JP3138957B2 - 画素センサ回路のテスト装置及び焦点面イメージスキャナアレーテスト方法とイメージスキャナアレー - Google Patents
画素センサ回路のテスト装置及び焦点面イメージスキャナアレーテスト方法とイメージスキャナアレーInfo
- Publication number
- JP3138957B2 JP3138957B2 JP08190085A JP19008596A JP3138957B2 JP 3138957 B2 JP3138957 B2 JP 3138957B2 JP 08190085 A JP08190085 A JP 08190085A JP 19008596 A JP19008596 A JP 19008596A JP 3138957 B2 JP3138957 B2 JP 3138957B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- reset
- test
- pixel sensor
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 67
- 238000010998 test method Methods 0.000 title claims 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 101100004188 Arabidopsis thaliana BARD1 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/00002—Diagnosis, testing or measuring; Detecting, analysing or monitoring not otherwise provided for
- H04N1/00007—Diagnosis, testing or measuring; Detecting, analysing or monitoring not otherwise provided for relating to particular apparatus or devices
- H04N1/00013—Reading apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/00002—Diagnosis, testing or measuring; Detecting, analysing or monitoring not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/00002—Diagnosis, testing or measuring; Detecting, analysing or monitoring not otherwise provided for
- H04N1/00026—Methods therefor
- H04N1/00031—Testing, i.e. determining the result of a trial
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/00002—Diagnosis, testing or measuring; Detecting, analysing or monitoring not otherwise provided for
- H04N1/00026—Methods therefor
- H04N1/00053—Methods therefor out of service, i.e. outside of normal operation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/00002—Diagnosis, testing or measuring; Detecting, analysing or monitoring not otherwise provided for
- H04N1/00026—Methods therefor
- H04N1/00055—Methods therefor automatically on a periodic basis
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/00002—Diagnosis, testing or measuring; Detecting, analysing or monitoring not otherwise provided for
- H04N1/00026—Methods therefor
- H04N1/00063—Methods therefor using at least a part of the apparatus itself, e.g. self-testing
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N17/00—Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details
- H04N17/002—Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details for television cameras
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/195—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a two-dimensional array or a combination of two-dimensional arrays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Testing, Inspecting, Measuring Of Stereoscopic Televisions And Televisions (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は改善されたイメージ
センサアレー（ｉｍａｇｅ ｓｅｎｓｏｒ ａｒｒａ
ｙ）に関するもので、特に各々の画素センサ回路内の感
光素子に印加される制御可能なリセット電圧信号を利用
して、アレー内の画素センサ回路をテストするイメージ
センサアレーに関するものである。
センサアレー（ｉｍａｇｅ ｓｅｎｓｏｒ ａｒｒａ
ｙ）に関するもので、特に各々の画素センサ回路内の感
光素子に印加される制御可能なリセット電圧信号を利用
して、アレー内の画素センサ回路をテストするイメージ
センサアレーに関するものである。
【０００２】従来、焦点面のイメージスキャナ（ｓｃａ
ｎｎｅｒ）アレーはこの分野において使用されるのと同
様のやり方でテストされる。イメージスキャナには特定
の光の強度を持つイメージが印加され、イメージスキャ
ナの各行（ｒｏｗ）から読み出されて各画素の位置で画
素センサ回路により検出される光電（ｐｈｏｔｏｅｌｅ
ｃｔｒｉｃ）信号の強度が測定される。従って、２次元
センサアレーでセンサをテストするためには、アレーの
各行にはテストで要求される異なる照度レベルの光が照
射されなければならない。各画素センサは各々の照度レ
ベルで判読されなければならない。それ故、これはアレ
ーから信号を判読することにおける精密度だけではなく
て照度の精密度を要する時間−消費手段（ｔｉｍｅ ｃ
ｏｎｓｕｍｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である。
ｎｎｅｒ）アレーはこの分野において使用されるのと同
様のやり方でテストされる。イメージスキャナには特定
の光の強度を持つイメージが印加され、イメージスキャ
ナの各行（ｒｏｗ）から読み出されて各画素の位置で画
素センサ回路により検出される光電（ｐｈｏｔｏｅｌｅ
ｃｔｒｉｃ）信号の強度が測定される。従って、２次元
センサアレーでセンサをテストするためには、アレーの
各行にはテストで要求される異なる照度レベルの光が照
射されなければならない。各画素センサは各々の照度レ
ベルで判読されなければならない。それ故、これはアレ
ーから信号を判読することにおける精密度だけではなく
て照度の精密度を要する時間−消費手段（ｔｉｍｅ ｃ
ｏｎｓｕｍｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）である。
【０００３】図１は従来のアレーの簡単な設計の図示で
ある。このアレーは列（ＣＯＬＵＭＮ Ａ乃至ＣＯＬＵ
ＭＮ Ｎ）及び行（ＲＯＷ１乃至ＲＯＷ ｎ）を持って
いる。従って、各画素センサ回路は列を示す文字及び行
を示す数字に表現することができる。従って、第２番目
の列、第２番目の行にある画素センサ回路はＢ２と表示
される。
ある。このアレーは列（ＣＯＬＵＭＮ Ａ乃至ＣＯＬＵ
ＭＮ Ｎ）及び行（ＲＯＷ１乃至ＲＯＷ ｎ）を持って
いる。従って、各画素センサ回路は列を示す文字及び行
を示す数字に表現することができる。従って、第２番目
の列、第２番目の行にある画素センサ回路はＢ２と表示
される。
【０００４】各々の画素センサ回路は図１の列ライン
（１０，１２または１４）に連結されている。各列ライ
ンは画素センサ回路、例えば、負荷電界効果トランジス
タ（以下ＦＥＴという）（１６）を通じて列ライン（１
０）上のＡ１により駆動される。負荷ＦＥＴは列ライン
に所定の抵抗を提供するように電圧（ＶL）によりバイ
アスされる。画素センサ回路の出力は列ラインから誘導
されて、負荷ＦＥＴにかかる電圧降下になる。
（１０，１２または１４）に連結されている。各列ライ
ンは画素センサ回路、例えば、負荷電界効果トランジス
タ（以下ＦＥＴという）（１６）を通じて列ライン（１
０）上のＡ１により駆動される。負荷ＦＥＴは列ライン
に所定の抵抗を提供するように電圧（ＶL）によりバイ
アスされる。画素センサ回路の出力は列ラインから誘導
されて、負荷ＦＥＴにかかる電圧降下になる。
【０００５】この形態のアレーを判読するために、負荷
アクセス駆動ライン（ＲＯＷ１乃至ＲＯＷｎ）は順にイ
ネーブルされる。次いで、イネーブルされた行アクセス
ラインにより駆動される行でその列にある画素センサで
感知される照度を検出するために各列ラインの負荷ＦＥ
Ｔにかかる出力電圧を測定する。簡単な画素センサ回路
を図１のＡ１画素センサを参照して説明する。この画素
センサはノード２０の電圧をＦＥＴ（１８）にかかる電
圧より少ないＶDDに作るようにリセット信号によりリセ
ットＦＥＴ（１８）をイネーブルさせることにより動作
する。ＶDDは一般的に３〜５ＶでＦＥＴ（１８）にかか
る電圧降下は約７／１０Ｖである。従って、フォトダイ
オード（２２）はノード２０の電圧により逆バイアスさ
れる。フォトダイオード（２２）に光が照射されると、
フォトダイオード（２２）の接合にかかる電荷は放電さ
れてノード２０の電圧は降下する。フォトダイオード
（２２）を所定時間光に露出させた後にノード２０の電
圧がフォトダイオード（２２）により検出される光の強
度の測定値になる。
アクセス駆動ライン（ＲＯＷ１乃至ＲＯＷｎ）は順にイ
ネーブルされる。次いで、イネーブルされた行アクセス
ラインにより駆動される行でその列にある画素センサで
感知される照度を検出するために各列ラインの負荷ＦＥ
Ｔにかかる出力電圧を測定する。簡単な画素センサ回路
を図１のＡ１画素センサを参照して説明する。この画素
センサはノード２０の電圧をＦＥＴ（１８）にかかる電
圧より少ないＶDDに作るようにリセット信号によりリセ
ットＦＥＴ（１８）をイネーブルさせることにより動作
する。ＶDDは一般的に３〜５ＶでＦＥＴ（１８）にかか
る電圧降下は約７／１０Ｖである。従って、フォトダイ
オード（２２）はノード２０の電圧により逆バイアスさ
れる。フォトダイオード（２２）に光が照射されると、
フォトダイオード（２２）の接合にかかる電荷は放電さ
れてノード２０の電圧は降下する。フォトダイオード
（２２）を所定時間光に露出させた後にノード２０の電
圧がフォトダイオード（２２）により検出される光の強
度の測定値になる。
【０００６】列ライン（１０）で負荷ＦＥＴ（１６）と
共にＦＥＴ（２４）は負荷ＦＥＴ（１６）の出力ライン
（２６）上でノード２０の電圧に比例する電圧を出力す
るためのソースフォロア（ｓｏｕｒｃｅｆｏｌｌｏｗｅ
ｒ）回路として動作する。画素センサ回路（Ａ１）はＦ
ＥＴ（２８）をイネーブルさせる信号ＲＯＷ１により選
択される。ＦＥＴ（２８）は単純に負荷ＦＥＴ（１６）
により提供される負荷抵抗を持つＦＥＴ（２４）で構成
されるソースフォロア回路でスイッチとして動作する。
ソースフォロア回路の小信号（ｓｍａｌｌ−ｓｉｇｎａ
ｌ）の利得は約０．８５である。
共にＦＥＴ（２４）は負荷ＦＥＴ（１６）の出力ライン
（２６）上でノード２０の電圧に比例する電圧を出力す
るためのソースフォロア（ｓｏｕｒｃｅｆｏｌｌｏｗｅ
ｒ）回路として動作する。画素センサ回路（Ａ１）はＦ
ＥＴ（２８）をイネーブルさせる信号ＲＯＷ１により選
択される。ＦＥＴ（２８）は単純に負荷ＦＥＴ（１６）
により提供される負荷抵抗を持つＦＥＴ（２４）で構成
されるソースフォロア回路でスイッチとして動作する。
ソースフォロア回路の小信号（ｓｍａｌｌ−ｓｉｇｎａ
ｌ）の利得は約０．８５である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、過去に
は図１の画素センサは各センサをリセットしてセンサア
レー内のフォトダイオード（２２）での一連のテスト時
相異なる照度レベルを提供することによりテストされ
た。これは実現可能ではあるが、複雑でありテストする
間に提供される照度の相当に精密な制御が要求される。
従って、本発明の目的はアレーに印加されるイメージ照
度があるかないかに関係なしに電気的にテストされる画
素センサ回路をイネーブルさせるイメージセンサアレー
構造を提供することである。
は図１の画素センサは各センサをリセットしてセンサア
レー内のフォトダイオード（２２）での一連のテスト時
相異なる照度レベルを提供することによりテストされ
た。これは実現可能ではあるが、複雑でありテストする
間に提供される照度の相当に精密な制御が要求される。
従って、本発明の目的はアレーに印加されるイメージ照
度があるかないかに関係なしに電気的にテストされる画
素センサ回路をイネーブルさせるイメージセンサアレー
構造を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、前述の
目的はテスト電圧の選択可能なレベルでフォトダイオー
ドにかかる逆バイアスを設定するために制御可能な電圧
を持つリセットＦＥＴを駆動することにより実現され
る。このやり方において、アレー内の各画素センサ回路
は所望の照度を受信したかのようにテストすることもで
きる。
目的はテスト電圧の選択可能なレベルでフォトダイオー
ドにかかる逆バイアスを設定するために制御可能な電圧
を持つリセットＦＥＴを駆動することにより実現され
る。このやり方において、アレー内の各画素センサ回路
は所望の照度を受信したかのようにテストすることもで
きる。
【０００９】本発明の別の特徴として、リセットトラン
ジスタについての駆動電圧は列出力ラインを通じて提供
される。いずれの行アクセスイネーブル信号もアレーに
印加されない時、列ラインには制御可能なテスト電圧を
印加することができる。この状況で列ラインソースフォ
ロア回路は複数の行アクセスＦＥＴにより制御される。
従って別途のテスト電圧がリセットスイッチを通じて列
ラインを駆動することができ、また画素感知リセットト
ランジスタを通じて画素センサフォトダイオードに連結
することができる。
ジスタについての駆動電圧は列出力ラインを通じて提供
される。いずれの行アクセスイネーブル信号もアレーに
印加されない時、列ラインには制御可能なテスト電圧を
印加することができる。この状況で列ラインソースフォ
ロア回路は複数の行アクセスＦＥＴにより制御される。
従って別途のテスト電圧がリセットスイッチを通じて列
ラインを駆動することができ、また画素感知リセットト
ランジスタを通じて画素センサフォトダイオードに連結
することができる。
【００１０】本発明の又別の特徴として、列ラインを駆
動する可変リセット電圧は並列に連結されたｐチャネル
ＦＥＴ及びｎチャネルＦＥＴを使用することにより接地
と画素センサについての正常バイアス電圧ＶDD間で変化
することができる。本発明の大きな長所は画素センサ回
路がフォトダイオードにかかるどんな逆バイアス電圧と
しても設定することができ、従って、画素センサの照度
を正確に制御する必要なしに回路を容易にテストするこ
とができるということである。本発明の別の長点は列ラ
インに印加される可変テスト電圧により具現される時イ
メージアレースキャナを構成する集積回路に追加的な電
圧またはテストラインを設置する必要がないというもの
である。
動する可変リセット電圧は並列に連結されたｐチャネル
ＦＥＴ及びｎチャネルＦＥＴを使用することにより接地
と画素センサについての正常バイアス電圧ＶDD間で変化
することができる。本発明の大きな長所は画素センサ回
路がフォトダイオードにかかるどんな逆バイアス電圧と
しても設定することができ、従って、画素センサの照度
を正確に制御する必要なしに回路を容易にテストするこ
とができるということである。本発明の別の長点は列ラ
インに印加される可変テスト電圧により具現される時イ
メージアレースキャナを構成する集積回路に追加的な電
圧またはテストラインを設置する必要がないというもの
である。
【００１１】
【発明の実施の形態】図２に図示したような本発明の第
１の実施の形態において、可変リセット電源供給装置
（３０）は各々の画素センサ回路（３４）内のリセット
ＦＥＴ（３２）を駆動するのに使用される。ノード３６
はリセット電源供給装置（３０）からの電圧制御を基盤
として回路をテストするために要求される電圧に設定さ
れることができる。フォトダイオード（３８）はその動
作能力をテストするために光を受けるのであるが、セル
（３４）をテストするための望ましい方法は単純にリセ
ット電源供給装置（３０）から、接地電圧からＶDDまで
変化するテスト電圧をノード（３６）に提供することで
ある。
１の実施の形態において、可変リセット電源供給装置
（３０）は各々の画素センサ回路（３４）内のリセット
ＦＥＴ（３２）を駆動するのに使用される。ノード３６
はリセット電源供給装置（３０）からの電圧制御を基盤
として回路をテストするために要求される電圧に設定さ
れることができる。フォトダイオード（３８）はその動
作能力をテストするために光を受けるのであるが、セル
（３４）をテストするための望ましい方法は単純にリセ
ット電源供給装置（３０）から、接地電圧からＶDDまで
変化するテスト電圧をノード（３６）に提供することで
ある。
【００１２】図４のように、各テストサイクル間にリセ
ットパルス（４１）は、リセットＦＥＴ（３２）をイネ
ーブルさせてリセット電源供給装置（３０）からのテス
ト電圧がノード（３６）に印加されるようにする。所定
の時間間隔Ｔ1以後に図４の行パルス（４３）は行ＦＥ
Ｔ（４０）をイネーブルさせることになる。ＦＥＴ（４
２）及び負荷ＦＥＴ（４４）で構成されたソースフォロ
ア回路はノード（３６）での電圧に比例する出力電圧を
ノード４６から発生する。このようにして、各々のリセ
ット（ＲＥＳＥＴ）及び複数の行（ＲＯＷ）パルスサイ
クル間にノード（３６）に異なるリセット電源テスト電
圧を印加することにより、接地電圧とＶDD間の電圧につ
いての画素センサ回路（３４）の動作をテストすること
ができる。上記リセット信号とＲＯＷ信号は図５に図示
したように、アドレスデコード及びタイマ回路（４５）
によりアドレスとクロック信号に基づき発生される。
ットパルス（４１）は、リセットＦＥＴ（３２）をイネ
ーブルさせてリセット電源供給装置（３０）からのテス
ト電圧がノード（３６）に印加されるようにする。所定
の時間間隔Ｔ1以後に図４の行パルス（４３）は行ＦＥ
Ｔ（４０）をイネーブルさせることになる。ＦＥＴ（４
２）及び負荷ＦＥＴ（４４）で構成されたソースフォロ
ア回路はノード（３６）での電圧に比例する出力電圧を
ノード４６から発生する。このようにして、各々のリセ
ット（ＲＥＳＥＴ）及び複数の行（ＲＯＷ）パルスサイ
クル間にノード（３６）に異なるリセット電源テスト電
圧を印加することにより、接地電圧とＶDD間の電圧につ
いての画素センサ回路（３４）の動作をテストすること
ができる。上記リセット信号とＲＯＷ信号は図５に図示
したように、アドレスデコード及びタイマ回路（４５）
によりアドレスとクロック信号に基づき発生される。
【００１３】リセットパルス（４１）と行パルス（４
３）間の時間間隔Ｔ1 はフォトダイオード（３８）をテ
ストしようとする要求がある場合、フォトダイオード
（３８）に印加される光の強度を積分するための積分時
間に使用されることができる。しかし、回路の望ましい
応用においては、フォトダイオード（３８）が光の照射
を受けないで、多様なテスト電圧がリセット電源供給装
置（３０）からリセットＦＥＴ（３２）を通じてノード
（３６）に直接印加されることである。このようなテス
ト動作においては、パルス（４１及び４３）間の間隔Ｔ
1 を可能な限り短くすることができ、大略数ナノ秒（ｎ
ａｎｏｓｅｃｏｎｄｓ）程度になる。リセットパルス
（４１）と行パルス（４３）の持続時間（ｄｕｒａｔｉ
ｏｎ）は回路内の電圧が安定するように充分に長くなけ
ればならないこと以外には臨界的ではない。
３）間の時間間隔Ｔ1 はフォトダイオード（３８）をテ
ストしようとする要求がある場合、フォトダイオード
（３８）に印加される光の強度を積分するための積分時
間に使用されることができる。しかし、回路の望ましい
応用においては、フォトダイオード（３８）が光の照射
を受けないで、多様なテスト電圧がリセット電源供給装
置（３０）からリセットＦＥＴ（３２）を通じてノード
（３６）に直接印加されることである。このようなテス
ト動作においては、パルス（４１及び４３）間の間隔Ｔ
1 を可能な限り短くすることができ、大略数ナノ秒（ｎ
ａｎｏｓｅｃｏｎｄｓ）程度になる。リセットパルス
（４１）と行パルス（４３）の持続時間（ｄｕｒａｔｉ
ｏｎ）は回路内の電圧が安定するように充分に長くなけ
ればならないこと以外には臨界的ではない。
【００１４】図３に図示された本発明の別の実施の形態
において、リセット電源供給装置（５０）からのテスト
電圧は列ライン（５２）を通じて印加される。リセット
ＦＥＴ（５４）は列ライン（５２）とノード（５６）間
に連結される。リセットパルス（４１）と行アクセスパ
ルス（４３）は図２を参照して前述のように時間間隔Ｔ
1ほど離隔されている。従って、リセットパルスが提供
されると、リセット電源電圧が列ライン（５２）に印加
されてリセットＦＥＴ（５４）を通じてノード（５６）
に印加される。この時、行アクセスＦＥＴ（６０）は導
通されない。フォトダイオード（５８）がリセットパル
ス間にノード（５６）に印加されるテスト電圧により逆
バイアスされた後に、行アクセスパルス（４３）は行ア
クセスＦＥＴ（６０）をイネーブルさせて、リセットパ
ルスがなければリセット電源供給スイッチングトランジ
スタ（６８及び６９）が抑制される。負荷ＦＥＴ（６
４）はＦＥＴ（６２）と共にソースフォロア回路として
連結され、出力ノード（６６）での電圧はノード５６に
印加されるテスト電圧に比例する。
において、リセット電源供給装置（５０）からのテスト
電圧は列ライン（５２）を通じて印加される。リセット
ＦＥＴ（５４）は列ライン（５２）とノード（５６）間
に連結される。リセットパルス（４１）と行アクセスパ
ルス（４３）は図２を参照して前述のように時間間隔Ｔ
1ほど離隔されている。従って、リセットパルスが提供
されると、リセット電源電圧が列ライン（５２）に印加
されてリセットＦＥＴ（５４）を通じてノード（５６）
に印加される。この時、行アクセスＦＥＴ（６０）は導
通されない。フォトダイオード（５８）がリセットパル
ス間にノード（５６）に印加されるテスト電圧により逆
バイアスされた後に、行アクセスパルス（４３）は行ア
クセスＦＥＴ（６０）をイネーブルさせて、リセットパ
ルスがなければリセット電源供給スイッチングトランジ
スタ（６８及び６９）が抑制される。負荷ＦＥＴ（６
４）はＦＥＴ（６２）と共にソースフォロア回路として
連結され、出力ノード（６６）での電圧はノード５６に
印加されるテスト電圧に比例する。
【００１５】図２及び図４を参照して前述のように、リ
セット及び行アクセスパルス（４１及び４３）は光がフ
ォトダイオード（５８）に印加される間にパルス（４１
及び４３）間の時間間隔を調整することによりフォトダ
イオード（５８）をテストする照度を提供するために図
３に図示された実施の形態で使用することができる。選
択的に時間間隔は実質的に０まで減らすことができるし
行パルス（４３）は拡張させられる。出力信号はフォト
ダイオードに印加される最大の光に時間上の連続的の地
点で標本化される。各標本化時間でフォトダイオードに
かかる電圧は異なる電圧に減衰される。従って、各標本
化時間での判読は感知回路内のフォトダイオードにかか
る新たなテスト電圧の判読で行うことができる。しか
し、図３に図示した実施の形態においての望ましいテス
トはリセット及び行パルスで周期的に循環させて、各サ
イクルでリセット電源供給装置（５０）から異なるテス
ト電圧を提供することである。
セット及び行アクセスパルス（４１及び４３）は光がフ
ォトダイオード（５８）に印加される間にパルス（４１
及び４３）間の時間間隔を調整することによりフォトダ
イオード（５８）をテストする照度を提供するために図
３に図示された実施の形態で使用することができる。選
択的に時間間隔は実質的に０まで減らすことができるし
行パルス（４３）は拡張させられる。出力信号はフォト
ダイオードに印加される最大の光に時間上の連続的の地
点で標本化される。各標本化時間でフォトダイオードに
かかる電圧は異なる電圧に減衰される。従って、各標本
化時間での判読は感知回路内のフォトダイオードにかか
る新たなテスト電圧の判読で行うことができる。しか
し、図３に図示した実施の形態においての望ましいテス
トはリセット及び行パルスで周期的に循環させて、各サ
イクルでリセット電源供給装置（５０）から異なるテス
ト電圧を提供することである。
【００１６】図３に図示した実施の形態の又別の特性は
リセット電源供給電圧を列ライン（５２）に伝達するた
めに並列に構成されたｎチャネルＦＥＴ（６８）及びｐ
チャネルＦＥＴ（６９）を使用するということである。
この構成はＦＥＴにかかる電圧でドレーンソースの電圧
降下と関係なしにテスト電圧が接地とＶDD間のどこでも
設定されるように許容する。動作中に接地電圧からＶDD
でＦＥＴ電圧降下を抜いた電圧までの電圧がｎチャネル
ＦＥＴ（６８）を通じて提供される。ＦＥＴ両端の電圧
降下とＶDD間の電圧がｐチャンネメＦＥＴ（６９）を通
じて提供させられる。従って、ｎチャネル及びｐチャネ
ルＦＥＴの並列使用として接地とＶDD間の電圧が列ライ
ン（５２）及びリセットＦＥＴ（５４）に印加される。
リセット電源供給電圧を列ライン（５２）に伝達するた
めに並列に構成されたｎチャネルＦＥＴ（６８）及びｐ
チャネルＦＥＴ（６９）を使用するということである。
この構成はＦＥＴにかかる電圧でドレーンソースの電圧
降下と関係なしにテスト電圧が接地とＶDD間のどこでも
設定されるように許容する。動作中に接地電圧からＶDD
でＦＥＴ電圧降下を抜いた電圧までの電圧がｎチャネル
ＦＥＴ（６８）を通じて提供される。ＦＥＴ両端の電圧
降下とＶDD間の電圧がｐチャンネメＦＥＴ（６９）を通
じて提供させられる。従って、ｎチャネル及びｐチャネ
ルＦＥＴの並列使用として接地とＶDD間の電圧が列ライ
ン（５２）及びリセットＦＥＴ（５４）に印加される。
【図１】従来のイメージアレー焦点面スキャナ及びアレ
ーの画素センサ回路図である。
ーの画素センサ回路図である。
【図２】本発明の一実施例による制御可能なテスト電圧
がリセットＦＥＴを通じてフォトダイオード逆バイアス
に印加されるようになっている概略図である。
がリセットＦＥＴを通じてフォトダイオード逆バイアス
に印加されるようになっている概略図である。
【図３】制御テスト電圧が列ライン及びリセットトラン
ジスタを通じて印加される列ラインをもつ画素センソー
サ回路の概略図である。
ジスタを通じて印加される列ラインをもつ画素センソー
サ回路の概略図である。
【図４】図２及び図３に使用されたリセット及び行アク
セス信号間の関連タイミングを説明するタイミング図で
ある。
セス信号間の関連タイミングを説明するタイミング図で
ある。
【図５】リセット及び行アクセス信号を発生するタイマ
回路の概略図である。
回路の概略図である。
１６ 負荷ＦＥＴ １８ リセットＦＥＴ ２０ ノード ２２ フォトダイオード ３０ 可変リセット電源供給装置 ３２ リセットＦＥＴ ３４ 画素センサ回路 ３６ ノード ３８ フォトダイオード ４０ 行ＦＥＴ ４４ 負荷ＦＥＴ ５０ リセット電源供給装置 ５４ リセットＦＥＴ ５６ ノード ５８ フォトダイオード ６０ 行アクセスＦＥＴ ６４ 負荷ＦＥＴ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−295274（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−48187（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04N 5/30 - 5/335 H04N 17/00 - 17/06
Claims (16)
- 【請求項１】 行列に配列された画素センサ回路を持つ
２次元イメージスキャナアレーの上記画素センサ回路を
テストするための装置において、 選択可能なテスト電圧源を提供するリセット電源と、画
素センサ回路内の感光素子の動作電圧を上記リセット電
源からのテスト電圧にリセットするためのリセット手段
と、画素センサ回路についての電圧供給手段及び上記感
光素子へのテスト電圧の印加に応答して画素センサ回路
の出力を感知するための感知手段を包含してなる画素セ
ンサ回路のテスト装置。 - 【請求項２】 請求項１において、一行（ＲＯＷ）内の
各画素センサ回路をその画素センサ回路の列（ＣＯＬＵ
ＭＮ）ラインに電気的に連結するための行アクセス手段
を更に包含して、上記リセット手段は第１の時間でテス
ト電圧をリセットして、上記行アクセス手段は上記第１
時間に続く第２の時間で画素センサ回路を上記列ライン
に連結することにより、上記リセット手段及び行アクセ
ス手段が反復作動して画素センサ回路の継続的テストが
行われることを特徴とする画素センサ回路のテスト装
置。 - 【請求項３】 請求項２において、上記リセット手段
は、テスト電圧を列ラインに印加するためのリセット電
源と、リセット信号が存在する間にのみ、上記リセット
電源を列ラインに連結するためのスイッチ手段及び上記
リセット信号が存在する間にのみ、上記列ラインからの
電圧を感光素子にセットするためのリセットスイッチを
包含することを特徴とする画素センサ回路のテスト装
置。 - 【請求項４】 請求項３において、上記スイッチ手段
は、各半導体素子にかかる電源降下とは関係なしにテス
ト電圧の全体範囲を伝達するスイッチを提供するための
並列連結されたｐチャネル半導体素子及びｎチャネル半
導体素子を包含することを特徴とする画素センサ回路の
テスト装置。 - 【請求項５】 請求項１において、上記リセット手段
は、テスト電圧を列ラインに印加するためのリセット電
源と、上記リセット信号が存在する間にのみ上記リセッ
ト電源を列ラインに連結させるためのスイッチ手段及び
上記リセット信号が存在する間にのみ列ラインからの電
圧を感光素子にセットするためのリセットスイッチ手段
を包含することを特徴とする画素センサ回路のテスト装
置。 - 【請求項６】 請求項５において、上記スイッチ手段
は、各半導体素子にかかる電圧降下とは関係なしにテス
ト電圧の全体範囲を伝達するスイッチを提供するための
並列連結されたｐチャネル半導体素子及びｎチャネル半
導体素子を包含することを特徴とする画素センサ回路の
テスト装置。 - 【請求項７】 ａ）画素センサ回路に電源電圧を提供す
る段階と、 ｂ）画素センサ回路内の感光素子にかかる動作電圧を上
記電源電圧とは異なるテスト電圧にリセットする段階
と、 ｃ）感光素子にかかる動作電圧が上記リセット段階によ
りテスト電圧にリセットされた後に感光素子にかかる動
作電圧を出力ラインに印加する段階と、 ｄ）感光素子にかかる動作電圧に比例する出力テスト信
号を出力ラインから提供する段階とを包含してなること
を特徴とする焦点面（ｆｏｃａｌｐ；ａｎｅ）イメージ
スキャナアレーテスト方法。 - 【請求項８】 請求項７において、 ｅ）感光素子にかかる動作電圧を出力ラインから電気的
に分離させるように印加段階をオフさせるスイッチング
段階と、 ｆ）テスト電圧を出力ラインに印加するリセット段階
と、 ｇ）リセット動作電圧として出力ラインを通じて感光素
子の両端にテスト電圧を印加するための第２のスイッチ
ング段階と、 ｈ）上記第２のスイッチング段階の後に、上記第２のス
イッチング段階を抑制させて、上記リセット動作電圧を
出力ラインに印加させて上記段階ｄ）が出力テスト信号
を提供するように上記駆動段階をイネーブルさせる段階
を更に包含することを特徴とする焦点画イメージスキャ
ナアレーテスト方法。 - 【請求項９】 請求項８において、継続的テストサイク
ルで上記段階ｅ）乃至上記段階ｈ）を反復する段階と、
各テストサイクルで上記リセット段階により提供される
テスト電圧を変化させる段階を更に包含することを特徴
とする焦点面イメージスキャナアレーテスト方法。 - 【請求項１０】 請求項７において、継続的テストサイ
クルで上記段階ｂ）乃至上記段階ｄ）を反復する段階
と、各テストサイクルで上記リセット段階により提供さ
れるテスト電圧を変化させる段階を更に包含することを
特徴とする焦点面イメージスキャナアレーテスト方法。 - 【請求項１１】 複数の画素センサ回路を持つイメージ
スキャナアレーにおいて、各々の画素センサ回路は、リ
セット電圧により逆バイアスされるフォトダイオード
と、上記フォトダイオードにかかる電圧に対応する動作
信号に比例する出力信号を出力するためのソースフォロ
ア（ｆｏｌｌｏｗｅｒ）電界効果トランジスタ回路と、
上記ソースフォロア回路に動作電源を供給するための電
圧供給源と、上記電圧供給源と別途に、リセット電圧と
してテスト電圧を提供するためのリセット電圧源と、リ
セット電圧をフォトダイオードに逆バイアスに印加する
ためのリセット電界効果トランジスタと、フォトダイオ
ードの両端に動作電圧としてテスト電圧を印加するよう
にリセット電界効果トランジスタを優先イネーブルさせ
て、その後に動作電圧に比例する出力信号を駆動させる
ようにソースフォロア回路をイネーブルさせるためのタ
イマとを包含してなるイメージスキャナアレー。 - 【請求項１２】 請求項１１において、上記タイマは複
数の継続的テストサイクルを行うようにリセットトラン
ジスタのイネーブル及びソースフォロア回路のイネーブ
ルを周期的に反復して、上記リセット電圧源は各テスト
サイクル毎に異なるテスト電圧を供給することを特徴と
するイメージスキャナアレー。 - 【請求項１３】 請求項１１において、上記複数の画素
センサ回路内の上記ソースフォロア回路の出力信号を上
記複数の画素センサ回路により共有される共通出力ライ
ンに印加し、上記リセット電界効果トランジスタは上記
タイマに応答して、第１の時間間隔においてリセット電
界効果トランジスタ及び上記共通出力ラインを経由し
て、上記リセット電圧を上記フォトダイオードに印加す
るようになっており、上記アレーは、上記タイマに応答
して第１の時間間隔の後に来る第２の時間間隔でソース
フォロア回路をイネーブルさせて、リセット電圧が第１
の時間間隔において共通出力ラインを経由して印加され
て出力信号が第２の時間間隔において共通出力ラインに
提供されるようにするためのアクセス電界効果トランジ
スタを更に包含することを特徴とするイメージスキャナ
アレー。 - 【請求項１４】 請求項１１において、上記多数の画素
センサ回路からの上記ソースフォロア回路は出力信号を
上記センサ回路により共有される共通出力ラインに印加
して、上記リセット電界効果トランジスタは上記タイマ
に応答して第１の時間間隔において共通出力ラインから
のリセット電圧をフォトダイオードに印加するようにな
っており、上記アレーは、上記タイマに応答して第１の
時間間隔においてリセット電圧を共通出力ラインに印加
するためのリセットスイッチング回路と、上記タイマに
応答して、第１の時間間隔の後にくる第２の時間間隔に
おいてソースフォロア回路をイネーブルさせて、リセッ
ト電圧が第１の時間間隔において共通出力ラインを経由
して印加されて出力信号は第２の時間間隔において共通
出力ラインに提供されるようにするためのアクセス電界
効果トランジスタを更に包含することを特徴とするイメ
ージスキャナアレー。 - 【請求項１５】 請求項１４において、上記タイマを複
数の継続的のテストサイクルを提供するように上記リセ
ット回路及び上記トランジスタのイネーブル及びソース
フォロア回路のイネーブルを周期的に反復して、上記リ
セット電圧源は各テストサイクル毎に異なるテスト電圧
を供給することを特徴とするイメージスキャナアレー。 - 【請求項１６】 請求項１４において、上記リセットス
イッチング回路は、ｐチャネル電界効果トランジスタ及
びｎチャネル電界効果トランジスタにかかる電圧降下と
は関係なしにテスト電圧の全体範囲を共通出力ラインに
印加するスイッチを提供するように並列連結されたｐチ
ャネル半導体素子及びｎチャネル半導体素子を包含する
ことを特徴とするイメージスキャナアレー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/496861 | 1995-06-30 | ||
| US08/496,861 US5654537A (en) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | Image sensor array with picture element sensor testability |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308902A JPH10308902A (ja) | 1998-11-17 |
| JP3138957B2 true JP3138957B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=23974493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08190085A Expired - Fee Related JP3138957B2 (ja) | 1995-06-30 | 1996-07-01 | 画素センサ回路のテスト装置及び焦点面イメージスキャナアレーテスト方法とイメージスキャナアレー |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5654537A (ja) |
| JP (1) | JP3138957B2 (ja) |
| KR (1) | KR100195858B1 (ja) |
| DE (1) | DE19626427C2 (ja) |
| GB (1) | GB2302954B (ja) |
| TW (1) | TW382108B (ja) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3673620B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2005-07-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| KR100246358B1 (ko) | 1997-09-25 | 2000-03-15 | 김영환 | 전자셔터를 구비한 액티브 픽셀 센서 |
| TW421962B (en) * | 1997-09-29 | 2001-02-11 | Canon Kk | Image sensing device using mos type image sensing elements |
| US6504572B2 (en) * | 1997-11-05 | 2003-01-07 | Stmicroelectronics, Inc. | Circuit for detecting leaky access switches in CMOS imager pixels |
| US6618084B1 (en) * | 1997-11-05 | 2003-09-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Pixel correction system and method for CMOS imagers |
| US6633335B1 (en) | 1998-02-28 | 2003-10-14 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | CMOS image sensor with testing circuit for verifying operation thereof |
| US6697111B1 (en) * | 1998-04-08 | 2004-02-24 | Ess Technology, Inc. | Compact low-noise active pixel sensor with progressive row reset |
| KR19990084630A (ko) | 1998-05-08 | 1999-12-06 | 김영환 | 씨모스 이미지 센서 및 그 구동 방법 |
| KR100265364B1 (ko) | 1998-06-27 | 2000-09-15 | 김영환 | 넓은 동적 범위를 갖는 씨모스 이미지 센서 |
| DE19907971A1 (de) | 1999-02-24 | 2000-08-31 | Bosch Gmbh Robert | Bildsensor und Verfahren zum Betreiben eines Bildsensors |
| US6704050B1 (en) * | 1999-04-23 | 2004-03-09 | Polaroid Corporation | Active-pixel image sensing device with linear mode voltage to current conversion |
| US6734897B1 (en) * | 1999-08-10 | 2004-05-11 | Agilent Technologies, Inc | Digital imaging circuit and method |
| US6717616B1 (en) * | 1999-08-16 | 2004-04-06 | Intel Corporation | Amplifier assisted active pixel read out structure |
| US6259084B1 (en) * | 1999-09-02 | 2001-07-10 | Hewlett Packard Company | System and method for improved scanning accuracy through noise reduction and pulse timing |
| US6727946B1 (en) * | 1999-12-14 | 2004-04-27 | Omnivision Technologies, Inc. | APS soft reset circuit for reducing image lag |
| JP2001189893A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US6489798B1 (en) * | 2000-03-30 | 2002-12-03 | Symagery Microsystems Inc. | Method and apparatus for testing image sensing circuit arrays |
| US6492802B1 (en) * | 2000-07-14 | 2002-12-10 | Ge Medical Technology Services, Inc. | Apparatus and method for detecting defects in a multi-channel scan driver |
| DE10210327B4 (de) * | 2002-03-08 | 2012-07-05 | Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg | Digitale Laufbildkamera |
| KR100477785B1 (ko) * | 2002-04-27 | 2005-03-22 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 특성평가용 테스트 패턴을 구비한 시모스 이미지센서 |
| EP1445922A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-11 | Dialog Semiconductor GmbH | Monolithic optical read-out circuit |
| KR100523233B1 (ko) * | 2003-08-23 | 2005-10-24 | 삼성전자주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 이미지 센싱 방법 |
| US8029454B2 (en) | 2003-11-05 | 2011-10-04 | Baxter International Inc. | High convection home hemodialysis/hemofiltration and sorbent system |
| KR100737915B1 (ko) | 2005-12-16 | 2007-07-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 그리고 그것을 위한 테스트 시스템 및 테스트방법 |
| KR100737916B1 (ko) * | 2005-12-19 | 2007-07-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 그리고 그것을 위한 테스트 시스템 및 테스트방법 |
| US7595474B2 (en) * | 2007-03-05 | 2009-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and method of driving the same |
| US7804052B2 (en) * | 2007-06-08 | 2010-09-28 | Aptina Imaging Corp. | Methods and apparatuses for pixel testing |
| US9514283B2 (en) * | 2008-07-09 | 2016-12-06 | Baxter International Inc. | Dialysis system having inventory management including online dextrose mixing |
| US8062513B2 (en) | 2008-07-09 | 2011-11-22 | Baxter International Inc. | Dialysis system and machine having therapy prescription recall |
| KR101512737B1 (ko) | 2008-11-06 | 2015-04-22 | 삼성전자주식회사 | 픽셀 센서 어레이 및 이를 이용한 이미지 센서 |
| US8926551B2 (en) * | 2009-07-07 | 2015-01-06 | Baxter Healthcare Inc. | Peritoneal dialysis therapy with large dialysis solution volumes |
| DE102009049201A1 (de) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg | Bildsensor und Betriebsverfahren |
| JP5205430B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2013-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8462250B2 (en) * | 2011-01-25 | 2013-06-11 | Aptina Imaging Corporation | Imager pixel architecture with enhanced column discharge and method of operation |
| US8599307B2 (en) * | 2011-07-25 | 2013-12-03 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for rapid verification of imaging systems |
| WO2014002732A1 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-03 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
| US9584800B2 (en) * | 2014-03-31 | 2017-02-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems with pixel array verification circuitry |
| KR102633135B1 (ko) * | 2019-01-28 | 2024-02-02 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그의 동작 방법 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4583002A (en) * | 1983-06-06 | 1986-04-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Imaging sensor with automatic sensitivity control comprising voltage multiplying means |
| US4654714A (en) * | 1985-10-30 | 1987-03-31 | Rca Corporation | Pixel addressing system |
| FR2591350B1 (fr) * | 1985-12-10 | 1988-05-13 | Telecommunications Sa | Procede de test des photodiodes infrarouge d'une plaquette de detection |
| JPH0785568B2 (ja) * | 1989-04-05 | 1995-09-13 | 富士ゼロックス株式会社 | 密着型イメージセンサ装置 |
| US5083016A (en) * | 1990-03-27 | 1992-01-21 | Hughes Aircraft Company | 3-transistor source follower-per-detector unit cell for 2-dimensional focal plane arrays |
| US5288988A (en) * | 1990-08-07 | 1994-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconversion device having reset control circuitry |
| JPH04100383A (ja) * | 1990-08-18 | 1992-04-02 | Seiko Instr Inc | 固体撮像素子 |
| US5081536A (en) * | 1990-12-24 | 1992-01-14 | Xerox Corporation | Image sensor array using two stage transfer having improved uniformity |
| JP2965777B2 (ja) * | 1992-01-29 | 1999-10-18 | オリンパス光学工業株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5354980A (en) * | 1993-06-17 | 1994-10-11 | Hughes Aircraft Company | Segmented multiplexer for spectroscopy focal plane arrays having a plurality of groups of multiplexer cells |
| US5451768A (en) * | 1994-11-14 | 1995-09-19 | Xerox Corporation | On-chip test circuit and method for an image sensor array |
-
1995
- 1995-06-30 US US08/496,861 patent/US5654537A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-06-28 KR KR1019960025133A patent/KR100195858B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-06-28 GB GB9613681A patent/GB2302954B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-01 DE DE19626427A patent/DE19626427C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-01 JP JP08190085A patent/JP3138957B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-03 TW TW085112104A patent/TW382108B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19626427A1 (de) | 1997-01-02 |
| JPH10308902A (ja) | 1998-11-17 |
| KR100195858B1 (ko) | 1999-06-15 |
| DE19626427C2 (de) | 2002-12-05 |
| US5654537A (en) | 1997-08-05 |
| GB2302954B (en) | 2000-05-10 |
| GB2302954A (en) | 1997-02-05 |
| GB9613681D0 (en) | 1996-08-28 |
| TW382108B (en) | 2000-02-11 |
| KR970002374A (ko) | 1997-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3138957B2 (ja) | 画素センサ回路のテスト装置及び焦点面イメージスキャナアレーテスト方法とイメージスキャナアレー | |
| EP1582054B1 (en) | Cmos active pixel with hard and soft reset | |
| US5572257A (en) | Arrangement comprising a sensor matrix | |
| EP1177680B1 (en) | Image sensor | |
| US5352884A (en) | Method and apparatus for providing offset for light detector | |
| US6797933B1 (en) | On-chip design-for-testing structure for CMOS APS (active pixel sensor) image sensor | |
| US6489798B1 (en) | Method and apparatus for testing image sensing circuit arrays | |
| US20090185044A1 (en) | Image Sensor and Method with Multiple Scanning Modes | |
| EP1003330B1 (en) | Imaging system | |
| US6366312B1 (en) | Testing components in digital imaging devices | |
| JPS61236283A (ja) | 感光装置 | |
| JPH10281870A (ja) | 物理量分布検知半導体装置およびその駆動方法 | |
| US10917600B2 (en) | Current driven pixel circuit and related image sensor | |
| US5856666A (en) | Multiplexer circuit | |
| US6414292B1 (en) | Image sensor with increased pixel density | |
| KR100428795B1 (ko) | 빠른 초기화를 수행하는 엑스선 검출기 | |
| JP4262020B2 (ja) | 光検出装置 | |
| JP2000324404A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH09252436A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US6563103B1 (en) | Image sensor and method of operating an image sensor | |
| GB2342456A (en) | Image sensor array test apparatus and method | |
| JPH11252465A (ja) | 固体撮像装置とその駆動方法 | |
| JP2020057966A (ja) | 放射線画像撮影装置及びプログラム | |
| KR20040071839A (ko) | 테스트용 기준전압 발생부를 가지는 이미지 센서 | |
| JP2001033308A (ja) | 赤外線イメージセンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071215 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081215 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 9 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 9 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131215 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |