JP3255985B2 - 厚膜正特性サーミスタ組成物、その製造方法および厚膜正特性サーミスタ - Google Patents
厚膜正特性サーミスタ組成物、その製造方法および厚膜正特性サーミスタInfo
- Publication number
- JP3255985B2 JP3255985B2 JP25533792A JP25533792A JP3255985B2 JP 3255985 B2 JP3255985 B2 JP 3255985B2 JP 25533792 A JP25533792 A JP 25533792A JP 25533792 A JP25533792 A JP 25533792A JP 3255985 B2 JP3255985 B2 JP 3255985B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- copper
- thick film
- positive temperature
- coefficient thermistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 97
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 66
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 claims description 30
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 28
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 claims description 26
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 4
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 84
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 5
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 5
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- XCEAGAJKBRACAD-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ru] Chemical compound [Cu].[Ru] XCEAGAJKBRACAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、正の抵抗温度係数を示
す厚膜正特性サーミスタ組成物、その製造方法および厚
膜正特性サーミスタに関する。
す厚膜正特性サーミスタ組成物、その製造方法および厚
膜正特性サーミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、正の温度係数を有する抵抗器とし
ては、例えばニッケル（Ｎｉ）または、ニッケル（Ｎ
ｉ）−クロム（Ｃｒ）などをアルミナ基板上に着膜し、
エッチングなどの技術により回路パターンを形成する薄
膜方式の構成が知られている。
ては、例えばニッケル（Ｎｉ）または、ニッケル（Ｎ
ｉ）−クロム（Ｃｒ）などをアルミナ基板上に着膜し、
エッチングなどの技術により回路パターンを形成する薄
膜方式の構成が知られている。
【０００３】しかしながら、上記従来の抵抗器では、薄
膜方式により製造されるため、その製造方法は煩雑で、
しかも厳しい条件が要求されている。
膜方式により製造されるため、その製造方法は煩雑で、
しかも厳しい条件が要求されている。
【０００４】このため、より簡便かつ低廉で量産可能な
抵抗器およびその製造方法が望まれている。
抵抗器およびその製造方法が望まれている。
【０００５】一方、加熱焼成する厚膜方式の構成も知ら
れているが、この厚膜方式では空気中で加熱焼成するた
め、酸化しやすいニッケル（Ｎｉ）または、ニッケル
（Ｎｉ）−クロム（Ｃｒ）などの金属類を使用すること
ができない。
れているが、この厚膜方式では空気中で加熱焼成するた
め、酸化しやすいニッケル（Ｎｉ）または、ニッケル
（Ｎｉ）−クロム（Ｃｒ）などの金属類を使用すること
ができない。
【０００６】ところで、金属は一般に酸化物になると半
導体または絶縁体となるが、この酸化物のうち、酸化ル
テニウム（ＲｕＯ２）は金属的伝導を示す酸化物として
知られている。この酸化ルテニウムは、温度係数が約＋
３０００ｐｐｍ／℃であるが、ガラス粉末と混合して加
熱焼成すると、＋８００ｐｐｍ／℃程度まで低下する。
導体または絶縁体となるが、この酸化物のうち、酸化ル
テニウム（ＲｕＯ２）は金属的伝導を示す酸化物として
知られている。この酸化ルテニウムは、温度係数が約＋
３０００ｐｐｍ／℃であるが、ガラス粉末と混合して加
熱焼成すると、＋８００ｐｐｍ／℃程度まで低下する。
【０００７】最近では、これに添加物を加え、約±１０
０ｐｐｍ／℃程度になるように調製されている。
０ｐｐｍ／℃程度になるように調製されている。
【０００８】そして、この温度係数を調整する添加物と
しては、抵抗温度係数（ＴＣＲ：Temperature Coeffici
ent of Resistance）を減少させるもの、すなわち負の
ＴＣＲ駆動体（ドライバ）として、酸化ニオブ（Ｎｂ２
Ｏ５）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化マンガン（Ｍｎ
２Ｏ３）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化アンチモン
（Ｓｂ２Ｏ３）など、抵抗温度係数を増大させるもの、
すなわち正のＴＣＲ駆動体として、酸化銅（ＣｕＯ）が
知られている。
しては、抵抗温度係数（ＴＣＲ：Temperature Coeffici
ent of Resistance）を減少させるもの、すなわち負の
ＴＣＲ駆動体（ドライバ）として、酸化ニオブ（Ｎｂ２
Ｏ５）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化マンガン（Ｍｎ
２Ｏ３）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化アンチモン
（Ｓｂ２Ｏ３）など、抵抗温度係数を増大させるもの、
すなわち正のＴＣＲ駆動体として、酸化銅（ＣｕＯ）が
知られている。
【０００９】しかしながら、これらの添加物は、酸化ル
テニウムを主体とする抵抗ペーストの抵抗温度係数をあ
る限られた範囲、例えば±１００ｐｐｍ／℃内に設定す
るために微量添加されるものである。
テニウムを主体とする抵抗ペーストの抵抗温度係数をあ
る限られた範囲、例えば±１００ｐｐｍ／℃内に設定す
るために微量添加されるものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、薄膜
方式では、製造性が煩雑で所定の正の温度係数を得るた
めには製造の際の条件が厳しい。また、厚膜方式では、
加熱焼成するため、半導体または絶縁体となる酸化物に
酸化しやすい金属などを使用することができない問題が
ある。
方式では、製造性が煩雑で所定の正の温度係数を得るた
めには製造の際の条件が厳しい。また、厚膜方式では、
加熱焼成するため、半導体または絶縁体となる酸化物に
酸化しやすい金属などを使用することができない問題が
ある。
【００１１】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、大きな正の抵抗温度係数が得られる厚膜正特性サー
ミスタ組成物、その製造方法および厚膜正特性サーミス
タを提供することを目的とする。
で、大きな正の抵抗温度係数が得られる厚膜正特性サー
ミスタ組成物、その製造方法および厚膜正特性サーミス
タを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の厚膜正特
性サーミスタ組成物は、ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕ
Ｏ３）およびガラスを含有するものである。
性サーミスタ組成物は、ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕ
Ｏ３）およびガラスを含有するものである。
【００１３】請求項２記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物は、請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成物にお
いて、ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ３）は、銅（Ｃｕ）
の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なく
ともいずれか１種と、ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水
酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか
１種と、銅（Ｃｕ）−ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水
酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか
１種との少なくともいずれか２種が混合され加熱焼成さ
れて調整されたものである。
物は、請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成物にお
いて、ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ３）は、銅（Ｃｕ）
の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なく
ともいずれか１種と、ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水
酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか
１種と、銅（Ｃｕ）−ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水
酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか
１種との少なくともいずれか２種が混合され加熱焼成さ
れて調整されたものである。
【００１４】請求項３記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物は、請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成物にお
いて、ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）は、銅（Ｃｕ）
の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なく
ともいずれか１種と、ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水
酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか
１種とが１:１のモル比で混合され加熱焼成されて調整
されたものである。
物は、請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成物にお
いて、ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）は、銅（Ｃｕ）
の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なく
ともいずれか１種と、ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水
酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか
１種とが１:１のモル比で混合され加熱焼成されて調整
されたものである。
【００１５】請求項４記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物の製造方法は、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸
塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種との少なくともいずれ
か２種を混合して加熱焼成してルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ ３ ）を生成し、このルテニウム酸銅（ＣｕＲｕ
Ｏ ３ ）を粉砕し、この粉砕したルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ ３ ）と、ガラス粉末とを混合して厚膜ペーストを調
製し、この厚膜ペーストを加熱焼成するものである。
物の製造方法は、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸
塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種との少なくともいずれ
か２種を混合して加熱焼成してルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ ３ ）を生成し、このルテニウム酸銅（ＣｕＲｕ
Ｏ ３ ）を粉砕し、この粉砕したルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ ３ ）と、ガラス粉末とを混合して厚膜ペーストを調
製し、この厚膜ペーストを加熱焼成するものである。
【００１６】請求項５記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物の製造方法は、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸
塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種とを１:１のモル比で
混合して加熱焼成してルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）
を生成し、このルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）を粉砕
し、この粉砕したルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）と、
ガラス粉末とを混合して厚膜ペーストを調製し、この厚
膜ペーストを加熱焼成するものである。
物の製造方法は、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸
塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種とを１:１のモル比で
混合して加熱焼成してルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）
を生成し、このルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）を粉砕
し、この粉砕したルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）と、
ガラス粉末とを混合して厚膜ペーストを調製し、この厚
膜ペーストを加熱焼成するものである。
【００１７】請求項６記載の厚膜正特性サーミスタは、
電気絶縁性を有する基板と、この基板の少なくとも対向
する端部に設けられた一対の電極と、これら電極間に跨
って形成された請求項１、２または３のいずれかに記載
の厚膜正特性サーミスタ組成物と、この厚膜正特性サー
ミスタ組成物および前記一対の電極の少なくとも一部を
被覆する保護膜とを具備したものである。
電気絶縁性を有する基板と、この基板の少なくとも対向
する端部に設けられた一対の電極と、これら電極間に跨
って形成された請求項１、２または３のいずれかに記載
の厚膜正特性サーミスタ組成物と、この厚膜正特性サー
ミスタ組成物および前記一対の電極の少なくとも一部を
被覆する保護膜とを具備したものである。
【００１８】
【作用】請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成物
は、金属的伝導を示す酸化ルテニウムと正の抵抗温度係
数の駆動体となる酸化銅との固溶体であるルテニウム酸
銅（ＣｕＲｕＯ３）およびガラスを含有するので、低抵
抗でかつ大きな抵抗温度係数が得られるとともに良好な
抵抗温度特性が得られる。
は、金属的伝導を示す酸化ルテニウムと正の抵抗温度係
数の駆動体となる酸化銅との固溶体であるルテニウム酸
銅（ＣｕＲｕＯ３）およびガラスを含有するので、低抵
抗でかつ大きな抵抗温度係数が得られるとともに良好な
抵抗温度特性が得られる。
【００１９】請求項２記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物は、請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成物にお
いて、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシ
ュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテニウム（Ｒ
ｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少
なくともいずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ルテニウム（Ｒ
ｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少
なくともいずれか１種との少なくともいずれか２種との
混合物を加熱焼成してルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ３）
を調整するため、容易に低抵抗でかつ大きな抵抗温度係
数が得られるとともに良好な抵抗温度特性が得られる。
物は、請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成物にお
いて、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシ
ュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテニウム（Ｒ
ｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少
なくともいずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ルテニウム（Ｒ
ｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少
なくともいずれか１種との少なくともいずれか２種との
混合物を加熱焼成してルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ３）
を調整するため、容易に低抵抗でかつ大きな抵抗温度係
数が得られるとともに良好な抵抗温度特性が得られる。
【００２０】請求項３記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物は、請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成物にお
いて、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシ
ュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテニウム（Ｒ
ｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少
なくともいずれか１種とが１:１のモル比で混合された
混合物を加熱焼成してルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）
を調整するため、容易に低抵抗でかつ大きな抵抗温度係
数が得られるとともに良好な抵抗温度特性が得られる。
物は、請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成物にお
いて、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシ
ュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテニウム（Ｒ
ｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少
なくともいずれか１種とが１:１のモル比で混合された
混合物を加熱焼成してルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）
を調整するため、容易に低抵抗でかつ大きな抵抗温度係
数が得られるとともに良好な抵抗温度特性が得られる。
【００２１】請求項４記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物の製造方法は、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸
塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種との少なくともいずれ
か２種を加熱焼成して生成したルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ ３ ）と、ガラス粉末とを混合して調製した厚膜ペー
ストを加熱焼成するため、低抵抗でかつ大きな抵抗温度
係数が得られるとともに良好な抵抗温度特性が得られる
厚膜正特性サーミスタが容易に得られる。
物の製造方法は、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸
塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種との少なくともいずれ
か２種を加熱焼成して生成したルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ ３ ）と、ガラス粉末とを混合して調製した厚膜ペー
ストを加熱焼成するため、低抵抗でかつ大きな抵抗温度
係数が得られるとともに良好な抵抗温度特性が得られる
厚膜正特性サーミスタが容易に得られる。
【００２２】請求項５記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物の製造方法は、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸
塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか １種とを１:１のモル比で
混合して加熱焼成して生成されたルテニウム酸銅（Ｃｕ
ＲｕＯ ３ ）と、ガラス粉末とを混合して調製した厚膜ペ
ーストを加熱焼成するため、低抵抗でかつ大きな抵抗温
度係数が得られるとともに良好な抵抗温度特性が得られ
る厚膜正特性サーミスタが容易に得られる。
物の製造方法は、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸
塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか １種とを１:１のモル比で
混合して加熱焼成して生成されたルテニウム酸銅（Ｃｕ
ＲｕＯ ３ ）と、ガラス粉末とを混合して調製した厚膜ペ
ーストを加熱焼成するため、低抵抗でかつ大きな抵抗温
度係数が得られるとともに良好な抵抗温度特性が得られ
る厚膜正特性サーミスタが容易に得られる。
【００２３】請求項６記載の厚膜正特性サーミスタは、
基板の少なくとも対向する端部に設けた一対の電極間に
跨って、請求項１、２または３のいずれかに記載のルテ
ニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）を含む厚膜正特性サーミス
タ組成物を形成し、この厚膜正特性サーミスタ組成物お
よび一対の電極の少なくとも一部を保護膜にて被覆する
ため、容易に低抵抗でかつ大きな抵抗温度係数が得られ
るとともに良好な抵抗温度特性が得られる。
基板の少なくとも対向する端部に設けた一対の電極間に
跨って、請求項１、２または３のいずれかに記載のルテ
ニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）を含む厚膜正特性サーミス
タ組成物を形成し、この厚膜正特性サーミスタ組成物お
よび一対の電極の少なくとも一部を保護膜にて被覆する
ため、容易に低抵抗でかつ大きな抵抗温度係数が得られ
るとともに良好な抵抗温度特性が得られる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の厚膜正特性サーミスタを示す
一実施例を図面を参照して説明する。
一実施例を図面を参照して説明する。
【００２５】図１および図２において、１は電気絶縁性
を有する基板である例えばアルミナ基板で、このアルミ
ナ基板１は略直方体形状に形成されている。そして、こ
のアルミナ基板１には、長手方向の両端面から両端部の
上下面に亘って断面略コ字状に、例えば銀（Ａｇ）−パ
ラジウム（Ｐｄ）系の電極２，２が印刷焼成にてそれぞ
れ設けられている。
を有する基板である例えばアルミナ基板で、このアルミ
ナ基板１は略直方体形状に形成されている。そして、こ
のアルミナ基板１には、長手方向の両端面から両端部の
上下面に亘って断面略コ字状に、例えば銀（Ａｇ）−パ
ラジウム（Ｐｄ）系の電極２，２が印刷焼成にてそれぞ
れ設けられている。
【００２６】また、アルミナ基板１の一面には、対向す
る両端部に設けられた一対の電極２，２間に跨って厚膜
正特性サーミスタ体３が帯状に形成されている。この厚
膜正特性サーミスタは、ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕ
Ｏ３）およびガラスを含有するもので、例えば銅（Ｃ
ｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少
なくともいずれか１種と、ルテニウム（Ｒｕ）の酸化
物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともい
ずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ルテニウム（Ｒｕ）の酸化
物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともい
ずれか１種との少なくともいずれか２種を混合し加熱焼
成して得られた酸化物と、ガラス粉末とを混合して調製
した厚膜ペーストを、印刷形成して加熱焼成により形成
される。
る両端部に設けられた一対の電極２，２間に跨って厚膜
正特性サーミスタ体３が帯状に形成されている。この厚
膜正特性サーミスタは、ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕ
Ｏ３）およびガラスを含有するもので、例えば銅（Ｃ
ｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少
なくともいずれか１種と、ルテニウム（Ｒｕ）の酸化
物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともい
ずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ルテニウム（Ｒｕ）の酸化
物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともい
ずれか１種との少なくともいずれか２種を混合し加熱焼
成して得られた酸化物と、ガラス粉末とを混合して調製
した厚膜ペーストを、印刷形成して加熱焼成により形成
される。
【００２７】そして、この厚膜正特性サーミスタ体３に
は、電極２，２の対向方向に沿った一縁からアルミナ基
板１の幅方向に沿って切欠形成されたトリミング４が設
けられ、抵抗値が調整されている。
は、電極２，２の対向方向に沿った一縁からアルミナ基
板１の幅方向に沿って切欠形成されたトリミング４が設
けられ、抵抗値が調整されている。
【００２８】また、アルミナ基板１には、厚膜正特性サ
ーミスタ体３およびトリミング４の全面と、一対の電極
２，２の上面に位置する一部とを被覆する電気絶縁性の
例えばエポキシ樹脂などの保護膜５が塗布や印刷により
設けられている。なお、保護膜５は、ガラスなどでもよ
い。
ーミスタ体３およびトリミング４の全面と、一対の電極
２，２の上面に位置する一部とを被覆する電気絶縁性の
例えばエポキシ樹脂などの保護膜５が塗布や印刷により
設けられている。なお、保護膜５は、ガラスなどでもよ
い。
【００２９】さらに、保護膜５にて被覆されていない電
極２，２の表面には、例えばニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓ
ｎ）などの表面電極６，６がメッキやスパッタリングな
どによりそれぞれ設けられ、厚膜正特性サーミスタ７が
構成されている。
極２，２の表面には、例えばニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓ
ｎ）などの表面電極６，６がメッキやスパッタリングな
どによりそれぞれ設けられ、厚膜正特性サーミスタ７が
構成されている。
【００３０】次に、上記実施例の製造工程について説明
する。
する。
【００３１】まず、銅の酸化物である酸化銅（ＣｕＯ）
と、ルテニウムの酸化物である酸化ルテニウム（ＲｕＯ
２）とを１：１のモル比で混合する。そして、この酸化
銅と酸化ルテニウムとの混合粉末を成形した後、磁性る
つぼに入れて９００℃で１時間加熱焼成し、固相反応さ
せる。この加熱焼成により得られた酸化物をボールミル
にかけて粉末にする。なお、この粉末をＸ線回折により
分析した結果、ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ３）が同定
された。
と、ルテニウムの酸化物である酸化ルテニウム（ＲｕＯ
２）とを１：１のモル比で混合する。そして、この酸化
銅と酸化ルテニウムとの混合粉末を成形した後、磁性る
つぼに入れて９００℃で１時間加熱焼成し、固相反応さ
せる。この加熱焼成により得られた酸化物をボールミル
にかけて粉末にする。なお、この粉末をＸ線回折により
分析した結果、ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ３）が同定
された。
【００３２】次に、この粉末を例えば４５重量％と、硼
珪酸鉛ガラス粉末５５重量％とを秤量し、自動混合機ま
たはボールミルにより混合して混合物を調製する。ここ
で、さらに例えば有機ビヒクルとして７重量％のエチル
セルロースを含むブチルカルビトールを混合物の２５重
量％となるように加え、３本ロールなどで十分に混合
し、厚膜正特性サーミスタペーストを調製する。
珪酸鉛ガラス粉末５５重量％とを秤量し、自動混合機ま
たはボールミルにより混合して混合物を調製する。ここ
で、さらに例えば有機ビヒクルとして７重量％のエチル
セルロースを含むブチルカルビトールを混合物の２５重
量％となるように加え、３本ロールなどで十分に混合
し、厚膜正特性サーミスタペーストを調製する。
【００３３】そして、得られた厚膜正特性サーミスタペ
ーストを用いて、図１および図２に示すように、アルミ
ナ基板１の対向する端面近傍に印刷焼成により形成した
銀（Ａｇ）−パラジウム（Ｐｄ）系の電極２，２を跨い
で電気的に接続するように印刷し、８５０℃で１０分間
焼成して厚膜正特性サーミスタ体３を形成する。
ーストを用いて、図１および図２に示すように、アルミ
ナ基板１の対向する端面近傍に印刷焼成により形成した
銀（Ａｇ）−パラジウム（Ｐｄ）系の電極２，２を跨い
で電気的に接続するように印刷し、８５０℃で１０分間
焼成して厚膜正特性サーミスタ体３を形成する。
【００３４】この後、必要に応じて、厚膜正特性サーミ
スタ体３にトリミング４を設けて抵抗値を調整する。な
お、トリミング４を設けなくてもよい。
スタ体３にトリミング４を設けて抵抗値を調整する。な
お、トリミング４を設けなくてもよい。
【００３５】次に、この厚膜正特性サーミスタ体３およ
びトリミング４の全面と、電極２，２の一部とを例えば
エポキシ樹脂などを塗布または印刷して被覆し、乾燥し
て硬化させ、電気絶縁性の保護膜５を形成する。
びトリミング４の全面と、電極２，２の一部とを例えば
エポキシ樹脂などを塗布または印刷して被覆し、乾燥し
て硬化させ、電気絶縁性の保護膜５を形成する。
【００３６】この後、保護膜５に被覆されていない電極
２，２の表面上をニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）などで
さらにメッキまたはスパッタリングなどにより半田付け
可能な表面電極６，６を形成し、厚膜正特性サーミスタ
７を得る。
２，２の表面上をニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）などで
さらにメッキまたはスパッタリングなどにより半田付け
可能な表面電極６，６を形成し、厚膜正特性サーミスタ
７を得る。
【００３７】この得られた厚膜正特性サーミスタ７の抵
抗値は、面積１ｍｍ２、膜厚１０μｍにおいて、９１．
３Ω（２５℃）、抵抗温度係数（ＴＣＲ）は２８５２ｐ
ｐｍ／℃（２５℃／１２５℃）で安定した特性であっ
た。
抗値は、面積１ｍｍ２、膜厚１０μｍにおいて、９１．
３Ω（２５℃）、抵抗温度係数（ＴＣＲ）は２８５２ｐ
ｐｍ／℃（２５℃／１２５℃）で安定した特性であっ
た。
【００３８】次に、上記実施例の作用を説明する。
【００３９】上述した製造工程に基づいて、ルテニウム
酸銅（ＣｕＲｕＯ３）とガラスとの組成比である酸化物
の粉末と硼珪酸鉛ガラス粉末との配合比を適宜設定して
作製した厚膜正特性サーミスタ７の試料の特性を表１に
示す。
酸銅（ＣｕＲｕＯ３）とガラスとの組成比である酸化物
の粉末と硼珪酸鉛ガラス粉末との配合比を適宜設定して
作製した厚膜正特性サーミスタ７の試料の特性を表１に
示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】この表１において、各試料の抵抗値は２５
℃で、膜厚１０μｍ、面積１ｍｍ２の値であり、抵抗温
度係数（ＴＣＲ）は数式１によって得られる。
℃で、膜厚１０μｍ、面積１ｍｍ２の値であり、抵抗温
度係数（ＴＣＲ）は数式１によって得られる。
【００４２】
【数１】
【００４３】この数式１によると、上記組成範囲では、
ガラスに対するルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ３）の含有
量が増加するのに伴い、抵抗値が減少し抵抗温度係数が
増加する傾向にあることが分かる。
ガラスに対するルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ３）の含有
量が増加するのに伴い、抵抗値が減少し抵抗温度係数が
増加する傾向にあることが分かる。
【００４４】上述したように、上記実施例では、金属的
伝導を示す酸化ルテニウムと正の抵抗温度係数の駆動体
となる酸化銅との固溶体であるルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ３）を用いて厚膜正特性サーミスタ体３を形成した
ため、ガラス粉末と混合して加熱焼成しても抵抗温度係
数（ＴＣＲ）が低下せず、低抵抗でかつ抵抗温度係数が
高い厚膜正特性サーミスタを得ることができるととも
に、抵抗温度特性の直線性が良好な厚膜正特性サーミス
タを得ることができる。
伝導を示す酸化ルテニウムと正の抵抗温度係数の駆動体
となる酸化銅との固溶体であるルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ３）を用いて厚膜正特性サーミスタ体３を形成した
ため、ガラス粉末と混合して加熱焼成しても抵抗温度係
数（ＴＣＲ）が低下せず、低抵抗でかつ抵抗温度係数が
高い厚膜正特性サーミスタを得ることができるととも
に、抵抗温度特性の直線性が良好な厚膜正特性サーミス
タを得ることができる。
【００４５】また、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭
酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ル
テニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシ
ュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ル
テニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシ
ュウ酸塩の少なくともいずれか１種との少なくともいず
れか２種との混合物を加熱焼成してルテニウム酸銅（Ｃ
ｕＲｕＯ３）を調整するため、容易に低抵抗でかつ大き
な抵抗温度係数が得られ、良好な抵抗温度特性の直線性
が得られる。
酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ル
テニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシ
ュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ル
テニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシ
ュウ酸塩の少なくともいずれか１種との少なくともいず
れか２種との混合物を加熱焼成してルテニウム酸銅（Ｃ
ｕＲｕＯ３）を調整するため、容易に低抵抗でかつ大き
な抵抗温度係数が得られ、良好な抵抗温度特性の直線性
が得られる。
【００４６】さらに、厚膜正特性サーミスタ体３が通常
の厚膜形状であるため、チップ抵抗器と同様もしくは同
一の工程で製造でき、新たな工場設備が不要で、大量生
産に適し生産効率を向上でき、製造コストを低減でき
る。
の厚膜形状であるため、チップ抵抗器と同様もしくは同
一の工程で製造でき、新たな工場設備が不要で、大量生
産に適し生産効率を向上でき、製造コストを低減でき
る。
【００４７】また、混成集積回路（ＨＩＣ：Hybrid Int
egrated Circuit）化の際には、その製造時に温度補償
回路を同時に形成できる。
egrated Circuit）化の際には、その製造時に温度補償
回路を同時に形成できる。
【００４８】
【発明の効果】請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組
成物によれば、金属的伝導を示す酸化ルテニウムと正の
抵抗温度係数の駆動体となる酸化銅との固溶体であるル
テニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ３）を用いることにより、ガ
ラス粉末と混合して加熱焼成しても抵抗温度係数（ＴＣ
Ｒ）が低下せず、低抵抗でかつ大きな抵抗温度係数が得
られるとともに良好な抵抗温度特性を得ることができ
る。
成物によれば、金属的伝導を示す酸化ルテニウムと正の
抵抗温度係数の駆動体となる酸化銅との固溶体であるル
テニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ３）を用いることにより、ガ
ラス粉末と混合して加熱焼成しても抵抗温度係数（ＴＣ
Ｒ）が低下せず、低抵抗でかつ大きな抵抗温度係数が得
られるとともに良好な抵抗温度特性を得ることができ
る。
【００４９】請求項２記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物によれば、請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物の効果に加え、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸
塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種との少なくともいずれ
か２種との混合物を加熱焼成してルテニウム酸銅（Ｃｕ
ＲｕＯ３）を調整するため、容易に低抵抗でかつ大きな
抵抗温度係数で、良好な抵抗温度特性を得ることができ
る。
物によれば、請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物の効果に加え、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸
塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種との少なくともいずれ
か２種との混合物を加熱焼成してルテニウム酸銅（Ｃｕ
ＲｕＯ３）を調整するため、容易に低抵抗でかつ大きな
抵抗温度係数で、良好な抵抗温度特性を得ることができ
る。
【００５０】請求項３記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物によれば、請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物の効果に加え、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸
塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種とが１:１のモル比で
混合された混合物を加熱焼成してルテニウム酸銅（Ｃｕ
ＲｕＯ ３ ）を調整するため、容易に低抵抗でかつ大きな
抵抗温度係数で、良好な抵抗温度特性を得ることができ
る。
物によれば、請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物の効果に加え、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸
塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテ
ニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュ
ウ酸塩の少なくともいずれか１種とが１:１のモル比で
混合された混合物を加熱焼成してルテニウム酸銅（Ｃｕ
ＲｕＯ ３ ）を調整するため、容易に低抵抗でかつ大きな
抵抗温度係数で、良好な抵抗温度特性を得ることができ
る。
【００５１】請求項４記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物の製造方法によれば、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化
物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種
と、ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩お
よびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、銅（Ｃ
ｕ）−ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩
およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種との少なく
ともいずれか２種を加熱焼成してルテニウム酸銅（Ｃｕ
ＲｕＯ ３ ）を生成し、このルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ
３ ）を粉砕し、この粉砕したルテニウム酸銅（ＣｕＲｕ
Ｏ ３ ）と、ガラス粉末とを混合して調製した厚膜ペース
トを加熱焼成するため、低抵抗でかつ大きな抵抗温度係
数で、良好な抵抗温度特性が得られる厚膜正特性サーミ
スタを容易に製造できる。
物の製造方法によれば、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化
物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種
と、ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩お
よびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、銅（Ｃ
ｕ）−ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩
およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種との少なく
ともいずれか２種を加熱焼成してルテニウム酸銅（Ｃｕ
ＲｕＯ ３ ）を生成し、このルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ
３ ）を粉砕し、この粉砕したルテニウム酸銅（ＣｕＲｕ
Ｏ ３ ）と、ガラス粉末とを混合して調製した厚膜ペース
トを加熱焼成するため、低抵抗でかつ大きな抵抗温度係
数で、良好な抵抗温度特性が得られる厚膜正特性サーミ
スタを容易に製造できる。
【００５２】請求項５記載の厚膜正特性サーミスタ組成
物の製造方法によれば、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化
物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種
と、ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩お
よびシュウ酸塩の少なくともい ずれか１種とを１:１の
モル比で混合して加熱焼成してルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ ３ ）を生成し、このルテニウム酸銅（ＣｕＲｕ
Ｏ ３ ）を粉砕し、この粉砕したルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ ３ ）と、ガラス粉末とを混合して調製した厚膜ペー
ストを加熱焼成するため、低抵抗でかつ大きな抵抗温度
係数で、良好な抵抗温度特性が得られる厚膜正特性サー
ミスタを容易に製造できる。
物の製造方法によれば、銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化
物、炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種
と、ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩お
よびシュウ酸塩の少なくともい ずれか１種とを１:１の
モル比で混合して加熱焼成してルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ ３ ）を生成し、このルテニウム酸銅（ＣｕＲｕ
Ｏ ３ ）を粉砕し、この粉砕したルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ ３ ）と、ガラス粉末とを混合して調製した厚膜ペー
ストを加熱焼成するため、低抵抗でかつ大きな抵抗温度
係数で、良好な抵抗温度特性が得られる厚膜正特性サー
ミスタを容易に製造できる。
【００５３】請求項６記載の厚膜正特性サーミスタによ
れば、基板に設けた一対の電極間に跨って、請求項１、
２または３のいずれかに記載のルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ ３ ）を含む厚膜正特性サーミスタ組成物を形成し、
この厚膜正特性サーミスタ組成物および一対の電極の少
なくとも一部を保護膜にて被覆するため、容易に低抵抗
でかつ大きな抵抗温度係数で、良好な抵抗温度特性を得
ることができる。
れば、基板に設けた一対の電極間に跨って、請求項１、
２または３のいずれかに記載のルテニウム酸銅（ＣｕＲ
ｕＯ ３ ）を含む厚膜正特性サーミスタ組成物を形成し、
この厚膜正特性サーミスタ組成物および一対の電極の少
なくとも一部を保護膜にて被覆するため、容易に低抵抗
でかつ大きな抵抗温度係数で、良好な抵抗温度特性を得
ることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す厚膜正特性サーミスタ
組成物を用いて形成された厚膜正特性サーミスタの平面
図である。
組成物を用いて形成された厚膜正特性サーミスタの平面
図である。
【図２】同上Ａ−Ａ線縦断面図である。
【図３】同上厚膜正特性サーミスタの試料番号１におけ
る抵抗値の温度特性図である。
る抵抗値の温度特性図である。
【図４】同上厚膜正特性サーミスタの試料番号２におけ
る抵抗値の温度特性図である。
る抵抗値の温度特性図である。
【図５】同上厚膜正特性サーミスタの試料番号３におけ
る抵抗値の温度特性図である。
る抵抗値の温度特性図である。
【図６】同上厚膜正特性サーミスタにおける厚膜正特性
サーミスタ組成物の組成比と抵抗値との関係を示す特性
図である。
サーミスタ組成物の組成比と抵抗値との関係を示す特性
図である。
１ 基板としてのアルミナ基板 ２ 電極 ５ 保護膜 ７ 厚膜正特性サーミスタ
Claims (6)
- 【請求項１】 ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ３）および
ガラスを含有することを特徴とする厚膜正特性サーミス
タ組成物。 - 【請求項２】 ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ３）は、 銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸
塩の少なくともいずれか１種と、 ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩および
シュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、 銅（Ｃｕ）−ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、
炭酸塩およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種との
少なくともいずれか２種が混合され加熱焼成されて調整
されたことを特徴とする請求項１記載の厚膜正特性サー
ミスタ組成物。 - 【請求項３】 ルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）は、 銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ酸
塩の少なくともいずれか１種と、 ルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩および
シュウ酸塩の少なくともいずれか１種とが１:１のモル
比で混合され加熱焼成されて調整された ことを特徴とす
る請求項１記載の厚膜正特性サーミスタ組成物。 - 【請求項４】 銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩
およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテニ
ウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ
酸塩の少なくともいずれか１種と、銅（Ｃｕ）−ルテニ
ウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ
酸塩の少なくともいずれか１種との少なくともいずれか
２種を混合して加熱焼成してルテニウム酸銅（ＣｕＲｕ
Ｏ ３ ）を生成し、このルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）
を粉砕し、この粉砕したルテニウム酸銅（ＣｕＲｕ
Ｏ ３ ）と、ガラス粉末とを混合して厚膜ペーストを調製
し、 この厚膜ペーストを加熱焼成することを特徴とする厚膜
正特性サーミスタ組成物の製造方法。 - 【請求項５】 銅（Ｃｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩
およびシュウ酸塩の少なくともいずれか１種と、ルテニ
ウム（Ｒｕ）の酸化物、水酸化物、炭酸塩およびシュウ
酸塩の少なくともいずれか１種とを１:１のモル比で混
合して加熱焼成してルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）を
生成し、このルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）を粉砕
し、この粉砕したルテニウム酸銅（ＣｕＲｕＯ ３ ）と、
ガラス粉末とを混合して厚膜ペーストを調製し、 この厚膜ペーストを加熱焼成する ことを特徴とする厚膜
正特性サーミスタ組成物の製造方法。 - 【請求項６】 電気絶縁性を有する基板と、 この基板の少なくとも対向する端部に設けられた一対の
電極と、 これら電極間に跨って形成された請求項１、２または３
のいずれかに記載の厚膜正特性サーミスタ組成物と、 この厚膜正特性サーミスタ組成物および前記一対の電極
の少なくとも一部を被覆する保護膜とを具備したことを
特徴とする厚膜正特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25533792A JP3255985B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 厚膜正特性サーミスタ組成物、その製造方法および厚膜正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25533792A JP3255985B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 厚膜正特性サーミスタ組成物、その製造方法および厚膜正特性サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661013A JPH0661013A (ja) | 1994-03-04 |
| JP3255985B2 true JP3255985B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=17277388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25533792A Expired - Fee Related JP3255985B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 厚膜正特性サーミスタ組成物、その製造方法および厚膜正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3255985B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998058390A1 (fr) * | 1997-06-16 | 1998-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Tableau de connexions de resistance et son procede de fabrication |
| CN104464991B (zh) * | 2013-09-12 | 2017-06-06 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种线性正温度系数热敏电阻浆料的制备方法 |
| CN105741903B (zh) * | 2016-05-06 | 2017-04-05 | 西安电子科技大学 | 一种银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法 |
| JP6848327B2 (ja) * | 2016-10-19 | 2021-03-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 正温度係数抵抗体用組成物、正温度係数抵抗体用ペースト、正温度係数抵抗体ならびに正温度係数抵抗体の製造方法 |
| JP7271248B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2023-05-11 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
| CN113405688B (zh) * | 2021-06-22 | 2023-08-11 | 北京航空航天大学杭州创新研究院 | 一种基于氧化镍的宽温域高精度温度传感器及其制备方法 |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP25533792A patent/JP3255985B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0661013A (ja) | 1994-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1279113C (en) | Voltage non-linear resistor and its manufacture | |
| JP2556151B2 (ja) | 積層型バリスタ | |
| EP0241150A2 (en) | Voltage non-linear resistor and its manufacture | |
| JPH06295803A (ja) | チップ型サーミスタ及びその製造方法 | |
| JP3255985B2 (ja) | 厚膜正特性サーミスタ組成物、その製造方法および厚膜正特性サーミスタ | |
| US3960778A (en) | Pyrochlore-based thermistors | |
| US11136257B2 (en) | Thick-film resistive element paste and use of thick-film resistive element paste in resistor | |
| JPS6359999B2 (ja) | ||
| JPH05335110A (ja) | 厚膜抵抗体組成物 | |
| JPH0142611B2 (ja) | ||
| JP3109700B2 (ja) | チップ型サーミスタ及びその製造方法 | |
| JP2007273855A (ja) | バリスタ素体及びバリスタ | |
| JP4042003B2 (ja) | サンドウィッチ型厚膜サーミスタ | |
| JPH05234703A (ja) | 厚膜抵抗体を製造するための抵抗組成物 | |
| JPH06215908A (ja) | チップ型サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPH06302406A (ja) | チップ型サーミスタ及びその製造方法 | |
| JP3253121B2 (ja) | 厚膜抵抗体組成物 | |
| JP3140140B2 (ja) | 厚膜サーミスタ組成物、その製造方法、厚膜サーミスタおよびその製造方法 | |
| JPH10294204A (ja) | 厚膜サーミスタ、およびその製造方法 | |
| JP3580391B2 (ja) | 導電性チップ型セラミック素子の製造方法 | |
| JP2008294326A (ja) | 厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 | |
| KR920000481B1 (ko) | 저항기 본체용 저항 페이스트 | |
| JP3140141B2 (ja) | 厚膜サーミスタ組成物、その製造方法、厚膜サーミスタおよびその製造方法 | |
| JPH0142612B2 (ja) | ||
| DE10060942A1 (de) | Monolithisches halbleitendes keramisches elektronisches Bauelement |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071130 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081130 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081130 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091130 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091130 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111130 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |