JP3183652B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
の表示性能を持つ透過型液晶表示素子およびその製造方
法に関するものである。
電力のディスプレイ素子であり、テレビやビデオなどの
画像表示装置や、モニター、ワープロ、パーソナルコン
ピュータなどのOA機器に広く用いられている。
マティック液晶を用いたツイステッドネマティック(T
N)モ−ドの液晶表示素子が実用化されているが、応答
が遅い、視野角が狭いなどの欠点を有している。
液晶(FLC)、あるいは反強誘電性液晶(AFLC)
などの表示モ−ドも提案されているが耐ショック性、温
度特性など大きな欠点があり、広く実用化されるまでに
は至っていない。
表示モ−ドは偏光板を必要とせず、高輝度表示が可能で
あるが、本質的に位相板による視角制御が出来ないう
え、応答特性課題を有しており、TNモードに対する優
位性は少ない。
速く視野角が広い表示モードとして光学補償ベンド(O
CB)モ−ドが提案された(特開平7−84254)。
このモ−ドは、図31のように対向する二枚の基板10
0,101上の液晶分子102を、平行かつ同一方向へ
配向処理してなる液晶セルに電圧を印加することによ
り、セル中央部にベンド配向あるいはねじれ配向を含ん
だベンド配向Bを誘起させることと、低電圧駆動と視野
角拡大のためにフィルム位相板103,104を液晶セ
ル外側に配設することを特徴としたものであり、性能的
には中間調表示域においても高速応答が可能であると同
時に広い視野角特性を有している。なお、図31におい
て、105,106は偏光板である。
液晶セルは一対の対向基板内表面を互いに平行かつ同一
方向にプレチルト角が約数度〜10度になるように配向
処理し、電圧無印加状態で液晶分子が扇状に広がった配
向分布からなるスプレイ配向Aを最初に形成する。その
後、電圧を印加し液晶セル中央部の液晶分子を立たせる
ことによりベンド配向Bに転移させる。
0Vの高電圧を印加すれば比較的容易に起こるが、通常
の液晶セル駆動電圧(数V)では転移に長時間を要する
うえ、再現性に乏しいという課題を有している。
により行うものであり、そのためにはこのスプレイ−ベ
ンド配向転移を液晶セル画素内で確実に起こさせておく
必要があるが、実際には容易ではない。
00度の捻れ液晶セルは原理的に上記ベンド転移課題が
存在しないうえ、OCBと同等の高速応答特性および広
視野角特性を有しており、優れた液晶表示素子として提
案されている(特願平9−102960)。
180度である捻れ液晶セル(以下、説明の便宜上、パ
イツイストセルと称するが、広い意味では液晶捻れ角が
160度〜200度のセルもパイツイストセルに含まれ
る)の典型的なセル構成を表している。液晶分子110
は一方の基板111から他方の基板112に向かって1
80度捻れている。液晶セル113はお互いの偏光軸方
向が直交する2枚の偏光板114,115に挟持されて
おり、偏光板の内側にはフィルム位相板116,117
が配設されている。
特性の一例である。充分な電圧が印加された状態(図中
Bの部分)で透過率は最小となり、黒表示での輝度レベ
ルを決定している。この黒表示における液晶ダイレクタ
は、OCBセルにおける黒表示時の液晶ダイレクタと類
似のダイレクタ分布を有しており、高電圧側での電圧−
透過率特性は、OCBセルとパイツイストセルの間に大
きな差は無い。
の部分)では液晶ダイレクタが充分立ちきらないで捻れ
ており、液晶層位相差が大きく変化するため、図33の
如く透過率は一様に変化せず、電圧増加とともに、素子
透過率が一様に変化しないプラトー領域Dが存在する。
従って、一般的な駆動回路を用いた場合、表示素子とし
て使用可能な領域は、駆動電圧領域で言うならば図中A
2〜Bの領域である(電圧増加とともに、素子透過率が
一様に変化しない領域は、表示素子として使用出来な
い)。そのため、白レベルでの光透過率は図中Cとな
り、通常のTNセルの白レベルに比べ大幅に低い値とな
っており、これがパイツイストセル実用化のネックとな
っている。従って、プラトー領域Dのない電圧−透過率
特性を有し、電圧A1を駆動電圧領域に含めて白レベル
での光透過率を向上するようにした液晶表示素子が要望
されていた。
OCBモードの液晶表示素子に比べて視野角特性が悪い
ことである。図34は従来のパイツイストセルの等コン
トラスト曲線の一例である。この図34から明らかなよ
うにパイツイストセルは高速応答特性、広視野角特性を
有しているものの、OCBモードの液晶表示素子に比べ
て視野角特性が悪く、上下、左右ともに160度以上と
いう広い視野角特性が求められている。図中の数字はコ
ントラスト比の値を表している。
償ベンド(OCB)モードと類似の高速性を有し、かつ
OCBモード以上の広視野角特性を有する液晶表示素子
およびその製造方法を提供することである。
にその電圧−透過率特性の異なる複数の領域を形成し
て、白レベル透過率の高い、即ち、光透過率の高い電圧
領域をも有効に使うことのできる高速・広視野角の液晶
表示素子およびその製造方法を提供することである。
め、本発明のうち請求項1記載の発明は、パイツイスト
セルを有する液晶表示素子であって、一対の基板間に挟
持され、その液晶分子が捻れて配向している液晶層と、
位相補償板とを含み、前記一対の基板のうち少なくとも
一方の基板界面近傍の液晶配向が、配向状態の異なる2
つ以上の領域に分割されていることを特徴とする液晶表
示素子。上記の如く、基板界面近傍の液晶配向を、配向
状態の異なる2つ以上の領域に分割することにより、電
圧−透過率特性の異なる2以上の領域が形成されること
になり、液晶層全体としての電圧−透過率特性は、各領
域の電圧−透過率特性の総和となることから、電圧−透
過率特性は平均化されたものとなる。従って、従来例に
おいて発生していたプラトー(台形部)がなくなり、そ
の結果、低電圧側の駆動電圧領域を従来例よりも更に低
電圧側まで広げることができ、従来使用できなかった白
レベルの高輝度化が達成される。
液晶表示素子おいて、液晶配向が、画素毎に、配向状態
の異なる2つ以上の領域に分割されていることを特徴と
する。
液晶表示素子において、配向状態の異なる2つ以上の領
域が、プレチルト角の互いに異なる2つ以上の領域であ
ることを特徴とする。上記の如く、プレチルト角の互い
に異なる2つ以上の領域を設けることにより、電圧−透
過率特性の異なる2以上の領域が形成される。これによ
り、液晶層全体としての電圧−透過率特性には、プラト
ー(台形部)がなくなり、従来使用できなかった白レベ
ルの高輝度化が達成される。
液晶表示素子において、配向状態の異なる2つ以上の領
域が、アンカリングエネルギの互いに異なる2つ以上の
領域であることを特徴とする。上記の如く、アンカリン
グエネルギの互いに異なる2つ以上の領域を設けること
により、電圧−透過率特性の異なる2以上の領域が形成
される。これにより、液晶層全体としての電圧−透過率
特性には、プラトー(台形部)がなくなり、従来使用で
きなかった白レベルの高輝度化が達成される。
液晶表示素子において、配向状態の異なる2つ以上の領
域が、接触角の互いに異なる2つ以上の領域であること
を特徴とする。上記の如く、接触角の互いに異なる2つ
以上の領域を設けることにより、電圧−透過率特性の異
なる2以上の領域が形成される。これにより、液晶層全
体としての電圧−透過率特性には、プラトー(台形部)
がなくなり、従来使用できなかった白レベルの高輝度化
が達成される。
を有する液晶表示素子であって、一対の基板間に挟持さ
れ、その液晶分子が捻れて配向している液晶層と、位相
補償板とを含み、前記一対の基板のうち少なくとも一方
の基板界面近傍の液晶配向状態が、連続的に変化してい
ることを特徴とする。上記の如く、基板界面近傍の液晶
配向状態を、連続的に変化させることにより、電圧−透
過率特性の平均化の効果がより大きくすることができ
る。
液晶表示素子において、画素毎に、液晶配向状態が連続
的に変化していることを特徴とする。
液晶表示素子において、連続的に変化している液晶配向
の状態が、プレチルト角の変化であることを特徴とす
る。
液晶表示素子において、連続的に変化している液晶配向
の状態が、アンカリングエネルギの変化であることを特
徴とする。
の液晶表示素子において、連続的に変化している液晶配
向の状態が、接触角の変化であることを特徴とする。
ルを有する液晶表示素子であって、一対の基板間に挟持
された液晶層と、少なくとも1枚の位相補償板とを含
み、前記液晶層中の液晶分子が160度から200度捻
れて配向していると共に、前記液晶層が液晶層厚の異な
る2つ以上の領域に分割されていることを特徴とする。
上記の如く、液晶層厚の異なる2つ以上の領域に分割す
ることにより、電圧−透過率特性の異なる2以上の領域
が形成される。これにより、液晶層全体としての電圧−
透過率特性には、プラトー(台形部)がほぼなくなり、
従来使用できなかった白レベルの高輝度化が達成され
る。
載の液晶表示素子において、液晶層が、画素毎に液晶層
厚の異なる2つ以上の領域に分割されていることを特徴
とする。
ルを有する液晶表示素子であって、一対の基板間に挟持
された液晶層と、少なくとも1枚の位相補償板とを含
み、前記液晶層中の液晶分子が160度から200度捻
れて配向していると共に、前記液晶層の層厚が連続的に
変化していることを特徴とする。上記の如く、液晶層厚
を連続的に変化さることにより、無限に配向分割された
ことになり、電圧−透過率特性の平均化の効果が大き
い。そのため、液晶層全体の電圧−透過率特性は、更に
緩やかなものとなり、プラトー(台形部)の発生を完全
に防止できる。
載の液晶表示素子において、画素毎に、液晶層の層厚が
連続的に変化していることを特徴とする。
ルを有する液晶表示素子であって、一対の基板間に挟持
された液晶層と、少なくとも1枚の位相補償板とを含
み、前記液晶層中の液晶分子が160度から200度捻
れて配向し、少なくとも一方の表示電極が2つ以上の領
域に分割されているとともに、それぞれの領域に印加さ
れる電圧値が異なることを特徴とする液晶表示素子。
載の液晶表示素子において、少なくとも一方の表示電極
が2つ以上の領域に分割されているとともに、少なくと
もそのうちの一つに容量成分が直列に接続されているこ
とを特徴とする。上記構成により、容量成分が直列に接
続された電極に関する液晶層印加電圧と、容量成分が直
列に接続されていない電極に関する液晶層印加電圧と
が、異なる。これにより、2つの電圧−透過率特性の異
なる領域を存在させることができ、液晶層全体としての
電圧−透過率特性が平均化される。
14のいずれかに記載の液晶表示素子において、少なく
とも一方の表示電極表面上に凹凸形成状物が形成されて
いることを特徴とする。上記構成により、液晶層厚を連
続的に変化させることができ、電圧−透過率特性の異な
る領域が得られる。
7のいずれかに記載の液晶表示素子において、位相補償
板が1軸性位相補償板、2軸性位相補償板、あるいは主
軸がハイブリッド配列した位相補償板を含む位相補償板
であることを特徴とする。
載の液晶表示素子において、1軸性位相補償板が、その
光学的異方性が正の位相補償板であることを特徴とす
る。
載の液晶表示素子において、前記1軸性位相補償板と、
前記2軸性位相補償板と、前記主軸がハイブリッド配列
した位相補償板とが、この順序で配設されていることを
特徴とする。
載の液晶表示素子において、前記1軸性位相補償板の光
軸が、外側に配設された偏光板の透過軸と略平行である
ことを特徴とする。
載の液晶表示素子において、前記主軸がハイブリッド配
列した位相補償板が、主軸がハイブリッド配列した負の
屈折率異方性をもつ光学媒体、または主軸がハイブリッ
ド配列した正の屈折率異方性をもつ光学媒体よりなる位
相補償板であることを特徴とする。
て図面にもとづいて説明する。なお、以下の実施の形態
において、接触角の測定は協和界面化学株式会社製FA
CE自動接触角計CA−Z型を使用し、標準試薬として
水を用いた(測定温度:25℃)。また、表面アンカリ
ングエネルギ強度はA.Sugimura,T.Miy
amoto,M.Tsuji and M.Kuze,
Appl.Phys.Lett.,Vol.72, p
329(1998)記載の方法により測定した。
の定義はRe=(nx−ny)×d、Rth=((nx+n
y)/2−nz)×dとした。ここにおいて、nxはフィ
ルム面内において最大屈折率を示す方向の屈折率、ny
はフィルム面内でnx方向に垂直な方向の屈折率、nzは
フィルム面に垂直な方向(フィルム厚み方向)の屈折率
を表しており、dはフィルム膜厚を表している。
宜上、液晶捻れ角を180度としたが、本発明はこれに
限定されるものではなく、基板間で捻れた捻れ液晶セル
であればよい。但し、特願平9−102960に開示さ
れているが如く、液晶捻れ角としては160度〜200
度とするのが、光学特性の観点から望ましい。
してはフィルム位相板を用いたが、同等の機能を有する
ものであれば液晶パネル等他の光学素子を用いても良
く、これにより本発明を何ら限定するものではない。
特性図での縦軸の光透過率は、それぞれの偏光軸が平行
に配置された2枚の偏光板の光透過率を1としたときの
光透過率を表している。
態1に係る液晶表示素子の要部断面図である。本実施の
形態に係る液晶表示素子Aは、一対のガラス基板1,2
間に液晶層3を挟持した液晶セル4と、該液晶セル4の
一方の外側(図1の上側)に積層された3枚のフィルム
位相板5,6,7と、該液晶セル4の他方の外側(図1
の下側)に積層された2枚のフィルム位相板8,9と、
位相板7の外側に配設された偏光板10と、位相板9の
外側に配設された偏光板11とを有する。位相板5,8
は、図2に示すように、光学媒体12が負の屈折率異方
性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板である。
位相板6,9は、2軸性位相板(nx〜ny>nz:位
相差Rth:50nm)であり、位相板7は、正の1軸性
位相板(nx>ny=nz:位相差150nm)であ
る。
表示電極としての透明電極15,16が形成されてお
り、この透明電極15,16の内側面には配向膜17,
18が形成されている。
画素電極であり、透明電極16は共通電極である。勿
論、透明電極15を共通電極とし、透明電極16を画素
電極とするように構成してもよい。
晶分子が基板1,2間で捻られた配向状態とっている捻
れ液晶セルである。本実施の形態では、液晶層の液晶捻
れ角は、180度とされている。また、各光学要素(液
晶セル4、位相板5〜9、及び偏光板10,11に相当
する)は、図3に示す配置状態とされている。ここで、
図3は偏光板10側から見た平面図であり、図中におい
て、20は偏光板10の偏光方向、21は1軸性位相板
7の主軸方向、22は2軸性位相板6の主軸方向、23
は主軸がハイブリッド配列した位相板5の主軸方向、2
4は基板2のラビング方向、25は基板1のラビング方
向、26は主軸がハイブリッド配列した位相板8の主軸
方向、27は2軸性位相板9の主軸方向、28は偏光板
11の主軸方向を示す。
5,8を設けることにより、電圧印加時(黒表示)にお
ける液晶層の光学伝播特性の視野角依存性を補償して良
好な黒表示を行い、液晶表示素子の視野角特性を改善す
るという作用を有する。
層の中央部付近の液晶分子はほぼ垂直方向に立ち上が
る。しかしながら、基板界面に存在する液晶分子は、立
ち上がれず、ほぼ基板に平行状態であり、基板界面近傍
では、中央部に向けて徐々に立ち上がっていく配向状態
となっている。従って、この基板界面近傍の液晶分子の
配向に起因して、この部分で複屈折が大きく生じる。そ
のため、視野角が狭い。この場合、主軸がハイブリッド
配列した位相補償板を設けることにより、基板界面近傍
の液晶分子の複屈折を補償するこができることになる。
に二分する中心面から液晶表示素子を見た場合、上側に
おいて液晶表層の上半分の液晶分子の方向と上側の位相
補償板5の光学媒体の光学軸方向が対応し、下側におい
て液晶表層の下半分の液晶分子の方向と下側の位相補償
板8の光学媒体の光学軸方向が対応することにより、2
枚の位相補償板のそれぞれが液晶層の半分を補償する役
割を果たすことになり、視野角が広くなる。
軸の傾き角がほぼ90度の光学媒体12a(図2参照)
側の面が2軸性位相板側に、主軸の傾き角がほぼ0度の
光学媒体12b(図2参照)側の面が液晶側になるよう
に配置するのが望ましい。このようにすれば、基板両側
に、先ず面内方向(図2のx方向)に主軸のある光学媒
体12bと基板界面付近の液晶分子の組が配置し、それ
を面法線方向(図2のz方向)に主軸のある光学媒体1
2aと中央部の液晶の組が挟むようになって、互いに補
償を行う層が順序よく並ぶことになるからである。
ッド配列した位相補償板は上下に設けるようにしたけれ
ども、何れか一方のみを設ける構成であってもよい。こ
のようにすれば、2枚設ける場合に比べれば視野角は狭
いけれども、従来例に比べれば十分に広い視野角が得ら
れることになる。
は、電圧印加時(黒表示時)において液晶層中央部の液
晶分子が立ち上がる状態となるが、このときの斜め方向
からの光に起因した複屈折を主として補償する働きをな
す。
光漏れを防止して、黒レベルを沈ませる働きをなす。即
ち、偏光板11と偏光板10との偏光軸方向が直交して
配置されていることから、正面方向(偏光板に対して垂
直方向)から見た場合の光漏れは防がれている。しかし
ながら、正面からずれた方向(偏光板に対して斜め方
向)から見た場合に、光漏れが生じる。かかる場合に、
1軸性位相板7を設けることにより、光漏れを防止する
ことができる。
位相板6,9及びハイブリッド配列した位相板5,8を
設けることにより、広視野角特性を有する液晶表示素子
を実現することができる。
方法について説明する。
ガラス基板1,2に日産化学工業製配向膜塗料RN−4
74をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中180度、
1時間硬化させ、配向膜17,18を形成する。その
後、配向膜17,18表面を、レーヨン製ラビング布を
用いて図2に示す方向にラビング処理を施す。次いで、
積水ファインケミカル(株)製スペーサ20、およびス
トラクトボンド352A(三井東圧化学(株)製シール
樹脂の商品名)を用いて基板間隔が5.1μmとなるよ
うに、基板1と基板2とを貼り合わせ、空セルを作成し
た。
ナノエートを添加してカイラルピッチが10.2μmに
なるように調製したメルク社製液晶ZLI−2411
(NI点=65度、Δn=0.140)を、真空注入法
にて空セルに注入して、液晶セル4を作製した。
相板(nx>ny=nz:位相差150nm)7、二軸
性位相板(nx〜ny>nz:位相差Rth:50nm)
6,9および光学媒体が負の屈折率異方性を有し、主軸
がハイブリッド配列した位相板5,8(富士写真フィル
ム(株)製WVフィルム、位相差Re:34nm)を図
3の如く液晶セル4に貼合し、液晶表示素子Aを作製し
た。
子Aの電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しなが
ら測定した。結果を図4に示す。このときの電圧増加に
よる液晶配向の変化は連続的であり、確実に、かつスム
ーズに図31の液晶配向状態Bに類似した液晶配向が得
られることが確認された。
5.80Vの領域で表示を行った時のコントラスト比は
215:1であった。また2.20Vから2.71V、
3.23V、3.74V、4.26V、4.77V、
5.28V、5.80Vの電圧に印加電圧を変化させた
時の立ち上がり応答時間と立ち下がり応答時間の和は、
それぞれ16msec、15msec、13msec、
13msec、11msec、9msec、8msec
であり、本実施の形態に係る液晶表示素子は、従来例の
OCBモードと同様の高速応答性が確認された。
圧を5.80Vとしたときの視野角の等コントラスト曲
線を表している。図5から明らかなように、本発明液晶
表示素子Aは上下120度、左右160度以上の視角範
囲でコントラスト比10:1以上が達成されており、そ
の実用的価値は極めて高い。なお、図中の数字はコント
ラスト比の値を表している。
子Aは、OCBモードと同様な高速応答性を有し、か
つ、OCBモード以上の広視野角特性を有する液晶表示
を実現することができる。
配列した位相板を液晶セル両側に貼合したが、必要なセ
ル特性に応じて液晶セルの片側に貼合しても良いことは
言うまでもない。
っている場合には、1軸性位相板7を省略するようにし
てもよい。なぜなら、上記構成の2軸性位相板であれ
ば、1軸性位相板を兼ねていると考えられるからであ
る。
の順序は、図1に示す順序に限定されるものではなく、
例えば、位相板5の上に位相板7を設け、位相板7上に
位相板6を設けるようにしてもよい。但し、図1に示す
順序で構成するのが、望ましい。なぜなら、液晶表示素
子を構成する各光学要素間においては、できるだけ屈折
率差がなく光学特性に連続性を保つことが望まれてお
り、このような連続性があると、光損失なく光が各光学
要素を伝播していくことができるからである。
限定するものではく、図3の貼合角度から2〜3度程度
の範囲内で変化させた貼合角度であっても、同様な効果
を奏する。
た状態で各光学要素を配設するように構成してもよく、
このようにしても光学特性は図3の配置状態と同様であ
り、従って、図3の配置状態における液晶表示素子と同
様な効果を奏する。
直交して配置したが、平行に配置した場合には白黒表示
が逆になるが、本質的な特性に差はない。ただし、適正
な位相補償板の位相差の値は異なる。この点に関して、
図6を参照して説明する。図6において、ラインL1は
2枚の偏光板を直交して配置して構成された液晶表示素
子の電圧−透過率特性を示し、ラインL2は2枚の偏光
板を平行に配置して構成された液晶表示素子の電圧−透
過率特性を示す。この図6から明らかなようにラインL
1では駆動電圧が大きい領域で黒表示となり、ラインL
2では駆動電圧が小さい領域で黒表示となる。従って、
ラインL1では、液晶のねじれがほぼ解消しているた
め、液晶層を通過した光の位相差は小さいものとなる。
これに対して、ラインL2では、液晶のねじれ部分が大
きいため、液晶層を通過した光の位相差は大きいものと
なる。この結果、位相板の厚みは、偏光板を平行に配置
する場合の方が偏光板を直交して配置する場合よりも大
きい厚みが必要となる。従って、位相板の厚みを小さく
して液晶表示素子の薄型化を希望する場合、二枚の偏光
板を直交して配置した構成の方が望ましい。
の形態1に類似し対応する部分には同一の参照符号を付
す。実施の形態1では、光学媒体が負の屈折率異方性を
有し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8(富士
写真フィルム(株)製WVフィルム)を用いたけれど
も、実施の形態2では、位相板5,8に代えて、図7に
示すように光学媒体12が正の屈折率異方性を有し、主
軸がハイブリッド配列した位相板30,31(日本石油
化学(株)製NHフィルム、位相差Re:30nm)を
用いた。また、各光学要素は、図8に示す配置状態とさ
れている。ここで、図8は偏光板10側から見た平面図
であり、図中において、20は偏光板10の偏光方向、
21は1軸性位相板7の主軸方向、22は2軸性位相板
6の主軸方向、32は主軸がハイブリッド配列した位相
板30の主軸方向、24は基板2のラビング方向、25
は基板1のラビング方向、33は主軸がハイブリッド配
列した位相板31の主軸方向、27は2軸性位相板9の
主軸方向、28は偏光板11の主軸方向を示す。
8に示す配置状態にする以外は実施の形態1と全く同様
にして作製した。この液晶表示素子A1について、2.
30V(白表示)から6.65V(黒表示)の駆動電圧
範囲で表示を行った場合、正面でのコントラスト比は2
50:1であった。また、コントラスト比が10:1以
上の視野角範囲は、上下方向で135度、左右方向で1
48度であった。このよう光学媒体が正の屈折率異方性
を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板を用いて
も、実施の形態1と同様に広視野特性を有する液晶表示
素子を実現することができる。なお、斜め方向に関する
視野角範囲については、実施の形態2は、実施の形態1
に劣る。しかしながら、位相板30,31は、位相板
5,8よりもコストが安く、従って、液晶表示素子Aよ
りも液晶表示素子A1の方が製造コトスの低減を図るこ
とがてきるというメリットがある。
晶表示素子Bは、基本的には実施の形態1に係る液晶表
示素子Aと同様な構成を有する。但し、実施の形態3で
は、1画素内においてプレチルト角が異なる2つの領域
が形成されている点において実施の形態1と相違する。
このような構成により、1画素内において電圧−透過率
特性が異なる2つの領域が形成されることになり、電圧
−透過率特性におけるプラトー(台形部D)が存在しな
くなり、従来例よりも低電圧側を駆動電圧範囲に含める
ことができ、白レベルを大きくすることができる。な
お、後述する実施の形態4〜12も、実施の形態3と同
様に電圧−透過率特性が異なる領域を形成することによ
り、プラトーをなくし、従来例よりも低電圧側を駆動電
圧範囲に含めるようにしたものである。
方法を説明する。
基板1,2に日産化学工業製配向膜塗料RN−1164
をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中200度、1時
間硬化させ、配向膜17,18を形成する。その後、図
9に示すように、参照符号40の方向に偏光した紫外線
31を照射する紫外線照射装置(図示せず)を基板1上
方に配置し、波長245nmの偏光紫外線光41を2時
間照射した。このときの紫外線照射方向θは90度であ
り、照射エネルギは880mJ/cm2であった。更
に、図10に示されるマスク42を介して、照射角度θ
=40度で、同様の偏光紫外線光41を3時間照射し
た。なお、マスク42は、遮光領域42aと透過領域4
2bとが1画素に関して40:60になるように形成さ
れている。従って、画素の40%の領域に偏光紫外線光
41が照射されたことになる。このような2段階照射に
より、2段階照射された領域ではプレチルト角が大きく
なり、1段階のみ照射された領域ではプレチルト角が小
さくなった。プレチルト角が大きい領域と、プレチルト
角が小さい領域の比は、1画素内で40:60であっ
た。
由による。即ち、照射角度θ=90度の照射により配向
膜表面の分子側鎖を一方向に並ばせる。このとき、照射
角度θ=90度であるため、上記発現基の基板からの立
ち上がり角はほぼ0度となっている。次いで、照射角度
θ=40度の照射により、その光に追従して上記分子側
鎖が基板から立ち上がる。従って、1段階のみの照射さ
れた領域ではプレチルト角が小さくなり、2段階の照射
された領域ではプレチルト角が大きくなり、その結果と
してプレチルト角の異なる2つの領域を形成することが
できる。
(θ=90度)と、更に30分の斜め照射(θ=40
度)を行った場合における液晶材料(ZLI−241
1)のプレチルト角は、別途実験により求めた結果、
0.2度と8.1度であった。
板1と同様の光配向処理を行った。その後、基板1と基
板2とを対向配置し、積水ファインケミカル(株)製ス
ペーサ20、およびストラクトボンド352A(三井東
圧化学(株)製シール樹脂の商品名)を用いて基板間隔
が5.1μmとなるように貼り合わせ、空セルを作製し
た。
ナノエートを添加してカイラルピッチが10.2となる
ように調製したメルク社製液晶ZLI−2411(NI
点=65度、Δn=0.140)を、真空注入法にて空
セルに注入して、液晶セル4を作製した。
相板(位相差150nm)7、2軸性位相板6,9(位
相差Rth:50nm)および光学媒体が負の屈折率異方
性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8
(富士写真フィルム(株)製WVフィルム、位相差R
e:34nm)を図3の如く液晶セル4に貼合し、液晶
表示素子Bを作製した。
方向」、「下側基板のラビング方向」は、それぞれ「上
側基板において液晶分子が基板から離れるように配向す
る方向」、「下側基板において液晶分子が基板から離れ
るように配向する方向」と読み替えて各位相板等の光学
素子を配置した。
Bの電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しながら
測定した。結果を図11の実線に示す。
表示素子の電圧−透過率特性は、図33に認められるプ
ラトー(台形部D)が発生しない。これは、1画素内に
おいてプレチルト角が大きい領域と小さい領域を設ける
ことにより、1画素内において電圧−透過率特性の異な
る2つの領域が形成されたことになり、この結果、液晶
層全体としての電圧−透過率特性は平均化され、プラト
ー(台形部D)が殆ど存在しないことになるからであ
る。このようにして、プラトー(台形部D)が存在しな
い電圧−透過率特性を得ることにより、駆動電圧領域の
低電圧側を従来例よりも小さくとること可能となり、こ
れにより、通常のTN型液晶表示素子並の高い光透過率
を示すことができる。
位相板、二軸性フィルム位相板および光学媒体が負の屈
折率異方性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板
を液晶セルに貼合しているが、液晶表示素子の正面での
電圧−透過率特性に関しては、主軸がハイブリッド配列
した位相板5,8のみで十分に補償することが可能であ
る。
板を液晶セルの両側に配設したが、用途に応じて、セル
片側のみに配置しても良い。
を行わない以外は実施の形態3と全く同様にして空セル
を作製し、カイラル材料としてコレステリルノナノエー
トを添加してカイラルピッチが10.2μmとなるよう
に調製したメルク社製液晶ZLI−2411(NI点=
65度、Δn=0.140)を、真空注入法にて液晶セ
ル4に注入した。
相板(位相差150nm)7、2軸性位相板6,9(位
相差Rth:50nm)および光学媒体が負の屈折率異方
性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8
(富士写真フィルム(株)製WVフィルム、位相差R
e:34nm)を図3の如く液晶セル4に貼合し、液晶
表示素子R1を作成した。
における「上側基板のラビング方向」、「下側基板のラ
ビング方向」は、それぞれ「上側基板において液晶分子
が基板から離れるように配向する方向」、「下側基板に
おいて液晶分子が基板から離れるように配向する方向」
と読み替えて各光学素子を配置した。
R1の電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しなが
ら測定した。結果を図11の破線で示す。
R1にはプラトー(台形部D)が存在している。これに
対して、本発明液晶表示素子Bは電圧の増加とともに透
過率が一様に変化し、プラトー(台形部D)が存在して
いない。この結果、2回目の偏光紫外線斜め照射によ
り、電圧−透過率特性の異なる領域が形成され、これに
より、電圧−透過率特性を平均化させることが認められ
る。
晶表示素子Cは、基本的には実施の形態3に係る液晶表
示素子Aと同様な構成を有する。即ち、実施の形態4
は、1画素内においてプレチルト角が異なる2つの領域
が形成されている点において実施の形態3と同様であ
る。但し、プレチルト角が異なる2つの領域を形成する
ための製造方法が異なる。
方法を説明する。
ガラス基板1,2上に日産化学工業製配向膜塗料SE−
4110をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中180
度、1時間硬化させ、配向膜17,18を形成した。そ
の後、レーヨン製ラビング布を用いて図3の参照符号2
4及び25に示す方向にラビング処理を施した。その
後、上記実施の形態3で用いたものと同様のマスクを介
して画素の40%の領域に対して、波長245nmの非
偏光紫外線光を4時間照射した。この時の照射エネルギ
ーは1.7J/cm2であった。これにより、非偏光紫
外線光が照射された領域ではプレチルト角が小さくな
り、非偏光紫外線光が照射されなかった領域ではプレチ
ルト角が大きくなった。プレチルト角が小さい領域と、
プレチルト角が大きい領域の比は、1画素内で40:6
0であった。このような現象が生じるのは、非偏光紫外
線の照射により、配向膜表面の側鎖が切断されるため、
液晶分子が側鎖に沿って配列できず、そのためプレチル
ト角が小さくなると考えられるからでる。
行わなかった場合における液晶材料プレチルト角は、別
途実験により求めた結果、0.2度と10.1度であっ
た。
板1と同様の光配向処理を行った。その後、基板1と基
板2とを対向配置し、積水ファインケミカル(株)製ス
ペーサ20、およびストラクトボンド352A(三井東
圧化学(株)製シール樹脂の商品名)を用いて基板間隔
が5.1μmとなるように貼り合わせ、空セルを作製し
た。
ナノエートを添加してカイラルピッチが10.2μmと
なるように調製したメルク社製液晶ZLI−2293
(NI点=85度、Δn=0.140)を、真空注入法
にて空セルに注入し、液晶セル4を作製した。
相板(位相差135nm)7、2軸性位相板6,9(位
相差Rth:35nm)および光学媒体が負の屈折率異方
性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8
(富士写真フィルム(株)製WVフィルム、位相差R
e:28nm)を図3の如く液晶セル4に貼合し、液晶
表示素子Cを作製した。
Cの電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しながら
測定した。結果を図12に示す。図12からも明らかな
ように、本発明液晶表示素子Cの電圧−透過率特性は、
図32に認められるプラトー(台形部D)が発生しない
ため、通常のTN型液晶表示素子並の高い光透過率を示
すことが出来る。
晶表示素子Dは、基本的には実施の形態1に係る液晶表
示素子Aと同様な構成を有する。但し、実施の形態4で
は、1画素内においてアンカリング強度の異なる2つの
領域が形成されている点において実施の形態1と相違す
る。このような構成により、1画素内において電圧−透
過率特性が異なる2つの領域が形成れることになり、電
圧−透過率特性におけるプラトー(台形部D)が存在し
なくなり、従来例よりも低電圧側を駆動電圧範囲に含め
ることができ、白レベルを大きくすることができる。
方法を説明する。
ガラス基板1,2上に下記構造式(化1)で示されるポ
リイミド塗料(NMP/ブチルセルソルブ溶媒)をスピ
ンコート法にて塗布し、恒温槽中200度、1時間硬化
させる。
24,25に示す方向にラビング処理を施した。その
後、上記実施の形態3で用いたものと同様のマスクを介
して画素の40%の領域に対して、波長245nmの非
偏光紫外線光を150分照射した。この時の照射エネル
ギーは2.0J/cm2であった。これにより、非偏光
紫外線光が照射された領域ではアンカリング強度が小さ
くなった。そのため、1画素内において、アンカリング
強度が小さい領域とアンカリング強度が大きい領域が存
在することになり、その比は、1画素内で40:60で
あった。このような現象が生じるのは、以下の理由によ
る。即ち、一般的には、アンカリングは、配向膜表面に
浸み込んだ液晶分子が配向膜の分子側鎖により拘束され
て生じるものと考えられている。そして、本実施の形態
では、当該部分の側鎖が非偏光紫外線の照射により切断
され、このためアンカリング強度が弱くなると考えられ
る。
に、非偏光紫外線光が照射された領域ではプレチルト角
は小さくなっている。しかしながら、本実施の形態5
は、実施の形態4と比較すると配向膜材料の相違及び紫
外線の照射時間の相違により、プレチルト角の小さくな
る度合いが実施の形態4よりも小さい。従って、本実施
の形態5においてもプレチルト角が異なる2つの領域が
存在するものの、その影響は実施の形態4に比べ小さ
く、寧ろ本実施の形態4は、アンカリング強度が異なる
ことに起因して電圧−透過率特性が異なる領域が存在す
るようにしことを特徴とするものである。なお、プレチ
ルト角が小さいからといって、アンカリング強度が弱く
なるわけでない。両者は、概念が異なる。
板1と同様の光配向処理を行った。その後、基板1と基
板2とを対向配置し、積水ファインケミカル(株)製ス
ペーサ20、およびストラクトボンド352A(三井東
圧化学(株)製シール樹脂の商品名)を用いて基板間隔
が5.1μmとなるように貼り合わせ、空セルを作成し
た。
ナノエートを添加してカイラルピッチが10.2μmと
なるように調製したメルク社製液晶ZLI−2293
(NI点=85度、Δn=0.140)を、真空注入法
にて空セルに注入し、液晶セル4を作製した。
相板(位相差1)7、2軸性位相板6,9(位相差Rt
h:50nm)および光学媒体が負の屈折率異方性を有
し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8(富士写
真フィルム(株)製WVフィルム、位相差Re:34n
m)を図3の如く液晶セル4に貼合し、液晶表示素子D
を作製した。
Dの電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しながら
測定した。結果を図13に示す。図13からも明らかな
ように、本発明液晶表示素子Dの電圧−透過率特性は、
図33に認められるプラトー(台形部D)が発生しない
ため、通常のTN型液晶表示素子並の高い光透過率を示
すことが出来る。
チルト角は紫外線照射によりプレチルト角が低下するも
ののその程度は小さい。一方、プレチルト角測定に用い
たホモジニアスセルにて測定した表面アンカリングエネ
ルギ強度は、紫外線照射を行わなかった場合と、本実施
例条件での紫外線照射を行った場合とでは、それぞれ
1.0×10−3[J/m2]、2.5×10−4[J
/m2]であった。
時の液晶ダイレクタの分布、即ち、電圧−透過率特性を
決めるものであり、異なった表面アンカリングエネルギ
強度領域に対して、それぞれ電圧−透過率特性が存在す
る。従って、実際の表示においては、これらの特性が合
成され、輝度変化が一様に変化しないという従来のパイ
ツイストセルの課題が解消されている。
晶表示素子Eは、基本的には実施の形態1に係る液晶表
示素子Aと同様な構成を有する。但し、実施の形態6で
は、1画素内において配向膜表面における液晶の接触角
の異なる2つの領域が形成されている点において実施の
形態1と相違する。このような構成により、1画素内に
おいて電圧−透過率特性が異なる2つの領域が形成れる
ことになり、電圧−透過率特性におけるプラトー(台形
部D)が存在しなくなり、従来例よりも低電圧側を駆動
電圧範囲に含めることができ、白レベルを大きくするこ
とができる。
方法を説明する。
ガラス基板1,2上に日産化学工業製配向膜塗料RN−
747をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中180
度、1時間硬化させ、配向膜17,18を形成した。そ
の後、実施の形態3で用いたものと同様のマスクを配向
膜表面に密着させ、40℃、エチルアルコール蒸気中に
15秒さらした後、レーヨン製ラビング布を用いて図3
の参照符号24及び25に示す方向にラビング処理を施
した。
コール蒸気に晒した場合と、晒さなかった場合とでは、
それぞれ84度、65度であった。基板2についても、
同様の処理を行った。次いで、基板1と基板2とを、積
水ファインケミカル(株)製スペーサ20、およびスト
ラクトボンド352A(三井東圧化学(株)製シール樹
脂の商品名)を用いて基板間隔が5.1μmとなるよう
に貼り合わせ、空セルを作成した。
ナノエートを添加してカイラルピッチが10.2μmと
なるように調製したメルク社製液晶ZLI−2411
(NI点=65度、Δn=0.140)を、真空注入法
にて空セルに注入し、液晶セル4を作製した。
相板(位相差155nm)7、2軸性位相板6,9(位
相差Rth:50nm)および光学媒体が負の屈折率異方
性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8
(富士写真フィルム(株)製WVフィルム、位相差R
e:42nm)を図3の如く液晶セル4に貼合し、液晶
表示素子Eを作製した。
Eの電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しながら
測定した。結果を図14に示す。図14からも明らかな
ように、本発明液晶表示素子の電圧−透過率特性は、印
加電圧の増加とともに光透過率が徐々に変化し、通常の
TN型液晶表示素子並の高い白レベル透過率を示すこと
が出来る。
る液晶配向制御の領域を全表示画素の40%としたが、
これにより何ら本発明を限定するものではない。
晶表示素子Fは、基本的には実施の形態1に係る液晶表
示素子Aと同様な構成を有する。但し、実施の形態7で
は、1画素内においてプレチルト角が連続的に変化して
いる点において実施の形態1と相違する。このような構
成により、電圧−透過率特性におけるプラトー(台形部
D)が存在しなくなり、従来例よりも低電圧側を駆動電
圧範囲に含めることができ、白レベルを大きくすること
ができる。
方法を説明する。
ガラス基板2,1上に日産化学工業製配向膜塗料RN−
1164をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中200
度、1時間硬化させ、配向膜16,17を形成した。そ
の後、レーヨン製ラビング布を用いて図3の参照符号2
4及び25に示す方向にラビング処理を施した。その
後、線状紫外線照射装置を用い、波長245nmの非偏
光紫外線光を図15で示される照射位置−照射時間の関
係で、ステージ送り速度を変化させながら連続的に照射
した。この時、光照射時間が60分の時、照射エネルギ
量は1.2J/cm2に対応していた。
と、180分の場合における液晶材料(ZLI−241
1)のプレチルト角は、別途実験により求めた結果、
0.2度と9.8度であり、本実施の形態における配向
膜界面のプレチルト角は、一方の端から他方に向かって
連続的に変化しているものと推定される。
し、基板1と基板2とを対向配置し、積水ファインケミ
カル(株)製スペーサ20、およびストラクトボンド3
52A(三井東圧化学(株)製シール樹脂の商品名)を
用いて基板間隔が5.1μmとなるように貼り合わせ、
空セルを作成した。
ナノエートを添加してカイラルピッチが10.2μmと
なるように調製したメルク社製液晶ZLI−2411
(NI点=65度、Δn=0.140)を、真空注入法
にて空セルに注入し、液晶セル4を作製した。
相板(位相差150nm)7、2軸性位相板6,9(位
相差Rth:50nm)および光学媒体が負の屈折率異方
性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8
(富士写真フィルム(株)製WVフィルム、位相差R
e:34nm)を図3の如く液晶セル4に貼合し、液晶
表示素子Eを作製した。
Fの電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しながら
測定した。結果を図16に示す。図16からも明らかな
ように、本発明液晶表示素子の電圧−透過率特性は、図
33に認められるプラトー(台形部D)が発生しないた
め、通常のTN型液晶表示素子並の高い光透過率を示す
ことが出来る。
動させたが、逆に、光源側を固定し、配向膜基板を移動
させながら配向処理を行っても良いことは言うまでもな
い。また、上記の例では画素内でのプレチルト角を連続
的に変化させたが、プレチルト角が異なる領域が例えば
10程度となるように配向分割するようにしても、類似
の効果が認められた。
晶表示素子Gは、基本的には実施の形態1に係る液晶表
示素子Aと同様な構成を有する。但し、実施の形態8で
は、1画素内においてプレチルト角が連続的に変化して
いる点において実施の形態1と相違する。このような構
成により、電圧−透過率特性におけるプラトー(台形部
D)が存在しなくなり、従来例よりも低電圧側を駆動電
圧範囲に含めることができ、白レベルを大きくすること
ができる。なお、本実施の形態8は、1画素内において
プレチルト角が連続的に変化している点において実施の
形態7と同様である。但し、実施の形態7ではラビング
処理後に紫外線照射による光切断によりプレチルト角を
連続的に変化させたのに対して、本実施の形態8では紫
外線照射による光配向によりプレチルト角を連続的に変
化させている点において相違する。
方法を説明する。
ガラス基板1,2上にJSR株式会社製配向膜塗料JA
LS−684をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中1
80度、1時間硬化させ、配向膜17,18を形成し
た。その後、図9に示すように、参照符号40の方向に
偏光した紫外線41を照射する紫外線照射装置(図示せ
ず)を基板上方に配置し、波長245nmの偏光紫外線
光41を2時間照射した。このときの紫外線照射方向θ
は90度であり、照射エネルギは880mJ/cm2で
あった。更に、照射角度θ=40度で、同様の偏光紫外
線光41を30分照射した。
長245nmの偏光紫外線光を図17で示される照射位
置−照射時間の関係で、ステージ送り速度を変化させな
がら、照射角度θ=45度を保ったまま、連続的に照射
した。
が0分の場合と、240分の場合における液晶材料(Z
LI−2411)プレチルト角は、別途実験により求め
た結果、11.3度と1.5度であり、本実施の形態に
おける配向膜界面のプレチルト角は、一方の端から他方
に向かって連続的に変化しているものと推定される。
インケミカル(株)製スペーサ20、およびストラクト
ボンド352A(三井東圧化学(株)製シール樹脂の商
品名)を用いて基板間隔が5.1μmとなるように貼り
合わせ、空セルを作成した。
ナノエートを添加してカイラルピッチが10.2μmと
なるように調製したメルク社製液晶ZLI−2411
(NI点=65度、Δn=0.140)を、真空注入法
にて空セルに注入し、液晶セル4を作製した。
相板(位相差150nm)7、2軸性位相板6,9(位
相差Rth:50nm)および光学媒体が負の屈折率異方
性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8
(富士写真フィルム(株)製WVフィルム、位相差R
e:34nm)を図3の如く液晶セル4に貼合し、液晶
表示素子Gを作製した。
Gの電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しながら
測定した。結果を図18に示す。図18からも明らかな
ように、本発明液晶表示素子の電圧−透過率特性は、図
32に認められるプラトー(台形部D)が発生しないた
め、通常のTN型液晶表示素子並の高い光透過率を利用
することが出来る。
晶表示素子Hは、基本的には実施の形態1に係る液晶表
示素子Aと同様な構成を有する。但し、実施の形態9で
は、1画素内においてアンカリング強度が連続的に変化
している点において実施の形態1と相違する。このよう
な構成により、電圧−透過率特性におけるプラトー(台
形部D)が存在しなくなり、従来例よりも低電圧側を駆
動電圧範囲に含めることができ、白レベルを大きくする
ことができる。
方法を説明する。
ガラス基板1,2上に日産化学工業株式会社製ポリイミ
ド塗料SE−4410(NMP/ブチルセルソルブ溶
媒)をスピンコート法にて塗布し、恒温槽中250度、
1時間硬化させ、配向膜17,18を形成した。その
後、レーヨン製ラビング布を用いて図3の参照符号24
及び25に示す方向にラビング処理を施した。その後、
図19に示される特性を有する紫外光用NDフィルタを
介して、波長245nmの非偏光紫外線光を180分照
射した。ここで、紫外光用NDフィルタは、金属粒子の
密度が一端から他端に亘って大きくなるように含有され
ている(例えば、一端付近で50%、他端付近で80
%)ため、紫外光用NDフィルタを通過した紫外線は、
その強度が連続的に変化した分布を有する。従って、紫
外光用NDフィルタを通過した紫外線により配向膜を照
射すると、配向膜表面の側鎖の切断数が配向膜の一端か
ら他端に亘って増加する状態となり、このため、配向膜
の表面アンカリング強度は、一端から他端に向かって連
続的に変化する。
と、180分照射した場合における液晶材料(ZLI−
2411)に対するアンカリングエネルギ強度は、別途
実験により求めた結果、3.5×10−4[J/m2]
および1.2×10−3[J/m2]であり、本実施の
形態における配向膜の表面アンカリングエネルギ強度
は、一方の端から他方に向かって連続的に変化している
ものと推定される。
インケミカル(株)製スペーサ20、およびストラクト
ボンド352A(三井東圧化学(株)製シール樹脂の商
品名)を用いて基板間隔が5.1μmとなるように貼り
合わせ、空セルを作成した。
ナノエートを添加してカイラルピッチが10.2μmと
なるように調製したメルク社製液晶ZLI−2411
(NI点=65度、Δn=0.140)を、真空注入法
にて空セルに注入し、液晶セル4を作製した。
相板(位相差150nm)7、2軸性位相板6,9(位
相差Rth:50nm)および光学媒体が負の屈折率異方
性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8
(富士写真フィルム(株)製WVフィルム、位相差R
e:34nm)を図3の如く液晶セル4に貼合し、液晶
表示素子Hを作製した。
Hの電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しながら
測定した。結果を図20に示す。図20からも明らかな
ように、本発明液晶表示素子の電圧−透過率特性は、図
32に認められるプラトー(台形部D)が発生せず、印
加電圧の増加とともに素子の光透過率が一様に変化する
ため、通常のTN型液晶表示素子並の高い光透過率の領
域まで利用することが出来、その実用的価値は大きい。
0に係る液晶表示素子Iの構成図である。本実施の形態
10は、実施の形態1に類似し、対応する部分には同一
の参照符号を付す。実施の形態10が実施の形態1と異
なる点は、透明電極15が2つに分割されており、その
分割されたうちの一方の電極15aと対向側の透明電極
16との間には容量成分50が直列に挿入されている。
この容量成分50は、具体的には基板に設けた補助容
量等により実現される。なお、本実施の形態10におけ
る透明電極15は画素電極であり、透明電極16は共通
電極である。
の大きさは、電極15aと電極16との間の液晶層容量
の4.5倍であった。このような構成により、電極15
aと電極16間の液晶層3aに対する印加電圧と、電極
15bと対向電極16間の液晶層3bに対する印加電圧
とが、異なる。このため、液晶層3aと液晶層3bの各
電圧−透過率特性が異なる。これにより、2つの電圧−
透過率特性の異なる領域を存在させることができ、液晶
層全体としての電圧−透過率特性が平均化される。こう
して、このような構成によってもまた、電圧−透過率特
性におけるプラトー(台形部D)が存在しなくなり、従
来例よりも低電圧側を駆動電圧範囲に含めることがで
き、白レベルを大きくすることができる。
方法を説明する。
が異なる以外は実施の形態1と全く同様にして、基板間
隔が4.5μmの空セルを作製した。
ナノエートを添加してカイラルピッチが9.0μmにな
るように調製したメルク社製液晶ZLI−2293(N
I点=85度、Δn=0.140)を、真空注入法にて
空セルに注入し、液晶セル4Aを作製した。
相板(位相差150nm)7、2軸性位相板6,9(位
相差Rth:50nm)および光学媒体が負の屈折率異方
性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8
(富士写真フィルム(株)製WVフィルム、位相差R
e:34nm)を図3の如く液晶セル4Aに貼合し、液
晶表示素子Iを作製した。
Iの電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しながら
測定した。結果を図22に示す。白レベル表示は1.8
Vで得られ、この時の光透過率は約95%であり、TN
型液晶表示素子と同等であった。
ら9.50Vで表示を行った時のコントラスト比は28
0:1であった。また2.50Vから3.50V、4.
50V、5.50V、6.50V、7.50V、8.5
0V、9.50Vの電圧に電圧を変化させた時の立ち上
がり応答時間と立ち下がり応答時間の和は、それぞれ1
6msec、15msec、13msec、13mse
c、12msec、12msec、11msecであ
り、本実施の形態に係る液晶表示素子は、従来例のOC
Bモードと同様の高速応答性が確認された。
電圧を9.50Vとした時の視野角の等コントラスト曲
線を表している。8階調表示における階調反転は認めら
れなかった。図23から明らかなように、本発明液晶表
示素子は上下160度、左右160度以上の視角範囲で
コントラスト比10:1以上が達成されており、その実
用的価値は極めて高い。尚、図中の数字はコントラスト
比の値を表している。
1に係る液晶表示素子Jの要部断面図であり、図25は
液晶表示素子Jの製造工程を示す断面図である。本実施
の形態11は、実施の形態1に類似し、対応する部分に
は同一の参照符号を付す。本実施の形態11では、透明
電極15上に複数の凸形状物60が設けられており、こ
の点に関して実施の形態1と相違する。このように凸形
状物60の形成により、液晶層の厚みが異なる領域が形
成される。これにより、液晶層に、電圧−透過率特性の
異なる領域を存在させることができ、この結果、液晶層
全体としては、その電圧−透過率特性が平均化される。
こうして、このような構成によってもまた、電圧−透過
率特性におけるプラトー(台形部D)が存在しなくな
り、従来例よりも低電圧側を駆動電圧範囲に含めること
ができ、白レベルを大きくすることができる。
方法を説明する。
極15,16を有する2枚のガラス基板1,2上にJS
R株式会社製PC系レジスト材料を塗布形成し、厚さ1
μmのレジスト薄膜61を形成する。次に、図25
(b)に示すように、レジスト薄膜61に、矩形状パタ
ーンの開口部62を設けたフォトマスク63を通して、
平行光紫外線64で照射露光する。次いで、平行光で露
光された上記レジスト薄膜61を現像、リンスし、90
℃でプリベークして、図25(c)に示すように断面が
凸状の形状物60aを形成する。次に、上記レジスト薄
膜材料のガラス転移点以上の150℃でポストベークし
て凸形状物60aの肩をなだらかに順方向に傾斜させ
て、図25(d)に示すようにその断面形状を台形状に
形成して、凸形状物60を電極上に設けた。
2、および上記凸形状物60の形成されたガラス基板2
上に日産化学工業製配向膜塗料RN−7492をスピン
コート法にて塗布し、恒温槽中180度、1時間硬化さ
せて、配向膜17,18を形成した。その後、配向膜1
7,18を、レーヨン製ラビング布を用いて図3の参照
符号24及び25に示す方向にラビング処理を施した。
次いで、積水ファインケミカル(株)製スペーサ20、
およびストラクトボンド352A(三井東圧化学(株)
製シール樹脂の商品名)を用いて基板間隔が5.1μm
となるように、基板1と基板2とを貼り合わせ、空セル
を作成した。この時の本発明液晶表示素子画素内での液
晶層厚はd1=5.1μmとd2=4.1μmの領域が存
在することになる。
ナノエートを添加してカイラルピッチが10.2μmに
なるように調製したメルク社製液晶ZLI−2411
(NI点=65度、Δn=0.140)を、真空注入法
にて空セルに注入して、液晶セル4を作製した。
相板(位相差150nm)7、2軸性位相板(位相差R
th:50nm)6,9および光学媒体が負の屈折率異方
性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8
(富士写真フィルム(株)製WVフィルム、位相差R
e:34nm)を図3の如く液晶セル4に貼合し、液晶
表示素子Jを作成した。
Jの電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しながら
測定した。結果を図26に示す。
表示素子の電圧−透過率特性は、図33に認められるプ
ラトー(台形部D)が発生しないため、通常のTN型液
晶表示素子並の高い光透過率を利用することができる。
る液晶表示素子Kは、基本的には実施の形態1に係る液
晶表示素子Aと同様な構成を有する。但し、実施の形態
12では、1画素内において液晶層厚が連続的に変化し
ている点において実施の形態1と相違する。具体的に説
明すれば、図27に示すように電極15上に同一方向に
傾斜した傾斜面を有する断面が三角形状の凸形状物65
が形成されており、これにより、液晶層厚が連続的に変
化するように構成されている。このような構成により、
電圧−透過率特性におけるプラトー(台形部D)が存在
しなくなり、従来例よりも低電圧側を駆動電圧範囲に含
めることができ、白レベルを大きくすることができる。
方法を説明する。
に、紫外光用NDフィルタを配置し、実施の形態11で
用いた凸形状物60の作製プロセスと同様の方法にて図
27に示される凸形状物65を作製した。
1、および上記凸形状物65の形成されたガラス基板2
上に日産化学工業製配向膜塗料RN−7492をスピン
コート法にて塗布し、恒温槽中180度、1時間硬化さ
せて、配向膜17,18を形成した。その後、配向膜1
7,18を、レーヨン製ラビング布を用いて図3の参照
符号24及び25に示す方向にラビング処理を施した。
次いで、積水ファインケミカル(株)製スペーサ20、
およびストラクトボンド352A(三井東圧化学(株)
製シール樹脂の商品名)を用いて基板間隔が5.1μm
となるように、基板1と基板2とを貼り合わせ、空セル
を作成した。このとき、基板1上に凸形状物65が形成
されているため、液晶層厚は1画素内で4.5μm〜
6.0μmと連続的に変化している。
ナノエートを添加してカイラルピッチが12.0μmと
なるように調製したメルク社製液晶ZLI−2411
(NI点=65度、Δn=0.140)を、真空注入法
にて空セルに注入し、液晶セル4を作製した。
相板(位相差150nm)7、2軸性位相板(位相差R
th:50nm)6,9および光学媒体が負の屈折率異方
性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8
(富士写真フィルム(株)製WVフィルム、位相差R
e:34nm)を図3の如く液晶セル4に貼合し、液晶
表示素子Kを作成した。
Kの電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しながら
測定した。結果を図28に示す。
内で連続的に変化しており、それぞれの液晶層厚に対応
する電圧−透過率特性が平均化されることにより、図3
3に見られるプラトー(台形部D)が発生しない。これ
により、通常のTN型液晶表示素子並の高い光透過率を
示すことができる。
Lの製造工程を示す断面図である。本実施の形態13
は、実施の形態1に類似し、対応する部分には同一の参
照符号を付す。本実施の形態13では、透明電極15上
に複数の凸形状物70を設けて透明電極15上が凹凸状
に形成されており、この点に関して実施の形態1と相違
する。このように透明電極15上を凹凸状に形成するこ
とにより、プレチルト角が一定の分布で変化する状態が
得られる。これにより、液晶層に、電圧−透過率特性の
異なる領域を存在させることができ、この結果、液晶層
全体としては、その電圧−透過率特性が平均化される。
こうして、このような構成によってもまた、電圧−透過
率特性におけるプラトー(台形部D)が存在しなくな
り、従来例よりも低電圧側を駆動電圧範囲に含めること
ができ、白レベルを大きくすることができる。
方法を説明する。
極15を有する1枚のガラス基板1上にJSR株式会社
製PC系レジスト材料を塗布形成し、厚さ1μmのレジ
スト薄膜69を形成する。次に、図29(b)に示すよ
うに、レジスト薄膜69に、矩形状パターンの開口部7
1を設けたフォトマスク72を通して、平行光紫外線7
3で照射露光する。次いで、平行光で露光された上記レ
ジスト薄膜69を現像、リンスし、90℃でプリベーク
して、図29(c)に示すように断面が三角状の凸形状
物70aを形成する。次に、上記レジスト薄膜材料のガ
ラス転移点以上の150℃でポストベークして凸形状物
70aの先端部をなだらかにし、図29(d)に示す凸
形状物70を電極15上に形成した。なお、凸形状物7
0aを形成するのは、電極15を凹凸状にするためであ
り、従って、凸形状物70aは1画素内に4〜5個程度
形成する必要がある。
2、および上記凸形状物70の形成されたガラス基板2
上に日産化学工業製配向膜塗料RN−7492をスピン
コート法にて塗布し、恒温槽中180度、1時間硬化さ
せて、配向膜17,18を形成した。その後、配向膜1
7,18を、レーヨン製ラビング布を用いて図3の参照
符号24及び25に示す方向にラビング処理を施した。
次いで、積水ファインケミカル(株)製スペーサ20、
およびストラクトボンド352A(三井東圧化学(株)
製シール樹脂の商品名)を用いて、基板1と基板2とを
貼り合わせ、空セルを作成した。このときの本発明液晶
表示素子画素内での液晶層厚は5.5μmと5.8μmの
領域が存在することが他の実験より確認された。更に
は、凹凸形状の反映された配向膜表面でのプレチルト角
は0.1度〜15.5度と広く分布していることも他の
実験より確認された。
ナノエートを添加してカイラルピッチが12.0μmに
なるように調製したメルク社製液晶ZLI−2411
(NI点=65度、Δn=0.140)を、真空注入法
にて上記空セルに注入して、液晶セル4を作製した。
相板(位相差150nm)7、2軸性位相板(位相差R
th:50nm)6,9および光学媒体が負の屈折率異方
性を有し、主軸がハイブリッド配列した位相板5,8
(富士写真フィルム(株)製WVフィルム、位相差R
e:34nm)を図3の如く液晶セル4に貼合し、液晶
表示素子Lを作成した。
Lの電圧−透過率特性を30Hz矩形波を印加しながら
測定した。結果を図30に示す。図30からも明らかな
ように、本発明液晶表示素子の電圧−透過率特性は、低
電圧領域でもパイツイストセルに特徴的なプラトー(台
形部D)が発生しない。
しては、本実施の形態13も上記実施の形態11も同様
である。しかしながら、実施の形態11は主として液晶
層の厚みが異なる領域を形成することにより、電圧−透
過率特性の異なる領域を形成させるものであり、一方、
本実施の形態13は主としてプレチルト角を変えること
により、電圧−透過率特性の異なる領域を形成させるも
のである。
の補足説明)において述べた事項〜が当てはまる。
媒体からなるハイブリッド配列の位相板が用いられ、且
つ図3の配置状態とされたけれども、実施の形態2に示
した正の光学媒体からなるハイブリッド配列の位相板を
用いて、且つ図9に示す配置状態とされた構成であって
もよい。
イブリッド配列した位相補償板を設けることにより、光
学補償ベンド(OCB)モードと類似の高速性を有し、
かつOCBモード以上の広視野角特性を有する液晶表示
素子を実現することができる。
の電圧−透過率特性の異なる複数の領域を有する液晶表
示素子を提供することが可能であり、これにより白レベ
ル透過率の高い、即ち、光透過率の高い電圧領域をも有
効に使うことのできる高速・広視野角液晶表示素子を実
現することができるという効果が得られる。
ネル構成を示す断面図である。
いられるハイブリッド配列した位相板の模式図である。
光学要素の配置方向を示す図である。
圧−透過率特性の測定結果を示す図である。
野角特性の測定結果を示す図である。
に配置した場合の各電圧−透過率特性を示す図である。
いられるハイブリッド配列した位相板の模式図である。
光学要素の配置方向を示す図である。
方法を説明するための図である。
マスクパターンを示す図である。
電圧−透過率特性の測定結果を示す図である。
電圧−透過率特性の測定結果を示す図である。
電圧−透過率特性の測定結果を示す図である。
電圧−透過率特性の測定結果を示す図である。
制御方法を説明するための図である。
電圧−透過率特性の測定結果を示す図である。
制御方法を説明するための図である。
電圧−透過率特性の測定結果を示す図である。
ィルタの光透過率を示す図である。
電圧−透過率特性の測定結果を示す図である。
のパネル構成を示す断面図である。
の電圧−透過率特性の測定結果を示す図である。
の視野角特性の測定結果を示す図である。
のパネル構成を示す断面図である。
成プロセスを説明するための図である。
の電圧−透過率特性の測定結果を示す図である。
状を示す図である。
の電圧−透過率特性の測定結果を示す図である。
形成プロセスを説明するための図である。
の電圧−透過率特性の測定結果を示す図である。
構成を示す断面図である。
ル構成を示す断面図である。
−透過率特性を説明するための図である。
角特性である。
ハイブリッド配列した位相板 6,9: 2軸性位相板 7: 1軸性位相板 10.11: 偏光板 15,15a,15b,16: 透明電極 17,18: 配向膜 12: ハイブリッド配列した位相板の光学媒体 30,31: 光学媒体が正の屈折率異方性を有し、主
軸がハイブリッド配列した位相板 20: 偏光板10の偏光方向 21: 1軸性位相板7の主軸方向 22: 2軸性位相板6の主軸方向 23: 主軸がハイブリッド配列した位相板5の主軸方
向 24: 基板2のラビング方向 25: 基板1のラビング方向 26: 主軸がハイブリッド配列した位相板8の主軸方
向 27: 2軸性位相板9の主軸方向 28: 偏光板11の主軸方向 32: 主軸がハイブリッド配列した位相板30の主軸
方向 33: 主軸がハイブリッド配列した位相板31の主軸
方向 40: 偏光紫外線の偏波面方向 41: 紫外線の照射方向 42,63: フォトマスク 50: 容量成分 60,65,70: 凸形状物 64,73: 紫外線
Claims (22)
- 【請求項1】パイツイストセルを有する液晶表示素子で
あって、一対の基板間に挟持され、その液晶分子が捻れ
て配向している液晶層と、位相補償板とを含み、前記一
対の基板のうち少なくとも一方の基板界面近傍の液晶配
向が、配向状態の異なる2つ以上の領域に分割されてい
ることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項2】液晶配向が、画素毎に、配向状態の異なる
2つ以上の領域に分割されていることを特徴とする請求
項1に記載の液晶表示素子。 - 【請求項3】配向状態の異なる2つ以上の領域が、プレ
チルト角の互いに異なる2つ以上の領域であることを特
徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。 - 【請求項4】配向状態の異なる2つ以上の領域が、アン
カリングエネルギの互いに異なる2つ以上の領域である
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。 - 【請求項5】配向状態の異なる2つ以上の領域が、接触
角の互いに異なる2つ以上の領域であることを特徴とす
る請求項1に記載の液晶表示素子。 - 【請求項6】パイツイストセルを有する液晶表示素子で
あって、一対の基板間に挟持され、その液晶分子が捻れ
て配向している液晶層と、位相補償板とを含み、前記一
対の基板のうち少なくとも一方の基板界面近傍の液晶配
向状態が、連続的に変化していることを特徴とする液晶
表示素子。 - 【請求項7】画素毎に、液晶配向状態が連続的に変化し
ていることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示素
子。 - 【請求項8】連続的に変化している液晶配向の状態が、
プレチルト角の変化であることを特徴とする請求項6に
記載の液晶表示素子。 - 【請求項9】連続的に変化している液晶配向の状態が、
アンカリングエネルギの変化であることを特徴とする請
求項6に記載の液晶表示素子。 - 【請求項10】連続的に変化している液晶配向の状態
が、接触角の変化であることを特徴とする請求項6に記
載の液晶表示素子。 - 【請求項11】パイツイストセルを有する液晶表示素子
であって、一対の基板間に挟持された液晶層と、少なく
とも1枚の位相補償板とを含み、前記液晶層中の液晶分
子が160度から200度捻れて配向していると共に、
前記液晶層が液晶層厚の異なる2つ以上の領域に分割さ
れていることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項12】液晶層が、画素毎に液晶層厚の異なる2
つ以上の領域に分割されていることを特徴とする請求項
11に記載の液晶表示素子。 - 【請求項13】パイツイストセルを有する液晶表示素子
であって、一対の基板間に挟持された液晶層と、少なく
とも1枚の位相補償板とを含み、前記液晶層中の液晶分
子が160度から200度捻れて配向していると共に、
前記液晶層の層厚が連続的に変化していることを特徴と
する液晶表示素子。 - 【請求項14】画素毎に、液晶層の層厚が連続的に変化
していることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示
素子。 - 【請求項15】パイツイストセルを有する液晶表示素子
であって、一対の基板間に挟持された液晶層と、少なく
とも1枚の位相補償板とを含み、前記液晶層中の液晶分
子が160度から200度捻れて配向し、少なくとも一
方の表示電極が2つ以上の領域に分割されているととも
に、それぞれの領域に印加される電圧値が異なることを
特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項16】少なくとも一方の表示電極が2つ以上の
領域に分割されているとともに、少なくともそのうちの
一つに容量成分が直列に接続されていることを特徴とす
る請求項15に記載の液晶表示素子。 - 【請求項17】少なくとも一方の表示電極表面上に凹凸
形成状物が形成されていることを特徴とする請求項11
から14のいずれかに記載の液晶表示素子。 - 【請求項18】位相補償板が1軸性位相補償板、2軸性
位相補償板、あるいは主軸がハイブリッド配列した位相
補償板を含む位相補償板であることを特徴とする請求項
1から17のいずれかに記載の液晶表示素子。 - 【請求項19】1軸性位相補償板が、その光学的異方性
が正の位相補償板であることを特徴とする請求項18に
記載の液晶表示素子。 - 【請求項20】前記1軸性位相補償板と、前記2軸性位
相補償板と、前記主軸がハイブリッド配列した位相補償
板とが、この順序で配設されていることを特徴とする請
求項18に記載の液晶表示素子。 - 【請求項21】前記1軸性位相補償板の光軸が、外側に
配設された偏光板の透過軸と略平行であることを特徴と
する請求項18に記載の液晶表示素子。 - 【請求項22】前記主軸がハイブリッド配列した位相補
償板が、主軸がハイブリッド配列した負の屈折率異方性
をもつ光学媒体、または主軸がハイブリッド配列した正
の屈折率異方性をもつ光学媒体よりなる位相補償板であ
ることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示素子。
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