JP3174856B2 - 混合ガス供給装置 - Google Patents
混合ガス供給装置Info
- Publication number
- JP3174856B2 JP3174856B2 JP10702993A JP10702993A JP3174856B2 JP 3174856 B2 JP3174856 B2 JP 3174856B2 JP 10702993 A JP10702993 A JP 10702993A JP 10702993 A JP10702993 A JP 10702993A JP 3174856 B2 JP3174856 B2 JP 3174856B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- mixed gas
- mixed
- supply device
- supplied
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 220
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 48
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 10
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 206010016275 Fear Diseases 0.000 description 1
- 101100023111 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) mfc1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002465 magnetic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 102220065736 rs543286136 Human genes 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/10—Mixing gases with gases
- B01F23/19—Mixing systems, i.e. flow charts or diagrams; Arrangements, e.g. comprising controlling means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/008—Feed or outlet control devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Accessories For Mixers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数台の半導体製造装
置に安定した濃度の混合ガスを一台の混合器で供給し得
る混合ガス供給装置に関するものである。
置に安定した濃度の混合ガスを一台の混合器で供給し得
る混合ガス供給装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造に関しては、純水や薬品等
とともに混合ガスが極めて重要な役割を果たすが、従来
における混合ガス供給装置は、図５に示す如く、複数の
半導体製造装置４に特殊材料ガスである混合ガスをそれ
ぞれ個別に供給するようにしている。
とともに混合ガスが極めて重要な役割を果たすが、従来
における混合ガス供給装置は、図５に示す如く、複数の
半導体製造装置４に特殊材料ガスである混合ガスをそれ
ぞれ個別に供給するようにしている。
【０００３】上記複数の半導体製造装置（図５ではＭで
示す）４には、混合ガス供給ライン１の一端部がそれぞ
れ接続され、この混合ガス供給ライン１の他端部には、
混合ガス（図示せず）を貯留した常用・補用の２本のシ
リンダ２がそれぞれ接続されている。
示す）４には、混合ガス供給ライン１の一端部がそれぞ
れ接続され、この混合ガス供給ライン１の他端部には、
混合ガス（図示せず）を貯留した常用・補用の２本のシ
リンダ２がそれぞれ接続されている。
【０００４】このシリンダ２は、高性能に設計・構成さ
れ、その内部には、純度１００％のシランガス（ＳｉＨ
4 ガス）が５％の体積で最初に充填され、稀釈用のガス
である高純度の窒素ガス（Ｎ2 ガス）が９５％の体積で
後に充填されるようになっている。
れ、その内部には、純度１００％のシランガス（ＳｉＨ
4 ガス）が５％の体積で最初に充填され、稀釈用のガス
である高純度の窒素ガス（Ｎ2 ガス）が９５％の体積で
後に充填されるようになっている。
【０００５】尚、これら各原料ガスの充填に際しては、
ガスの重量を正確に量るという観点から、図示しない秤
がその都度使用される。
ガスの重量を正確に量るという観点から、図示しない秤
がその都度使用される。
【０００６】原料ガスであるシランガスと窒素ガスとが
順次充填されると、シリンダ２がシェイクされるが、こ
のシリンダ２のシェイクに伴う混合作用で上記混合ガス
が製造される。そして、この混合ガスの純度の厳格なチ
ェックに基づきシリンダ２の合否が１本ずつ決定され、
合格したシリンダ２のみが複数のシリンダキャビネット
（図５ではＣ／Ｃで示す）３に２本ずつ貯蔵される。
順次充填されると、シリンダ２がシェイクされるが、こ
のシリンダ２のシェイクに伴う混合作用で上記混合ガス
が製造される。そして、この混合ガスの純度の厳格なチ
ェックに基づきシリンダ２の合否が１本ずつ決定され、
合格したシリンダ２のみが複数のシリンダキャビネット
（図５ではＣ／Ｃで示す）３に２本ずつ貯蔵される。
【０００７】このシリンダキャビネット３は、常用・補
用の２本のシリンダ２を保有し、図示しない気密チェッ
ク用ガス導入ラインやベントライン等を内蔵しており、
ユースポイントから離隔して設置されるとともに、半導
体製造装置４の数に対応する数が設置されている。
用の２本のシリンダ２を保有し、図示しない気密チェッ
ク用ガス導入ラインやベントライン等を内蔵しており、
ユースポイントから離隔して設置されるとともに、半導
体製造装置４の数に対応する数が設置されている。
【０００８】然して、合格した常用・補用の２本のシリ
ンダ２は、複数のシリンダキャビネット３にそれぞれ貯
蔵され、混合ガスを混合ガス供給ライン１を介して複数
の半導体製造装置４にそれぞれ個別に供給する。
ンダ２は、複数のシリンダキャビネット３にそれぞれ貯
蔵され、混合ガスを混合ガス供給ライン１を介して複数
の半導体製造装置４にそれぞれ個別に供給する。
【０００９】尚、この種の先行技術文献として特開昭６
０ー５２２２号公報や特公昭６１ー３６４５３号公報等
がある。
０ー５２２２号公報や特公昭６１ー３６４５３号公報等
がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来における混合ガス
供給装置は、以上のように構成され、半導体製造装置４
の数に応じて極めて高価なシリンダキャビネット３を設
置せざるを得ないので、設備投資の抑制という最近の要
求に応えることができないという問題点があった。
供給装置は、以上のように構成され、半導体製造装置４
の数に応じて極めて高価なシリンダキャビネット３を設
置せざるを得ないので、設備投資の抑制という最近の要
求に応えることができないという問題点があった。
【００１１】また、シリンダ２にシランガスと窒素ガス
とを上記した混合比率で順次充填するので、充填作業が
複雑化・煩雑化するとともに、使用したいシランガスの
量が５％しかないので、シリンダ２の交換頻度が非常に
高くならざるを得なかった。
とを上記した混合比率で順次充填するので、充填作業が
複雑化・煩雑化するとともに、使用したいシランガスの
量が５％しかないので、シリンダ２の交換頻度が非常に
高くならざるを得なかった。
【００１２】さらに、ガス供給業者の半導体用ガス充填
工場内で複雑な該充填作業を行うので、シリンダ２やガ
スの汚染の虞れがあり、混合ガスの純度を所定値に維持
し得ないという問題点があった。
工場内で複雑な該充填作業を行うので、シリンダ２やガ
スの汚染の虞れがあり、混合ガスの純度を所定値に維持
し得ないという問題点があった。
【００１３】本発明は、上記に鑑みなされたもので、シ
リンダキャビネットの減少を通じて設備投資を著しく抑
制し、作業の簡素化を図ることができるとともに、交換
頻度を大幅に減少させ、且つ、汚染の虞れ等を容易に排
除し得る混合ガス供給装置を提供することを目的として
いる。
リンダキャビネットの減少を通じて設備投資を著しく抑
制し、作業の簡素化を図ることができるとともに、交換
頻度を大幅に減少させ、且つ、汚染の虞れ等を容易に排
除し得る混合ガス供給装置を提供することを目的として
いる。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明においては上述の
目的を達成するため、ガスをそれぞれ個別に導送する複
数のガス導送手段と、この複数のガス導送手段に導送さ
れるガスをそれぞれ自動的に供給する複数の流量制御手
段と、該複数のガス導送手段から供給されてくる複数の
ガスを混合して混合ガスを製造する混合手段と、この混
合手段から供給されてくる混合ガスの圧力エネルギーを
緩和して当該混合ガスを複数の消費手段に供給する緩衝
手段とを備え、この緩衝手段に貯留された該混合ガスの
圧力値の変化に基づいて複数の流量制御手段を開閉動作
させ、該複数のガスの供給を停止、又は、再開するよう
にしている。
目的を達成するため、ガスをそれぞれ個別に導送する複
数のガス導送手段と、この複数のガス導送手段に導送さ
れるガスをそれぞれ自動的に供給する複数の流量制御手
段と、該複数のガス導送手段から供給されてくる複数の
ガスを混合して混合ガスを製造する混合手段と、この混
合手段から供給されてくる混合ガスの圧力エネルギーを
緩和して当該混合ガスを複数の消費手段に供給する緩衝
手段とを備え、この緩衝手段に貯留された該混合ガスの
圧力値の変化に基づいて複数の流量制御手段を開閉動作
させ、該複数のガスの供給を停止、又は、再開するよう
にしている。
【００１５】また、本発明においては上述の目的を達成
するため、ガスをそれぞれ個別に導送する複数のガス導
送手段と、この複数のガス導送手段に導送されるガスを
それぞれ自動的に供給する複数の流量制御手段と、該複
数のガス導送手段から供給されてくる複数のガスを混合
して半導体用の混合ガスを製造する混合手段と、この混
合手段から供給されてくる混合ガスの圧力エネルギーを
緩和して当該混合ガスを複数の半導体製造手段に供給す
る緩衝手段とを備え、この緩衝手段に貯留された該混合
ガスの圧力値の変化に基づいて複数の流量制御手段を開
閉動作させ、該複数のガスの供給を停止、又は、再開す
るようにしている。そして、本発明においては上述の目
的を達成するため、上記複数のガス導送手段に、ガスの
流量を計測する流量計をそれぞれ配設し、この流量計と
該流量制御手段との検出値の不一致時に、別に用意した
混合ガスを複数の半導体製造手段にそれぞれ供給するよ
うにしている（混合ガスの濃度分析計を流量計と併用す
るか、又は、単独で使用しても可能である）。さらに、
本発明においては上述の目的を達成するため、上記複数
のガスのうちの少なくとも一つを不活性ガスとし、この
不活性ガスを、独立した貯槽の液化ガスを気化手段で気
化させて製造するか、又は、高圧ガスを減圧して製造す
るとともに、この気化手段、又は、減圧手段から該ガス
導送手段を介して混合手段に流入させるようにしてい
る。
するため、ガスをそれぞれ個別に導送する複数のガス導
送手段と、この複数のガス導送手段に導送されるガスを
それぞれ自動的に供給する複数の流量制御手段と、該複
数のガス導送手段から供給されてくる複数のガスを混合
して半導体用の混合ガスを製造する混合手段と、この混
合手段から供給されてくる混合ガスの圧力エネルギーを
緩和して当該混合ガスを複数の半導体製造手段に供給す
る緩衝手段とを備え、この緩衝手段に貯留された該混合
ガスの圧力値の変化に基づいて複数の流量制御手段を開
閉動作させ、該複数のガスの供給を停止、又は、再開す
るようにしている。そして、本発明においては上述の目
的を達成するため、上記複数のガス導送手段に、ガスの
流量を計測する流量計をそれぞれ配設し、この流量計と
該流量制御手段との検出値の不一致時に、別に用意した
混合ガスを複数の半導体製造手段にそれぞれ供給するよ
うにしている（混合ガスの濃度分析計を流量計と併用す
るか、又は、単独で使用しても可能である）。さらに、
本発明においては上述の目的を達成するため、上記複数
のガスのうちの少なくとも一つを不活性ガスとし、この
不活性ガスを、独立した貯槽の液化ガスを気化手段で気
化させて製造するか、又は、高圧ガスを減圧して製造す
るとともに、この気化手段、又は、減圧手段から該ガス
導送手段を介して混合手段に流入させるようにしてい
る。
【００１６】
【作用】上記構成を有する本発明によれば、混合手段が
複数のガスを所定の混合比で混合して混合ガスを製造す
るので、半導体製造手段の数に対応させて高価なシリン
ダキャビネットを設置する必要性を排除でき、複雑な充
填作業の簡素化が可能になる。また、シリンダやガスの
汚染の虞れを排除でき、しかも、混合ガスの高純度の維
持が期待できる。
複数のガスを所定の混合比で混合して混合ガスを製造す
るので、半導体製造手段の数に対応させて高価なシリン
ダキャビネットを設置する必要性を排除でき、複雑な充
填作業の簡素化が可能になる。また、シリンダやガスの
汚染の虞れを排除でき、しかも、混合ガスの高純度の維
持が期待できる。
【００１７】そして、混合ガスの圧力値の変化に基づい
て、流量制御手段が自動的に開閉動作し、複数のガスの
供給が停止、又は、再開するので、ガスの流量の変動に
伴う混合比の変化を防止でき、流量の変化に拘りなく安
定した混合ガスの濃度を維持することが可能となる。
て、流量制御手段が自動的に開閉動作し、複数のガスの
供給が停止、又は、再開するので、ガスの流量の変動に
伴う混合比の変化を防止でき、流量の変化に拘りなく安
定した混合ガスの濃度を維持することが可能となる。
【００１８】また、上記構成を有する本発明によれば、
流量計が流量制御手段の異常を検出すると、別に用意し
てある混合ガスが複数の半導体製造手段にそれぞれ個別
に供給されるので、流量制御手段が故障等しても、安定
した混合ガスの濃度維持が常時期待できる（混合ガスの
濃度分析計を流量計と併用するか、又は、単独で使用し
ても可能である）。
流量計が流量制御手段の異常を検出すると、別に用意し
てある混合ガスが複数の半導体製造手段にそれぞれ個別
に供給されるので、流量制御手段が故障等しても、安定
した混合ガスの濃度維持が常時期待できる（混合ガスの
濃度分析計を流量計と併用するか、又は、単独で使用し
ても可能である）。
【００１９】さらに、上記構成を有する本発明によれ
ば、不活性ガスが既存の供給源からではなく、独立した
貯槽、換言すれば、独立した供給系から混合手段に供給
されるので、汚染の虞れが全くなく、しかも、事故の発
生をも防止できる。
ば、不活性ガスが既存の供給源からではなく、独立した
貯槽、換言すれば、独立した供給系から混合手段に供給
されるので、汚染の虞れが全くなく、しかも、事故の発
生をも防止できる。
【００２０】
【実施例】以下、図１及び図２に示す一実施例に基づき
本発明を詳説する。
本発明を詳説する。
【００２１】本発明に係る混合ガス供給装置は、図１に
示す如く、原料ガスであるシランガスと窒素ガスとを混
合器１００で混合して混合ガスを製造し、この混合ガス
を複数の半導体製造装置４にそれぞれ個別に供給するよ
うにしている。
示す如く、原料ガスであるシランガスと窒素ガスとを混
合器１００で混合して混合ガスを製造し、この混合ガス
を複数の半導体製造装置４にそれぞれ個別に供給するよ
うにしている。
【００２２】上記シランガス（図２ではＳｉＨ4 で示
す）は、図１に示す如く、高性能に設計・構成された２
本のシリンダ２に１００％の純度・体積でそれぞれ充填
され、この２本のシリンダ２の１本が常用として、もう
１本が補用として、それぞれ使用されるようになってい
る。
す）は、図１に示す如く、高性能に設計・構成された２
本のシリンダ２に１００％の純度・体積でそれぞれ充填
され、この２本のシリンダ２の１本が常用として、もう
１本が補用として、それぞれ使用されるようになってい
る。
【００２３】この２本のシリンダ２は、同図に示す如
く、シリンダキャビネット（図１ではＣ／Ｃで示す）３
に貯蔵され、しかも、供給作用を営むシランガス供給ラ
イン（ガス導送手段）５の上流端部が接続されており、
このシランガス供給ライン５の残部が混合器１００の内
部に隠蔽状態で配設されている。
く、シリンダキャビネット（図１ではＣ／Ｃで示す）３
に貯蔵され、しかも、供給作用を営むシランガス供給ラ
イン（ガス導送手段）５の上流端部が接続されており、
このシランガス供給ライン５の残部が混合器１００の内
部に隠蔽状態で配設されている。
【００２４】この混合器１００の内部におけるシランガ
ス供給ライン５は、図２に示す如く、その上流部に、シ
ランガスの流通を調整する第１の止め弁６が接続される
とともに、シランガスの圧力を監視する第１の圧力セン
サ（以下、ＰＩＡで示す）７が接続され、この第１のＰ
ＩＡ７が異常値を検出すると、装置全体が停止するよう
になっている。
ス供給ライン５は、図２に示す如く、その上流部に、シ
ランガスの流通を調整する第１の止め弁６が接続される
とともに、シランガスの圧力を監視する第１の圧力セン
サ（以下、ＰＩＡで示す）７が接続され、この第１のＰ
ＩＡ７が異常値を検出すると、装置全体が停止するよう
になっている。
【００２５】第１のＰＩＡ７の下流におけるシランガス
供給ライン５には、濾過作用を営む第１のフィルター８
が接続されるとともに、濾過されたシランガスの流通を
エアシリンダの駆動に基づき調整する第１のエアバルブ
９が接続され、且つ、第１のマスフローコントローラ
（以下、ＭＦＣで示す）１０が接続されている。
供給ライン５には、濾過作用を営む第１のフィルター８
が接続されるとともに、濾過されたシランガスの流通を
エアシリンダの駆動に基づき調整する第１のエアバルブ
９が接続され、且つ、第１のマスフローコントローラ
（以下、ＭＦＣで示す）１０が接続されている。
【００２６】この第１のＭＦＣ（流量制御手段）１０
は、図示しない熱式質量流量センサ、コントロールバル
ブ、及び電気回路の組み合わせから構成され、第１のエ
アバルブ９を通過したシランガスを自動的に下流に供給
する機能を有している。
は、図示しない熱式質量流量センサ、コントロールバル
ブ、及び電気回路の組み合わせから構成され、第１のエ
アバルブ９を通過したシランガスを自動的に下流に供給
する機能を有している。
【００２７】尚、第１のＭＦＣ１０は、１０％〜１００
％の可変が可能な構造に本来的には構成されているが、
可変を許容すると混合濃度を一定値に維持し得ない虞れ
が生じる。従って、混合濃度を一定値に維持できる１０
０％の状態で常時作動するよう設定され、混合比を抑制
・維持し得るようになっている。この点については、後
述する第２のＭＦＣ１０Ａも同様である。
％の可変が可能な構造に本来的には構成されているが、
可変を許容すると混合濃度を一定値に維持し得ない虞れ
が生じる。従って、混合濃度を一定値に維持できる１０
０％の状態で常時作動するよう設定され、混合比を抑制
・維持し得るようになっている。この点については、後
述する第２のＭＦＣ１０Ａも同様である。
【００２８】第１のＭＦＣ１０の下流におけるシランガ
ス供給ライン５には、第１のＭＦＣ１０を通過したシラ
ンガスをエアシリンダの駆動に基づき調整する第２のエ
アバルブ９Ａが接続されるとともに、第１のＭＦＣ１０
のキャリブレーションを行う第１の分流弁１１が接続さ
れ、且つ、流量計である第１のマスフローメータ（以
下、ＭＦＭで示す）１２が接続されている。
ス供給ライン５には、第１のＭＦＣ１０を通過したシラ
ンガスをエアシリンダの駆動に基づき調整する第２のエ
アバルブ９Ａが接続されるとともに、第１のＭＦＣ１０
のキャリブレーションを行う第１の分流弁１１が接続さ
れ、且つ、流量計である第１のマスフローメータ（以
下、ＭＦＭで示す）１２が接続されている。
【００２９】尚、上記した第１のエアバルブ９、第１の
ＭＦＣ１０、及び第２のエアバルブ９Ａは、図２では別
々に接続されているが、実際には一体的に構成されて相
互間の体積が可能な限り小さくなるようになっている。
ＭＦＣ１０、及び第２のエアバルブ９Ａは、図２では別
々に接続されているが、実際には一体的に構成されて相
互間の体積が可能な限り小さくなるようになっている。
【００３０】第１のＭＦＭ１２は、図示しない金属製毛
細管の外周面に巻回された２個の自己発熱抵抗体間に、
シランガスの質量流量に応じて発生する温度差を電流値
として検出する機能を営み、圧力損失が少なく、しか
も、高精度であるという特徴を有している。
細管の外周面に巻回された２個の自己発熱抵抗体間に、
シランガスの質量流量に応じて発生する温度差を電流値
として検出する機能を営み、圧力損失が少なく、しか
も、高精度であるという特徴を有している。
【００３１】また、この第１のＭＦＭ１２は、第１のＭ
ＦＣ１０の検出値との間に不一致が生じた場合には、第
１のＭＦＣ１０の異常を検出し、混合ガスの供給源を切
り替える機能を有している（図１参照）。この点につい
ては後述する。
ＦＣ１０の検出値との間に不一致が生じた場合には、第
１のＭＦＣ１０の異常を検出し、混合ガスの供給源を切
り替える機能を有している（図１参照）。この点につい
ては後述する。
【００３２】然して、第１のＭＦＭ１２の下流における
シランガス供給ライン５には、第１のＭＦＭ１２のキャ
リブレーションを行う第２の分流弁１１Ａが接続される
とともに、この第２の分流弁１１Ａを通過したシランガ
スの流通を調整する第２の止め弁６Ａが接続され、この
第２の止め弁６Ａを通過したシランガスが矢印で示すよ
うにミキシングチャンバー（混合手段）１３に流入する
ようになっている。
シランガス供給ライン５には、第１のＭＦＭ１２のキャ
リブレーションを行う第２の分流弁１１Ａが接続される
とともに、この第２の分流弁１１Ａを通過したシランガ
スの流通を調整する第２の止め弁６Ａが接続され、この
第２の止め弁６Ａを通過したシランガスが矢印で示すよ
うにミキシングチャンバー（混合手段）１３に流入する
ようになっている。
【００３３】一方、第１の止め弁６の下流におけるシラ
ンガス供給ライン５には、パージ用窒素ガス（図２では
ＰｕｒｇｅＮ2 で示す）を供給するパージガス供給ライ
ン１４の下流部が接続されている。
ンガス供給ライン５には、パージ用窒素ガス（図２では
ＰｕｒｇｅＮ2 で示す）を供給するパージガス供給ライ
ン１４の下流部が接続されている。
【００３４】このパージガス供給ライン１４には、パー
ジ用窒素ガスの供給ラインへのシランガスの逆流を防止
する逆止め弁１５が接続され、且つ、この逆止め弁１５
を通過したパージ用窒素ガスの流通を調整する第３の止
め弁６Ｂが接続されている。
ジ用窒素ガスの供給ラインへのシランガスの逆流を防止
する逆止め弁１５が接続され、且つ、この逆止め弁１５
を通過したパージ用窒素ガスの流通を調整する第３の止
め弁６Ｂが接続されている。
【００３５】また、パージガス供給ライン１４の接続に
伴い、第１のＭＦＣ１０の近傍におけるシランガス供給
ライン５には、第１のフィルター８を通過したパージ用
窒素ガスを第１の分流弁１１の上流に導く第１のバイパ
スライン１６が迂回して接続されている。
伴い、第１のＭＦＣ１０の近傍におけるシランガス供給
ライン５には、第１のフィルター８を通過したパージ用
窒素ガスを第１の分流弁１１の上流に導く第１のバイパ
スライン１６が迂回して接続されている。
【００３６】然して、パージ用窒素ガスは、パージガス
供給ライン１４からシランガス供給ライン５に流入し、
シランガス供給ライン５の内部に残留したシランガスを
外部に追い出して爆発を防止する等のパージ作用を営
む。
供給ライン１４からシランガス供給ライン５に流入し、
シランガス供給ライン５の内部に残留したシランガスを
外部に追い出して爆発を防止する等のパージ作用を営
む。
【００３７】他方、高純度の上記窒素ガス（Ｎ2 ガス）
は、図１に示す如く、貯槽１７に貯留された液体窒素が
気化装置（気化手段）１８で気化されるに伴い製造さ
れ、この気化装置１８から独立した窒素ガス供給ライン
（ガス導送手段）１９を経由して混合器１００の内部に
供給されるようになっている。
は、図１に示す如く、貯槽１７に貯留された液体窒素が
気化装置（気化手段）１８で気化されるに伴い製造さ
れ、この気化装置１８から独立した窒素ガス供給ライン
（ガス導送手段）１９を経由して混合器１００の内部に
供給されるようになっている。
【００３８】尚、本実施例では、貯槽１７に貯留された
液体窒素を気化装置１８に気化させて高純度の上記窒素
ガスを製造するものを専ら用いて説明するが、これに限
定されるものでは無く、図１に示す如く、複数のボンベ
２５の高圧の不活性ガス（例えばＮ２、Ａｒ、Ｈｅガ
ス）を減圧装置２６で減圧して製造するようにしても良
い。
液体窒素を気化装置１８に気化させて高純度の上記窒素
ガスを製造するものを専ら用いて説明するが、これに限
定されるものでは無く、図１に示す如く、複数のボンベ
２５の高圧の不活性ガス（例えばＮ２、Ａｒ、Ｈｅガ
ス）を減圧装置２６で減圧して製造するようにしても良
い。
【００３９】混合器１００の内部における窒素ガス供給
ライン１９は、図２に示す如く、シランガス供給ライン
５に並列状態で配管され、その上流部には、窒素ガスの
流通を調整する第４の止め弁６Ｃが接続されるととも
に、窒素ガスの圧力を監視する第２のＰＩＡ７Ａが接続
されており、この第２のＰＩＡ７Ａが異常値を検出する
と、装置全体が停止するようになっている。
ライン１９は、図２に示す如く、シランガス供給ライン
５に並列状態で配管され、その上流部には、窒素ガスの
流通を調整する第４の止め弁６Ｃが接続されるととも
に、窒素ガスの圧力を監視する第２のＰＩＡ７Ａが接続
されており、この第２のＰＩＡ７Ａが異常値を検出する
と、装置全体が停止するようになっている。
【００４０】第２のＰＩＡ７Ａの下流における窒素ガス
供給ライン１９には、濾過作用を営む第２のフィルター
８Ａが接続されるとともに、濾過された窒素ガスの流通
をエアシリンダの駆動に基づき調整する第３のエアバル
ブ９Ｂが接続され、且つ、第２のＭＦＣ１０Ａが接続さ
れている。
供給ライン１９には、濾過作用を営む第２のフィルター
８Ａが接続されるとともに、濾過された窒素ガスの流通
をエアシリンダの駆動に基づき調整する第３のエアバル
ブ９Ｂが接続され、且つ、第２のＭＦＣ１０Ａが接続さ
れている。
【００４１】この第２のＭＦＣ１０Ａも、図示しない熱
式質量流量センサ、コントロールバルブ、及び電気回路
の組み合わせから構成され、第３のエアバルブ９Ｂを通
過した窒素ガスを自動的に下流に供給する機能を有して
いる。
式質量流量センサ、コントロールバルブ、及び電気回路
の組み合わせから構成され、第３のエアバルブ９Ｂを通
過した窒素ガスを自動的に下流に供給する機能を有して
いる。
【００４２】尚、第２のＭＦＣ１０Ａの近傍における窒
素ガス供給ライン１９には、第２のフィルター８Ａを通
過した窒素ガスを後述する第３の分流弁１１Ｂの上流に
導く第２のバイパスライン１６Ａが迂回して接続されて
いる。この第２のバイパスライン１６Ａは、シランガス
のパージや逆流防止等の観点から接続されている。
素ガス供給ライン１９には、第２のフィルター８Ａを通
過した窒素ガスを後述する第３の分流弁１１Ｂの上流に
導く第２のバイパスライン１６Ａが迂回して接続されて
いる。この第２のバイパスライン１６Ａは、シランガス
のパージや逆流防止等の観点から接続されている。
【００４３】第２のＭＦＣ１０Ａの下流における窒素ガ
ス供給ライン１９には、第２のＭＦＣ１０Ａを通過した
窒素ガスをエアシリンダの駆動に基づき調整する第４の
エアバルブ９Ｃが接続されるとともに、第２のＭＦＣ１
０Ａのキャリブレーションを行う第３の分流弁１１Ｂが
接続され、且つ、流量計である第２のＭＦＭ１２Ａが接
続されている。
ス供給ライン１９には、第２のＭＦＣ１０Ａを通過した
窒素ガスをエアシリンダの駆動に基づき調整する第４の
エアバルブ９Ｃが接続されるとともに、第２のＭＦＣ１
０Ａのキャリブレーションを行う第３の分流弁１１Ｂが
接続され、且つ、流量計である第２のＭＦＭ１２Ａが接
続されている。
【００４４】尚、第４のエアバルブ９Ｃは、第１のエア
バルブ９、第２のエアバルブ９Ａ、及び第３のエアバル
ブ９Ｂと同様に、第１のＭＦＣ１０や第２のＭＦＣ１０
Ａからシランガス、又は、窒素ガスが漏洩するのを確実
に遮断する観点から接続されている。
バルブ９、第２のエアバルブ９Ａ、及び第３のエアバル
ブ９Ｂと同様に、第１のＭＦＣ１０や第２のＭＦＣ１０
Ａからシランガス、又は、窒素ガスが漏洩するのを確実
に遮断する観点から接続されている。
【００４５】また、上述した第３のエアバルブ９Ｂ、第
２のＭＦＣ１０Ａ、及び第４のエアバルブ９Ｃも、図２
では別々に接続されているが、実際には一体的に構成さ
れて相互間の体積が可能な限り小さくなるようになって
いる。
２のＭＦＣ１０Ａ、及び第４のエアバルブ９Ｃも、図２
では別々に接続されているが、実際には一体的に構成さ
れて相互間の体積が可能な限り小さくなるようになって
いる。
【００４６】第２のＭＦＭ１２Ａも、図示しない金属製
毛細管の外周面に巻回された２個の自己発熱抵抗体間
に、窒素ガスの質量流量に応じて発生する温度差を電流
値として検出する機能を営み、圧力損失が少なく、しか
も、高精度であるという特徴を有している。
毛細管の外周面に巻回された２個の自己発熱抵抗体間
に、窒素ガスの質量流量に応じて発生する温度差を電流
値として検出する機能を営み、圧力損失が少なく、しか
も、高精度であるという特徴を有している。
【００４７】また、この第２のＭＦＭ１２Ａは、第２の
ＭＦＣ１０Ａの検出値との間に不一致が生じた場合に
は、第２のＭＦＣ１０Ａの異常を検出し、混合ガスの供
給源を切り替える機能を有している（図１参照）。この
点についても後述する。
ＭＦＣ１０Ａの検出値との間に不一致が生じた場合に
は、第２のＭＦＣ１０Ａの異常を検出し、混合ガスの供
給源を切り替える機能を有している（図１参照）。この
点についても後述する。
【００４８】然して、第２のＭＦＭ１２Ａの下流におけ
る窒素ガス供給ライン１９には、第２のＭＦＭ１２Ａの
キャリブレーションを行う第４の分流弁１１Ｃが接続さ
れるとともに、この第４の分流弁１１Ｃを通過した窒素
ガスの流通を調整する第５の止め弁６Ｄが接続され、こ
の第５の止め弁６Ｄを通過した窒素ガスが矢印で示すよ
うにミキシングチャンバー１３に流入するようになって
いる。
る窒素ガス供給ライン１９には、第２のＭＦＭ１２Ａの
キャリブレーションを行う第４の分流弁１１Ｃが接続さ
れるとともに、この第４の分流弁１１Ｃを通過した窒素
ガスの流通を調整する第５の止め弁６Ｄが接続され、こ
の第５の止め弁６Ｄを通過した窒素ガスが矢印で示すよ
うにミキシングチャンバー１３に流入するようになって
いる。
【００４９】尚、この第４の分流弁１１Ｃは、第１の分
流弁１１、第２の分流弁１１Ａ、及び第３の分流弁１１
Ｂと同様に、第１のＭＦＣ１０、第２のＭＦＣ１０Ａ、
第１のＭＦＭ１２、及び第２のＭＦＭ１２Ａを長期に亘
り安定した状態で作動させる観点から、パージ作業時や
メンテナンス作業時に使用できるよう接続されている。
流弁１１、第２の分流弁１１Ａ、及び第３の分流弁１１
Ｂと同様に、第１のＭＦＣ１０、第２のＭＦＣ１０Ａ、
第１のＭＦＭ１２、及び第２のＭＦＭ１２Ａを長期に亘
り安定した状態で作動させる観点から、パージ作業時や
メンテナンス作業時に使用できるよう接続されている。
【００５０】また、ミキシングチャンバー１３は、周知
のスタテックミキサ（図示せず）を内蔵し、乱流を発生
させた状態で、流入してきたシランガスと窒素ガスとを
所定の混合比で混合し、半導体の製造に必要な混合ガス
を製造する機能を有している。
のスタテックミキサ（図示せず）を内蔵し、乱流を発生
させた状態で、流入してきたシランガスと窒素ガスとを
所定の混合比で混合し、半導体の製造に必要な混合ガス
を製造する機能を有している。
【００５１】然して、製造された混合ガスは、ミキシン
グチャンバー１３から供給ライン２０を経由して下流の
バッファタンク（緩衝手段）２１に断続的に供給され
る。
グチャンバー１３から供給ライン２０を経由して下流の
バッファタンク（緩衝手段）２１に断続的に供給され
る。
【００５２】供給ライン２０には、バッファタンク２１
内の圧力をモニタリングする第３のＰＩＡ７Ｂが接続さ
れ、この第３のＰＩＡ７Ｂの検出値に基づいて第１のＭ
ＦＣ１０や第２のＭＦＣ１０Ａ等が開閉動作するように
なっている。
内の圧力をモニタリングする第３のＰＩＡ７Ｂが接続さ
れ、この第３のＰＩＡ７Ｂの検出値に基づいて第１のＭ
ＦＣ１０や第２のＭＦＣ１０Ａ等が開閉動作するように
なっている。
【００５３】即ち、さまざまな流量に対応すべく、第３
のＰＩＡ７Ｂが２．５ｋｇ／ｃｍ2Ｇの圧力値を検出す
ると、第１のエアバルブ９、第１のＭＦＣ１０、第２の
エアバルブ９Ａ、第３のエアバルブ９Ｂ、第２のＭＦＣ
１０Ａ、及び第４のエアバルブ９Ｃが自動的に閉塞動作
して、シランガスと窒素ガスとの供給が停止する。
のＰＩＡ７Ｂが２．５ｋｇ／ｃｍ2Ｇの圧力値を検出す
ると、第１のエアバルブ９、第１のＭＦＣ１０、第２の
エアバルブ９Ａ、第３のエアバルブ９Ｂ、第２のＭＦＣ
１０Ａ、及び第４のエアバルブ９Ｃが自動的に閉塞動作
して、シランガスと窒素ガスとの供給が停止する。
【００５４】これに対し、混合ガスの使用に伴って第３
のＰＩＡ７Ｂが１．８ｋｇ／ｃｍ2Ｇの減圧値を検出す
ると、閉塞していた第１のエアバルブ９、第１のＭＦＣ
１０、第２のエアバルブ９Ａ、第３のエアバルブ９Ｂ、
第２のＭＦＣ１０Ａ、及び第４のエアバルブ９Ｃが自動
的に開放動作し、シランガスと窒素ガスとの供給が再開
されて混合ガスが製造されることとなる。
のＰＩＡ７Ｂが１．８ｋｇ／ｃｍ2Ｇの減圧値を検出す
ると、閉塞していた第１のエアバルブ９、第１のＭＦＣ
１０、第２のエアバルブ９Ａ、第３のエアバルブ９Ｂ、
第２のＭＦＣ１０Ａ、及び第４のエアバルブ９Ｃが自動
的に開放動作し、シランガスと窒素ガスとの供給が再開
されて混合ガスが製造されることとなる。
【００５５】また、バッファタンク２１は、内面が研磨
された空洞のタンクから構成され、所定の圧力範囲に限
定された状態で供給されてくる混合ガスの圧力エネルギ
ーを抑制・緩和するとともに、内部に貯えた混合ガスを
矢印方向に位置する複数の半導体製造装置（半導体製造
手段）４、又は、真空ポンプ（図示せず）のいずれかに
供給する機能を有している。
された空洞のタンクから構成され、所定の圧力範囲に限
定された状態で供給されてくる混合ガスの圧力エネルギ
ーを抑制・緩和するとともに、内部に貯えた混合ガスを
矢印方向に位置する複数の半導体製造装置（半導体製造
手段）４、又は、真空ポンプ（図示せず）のいずれかに
供給する機能を有している。
【００５６】バッファタンク２１と複数の半導体製造装
置（図１ではＭで示す）４とを接続する混合ガス供給ラ
イン１には、混合ガスの流通をエアシリンダの駆動に基
づき調整する第５のエアバルブ９Ｄが接続されるととも
に、この第５のエアバルブ９Ｄを通過してきた混合ガス
を濾過する第３のフィルター８Ｂが接続されている。
置（図１ではＭで示す）４とを接続する混合ガス供給ラ
イン１には、混合ガスの流通をエアシリンダの駆動に基
づき調整する第５のエアバルブ９Ｄが接続されるととも
に、この第５のエアバルブ９Ｄを通過してきた混合ガス
を濾過する第３のフィルター８Ｂが接続されている。
【００５７】また、混合ガス供給ライン１には、図１に
示す如く、バックアップライン２２が接続され、このバ
ックアップライン２２には、バックアップ用の混合ガス
を充填したシリンダ（図示せず）が接続されており、こ
のシリンダがシリンダキャビネット３Ａに貯蔵されてい
る。
示す如く、バックアップライン２２が接続され、このバ
ックアップライン２２には、バックアップ用の混合ガス
を充填したシリンダ（図示せず）が接続されており、こ
のシリンダがシリンダキャビネット３Ａに貯蔵されてい
る。
【００５８】バックアップ用の混合ガスは、ミキシング
チャンバー１３で製造される混合ガスと同じ濃度を有
し、上述した第１のＭＦＭ１２、又は、第２のＭＦＭ１
２Ａが、第１のＭＦＣ１０、又は、第２のＭＦＣ１０Ａ
の異常を検出した際に、シリンダからバックアップライ
ン２２及び混合ガス供給ライン１を順次経由して複数の
半導体製造装置４にそれぞれ個別に供給されるようにな
っている。
チャンバー１３で製造される混合ガスと同じ濃度を有
し、上述した第１のＭＦＭ１２、又は、第２のＭＦＭ１
２Ａが、第１のＭＦＣ１０、又は、第２のＭＦＣ１０Ａ
の異常を検出した際に、シリンダからバックアップライ
ン２２及び混合ガス供給ライン１を順次経由して複数の
半導体製造装置４にそれぞれ個別に供給されるようにな
っている。
【００５９】そして、バッファタンク２１と真空ポンプ
とを接続する分流ライン２３には、混合ガスの流通を調
整する第６の止め弁６Ｅが接続されている。尚、真空ポ
ンプは、パージ作業やメンテナンス作業の際に使用され
る。
とを接続する分流ライン２３には、混合ガスの流通を調
整する第６の止め弁６Ｅが接続されている。尚、真空ポ
ンプは、パージ作業やメンテナンス作業の際に使用され
る。
【００６０】従って、複数の半導体製造装置４に混合ガ
スを供給するには、シランガスをシランガス供給ライン
５に、窒素ガスを窒素ガス供給ライン１９に、それぞれ
供給すれば良い。
スを供給するには、シランガスをシランガス供給ライン
５に、窒素ガスを窒素ガス供給ライン１９に、それぞれ
供給すれば良い。
【００６１】すると、純度１００％のシランガスは、シ
リンダ２からシランガス供給ライン５を経由して混合器
１００のミキシングチャンバー１３に流入するが、その
流動の際、流量が第１のＭＦＣ１０で自動的に調節・制
御される。
リンダ２からシランガス供給ライン５を経由して混合器
１００のミキシングチャンバー１３に流入するが、その
流動の際、流量が第１のＭＦＣ１０で自動的に調節・制
御される。
【００６２】また、シランガスの供給と同様に、高純度
の窒素ガスは、貯槽１７に貯留された液体窒素が気化装
置１８で気化されるに伴い製造され、この気化装置１８
から窒素ガス供給ライン１９を経由して混合器１００の
ミキシングチャンバー１３に流入する。
の窒素ガスは、貯槽１７に貯留された液体窒素が気化装
置１８で気化されるに伴い製造され、この気化装置１８
から窒素ガス供給ライン１９を経由して混合器１００の
ミキシングチャンバー１３に流入する。
【００６３】このように、稀釈用ガスである窒素ガス
は、半導体工場に既に存在する窒素源からではなく、独
立した貯槽１７から供給されるので、汚染の虞れが全く
なく、しかも、事故の発生の防止を通じて安全性の向上
が期待できる。尚、窒素ガスも流動の際、混合比を維持
できるよう第２のＭＦＣ１０Ａでその流量が自動的に調
節・制御される。
は、半導体工場に既に存在する窒素源からではなく、独
立した貯槽１７から供給されるので、汚染の虞れが全く
なく、しかも、事故の発生の防止を通じて安全性の向上
が期待できる。尚、窒素ガスも流動の際、混合比を維持
できるよう第２のＭＦＣ１０Ａでその流量が自動的に調
節・制御される。
【００６４】こうして、シランガスと窒素ガスとがそれ
ぞれ流入すると、ミキシングチャンバー１３がシランガ
スと窒素ガスとを所定の混合比で混合して半導体の製造
に必要な混合ガス（例えば濃度５％の混合ガス）を製造
し、この混合ガスが供給ライン２０を経由してバッファ
タンク２１に一時貯留される。
ぞれ流入すると、ミキシングチャンバー１３がシランガ
スと窒素ガスとを所定の混合比で混合して半導体の製造
に必要な混合ガス（例えば濃度５％の混合ガス）を製造
し、この混合ガスが供給ライン２０を経由してバッファ
タンク２１に一時貯留される。
【００６５】然して、バッファタンク２１は、供給され
てくる混合ガスの圧力エネルギーを抑制・緩和し、内部
に一時貯えた混合ガスを複数の半導体製造装置４にそれ
ぞれ個別に供給し、複数の半導体製造装置４が図示しな
い半導体を製造する。
てくる混合ガスの圧力エネルギーを抑制・緩和し、内部
に一時貯えた混合ガスを複数の半導体製造装置４にそれ
ぞれ個別に供給し、複数の半導体製造装置４が図示しな
い半導体を製造する。
【００６６】この混合ガスの供給の際、第３のＰＩＡ７
Ｂが２．５ｋｇ／ｃｍ2 Ｇのバッファタンク２１の昇圧
値を検出すると、第１のエアバルブ９、第１のＭＦＣ１
０、第２のエアバルブ９Ａ、第３のエアバルブ９Ｂ、第
２のＭＦＣ１０Ａ、及び第４のエアバルブ９Ｃが自動的
に閉塞動作し、シランガスと窒素ガスとの供給が停止し
て、これらシランガスと窒素ガスの流量や濃度が調整さ
れる。
Ｂが２．５ｋｇ／ｃｍ2 Ｇのバッファタンク２１の昇圧
値を検出すると、第１のエアバルブ９、第１のＭＦＣ１
０、第２のエアバルブ９Ａ、第３のエアバルブ９Ｂ、第
２のＭＦＣ１０Ａ、及び第４のエアバルブ９Ｃが自動的
に閉塞動作し、シランガスと窒素ガスとの供給が停止し
て、これらシランガスと窒素ガスの流量や濃度が調整さ
れる。
【００６７】そして、混合ガスの使用に伴って第３のＰ
ＩＡ７Ｂが１．８ｋｇ／ｃｍ2 Ｇのバッファタンク２１
の減圧値を検出すると、閉塞していた第１のエアバルブ
９、第１のＭＦＣ１０、第２のエアバルブ９Ａ、第３の
エアバルブ９Ｂ、第２のＭＦＣ１０Ａ、及び第４のエア
バルブ９Ｃが自動的に開放動作し、シランガスと窒素ガ
スとの供給が再開されて混合ガスが再度製造されること
となる。以下、上記動作が繰り返される。
ＩＡ７Ｂが１．８ｋｇ／ｃｍ2 Ｇのバッファタンク２１
の減圧値を検出すると、閉塞していた第１のエアバルブ
９、第１のＭＦＣ１０、第２のエアバルブ９Ａ、第３の
エアバルブ９Ｂ、第２のＭＦＣ１０Ａ、及び第４のエア
バルブ９Ｃが自動的に開放動作し、シランガスと窒素ガ
スとの供給が再開されて混合ガスが再度製造されること
となる。以下、上記動作が繰り返される。
【００６８】上記構成によれば、ミキシングチャンバー
１３がシランガスと窒素ガスとを所定の混合比で混合し
て混合ガスを製造するので、図１と図５とを対比すれば
明白なように、半導体製造装置４の数に対応させて極め
て高価なシリンダキャビネット３を設置する必要がな
い。従って、混合ガス供給ライン１やシリンダキャビネ
ット３の減少を通じて設備投資の抑制を図ることができ
る。
１３がシランガスと窒素ガスとを所定の混合比で混合し
て混合ガスを製造するので、図１と図５とを対比すれば
明白なように、半導体製造装置４の数に対応させて極め
て高価なシリンダキャビネット３を設置する必要がな
い。従って、混合ガス供給ライン１やシリンダキャビネ
ット３の減少を通じて設備投資の抑制を図ることができ
る。
【００６９】また、ガス供給業者の半導体用ガス充填工
場でシリンダ２にシランガスと窒素ガスとを順次充填す
る必要がないので、複雑な充填作業の簡素化が可能とな
る。また、シリンダ２に使用したいシランガスを１００
％の純度・体積で充填できるので、従来例に比べシリン
ダ２の交換頻度を減少させることができる。
場でシリンダ２にシランガスと窒素ガスとを順次充填す
る必要がないので、複雑な充填作業の簡素化が可能とな
る。また、シリンダ２に使用したいシランガスを１００
％の純度・体積で充填できるので、従来例に比べシリン
ダ２の交換頻度を減少させることができる。
【００７０】また、ガス供給業者の半導体用ガス充填工
場内で該充填作業が行われるのではなく、ミキシングチ
ャンバー１３の内部で混合ガスが直接製造されるので、
シリンダ２やガスの汚染の虞れを排除でき、しかも、混
合ガスの高純度の維持が期待できる。
場内で該充填作業が行われるのではなく、ミキシングチ
ャンバー１３の内部で混合ガスが直接製造されるので、
シリンダ２やガスの汚染の虞れを排除でき、しかも、混
合ガスの高純度の維持が期待できる。
【００７１】そして、第３のＰＩＡ７Ｂが検出するバッ
ファタンク２１の圧力値に基づいて、シランガスと窒素
ガスとの供給が停止、又は、再開するので、換言すれ
ば、バッファタンク２１がシランガスと窒素ガスの流量
を実質的に制御するので、流量の変動に伴う混合比の変
化を防止でき、半導体製造装置４の稼働台数の如何に拘
りなく、安定した混合ガスの濃度を維持することが可能
となる。
ファタンク２１の圧力値に基づいて、シランガスと窒素
ガスとの供給が停止、又は、再開するので、換言すれ
ば、バッファタンク２１がシランガスと窒素ガスの流量
を実質的に制御するので、流量の変動に伴う混合比の変
化を防止でき、半導体製造装置４の稼働台数の如何に拘
りなく、安定した混合ガスの濃度を維持することが可能
となる。
【００７２】さらに、第１のＭＦＭ１２、又は、第２の
ＭＦＭ１２Ａが、第１のＭＦＣ１０、又は、第２のＭＦ
Ｃ１０Ａの異常を検出すると、別言すれば、混合濃度の
異常を検出すると、バックアップ用の混合ガスがシリン
ダからバックアップライン２２及び混合ガス供給ライン
１を経由して複数の半導体製造装置４にそれぞれ個別に
供給されるので、第１のＭＦＣ１０や第２のＭＦＣ１０
Ａが故障等しても、安定した混合ガスの濃度維持が常時
期待できる。
ＭＦＭ１２Ａが、第１のＭＦＣ１０、又は、第２のＭＦ
Ｃ１０Ａの異常を検出すると、別言すれば、混合濃度の
異常を検出すると、バックアップ用の混合ガスがシリン
ダからバックアップライン２２及び混合ガス供給ライン
１を経由して複数の半導体製造装置４にそれぞれ個別に
供給されるので、第１のＭＦＣ１０や第２のＭＦＣ１０
Ａが故障等しても、安定した混合ガスの濃度維持が常時
期待できる。
【００７３】さらにまた、窒素ガスが上記した如く、半
導体工場に既に存在する窒素源からではなく、独立した
貯槽１７、換言すれば、独立した供給系から混合器１０
０に別の形で供給されるので、汚染の虞れが全くなく、
しかも、事故の発生の防止を通じて安全性の向上を図る
ことができるのは明白である。
導体工場に既に存在する窒素源からではなく、独立した
貯槽１７、換言すれば、独立した供給系から混合器１０
０に別の形で供給されるので、汚染の虞れが全くなく、
しかも、事故の発生の防止を通じて安全性の向上を図る
ことができるのは明白である。
【００７４】尚、上記実施例ではシランガスと窒素ガス
とを使用するものを示したが、半導体の製造に必要なガ
スであれば、ホスフィン等のガスを代わりに使用するよ
うにしても良い。
とを使用するものを示したが、半導体の製造に必要なガ
スであれば、ホスフィン等のガスを代わりに使用するよ
うにしても良い。
【００７５】また、上記実施例では稀釈用ガスとして窒
素ガスを使用するものを示したが、ＡｒやＨｅ等のガス
を稀釈用ガスとして代わりに使用するようにしても良い
のは言うまでもない。
素ガスを使用するものを示したが、ＡｒやＨｅ等のガス
を稀釈用ガスとして代わりに使用するようにしても良い
のは言うまでもない。
【００７６】また、上記実施例では窒素ガス供給ライン
１９とシランガス供給ライン５の２本の管路を使用する
ものを示したが、使用するガスの増加に伴い管路を増加
するようにしても上記実施例と同様の作用効果を奏す
る。
１９とシランガス供給ライン５の２本の管路を使用する
ものを示したが、使用するガスの増加に伴い管路を増加
するようにしても上記実施例と同様の作用効果を奏す
る。
【００７７】また、上記実施例ではスタテックミキサを
内蔵したミキシングチャンバー１３を使用するものを示
したが、ミキシングチャンバー１３の内部のパイプをコ
イル状に巻装したり、該パイプを非常に径の細い複数の
パイプに細分化しても良い。さらに、混合精度に代わり
が無ければ、スタテックミキサを省略した構造にするよ
うにしても、上記実施例と同様の作用効果が期待でき
る。
内蔵したミキシングチャンバー１３を使用するものを示
したが、ミキシングチャンバー１３の内部のパイプをコ
イル状に巻装したり、該パイプを非常に径の細い複数の
パイプに細分化しても良い。さらに、混合精度に代わり
が無ければ、スタテックミキサを省略した構造にするよ
うにしても、上記実施例と同様の作用効果が期待でき
る。
【００７８】また、上記実施例では２．５ｋｇ／ｃｍ2
Ｇや、１．８ｋｇ／ｃｍ2 Ｇという検出数値に基づい
て、第１のエアバルブ９、第１のＭＦＣ１０、第２のエ
アバルブ９Ａ、第３のエアバルブ９Ｂ、第２のＭＦＣ１
０Ａ、及び第４のエアバルブ９Ｃが自動的に開閉動作す
るものを示したが、該検出数値に何等限定されるもので
はない。
Ｇや、１．８ｋｇ／ｃｍ2 Ｇという検出数値に基づい
て、第１のエアバルブ９、第１のＭＦＣ１０、第２のエ
アバルブ９Ａ、第３のエアバルブ９Ｂ、第２のＭＦＣ１
０Ａ、及び第４のエアバルブ９Ｃが自動的に開閉動作す
るものを示したが、該検出数値に何等限定されるもので
はない。
【００７９】そして、本発明に係る混合ガス供給装置
は、半導体の製造分野に必ずしも限定されるものではな
く、溶接の分野やガラスコーティングの分野等の高精度
の混合ガスを必要とする分野に転用しても良いのは言う
までもない。
は、半導体の製造分野に必ずしも限定されるものではな
く、溶接の分野やガラスコーティングの分野等の高精度
の混合ガスを必要とする分野に転用しても良いのは言う
までもない。
【００８０】そしてまた、上記実施例では第１のＭＦＭ
１２、又は、第２のＭＦＭ１２Ａの異常の検出に基づい
て、バックアップ用の混合ガスが複数の半導体製造装置
４にそれぞれ個別に供給されるものを示したが、図３に
示す如く、上記実施例の混合ガス供給装置に、ほぼ同構
造の供給装置２００を予備に並設し、この予備の供給装
置２００からバックアップ用の混合ガスを供給するよう
にしても上記実施例と同様の作用効果を奏する。
１２、又は、第２のＭＦＭ１２Ａの異常の検出に基づい
て、バックアップ用の混合ガスが複数の半導体製造装置
４にそれぞれ個別に供給されるものを示したが、図３に
示す如く、上記実施例の混合ガス供給装置に、ほぼ同構
造の供給装置２００を予備に並設し、この予備の供給装
置２００からバックアップ用の混合ガスを供給するよう
にしても上記実施例と同様の作用効果を奏する。
【００８１】さらに、同図に示す如く、第１のＭＦＭ１
２や第２のＭＦＭ１２Ａと同様の機能を営む複数のアナ
ライザー２４を併せて設置するようにしても、上記実施
例と同様の作用効果が期待し得られ、安全性の向上や混
合ガスの濃度維持が一層期待できるのは明白である。
２や第２のＭＦＭ１２Ａと同様の機能を営む複数のアナ
ライザー２４を併せて設置するようにしても、上記実施
例と同様の作用効果が期待し得られ、安全性の向上や混
合ガスの濃度維持が一層期待できるのは明白である。
【００８２】さらにまた、図４に示す如く、上記実施例
の混合ガス供給装置に、ほぼ同構造の供給装置３００を
多段式に併設し、稀釈作業を２段階、又は、それ以上の
多段階に分けて実施するようにしても、上記実施例と同
様の作用効果が期待でき、混合ガスの濃度維持がより一
層期待できるのは明白である。この装置によれば、より
低濃度の希釈ガス製造が可能となる。
の混合ガス供給装置に、ほぼ同構造の供給装置３００を
多段式に併設し、稀釈作業を２段階、又は、それ以上の
多段階に分けて実施するようにしても、上記実施例と同
様の作用効果が期待でき、混合ガスの濃度維持がより一
層期待できるのは明白である。この装置によれば、より
低濃度の希釈ガス製造が可能となる。
【００８３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、シリンダ
キャビネットの減少を通じて設備投資の大幅な抑制を図
ることができるという顕著な効果がある。また、複雑な
充填作業を著しく簡素にでき、しかも、シリンダの交換
頻度を大幅に減少させることができるという格別の効果
がある。
キャビネットの減少を通じて設備投資の大幅な抑制を図
ることができるという顕著な効果がある。また、複雑な
充填作業を著しく簡素にでき、しかも、シリンダの交換
頻度を大幅に減少させることができるという格別の効果
がある。
【００８４】また、シリンダやガスの汚染の虞れを極め
て容易に排除でき、しかも、混合ガスの高純度の維持が
常時期待できるという優れた効果がある。
て容易に排除でき、しかも、混合ガスの高純度の維持が
常時期待できるという優れた効果がある。
【００８５】そして、従来の装置とは異なり、緩衝手段
が複数のガスの流量を制御するので、流量の変化に拘り
なく極めて安定した混合ガスの濃度を容易に維持するこ
とが可能になるという顕著な効果が期待できる。
が複数のガスの流量を制御するので、流量の変化に拘り
なく極めて安定した混合ガスの濃度を容易に維持するこ
とが可能になるという顕著な効果が期待できる。
【００８６】さらに、混合濃度の異常を検出すると、別
の混合ガスが複数の半導体製造手段にそれぞれ個別に供
給されるので、流量制御手段が故障等しても、安定した
混合ガスの濃度維持が常時期待できるという格別の効果
がある。
の混合ガスが複数の半導体製造手段にそれぞれ個別に供
給されるので、流量制御手段が故障等しても、安定した
混合ガスの濃度維持が常時期待できるという格別の効果
がある。
【００８７】さらにまた、窒素ガスが既存の窒素源から
ではなく、独立した供給系から混合手段に供給されるの
で、汚染の虞れが全くなく、しかも、事故の発生の防止
を通じて安全性の著しい向上をも図ることができるとい
う優れた効果がある。
ではなく、独立した供給系から混合手段に供給されるの
で、汚染の虞れが全くなく、しかも、事故の発生の防止
を通じて安全性の著しい向上をも図ることができるとい
う優れた効果がある。
【図１】本発明に係る混合ガス供給装置の一実施例を示
す全体図である。
す全体図である。
【図２】本発明に係る混合ガス供給装置の混合器の内部
構造を示す説明図である。
構造を示す説明図である。
【図３】本発明に係る混合ガス供給装置の他の実施例を
示す図２相当図である。
示す図２相当図である。
【図４】本発明に係る混合ガス供給装置の他の実施例を
示す図２相当図である。
示す図２相当図である。
【図５】従来の混合ガス供給装置を示す全体図である。
２…シリンダ、３・３Ａ…シリンダキャビネット、４…
半導体製造装置（消費手段、半導体製造手段）、５…シ
ランガス供給ライン（ガス導送手段）、７・７Ａ・７Ｂ
…圧力センサ（ＰＩＡ）、９・９Ａ・９Ｂ・９Ｃ・９Ｄ
…エアバルブ、１０・１０Ａ…ＭＦＣ（流量制御手
段）、１２・１２Ａ…ＭＦＭ（流量計）、１３…ミキシ
ングチャンバー（混合手段）、１７…貯槽、１８…気化
装置（気化手段）、１９…窒素ガス供給ライン（ガス導
送手段）、２１…バッファタンク（緩衝手段）、２２…
バックアップライン、２５…ボンベ、２６…減圧装置、
１００…混合器、２００…予備の供給装置。
半導体製造装置（消費手段、半導体製造手段）、５…シ
ランガス供給ライン（ガス導送手段）、７・７Ａ・７Ｂ
…圧力センサ（ＰＩＡ）、９・９Ａ・９Ｂ・９Ｃ・９Ｄ
…エアバルブ、１０・１０Ａ…ＭＦＣ（流量制御手
段）、１２・１２Ａ…ＭＦＭ（流量計）、１３…ミキシ
ングチャンバー（混合手段）、１７…貯槽、１８…気化
装置（気化手段）、１９…窒素ガス供給ライン（ガス導
送手段）、２１…バッファタンク（緩衝手段）、２２…
バックアップライン、２５…ボンベ、２６…減圧装置、
１００…混合器、２００…予備の供給装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋爪 吉則 茨城県つくば市東光台５−９−９ 筑波 研究コンソーシアム 第１サテライト棟 203号室 (72)発明者 木村 孝子 茨城県つくば市東光台５丁目９番地の９ (56)参考文献 特開 昭61−8127（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−5222（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−115276（ＪＰ，Ａ) 特公 昭61−36453（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01F 3/02,15/04
Claims (4)
- 【請求項１】 ガスをそれぞれ個別に導送する複数のガ
ス導送手段と、前記複数のガス導送手段のそれぞれに、
互いに直列の関係で設けられたマスフローコントローラ
及び流量計と、前記複数のガス導送手段から供給されて
くる複数のガスを混合して混合ガスを製造する混合手段
と、この混合手段から供給されてくる混合ガスの圧力エ
ネルギーを緩和して当該混合ガスを複数の消費手段に供
給する緩衝手段とを備え、 この緩衝手段に貯留された該混合ガスの圧力値の変化に
基づいて複数の流量制御手段を開閉動作させ、該複数の
ガスの供給を停止、又は、再開し、且つ前記複数のガス
導送手段のいずれかにおける前記マスフローコントロー
ラと前記流量計との検出値の不一致時に、別に用意した
混合ガスを前記複数の消費手段にそれぞれ供給するよう
構成したことを特徴とする混合ガス供給装置。 - 【請求項２】 前記消費手段が半導体製造手段であり、
前記混合ガスが半導体製造用であることを特徴とする請
求項１に記載の混合ガス供給装置。 - 【請求項３】 上記複数のガスのうちの少なくとも一つ
を不活性ガスとし、この不活性ガスを、独立した貯槽の
液化ガスを気化手段で気化させて製造するか、又は、高
圧ガスを減圧して製造するとともに、この気化手段、又
は、減圧手段から該ガス導送手段を介して混合手段に流
入させることを特徴とする請求項２記載の混合ガス供給
装置。 - 【請求項４】 上記複数のガスのうちの少なくとも一つ
を窒素ガスとし、この窒素ガスを、独立した貯槽の液体
窒素を気化手段に気化させて製造するとともに、この気
化手段から該ガス導送手段を介して混合手段に流入させ
ることを特徴とする請求項２に記載の混合ガス供給装
置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10702993A JP3174856B2 (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 混合ガス供給装置 |
| DE69424895T DE69424895T2 (de) | 1993-05-07 | 1994-04-15 | Mischgasversorgungssystem |
| EP94400834A EP0623381B1 (en) | 1993-05-07 | 1994-04-15 | Mixed gas supply system |
| TW083103782A TW247965B (ja) | 1993-05-07 | 1994-04-27 | |
| US08/236,117 US5470390A (en) | 1993-05-07 | 1994-05-02 | Mixed gas supply system with a backup supply system |
| KR1019940009828A KR940027043A (ko) | 1993-05-07 | 1994-05-04 | 혼합가스 공급장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10702993A JP3174856B2 (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 混合ガス供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06319972A JPH06319972A (ja) | 1994-11-22 |
| JP3174856B2 true JP3174856B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=14448718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10702993A Expired - Fee Related JP3174856B2 (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 混合ガス供給装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5470390A (ja) |
| EP (1) | EP0623381B1 (ja) |
| JP (1) | JP3174856B2 (ja) |
| KR (1) | KR940027043A (ja) |
| DE (1) | DE69424895T2 (ja) |
| TW (1) | TW247965B (ja) |
Families Citing this family (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996015285A1 (en) * | 1994-11-16 | 1996-05-23 | The B.F. Goodrich Company | Pressure gradient cvi/cvd apparatus, process and product |
| US5620524A (en) * | 1995-02-27 | 1997-04-15 | Fan; Chiko | Apparatus for fluid delivery in chemical vapor deposition systems |
| JP3360539B2 (ja) * | 1996-07-12 | 2002-12-24 | 信越半導体株式会社 | ガス供給装置及び気相成長用設備 |
| US6074691A (en) * | 1997-06-24 | 2000-06-13 | Balzers Aktiengesellschaft | Method for monitoring the flow of a gas into a vacuum reactor |
| IT1298117B1 (it) * | 1998-01-14 | 1999-12-20 | Air Liquide Italia S R L | Metodo per ottenere un fluido per saldatura avente caratteristiche chimico-fisiche costanti nel tempo ed impianto per il suo |
| US6039809A (en) * | 1998-01-27 | 2000-03-21 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Method and apparatus for feeding a gas for epitaxial growth |
| JPH11285628A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス混合装置及びガス放電パネルの製造方法 |
| US6216708B1 (en) * | 1998-07-23 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | On-line cleaning method for CVD vaporizers |
| US7476419B2 (en) * | 1998-10-23 | 2009-01-13 | Goodrich Corporation | Method for measurement of weight during a CVI/CVD process |
| US6669988B2 (en) | 2001-08-20 | 2003-12-30 | Goodrich Corporation | Hardware assembly for CVI/CVD processes |
| KR100330749B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-04-03 | 서성기 | 반도체 박막증착장치 |
| US6772781B2 (en) * | 2000-02-04 | 2004-08-10 | Air Liquide America, L.P. | Apparatus and method for mixing gases |
| US6887337B2 (en) * | 2000-09-19 | 2005-05-03 | Xactix, Inc. | Apparatus for etching semiconductor samples and a source for providing a gas by sublimation thereto |
| US6591850B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for fluid flow control |
| JP4071968B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2008-04-02 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ガス供給システム及びガス供給方法 |
| TWI273642B (en) * | 2002-04-19 | 2007-02-11 | Ulvac Inc | Film-forming apparatus and film-forming method |
| JP3973605B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2007-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法 |
| DE50211923D1 (de) * | 2002-09-25 | 2008-04-30 | Frech Oskar Gmbh & Co | Schutzgaseinrichtung für Druckgussmaschinen |
| WO2004088415A2 (en) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Advanced Technology Materials Inc. | Photometrically modulated delivery of reagents |
| US7063097B2 (en) * | 2003-03-28 | 2006-06-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | In-situ gas blending and dilution system for delivery of dilute gas at a predetermined concentration |
| JP4423914B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びその使用方法 |
| KR100541050B1 (ko) * | 2003-07-22 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 가스공급장치 및 이를 이용한 반도체소자 제조설비 |
| KR100560772B1 (ko) * | 2003-09-24 | 2006-03-13 | 삼성전자주식회사 | 가스 공급 장치를 구비하는 반응 챔버 시스템 |
| US20060130896A1 (en) * | 2004-01-07 | 2006-06-22 | Skibinski Gregory J | High reliability gas mixture back-up system |
| JP2005262079A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 混合ガス供給装置の運転制御方法 |
| US7389722B2 (en) * | 2004-06-22 | 2008-06-24 | Fresh Express Incorporated | Gas flush mixing system and method |
| US20060000509A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Pozniak Peter M | Fluid flow control device and system |
| JP5264039B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| WO2006075984A1 (en) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Micro Motion, Inc. | Gas flowmeter calibration stand |
| US7201071B2 (en) * | 2005-02-11 | 2007-04-10 | Horiba, Ltd. | Wide range continuous diluter |
| JP4868439B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2012-02-01 | エイブル株式会社 | ガス混合装置及びガス混合方法 |
| US20060243207A1 (en) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Jursich Gregory M | Fluid mixing and delivery system |
| US7717294B2 (en) | 2005-06-20 | 2010-05-18 | South-Tek Systems | Beverage dispensing gas consumption detection with alarm and backup operation |
| JP2008543563A (ja) * | 2005-06-22 | 2008-12-04 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 一体型のガス混合装置およびプロセス |
| EP2153363A4 (en) * | 2007-05-25 | 2013-02-27 | Applied Materials Inc | METHODS AND APPARATUS FOR ASSEMBLING AND OPERATING ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING SYSTEMS |
| JP5459895B2 (ja) * | 2007-10-15 | 2014-04-02 | Ｃｋｄ株式会社 | ガス分流供給ユニット |
| RU2446005C1 (ru) * | 2010-07-20 | 2012-03-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ) | Устройство для приготовления многокомпонентных газовых смесей |
| JP5657446B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-01-21 | 株式会社東芝 | シリンダーキャビネット |
| JP5720406B2 (ja) * | 2011-05-10 | 2015-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置、熱処理装置、ガス供給方法及び熱処理方法 |
| JP5824372B2 (ja) * | 2012-01-25 | 2015-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びプロセス状態の確認方法 |
| PL2667276T3 (pl) * | 2012-05-24 | 2018-04-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Sposób i urządzenie do dostarczania mieszaniny gazu |
| DE102014100135A1 (de) * | 2014-01-08 | 2015-07-09 | Aixtron Se | Gasmischvorrichtung an einem Reaktor mit Wegeventil |
| KR101485356B1 (ko) * | 2014-06-17 | 2015-01-27 | 주식회사 하이퓨리티 | Led 및 반도체 웨이퍼 챔버 세정시에 사용되는 세정혼합가스 공급장치 및 이의 구동방법 |
| FR3026319A1 (fr) * | 2014-09-26 | 2016-04-01 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif d'alimentation en gaz d'un equipement de laboratoire et methode de distribution dans le dispositif |
| US9620376B2 (en) * | 2015-08-19 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Self limiting lateral atomic layer etch |
| US20170362701A1 (en) * | 2016-06-16 | 2017-12-21 | Veeco Instruments Inc. | Central source delivery for chemical vapor deposition systems |
| CN107789999A (zh) * | 2016-08-30 | 2018-03-13 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种配制多瓶混合标准气体的装置及方法 |
| SG11202100619PA (en) | 2018-08-29 | 2021-02-25 | Mks Instr | Ozonated water delivery system and method of use |
| DE102019117543A1 (de) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Aixtron Se | Verfahren zum Kalibrieren/Verifizieren von Massenfluss-Mess/Steuer-Geräten eines Gasmischsystems und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| CN110314565B (zh) * | 2019-08-07 | 2024-03-15 | 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 | 多功能c4f7n/co2混合气体配气系统、配气方法 |
| CN110479123A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-11-22 | 苏州宏博净化设备有限公司 | 智能型自动氢氮配比装置 |
| JP7417255B6 (ja) * | 2020-01-09 | 2024-01-30 | ヤマハファインテック株式会社 | 水素ガス混合装置 |
| FR3111085B1 (fr) * | 2020-06-05 | 2023-05-12 | Air Liquide Electronics Systems | Installation et procédé de distribution d’un mélange de gaz |
| FR3111086A1 (fr) * | 2020-06-05 | 2021-12-10 | Air Liquide Electronics Systems | Installation et procédé de distribution d’un mélange de gaz pour le dopage de plaquettes de silicium |
| JP7507065B2 (ja) * | 2020-11-09 | 2024-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JP7487084B2 (ja) * | 2020-12-07 | 2024-05-20 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
| CN114909606A (zh) * | 2021-02-07 | 2022-08-16 | 上海弗川自动化技术有限公司 | 一种精准比例混合气体供应设备 |
| CN113385070A (zh) * | 2021-04-21 | 2021-09-14 | 铜陵有色金属集团股份有限公司 | 一种乳化液生产用双系统石灰乳化车间及其工作方法 |
| CN114984842A (zh) * | 2022-05-13 | 2022-09-02 | 上海至纯系统集成有限公司 | 一种芯片用高纯特种气体混配柜 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3330773A (en) * | 1963-03-28 | 1967-07-11 | Du Pont | Process for preparing gaseous mixtures |
| JPS58115812A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造用ガス供給装置 |
| JPS5980325A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-09 | Fujitsu Ltd | 反応ガス分配方法 |
| JPH0766919B2 (ja) * | 1991-02-20 | 1995-07-19 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 半導体製造装置 |
| JP2567099Y2 (ja) * | 1991-06-07 | 1998-03-30 | 山形日本電気株式会社 | ガス供給装置 |
-
1993
- 1993-05-07 JP JP10702993A patent/JP3174856B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-15 DE DE69424895T patent/DE69424895T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-04-15 EP EP94400834A patent/EP0623381B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-27 TW TW083103782A patent/TW247965B/zh active
- 1994-05-02 US US08/236,117 patent/US5470390A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-04 KR KR1019940009828A patent/KR940027043A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06319972A (ja) | 1994-11-22 |
| DE69424895T2 (de) | 2000-11-09 |
| EP0623381A1 (en) | 1994-11-09 |
| DE69424895D1 (de) | 2000-07-20 |
| EP0623381B1 (en) | 2000-06-14 |
| KR940027043A (ko) | 1994-12-10 |
| US5470390A (en) | 1995-11-28 |
| TW247965B (ja) | 1995-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3174856B2 (ja) | 混合ガス供給装置 | |
| US6772781B2 (en) | Apparatus and method for mixing gases | |
| US5904170A (en) | Pressure flow and concentration control of oxygen/ozone gas mixtures | |
| US9556518B2 (en) | Raw material gas supply apparatus for semiconductor manufacturing equipment | |
| US20070102117A1 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
| US8601976B2 (en) | Gas supply system for semiconductor manufacturing facilities | |
| US11285446B2 (en) | Mixed gas supply device | |
| US20110265895A1 (en) | Gas supply apparatus for semiconductor manufacturing apparatus | |
| US20020054956A1 (en) | Integrated dynamic blending apparatus | |
| JP6065329B2 (ja) | セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 | |
| KR20100014838A (ko) | 다중 반대칭 최적 제어 배치를 이용한 유량비 제어기를 구비한 가스 수송 방법 및 시스템 | |
| JPH01225320A (ja) | シリンダーキャビネット配管装置 | |
| KR19980086805A (ko) | 기체 공급 시스템을 지원하거나 보충하기 위한 방법 및 장치 | |
| US6260568B1 (en) | Apparatus and method for supplying uninterrupted gas | |
| JPH07281760A (ja) | マスフローコントローラ絶対流量検定システム | |
| US20160172164A1 (en) | Remote delivery of chemical reagents | |
| JP2018065073A (ja) | 希釈水素ガス生成装置 | |
| JP2009228887A (ja) | ガス供給システム | |
| JP2001012696A (ja) | ガス供給装置及び方法 | |
| JPH09271657A (ja) | 混合ガス供給装置 | |
| US6478040B1 (en) | Gas supplying apparatus and gas substitution method | |
| JP4155654B2 (ja) | ガス混合供給方法およびその装置 | |
| KR20010037602A (ko) | 가스 공급시스템 | |
| KR102498710B1 (ko) | 정제기의 충진물 재생용 가스믹싱시스템과 그 제어방법 | |
| JP6008688B2 (ja) | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080406 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080406 Year of fee payment: 7 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080406 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080406 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080406 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090406 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |