JP3185230B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JP3185230B2 JP3185230B2 JP02479491A JP2479491A JP3185230B2 JP 3185230 B2 JP3185230 B2 JP 3185230B2 JP 02479491 A JP02479491 A JP 02479491A JP 2479491 A JP2479491 A JP 2479491A JP 3185230 B2 JP3185230 B2 JP 3185230B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数本の水平レジスタ
を有する固体撮像装置に関し、特に、水平レジスタ間の
電荷の転送効率の改善を図った固体撮像装置に関する。
を有する固体撮像装置に関し、特に、水平レジスタ間の
電荷の転送効率の改善を図った固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近時、水平方向の画素数の増加に伴い、
信号出力の読出し周波数及び水平レジスタ(CCD)の
駆動周波数が高くなるため、従来から用いられてきた1
本の水平レジスタの構造では、CCDを駆動するための
消費電力の増加や水平レジスタにおける電荷の転送効率
の低下等の問題が生じてきている。そこで、これらの問
題を解決するものとして、複数本の水平レジスタを有す
るCCD固体撮像装置の構造が提案されている(テレビ
ジョン学会誌Vol.41,No.11(1987)”
超高解像度CCDイメージセンサ”及び特開平1−30
8072号公報参照)。
信号出力の読出し周波数及び水平レジスタ(CCD)の
駆動周波数が高くなるため、従来から用いられてきた1
本の水平レジスタの構造では、CCDを駆動するための
消費電力の増加や水平レジスタにおける電荷の転送効率
の低下等の問題が生じてきている。そこで、これらの問
題を解決するものとして、複数本の水平レジスタを有す
るCCD固体撮像装置の構造が提案されている(テレビ
ジョン学会誌Vol.41,No.11(1987)”
超高解像度CCDイメージセンサ”及び特開平1−30
8072号公報参照)。
【0003】このCCD固体撮像装置は、図5に示すよ
うに、2本の水平レジスタH1及びH2を転送電極21
を挟んで並列に配置し、隣合う垂直レジスタV2m-1及び
V2mからの信号電荷を夫々水平レジスタH1及びH2に
振り分けて転送するようになされている。
うに、2本の水平レジスタH1及びH2を転送電極21
を挟んで並列に配置し、隣合う垂直レジスタV2m-1及び
V2mからの信号電荷を夫々水平レジスタH1及びH2に
振り分けて転送するようになされている。
【0004】即ち、受光部Sに一定期間蓄積された信号
電荷は、夫々対応する垂直レジスタVに読み出されたの
ち、垂直方向に転送され、上記信号電荷のうち、例え
ば、一方の垂直レジスタV2m-1に関する信号電荷は、電
極22,23を介して水平レジスタH1に転送され、他
方の垂直レジスタV2mに関する信号電荷は、更に、電極
21を介して水平レジスタH2に転送される。2本の水
平レジスタH1及びH2に振り分けられた互いに隣接す
る垂直レジスタV2m-1及びV2mからの信号電荷は、夫々
の水平レジスタH1及びH2において分離されたまま水
平方向に転送されて後段の出力アンプ24,25より出
力される。
電荷は、夫々対応する垂直レジスタVに読み出されたの
ち、垂直方向に転送され、上記信号電荷のうち、例え
ば、一方の垂直レジスタV2m-1に関する信号電荷は、電
極22,23を介して水平レジスタH1に転送され、他
方の垂直レジスタV2mに関する信号電荷は、更に、電極
21を介して水平レジスタH2に転送される。2本の水
平レジスタH1及びH2に振り分けられた互いに隣接す
る垂直レジスタV2m-1及びV2mからの信号電荷は、夫々
の水平レジスタH1及びH2において分離されたまま水
平方向に転送されて後段の出力アンプ24,25より出
力される。
【0005】図6は、上記従来のCCD固体撮像装置に
おける垂直レジスタVの最終段の垂直転送電極26及び
垂直・水平転送電極22,23、2本の水平レジスタH
1及びH2並びに転送電極21の具体的な構造の一例を
示す構成図である。ここで、破線は第1層目の電極、一
点鎖線は第2層目の電極、実線は第3層目の電極を示
し、斜線領域CSはチャンネル・ストッパ領域を示す。
おける垂直レジスタVの最終段の垂直転送電極26及び
垂直・水平転送電極22,23、2本の水平レジスタH
1及びH2並びに転送電極21の具体的な構造の一例を
示す構成図である。ここで、破線は第1層目の電極、一
点鎖線は第2層目の電極、実線は第3層目の電極を示
し、斜線領域CSはチャンネル・ストッパ領域を示す。
【0006】この図6に基いて各垂直レジスタV2m-1,
V2m上の信号電荷eの転送動作を説明すると、各信号電
荷eは垂直転送電極26から垂直・水平転送電極22,
23を介して上段の水平レジスタH1に転送される。そ
して、一方の垂直レジスタV 2m-1からの信号電荷eはチ
ャンネル・ストッパ領域CSによってこの上段の水平レ
ジスタH1に留まるが、他方の垂直レジスタV2mからの
信号電荷eは転送電極21を介して更に下段の水平レジ
スタH2に転送される。以上のようにして、隣接する垂
直レジスタV2m-1,V2mからの各信号電荷eが2本の水
平レジスタH1,H2に振り分けられる。
V2m上の信号電荷eの転送動作を説明すると、各信号電
荷eは垂直転送電極26から垂直・水平転送電極22,
23を介して上段の水平レジスタH1に転送される。そ
して、一方の垂直レジスタV 2m-1からの信号電荷eはチ
ャンネル・ストッパ領域CSによってこの上段の水平レ
ジスタH1に留まるが、他方の垂直レジスタV2mからの
信号電荷eは転送電極21を介して更に下段の水平レジ
スタH2に転送される。以上のようにして、隣接する垂
直レジスタV2m-1,V2mからの各信号電荷eが2本の水
平レジスタH1,H2に振り分けられる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のCCD固体撮像装置においては、水平レジスタH1
及びH2間の信号電荷eの転送時に、その電荷eの通り
道となるチャンネル上の水平転送電極を長方形状に形成
しているため、この水平転送電極27を現在電極材料と
して使用している多結晶シリコン層で形成した場合、電
極27の周辺部に2000Å程度のギザギザが発生す
る。このため、電極27の幅(水平方向の長さ)が1枚
の電極27内で最大4000Å程度ばらつくことにな
る。このばらつきは、信号電荷eが通過するチャンネル
電位を変化させ、上記幅が広い場合、上記電位は高い方
に、上記幅が狭い場合は低い方に変化させる。特に、上
記ばらつきにより、電位の高い部分(所謂電位のポケッ
ト)が局部的に発生し、信号電荷の転送が完全に行われ
ないという現象が生じる。この現象は、再生画面に不規
則な縦線を発生させるなど、画質の著しい劣化を引き起
こすという不都合がある。
来のCCD固体撮像装置においては、水平レジスタH1
及びH2間の信号電荷eの転送時に、その電荷eの通り
道となるチャンネル上の水平転送電極を長方形状に形成
しているため、この水平転送電極27を現在電極材料と
して使用している多結晶シリコン層で形成した場合、電
極27の周辺部に2000Å程度のギザギザが発生す
る。このため、電極27の幅(水平方向の長さ)が1枚
の電極27内で最大4000Å程度ばらつくことにな
る。このばらつきは、信号電荷eが通過するチャンネル
電位を変化させ、上記幅が広い場合、上記電位は高い方
に、上記幅が狭い場合は低い方に変化させる。特に、上
記ばらつきにより、電位の高い部分(所謂電位のポケッ
ト)が局部的に発生し、信号電荷の転送が完全に行われ
ないという現象が生じる。この現象は、再生画面に不規
則な縦線を発生させるなど、画質の著しい劣化を引き起
こすという不都合がある。
【0008】上記不都合を解決するために、従来では、
上記電極27を台形状に形成して電荷の転送効率を向上
させるようにしているが(特開平1−308072号公
報参照)、ハイビジョン用に対応させるためには、電荷
の転送効率の点でまだ不十分である。
上記電極27を台形状に形成して電荷の転送効率を向上
させるようにしているが(特開平1−308072号公
報参照)、ハイビジョン用に対応させるためには、電荷
の転送効率の点でまだ不十分である。
【0009】本発明は、このような課題に鑑み成された
もので、その目的とするところは、複数の水平レジスタ
間における信号電荷の転送効率の改善が図れ、画質の向
上並びにハイビジョン用に対応させることができる固体
撮像装置を提供することにある。
もので、その目的とするところは、複数の水平レジスタ
間における信号電荷の転送効率の改善が図れ、画質の向
上並びにハイビジョン用に対応させることができる固体
撮像装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の垂直レ
ジスタV2m-1,V2mと、複数の水平レジスタH1,H2
とを有する固体撮像装置において、上記水平レジスタH
1及びH2中、少なくとも上記複数の垂直レジスタV
2m-1,V2mに最も近い水平レジスタH1を構成する転送
電極2を、電荷eの入口側に対して出口側が広くなるよ
うに形成し、かつ上記転送電極2の水平転送方向の後段
側に隣接する部分に電荷eの入口側のポテンシャルを持
ち上げてこのポテンシャルの傾斜勾配を大きくする不純
物拡散領域7を形成して構成する。
ジスタV2m-1,V2mと、複数の水平レジスタH1,H2
とを有する固体撮像装置において、上記水平レジスタH
1及びH2中、少なくとも上記複数の垂直レジスタV
2m-1,V2mに最も近い水平レジスタH1を構成する転送
電極2を、電荷eの入口側に対して出口側が広くなるよ
うに形成し、かつ上記転送電極2の水平転送方向の後段
側に隣接する部分に電荷eの入口側のポテンシャルを持
ち上げてこのポテンシャルの傾斜勾配を大きくする不純
物拡散領域7を形成して構成する。
【0011】
【作用】上述の本発明の構成によれば、少なくとも上記
複数の垂直レジスタV2m-1,V 2mに最も近い水平レジス
タH1を構成する転送電極2の形状を、電荷eの入口側
に対して出口側が広くなるように末広状にしたので、垂
直レジスタV2mからの信号電荷eを一方の水平レジスタ
H1から他方の水平レジスタH2に転送させる際、転送
電極2下のチャンネル電位が電荷eの入口側に対して出
口側の方が高くなる。即ち、転送電極2下の垂直方向に
関するポテンシャルでみると、電荷eの入口側の方が出
口側よりも高くなり、出口側に向かって徐々に低くなる
傾斜状のポテンシャルが形成される。
複数の垂直レジスタV2m-1,V 2mに最も近い水平レジス
タH1を構成する転送電極2の形状を、電荷eの入口側
に対して出口側が広くなるように末広状にしたので、垂
直レジスタV2mからの信号電荷eを一方の水平レジスタ
H1から他方の水平レジスタH2に転送させる際、転送
電極2下のチャンネル電位が電荷eの入口側に対して出
口側の方が高くなる。即ち、転送電極2下の垂直方向に
関するポテンシャルでみると、電荷eの入口側の方が出
口側よりも高くなり、出口側に向かって徐々に低くなる
傾斜状のポテンシャルが形成される。
【0012】更に、本発明では、上記構成に加えて転送
電極2の水平転送方向の後段側に隣接する部分に電荷e
の入口側のポテンシャルを持ち上げてこのポテンシャル
の傾斜勾配を大きくする不純物拡散領域7を形成したの
で、この不純物拡散領域7におけるポテンシャルの上昇
に乗じて電荷eの入口側のポテンシャルが持ち上げら
れ、転送電極2下の垂直方向に関するポテンシャルの傾
斜勾配が更に大きくなり、垂直レジスタV2mから転送さ
れた信号電荷eは高速に一方の水平レジスタH1から他
方の水平レジスタH2に転送される。その結果、信号電
荷の転送効率が大幅に向上し、画質の改善を効率よく図
ることができると共に、ハイビジョン用に容易に対応さ
せることができる。
電極2の水平転送方向の後段側に隣接する部分に電荷e
の入口側のポテンシャルを持ち上げてこのポテンシャル
の傾斜勾配を大きくする不純物拡散領域7を形成したの
で、この不純物拡散領域7におけるポテンシャルの上昇
に乗じて電荷eの入口側のポテンシャルが持ち上げら
れ、転送電極2下の垂直方向に関するポテンシャルの傾
斜勾配が更に大きくなり、垂直レジスタV2mから転送さ
れた信号電荷eは高速に一方の水平レジスタH1から他
方の水平レジスタH2に転送される。その結果、信号電
荷の転送効率が大幅に向上し、画質の改善を効率よく図
ることができると共に、ハイビジョン用に容易に対応さ
せることができる。
【0013】
【実施例】以下、図1〜図4を参照しながら本発明の実
施例を説明する。図1は、本実施例に係るCCD固体撮
像装置、特に、垂直レジスタの最終段から水平レジスタ
にかけての電極配置を示す概略構成図である。
施例を説明する。図1は、本実施例に係るCCD固体撮
像装置、特に、垂直レジスタの最終段から水平レジスタ
にかけての電極配置を示す概略構成図である。
【0014】このCCD固体撮像装置は、水平方向に延
びる転送電極1を挟んで2本の水平レジスタH1及びH
2を有し、これら2本の水平レジスタH1及びH2を跨
るように2枚の水平転送電極2及び3が夫々1組になっ
て順次水平方向に配列、形成されている。また、垂直レ
ジスタVの最終段においては、水平方向に延びる垂直転
送電極4並びに垂直・水平転送電極5及び6が形成され
ている。ここで、破線は第1層目の電極、一点鎖線は第
2層目の電極、実線は第3層目の電極を示し、斜線領域
CSはチャンネル・ストッパ領域を示す。従って、垂直
レジスタVは垂直方向に延びるチャンネル・ストッパ領
域CS間に形成され、この垂直レジスタVを介して信号
電荷が上記水平レジスタHに転送されるように構成され
ている。
びる転送電極1を挟んで2本の水平レジスタH1及びH
2を有し、これら2本の水平レジスタH1及びH2を跨
るように2枚の水平転送電極2及び3が夫々1組になっ
て順次水平方向に配列、形成されている。また、垂直レ
ジスタVの最終段においては、水平方向に延びる垂直転
送電極4並びに垂直・水平転送電極5及び6が形成され
ている。ここで、破線は第1層目の電極、一点鎖線は第
2層目の電極、実線は第3層目の電極を示し、斜線領域
CSはチャンネル・ストッパ領域を示す。従って、垂直
レジスタVは垂直方向に延びるチャンネル・ストッパ領
域CS間に形成され、この垂直レジスタVを介して信号
電荷が上記水平レジスタHに転送されるように構成され
ている。
【0015】しかして、本例においては、特に、水平レ
ジスタHにおける一方の水平転送電極、即ち、垂直レジ
スタVからの信号電荷が転送されるチャンネル領域上の
第1の水平転送電極2を、その電荷の入口側よりも出口
側の方を広く、所謂末広状に形成し、更に、該水平転送
電極2の水平転送方向の後段側に隣接する部分に不純物
拡散領域7を形成して構成する。
ジスタHにおける一方の水平転送電極、即ち、垂直レジ
スタVからの信号電荷が転送されるチャンネル領域上の
第1の水平転送電極2を、その電荷の入口側よりも出口
側の方を広く、所謂末広状に形成し、更に、該水平転送
電極2の水平転送方向の後段側に隣接する部分に不純物
拡散領域7を形成して構成する。
【0016】この不純物拡散領域7は、例えば、図2A
に示すように、多結晶シリコン層のパターニングにより
形成された第1の水平転送電極2上を含む全面にフォト
レジスト膜8を形成したのち、該フォトレジスト膜8を
パターニングして図2Bに示すように該フォトレジスト
膜8、第1の水平転送電極2、垂直・水平転送電極6及
び転送電極1により囲まれた開口9を形成し、その後、
該開口9を通じて不純物を下層のシリコン基板あるいは
ウェル領域10にイオン注入することにより形成され
る。この場合、上記不純物拡散領域7は、フォトレジス
ト膜8及び各転送電極1,2,6をマスクとしてイオン
注入することにより自己整合的に形成することができる
ため、マスクずれの影響がなく、第1の水平転送電極2
に沿って高精度に形成することができる。
に示すように、多結晶シリコン層のパターニングにより
形成された第1の水平転送電極2上を含む全面にフォト
レジスト膜8を形成したのち、該フォトレジスト膜8を
パターニングして図2Bに示すように該フォトレジスト
膜8、第1の水平転送電極2、垂直・水平転送電極6及
び転送電極1により囲まれた開口9を形成し、その後、
該開口9を通じて不純物を下層のシリコン基板あるいは
ウェル領域10にイオン注入することにより形成され
る。この場合、上記不純物拡散領域7は、フォトレジス
ト膜8及び各転送電極1,2,6をマスクとしてイオン
注入することにより自己整合的に形成することができる
ため、マスクずれの影響がなく、第1の水平転送電極2
に沿って高精度に形成することができる。
【0017】次に、本例に係るCCD固体撮像装置の動
作を図3の波形図も参照しながら説明する。まず、区間
t1 において、駆動パルスφvlが高レベルから低レベ
ルに変化し、駆動パルスφvhが低レベルから高レベル
に変化することから、垂直転送電極4下のポテンシャル
が浅くなり、垂直・水平転送電極5及び6下のポテンシ
ャルが深くなる。従って、垂直転送電極4下にあった信
号電荷eは、垂直・水平転送電極5及び6下に転送され
る。
作を図3の波形図も参照しながら説明する。まず、区間
t1 において、駆動パルスφvlが高レベルから低レベ
ルに変化し、駆動パルスφvhが低レベルから高レベル
に変化することから、垂直転送電極4下のポテンシャル
が浅くなり、垂直・水平転送電極5及び6下のポテンシ
ャルが深くなる。従って、垂直転送電極4下にあった信
号電荷eは、垂直・水平転送電極5及び6下に転送され
る。
【0018】次に、区間t2 において、駆動パルスφv
h及びφtが高レベルから低レベルに変化し、駆動パル
スφh2が低レベルから高レベルに変化することから、垂
直・水平転送電極5,6下及び転送電極1下のポテンシ
ャルが浅くなり、第1の水平転送電極2下のポテンシャ
ルが深くなる。従って、垂直・水平転送電極5,6下に
あった信号電荷eは、第1の水平転送電極2下に転送さ
れる。このとき、転送電極1下のポテンシャルが所謂バ
リアとなるため、上記信号電荷eは、上段の水平レジス
タH1上における第1の水平転送電極2下に転送・蓄積
される。
h及びφtが高レベルから低レベルに変化し、駆動パル
スφh2が低レベルから高レベルに変化することから、垂
直・水平転送電極5,6下及び転送電極1下のポテンシ
ャルが浅くなり、第1の水平転送電極2下のポテンシャ
ルが深くなる。従って、垂直・水平転送電極5,6下に
あった信号電荷eは、第1の水平転送電極2下に転送さ
れる。このとき、転送電極1下のポテンシャルが所謂バ
リアとなるため、上記信号電荷eは、上段の水平レジス
タH1上における第1の水平転送電極2下に転送・蓄積
される。
【0019】次に、区間t3 において、駆動パルスφh1
及びφh2が高レベルから低レベルに変化し、駆動パルス
φtが低レベルから高レベルに変化することから、第1
及び第2の水平転送電極2及び3下のポテンシャルが浅
くなり、転送電極1下のポテンシャルが深くなる。この
とき、例えば奇数列の垂直レジスタV2m-1から転送され
てきた信号電荷eは、2本の水平レジスタH1及びH2
間に形成されたチャンネルストッパ領域CSによりその
転送が阻止され、上段の水平レジスタH1上における第
1の水平転送電極2下に留まる。
及びφh2が高レベルから低レベルに変化し、駆動パルス
φtが低レベルから高レベルに変化することから、第1
及び第2の水平転送電極2及び3下のポテンシャルが浅
くなり、転送電極1下のポテンシャルが深くなる。この
とき、例えば奇数列の垂直レジスタV2m-1から転送され
てきた信号電荷eは、2本の水平レジスタH1及びH2
間に形成されたチャンネルストッパ領域CSによりその
転送が阻止され、上段の水平レジスタH1上における第
1の水平転送電極2下に留まる。
【0020】一方、偶数列の垂直レジスタV2mから転送
されてきた信号電荷eは、チャンネル・ストッパ領域C
S等の障壁がないため、下段の転送電極1下に転送され
る。この電荷転送時、第1の水平転送電極2の形状が末
広状になっており、かつ該水平転送電極2に沿って不純
物拡散領域7が形成されていることから、この水平転送
電極2における垂直方向のポテンシャルは、図4に示す
ように、下段の水平レジスタH2に向かって、徐々に低
下する傾斜状のポテンシャル(実線b参照)となり、上
記信号電荷eは高速に転送電極1下に転送される。
されてきた信号電荷eは、チャンネル・ストッパ領域C
S等の障壁がないため、下段の転送電極1下に転送され
る。この電荷転送時、第1の水平転送電極2の形状が末
広状になっており、かつ該水平転送電極2に沿って不純
物拡散領域7が形成されていることから、この水平転送
電極2における垂直方向のポテンシャルは、図4に示す
ように、下段の水平レジスタH2に向かって、徐々に低
下する傾斜状のポテンシャル(実線b参照)となり、上
記信号電荷eは高速に転送電極1下に転送される。
【0021】次に、区間t4 において、駆動パルスφt
が高レベルから低レベルに変化し、駆動パルスφh1が低
レベルから高レベルに変化し、更に、駆動パルスφh2が
低レベルのままであることから、転送電極1下及び第2
の水平転送電極3下のポテンシャルが浅くなり、第1の
水平転送電極2下のポテンシャルが深くなる。このと
き、上記奇数列の垂直レジスタV2m-1から転送されてき
た信号電荷eは、依然2本の水平レジスタH1及びH2
間に形成されたチャンネル・ストッパ領域CSによりそ
の転送が阻止され、上段の水平レジスタH1上における
第1の水平転送電極2下に留まる。一方、上記偶数列の
垂直レジスタV2mから転送されてきた信号電荷eは、転
送電荷1下から次の隣接する第1の水平転送電極2下に
転送される。
が高レベルから低レベルに変化し、駆動パルスφh1が低
レベルから高レベルに変化し、更に、駆動パルスφh2が
低レベルのままであることから、転送電極1下及び第2
の水平転送電極3下のポテンシャルが浅くなり、第1の
水平転送電極2下のポテンシャルが深くなる。このと
き、上記奇数列の垂直レジスタV2m-1から転送されてき
た信号電荷eは、依然2本の水平レジスタH1及びH2
間に形成されたチャンネル・ストッパ領域CSによりそ
の転送が阻止され、上段の水平レジスタH1上における
第1の水平転送電極2下に留まる。一方、上記偶数列の
垂直レジスタV2mから転送されてきた信号電荷eは、転
送電荷1下から次の隣接する第1の水平転送電極2下に
転送される。
【0022】このようにして、垂直レジスタVの最終段
から転送されてきた信号電荷eのうち、奇数列に関する
垂直レジスタV2m-1からの信号電荷eが上段の水平レジ
スタH1上における第1の水平転送電極2下に夫々蓄積
され、偶数列に関する垂直レジスタV2mからの信号電荷
eが下段の水平レジスタH2上における第1の水平転送
電極2(上記奇数列に関する垂直レジスタV2m-1からの
信号電荷が蓄積される電極と同じ電極)下に夫々蓄積さ
れる。
から転送されてきた信号電荷eのうち、奇数列に関する
垂直レジスタV2m-1からの信号電荷eが上段の水平レジ
スタH1上における第1の水平転送電極2下に夫々蓄積
され、偶数列に関する垂直レジスタV2mからの信号電荷
eが下段の水平レジスタH2上における第1の水平転送
電極2(上記奇数列に関する垂直レジスタV2m-1からの
信号電荷が蓄積される電極と同じ電極)下に夫々蓄積さ
れる。
【0023】その後、各水平転送電極2及び3を組とし
て各組に対し、互いに逆相の駆動パルスφh1及びφh2を
供給することにより、各水平レジスタH1及びH2上の
信号電荷eを水平方向に、かつ互いに並行に転送し、図
示しない出力アンプを介して出力信号(撮像信号)に変
換させる。この場合、上段の水平レジスタH1に関して
は、第1の水平転送電極2に沿って不純物拡散領域7を
形成しているため、該不純物拡散領域7において第2の
転送段が形成され、従って、実効的な電極長を短くする
ことができ、この上段の水平レジスタH1における水平
方向の電荷転送効率が向上する。図示の例では、上記不
純物拡散領域7を上段の水平レジスタH1のみに形成し
た例を示しているが、下段の水平レジスタH2にも同様
の不純物拡散領域7を形成することにより、上下段にお
ける水平レジスタH1及びH2の水平方向の電荷転送効
率を同時に向上させることができる。
て各組に対し、互いに逆相の駆動パルスφh1及びφh2を
供給することにより、各水平レジスタH1及びH2上の
信号電荷eを水平方向に、かつ互いに並行に転送し、図
示しない出力アンプを介して出力信号(撮像信号)に変
換させる。この場合、上段の水平レジスタH1に関して
は、第1の水平転送電極2に沿って不純物拡散領域7を
形成しているため、該不純物拡散領域7において第2の
転送段が形成され、従って、実効的な電極長を短くする
ことができ、この上段の水平レジスタH1における水平
方向の電荷転送効率が向上する。図示の例では、上記不
純物拡散領域7を上段の水平レジスタH1のみに形成し
た例を示しているが、下段の水平レジスタH2にも同様
の不純物拡散領域7を形成することにより、上下段にお
ける水平レジスタH1及びH2の水平方向の電荷転送効
率を同時に向上させることができる。
【0024】上述のように、本例によれば、上段の水平
レジスタH1を構成する水平転送電極2及び3のうち、
第1の水平転送電極2の形状を、電荷eの入口側に対し
て出口側が広くなるように末広状にしたので、例えば偶
数列に関する垂直レジスタV 2mからの信号電荷eを上段
の水平レジスタH1から下段の水平レジスタH2に転送
させる際、第1の水平転送電極2下におけるチャンネル
電位が電荷eの入口側に対して出口側の方が高くなる。
即ち、第1の水平転送電極2下の垂直方向に関するポテ
ンシャルでみると、図4に示すように、電荷eの入口側
の方が出口側よりも高くなり、出口側に向かって徐々に
低くなる傾斜状のポテンシャルが形成される(一点鎖線
a参照)。
レジスタH1を構成する水平転送電極2及び3のうち、
第1の水平転送電極2の形状を、電荷eの入口側に対し
て出口側が広くなるように末広状にしたので、例えば偶
数列に関する垂直レジスタV 2mからの信号電荷eを上段
の水平レジスタH1から下段の水平レジスタH2に転送
させる際、第1の水平転送電極2下におけるチャンネル
電位が電荷eの入口側に対して出口側の方が高くなる。
即ち、第1の水平転送電極2下の垂直方向に関するポテ
ンシャルでみると、図4に示すように、電荷eの入口側
の方が出口側よりも高くなり、出口側に向かって徐々に
低くなる傾斜状のポテンシャルが形成される(一点鎖線
a参照)。
【0025】更に、本実施例では、上記構成に加えて第
1の水平転送電極2の水平転送方向の後段側に隣接する
部分に不純物拡散領域7を形成したので、この不純物拡
散領域7におけるポテンシャルの上昇に乗じて電荷eの
入口側のポテンシャルが持ち上げられ、水平転送電極2
下の垂直方向に関するポテンシャルの傾斜勾配が更に大
きくなり(実線b参照)、垂直レジスタV2mから転送さ
れた信号電荷eは高速に上段の水平レジスタH1から下
段の水平レジスタH2に転送される。その結果、信号電
荷eの転送効率が大幅に向上し、画質の改善を効率よく
図ることができると共に、ハイビジョン用に容易に対応
させることができる。
1の水平転送電極2の水平転送方向の後段側に隣接する
部分に不純物拡散領域7を形成したので、この不純物拡
散領域7におけるポテンシャルの上昇に乗じて電荷eの
入口側のポテンシャルが持ち上げられ、水平転送電極2
下の垂直方向に関するポテンシャルの傾斜勾配が更に大
きくなり(実線b参照)、垂直レジスタV2mから転送さ
れた信号電荷eは高速に上段の水平レジスタH1から下
段の水平レジスタH2に転送される。その結果、信号電
荷eの転送効率が大幅に向上し、画質の改善を効率よく
図ることができると共に、ハイビジョン用に容易に対応
させることができる。
【0026】尚、上記実施例は、2本の水平レジスタを
有するCCD固体撮像装置に適用した例を示したが、も
ちろん3本以上の水平レジスタを有するCCD固体撮像
装置にも適用させることができる。
有するCCD固体撮像装置に適用した例を示したが、も
ちろん3本以上の水平レジスタを有するCCD固体撮像
装置にも適用させることができる。
【0027】
【発明の効果】本発明に係る固体撮像装置によれば、複
数の水平レジスタ間における信号電荷の転送効率を向上
させることができ、画質の向上が図れると共に、固体撮
像装置自体をハイビジョン用に容易に対応させることが
できる。
数の水平レジスタ間における信号電荷の転送効率を向上
させることができ、画質の向上が図れると共に、固体撮
像装置自体をハイビジョン用に容易に対応させることが
できる。
【図1】本実施例に係るCCD固体撮像装置の要部を示
す概略構成図。
す概略構成図。
【図2】本実施例に係る不純物拡散領域の形成例を示す
説明図。
説明図。
【図3】本実施例に係る垂直−水平転送の信号処理を示
す波形図。
す波形図。
【図4】本実施例に係る第2の水平転送電極下のポテン
シャルを示す説明図。
シャルを示す説明図。
【図5】2本の水平レジスタを有するCCD固体撮像装
置の一般的構成を示す平面図。
置の一般的構成を示す平面図。
【図6】従来例に係るCCD固体撮像装置の要部を示す
概略構成図。
概略構成図。
H1 上段の水平レジスタ H2 下段の水平レジスタ V2m-1,V2m 垂直レジスタ 1 転送電極 2 第1の水平転送電極 3 第2の水平転送電極 4 垂直転送電極 5,6 垂直・水平転送電極 7 不純物拡散領域 CS チャンネル・ストッパ領域 e 信号電荷
Claims (1)
- 【請求項1】 複数の垂直レジスタと、複数の水平レジ
スタとを有する固体撮像装置において、 上記水平レジスタ中、少なくとも上記複数の垂直レジス
タに最も近い水平レジスタを構成する転送電極が、電荷
の入口側に対して出口側が広くなるように形成され、か
つ上記転送電極の水平転送方向の後段側に隣接する部分
に上記電荷の入口側のポテンシャルを持ち上げて該ポテ
ンシャルの傾斜勾配を大きくする不純物拡散領域を有し
てなることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02479491A JP3185230B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02479491A JP3185230B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04264773A JPH04264773A (ja) | 1992-09-21 |
JP3185230B2 true JP3185230B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=12148098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02479491A Expired - Lifetime JP3185230B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3185230B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007149765A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
JP5484692B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2014-05-07 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子および電子情報機器 |
JP2010080604A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP02479491A patent/JP3185230B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04264773A (ja) | 1992-09-21 |
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