地膜付きＳｎＯ2 導電性薄膜がガラス基体
状に形成できた。水溶性被膜があった部分のガラス上に
はＳｉＯ2 膜およびＳｎＯ2 膜はなく、無色透明であっ
た。また、スパイクは観察されなかった。
【００３１】［比較例１］ トリポリリン酸ナトリウム４．５重量％、アルギン酸ナ
トリウム３．６重量％、水９１重量％、ポリカルボン酸
アンモニウム０. ９重量％からなるペーストをスクリー
ン印刷で所定のパターンをもってガラス基体に印刷を試
みたが、実施例１と相違して、印刷後の膜にはカケ、カ
スレなどパターンの一部分が寸断された箇所があった。
この基体を１２０℃で１０分乾燥し、さらに５００℃で
１０分焼成したところ、水溶性被膜の一部にはクラック
があったが、水溶性被膜の他の部分は緻密な膜が形成さ
れていた。
トリウム３．６重量％、水９１重量％、ポリカルボン酸
アンモニウム０. ９重量％からなるペーストをスクリー
ン印刷で所定のパターンをもってガラス基体に印刷を試
みたが、実施例１と相違して、印刷後の膜にはカケ、カ
スレなどパターンの一部分が寸断された箇所があった。
この基体を１２０℃で１０分乾燥し、さらに５００℃で
１０分焼成したところ、水溶性被膜の一部にはクラック
があったが、水溶性被膜の他の部分は緻密な膜が形成さ
れていた。
【００３２】このガラス基体に実施例１と同様にしてＳ
ｉＯ2 膜、ＳｎＯ2 膜を形成した後、流水下でブラシ洗
浄したところ、水溶性被膜のクラック部分からＳｉＯ2
膜、ＳｎＯ2 膜がガラス基体側に回り込んでいることが
わかった。一方、均一な水溶性被膜の形成されていた部
分のガラス面上にはＳｉＯ2 膜、ＳｎＯ2 膜の回り込み
は観察されなかった。
ｉＯ2 膜、ＳｎＯ2 膜を形成した後、流水下でブラシ洗
浄したところ、水溶性被膜のクラック部分からＳｉＯ2
膜、ＳｎＯ2 膜がガラス基体側に回り込んでいることが
わかった。一方、均一な水溶性被膜の形成されていた部
分のガラス面上にはＳｉＯ2 膜、ＳｎＯ2 膜の回り込み
は観察されなかった。
【００３３】［比較例２］ トリポリリン酸ナトリウム６．６重量％、アルギン酸ア
ンモニウム４．９重量％、平均粒径３μｍの酸化セリウ
ム１．６重量％、２−プロパノール４．１重量％、水８
２．４重量％、ポリカルボン酸アンモニウム０. ４重量
％からなるペーストをスクリーン印刷で所定のパターン
をもってガラス基体に印刷した後、１２０℃で１０分乾
燥し、さらに５００℃で１０分焼成したところ、一部の
酸化セリウム粒子のまわりの水溶性被膜にクラックがあ
った。
ンモニウム４．９重量％、平均粒径３μｍの酸化セリウ
ム１．６重量％、２−プロパノール４．１重量％、水８
２．４重量％、ポリカルボン酸アンモニウム０. ４重量
％からなるペーストをスクリーン印刷で所定のパターン
をもってガラス基体に印刷した後、１２０℃で１０分乾
燥し、さらに５００℃で１０分焼成したところ、一部の
酸化セリウム粒子のまわりの水溶性被膜にクラックがあ
った。
【００３４】このガラス基体に実施例１と同様にしてＳ
ｉＯ2 膜、ＳｎＯ2 膜を形成した後、流水下でブラシ洗
浄したところ、水溶性被膜のクラック部分からＳｉＯ2
膜、ＳｎＯ2 膜がガラス基体側に回り込んでいることが
わかった。また水溶性被膜のエッジ部分にはＣｅＯ2 粒
子が残り、スパイクが形成されていた。
ｉＯ2 膜、ＳｎＯ2 膜を形成した後、流水下でブラシ洗
浄したところ、水溶性被膜のクラック部分からＳｉＯ2
膜、ＳｎＯ2 膜がガラス基体側に回り込んでいることが
わかった。また水溶性被膜のエッジ部分にはＣｅＯ2 粒
子が残り、スパイクが形成されていた。
【００３５】［比較例３］ トリポリリン酸ナトリウム１５．３重量％、アルギン酸
アンモニウム７．６重量％、平均粒径０．６μｍの酸化
セリウム０．８重量％、水７６．３重量％からなるペー
ストをスクリーン印刷で所定のパターンをもってガラス
基体に印刷した後、１２０℃で１０分乾燥し、さらに５
００℃で１０分焼成したところ、緻密な水溶性被膜が形
成されなかった。
アンモニウム７．６重量％、平均粒径０．６μｍの酸化
セリウム０．８重量％、水７６．３重量％からなるペー
ストをスクリーン印刷で所定のパターンをもってガラス
基体に印刷した後、１２０℃で１０分乾燥し、さらに５
００℃で１０分焼成したところ、緻密な水溶性被膜が形
成されなかった。
【００３６】このガラス基体に実施例１と同様にしてＳ
ｉＯ2 膜、ＳｎＯ2 膜を形成した後、流水下でブラシ洗
浄したところ、水溶性被膜のクラック部分からＳｉＯ2
膜、ＳｎＯ2 膜がガラス基体側に回り込んでいることが
わかった。
ｉＯ2 膜、ＳｎＯ2 膜を形成した後、流水下でブラシ洗
浄したところ、水溶性被膜のクラック部分からＳｉＯ2
膜、ＳｎＯ2 膜がガラス基体側に回り込んでいることが
わかった。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、水溶性無機塩を高精細
に基体上にスクリーン印刷でき、それを乾燥、焼成する
ことでクラックや欠けのない緻密な水溶性被膜が得られ
る。この被膜は易水溶性であるため、薄膜形成後の被膜
の剥離を水洗で容易に行うことができ、剥離性に優れる
ため、約１μｍの薄膜でもパターニング可能となる。ま
た被膜は緻密なためガスの回り込みを防ぎ、剥離後の基
体の表面には曇りがなく、さらに、スパイク現象も起こ
らない。
に基体上にスクリーン印刷でき、それを乾燥、焼成する
ことでクラックや欠けのない緻密な水溶性被膜が得られ
る。この被膜は易水溶性であるため、薄膜形成後の被膜
の剥離を水洗で容易に行うことができ、剥離性に優れる
ため、約１μｍの薄膜でもパターニング可能となる。ま
た被膜は緻密なためガスの回り込みを防ぎ、剥離後の基
体の表面には曇りがなく、さらに、スパイク現象も起こ
らない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−211768（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−106680（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−149958（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−105331（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−908（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−256881（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−265591（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−64172（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09D 1/00 - 201/00 B05D 7/24 G03F 1/06 H05K 3/02 - 3/08
Claims (3)
- 【請求項１】水溶性無機塩を３〜１５重量％、水溶性高
分子からなる増粘剤を０. ５〜６重量％、平均粒径が
０. １〜２μｍのフィラーを０. １〜１０重量％、アル
コール系有機溶剤を１〜２０重量％、および水を５０〜
９５重量％含むことを特徴とする薄膜パターン形成用ペ
ースト。 - 【請求項２】水溶性無機塩がリン酸塩および／またはホ
ウ酸塩である請求項１の薄膜パターン形成用ペースト。 - 【請求項３】フィラーが無機フィラーである請求項１の
薄膜パターン形成用ペースト。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12930794A JP3279435B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 薄膜パターン形成用ペースト |
| PCT/JP1994/001938 WO1995034608A1 (fr) | 1994-06-10 | 1994-11-17 | Substrat enduit d'un sel hydrosoluble |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12930794A JP3279435B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 薄膜パターン形成用ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07331180A JPH07331180A (ja) | 1995-12-19 |
| JP3279435B2 true JP3279435B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=15006333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12930794A Expired - Fee Related JP3279435B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 薄膜パターン形成用ペースト |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3279435B2 (ja) |
| WO (1) | WO1995034608A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009267417A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Ind Technol Res Inst | フレキシブル基板上に導電パターンを作製する方法およびそれに用いる保護インク |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6153535A (en) * | 1996-10-23 | 2000-11-28 | Asahi Glass Company Ltd. | Method for removing a thin film for a window glass |
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