KR102633135B1 - 이미지 센서 및 그의 동작 방법 - Google Patents
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- 238000011017 operating method Methods 0.000 title 1
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
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- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
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- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
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Abstract
Description
도 2는 본 개시의 예시적 실시예에 따른 이미지 센서의 구성을 도시하는 블록도이다.
도 3은 본 개시의 예시적 실시예에 따른 픽셀 및 픽셀 부하를 도시하는 아날로그 회로도이다.
도 4는 본 개시의 예시적 실시예에 따른 이미지 센서의 동작을 도시하는 순서도이다.
도 5는 본 개시의 예시적 실시예들에 따른 스위치의 온/오프를 제어하는 동작 방법을 나타내는 순서도이다.
도 6a는 본 개시의 예시적 실시예들에 따른 제1 임계 값을 초과하지 않는 이득 값을 수신한 경우, 스위치의 온/오프 제어에 따른 픽셀 부하 전류의 흐름을 나타내는 회로도이다.
도 6b는 본 개시의 예시적 실시예들에 따른 제1 임계 값을 초과하고, 제2 임계 값을 초과하지 않는 이득 값을 수신한 경우, 스위치의 온/오프 제어에 따른 픽셀 부하 전류의 흐름을 나타내는 회로도이다.
도 6c는 본 개시의 예시적 실시예들에 따른 제2 임계 값을 초과하는 이득 값을 수신한 경우, 스위치의 온/오프 제어에 따른 픽셀 부하 전류의 흐름을 나타내는 회로도이다.
도 7은 본 개시의 예시적 실시예에 따른 이미지 센서를 포함하는 컴퓨팅 시스템을 나타내는 블록도이다.
Claims (10)
- 로우(row)들 및 컬럼(column)들에 따라 배열되는 복수의 픽셀들을 포함하는 픽셀 어레이(array);
상기 컬럼들 중 하나의 컬럼에 연결되고, 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들을 포함하는 픽셀 부하(load); 및
상기 복수의 트랜지스터들 중 이웃하는(neighboring) 트랜지스터들 사이의 노드들에 각각 병렬로 연결되는 복수의 스위치들을 포함하고,
이미지 프로세서로부터, 이미지를 획득하는 시점의 빛의 세기를 지시하는 이득 정보(gain information)를 획득하고, 상기 획득된 이득 정보에 기반하여, 상기 픽셀 부하를 통과하는 전류의 전기적 경로를 변경하도록, 상기 복수의 스위치들 중 적어도 하나의 스위치의 온/오프(on/off)를 제어하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 트랜지스터들은,
직렬(serial)로 연결되어, 스택(stack) 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 스위치들은,
제1 스위치, 및 제2 스위치를 포함하고,
상기 복수의 트랜지스터들은,
제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터, 및 제3 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제3항에 있어서,
상기 제1 스위치는,
상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터 사이에 연결되고,
상기 제2 스위치는,
상기 제2 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터 사이에 연결되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제4항에 있어서,
상기 이미지 센서는,
상기 획득된 이득 정보에 기반하여, 이득 값을 식별하고,
상기 이득 값이, 제1 임계 값보다 작은 경우, 상기 적어도 하나의 스위치의 온/오프의 제어를 바이패스하고,
상기 이득 값이, 상기 제1 임계 값보다 크고 제2 임계 값보다 작은 경우, 상기 제1 스위치를 비활성화하고 상기 제2 스위치를 활성화하고,
상기 이득 값이 제2 임계 값보다 큰 경우, 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치를 비활성화하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제5항에 있어서,
상기 픽셀 부하를 통과하는 전류는,
상기 제1 스위치가 활성화된 경우, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제1 스위치를 포함하는 전기적 경로를 가지고,
상기 제1 스위치가 비활성화되고, 상기 제2 스위치가 활성화된 경우, 상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터 및 상기 제2 스위치를 포함하는 전기적 경로를 가지고,
상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치가 비활성화된 경우, 상기 제1 트랜지스터 내지 상기 제3 트랜지스터를 포함하는 전기적 경로를 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제5항에 있어서,
상기 제1 스위치가 비활성화되고, 상기 제2 스위치가 활성화된 경우, 상기 픽셀 부하의 트랜스 컨덕턴스 값은 1/2로 감소하고,
상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치가 비활성화된 경우, 상기 픽셀 부하의 트랜스 컨덕턴스 값은 1/3로 감소하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제1항에 있어서,
상기 픽셀 부하로 흐르는 전류를 생성하기 위한 바이어스 전류 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제8항에 있어서,
상기 바이어스 전류 회로는,
전류 미러 회로(current mirror circuit)를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. - 제9항에 있어서,
상기 전류 미러 회로는,
상기 복수의 스위치들과 대칭(symmetry)을 형성하는 다른 복수의 스위치들을 포함하고,
상기 다른 복수의 스위치들은, 상기 복수의 스위치들의 온/오프와 동일하게 제어되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190010663A KR102633135B1 (ko) | 2019-01-28 | 2019-01-28 | 이미지 센서 및 그의 동작 방법 |
US16/745,628 US11252363B2 (en) | 2019-01-28 | 2020-01-17 | Image sensors and methods of operating the same |
US17/574,962 US11601609B2 (en) | 2019-01-28 | 2022-01-13 | Image sensors and methods of operating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190010663A KR102633135B1 (ko) | 2019-01-28 | 2019-01-28 | 이미지 센서 및 그의 동작 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200093322A KR20200093322A (ko) | 2020-08-05 |
KR102633135B1 true KR102633135B1 (ko) | 2024-02-02 |
Family
ID=71731759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190010663A Active KR102633135B1 (ko) | 2019-01-28 | 2019-01-28 | 이미지 센서 및 그의 동작 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11252363B2 (ko) |
KR (1) | KR102633135B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2019
- 2019-01-28 KR KR1020190010663A patent/KR102633135B1/ko active Active
-
2020
- 2020-01-17 US US16/745,628 patent/US11252363B2/en active Active
-
2022
- 2022-01-13 US US17/574,962 patent/US11601609B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200244914A1 (en) | 2020-07-30 |
KR20200093322A (ko) | 2020-08-05 |
US20220141413A1 (en) | 2022-05-05 |
US11601609B2 (en) | 2023-03-07 |
US11252363B2 (en) | 2022-02-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20190128 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20220107 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20190128 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20230601 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20231218 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20240130 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20240131 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |